專利名稱：熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元，特別 是涉及用以承載高功率發(fā)光二極管的 一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu) 及其散熱單元。
背景技術(shù)：
由于高功率發(fā)光二極管晶片的制造技術(shù)不斷進(jìn)步，所以發(fā)光二極管晶 片的發(fā)光效率也不斷提升，并且使得發(fā)光二極管可應(yīng)用的范圍也越來越廣 泛，但是目前卻未能有效地發(fā)光二極管的輸入功率轉(zhuǎn)換成光能，反而是將大 部分的輸入功率轉(zhuǎn)換成熱能，所以若能使發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)分別提供導(dǎo) 熱及導(dǎo)電的路徑，則可提高發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱速度，進(jìn)而可將大 部分的輸入功率轉(zhuǎn)換成光能，將可提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。如美國專利公告第7,098, 483號中揭露的一種可操作于高溫下的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括一金屬基板、 一陶瓷基板及一發(fā)光二極管。金屬 基板是包括一熱連接板及一對電極，熱連接板及電極是設(shè)置于金屬基板下 方。陶瓷基板是設(shè)置于金屬基板上，而發(fā)光二極管則固晶于金屬基板或陶 乾基板上。發(fā)光二極管是經(jīng)由金屬基板導(dǎo)熱結(jié)合熱連接板，并且電極是電 性連接于在下方的電連接板。熱流也可藉由多數(shù)條導(dǎo)熱體導(dǎo)熱連接于熱連 接板而加強(qiáng)導(dǎo)熱，使熱可加速傳導(dǎo)出。雖然上述揭露的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)可提供熱電分離的途徑，進(jìn)而加 快散熱速度，但是上述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)僅能承載面上型發(fā)光二極管 (Face-up LED)，而無法承載多顆金屬基板垂直發(fā)光二極管(Vertical LED Mental alloyed Substrate, VLEDMS )。因為金屬基板垂直發(fā)光二極管采用 了垂直電流路徑，其N極電極位于發(fā)光二極管上方，而P極電極位于發(fā)光 二極管下方，并利用金屬作為基板的材質(zhì)，所以當(dāng)多顆金屬基板垂直發(fā)光 二極管同時設(shè)置在發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)中時，金屬基板垂直發(fā)光二極管藉 由導(dǎo)熱體與金屬基板導(dǎo)熱結(jié)合時，將會發(fā)生短路的現(xiàn)象。由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍 存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題,相 關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被 發(fā)展完成，而一般發(fā)光二極管座體又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此 顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng) 前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提 供一種新型的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元，所要解決的 技術(shù)問題是使其將散熱單元設(shè)計成為 一種熱電分離的結(jié)構(gòu)，使得即使設(shè)置 了多顆發(fā)光二極管在發(fā)光二極管座體中，亦不會有熱、電無法分離的問題。本發(fā)明的另 一 目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)存在的缺陷， 而提供一種新型的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元，所要解 決的技術(shù)問題是使其由于散熱單元包含有絕緣散熱基材，因此使用金屬基 板的垂直式發(fā)光二極管亦可適用于發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，包括 一散熱單元，其 具有一絕緣散熱基材，該絕緣散熱基材的一側(cè)面上形成有至少一第 一導(dǎo)電 部及至少一第一導(dǎo)熱結(jié)合部；以及一座體單元，其包括 一座體本體，具有 一晶粒區(qū)及一底面； 一導(dǎo)熱部，其是穿透該座體本體，該導(dǎo)熱部的一第一表 面與設(shè)置于該晶粒區(qū)的發(fā)光二極管導(dǎo)熱結(jié)合，該導(dǎo)熱部的一第二表面與該 第一導(dǎo)熱結(jié)合部導(dǎo)熱結(jié)合；及至少一導(dǎo)電體，形成于該座體本體上，其具有 一第二導(dǎo)電部設(shè)置于該晶粒區(qū)處，又具有一第三導(dǎo)電部設(shè)置于該底面上，且 該第三導(dǎo)電部是與該第一導(dǎo)電部電性連接。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣散熱基材是 由一金屬基材結(jié)合一絕緣層。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣層是一氧化 鋁層、 一氮化鋁層或一類鉆石碳層。