專利名稱：：大功率逆變電源用鐵基納米晶磁芯及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種大功率逆變電源用軟磁磁芯及其制造方法，尤其是一種具有納米晶和非晶混合組織、具有比現(xiàn)有技術(shù)更加優(yōu)異的軟磁性能的鐵基納米晶磁芯及制造方法。
背景技術(shù)：
：大功率逆變電源及開關(guān)電源已經(jīng)發(fā)展相對成熟，在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，它具有體積小，效率高，節(jié)能降耗，節(jié)材環(huán)保的優(yōu)點。變壓器磁芯是大功率逆變電源中的重要部件，它需要磁導(dǎo)率相對比較高，熱穩(wěn)定性好，尤其重要的是損耗要低。因為這種變壓器是功率傳輸元件，頻率較高時，每公斤重量的磁芯要傳輸1015千瓦的能量。單位體積或重量的能量密度很高，這樣就要求變壓器磁芯的鐵損必須很小。目前KVA級以上大功率逆變電源磁芯使用的材料主要是非晶和納米晶軟磁合金，只有少量較小功率的電源使用功率鐵氧體。近年來非晶和納米晶合金在大功率逆變電源中的應(yīng)用不斷增長，由于節(jié)約能源的需要和環(huán)保要求的不斷提高，市場迫切需要提供性能更好、損耗更低的大功率逆變電源》茲芯。變壓器主要由^f茲芯和線圈構(gòu)成，對于大功率逆變電源的變壓器來說5由于頻率較高，線圈匝數(shù)并不多，但是電流比較大，因此導(dǎo)線比較粗，考慮線圈的趨膚效應(yīng)使用多股細線，線圏的繞制和本身的重量對磁芯將形成較大的應(yīng)力作用，所以合適的骨架或保護盒就成為大功率逆變電源變壓器的另一個關(guān)鍵。與鐵氧體^f茲芯不同的是，納米晶合金薄帶磁芯自由狀態(tài)下的形狀易于變形，當發(fā)生這種變形時，；茲性能急劇惡化，因此對納米晶合金軟磁芯的外表進行骨架或者裝入護盒保護是必須的。將磁芯裝入封閉的保護盒內(nèi)或采用表面噴塑、靜電噴涂的辦法形成樹脂或塑料保護層都是常規(guī)的保護方法，日本專利平3-205803提供的方法是在磁芯表面形成一層高分子+無機玻璃纖維帶+環(huán)氧樹脂層的方案，更具有強度高、應(yīng)力小、結(jié)構(gòu)緊湊的優(yōu)點。由于上述保護方法的共同點是密封磁芯，使得鐵芯工作時因損耗而發(fā)出的熱量不易向外散出，再加上磁芯外面的線圏繞組也發(fā)熱，最終導(dǎo)致磁芯內(nèi)部的溫度越來越高，變壓器溫升過高而燒毀或無法工作。這個問題對逆變電源主變壓器這樣的高能量密度的功率元件來講是突出的矛盾問題，如果磁芯無損耗不發(fā)熱或損耗極低發(fā)熱量極小就不存在上述問題了?？梢妼β蔨茲芯來說，降低磁芯的損耗是至關(guān)重要的解決途徑。本申請的申請人于1996年7月16日申請了中國專利"軟磁磁芯及其制造方法"，專利號ZL96106793.4,其主要解決方案不是致力于降低磁芯的損耗，而是將磁芯裝入易于散熱的帶有通風孔的保護盒，使變壓器繞制好后，磁芯部分外露以利于磁芯的散熱。因為在當時的技術(shù)條件下，功率磁芯的損耗值僅能達到P5/2。K=30w/kg(測試條件是&20KH，Bm=0.5T),磁芯是用比較厚的(帶材厚度為34~38|im)納米晶帶材制造的，使用的材料成分按重量百分比為:Fe83.4、Cul.2、N65.6、Si7.8和B1.98。