專利名稱：集成電路的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的制造方法。此外本發(fā)明還涉及一種 利用本發(fā)明的方法生成的集成電路。
背景技術：
在現(xiàn)有技術中公開了多種用于制造集成電路的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種制造集成電路的方法，該方法包括
以下步驟形成呈硬掩模層形式的包括多個第一開口的第 一掩模 層，和具有至少一個第二開口的第二掩模層，該至少一個第二開口 與第一開口之一至少部分重疊，其中，至少一個第二開口被光刻地
生成；以及至少兩個相鄰的第 一 開口以小于生成第二開口所使用的 光刻的分辨限度的中心至中心的間距彼此分開。同時本發(fā)明的目的 還在于提出 一種利用根據(jù)本發(fā)明的方法生成的集成電路。


在附圖中
圖1涉及本發(fā)明的第一實施例；
圖2A至圖2F示出了第一實施例的第一變型例；
圖3A至圖3D示出了第一實施例的第二變型例；
圖4A至圖4D示出了第一實施例的第三變型例；
圖5涉及本發(fā)明的第二實施例；
圖6A至圖6H示出了第二實施例的第一變型例；
圖7涉及本發(fā)明的第三實施例；
圖8涉及本發(fā)明的第四實施例；
圖9涉及第四實施例的第一變型例；
圖IOA和圖IOB進一步示出了第四實施例的第一變型例；
圖IIA至圖11C涉及第四實施例的第二變型例；
圖12A至圖12C示出了通過雙圖樣化生成結構的第一實例；
圖13涉及通過雙圖樣化生成結構的第二實例；
圖14A和圖14B示出了通過雙圖樣化生成結構的第三實例；
圖15A至圖15C示出了通過雙圖樣化生成結構的第四實例;
以及
圖16A至圖16D示出了通過雙圖樣化生成結構的第五實例。
具體實施例方式
圖1涉及根據(jù)本發(fā)明第一實施例的集成電路的制造方法。集成
電路包括包含結構11的構建上部層1以及包含結構25的下部層 2。呈4妄觸部3形式的多個連4妄結構布置在下部層2與上部層1之 間，其使下部層2的結構25與上部層1的結構11電連接。然而，
能。因此，在其^^實例中，連4妄結構包"^不導電的材^K此外，連 ^接結構可以分別延伸到下部層和上部層之外，以連4妄附加層(未示 出)。
使用標準光刻技術來制造上部層1和下部層2， 4吏得生成具有 標準分辨率分辨率的上部層1的結構11和下部層2的結構25。然 而，在多個接觸部3中，存在至少兩個相鄰的4妄觸部31和32，它 們以低于光刻分辨限度(次光刻)的距離彼此分開。為了生成次光 刻的接觸部3，使用雙圖樣化技術生成具有常規(guī)4冊狀圖樣的第一開 口 (孔)61的第一掩模6。在第一掩模之外還使用具有標準分辨率 分辨率的第二掩模(未示出)，其中，第二掩模用于覆蓋一些第一 開口 61，并用于選擇第一開口 61的一些(在圖1的實例中為四個 開口611)。在選取的開口 611的區(qū)域中生成4妄觸部3。
盡管示出的第一開口為圓孔，但本發(fā)明沒有限定第 一開口以及 第二掩模層的開口的特定幾何形狀。例如，也可以提供非圓形的孔
或者纟從向開口。
使用包括次分辨率分辨率第一開口圖樣的第一掩模和具有標 準分辨率分辨率(由標準光刻制造)的選取掩才莫的組合來選取第一 開口的子集能夠用來制造包含次分辨率分辨率特征的任意布置。下
面將參照圖2A至圖2F更詳細地描述第一實施例的第一變型例。
注意，原則上下部層2可以是任何種類的層，例如，金屬化平 面(例如，提供到多個晶體管的柵極的連接)，或者包括集成電路 的有源區(qū)的區(qū)域(例如，半導體襯底)。例如，上部層1可以是接 觸平面(金屬化平面)或任何其他種類的層，例如，包括纟參雜材料、 金屬、多晶硅、或氮化鈦(TiN)。此外，第一開口 61不必以柵狀 進行布置。它們可以才艮據(jù)期望的應用以多種類型的(次光刻)圖樣 來布置。在其他實例中，以多個小型排列來布置第一開口 ，其中， 多個小型排列不必彼此對準。