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣散熱基材是 為一氧化鋁基材、 一氮化鋁基材、 一碳化硅基材或一陶瓷基材。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的座體本體是一印 刷電路板或一陶資基板。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的散熱單元與該座 體本體是以一錫/銻或一錫/鉛的焊接材料為結(jié)合材料。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的導(dǎo)熱部是為一氮 化鋁、 一碳化硅或一氮化硼。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的導(dǎo)熱部是進(jìn)一步 具有多數(shù)條導(dǎo)熱體。前述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其還具有至少一第二導(dǎo)熱結(jié) 合部，其是與該導(dǎo)熱部的該第二表面導(dǎo)熱結(jié)合，并與該第一導(dǎo)熱結(jié)合部導(dǎo)熱 結(jié)合。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種熱電分離的散熱單元，其包括 一絕緣散熱基材；至少一第一導(dǎo)電部，形成于該絕緣散熱基材的一側(cè)面上；以及至少一第一導(dǎo)熱結(jié)合部，形成于該側(cè)面上。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。 前述的熱電分離的散熱單元，其中所述的絕緣散熱基材是由一金屬基材結(jié)合一絕緣層。前述的熱電分離的散熱單元，其中所述的絕緣層是為一氧化鋁層、 一氮 化鋁層或一類鉆石碳層。前述的熱電分離的散熱單元，其中所述的絕緣散熱基材是為一氧化鋁 基材、 一氮化鋁基材、 一碳化硅基材或一陶瓷基材。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方 案，本發(fā)明熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元至少具有下列優(yōu) 點及有益效果一、 能設(shè)置多顆發(fā)光二極管于發(fā)光二極管座體中，亦不會有熱、電無 法分離的問題。二、 選用成本較低的材質(zhì)作為絕緣散熱基材，亦能有熱電分離的功效， 可大幅降低制造成本。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散 熱單元。該熱電分離的發(fā)光二極管座體包括散熱單元以及座體單元，其中 散熱單元為一種熱電分離的結(jié)構(gòu)，其具有絕緣散熱基材，并在絕緣散熱基 材的一側(cè)面上形成有第一導(dǎo)電部及第一導(dǎo)熱結(jié)合部。由于散熱單元為一種 熱電分離的結(jié)構(gòu)，所以當(dāng)多顆發(fā)光二極管結(jié)合于座體單元時，亦可進(jìn)行熱 電分離。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠為一新 穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)i兌明如下。


圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的一實施例的分解立體圖。圖2是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的一實施例的沿圖1中A-A線的剖視圖。圖3是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的二實施例的沿圖1中A-A線的 剖視圖。圖4是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的三實施例的沿圖1中A-A線的剖視圖。圖5是圖4的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的結(jié)合結(jié)構(gòu)示意圖。10:發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)11:散熱單元111絕緣散熱基材112:第一導(dǎo)電部113第一導(dǎo)熱結(jié)合部114:金屬基材115絕緣層12:座體單元121座體本體122:導(dǎo)熱部123導(dǎo)熱體124:導(dǎo)電體125晶粒區(qū)126:底面127第二導(dǎo)熱結(jié)合部128:第二導(dǎo)電部129第三導(dǎo)電部20:發(fā)光二極管21:基板具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的熱電分離的發(fā)光二極 管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說 明如后。請參閱圖1 ~圖5所示，圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的一實施 例的分解立體圖。圖2是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的一實施例的沿圖1 中A-A線的剖視圖。圖3是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的二實施例的沿 圖1中A-A線的剖視圖。圖4是本發(fā)明的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的三實施例 的沿圖1中A-A線的剖視圖。圖5是圖4的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的結(jié)合結(jié) 構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實施例的一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10，其包 括一散熱單元ll;以及一座體單元12。