這個成分的合金盡管具有優(yōu)良的綜合磁性能，但是其鋼液的流動性不好，受成分的工藝性能制約，該成分合金在一定的工藝條件下只能制成厚度34~38(im的帶材，而且表面粗糙度相對較大。帶材的填充系數(shù)一般在0.6-0.7之間，造成帶繞磁芯填充系數(shù)下降的原因是帶材表面不平整，不光潔，而帶材表面不平整、不光潔的主要原因是帶材制造過程中貼輥面氣泡的形成。用成分為Fe83.4、Cul.2、N65.6、Si7.8和B1.98的合金帶材制成的逆變電源用軟磁磁芯的損耗值P5/2。K一般在27~32w/kg。磁芯這樣的損耗值對于它傳輸?shù)?0-15千瓦的功率來說，只占0.2-0.3%,盡管比例已經(jīng)非常小，但采用日本專利平3-205803提供的方法保護磁芯或采用表面噴塑或靜電噴涂的辦法形成樹脂或塑料保護層而繞制成變壓器，工作時磁芯產(chǎn)生熱量將無法向外散出，導(dǎo)致變壓器溫升過高而不能使用，因此為降低變壓器溫升才提供了中國專利ZL96106793.4和ZL96244535.5所述的帶網(wǎng)眼保護盒的軟磁磁芯制造方法。這種方法雖然可以降低變壓器溫升，具有很好的實用性，但存在部分磁芯外露，易傷損掉渣，影響絕緣強度的缺點，同時增加對磁芯端面無應(yīng)力涂膠密封工序，并且由于護盒的結(jié)構(gòu)特點增大了線圈與磁芯之間的間隙，導(dǎo)致變壓器漏感增大，效率降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是提供一種大功率逆變電源用鐵基納米晶軟磁磁芯及制造方法，該磁芯具有比現(xiàn)有技術(shù)更低的損耗和更好的制造工藝性能，它不僅具有優(yōu)良的軟磁性能，而且熱處理后的后續(xù)加工可以適用多種工藝方法。為了達到上述目的，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的一種低損耗的大功率逆變電源用軟磁芯，該^磁芯采用新成分鐵基納米晶合金，所述新成分鐵基納米晶合金的成分為(重量百分比)Fe81%~85%，Co0.01%~5%,Si7%~9%，B1.5%~2.5%,Cu1%~2%,M4%~7%,M，0.001%~0.04%,其中M為Nb,Mo,V，W,Ta中的一種或幾種，M，為Al、Ti的至少一種。所述磁芯的帶材厚度為24~28nm,表面粗糙度Ra小于2pm。磁芯具有如下特性之一剩磁比Br/Bs為0.01~0.2，損耗值Ps/2。K為18~22w/kg,石茲導(dǎo)率a為20000-25000，/磁導(dǎo)率&為3000-6000，Bs為1.1~1.3T。所述,茲芯的形狀是環(huán)形、矩形、跑道形中至少一種，重量為0.5kg50kg。所述i茲芯是多個環(huán)形、矩形、跑道形磁芯進行組合得到的更大尺寸的復(fù)合》茲芯。磁芯的形狀為環(huán)形時的內(nèi)徑為40-800mm，外徑為60850mm,高度20~100mm。該磁芯的形狀不僅可以是環(huán)形，也可以是矩形，跑道形及組合形狀，單只鐵芯重量在0.5kg~50kg之間，環(huán)形鐵芯尺寸內(nèi)徑40~800mm,外徑60~850mm,高度20~100mm。其它形狀石茲芯尺寸量級與上述相當，也可以用多只上述^茲芯進行組合成為尺寸更大的復(fù)合-茲芯。該磁芯熱處理后可以采用磁芯表面注塑、噴涂絕緣層工藝保護；也可以采用裝各種材料的保護盒，保護盒內(nèi)填充少量軟性無應(yīng)力膠固定》茲芯和護盒。