專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)如今，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到很多領(lǐng)域，如何能得到性能更優(yōu)越的發(fā)光二極管已經(jīng)變成人們研發(fā)的方向，在此， 一種新型發(fā)光二極管可參見Daniel A. Steigerwald等人在文獻(xiàn)IEEE Journal on Selected Topics in QuantumElectronics, Vol. 8， No. 2， March/April 2002中的Illumination With Solid StateLighting Technology—文。因?yàn)榘l(fā)光二極管具有發(fā)光效率高、演色性佳等特點(diǎn)，所以其開始被人們運(yùn)用在路燈上以利于日常生活所需。
然而，現(xiàn)有的發(fā)光二極管光源射出的白光的色溫值偏高，其通常介于450(T6500K，這樣會(huì)讓人們感覺寒冷且光線刺眼、同時(shí)光源的演色性也僅能達(dá)到80%，這樣的色溫值及演色性還不能達(dá)到人們的要求?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管通常是通過在發(fā)光二極管晶粒中加入熒光物質(zhì)以發(fā)出白光，而熒光物質(zhì)的比例在發(fā)光二極管制造完成后即已固定，因此不能在后續(xù)的使用過程中對(duì)發(fā)光二極管的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而不利于人們的使用要求。
有鑒于此，提供一種色溫可調(diào)的發(fā)光二極管實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實(shí)施例說明 一種色溫可調(diào)的發(fā)光二極管。
一種發(fā)光二極管，其包括 一個(gè)第一電極， 一個(gè)與該第一電極并列設(shè)置且極性相反的第二電極，至少一個(gè)第一發(fā)光芯片，至少一個(gè)第二發(fā)光芯片以及一個(gè)封裝體。該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第一波長的第一光束。該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第二波長的第二光束，該第二波長的范圍為57(T670納米。該封裝體設(shè)置在該第一電極及第二電極上且將該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片包覆在其中。該封裝體內(nèi)摻雜有熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)經(jīng)由該第一光束激發(fā)以產(chǎn)生白光，該第二光束用以調(diào)節(jié)該白光的色溫。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，所述發(fā)光二極管可射出白光及波長范圍為57(T670納米的光，使所述發(fā)光二極管通過調(diào)節(jié)波長范圍為57(T670納米的光的亮度以實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)所述白光的色溫，從而適當(dāng)?shù)奶岣呷藗兊氖孢m度。


圖l是本發(fā)明第一實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例發(fā)光二極管的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請(qǐng)參見圖l，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管IO，其包括 一個(gè)第一電極ll， 一個(gè)第二電極12， 一個(gè)第一發(fā)光芯片13， 一個(gè)第二發(fā)光芯片14及一個(gè)封裝體15。
第一電極ll與第二電極12構(gòu)成一導(dǎo)線架(Lead Frame), 二者并列設(shè)置且極性相反。在本實(shí)施例中，第一電極ll為正極，第二電極12為負(fù)極。
第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14串聯(lián)，第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14由第一電極11與第二電極12向其提供電能。
第一發(fā)光芯片13用于發(fā)出具有第一波長的激發(fā)光。第一發(fā)光芯片13包括位于其同一側(cè)的第一接觸電極131及第二接觸電極132，第一發(fā)光芯片13設(shè)置在第一電極11上且其接觸電極131、 132相對(duì)遠(yuǎn)離第一電極11。第一發(fā)光芯片13的第一接觸電極131與第一電極11打線連接
第二發(fā)光芯片14用于射出具有第二波長的第二光束，第二波長的范圍為57(T670納米。第二發(fā)光芯片14包括第一接觸電極141及第二接觸電極142， 二者相對(duì)設(shè)置。第二發(fā)光芯片14的第一接觸電極141與第一發(fā)光芯片13的第一接觸電極131極性相同。第二發(fā)光芯片14設(shè)置在第二電極12上，第二發(fā)光芯片14的第一接觸電極141與第一發(fā)光芯片13的第二接觸電極132打線連接，第二發(fā)光芯片14的第二接觸電極142直接與第二電極12電性連接。
第一發(fā)光芯片13所用材料為III-V族化合物，例如氮化鋁鎵銦(AlInGaN)等，第二發(fā)光芯片14所用材料為III-V族化合物，例如磷化鋁鎵銦(AlInGaP)。
可以理解的是，發(fā)光二極管10所包括的第一發(fā)光芯片13及第二發(fā)光芯片14的數(shù)量不限于一個(gè)，其也可為多個(gè)。