參照圖2A至圖2F，第一掩才莫層6形成在補充層5上(例如， 其形成為硬掩模層，該硬掩模層包括例如氧化硅或者適于用作硬掩 模材料的任意其他材料)。補充層5依次布置在呈下部配線層2形 式的下部層上。
使用包括由雙圖樣工藝形成的次光刻結構71的掩^f莫來構建第 一掩模層6,即，結構71的間距比可通過標準(單)光刻步驟獲得 間距更小。存在多種雙圖樣技術，例如，雙曝光、間隔物掩模技術 (例如，間距分^殳)、異構(heterogeneous)掩才莫^t術、和中間掩才莫 堆疊。然而，這些技術在該領域中是已知的，因此不再詳細描述。 在圖12A、圖12B、圖13、圖14A-14B、圖15A-15C和圖16A-16D 中示出了雙圖樣方法的實例。在一個實例中，結構的間距比在大約 193 nm波長處的光刻分辨卩艮度更小，例如，小于大約40nm。
使用掩模，在第一掩模層6中創(chuàng)建第一開口 61，其中，至少兩 個相鄰開口 61以小于標準光刻分辨率分辨率的距離^f皮此分開(圖 2)。第一開口 61定義了連接結構的可能位置。
在構建的掩模層6上創(chuàng)建第二掩模層(選擇掩模)8 (圖2C )， 該第二掩模層包括未覆蓋第一開口 61之一(開口 611)并且利用部 分82覆蓋另一第一開口 612的至少一個第二開口 81。因此，第二
掩模層8用于選擇將用于創(chuàng)建連接結構(例如，接觸部)的一個或 多個第一開口61。當然，第二掩模可以包括至少一個第二開口 ，以 選擇至少一個第一開口。
使用標準(單個曝光)光刻(即，具有標準分辨率分辨率)來 生成第二開口81。在一個實例中，層8包括抗蝕劑，其通過光刻步 驟直接構建。在另一實例中，層8是使用抗蝕劑構建的硬掩模，其 通過標準光刻在頂部依次構建。因此，標準掩模(第二掩模)用于 選擇一些第一開口 61,其中，至少兩個相鄰第一開口以低于用于生 成至少 一個第二開口或多個第二開口的光刻步驟的光刻限制的距 離彼此分開。
根據(jù)圖2D，使用第一掩模6和第二掩模8 (即，選取的第一開 口 611和第二開口 81)蝕刻補充層5， ^使得在補充層5中生成開口 51,該補充層5包4舌次光刻開口 61的一黃向尺寸。在補充層5中的 開口 51未覆蓋在第二和選取的第一開口 611的區(qū)i或中的下部層2。 在生成開口51之后，去除第二層8和第一層6 (圖2E)。
在其4也步-驟中，如圖2F所示，在補充層5中的開口 51 填充有 材料，例如，諸如金屬的傳導材料或者諸如多晶硅的摻雜材料，使 得形成接觸部3形式的連接結構。此外，生成呈上部配線層21形 式的上部層，其中，上部配線層21經(jīng)由在開口 51中形成的接觸部 3連4妻到下部配線層2。
參照圖3A至圖3D。這些^L圖涉及第一實施例的其他變型例， 其中在補充層5上形成碳層10形式的附加硬掩模層。在附加碳層 10上生成第一掩才莫層6，并且該第一掩模層被構建，使得如上對應 于圖2A至圖2F所述的來創(chuàng)建次光刻開口 61。
生成包括第二開口 81的第二掩模層8，以選擇第一開口 61之 一 (開口 611)(圖3C)。然后，使用選取開口 611執(zhí)行蝕刻步驟， 使得在石友層10中形成(圖3D)開口 1010,并在補充層5中形成與 開口 1010對準的開口 51。在選取第一開口 611的區(qū)域中下部層2 未覆蓋而通過開口 1010和51，佳:得通過諸如傳導材^1"的材沖牛填充 開口 1010和51來形成到下部層2的連4妻結構。在一個實例中，在 生成上部層(未示出)的步驟中J見開口 1010和51的i真充，該上部 層然后經(jīng)由至少一個連接結構連接到下部層2。在另一實例中，在 填充開口 51之前，去除石友層10和第一掩才莫層6。
圖4A至圖4D還涉及第一實施例的其4也變型例。與之前的變 型例相似，生成下部層2和補充層5。然而，與之前的變型例相反， 直接在補充層5上生成第二掩模層8,使用單曝光光刻來構建第二 掩模層。為此，在第二掩模層8上沉積抗蝕劑掩模80，并被構建使 得創(chuàng)建開口 801,該開口4妄下來(例如，通過干蝕刻或濕蝕刻)轉 移到第二掩模層8。在形成第二開口 81之后，去除抗蝕劑層80(圖 4B )。