保護盒的形式不僅限于網(wǎng)眼式，也可以是其它常用保護盒。一種大功率逆變電源用鐵基納米晶軟磁磁芯的制造方法，該磁芯采用鐵基非晶納米晶帶材巻取而成，包括母合金冶煉、制帶、巻繞和磁場退火步驟，其特征在于磁芯成分按重量百分比為Fe:81%~85%，Co:0.01%~5%,Si:7%~9%,B:1.5%~2.5%，Cu:1%~2%，M:4%-7%,M，0.001%~0.04%,其中M為Nb，Mo,V，W，Ta中的一種或幾種，M，為Al、Ti的至少一種；在^f茲場退火過程中，磁芯在退火爐內(nèi)移動和轉(zhuǎn)動，促佳」磁芯的溫度均勻化。將上述母合金熔成的鋼水制成厚度24~28[im的連續(xù)光滑的非晶薄帶。熱處理過程中，為保證磁芯溫度均勻，磁芯在爐膛內(nèi)有位置移動或轉(zhuǎn)動。視爐膛的形式可是水平面內(nèi)轉(zhuǎn)動和移動，也可以是垂直水平面內(nèi)的位移和轉(zhuǎn)動。熱處理過程中，磁芯在保護氣氛或真空中進行，在520-600。C，保溫1-2小時。所述的鐵基納米晶合金磁芯具有如下磁特性，剩磁比Br/Bs(剩余磁感應(yīng)強度與飽和磁感應(yīng)強度之比)在0.01~0.2之間；損耗值P5/2QK^22w/kg(f^20KHz，Bm=0.5T),—般損耗值為18~22w/kg，磁導(dǎo)率n「20000925000,磁導(dǎo)率p2=3000~6000，Bs=l.l~1.3T。本發(fā)明提出的技術(shù)解決方案重點包括以下幾個方面1、使用新成分鐵基納米晶合金制造大功率逆變電源用軟磁磁芯，新成分的合金有更好的制帶工藝性，可以使帶材的厚度降低到24~28pm，厚度減薄是磁芯損耗降低的關(guān)鍵因素。2、使用新成分鐵基納米晶合金制造大功率逆變電源用軟磁芯，新成分的合金含有Co元素，Co可以改善合金的流動性，促成獲得更薄、光潔度更高的帶材，同時Co增大合金的磁感生各向異性能，使磁場處理效果更加明顯，獲得更低的剩磁Br，這會進一步降低損耗，這是本發(fā)明的另一個關(guān)鍵因素。3、在熱處理過程中，使爐內(nèi)磁芯移動位置或旋轉(zhuǎn)，達到均溫的熱處理方法，可以使磁芯整體獲得最佳磁性能，這是本發(fā)明的另一個重要解決方案?，F(xiàn)分別詳細4又述1、本發(fā)明成分的鐵基納米晶合金有更好的制帶工藝性，可以使帶材的厚度降低到24~28微米，厚度減薄是磁芯損耗降低的關(guān)鍵因素。下面對本發(fā)明中各個合金元素的作用進行介紹在本發(fā)明的成分含量中，F(xiàn)e是最基本的基礎(chǔ)元素，是獲得軟磁性必不可少的，也是低成本的保證，為了保證有足夠高的Bs值，F(xiàn)e應(yīng)該越多越好，^f旦由于必須加入非晶形成元素B和Si，綜合考慮Fe含量應(yīng)在81%~86%之間。Co含量在0.01%~5%之間，Co可以改善合金的流動性，促成獲得更薄、光潔度更高的帶材，同時Co增大合金的磁感生各向異性能，使磁場處理效果更加明顯，獲得更低的剩磁Br，這會進一步降低損耗。Si和B等類金屬是非晶態(tài)形成元素，它們的加入可以有效降低臨界冷卻速度，因此Si和B是必要的元素，Si的含量為7%~9%,B的含量為1.5%~2.5%。Cu的添加是為了增加熱處理時形成納米晶相的形核率，是必不可少的元素，但含量不必太高，Cu含量為1%~2%。M為Nb，Mo,V，W，Ta中的一種或幾種，其作用是阻止晶化相的晶粒長大，保持納米晶組織的細小，考慮M大都為貴金屬，含量應(yīng)盡量減少，M的含量為4%~7%。