專利名稱：線路基板工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線路基板工藝，且特別是有關(guān)一種結(jié)合埋入式圖案化線路的線路基板工藝。
背景技術(shù)：
目前在半導(dǎo)體封裝技術(shù)中，線路基板(circuit substrate)是經(jīng)常使用的構(gòu)裝元
件的一。線路基板主要由圖案化線路(patterned circuit)及介電層(dielectric layer)
疊合而成。以制作線路的精細(xì)度而言，激光工藝相較于曝光顯影工藝有著較大的優(yōu)勢(shì)。細(xì)
言的，相較于透過(guò)以光刻形成的圖案化光刻膠制作出的圖案化線路而言，透過(guò)以激光工藝
在介電層形成的圖案化凹槽制作出的圖案化線路，具有更佳的線路精細(xì)度。 然而，在制作圖案化線路中具有較大寬度的部分(例如接墊)時(shí)，激光工藝有著速
度慢的缺點(diǎn)。此外，在上述電鍍工藝中，若透過(guò)電鍍同時(shí)形成具有較大寬度部分(例如接
墊)與具有較小寬度部分(例如導(dǎo)線)，為了顧及具有較大寬度部分的完整性，可能會(huì)使具
有較小寬度部分產(chǎn)生厚度過(guò)大的情形。此情形可能導(dǎo)致后續(xù)的刻蝕工藝發(fā)生具有較小寬度
部分刻蝕不足，或具有較大寬度部分刻蝕過(guò)度等刻蝕不均的競(jìng)爭(zhēng)性缺點(diǎn)現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種線路基板工藝，可提高形成圖案化線路的產(chǎn)出率，并可大幅提升圖案化線路的平整度。 本發(fā)明提出一種線路基板工藝。首先，在一基板上形成一介電層，并在介電層形成一圖案化凹槽。在圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路。在介電層形成一第一開口，以暴露出部分基板。在介電層形成具有一第二開口及_第三開口的一罩幕層，其中第二開口暴露出第一開口及部分介電層，且第三開口暴露出部分圖案化線路及部分介電層。分別在第一開口、第二開口及第三開口形成一導(dǎo)電塊、一第一接墊及一第二接墊。接著，移除罩幕層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成圖案化凹槽的方法為激光。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路的方法包括透過(guò)化學(xué)鍍?cè)趫D案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路的方法包括透過(guò)化學(xué)鍍?cè)诮殡妼由霞皥D案化凹槽內(nèi)形成一第一電鍍種子層。透過(guò)電鍍形成覆蓋介電層且填滿圖案化凹槽的一金屬層。透過(guò)刻蝕移除覆蓋介電層的部分金屬層，并保留填滿圖案化凹槽的部分金屬層，以形成一圖案化線路。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在介電層形成第一開口的方法為激光。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在介電層形成具有第二開口及第三開口的罩幕層
的方法包括在介電層形成一光刻膠層以做為一罩幕層。透過(guò)曝光顯影在罩幕層形成第二開
口及第三開口。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在形成具有第二開口及第三開口的罩幕層的步驟中，第二開口更暴露出部分圖案化線路。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的分別在第一開口、第二開口及第三開口形成導(dǎo)電塊、第一接墊及第二接墊的方法為電鍍。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的線路基板工藝更包括在形成罩幕層之前，在介電層上、圖案化線路層上及第一開口內(nèi)形成一第二電鍍種子層。在形成導(dǎo)電塊、第一接墊及第二接墊之后，移除部分第二電鍍種子層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板具有一基板接墊，且第一開口暴露出基板接墊。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的介電層包括多顆觸媒顆粒。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的觸媒顆粒包括多個(gè)納米金屬顆粒。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的觸媒顆粒的材質(zhì)包括多個(gè)過(guò)渡金屬配位化合物。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的過(guò)渡金屬配位化合物的材質(zhì)包括過(guò)渡金屬氧化
物、過(guò)渡金屬氮化物、過(guò)渡金屬錯(cuò)合物或過(guò)渡金屬螯合物。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的過(guò)渡金屬配位化合物的材質(zhì)為選自于由鋅、銅、
銀、金、鎳、鈀、鉬、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鴇、釩、鉭、銦以及鈦所組成的群組。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在介電層形成圖案化凹槽的同時(shí)，更包括活化部
