專利名稱：復(fù)合電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元器件，更具體地說，涉及一種復(fù)合電容。
背景技術(shù)：
隨著電氣、電子及信息設(shè)備的廣泛運(yùn)用，電磁干擾問題日益嚴(yán)峻，其中開 關(guān)電源因其自身工作原理原因，電磁發(fā)射問題更尤為突出，電容濾波是抑制與 減少這種電磁干擾的重要措施。理想電容沒有寄生電阻和寄生電感，然而實(shí)際 上，電容的寄生電阻和電感不可能為零，因此將嚴(yán)重影響到高頻阻抗的大小。 因此，需要一種復(fù)合電容，能夠有效地降低其高頻阻抗大小，拓寬電容 的應(yīng)用頻段。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的電容存在寄生電容和 寄生電感，從而影響高頻阻抗大小的缺陷，提供一種復(fù)合電容，能夠有效地降 低其高頻阻抗大小，拓寬電容的應(yīng)用頻段。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是 一種復(fù)合電容，包括低 頻電容和疊層電容，所述低頻電容的第一引腳與所述疊層電容的上表面電連 接，所述低頻電容的第二引腳與所述疊層電容的下表面電連接。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述復(fù)合電容進(jìn)一步包括第一穿心電 容，所述第一穿心電容的導(dǎo)電外殼與所述疊層電容的下表面電連接，所述第一 穿心電容的第一穿心引腳與所述低頻電容的第一引腳電連接。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述復(fù)合電容進(jìn)一步包括第二穿心電 容，所述第二穿心電容的導(dǎo)電外殼與所述疊層電容的上表面電連接，所述第二 穿心電容的第二穿心引腳與所述低頻電容的第二引腳電連接。
4在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述復(fù)合電容進(jìn)一步包括第一絕緣固定 物和第二絕緣固定物，所述第一絕緣固定物設(shè)置在所述疊層電容的上表面，所 述第二絕緣固定物設(shè)置在所述疊層電容的下表面。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述疊層電容的上表面包括第一引腳孔 和用于焊接所述第二穿心電容的第一焊接部，所述第一焊接部中心設(shè)有第二引 腳孔。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述疊層電容的下表面上與所述第一引 腳孔對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第三引腳孔，所述第三引腳孔周圍設(shè)有用于焊接第一穿心電 容的第二焊接部，所述疊層電容的下表面上與所述第二引腳孔對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第 四引腳孔。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述疊層電容的下表面上與所述第一引 腳孔對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第三引腳孔，所述第三引腳孔周圍設(shè)有第二焊接部，所述疊 層電容的下表面上與所述第二引腳孔對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第四引腳孔。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述第一穿心引腳包括與所述疊層電容 的上表面上的印刷電路板鋪銅部電連接并水平向外延伸的第一彎折部，所述第 二穿心引腳包括與所述疊層電容的下表面上的印刷電路板鋪銅部電連接并水 平向外延伸的第二彎折部。
在本實(shí)用新型所述的復(fù)合電容中，所述第一引腳包括與所述疊層電容的上 表面上的印刷電路板鋪銅部電連接并水平向外延伸的第一彎折部，所述第二引 腳包括與所述疊層電容的下表面上的印刷電路板鋪銅部電連接并水平向外延 伸的第二彎折部。