M，為Al、Ti的至少一種，由于常規(guī)的帶材制造過程是在空氣環(huán)境中進行，空氣巻入熔潭與冷卻輥面之間的界面，形成微小氣泡，造成帶材表面粗糙。Al和Ti的微量加入可以顯著改善合金的工藝性能，增加鋼液的表面張力，有利于減少熔潭與冷卻輥之間的空氣泡，從而增加帶材的表面光潔度。有了這一條件就可以將帶材制成24~28pm的厚度，并達到要求的填充系數(shù)。M，的含量為0.001%~0.04%是本發(fā)明不可少的元素，Al和/或Ti的含量太多時一方面會造成合金的飽和/磁感應(yīng)強度下降過多，另一方面會影響正常制帶。2、新成分4失基納米晶合金含有Co元素，Co可以改4^T的流動性有利于厚度減薄并增加磁感應(yīng)各向異性能,獲得更低的剩余磁感應(yīng)強度11Br,這會進一步降低損耗，這是本發(fā)明的另一個關(guān)鍵因素。Co與Fe可以形成同類原子的磁偶極子Fe-Co,在磁場作用下，F(xiàn)e-Co原子對越多，磁場處理后形成的磁感生各向異性越大，這樣就有利于獲得低的Br,形成扁平回線，對降低磁滯損耗有利。Co的加入增加鋼液流動性，提高帶材韌性，作用比較明顯，是本發(fā)明方案中不可缺少的因素。Co對制帶工藝性的改善與上述第1項微量Al或Ti的加入改善合金制帶的工藝性能，從而提高帶材表面的光潔度的聯(lián)合作用的結(jié)果是增大鐵芯的填充系數(shù)，從而可以增大變壓器傳送的能量密度或降低變壓器的體積。變壓器單位時間轉(zhuǎn)換的能量表示如下W-kfNBmSe其中K為系數(shù)，f為頻率，N為匝數(shù)，Bm為工作磁感，Se為磁芯有效截面積，而Se^S((K^l)，其中S為磁芯表觀截面，X為填充系數(shù)。在表觀截面積相同的情況下，填充系數(shù)越大，有效截面積越大，變壓器在單位時間傳輸?shù)哪芰吭蕉啵蛞欢üβ氏伦儔浩黧w積可以更小。3、采用爐內(nèi)磁芯位置移動或旋轉(zhuǎn)達到均溫的熱處理方法磁芯巻繞成型后，退火步驟如下在有橫向磁場裝置的保護氣氛或真空熱處理爐中進行去應(yīng)力退火，退火保溫溫度在520~600°C,保溫1~2小時，升溫速度100。C/小時。以上是獲得優(yōu)良磁性能的必要條件。但是由于爐膛內(nèi)各處溫度是不均勻的，尤其對裝滿大尺寸磁芯的較大爐膛，其不均勻性更大，有些差別達到10~20°C。為保證各^f茲芯的溫度均勻性，本發(fā)明的一項重要技術(shù)方案是使磁芯放在可以轉(zhuǎn)動的機構(gòu)上，使磁芯在升溫和保溫過程中可以轉(zhuǎn)動或移動。這種位置的移動速度可以很慢，也可以間歇移動或轉(zhuǎn)動。這種位置的移動或轉(zhuǎn)動，使鐵芯在熱處理過程中即保證爐內(nèi)各磁芯的溫度一致性，也保證單個磁芯的各部分溫度一致性，使磁芯可以獲得更好的磁性能，獲得更低的鐵損耗值。因為熱處理爐結(jié)構(gòu)、熱處理的裝爐方式(位置及爐內(nèi)氣流流動方式)不同，以及^茲芯與加熱源的相對位置不同，很難使爐內(nèi)溫度均勻，這種不均勻性隨爐膛的尺寸增大而增大。即便有些大型爐內(nèi)有循環(huán)風機進行攪拌，也難以使爐內(nèi)各處溫度均勻。