專利名稱：一種頂針模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種頂針模塊，尤其是涉及一種固晶機(jī)中的頂針模塊。
背景技術(shù)：
晶片經(jīng)過切割之后，每個(gè)晶片相互之間完全分離，并分別獨(dú)立黏著 于具有粘性的膠膜上，該膠膜一般稱之為藍(lán)膜。機(jī)臺(tái)在吸取晶片時(shí)，機(jī)械 手臂從藍(lán)膜的上方用一真空吸嘴吸住晶片，同時(shí)在藍(lán)膜的下方有一頂針模 塊配合，用頂針的推頂力將晶片頂出藍(lán)膜，將晶片和藍(lán)膜分離，以方便上 方的吸嘴吸取晶片，再由機(jī)械動(dòng)作后，將晶片放到固晶位置。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，采用頂針環(huán)5與頂針4分別運(yùn)動(dòng)的頂針模 塊，其工作過程為當(dāng)吸嘴1移至晶片2的正上方時(shí)，頂針環(huán)5上升至貼 近藍(lán)膜3的位置；同時(shí)頂針環(huán)5內(nèi)抽真空使藍(lán)膜3貼緊吸附在頂針環(huán)5上 端面上；頂針4上升把晶片2頂起，吸嘴1通過真空作用把頂起的晶片2 吸?。蝗缓箜斸槶h(huán)5下降，頂針4下降，使得晶片2從藍(lán)膜3上分離出來； 之后吸嘴1就帶走晶片2到固晶位置上。這種頂針模塊存在的缺陷是需 要配有兩套升降驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)來分別驅(qū)動(dòng)頂針環(huán)5和頂針4，使得整個(gè)固晶機(jī) 的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積過大；而且晶片和藍(lán)膜分離時(shí)頂針4和頂針環(huán)5分別動(dòng) 作，動(dòng)作部件、次數(shù)多，取晶速度難以提升，限制了生產(chǎn)效率的提高。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題就是要彌補(bǔ)以上缺陷，提出一種頂針模 塊，結(jié)構(gòu)簡單，減少部件的動(dòng)作次數(shù)，從而提高取晶速度。 本實(shí)用新型的技術(shù)問題是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的。 這種頂針模塊包括頂針環(huán)、設(shè)置于頂針環(huán)內(nèi)的頂針，所述頂針環(huán)設(shè)有 抽真空通路，所述頂針環(huán)具有用于吸附膠膜的吸附面，所述吸附面上開設(shè) 有氣流孔和頂針孔，所述氣流孔與抽真空通路連通。
這種頂針模塊的特點(diǎn)是所述頂針的一端固定在頂針環(huán)上，另一端為 針尖，所述吸附面在頂針孔處為下凹面，所述針尖穿過所述頂針孔。
優(yōu)選的，所述吸附面為一下凹的球面，所述頂針孔位于球面中心處。
所述氣流孔為多個(gè)，且密布在吸附面上。所述頂針環(huán)內(nèi)還設(shè)有吹氣通路，所述吹氣通路也與所述氣流孔連通。 與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比，本發(fā)明的有益效果是將頂針和頂針座合為一體， 頂針和頂針座同時(shí)動(dòng)作，只需采用一套驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使得結(jié)構(gòu)更簡單、設(shè)備 體積縮?。蝗【н^程中，頂針頂起晶片時(shí)，不是通過頂針針尖的向上運(yùn)動(dòng) 刺破藍(lán)膜，而是依靠藍(lán)膜的相對(duì)向下運(yùn)動(dòng)而刺破藍(lán)膜，動(dòng)作部件減少、動(dòng) 作次數(shù)簡化，從而使得工藝時(shí)間縮短，生產(chǎn)效率提高。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的頂針模塊結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
工作結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中吸附面的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式

如圖2、圖3所示的一種頂針模塊，固定安裝在機(jī)臺(tái)上，包括頂針環(huán)5 和頂針4。
頂針環(huán)5和頂針4為一體，不可相對(duì)移動(dòng)。頂針環(huán)5的上端端面為吸 附面9。吸附面9為一下凹的球面，吸附面9上開設(shè)有多個(gè)豎直布置的氣 流孔11和一個(gè)頂針孔10，其中頂針孔10位于球面的中心。頂針環(huán)5上還 設(shè)有抽真空通路6和吹氣通路7，抽真空通路6和吹氣通路7與吸附面上 的氣流孔ll連通。
