專利名稱：有機發(fā)光顯示設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示設備，更具體地講，涉及一種在其制造工 藝期間抵抗腐蝕的有機發(fā)光顯示設備，并且該有機發(fā)光顯示設備的良率會顯 著提高。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光顯示設備是指包括有機發(fā)光裝置的顯示設備。有機發(fā)光 裝置包括像素電極、與像素電極相對設置的對向電極，以及置于像素電極和 對向電極之間且包括發(fā)光層的中間層。
根據(jù)有機發(fā)光裝置的驅(qū)動方法，可以將有機發(fā)光顯示設備分為有源矩陣 顯示器或無源矩陣顯示器。在有源矩陣顯示設備中，多個子像素中的每個子 像素的薄膜晶體管(TFT)控制光從子像素的發(fā)射。在無源矩陣顯示設備中， 以矩陣形狀布置的多個電極控制光從多個子像素的發(fā)射。在有源矩陣顯示設 備的情況下，多個子像素的對向電極通常形成為一個本體，并且接觸位于顯 示區(qū)外部的電極電源線。
電極電源線被暴露電極電源線的至少 一部分的絕緣層覆蓋。對向電極接 觸電極電源線的被暴露的部分。然而，在有機發(fā)光顯示設備的制造過程中， 在形成與電極電源線接觸的對向電極之前，執(zhí)行使電極電源線的在絕緣層外 部的部分暴露的工藝。因此，電極電源線的表面在暴露工藝過程中被氧化。 結(jié)果，在隨后形成的電極電源線與對向電極接觸的結(jié)構(gòu)中，接觸電阻增大。

發(fā)明內(nèi)容
一個方面是一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備包括基底，具有顯示區(qū)；薄膜晶體管(TFT),設置在基底的顯示區(qū)內(nèi)部；電極電源線， 設置在基底的顯示區(qū)外部；像素電極，設置在基底的顯示區(qū)內(nèi)部，并電連接 到薄膜晶體管；輔助導電層，接觸電極電源線；像素限定層，暴露像素電極， 覆蓋輔助導電層并暴露電極電源線；中間層，設置在像素電極上并包括發(fā)射 層；對向電極，設置在中間層上并延伸到基底的顯示區(qū)外部，以與電極電源 線接觸。
另一方面是一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備包括基底； 導電層，設置在基底上；絕緣層，覆蓋導電層的一部分，以暴露導電層的另 一部分;端子單元，從導電層向基底的邊緣延伸，其中，端子單元和被絕緣 層暴露的導電層由相同的材料形成。


通過以下參照附圖對示例性實施例的描述，上述和其他特征及優(yōu)點將變
得更加清楚，在附圖中
圖1是根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖2是根據(jù)實施例的沿著圖1中的II-II線截取的示意性剖視圖3是根據(jù)實施例的用來描述圖2中的有機發(fā)光顯示設備的制造工藝的
示意性剖視圖4是有機發(fā)光顯示設備的一部分的示意性剖視圖5是用來描述圖4中的有機發(fā)光顯示設備的制造工藝的示意性剖視圖。
具體實施方式
現(xiàn)在，將參照附圖來詳細地描述實施例。
圖1是根據(jù)實施例的有機發(fā)光顯示設備的示意性平面圖。圖2是根據(jù)實 施例的沿著圖1中的II-II線截取的示意性剖視圖。圖3是用來描述有機發(fā)光 顯示設備的制造工藝的示意性剖視圖。
參照圖1至圖3,示出的有機發(fā)光顯示設備包括基底110?；?10可以 由各種諸如玻璃、金屬、塑料等的材料形成。基底110具有顯示區(qū)100,在 該顯示區(qū)100中，設置顯示裝置來顯示圖像。顯示區(qū)100包括有機發(fā)光裝置 200,有機發(fā)光裝置200包括像素電極210 (見圖2)、與像素電極210相對設 置的對向電極230 (見圖2)以及置于像素電極210和對向電極230之間的至少包括發(fā)射層的中間層220。
除了顯示區(qū)100的有機發(fā)光裝置200之外，設置在顯示區(qū)IOO外部的垂 直電路驅(qū)動單元400和水平電路驅(qū)動單元500、與向顯示區(qū)IOO供電的多條 電源線310電連接的電源布線單元300、向?qū)ο螂姌O230供電的電極電源線 190以及傳輸來自外部裝置的施加到上述組件的電信號的端子單元192、 320、 420和520還形成在基底110上。密封劑700可以涂敷在基底110的邊緣上， 從而密封元件600 (見圖2)密封顯示區(qū)100?？蛇x沖奪地，可以不形成密封劑 700和密封元件600，或者可以在基底IIO的整個表面上形成鈍化層。端子單 元192、 320、 420和520沒有被隨后將要描述的絕緣層內(nèi)的空間覆蓋而是被 所述空間暴露，從而連接到其它諸如柔性印刷電路基底、IC芯片等的電氣組 件。