如圖1所示，由于大功率磁芯的尺寸比4交大，所處爐內(nèi)空間點1、2、3、4、5的溫度實際上并不一致，這樣最終導(dǎo)致磁芯所處的空間點1、2、3、4、5的溫度不一樣，保溫結(jié)束后，實際上較大的磁芯的各個部分的熱處理溫度不一樣，導(dǎo)致性能不均勻，個別地方?jīng)]有達到最佳處理的效果，而磁芯的性能最終取決于性能最差的那部分，因此，現(xiàn)有技術(shù)經(jīng)常出現(xiàn)熱處理不均勻，因此導(dǎo)致磁芯性能沒有最佳化。而本發(fā)明提供的方法，使磁芯沿軸線旋轉(zhuǎn)，使磁芯不斷換位置，增加均勻性，同時i茲芯的轉(zhuǎn)動帶動爐內(nèi)氣流流動，也有助于爐內(nèi)溫度均勻。對大型爐可以實現(xiàn)磁芯的轉(zhuǎn)動和位置移動，更增加鐵芯的受熱均勻性。由于每個鐵芯都均勻熱處理，各部分均勻一致，共同達到最佳熱處理溫度，這樣熱處理后的磁芯能得到最佳化的磁性能，包括最低的損耗值。由于損耗更低，這種方法熱處理后的磁芯的后續(xù)封裝保護的形式就不僅限于中國專利ZL96106793.4提供的磁芯封裝方法，也可以采用常規(guī)的表面噴涂環(huán)氧樹脂方法，或者采用裝保護盒的方法進行保護后并繞線圈制成變壓器元件。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于l.本發(fā)明使用的新成分由于Co的加入，具有更大的磁感生各向異性，可以獲得更好的橫向磁場處理效杲，使橫向磁場處理后的磁芯比現(xiàn)有技術(shù)具有更低的剩磁感應(yīng)強度Br,如Br^0.2T的低剩磁；這可以進一步降低磁滯損耗，而現(xiàn)有技術(shù)使用的成分Fe83.4Cul.3Nb5.6Si7.8B1.9不含Co元素，磁場處理效果比較弱，一般只能獲得Br^0.3T的剩磁。2.本發(fā)明使用的新成分中含有改進工藝性能元素Al和Ti，少量的Al和Ti可以增大鋼液的表面張力，可以減少熔潭與冷卻輥面間的氣泡；同時Co的加入提高了鋼液的流動性，這兩個因素使帶材表面光潔度增高到Ra小于2(im,增加巻繞磁芯的填充系數(shù)；而現(xiàn)有技術(shù)使用的成分不具有這些優(yōu)點，帶材粗糙度較高(Ra大于4pm),填充系數(shù)較低。3.由于帶材表面光潔度的提高，可以設(shè)立工藝參數(shù)使帶材的厚度進一步減薄，達到24~28|im，而不出現(xiàn)網(wǎng)孔，進一步減薄的帶材可以使帶繞^f茲芯的高頻渦流損耗大大降低。也由于同樣的原因，現(xiàn)有技術(shù)使用的成分不能得到光滑表面的厚度小于28pm的納米晶帶材。內(nèi)磁芯不均勻加熱的缺陷，使磁芯的損耗更低。圖i是現(xiàn)有^li術(shù)磁芯在臥式管式爐旋轉(zhuǎn)示意圖。圖2是本發(fā)明磁芯在退火中不同時間的旋轉(zhuǎn)示意圖，磁芯在爐內(nèi)每隔一定時間旋轉(zhuǎn)一定的角度，實現(xiàn)磁芯在爐內(nèi)的位置移動，使各個磁芯的溫度趨于一致；使磁芯自轉(zhuǎn)能增加單個磁芯本身溫度的均勻性。圖3是本發(fā)明磁芯與對比例磁芯的直流磁化回線對比圖。附圖標記1,2,3,4，5:空間點6:可轉(zhuǎn)動的爐內(nèi)石茲芯7:爐壁8:可轉(zhuǎn)動的底座具體實施方式實施例1將成分按重量百分比為Fe82.5Cul.2Co0.5Nb5.6Si8.7B1.5(含有0.018%的Al)的母合金用單輥法制成厚度24pm的光滑薄帶，寬度30mm，橫向厚度公差小于lpm,繞制成(p70Apl20x30的圓環(huán)形磁芯，放入管式才黃向f茲場爐內(nèi)，在560。