分的觸媒顆粒，以形成一活化層于圖案化凹槽的內(nèi)面。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的在圖案化凹槽內(nèi)形成圖案化線路的方法包括化學(xué)沉積法。 基于上述，本發(fā)明的線路基板工藝，分別透過(guò)激光工藝及光刻刻蝕工藝制作圖案化線路的具有較小寬度部分及具有較大寬度部分，可提高形成圖案化線路的產(chǎn)出率，并可大幅提升圖案化線路的平整度。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1A至圖1K為本發(fā)明一實(shí)施例的線路基板工藝的剖視流程2為圖1K的線路基板的俯視圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100 :線路基板110 :基板112 :基板接墊120:介電層122:圖案化凹槽130:第一電鍍種子層130':第二電鍍種子層140 :金屬層150 :圖案化線路152 :第一導(dǎo)線
154:第二導(dǎo)線156:第三導(dǎo)線158:第四導(dǎo)線160:罩幕層170:導(dǎo)電塊180:第一接墊190:第二接墊HI :第一開口H2 :第二開口H3 :第三開口
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖IK為本發(fā)明一實(shí)施例的線路基板工藝的剖視流程圖。首先，請(qǐng)參考圖IA，在一基板110上形成一介電層120，并透過(guò)激光在介電層120形成一圖案化凹槽122。值得注意的是，在后續(xù)的工藝將透過(guò)圖案化凹槽122形成圖案化線路，而由激光所形成的圖案化凹槽122可使圖案化線路具有良好的精細(xì)度。 請(qǐng)參考圖1B，透過(guò)化學(xué)鍍?cè)诮殡妼?20上及圖案化凹槽122內(nèi)形成一第一電鍍種
子層130。第一電鍍種子層130用以使后續(xù)的電鍍工藝能夠順利進(jìn)行。接著，請(qǐng)參考圖1C，
透過(guò)電鍍形成覆蓋介電層120且填滿圖案化凹槽122的一金屬層140。然后，請(qǐng)參考圖1D，
透過(guò)刻蝕移除覆蓋介電層120的部分金屬層140及覆蓋介電層120的部分第一電鍍種子層
130，并保留填滿圖案化凹槽122的部分金屬層140，以形成一圖案化線路150。 特別的是，在另一未繪示的實(shí)施例中，介電層可具有分布于其內(nèi)的多個(gè)觸媒粒子。
在透過(guò)激光形成圖案化凹槽的過(guò)程中，位于圖案化凹槽表面的觸媒粒子會(huì)被活化，以形成
一活化層于圖案化凹槽的內(nèi)面。因此，在制造過(guò)程中不必在介電層上及圖案化凹槽形成電
鍍種子層，就可直接以化學(xué)沉積法的方式在圖案化凹槽形成圖案化線路。 上述的觸媒顆粒包括多個(gè)納米金屬顆粒，其中觸媒顆粒的材質(zhì)包括多個(gè)過(guò)渡金屬
配位化合物。這些過(guò)渡金屬配位化合物的材質(zhì)包括過(guò)渡金屬氧化物、過(guò)渡金屬氮化物、過(guò)渡
金屬錯(cuò)合物或過(guò)渡金屬螯合物。更詳細(xì)而言，這些過(guò)渡金屬配位化合物的材質(zhì)為選自于由
鋅、銅、銀、金、鎳、鈀、鉬、鈷、銠、銥、鐵、錳、鉻、鉬、鴇、釩、鉭、銦以及鈦所組成的群組。舉例
而言，這些觸媒顆粒例如是氧化銅、氮化鋁、鈷鉬雙金屬氮化物(Co2Mo3Nx)顆?；蜮Z金屬顆粒。 請(qǐng)參考圖1E，透過(guò)激光在介電層120形成一第一開口 Hl，以暴露出部分基板110的一基板接墊112。接著，請(qǐng)參考圖1F，透過(guò)化學(xué)鍍?cè)诮殡妼?20上、圖案化線路層150上及第一開口H1內(nèi)形成一第二電鍍種子層130'。第二電鍍種子層130'用以使后續(xù)的電鍍工藝能夠順利進(jìn)行。 請(qǐng)參考圖1G及圖1H，在介電層120形成一光刻膠層以做為一罩幕層160，并透過(guò)曝光顯影在罩幕層160形成一第二開口 H2及一第三開口 H3。第二開口 H2暴露出第一開口Hl、部分介電層120及部分圖案化線路150，且第三開口 H3暴露出部分圖案化線路150及部分介電層120。
6
在本實(shí)施例，雖然第一開口 HI 、部分介電層120及部分圖案化線路150被第二開口H2暴露出，且部分圖案化線路150及部分介電層120被第三開口 H3暴露出，但因?yàn)榈谝婚_口 Hl、介電層120及圖案化線路150上配置有第二電鍍種子層130'，所以其并非直接被暴露于外界。 請(qǐng)參考圖ll，透過(guò)電鍍分別在第一開口 Hl、第二開口 H2及第三開口 H3形成一導(dǎo)電塊170、一第一接墊180及一第二接墊190。接著，請(qǐng)參考圖1J，移除罩幕層160。最后，請(qǐng)參考圖1K，移除覆蓋部分介電層120及部分圖案化線路150的部分第二電鍍種子層130'，以得到一線路基板100。 值得注意的是，若對(duì)具有較大寬度區(qū)域進(jìn)行激光移除，會(huì)耗費(fèi)較多的時(shí)間。因此，本實(shí)施例的線路基板工藝，其在制作具有較大寬度的第一接墊180及第二接墊190時(shí)，并非透過(guò)激光形成用以制作接墊的凹槽，因此可以提高圖案化線路的產(chǎn)出率。