現(xiàn)在，將參照圖2詳細地描述顯示區(qū)100和有機發(fā)光裝置200的結(jié)構(gòu)。
第一薄膜晶體管TFT1在基底110上設置在顯示區(qū)100中。電極電源線 190在基底110上設置在顯示區(qū)100的外部。包括在垂直電路驅(qū)動單元400 中的第二 TFT TFT2可以在基底110上設置在顯示區(qū)100的外部?，F(xiàn)在將更 詳細地描述有機發(fā)光裝置200的結(jié)構(gòu)和組件。
可以由Si02等形成的緩沖層120設置在基底110上。半導體層130設置 在緩沖層120上。半導體層130可以是非晶硅層、多晶硅層，或者由有機半 導體材料形成。雖然在圖2中沒有示出，但是半導體層130可以包括摻雜有 摻雜劑的源區(qū)和漏區(qū)以及溝道區(qū)。
柵電極150形成在半導體層130的上方，源電極170和漏電極170根據(jù) 施加到柵電極150上的信號而相互電連通。考慮到例如與相鄰層的粘附、平 坦化以及堆疊在柵電極150上的層的表面的加工，柵電極150可以由諸如 MoW、 Ag、 Cu、 Al等的材料形成。在一些實施例中，由Si02形成的柵極絕 緣層140置于半導體層130和柵電極150之間，從而提供半導體層130與柵 電極150之間的絕緣。
層間絕緣層160形成在柵電極150上，并且可以由諸如氧化硅、氮化硅 等材料形成為單層或多層結(jié)構(gòu)。源電極170和漏電極170形成在層間絕緣層 160上。源電極170和漏電極170分別通過形成在層間絕緣層160和柵極絕 緣層140中的接觸孔電連接到半導體層130?？紤]到傳導性，源電極170和 漏電極170可以由諸如Ti、 MoW、 Ag、 Cu、 Al等的材料形成。源電極170和漏電極170可以形成為單層或多層結(jié)構(gòu)，例如，源電極170和漏電極170 可以具有Ti層和Al層堆疊的結(jié)構(gòu)。
電極電源線190設置在顯示區(qū)100的外部。參照圖2,電極電源線190 設置在其上設置有第一 TFT TFT1的源電極170和漏電極170的層間絕緣層 160上。即，電極電源線190可以與第一 TFT TFT1的源電極170和漏電極 170—起同時形成。然而，本發(fā)明不限于此。即，電極電源線190可以形成 在其上形成有第一TFTTFT1的柵電極150的層上，或者可以不考慮第一 TFT TFT1的電極的位置而形成電極電源線190。然而，為了方便解釋，電極電源 線190形成在其上設置有源電極170和漏電極170的層間絕緣層160上。
電極電源線190可以由各種材料形成。電極電源線190向隨后將描述的 有機發(fā)光裝置200的對向電極230供應電信號，因而電極電源線190由電阻 率低且傳導性高的諸如Ti、 MoW、 Ag、 Cu、 Al等的材料形成。電極電源線 190可以形成為單層或多層結(jié)構(gòu)，例如，電才及電源線190可以具有Ti層和Al 層堆疊的結(jié)構(gòu)。如上所述，源電極170和漏電極170與電極電源線190可以 由相同的材料形成，或者可以一起同時形成。當源電極170和漏電極170與 電極電源線190 —起同時形成時，源電極170和漏電極170與電極電源線190 可以具有相同的結(jié)構(gòu)。
電極電源線190向隨后將描述的對向電極230供電。端子單元192從電 極電源線l卯向基底110的邊緣延伸。通過端子單元192向電極電源線190 供電，并且通過電極電源線190向?qū)ο螂姌O230供電。端子單元192和電極 電源線190可以一起同時形成，因此，端子單元192和電極電源線190可以 由相同的材料形成。當端子單元192和電極電源線190—起同時形成時，它 們的結(jié)構(gòu)相同或相似。在一些實施例中，考慮到傳導性，端子單元192和/或 電極電源線190可以包括由Al形成的層。
第一絕緣層181形成在第一TFT TFT1的上方以作為鈍化層來操作，從 而保護第一 TFTTFT1。第一絕緣層181可以由可以為第一 TFT TFT1提供高 水平的保護的各種材料形成，即，可以由諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的 無機材料形成。在圖2中，第一絕緣層181形成為單層；然而，第一絕緣層 181并不限于此，第一絕緣層181可以形成為多層結(jié)構(gòu)。第一絕緣層181被 形成為暴露電極電源線190的至少一部分。圖2示出了第一絕緣層181覆蓋 電極電源線190的邊緣部分的結(jié)構(gòu)。第二絕緣層182在第一絕緣層181上起著平坦化層的作用。第二絕緣層 182可以由有機材料形成，例如由丙烯酰類化合物(acryl)、 BCB、光丙烯酰 類化合物(photoacryl)等形成。在圖2中，示出的第二絕緣層182為單層。 然而，第二絕緣層182不限于此，第二絕緣層182可以形成為多層結(jié)構(gòu)。第 二絕緣層182被形成為暴露電極電源線190的至少一部分。