C保溫1小時，保溫期間每隔5分鐘^磁芯沿中心軸轉(zhuǎn)動90°,保溫結(jié)束后隨爐冷卻到室溫，^磁芯端面均勻涂上無應(yīng)力保護膜，固化后^L入帶有網(wǎng)眼的保護盒中，用衰減振蕩瞬態(tài)分析法測量損耗值，其損耗P5/20k=21w/kg,磁芯的磁性能見表2。表1為該實施例磁芯與中國專利ZL96106793.4方法制造的變壓器工作1小時后性能的對比表，從表1可知，用該磁芯制成315A逆變焊機變壓器，工作1小時磁芯溫升僅為37°C。圖3為本實施例磁芯與對比例f茲芯的直流磁化回線對比圖。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>實施例2將成分按重量百分比為Fe82.9CuL29Co0.1Mo5.8Si8.0B1.9(含有0.01%的Al和0.008%的Ti)母合金用單輥法制成厚度24pm,寬度40mm的光亮薄帶，繞制成(p8O/cpl30x4O的圓環(huán)形磁芯，放入管式橫磁場爐內(nèi)，在530。C保溫1小時，保溫期間使磁芯沿中心軸每隔8分鐘轉(zhuǎn)動90。，保溫結(jié)束后隨爐冷卻到室溫出爐，將磁芯表面用靜電噴涂的辦法在表面形成一層厚約0.2mm的環(huán)氧樹脂膜，用衰減振蕩瞬態(tài)分析法測量磁芯磁性能如表2所示。實施例3其它條件與實施例l相同，成分不同于實施例l。具體成分見表2。表2反映了本實施例與比較例化學(xué)成分，在f20kHz,Bm=0.5T下的磁導(dǎo)率卜剩磁比及損耗值，其中『^+小2。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>權(quán)利要求1、一種大功率逆變電源用鐵基納米晶軟磁磁芯，該磁芯采用鐵基非晶納米晶帶材卷繞而成，其特征在于磁芯成分按重量百分比為Fe81％～85％，Co0.01％～5％，Si7％～9％，B1.5％～2.5％，Cu1％～2％，M4％～7％，M’0.001％～0.04％，其中M為Nb，Mo，V，W，Ta中的一種或幾種，M’為Al、Ti的至少一種。2、按照權(quán)利要求1所述的軟磁磁芯，其特征在于所述磁芯的帶材厚度為24~28pm,表面粗糙度Ra小于2jxm。3、按照權(quán)利要求1所述的軟磁磁芯，其特征在于磁芯具有如下特性之一剩磁比Br/Bs為0.01-0.2，損耗值？5/2脹為18~22w/kg,磁導(dǎo)率A為20000-25000，磁導(dǎo)率w為3000-6000，Bs為1.1~1.3T。4、按照權(quán)利要求1所述的軟磁磁芯，其特征在于所述磁芯的形狀是環(huán)形、矩形、跑道形中至少一種，重量為0.5kg~50kg。5、按照權(quán)利要求1所述的軟磁磁芯，其特征在于所述磁芯是多個環(huán)形、矩形、跑道形磁芯進行組合得到的更大尺寸的復(fù)合磁芯。6、按照權(quán)利要求1所述的軟磁磁芯，其特征在于磁芯的形狀為環(huán)形時的內(nèi)徑為40~800mm,外徑為60~850mm，高度20~100mm。7、按照權(quán)利要求1所述的軟磁磁芯，其特征在于磁芯成分按重量百分比為Fe:82~84%,Cu:1.2-1.3%，Co:0.1~0.50/0，M:5.6~5.80/0,Si:7.8~8.70/0,B:1.52.0。