專利名稱：晶片背面缺陷的監(jiān)測方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶片背面缺陷的監(jiān)測方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
—般說來，半導(dǎo)體制造過程分為前段工藝(front end of line, FE0L)和后段工藝 (back end of line, BE0L)，以90nm及其以下特征尺寸的半導(dǎo)體制造為例，所述前段工藝包括 阱區(qū)形成、熱氧化、柵極形成和源漏注入等，所述后段工藝主要包括形成多層的金屬互連層。
在半導(dǎo)體制造過程中，通常將晶片的一面作為工作面(稱為正面)用于制作集成 電路芯片，而基座或機械手上的吸盤吸在晶片的另一面(稱為背面)，從而將晶片固定或在 不同設(shè)備之間轉(zhuǎn)移。 經(jīng)過前段工藝后，晶片的背面一般均具有多層疊加的膜層，例如，

圖1所示為經(jīng)過 前段工藝后的晶片背面的剖面圖，圖中晶片10背面17朝上，并且未示出晶片正面18的半 導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)；如圖所示，所述晶片10背面17的從表面自下而上為多晶硅層20、氧化硅 層30和氮化硅層40。上述晶片10背面17的疊加膜層均是在前段工藝過程中形成的，其中， 多晶硅層20為柵極形成過程的產(chǎn)物，氧化硅層30為熱氧化過程的產(chǎn)物，氮化硅層40為柵 極保護層形成過程的產(chǎn)物。上述疊加的膜層在后段工藝中仍然保留，但是后段工藝中需要 采用濕法清洗去除晶片背面17殘留的金屬，制作多層金屬互連層就會多次進行濕法清洗， 這一濕法清洗僅作用于晶片背面，而濕法清洗的洗液對晶片背面的所述疊加的膜層將造成 腐蝕，嚴(yán)重時會形成較大的凹坑或凹槽狀的缺陷。 后段工藝中形成的這些凹坑或凹槽狀的缺陷，圖2為晶片背面缺陷的顯微照片，
圖中的缺陷為凹坑，這樣的缺陷使晶片背面不平整，從而導(dǎo)致基座或機械手上的吸盤不能
將晶片緊密吸合，引起實際的生產(chǎn)中經(jīng)常發(fā)生晶片在基座或機械手上吸不牢的問題，影響
了制造工藝的可靠性和準(zhǔn)確性，嚴(yán)重時晶片掉落摔碎，導(dǎo)致產(chǎn)量的損失。
發(fā)明者李磊, 趙簡 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司