有機發(fā)光裝置200設置在第二絕緣層182上，并且包括像素電極210、 對向電極230及置于像素電極210和對向電極230之間的中間層220?，F(xiàn)在 將詳細地描述有機發(fā)光裝置200。
在顯示區(qū)100中，在第一絕緣層181和第二絕緣層182中形成開口，以 暴露第一TFTTFT1的源電極170和漏電極170中的至少一個。像素電極210 設置在基底110的顯示區(qū)100上(即，在第二絕緣層182上)，并通過所述開 口接觸源電極170和漏電極170中的至少一個，從而電連接到第一TFTTFT1。 像素電極210可以是透明電極或反射電極。如果像素電極210是透明電極， 則像素電極210可以由例如氧化銦錫(ITO )、氧化銦鋅(IZO )、 ZnO或ln203 形成。如果像素電極210是反射電極，則像素電極210例如可以包括由Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr或它們的組合形成的反射層以及由 ITO、 IZO、 ZnO或111203形成的層。然而，像素電極210不限于此，像素電 極210可以由各種材料形成，并且也可以形成為單層或多層結(jié)構(gòu)。
第三絕緣層183設置在第二絕緣層182上。換言之，第三絕緣層183被 形成為覆蓋第二絕緣層182。第三絕緣層183由于具有與多個子像素對應的 開口而作為像素限定層來操作，所述開口暴露像素電極210的至少一部分。 例如，可以暴露像素電極210的中間部分或全部。參照圖2，第三絕緣層183 增大了像素電極210的端部與對向電極230之間的距離。這樣有利于防止在 像素電極210和對向電極230之間形成電弧(arcing )。第三絕緣層183設置 在第二絕緣層182上，并且還可設置在顯示區(qū)IOO的外部，如圖2所示。即， 第三絕緣層183既可以設置在基底100的顯示區(qū)100的上方，又可以設置在 該顯示區(qū)100的外部。另外，圖2中的第三絕緣層183暴露電極電源線190 的至少一部分。
輔助導電層190a被設置成在電極電源線190的一側(cè)與電極電源線190 接觸。輔助導電層190a接觸電極電源線190，從而建立經(jīng)過電纟及電源線190 的較短(lower)的導電路徑并減少經(jīng)過電極電源線190的IR降低。輔助導電層190a可以設置在基底110的顯示區(qū)100的外部。參照圖2，輔助導電層 190a的一部分可以設置在與其上設置有像素電極210的層相同的層上。在圖 2中，輔助導電層190a設置在第二絕緣層182和電極電源線190上。在這種 情況下，輔助導電層190a可以由與像素電極210的材料相同的材料形成。輔 助導電層190a和像素電極210可以一起同時形成。在這種情況下，輔助導電 層190a和像素電極210可以具有相同的結(jié)構(gòu)。輔助導電層190a被第三絕緣 層183覆蓋，因此，輔助導電層190a沒有暴露在第三絕緣層183的外部。
有機發(fā)光裝置200的中間層220可以由低分子量材料或高分子量材料形 成。當中間層220由低分子量材料形成時，優(yōu)選地，可以以單個結(jié)構(gòu)或多層 結(jié)構(gòu)堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳 輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等中的至少一個層來形成中間層220?？蛇x 擇地，中間層220可以由諸如銅酞菁(CuPc)、 N,N'-二(l-萘基)-N，N'-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基p奎啉鋁(Alq3)等有機材料形成。例如利用真空沉 積法來形成這些層。
當中間層220由高分子量材料形成時，優(yōu)選地，中間層220可以具有HTL 和EML堆疊的結(jié)構(gòu)。HTL可以由PEDOT形成，可以利用絲網(wǎng)印刷法、噴墨 印刷法等由聚苯撐乙烯(Poly-Phenylenevinylene, PPV)類、聚藥類高分子量 材料來形成EML。然而，中間層220不限于該結(jié)構(gòu)，并且可以具有各種其它 的結(jié)構(gòu)。
對向電極230可以在顯示區(qū)100上方設置在中間層220上，如圖2所示。 對向電沖及230延伸到顯示區(qū)100的外部，并與i殳置在顯示區(qū)100外部的電極 電源線190^妾觸，,人而/人電極電源線190接收功率。即，對向電才及230延伸 到基底110的顯示區(qū)100的外部，并位于第三絕緣層183和被第三絕緣層183 暴露的電極電源線190的上方。