根據(jù)圖4C，在第二掩模層8上創(chuàng)建包括具有次光刻分辨率分 辨率的多個開口 61 (通過雙圖樣生成)的第一掩模層6，使得多個 開口 61之一 (開口 611 )與第二掩才莫層8的第二開口 81重疊。通 過比專交圖2A至圖2F的變型例與圖4A至圖4D的變型例可以清楚 看出，可以改變第一掩模層和第二掩模層的布置順序，即，第二掩 模層可以布置在第一掩模層上，反之亦然。
才艮據(jù)圖4D,再次4吏用與第二開口 81對準的第一開口 61，來蝕 刻下部補充層5, 4吏得在露出下部層2的選取第一開口 611的區(qū)域 層5中創(chuàng)建開口 51。
圖5涉及本發(fā)明的第二實施例。集成電路包括上部層1和下部層2，其中，下部層2和上部層1通過4妄觸部3形式的多個連4妄結 構進行連接。在某種程度上，圖5的集成電路與圖1的集成電路相似。然而，與圖1不同，下部層2包括次光刻縱向結構21。例如， 通過雙圖樣工藝形成次光刻結構21。然而，上部層l包括具有標準 分辨率分辨率(即，4吏用標準光刻生成)的結構11。
此外，縱向結構21包括中斷部分22。 4吏用包括多個4冊狀布置 的開口 61的次光刻掩才莫6與選耳又掩才莫(未示出)相結合制造4妾觸部3和中斷部分22。
圖6A至圖6H涉及第二實施例的第一變型例。如在前述變型例中，補充層5形成在下部層2上。此外，與之前(第一實施例)的變型例相似，在第一掩才莫層6 (圖6B)中形成多個次光刻第一開口 61。在形成開口61之后，形成選擇掩模8形式的第二掩模層， 第二掩模層8具有露出多個開口61之一(開口 611)并覆蓋所有第 一開口 61的另一個(開口 612)的第二開口 (圖6C)。通過露出開 口 611，蝕刻補充層5和下部層2 (圖6D), 從而生成在補充層5 中的開口 51和在下部配線層2中的中斷部分22，其中，中斷部分 22與選取的第一開口 611對準。
如圖6E所示，在去除第二摘r模層8之后，開口 611、 51以及層2的中斷部分22填充有材沖+ 5000,例如，諸如氧化硅的不導電材料。
然后，新掩模層20被布置在第一掩模層6上，新掩模層20具 有開口201，該開口201露出由第二掩模層8覆蓋(圖6F)的開口 612。換句話i兌，新掩模層20是用于選^奪一個或多個第一開口的補充選擇掩模，該一個或多個第一開口未由(第一)選擇掩模8進行
選擇。與第一選擇掩模8 (第二掩模層)相似，使用標準光刻生成 在新摘4莫層20中的開口。
使用掩模20執(zhí)行蝕刻步驟，使得從開口 61中去除填充材料 5000，并且在于開口 612只十準的層5中生成開口 51b (圖6G )。
根據(jù)圖6H,開口 51b填充有傳導材料3000，使得在開口 51b 中形成4妄觸部3。在補充層5的頂部上，沉積傳導層l形式的上部 層，其中，傳導層1經(jīng)由4妄觸部3連4妄到下部配線層2。在一個實 例中，在填充開口 51b的一個步驟中來實現(xiàn)傳導層1的生成，使得 接觸部3和傳導層1包括相同的傳導材料。
參照圖7,示出了本發(fā)明的第三實施例。與圖5的裝置相似的 集成電路包括具有多個平行縱向結構111的上部層1。 使用雙圖樣 技術構成結構111，使得在至少兩個相鄰結構111之間的距離低于 光刻限制。
下部層2包: 包括標準光刻生成(即，具有標準分辨率分辨率) 的結構25。如在第二實施例(圖5)中，下部層2經(jīng)由多個接觸部連接到上部層l，其中，至少兩個相鄰4妄觸部3具有小于標準光 刻分辨率分辨率的距離，其中，還通過雙圖樣工藝形成了接觸部。 為此，使用具有柵狀開口 61的第一掩模6以及選擇掩模(未示出)。
上部層1的縱向結構111可具有中斷部分llll,該中斷部分例 如通過雙圖樣方法使用具有諸如掩才莫6的4冊狀開口的掩才莫形成。
圖8示出了本發(fā)明的第四實施例。生成的結構與圖5和圖7示 出的結構的組合類似。頂部層1和下部層2分別包括多個平行的縱 向結構111和21，其中， -使用雙圖才羊工藝構建下部層1和上部層2，