頂針4的下端固定在頂針座5上，上端為針尖，針尖穿過頂針孔IO。
上述頂針模塊的工作過程為
吸嘴1內(nèi)部抽真空，將吸嘴1移到待吸取的晶片2的正上方，頂針模 塊在一套驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的帶動(dòng)下上升，托起藍(lán)膜3，使得吸附面9的邊緣貼近 藍(lán)膜3，頂針4的針尖將晶片2頂起使晶片2與吸嘴1輕輕接觸。
打開頂針環(huán)5內(nèi)真空系統(tǒng)，通過抽真空通路6和氣流孔11，把藍(lán)膜3 吸附到頂針環(huán)5的下凹的吸附面9上，即藍(lán)膜3向吸附面9的下凹面彎進(jìn)； 由于頂針4固定不動(dòng)，其針尖把藍(lán)膜3刺穿，使晶片2脫離藍(lán)膜3;此時(shí)， 晶片2借助吸嘴1的真空吸力和頂針4的支撐，牢牢依附在吸嘴l上，無 位置偏移。
然后頂針環(huán)5在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的帶動(dòng)下下降一定距離，頂針環(huán)5和頂針4 同時(shí)下移，關(guān)閉頂針環(huán)5內(nèi)真空；吸嘴1在機(jī)械臂8的帶動(dòng)下將晶片2取 走，把晶片2帶到下個(gè)固晶工序的位置上。
待吸嘴1移至安全位置，打開頂針環(huán)5內(nèi)吹氣系統(tǒng)，通過吹氣通路7和氣流孔ll吹氣，使吸附在吸附面9上的藍(lán)膜3迅速恢復(fù)原平面狀，進(jìn)入 下一個(gè)取晶循環(huán)。
上述工作過程中，頂針環(huán)5和頂針4同時(shí)動(dòng)作，晶片2和藍(lán)膜3分離 時(shí)藍(lán)膜3向下移動(dòng)而晶片2不動(dòng)，從而使得分離動(dòng)作簡化，取晶速度提 高。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì) 說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新 型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提 下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù) 范圍。
權(quán)利要求1. 一種頂針模塊，包括頂針環(huán)(5)、設(shè)置于頂針環(huán)內(nèi)的頂針(4)，所述頂針環(huán)設(shè)有抽真空通路(6)，所述頂針環(huán)具有用于吸附膠膜的吸附面(9)，所述吸附面(9)上開設(shè)有氣流孔(11)和頂針孔(10)，所述氣流孔(11)與抽真空通路(6)連通，其特征在于所述頂針(4)的一端固定在頂針環(huán)(5)上，另一端為針尖，所述針尖穿過所述頂針孔(10)，所述吸附面(9)在頂針孔附近為下凹面。
2. 如權(quán)利要求1所述的頂針模塊，其特征在于所述吸附面(9)為一 下凹的球面，所述頂針孔位于球面中心處。
3. 如權(quán)利要求2所述的頂針模塊，其特征在于所述氣流孔(11)為 多個(gè)，且密布在吸附面上。
4. 如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的頂針模塊，其特征在于所述 頂針環(huán)(5)內(nèi)還設(shè)有吹氣通路(7),所述吹氣通路(7)與所述氣流孔(11)連通o
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種頂針模塊，包括頂針環(huán)、設(shè)置于頂針環(huán)內(nèi)的頂針，所述頂針環(huán)設(shè)有抽真空通路，所述頂針環(huán)具有用于吸附膠膜的吸附面，所述吸附面上開設(shè)有氣流孔和頂針孔，所述氣流孔與抽真空通路連通，其特點(diǎn)是所述頂針的一端固定在頂針環(huán)上，另一端為針尖，所述吸附面在頂針孔處為下凹面，所述針尖穿過所述頂針孔。所述吸附面為一下凹的球面，所述頂針孔位于球面中心處。所述頂針環(huán)內(nèi)還設(shè)有吹氣通路，所述吹氣通路也與所述氣流孔連通。本實(shí)用新型將頂針和頂針座合為一體，頂針和頂針座同時(shí)動(dòng)作，只需采用一套驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使得結(jié)構(gòu)更簡單、設(shè)備體積縮小，動(dòng)作次數(shù)簡化，工藝時(shí)間縮短，生產(chǎn)效率得到提高。
文檔編號(hào)H01L21/00GK201259886SQ20082009500
公開日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2008年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月20日
發(fā)明者陳盧坤 申請(qǐng)人:艾逖恩機(jī)電(深圳)有限公司