/o和M，0.01—0.02%,其中M為Nb,Mo,V,W,Ta中的一種或幾種，M，為Al、Ti的至少一種；》茲芯具有如下特性之一石茲導(dǎo)率w為24000-25000,磁導(dǎo)率^為5500~6800,損耗值P5/20K為19~21w/kg,剩磁比Br/Bs為0.17~0.20。8、一種大功率逆變電源用鐵基納米晶軟磁磁芯的制造方法，該磁芯采用鐵基非晶納米晶帶材巻繞而成，包括母合金冶煉、制帶、巻繞和磁場退火步驟，其特征在于磁芯成分按重量百分比為Fe:81%~85%,Co:0.01%-5%,Si:7%~90/o,B:1.5%~2.5%,Cu:1%~2%，M:4%~7%,M，0.001%~0.04%,其中M為Nb,Mo,V,W,Ta中的一種或幾種，M，為Al、Ti的至少一種；在^f茲場退火過程中，磁芯在退火爐內(nèi)移動和轉(zhuǎn)動。9、按照權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于制帶步驟中得到磁芯的帶材厚度為24~28pm,表面粗糙度Ra小于2nm。10、按照權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其特征在于在磁場退火步驟，^磁芯在保護氣氛或真空中退火，保溫溫度為520~600°C,保溫時間為l-2小時，升溫速度為100。C/小時。11、按照權(quán)利要求IO所述的制造方法，其特征在于在磁場退火步驟，》茲芯是在水平面方向或垂直水平面的方向進行運動。12、按照權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于所述運動是連續(xù)的或間歇的。13、按照權(quán)利要求IO所述的制造方法，其特征在于所述磁場退火之后還包括固化和/或裝盒步驟，所述固化步驟是磁芯表面注塑、噴涂絕緣層中的一種。14、按照權(quán)利要求IO所述的制造方法，其特征在于/磁芯成分按重量百分比為Fe:82-84%，Cu:1.2-1.3%,Co:0.1-0.5%,M:5.6~5.8%，Si:7.8-8.7%,B:1.5—2.00/o和M，:0.01—0.02%,其中M為Nb,Mo，V，W,Ta中的一種或幾種，M，為Al、Ti的至少一種；磁芯具有如下特性之一磁導(dǎo)率A為24000-25000,磁導(dǎo)率|i2為5500~6800,損耗值P5/2。K為19~21w/kg,剩磁比Br/Bs為0.17~0.20。全文摘要本發(fā)明涉及一種大功率逆變電源用軟磁磁芯及其制造方法，該磁芯采用鐵基非晶納米晶帶材卷繞而成，磁芯的成分按重量百分比為Fe81％～85％，Co0.01％～5％，Si7％～9％，B1.5％～2.5％，Cu1％～2％，M4％～7％，M’0.001％～0.04％，其中M為Nb，Mo，V，W，Ta中的一種或幾種，M’為Al、Ti的至少一種。磁芯在保護氣氛或真空中進行退火，退火時磁芯在爐內(nèi)的位置可以移動或轉(zhuǎn)動，保溫溫度為520～600℃，保溫時間為1～2小時，升溫速度為100℃/小時。采用上述方法制造的磁芯具有更低的損耗和更好的制造工藝性能，它不僅具有優(yōu)良的軟磁性能，而且熱處理后的后續(xù)加工可以適用多種工藝方法。文檔編號H01F1/147GK101477868SQ20081022425公開日2009年7月8日申請日期2008年10月15日優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日發(fā)明者宋翀旸,張寧娜,王六一,王立軍,陳文智申請人:安泰科技股份有限公司