使得將層1和2構建為具有低于標準分辨率分辨率的分辨率分辨率。
如在圖5和圖7中，上部層1和下部層2之間形成具有次光刻 分辨率的多個4妄觸部3。為此，再次4吏用包4舌多個開口 61的第一掩 模6與選擇掩模(未示出)的組合。
參照圖9，示出了第四實施例的變型例。集成電i 各包括具有呈 平行導線21形式的多個第一縱向結構的下部層2。此外，垂直于導 線21布置呈上部層2的第二4妄觸線111形式的多個第二^/v向結構。 在該實例中，使用雙圖樣工藝制造下部層2的導線21和上部層1 的導線111 (具有次光刻分辨率)。然而，本發(fā)明的實施例包括僅生 成具有次光刻分辨率的下部或上部纟從向結構的變型例。在另一實施 例中，生成具有標準分辨率的下部和上部纟從向結構。
存在重疊區(qū)i或90,其中，下部導線21和上部導線111重疊。 在一些重疊區(qū)i或90中，形成4妻觸部3，以4吏上部導線111與下部導 線21相連接。使用柵狀次光刻掩模和具有開口 81的選擇掩模生成 接觸部3，其中，生成具有標準分辨率的選沖奪掩^f莫。
參照圖10A和圖10B,更詳細地描述了圖9的變型例，其中， 圖10A是垂直于導線21的部分視圖，以及圖10B是平行于導線21 的部分一見圖。下部層2包括呈導線21形式的多個縱向結構。通過 多個間隔結構26 (例如，包括諸如氮化硅的不導電材料)來分隔導 線21。補充層5(例如，包括-逸如氧化石圭的不導電材料)帔布置在 下部層2上，其中，間隔物26突入到層5中。然而，這不是必須 地，間隔物26的高度也可以等于層2的高度。
在補充層5頂部，布置包4舌至少一個第二開口 81的呈選4奪掩 模8形式的第二掩模層。如圖IOB所示，在補充層5上創(chuàng)建包括縱
向開口 61形式的多個第一開口的第一掩才莫層6，其中，開口61通 過多個上部結構65限定，并垂直于下部導線21延伸。因此，縱向 開口 61與下部導線21重疊，乂人而創(chuàng)建重疊區(qū)域90(在圖9中示出)。 圖IOB還示出了第二掩模層8的第二開口 81露出(選擇)縱向開 口 61之一的一部分，并覆蓋在第二開口 81之外的第一掩才莫層6。
使用第二掩模層8，執(zhí)行蝕刻步驟，從而在補充層5中創(chuàng)建開 口， <吏得在重疊區(qū)域90的區(qū)域內(nèi)露出下部層2。
在蝕刻步驟之后，補充層中的開口可以#1填充有(例如，傳導) 材料，以形成到下部層2的連接結構。此外，在去除第二掩才莫層8 之后，縱向第一開口 61填充有連接結構的材料或者一些其他類型 的材沖+，以形成通過間隔結構65 4皮此間隔的上部導線111。因此， 在補充層中形成的4妄觸部將上部導線111之一連4妄到下部導線21 之一。
參照圖IIA至圖11C,示出了第四實施例的另一變型例。如圖 11A所示，生成包4舌多個平4亍下部纟從向結構21形式的結構的下部 層2，其中，結構21的寬度F和兩個相鄰結構之間的距離為F (F: 最小特征尺寸)，即，在標準光刻的分辨限度處。
為了形成到縱向結構21的多個連接結構3，提供包括以柵格形 式(即，行圖樣和列圖樣)布置的多個矩形開口的第一掩模層6(圖 IIB)。
由于不應當在第一開口 61的每個位置處形成連"l妾結構，因此 形成包括具有第二標準分辨率尺寸的多個第二開口 81(即，每一個 第二開口的寬度和距離均為至少2F)的選擇掩模8 (第二掩模層) (圖11C)。使用選擇掩模8，露出多個第一開口611,以限定期望 連4矣結構的位置。通過圖11B中的實線來表示選取的第一開口 611。
圖12A至圖12C以及圖13涉及兩種不同的^ 又圖才羊方法。如圖 12A所示，形成縱向載體結構66形式的多個第一結構，以及在載 體結構66附近創(chuàng)建間隔結構65形式的多個第二結構(圖12B)。 然后，例如通過選擇蝕刻去除載體結構66， /人而^U呆留間隔結構 65,并且在間隔結構65之間形成第一開口 (圖12C)。剩余間隔結 構65的兩個相鄰結構之間距離小于在原始載體結構66的兩個相鄰 結構之間的3巨離。該3巨離甚至可以^f氐于光刻分辨率。