對向電極230可以是透明電極或反射電極。如果對向電極230是透明電 極，則對向電極230可以包括由逸出功低的金屬(即，Li、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al、 Al、 Ag、 Mg或它們的組合)形成的層以及由ITO、 IZO、 ZnO或In203形成 的透明導電層。如果對向電極230是反射電極，則對向電極230可以由Li、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al、 Al、 Ag、 Mg或它們的組合形成。然而，對向電極230 不限于這些結(jié)構(gòu)和材料，因此，可以將對向電極230修改成各種形式。
圖3是用來描述根據(jù)一個實施例的有機發(fā)光顯示設備的制造工藝的示意性剖視圖。圖3示出了在形成中間層220和對向電極230之前的有機發(fā)光顯 示設備。
如上所述，第三絕緣層183具有暴露像素電極210的至少一部分的開口 和暴露電極電源線190的至少一部分的開口，并且覆蓋輔助導電層190a。在 形成第三絕緣層183的工藝的實施例中，在基底110的整個表面上形成絕緣 層。然后，利用光致抗蝕劑對該絕緣層執(zhí)行曝光工藝、顯影工藝和蝕刻工藝。 最后，利用去離子(DI)水對絕緣層執(zhí)行洗滌工藝。在這些制造步驟中，由 于輔助導電層190a被第三絕緣層183覆蓋，所以電極電源線190、端子單元 192和輔助導電層190a沒有^^皮損壞。
圖4是有機發(fā)光顯示設備的一部分的實施例的示意性剖視圖。圖5是用 來描述圖4中的有機發(fā)光顯示設備的制造工藝的示意性剖視圖。參照圖4和 圖5，輔助導電層190b設置在電極電源線190上，第三絕緣層183被形成為 暴露輔助導電層190b。對向電極230接觸輔助導電層190b,從而通過輔助導 電層190b電連接到電極電源線190。
在圖4和圖5示出的有機發(fā)光顯示設備中，在形成第三絕緣層183的工 藝及隨后的工藝中暴露輔助導電層190b。在這種情況下，由于連接到電極電 源線190的端子單元暴露在第三絕緣層183的外部，所以在形成第三絕緣層 183的工藝和隨后的工藝中可能損壞輔助導電層190b或端子單元。
更詳細地講，利用濕工藝來執(zhí)行使用光致抗蝕劑的第三絕緣層183的顯 影工藝和光致抗蝕劑的剝離和/或洗滌工藝。在上述工藝中，分別由不同材料 形成的輔助導電層190b和端子單元被濕工藝中使用的堿溶液曝光。此時，由 于起電現(xiàn)象(galvanic phenomenon),導致在輔助導電層190b和端子單元之 間產(chǎn)生電位差，使得輔助導電層190b和端子單元中的至少一個被大大損壞。 例如，如果像素電極210包括由ITO形成的層，輔助導電層190b由與像素電 極210的材料相同的材料形成因而也包括由ITO形成的層，端子單元包括由 Al形成的層，并且電極電源線190由與端子單元的材料相同的材料形成因而 也包括由A1形成的層，則由A1形成的層被氧化，由ITO形成的層被還原， 從而損壞由A1形成的層。結(jié)果，由于A1層的氧化，導致A1層的電阻急劇增 大，從而造成有機發(fā)光顯示設備的缺陷。
然而，在根據(jù)如圖1至圖3所示的實施例的有機發(fā)光顯示設備中，由于 在形成第三絕緣層183的工藝和隨后的工藝中，輔助導電層190a被第三絕緣層183覆蓋，所以沒有出現(xiàn)上述問題。更詳細地講，即使在形成第三絕緣層
183的工藝和隨后的工藝中，電極電源線190和端子單元192被第三絕緣層 183暴露，由于電極電源線190和端子單元192由相同的材料形成，也不會 在電極電源線190和端子單元192之間發(fā)生起電現(xiàn)象。這是因為起電現(xiàn)象發(fā) 生在不同的材料之間。具體地講，在有機發(fā)光顯示設備中，當像素電極210 包括由ITO形成的層時，輔助導電層190a也可以包括由ITO形成的層，并 且端子單元192可以包含與電極電源線190的材料相同的材料并且包括由Al 形成的層?？梢苑乐褂葾l形成的層被氧化或由ITO形成的層被還原的問題。 此外，當像素電極210形成為具有由ITO形成的最上層的多層結(jié)構(gòu)時，輔助 導電層190a可以形成為也具有由ITO形成的最上層的多層結(jié)構(gòu)。在這種情況 下，由ITO形成的層沒有暴露在第三絕緣層183的外部。
參照圖4和圖5,由于電極電源線190和端子單元相互連接，并且輔助 導電層190b接觸電極電源線190,所以可能在端子單元和輔助導電層190b 之間發(fā)生起電現(xiàn)象。參照圖l至圖3，在有機發(fā)光顯示設備中，像素電極210 被第三絕緣層183暴露；然而，像素電極210沒有直接接觸端子單元192或 電極電源線190。因此，在^f象素電極210與端子單元192之間或者在像素電 極210與電極電源線190之間沒有發(fā)生起電現(xiàn)象。