此外，在本實(shí)施例的線路基板工藝中，由于具有較小面積的圖案化線路150并非是與具有較大面積的第一接墊180及第二接墊190同時(shí)透過(guò)電鍍而形成，所以可避免為了顧及第一接墊180及一第二接墊190的完整性，而使圖案化線路150產(chǎn)生厚度過(guò)大的情形發(fā)生。因此，可避免圖案化線路150刻蝕不足或第一接墊180及一第二接墊190刻蝕過(guò)度等刻蝕不均的競(jìng)爭(zhēng)性缺點(diǎn)現(xiàn)象。 圖2為圖1K的線路基板的俯視圖。請(qǐng)參考圖2，透過(guò)本實(shí)施例的線路基板工藝制作出的線路基板IOO，其圖案化線路150包括一第一導(dǎo)線152、一第二導(dǎo)線154、一第三導(dǎo)線156及一第四導(dǎo)線158。第三導(dǎo)線156與第二接墊190導(dǎo)通，且第四導(dǎo)線158與第一接墊180導(dǎo)通。 綜上所述，本發(fā)明的線路基板工藝，不利用激光工藝而是透過(guò)光刻刻蝕工藝形成具有大寬度的接墊，可以提高圖案化線路的產(chǎn)出率。此外，利用激光工藝形成用以制作圖案化線路的凹槽，可使圖案化線路具有良好的精細(xì)度。圖案化線路與接墊分別在不同的步驟中被制作出，而可避免因電鍍或刻蝕的區(qū)域的寬度差異過(guò)大而有電鍍或刻蝕不均的現(xiàn)象，以提升圖案化線路的表面平整度。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種線路基板工藝，其特征在于包括在一基板上形成一介電層；在該介電層形成一圖案化凹槽；在該圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路；在該介電層形成一第一開口，以暴露出部分該基板；在該介電層形成具有一第二開口及一第三開口的一罩幕層，其中該第二開口暴露出該第一開口及部分該介電層，且該第三開口暴露出部分該圖案化線路及部分該介電層；分別在該第一開口、該第二開口及該第三開口形成一導(dǎo)電塊、一第一接墊及一第二接墊；以及移除該罩幕層。
2. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述形成該圖案化凹槽的方法為激光。
3. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述在該圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路的方法包括透過(guò)化學(xué)鍍?cè)谠搱D案化凹槽內(nèi)形成一 圖案化線路。
4. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述在該圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路的方法包括透過(guò)化學(xué)鍍?cè)谠摻殡妼由霞霸搱D案化凹槽內(nèi)形成一第一 電鍍種子層；透過(guò)電鍍形成覆蓋該介電層且填滿該圖案化凹槽的一金屬層；以及透過(guò)刻蝕移除覆蓋該介電層的部分該金屬層，并保留填滿該圖案化凹槽的部分該金屬層，以形成一圖案化線路。
5. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述在該介電層形成該第一開口的方法為激光。
6. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述在該介電層形成具有該第二開口及該第三開口的該罩幕層的方法包括在該介電層形成一光刻膠層以做為一罩幕層；以及透過(guò)曝光顯影在該罩幕層形成該第二開口及該第三開口 。
7. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述在形成具有該第二開口及該第三開口的該罩幕層的步驟中，該第二開口還暴露出部分該圖案化線路。
8. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述分別在該第一開口、該第二開口及該第三開口形成該導(dǎo)電塊、該第一接墊及該第二接墊的方法為電鍍。
9. 如權(quán)利要求8所述的線路基板工藝，其特征在于包括在形成該罩幕層之前，在該介電層上、該圖案化線路層上及該第一開口內(nèi)形成一第二電鍍種子層；以及在形成該導(dǎo)電塊、該第一接墊及該第二接墊之后，移除部分該第二電鍍種子層。
10. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述該基板具有一基板接墊，且該第一開口暴露出該基板接墊。
11. 如權(quán)利要求1所述的線路基板工藝，其特征在于，所述該介電層包括多顆觸媒顆粒。
12. 如權(quán)利要求11所述的線路基板工藝，其特征在于，所述這些觸媒顆粒包括多個(gè)納米金屬顆粒。
13. 如權(quán)利要求11所述的線路基板工藝，其特征在于，所述這些觸媒顆粒的材質(zhì)包括多個(gè)過(guò)渡金屬配位化合物。
14. 如權(quán)利要求11所述的線路基板工藝，其特征在于，所述在該介電層形成該圖案化凹槽的同時(shí)，還包括活化部分的這些觸媒顆粒，以形成一活化層于該圖案化凹槽的內(nèi)面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種線路基板工藝。首先，在一基板上形成一介電層，并在介電層形成一圖案化凹槽。在圖案化凹槽內(nèi)形成一圖案化線路。在介電層形成一第一開口，以暴露出部分基板。在介電層形成具有一第二開口及一第三開口的一罩幕層，其中第二開口暴露出第一開口及部分介電層，且第三開口暴露出部分圖案化線路及部分介電層。分別在第一開口、第二開口及第三開口形成一導(dǎo)電塊、一第一接墊及一第二接墊。接著，移除罩幕層。
文檔編號(hào)H01L21/48GK101770957SQ200810190329
公開日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2008年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者劉逸群, 江書圣, 鄭偉鳴, 黃瀚霈 申請(qǐng)人:欣興電子股份有限公司