實(shí)施本實(shí)用新型的復(fù)合電容，具有以下有益效果能夠有效地降低其高 頻阻抗大小，拓寬電容的應(yīng)用頻段。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中 圖1是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的低頻電容的等效電路圖4是實(shí)用新型的復(fù)合電容的第一實(shí)施例的等效電路圖5是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的穿心電容的結(jié)構(gòu)示意圖6是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的疊層電容的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖7是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的疊層電容的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型通過在將疊層電容或者是疊層電容和穿心電容與低頻電容封 裝在一起，形成新的復(fù)合電容。該電容利用穿心、疊層電容的高頻阻抗特性， 配合低頻電容的低頻阻抗特性，減小了低頻電容的高頻阻抗大小，拓寬了原 電容的應(yīng)用頻段。
如圖1所示，在本實(shí)用新型復(fù)合電容的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖中，所述 復(fù)合電容包括低頻電容1和疊層電容2，所述低頻電容1的第一引腳6與所述 疊層電容2的上表面21電連接，所述低頻電容1的第二引腳5與所述疊層電 容2的下表面22電連接。圖3和圖4分別示出了現(xiàn)有技術(shù)的低頻電容和本實(shí) 用新型的復(fù)合電容的第一實(shí)施例的等效電路圖。其中C表示集總電容參數(shù)，R 表示寄生電阻，L表示寄生電感，引入?yún)?shù)C1表示疊層電容。
以電源輸入差模金膜電容為例，說明改進(jìn)后的復(fù)合電容與原低頻電容在各 個(gè)頻段阻抗差異:一般電源輸入差模金膜電容的L1約為幾u(yù)F，很少有超過5uF， 寄生電感約為幾nH，則原電容的阻抗轉(zhuǎn)折頻率點(diǎn)約為2MHz左右，由于穿心、 疊層電容的等效電路近似等于一個(gè)理想電容，但容值較低，在低頻段屬于高阻， 根據(jù)圖4所示的等效電路，其影響可忽略不計(jì)，所以該頻段復(fù)合電容與低頻電 容阻抗基本相等；當(dāng)頻率大于原低頻電容的轉(zhuǎn)折頻率點(diǎn)后，原低頻電容則會(huì)呈 現(xiàn)感性阻抗，隨著頻率的增加急劇上升，而疊層電容具有良好的頻率特性，將 繼續(xù)隨頻率的增加而下降，這時(shí)復(fù)合電容將遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于原低頻電容的阻抗，從而 增加了高頻濾波功能。
圖2是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示， 所述復(fù)合電容進(jìn)一步包括穿心電容31和32，所述穿心電容31的導(dǎo)電外殼與
6所述疊層電容2的下表面22電連接，所述穿心電容31的第一穿心引腳36與 所述低頻電容1的第一引腳6電連接，所述穿心電容32的導(dǎo)電外殼與所述疊 層電容2的上表面21電連接，所述穿心電容32的第二穿心引腳35與所述低 頻電容1的第二引腳5電連接。其等效電路相當(dāng)于將疊層電容、低頻電容和兩 個(gè)穿心電容，這四個(gè)電容并聯(lián)。在本實(shí)用新型的一個(gè)簡(jiǎn)化實(shí)施例中，所述復(fù)合 電容可僅包括一個(gè)穿心電容，其等效電路相當(dāng)于將疊層電容、低頻電容和穿心 電容并聯(lián)。
在本實(shí)用新型的一個(gè)典型實(shí)施例中，所述復(fù)合電容進(jìn)一步包括絕緣固定物 41和42，所述絕緣固定物41設(shè)置在所述疊層電容2的上表面21與所述穿心 電容31相對(duì)應(yīng)的位置，所述絕緣固定物42設(shè)置在所述疊層電容2的下表面 22與所述穿心電容32相對(duì)應(yīng)位置。在增加絕緣固定物以后，可以起到固定和 電氣隔離絕緣的作用。
圖5是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的穿心電容的結(jié)構(gòu)示意圖。所述穿心電容可 包括穿心引腳311和金屬外殼313，所述金屬外殼313和穿心引腳311之間填 充有高介電常數(shù)材料312。本領(lǐng)域技術(shù)人員知悉，圖5示出的只是本實(shí)用新型 可以采用的穿心電容的一個(gè)實(shí)施例，而并不是用于對(duì)穿心電容的形狀、所采用 的高介電常數(shù)材料進(jìn)行限定。