有機發(fā)光顯示設備不限于這些具體的示例性實施例。例如，作為鈍化層 操作的第一絕緣層181和作為平坦化層操作的第二絕緣層182沒有必要單獨 形成，而是可以一體地形成為一個本體。
在圖1至圖3示出的實施例中，電極電源線190被第三絕緣層183暴露， 從電極電源線190延伸的端子單元192被第三絕緣層183暴露，輔助導電層 190a被第三絕緣層183覆蓋。在該實施例中，因為電極電源線190和端子單 元192分別由相同的材料形成，并且由不同材料形成的輔助導電層190a被第 三絕緣層183覆蓋；因此沒有暴露在第三絕緣層183的外部，所以防止了電 極電源線190、輔助導電層190a或端子單元192在第三絕緣層183的圖案化 工藝和隨后的工藝中被損壞。然而，本發(fā)明不限于此。
例如，在包括基底、設置在基底上的導電層、覆蓋導電層的一部分以暴 露導電層的絕緣層及從導電層向基底的邊緣延伸的端子單元的有機發(fā)光顯示 設備中，當導電層和端子單元分別由不同的材料形成時，可能在絕緣層的圖 案化工藝和隨后的工藝中在導電層和端子單元之間發(fā)生起電現(xiàn)象。因此，被絕緣層暴露的導電層與端子單元由相同的材料形成，以防止起電現(xiàn)象。另夕卜， 可以在導電層的一側(cè)設置輔助導電層，以接觸導電層。在這種情況下，輔助 導電層可以由與導電層或端子單元的材料不同的材料形成。當輔助導電層暴 露在絕緣層的外部時，可能在輔助導電層與導電層之間或者在輔助導電層與 端子單元之間發(fā)生起電現(xiàn)象。因此，可以由絕緣層來覆蓋輔助導電層，從而現(xiàn)象。
具體地講，當端子單元和導電層一起同時形成且具有相同的結(jié)構(gòu)時，導
電層可以包括由Al形成的層；輔助導電層可以包括由ITO形成的層，本發(fā)明 的效果顯著。本發(fā)明可以應用于輔助導電層和導電層分別由不同的材料形成 的任何情形。
根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示設備，工藝良率會因在該有機發(fā)光顯示設備 的制造工藝期間防止了腐蝕而顯著^^是高。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是 本領域的普通技術(shù)人員應該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 可以在這里作出各種形式和細節(jié)上的改變。
權(quán)利要求
1、一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備包括基底，具有顯示區(qū)；薄膜晶體管，設置在基底的顯示區(qū)內(nèi)部；電極電源線，設置在基底的顯示區(qū)外部；像素電極，設置在基底的顯示區(qū)內(nèi)部，并電連接到薄膜晶體管；輔助導電層，接觸電極電源線；像素限定層，暴露像素電極，覆蓋輔助導電層并暴露電極電源線；中間層，設置在像素電極上并包括發(fā)射層；對向電極，設置在中間層上并延伸到基底的顯示區(qū)外部，以與電極電源線接觸。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備 底的顯示區(qū)外部。
3、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備 電極的材料相同的材料形成。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示設備 銦錫形成的層。
5、 如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示設備 氣化銦錫形成的最上層的多層結(jié)構(gòu)。
6、 如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示設備 電極的加工步驟相同的加工步驟中形成。
7、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備 與像素電極設置在同一層上。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備 底的顯示區(qū)的上方并設置在顯示區(qū)的外部。
9、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備還包 括平坦化層，所述平坦化層覆蓋薄膜晶體管和電極電源線的邊緣，其中，像素電極設置在平坦化層上，輔助導電層設置在平坦化層和電極 電源線的上方，像素限定層被設置成覆蓋平坦化層。