在另一實例中，與剩余結構65相似，通過雙圖樣來創(chuàng)建其他 縱向結構(未示出)，該其他縱向結構以相對于結構65的角度(例 如，垂直)延伸，侵_得在結構65與其他縱向結構之間創(chuàng)建孔狀開 c 。
圖13中示出了生成次光刻結構的另一實施例。以具有第一間 隔的柵格形狀布置多個點狀第一結構67。在另一步驟中，也以具有 第一間隔(或另一間隔)的4冊格形狀布置的多個第二點狀結構68 被添加到第一結構67,其中，以在第一結構67之間的間隔來創(chuàng)建 第二結構68。這樣生成點狀圖樣，其中，第一結構67之一和相鄰 第二結構68之間的距離小于原始柵格的距離，并且可以低于光刻 分辨率。
在圖14A-圖14B、圖15A-圖15C以及圖16A-圖16D中，纟合出
了不同間隔物技術形式的雙圖樣方法的其他實例。
在圖14A中，描述了半導體裝置中的襯底IOOO上的整個結構 500的截面圖。該結構500將用于示出間隔分段沖支術的示例性實施 例，即，通過間隔物技術生成的線(如果使用更復雜的結構，則是 通過間隔物技術獲得的圖樣)。 圖14A所示的整個結構500將表示在存儲芯片或微處理器中導 線的其他可能性。該結構還可以表示在光電子裝置或孩t電子扭4成裝 置(MEMS )中的線。本領域技術人員將認為此處描述的間距分段 技術不限于直線，還可以用于制造更復雜的圖樣。
在才艮據(jù)圖14A的間距分段的實施例中，初始第一結構101被具 有呈與初始結構101相鄰的側壁結構102形式的第二結構劃線。由 初始結構101覆蓋的襯底1000的區(qū)域通過100來表示，由側壁結 構102覆蓋的區(qū)域通過200來表示。
初始結構101和側壁結構102未覆蓋的區(qū)域300在其表面上4呆 持沒有材料。
在通過例如圖14A中示出的間隔物技術得到的線中，通過初始 結構101和區(qū)域300覆蓋的區(qū)域100 4皮轉移到4十底1000。因此例如， 應當通過用于選4奪側壁結構102的蝕刻工藝來去除初始結構101。
在圖14B中，示出了只有剩余側壁結構102還作為間隔物結構， 這是因為間隔物結構102具有相對較小的寬度。由于每個初始結構 101具有兩個側壁102的事實，所以可以實J見次光刻間3巨(即，小 于特定光源能力的間隔尺寸)，從而使結構密度加倍。
在圖15A中，示出了圖14A的實施例的變型例，其中，使用 填充才支術將區(qū)域300轉移到襯底1000。在該實施例中，通過一些材 料(即，多個第三結構)來填充在相鄰結構101之間(即，在相鄰 初始結構101的詳目乂于間隔4勿102之間)的區(qū)i或300。；冗積、層1001, 來覆蓋牙刀始結構101、側壁結構102 (即，間隔物)和區(qū)i或300。
然后，如圖15B中所示，通過蝕刻或CMP來l吏該堆疊凹陷。 隨后，例如通過將間隔物102選擇性地蝕刻到初始結構101和區(qū)域
300中的層來去除間隔結構102。現(xiàn)在，通過間隔結構102形成的
線(或圖樣)可以被轉移到襯底1000中。
這在圖15C中示出了。通過蝕刻工藝去除間隔物102， 從而創(chuàng)建開口103。剩余的層1001和初始結構101形成了第一掩模層，其中，開口103是第一開口。在另一實施例中，開口 103用于構建隨 后用作第一掩模層的另一層。
另 一填充技術是通過村板填充獲得線(或者通過襯板填充獲得圖樣)。在圖16A中，由第一層1001覆蓋初始第一結構101和在第 一結構101之間的區(qū)域。在其他區(qū)域中，第一層1001為初始結構 101的側壁劃線。因此，通過襯板材料而不是間隔物來構成覆蓋區(qū) i或1001的側壁結構(第二結構)。在該實施例中不要求進4亍間隔物 蝕刻。
接下來，如圖16B中所示，利用第二襯板1002來覆蓋圖16A 中示出的堆疊，該襯板附加填充在兩個相鄰第一結構101之間的區(qū)域。