圖6是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的疊層電容的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如 圖6所示，所述疊層電容2的上表面21包括第一引腳孔213和用于焊接所述 穿心電容3的第一焊接部214，所述疊層電容2的上下表面外側(cè)均設(shè)置有印刷 電路板用高介電常數(shù)材料211，其余部位為用于導(dǎo)電的印刷電路板鋪銅部212。 所述第一焊接部214中心設(shè)有第二引腳孔216。所述疊層電容2的下表面22 上與所述第一引腳孔213對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第三引腳孔218，所述第三引腳孔218 周圍設(shè)有第二焊接部217，所述疊層電容2的下表面22上與所述第二引腳孔 216對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第四引腳孔219。這一實(shí)施例特別適合當(dāng)復(fù)合電容是由疊層 電容、低頻電容和兩個(gè)穿心電容構(gòu)成時(shí)的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員知悉，圖5 示出的只是本實(shí)用新型可以采用的疊層電容的一個(gè)實(shí)施例，而并不是用于對(duì)疊 層電容的形狀、所采用的高介電常數(shù)材料進(jìn)行限定。
7圖7是本實(shí)用新型的復(fù)合電容的疊層電容的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其 結(jié)構(gòu)與圖6示出的實(shí)施例基^:一致，包括第一引腳孔213、第一焊接部214、 有第二引腳孔216、第三引腳孔218、第二焊接部217、第四引腳孔219、印刷 電路板用高介電常數(shù)材料211。因?yàn)閺?fù)合電容將會(huì)引起電容高度的增加，在一 些場(chǎng)合應(yīng)用受到限制，所以盡量使原低頻電容、穿心電容與疊層電容做得更緊 湊一些，以免引起電容高度增加過大，另外也避免因引腳太長(zhǎng)造成大的寄生電 感。當(dāng)復(fù)合電容是將疊層電容和低頻電容結(jié)合時(shí)，可使得所述原低頻電容的兩 個(gè)引腳沿所述疊層電容的平面方向彎折成水平，或者是將引腳和疊層電容做在 一起。在本實(shí)用新型的一個(gè)典型實(shí)施例中，可將所述低頻電容直接焊接在所述 疊層電容上，并通過所述疊層電容上的印刷電路板鋪銅部和焊盤使得所述低頻 電容分別與所述疊層電容的上表面和下表面電連接，接著，在所述疊層電容的 上下表面的鋪銅部分別水平延伸出兩個(gè)引腳，這樣，兩個(gè)引腳就變得相當(dāng)?shù)囟獭?br> 在本實(shí)用新型的又一個(gè)實(shí)施例中，特別是在無需引腳特別短的情況下，低 頻電容的第一引腳可與所述疊層電容的上表面上的印刷電路板鋪銅部電連接 以后，從所述印刷電路板鋪銅部水平向外延伸出第一彎折部，所述第二引腳也 可與所述疊層電容的下表面上的印刷電路板鋪銅部電連接后，從所述印刷電路 板鋪銅部水平向外延伸出第二彎折部。
當(dāng)復(fù)合電容是將疊層電容、穿心電容和低頻電容結(jié)合時(shí)，如圖7所示，低 頻電容的兩個(gè)引腳和穿心電容的引腳可以是相互電連接的，也可以合并。例如， 所述第一引腳6與所述第一穿心引腳36為同一引腳，所述第二引腳5與所述 第二穿心引腳35為同一引腳。所述第一穿心引腳36與所述疊層電容2的上表 面21上的印刷電路板鋪銅部212電連接以后，從所述印刷電路板鋪銅部212 水平向外延伸出第一彎折部361，所述第二穿心引腳35與所述疊層電容2的 下表面22上的印刷電路板鋪銅部212電連接后，從所述印刷電路板鋪銅部212 水平向外延伸出第二彎折部351。這樣也可所使原低頻電容、穿心電容與疊層 電容做得更緊湊一些，以免引起電容高度增加過大，另外也避免因引腳太長(zhǎng)造 成大的寄生電感。
本實(shí)用新型是根據(jù)特定實(shí)施例進(jìn)行描述的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)明白在不脫離本實(shí)用新型范圍時(shí)，可進(jìn)行各種變化和等同替換。此外，為適應(yīng)本實(shí) 用新型技術(shù)的特定場(chǎng)合或材料，可對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行諸多修改而不脫離其保護(hù) 范圍。因此，本實(shí)用新型并不限于在此公開的特定實(shí)施例，而包括所有落入到 權(quán)利要求保護(hù)范圍的實(shí)施例。 '