封裝體15包括內(nèi)封裝體151及包覆內(nèi)封裝體151的外封裝體152。內(nèi)封裝體151設(shè)置在第一電極11上以密封第一發(fā)光芯片13，而外封裝體152設(shè)置在第一電極11與第二電極12的上方以密封第二發(fā)光芯片14及內(nèi)封裝體151。內(nèi)封裝體151內(nèi)摻雜有熒光物質(zhì)，第一發(fā)光芯片13發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，產(chǎn)生的白光可經(jīng)由外封裝體152出射至封裝體15的外部。熒光物質(zhì)可為釔鋁石榴石(YAG)熒光粉，鋱鋁石榴石(TAG)熒光粉，硅酸鹽熒光粉，或氮化物熒光粉等。
當(dāng)?shù)谝浑姌O11與第二電極12連接至一驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)時(shí)，第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14串接在一電氣回路中，驅(qū)動(dòng)控制單元可控制流過第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14的電流以調(diào)節(jié)第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14所發(fā)出光的亮度。第一發(fā)光芯片13所發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，第二光束直接經(jīng)由外封裝體152出射至封裝體15的外部。在此，驅(qū)動(dòng)控制單元可通過控制流過上述電氣回路的電流來調(diào)節(jié)第二光束的亮度，從而可以對(duì)發(fā)光二極管10所發(fā)出的白光的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)。
請(qǐng)參見圖2，本發(fā)明第二實(shí)施例提供的發(fā)光二極管20，其與上述第一實(shí)施例提供的發(fā)光二極管10基本相同，不同之處在于發(fā)光二極管20還包括一個(gè)二極管芯片27， 二極管芯片27與第一發(fā)光芯片13及第二發(fā)光芯片14反向并聯(lián)，即當(dāng)?shù)谝浑姌O11為正極而第二電極12為負(fù)極時(shí)，二極管芯片27的負(fù)極271與第一電極11電性連接，二極管芯片27的正極272與第二電極12電性連接，二極管芯片27可有效的防止反向電壓過大而損壞第一發(fā)光芯片13。在此，當(dāng)?shù)谝浑姌O11與第二電極12連接至一驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)時(shí)，第一發(fā)光芯片13與第二發(fā)光芯片14串聯(lián)在一電氣回路中，驅(qū)動(dòng)控制單元可通過控制流過上述電氣回路的電流來調(diào)節(jié)具有第二波長的第二光束的亮度，從而可以對(duì)發(fā)光二極管20所發(fā)出的白光的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)。
請(qǐng)參見圖3，本發(fā)明第三實(shí)施例提供的發(fā)光二極管30，其包括 一個(gè)第一電極31， 一個(gè)第二電極32， 一個(gè)第一發(fā)光芯片33， 一個(gè)第二發(fā)光芯片34，及一個(gè)封裝體15。
第二電極32包括一個(gè)第一部分321及一個(gè)第二部分322， 二者電性相同并分別設(shè)置在第一電極31的兩側(cè)。在本實(shí)施例中，第一電極31為負(fù)極，第二電極32的第一部分321及第二部分322均為正極。
第一發(fā)光芯片33由第一電極31和第二電極32的第一部分321向其提供電能，以使第一發(fā)光芯片33發(fā)出具有第一波長的激發(fā)光。第一發(fā)光芯片33包括位于其同一側(cè)的第一接觸電極331及第二接觸電極332，第一發(fā)光芯片33設(shè)置在第一電極31上且其接觸電極331、 332相對(duì)遠(yuǎn)離第一電極31。第一發(fā)光芯片33的第一接觸電極331與第一電極31打線連接，第一發(fā)光芯片33的第二接觸電極332與第二電極32的第一部分321打線連接。
第二發(fā)光芯片34由第一電極31及第二電極32的第二部分322向其提供電能，以使第二發(fā)光芯片34發(fā)出具有第二波長的第二光束，第二波長的范圍為57(T670納米。第二發(fā)光芯片34設(shè)置在第一電極31上且與第一發(fā)光芯片33相鄰。第二發(fā)光芯片34包括第一接觸電極341及第二接觸電極342， 二者相對(duì)設(shè)置。第二發(fā)光芯片34的第一接觸電極341與第一發(fā)光芯片33的第二接觸電極332極性相同。第二發(fā)光芯片34的第一接觸電極341與第二電極32的第二部分322
6打線連接，第二發(fā)光芯片34的第二接觸電極342直接與第一電極31電性連接。
第一發(fā)光芯片33發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)封裝體15的內(nèi)封裝體151內(nèi)摻雜的熒光物質(zhì)產(chǎn)生白 光，產(chǎn)生的白光可經(jīng)由外封裝體152出射至封裝體15的外部。在此，第二發(fā)光芯片34由封裝 體15的外封裝體152覆蓋，所以第二發(fā)光芯片14射出的第二光束可直接經(jīng)外封裝體152出射至 封裝體15的外部。