如圖2所示，上述的散熱單元11，其包括一絕緣散熱基材111;至少一第 一導(dǎo)電部112;以及至少一第一導(dǎo)熱結(jié)合部113。該絕緣散熱基材lll，其可以為一氧化鋁基材、 一氮化鋁基材、 一碳化 硅基材或一具高導(dǎo)熱系數(shù)的陶瓷基材，但是由于導(dǎo)熱效果較佳的氧化鋁基 材的制造成本較高，因此如圖4所示，絕緣散熱基材111也可選用制造成 本較低的金屬基材114，并且在絕緣散熱基材111上結(jié)合一絕緣層115。如圖4所示，結(jié)合絕緣層115的原因是為了放置多顆金屬基板垂直發(fā) 光二極管20于座體單元12中時，由于金屬基板垂直發(fā)光二極管20的基板 21也是金屬材質(zhì)，而為了避免多顆金屬基板垂直發(fā)光二極管20在利用打線 技術(shù)彼此電性連接后會與金屬基材114間發(fā)生短路的現(xiàn)象，所以本實施例 是在金屬基材114上結(jié)合絕緣層115用以提供電性絕緣，并可確保設(shè)置多 顆金屬基板垂直發(fā)光二極管20在發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10時不會發(fā)生短路 的現(xiàn)象。該金屬基材114上的絕緣層115不但要具有電性絕緣的特性，也要同 時具有良好的導(dǎo)熱效果，因此絕緣層115的材質(zhì)可以選用氧化鋁、氮化鋁 或類鉆石碳(Diamond-Like Carbon, DLC)，并可利用鍍膜技術(shù)使絕緣層115 形成于金屬基板上，例如類鉆石碳層可利用物理氣相沉積技術(shù)(Physical Vapor Deposition, PVD)鍍在金屬基材114上。如此可以不但使絕緣散熱 基材111具有良好的導(dǎo)熱效果，也可降低制造成本。如圖2所示，該第一導(dǎo)電部112，其是形成于絕緣散熱基材111的一側(cè) 面上，并且位于絕緣散熱基材111的邊緣，用以與座體單元12的第三導(dǎo)電 部128電性結(jié)合。如圖1所示，第一導(dǎo)電部112的其中一部份是外露于座 體單元12外，用以與其他發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)作電性連接，并提供散熱單 元11的導(dǎo)電途徑。如圖2、圖3及圖4所示，該第一導(dǎo)熱結(jié)合部113，形成于絕緣散熱基 材111上，并與第一導(dǎo)電部112位于同一側(cè)面，且位于靠近絕緣散熱基材 111的中間區(qū)域。又任兩個第 一導(dǎo)熱結(jié)合部113之間彼此不相互接觸，以及 任一第一導(dǎo)熱結(jié)合部113亦不與第一導(dǎo)電部112相互接觸。第一導(dǎo)熱結(jié)合 部113主要是用以提供獨立的導(dǎo)熱途徑，并且藉由第一導(dǎo)熱結(jié)合部113提 供獨立的導(dǎo)電途徑，使得散熱單元11成為熱電分離的結(jié)構(gòu)。如圖2及圖3所示，上述的座體單元12，其包括 一座體本體121; 導(dǎo)熱部122;以及至少一導(dǎo)電體123。該座體本體121,其具有一晶粒區(qū)125及一底面126，晶粒區(qū)125用以 放置發(fā)光二極管20,有時依使用需求也可同時放置多顆發(fā)光二極管20。座 體本體121可以為一印刷電路板或一陶瓷基板，由于陶瓷基板也具有良好 的熱傳導(dǎo)特性，所以也可藉由陶瓷基板快速地將熱傳導(dǎo)遠(yuǎn)離發(fā)光二極管20。該導(dǎo)熱部122，其是穿透座體本體121，且導(dǎo)熱部122分別具有一第一表 面及一第二表面。第一表面用以與設(shè)置于晶粒區(qū)125的發(fā)光二極管20的底 部導(dǎo)熱結(jié)合，而第二表面則用以與散熱單元11的第一導(dǎo)熱結(jié)合部113導(dǎo)熱 結(jié)合。發(fā)光二極管20累積的熱可自第一表面經(jīng)由導(dǎo)熱部122傳導(dǎo)至第二表 面，再由第二表面?zhèn)鲗?dǎo)至散熱單元11的第一導(dǎo)熱結(jié)合部113。又導(dǎo)熱部122 是可以為一氮化鋁、 一碳化硅或一氮化硼。如圖3及圖4所示，該導(dǎo)熱部122可進(jìn)一步具有多數(shù)條導(dǎo)熱體123，用 以提供增加導(dǎo)熱途徑，并能進(jìn)一步加快導(dǎo)熱速度。又為了再進(jìn)一步提高導(dǎo) 熱部122與第一導(dǎo)熱結(jié)合部113間的導(dǎo)熱速度，可再增加至少一第二導(dǎo)熱 結(jié)合部127導(dǎo)熱結(jié)合于導(dǎo)熱部122的第二表面后，再將第二導(dǎo)熱結(jié)合部127 與第一導(dǎo)熱結(jié)合部113導(dǎo)熱結(jié)合，藉此增加導(dǎo)熱部122的第二表面與第一導(dǎo) 熱結(jié)合部113的接觸面積，并提高將導(dǎo)熱部122將熱傳導(dǎo)至第一導(dǎo)熱結(jié)合 部113的速度。該導(dǎo)電體123,其具有一第二導(dǎo)電部128及一第三導(dǎo)電部129，導(dǎo)電體 123形成于座體本體121上，而第二導(dǎo)電部128是設(shè)置于晶粒區(qū)125處，第 三導(dǎo)電部129則設(shè)置于底面126上，并且第三導(dǎo)電部129是電性連接于第 一導(dǎo)電部112。當(dāng)使用發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10時，利用直流電源提供驅(qū)動 電流至第一導(dǎo)電部112外露的部分，用以將驅(qū)動電流經(jīng)由導(dǎo)電體123的第 三導(dǎo)電部129傳導(dǎo)至第二導(dǎo)電部128,并且利用打線技術(shù)電性連接至發(fā)光二 極管20，用以驅(qū)動發(fā)光二極管20。