然后，如圖16C所示，使第二層1002凹陷或平面化。在圖16D 中，示出了接下來通過各向異性蝕刻從第一層1001中去除襯板材 料(第一結構)，該各向異性蝕刻根據(jù)初始結構的材料和第二襯板 的材料進行選擇。從而，創(chuàng)建了作為第一掩模層(其中，層1001 和1002或者層堆疊1001、 1002中的一個構成了第一掩模層)的第 一開口或者可以用于創(chuàng)建第一開口的開口 。
本領域技術人員將了解，襯底1000不應為單一材料，而可以 包括構建的層。此外，盡管圖14A和圖14B示出的方法生成了縱向 開口， 但該原理也可以用于創(chuàng)建孔狀開口 (例如，接觸孔)。為此， 在實現(xiàn)(似人向)開口 (即，分別開始圖14B、 15C和16D所示的結
構)之后，重復該方法，其中，(對應于第一結構101)創(chuàng)建第三結 構，使得其穿過開口 (即，在圖14B中以對應于第二結構102的角 度，以及在圖15C和圖16D中以對應于第二結構101的角度)。此 外，在第三結構附近創(chuàng)建第四結構(對應于第二結構102)。
本領域4支術人員將i人為在一個區(qū)i或中間隔分革殳4支術可以^f吏用 至少一次，^v而導致更高階的間隔分^史，即，甚至可以制造更小的 結構。此外，可以開發(fā)材料之間的不同選擇性，以定義區(qū)域或次區(qū) 域的組合來限定將轉移到襯底S的圖樣。
此外，本領域技術人員將認為間隔分萃殳4支術的實施例將以多種 方式改變，并且以不同組合并通過所有種類材并+來4吏用該方法。通 過這里給出的實例沒有完全覆蓋間隔分段的理論。此外，如上所述， 技術人員了解很多其他的雙圖樣方法。
還應當注意，本發(fā)明當然不限于特定材并+。下部層和上部層可 以為配線層，即，它們可以包^:傳導結構?？梢?吏用傳導或半導體 材沖+來依次形成傳導結構。然而，除了傳導結構之后，上部和下部 層還可以包括諸如絕纟彖結構的不導電結構(例如，單獨地，或者與 傳導結構相結合)。
此夕卜，應當注意可以在上述兩個處理步驟之間實現(xiàn)一個或多個 附加次步驟。此外，能夠在其他實施例中的一個或多個中使用一個 實施例的處理步驟。例如，如關于第一實施例的描述，能夠在其他 實施例中使用在第二掩模層上生成第 一掩模層。
權利要求
1.一種集成電路的制造方法，所述方法包括:創(chuàng)建包括多個第一開口的硬掩模層的形式的第一掩模層；創(chuàng)建具有至少一個第二開口的第二掩模層，所述至少一個第二開口與所述第一開口之一至少部分重疊，其中，光刻生成所述至少一個第二開口；以及至少兩個相鄰的第一開口以小于生成所述第二開口所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的間距彼此分開。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述多個第一開口中的至 少 一些以陣列形式布置。
3. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，使用雙圖樣工藝生成所述 多個第一開口。
4. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述雙圖樣工藝包括生成多個第一結構；在所述第一結構附近生成多個第二結構；以及去除所述第一結構，以在所述第二結構之間創(chuàng)建開口， 所述開口作為所述第一掩模層的第一開口或者用于生成所述 第一開口 。
5. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述雙圖樣工藝包括生成多個第一結構；在所述第一結構附近生成多個第二結構； 在相鄰的第二結構之間生成多個第三結構；以及去除所述第二結構，以在所述第一結構和所述第三結構 之間創(chuàng)建開口 ，所述開口構成所述第一掩才莫層的第一開口或者 用于生成所述第一掩模層的所述第一開口 。
6. 才艮據(jù)權利要求5所述的方法，其中，光刻地創(chuàng)建所述第 一結構， 并且通過去除所述第二結構生成的所述開口具有小于生成所 述第 一結構所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的間距。
7. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述雙圖樣工藝包括生成多個縱向第一結構； 在所述第一結構附近生成多個第二縱向結構； 去除所述第一結構，以在所述第二結構之間創(chuàng)建縱向開d ;生成以相對于所述第二結構成一定角度延伸的多個縱向 第三結構；在所述第三結構附近生成多個第四纟從向結構；以及通過去除所述第三結構來創(chuàng)建開口，所述開口構成所述 第 一掩模層的所述第 一開口或者用于創(chuàng)建所述第 一開口 。
8. 才艮據(jù)權利要求7所述的方法，其中，光刻地創(chuàng)建所述第一結構 和所述第三結構，并且通過去除所述第一結構和所述第三結構 生成的開口具有小于生成所述第一結構和所述第三結構所使 用的光刻的分辨限度的中心至中心的間距。
9. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述雙圖樣工藝包括生成多個第一結構，以在所述第一結構之間創(chuàng)建間隔；以及在所述第一結構之間的所述間隔中生成多個第二結構， 以在所述第 一結構和相鄰第二結構之間創(chuàng)建開口 ，所述開口構 成所述第一掩模層的所述第一開口或者用于生成所述第一開d 。
10. 根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，光刻地生成所述第一結構 和所述第二結構，并且所述開口的所述中心至中心的間3巨小于 生成所述第一結構和所述第二結構所使用的光刻的分辨限度。
11. 根據(jù)權利要求1所述的方法, 心至中心的間距小于40 nm 。
12. 根據(jù)權利要求1所述的方法， 地設置在所述第一掩模層上。
13. 根據(jù)權利要求1所述的方法, 地布置在所述第二掩模層上。其中，相鄰的第一開口的所述中 其中，所述第二掩模層至少部分 其中，所述第一掩模層至少部分
14. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第二掩模層露出在所 述第二開口區(qū)域中的所述第一開口中的至少一個第一開口 ，并且覆蓋所述第一開口中的至少另一個第一開口。
15. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模層和所述第 二掩模層布置在補充層上。
16. 根據(jù)權利要求15所述的方法，其中，所述補充層布置在下部 層上。
17. 才艮據(jù)卄又利要求16所述的方法，還包4舌4吏用所述第一掩才莫層 和所述第二掩模層執(zhí)行蝕刻步驟，以在所述補充層中形成開 口，從而在所述第二開口的區(qū)域中露出所述下部層。
18. 根據(jù)權利要求17所述的方法，還包括去除所述第一掩模層 和所述第二掩才莫層，并用 一種材并牛填充所述補充層中的開口 ， 以創(chuàng)建連4矣結構。
19. 根據(jù)權利要求18所述的方法，其中，所述材料包括傳導材料。
20. 根據(jù)權利要求17所述的方法，其中，在一個步驟中蝕刻所述 下部層和所述補充層，以生成所述下部層中的開口 ，所述下部 層中的開口與所述補充層中的開口對準。
21. 根據(jù)權利要求20所述的方法，其中，所述下部層包括多個下 部縱向結構。
22. 4艮據(jù)4又利要求21所述的方法，其中，在所述下部層中蝕刻的 凹陷4吏所述下部纟從向結構之一 中斷。
23. 沖艮據(jù)片又利要求22所述的方法，其中，所述第一開口中的至少 一個與所述下部纟從向結構之一重疊。
24. 才艮據(jù)4又利要求18所述的方法，還包4舌在所述補充層上布置 上部層，所述上部層包括多個上部縱向結構。
25. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述上部縱向結構中的 至少一個通過所述連^妄結構連^妄到所述下部縱向結構之一。