當(dāng)?shù)谝浑姌O31與第二電極32的第一部分321連接至一第一驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)，且第 一電極31與第二電極32的第二部分322連接至一第二驅(qū)動(dòng)控制單元(圖未示)時(shí)，第一發(fā)光芯 片33處在由第一驅(qū)動(dòng)控制單元來控制的第一電氣回路中，第二發(fā)光芯片34處在由第二驅(qū)動(dòng)控 制單元來控制的第二電氣回路中，第一驅(qū)動(dòng)控制單元與第二驅(qū)動(dòng)控制單元可分別控制流過第 一發(fā)光芯片33與第二發(fā)光芯片34的電流以分別調(diào)節(jié)第一發(fā)光芯片33與第二發(fā)光芯片34所發(fā)出 光的亮度。第一發(fā)光芯片33所發(fā)出的激發(fā)光可激發(fā)熒光物質(zhì)產(chǎn)生白光，第二發(fā)光芯片34所發(fā) 出的第二光束直接經(jīng)由外封裝體152出射至封裝體15的外部。在此，第二驅(qū)動(dòng)控制單元可通 過控制流過上述第二電氣回路的電流來調(diào)節(jié)第二光束的亮度，從而可以對(duì)發(fā)光二極管30所發(fā) 出的白光的色溫進(jìn)行調(diào)節(jié)。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效 果，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，其包括一個(gè)第一電極及一個(gè)與該第一電極并列設(shè)置且極性相反的第二電極，其特征在于該發(fā)光二極管還包括至少一個(gè)第一發(fā)光芯片，至少一個(gè)第二發(fā)光芯片以及一個(gè)封裝體，該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第一波長的第一光束，該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第二波長的第二光束，該第二波長的范圍為570~670納米，該封裝體設(shè)置在該第一電極及第二電極上且將該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片包覆在其中，該封裝體內(nèi)摻雜有熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)經(jīng)由該第一光束激發(fā)以產(chǎn)生白光，該第二光束用以調(diào)節(jié)該白光的色溫。
2 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該至少一第一發(fā)光芯片與該至少一第二發(fā)光芯片串聯(lián)。
3 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管還包括一個(gè)二極管芯片，該二極管芯片與該至少一第一發(fā)光芯片反向并聯(lián)。
4 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該至少一第一發(fā)光芯片與該至少一第二發(fā)光芯片設(shè)置在該第一電極上且相鄰設(shè)置，該第二電極包括一個(gè)第一部分與一個(gè)第二部分，該至少一第一發(fā)光芯片與該第一部分及該第一電極電性連接，該至少一第二發(fā)光芯片與該第二部分及第一電極電性連接。
5 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該至少一第一發(fā)光芯片所用材料為氮化鋁鎵銦，該至少一第二發(fā)光芯片所用材料為磷化鋁鎵銦。
6 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該封裝體包括一個(gè)內(nèi)封裝體及一個(gè)包覆該內(nèi)封裝體的外封裝體，該內(nèi)封裝體用于密封該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片，該外封裝體用于密封該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片及該內(nèi)封裝體，該內(nèi)封裝體內(nèi)摻雜有該熒光物質(zhì)。
7 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該熒光物質(zhì)為釔鋁石榴石熒光粉，鋱鋁石榴石熒光粉，硅酸鹽熒光粉或氮化物熒光粉。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，其包括一個(gè)第一電極，一個(gè)與該第一電極并列設(shè)置且極性相反的第二電極，至少一個(gè)第一發(fā)光芯片，至少一個(gè)第二發(fā)光芯片以及一個(gè)封裝體。該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第一波長的第一光束。該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片與該第一電極及該第二電極電性連接以用于射出具有第二波長的第二光束，該第二波長的范圍為570～670納米。該封裝體設(shè)置在該第一電極及第二電極上且將該至少一個(gè)第一發(fā)光芯片與該至少一個(gè)第二發(fā)光芯片包覆在其中。該封裝體內(nèi)摻雜有熒光物質(zhì)，該熒光物質(zhì)經(jīng)由該第一光束激發(fā)以產(chǎn)生白光，該第二光束用以調(diào)節(jié)該白光的色溫。
文檔編號(hào)H01L25/075GK101645439SQ20081030337
公開日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2008年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月4日
發(fā)明者朱源發(fā), 江文章 申請(qǐng)人:富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)(上海)有限公司;沛鑫半導(dǎo)體工業(yè)股份有限公司