10、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，對向電極延伸到基,其中，輔助導電層設置在基 ，其中，輔助導電層由與像素 ,其中，像素電極包括由氧化 ,其中，像素電極包括具有由 ,其中，輔助導電層在與像素 ，其中，輔助導電層的一部分 ,其中，像素限定層設置在基底的顯示區(qū)外部，并位于被像素限定層暴露的電極電源線和像素限定層的上方。
11、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，薄膜晶體管包括源 電極、漏電極和柵電極，電極電源線由與源電極和漏電極的材料相同的材料形成。
12、 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設備 鋁形成的層。
13、 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設備 電極和漏電極的加工步驟相同的加工步驟中形成。
14、 如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設備 極和漏電極設置在同一層上。
15、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備， 包括從電極電源線向基底的邊緣延伸的端子單元。
16、 如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光顯示設備 電源線的材料相同的材料形成。
17、 如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示設備 形成的層。
18、 如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示設備 形成端子單元和電極電源線。
19、 如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示設備 電層分別由不同的材料形成。
20、 一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備包括 基底；導電層，設置在基底上；絕緣層，覆蓋導電層的一部分，以暴露導電層的另一部分；端子單元，從導電層向基底的邊緣延伸，其中，端子單元和被絕緣層暴露的導電層由相同的材料形成。
21、 如權(quán)利要求20所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，端子單元和導電層 在同一加工步驟中形成。
22、 如權(quán)利要求20所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，導電層包括由鋁形 ,其中，電極電源線包括由 ，其中，電極電源線在與源 ，其中，電極電源線與源電 所述有機發(fā)光顯示設備還 ,其中，端子單元由與電極 ,其中，端子單元包括由鋁 ，其中，在同一加工步驟中 ,其中，端子單元和輔助導
23、 如權(quán)利要求20所述的有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備還包括在導電層的一側(cè)接觸導電層的輔助導電層，其中，絕緣層覆蓋輔助導電 層。
24、 如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，輔助導電層包括由 氧化銦錫形成的層。
25、 如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光顯示設備，其中，輔助導電層由與導 電層的材料不同的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可以在制造過程中防止腐蝕的有機發(fā)光顯示設備。該設備可具有顯著提高的良率。該設備包括基底，具有顯示區(qū)；薄膜晶體管，設置在顯示區(qū)內(nèi)部；電極電源線，設置在顯示區(qū)外部；像素電極，設置在基底的顯示區(qū)內(nèi)部，并電連接到薄膜晶體管；輔助導電層，在電極電源線的一側(cè)接觸電極電源線；像素限定層，暴露像素電極，覆蓋輔助導電層并暴露電極電源線。該設備還包括中間層，設置在像素電極上并包括發(fā)射層；對向電極，設置在中間層上并延伸到基底的顯示區(qū)外部，以與電極電源線接觸。
文檔編號H01L23/482GK101436608SQ20081017631
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者郭源奎, 金容奭 申請人:三星移動顯示器株式會社