26. 根據(jù)權利要求25所述的方法，其中，使用雙圖樣步驟生成所 述下部纟從向結構和/或所述上部纟從向結構，以4吏所述下部纟從向 結構和/或所述上部縱向結構具有比可通過在所述第二掩沖莫層 中形成所述第二開口的光刻步驟獲得的最小結構尺寸小的中 心至中心的間3巨。
27. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模層的所述第 一開口中的至少一些^皮形成為纟從向凹陷。
28. 根據(jù)權利要求27所述的方法，其中所述第一掩模層布置到在下部層上生成的補充層上，所 述下部層包^"多個下部》從向結構；所述第 一 纟奄4莫層的所述*從向凹陷以相對于所述下部縱向 結構成一定角度延伸，以創(chuàng)建多個重疊區(qū)域，其中，所述縱向 凹陷與所述下部纟從向結構重疊；所述第二掩模層的所述第二開口露出所述重疊區(qū)域之 一，以在所述重疊區(qū)域中露出所述補充層；以及使用所述第 一掩模層和所述第二掩模層執(zhí)行蝕刻步驟， 以在所述補充層中創(chuàng)建開口 ，^f吏得在所述重疊區(qū)域中露出所述 下部層。
29. 根據(jù)權利要求28所述的方法，還包括在所述蝕刻步驟之后去除所述第二掩才莫層； 用材津?！絫真充所述^卜充層中的所述開口 ，以形成連4妄結構；以及用材料填充所述第一掩模層的所述縱向凹陷，以形成多 個上部鄉(xiāng)從向結構，其中，所述上部i從向結構之一經(jīng)由所述連4妄 結構連4妄到所述下部纟從向結構之一。
30. —種集成電^各的制造方法，所述方法包4舌形成包^fe多個下部全從向結構的下部層； 在所述下部層上形成4卜充層； 在所述補充層上形成包括縱向凹陷形式的多個第 一開口 的第一掩才莫層，其中，所述第一掩才莫層的所述縱向凹陷以相對 于所述下部皇從向結構成一定角度延伸，以創(chuàng)建多個重疊區(qū)域，其中，所述纟從向凹陷與所述下部纟從向結構重疊；形成包括至少一個第二開口的第二掩模層，所述第二掩 模層露出所述重疊區(qū)域之 一 ，以在所述重疊區(qū)域中露出所述補 充層；以及使用所述第 一掩模層和所述第二掩模層來執(zhí)行蝕刻步 驟，以創(chuàng)建在所述補充層中的開口，使得在所述重疊區(qū)域中露 出所述下部層。
31. 根據(jù)權利要求30所述的方法，其中，通過光刻步驟創(chuàng)建所述 第二開口 ，并且所述第一掩才莫層的相鄰纟從向凹陷具有最大距 離，該最大距離小于可通過所述光刻步驟獲得的最小結構尺 寸。
32. 才艮才居斗又利要求31所述的方法，其中，通過雙圖才羊方法生成所 述第 一掩才莫層的所述縱向凹陷。
33. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述集成電路是存儲裝置。
34. —種生成集成電路的布置，所述布置包括第一掩模層，呈硬掩模層形式，包括多個第一開口；第二掩模層，具有與所述第一開口之一至少部分地重疊 并且被光刻生成的至少一個第二開口，其中，至少兩個相鄰的 第一開口以小于生成所述第二開口所4吏用的光刻的分辨限度 的中心至中心的間距4皮此分開。
35. —種通過根據(jù)權利要求1所述的方法生成的集成電路。
全文摘要
一種集成電路的制造方法，包括以下步驟形成呈硬掩模層形式的包括多個第一開口的第一掩模層，和具有至少一個第二開口的第二掩模層，該至少一個第二開口與第一開口之一至少部分重疊，其中，至少一個第二開口被光刻地生成；以及至少兩個相鄰的第一開口以小于生成第二開口所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的間距彼此分開。
文檔編號H01L21/768GK101373738SQ20081021403
公開日2009年2月25日 申請日期2008年8月22日 優(yōu)先權日2007年8月22日
發(fā)明者克里斯托夫·內(nèi)爾謝爾, 布克哈特·魯?shù)峦? 斯特芬·邁爾, 羅爾夫·韋斯 申請人:奇夢達股份公司