如圖5所示，散熱單元11與座體本體121之間分別藉由第一導(dǎo)電部112 對應(yīng)于第三導(dǎo)電部129,以及第一導(dǎo)熱結(jié)合部113對應(yīng)于第二導(dǎo)熱結(jié)合部 127而相互結(jié)合。散熱單元11可藉由焊接技術(shù)與座體本體121結(jié)合為一體， 且所使用的結(jié)合材料可以為一錫/銻或一錫/鉛的焊接材料，并使第一導(dǎo)電 部112電性連接于第三導(dǎo)電部129,以及第一導(dǎo)熱結(jié)合部113導(dǎo)熱結(jié)合于第 二導(dǎo)熱結(jié)合部127,進(jìn)而使得發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10成為一種熱電分離的 結(jié)構(gòu)。藉由分別提供導(dǎo)熱及導(dǎo)電的途徑，使發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)IO能夠更加 快速地將熱導(dǎo)出并遠(yuǎn)離發(fā)光二極管20，因此使得發(fā)光二極管20不會受到熱 的影響而降低發(fā)光效率，并且本實施例的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)IO不但可承 載面上型發(fā)光二極管20，也可同時承載多顆金屬基板垂直發(fā)光二極管20，進(jìn) 而使得本實施例的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10具有更廣泛的應(yīng)用范圍。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一散熱單元，其具有一絕緣散熱基材，該絕緣散熱基材的一側(cè)面上形成有至少一第一導(dǎo)電部及至少一第一導(dǎo)熱結(jié)合部；以及一座體單元，其包括一座體本體，具有一晶粒區(qū)及一底面；一導(dǎo)熱部，其是穿透該座體本體，該導(dǎo)熱部的一第一表面與設(shè)置于該晶粒區(qū)的發(fā)光二極管導(dǎo)熱結(jié)合，該導(dǎo)熱部的一第二表面與該第一導(dǎo)熱結(jié)合部導(dǎo)熱結(jié)合；及至少一導(dǎo)電體，形成于該座體本體上，其具有一第二導(dǎo)電部設(shè)置于該晶粒區(qū)處，又具有一第三導(dǎo)電部設(shè)置于該底面上，且該第三導(dǎo)電部是與該第一導(dǎo)電部電性連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的絕緣散熱基材是由 一金屬基材結(jié)合一絕緣層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的絕緣層是一氧化鋁層、 一氮化鋁層或一類鉆石碳層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的絕緣散熱基材是為一氧化鋁基材、 一氮化鋁基材、 一碳化硅 基材或一陶覺基材。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的座體本體是為 一印刷電路板或一陶瓷基板。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的散熱單元與該座體本體是以一錫/銻或一錫/鉛的焊接材料為 結(jié)合材料。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的導(dǎo)熱部是為一氮化鋁、 一碳化硅或一氮化硼。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的導(dǎo)熱部是進(jìn)一步具有多數(shù)條導(dǎo)熱體。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其還具有至少一第二導(dǎo)熱結(jié)合部，其是與該導(dǎo)熱部的該第二表面導(dǎo)熱結(jié) 合，并與該第一導(dǎo)熱結(jié)合部導(dǎo)熱結(jié)合。
10、 一種熱電分離的散熱單元，其特征在于其包括 一絕緣散熱基材；至少一第一導(dǎo)電部，形成于該絕緣散熱基材的一側(cè)面上；以及 至少一第一導(dǎo)熱結(jié)合部，形成于該側(cè)面上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱電分離的散熱單元，其特征在于其中所 述的絕緣散熱基材是由 一金屬基材結(jié)合一絕緣層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的熱電分離的散熱單元，其特征在于其中所 述的絕緣層是一氧化鋁層、 一氮化鋁層或一類鉆石碳層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱電分離的散熱單元，其特征在于其中所 述的絕緣散熱基材是一氧化鋁基材、 一氮化鋁基材、 一碳化硅基材或一陶 瓷基材。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種熱電分離的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)及其散熱單元。該熱電分離的發(fā)光二極管座體包括散熱單元以及座體單元，其中散熱單元為一種熱電分離的結(jié)構(gòu)，其具有絕緣散熱基材，并在絕緣散熱基材的一側(cè)面上形成有第一導(dǎo)電部及第一導(dǎo)熱結(jié)合部。由于散熱單元為一種熱電分離的結(jié)構(gòu)，所以當(dāng)多顆發(fā)光二極管結(jié)合于座體單元時，亦可進(jìn)行熱電分離。
文檔編號H01L23/498GK101404266SQ20081017123
公開日2009年4月8日 申請日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
發(fā)明者張旭源 申請人:鉅亨電子材料元件有限公司