權(quán)利要求1、一種復(fù)合電容，其特征在于，包括低頻電容(1)和疊層電容(2)，所述低頻電容(1)的第一引腳(6)與所述疊層電容(2)的上表面(21)電連接，所述低頻電容(1)的第二引腳(5)與所述疊層電容(2)的下表面(22)電連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述復(fù)合電容進(jìn)一步 包括第一穿心電容(31)，所述第一穿心電容(31)的導(dǎo)電外殼與所述疊層電 容(2)的下表面(22)電連接，所述第一穿心電容(31)的第一穿心引腳(36) 與所述低頻電容(1)的第一引腳(6)電連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述復(fù)合電容進(jìn)一步 包括第二穿心電容(32)，所述第二穿心電容(32)的導(dǎo)電外殼與所述疊層電 容(2)的上表面(21)電連接，所述第二穿心電容(32)的第二穿心引腳(35) 與所述低頻電容(1)的第二引腳(5)電連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述復(fù)合電容進(jìn)一步 包括第一絕緣固定物(41)和第二絕緣固定物(42)，所述第一絕緣固定物(41) 設(shè)置在所述疊層電容(2)的上表面(21)，所述第二絕緣固定物(42)設(shè)置在 所述疊層電容(2)的下表面(22)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述疊層電容(2)的 上表面(21)包括第一引腳孔(213)和用于焊接所述第二穿心電容(32)的 第一焊接部(214)，所述第一焊接部(214)中心設(shè)有第二引腳孔(216)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述疊層電容(2)的 下表面(22)上與所述第一引腳孔(213)對(duì)應(yīng)位置設(shè)有第三引腳孔(218)， 所述第三引腳孔(218)周圍設(shè)有用于焊接第一穿心電容(31)的第二焊接部(217)，所述疊層電容(2)的下表面(22)上與所述第二引腳孔(216)對(duì)應(yīng) 位置設(shè)有第四引腳孔(219)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述第一引腳(6)與 所述第一穿心引腳(36)為同一引腳，所述第二引腳(5)與所述第二穿心引腳(35)為同一引腳。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述第一穿心引腳G6) 包括與所述疊層電容(2)的上表面(21)上的印刷電路板鋪銅部電連接并水 平向外延伸的第一彎折部(361)，所述第二穿心引腳(35)包括與所述疊層電 容(2)的下表面(22)上的印刷電路板鋪銅部電連接并水平向外延伸的第二 彎折部(351)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的復(fù)合電容，其特征在于，所述第一引腳(6)包 括與疊層電容(2)的上表面(21)上的印刷電路板鋪銅部電連接并水平向外 延伸的第一彎折部(361),所述第二引腳(5)包括與疊層電容(2)的下表面(22)上的印刷電路板鋪銅部電連接并水平向外延伸的第二彎折部(351)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種復(fù)合電容，包括低頻電容(1)和疊層電容(2)，所述低頻電容(1)的第一引腳(6)與所述疊層電容(2)的上表面(21)電連接，所述低頻電容(1)的第二引腳(5)與所述疊層電容(2)的下表面(22)電連接。實(shí)施本實(shí)用新型的復(fù)合電容，具有以下有益效果能夠有效地降低其高頻阻抗大小，拓寬電容的應(yīng)用頻段。
文檔編號(hào)H01G4/38GK201285707SQ20082021292
公開日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2008年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日
發(fā)明者徐立平 申請(qǐng)人:艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司