專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、拾光模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、拾光模塊。
背景技術(shù)：
如專利文獻(xiàn)1所公開的那樣，在光盤驅(qū)動(dòng)裝置中，拾光模塊 布置在光盤的光學(xué)記錄面之下，且沿著光盤的半徑方向移動(dòng)。因 此，為使光盤驅(qū)動(dòng)裝置小型化，必須使拾光模塊小型化。為使拾 光模塊小型化，就需要使光檢測器小型化。 例如，在專利文獻(xiàn)2中公開了一種使收放固體攝像元件的框 體小型化，從而使光檢測器小型化的固體攝像裝置的制造方法。 具體而言，在該方法下，使由基板部和矩形框狀的突起部形成的 框體與多個(gè)金屬導(dǎo)片一起樹脂成形為一體，再由各個(gè)金屬導(dǎo)片形 成內(nèi)部端子部和外部端子部，將攝像元件固定在框體的內(nèi)部空間 內(nèi)的基板部上，將攝像元件的電極和各個(gè)金屬導(dǎo)片的內(nèi)部端子部 ——地連接起來，將透光板接合到突起部的上端面上。此時(shí)，為 決定透光板的位置，在突起部的上端面沿著內(nèi)周設(shè)置低一些的低 部形成臺(tái)階部，使透光板的大小為在形成在突起部的臺(tái)階部的內(nèi) 壁的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)能夠放置在低部的上表面那么大，在將透光板接 合到突起部的上端面之際，將粘接劑填充到低部上表面之后，邊 利用臺(tái)階部的內(nèi)壁限定透光板的位置，邊將透光板放置、接合到 低部上表面的粘接劑上，最后再除去位于突起部的臺(tái)階部外側(cè)的 部分。專利文獻(xiàn)1:日本公開特許公報(bào)特開2001 - 56950號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本公開特許公報(bào)特開2005 — 64292號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本公開特許公報(bào)特開2005 — 79537號(hào)公報(bào) 一發(fā)明要解決的技術(shù)問題一
但是，如圖32所示，在專利文獻(xiàn)2所公開的固體攝像裝置中， 在放置有攝像元件205的基板部202的外緣部分設(shè)置有矩形框狀 的突起部203，但突起部203的矩形的四條邊的寬度都一樣寬。 這就限制了小型化。專利文獻(xiàn)3中所公開的固體攝像裝置也存在 同樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決上述技術(shù)問題而研發(fā)出來的。其目的在于 提供 一種整體大小能夠小型化，特別是封裝體的近似矩形的四條 邊中相向的一對邊的長度能夠小一些的半導(dǎo)體裝置。 一用以解決技術(shù)問題的技術(shù)方案一 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明在包括半導(dǎo)體元件和裝載該半 導(dǎo)體元件的封裝體的半導(dǎo)體裝置中的封裝體的結(jié)構(gòu)上做了改進(jìn)。 具體而言，本發(fā)明第一種半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)如下。所述封裝 體具有基板部和第一突起部，所述基板部實(shí)質(zhì)上是矩形，且包括 裝載所迷半導(dǎo)體元件的裝載面，所述第一突起部僅沿著所迷裝載 面的 一對相向的外緣延伸，且所述第 一 突起部各自位于所迷一對 相向的外緣中的一個(gè)外緣上，在各個(gè)所述第一突起部上表面設(shè)置 有沿著所述第一突起部上表面的外緣延伸的擋壩，同時(shí)，覆蓋所 述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在比所迷擋壩離所迷半 導(dǎo)體元件近的位置上，且與所述擋壩之間留有間隙，所述第一突 起部與所述蓋體由粘接劑粘接在 一起，同時(shí)所述粘接劑存在于所 述擋壩和所述蓋體之間。
本發(fā)明第二種半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)如下。所述封裝體具有基板 部、第一突起部以及第二突起部，所述基板部實(shí)質(zhì)上是矩形，且 包括裝載所述半導(dǎo)體元件的裝載面，所述第一突起部沿著所述裝載面的 一對相向的外緣延伸，且各自位于所述一只十相向的外緣中 的一個(gè)外緣上，所述第二突起部沿著與所述裝載面不同的另一對 相向的外緣延伸，且所述第二突起部各自位于所述另 一對相向的 外緣中的一個(gè)外緣上，在各個(gè)所述第一突起部上表面設(shè)置有沿著 所述第一突起部上表面的外緣延伸的擋壩，同時(shí)，覆蓋所述半導(dǎo) 體元件的上方的蓋體的外緣部放置在比所述擋壩離所迷半導(dǎo)體元 件近的位置上，且與所述擋壩之間留有間隙，所述第一突起部與 所述蓋體由粘接劑粘接在 一 起，同時(shí)所迷粘接劑存在于所述擋壩 和所迷蓋體之間，所述第二突起部的與所述另一對相向的外緣正 交的方向上的寬度比所述第 一 突起部的與所述一對相向的外緣正 交的方向上的寬度小。
能夠做成一種由所述粘接劑將所述第二突起部和所述蓋體粘 接起來的結(jié)構(gòu)。 優(yōu)選，所述粘接劑也附著在所述蓋體的與所述擋壩相向的側(cè)面上。 能夠做成一種沿著設(shè)置有所述第一突起部的所述裝載面外緣
延伸的所述第一突起部的側(cè)壁、和沿著所述第一突起部上表面的 外緣延伸的所述擋壩的外側(cè)側(cè)壁齊平的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明第三種半導(dǎo)體裝置具有以下結(jié)構(gòu)。所述封裝體具有基
板部和第一突起部，所述基板部實(shí)質(zhì)上是矩形，且包括裝載所述 半導(dǎo)體元件的裝載面，所述突起部沿著所述裝載面的一對相向的 外緣延伸，且所述第一 突起部各自位于所述一對相向的外緣中的 一個(gè)外緣上，覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在 各個(gè)所述第一突起部上表面，所述第一突起部與所述蓋體由粘接 劑粘接在一起，在存在于所迷第一突起部上的所述蓋體的側(cè)面由 所述粘接劑形成填角，在所述填角的與所述蓋體相反的一側(cè)的終 端部留有被阻擋過的痕跡。這里所說的填角指的是粘接在蓋體的 側(cè)面和第一突起部上表面兩個(gè)面上的角部。
本發(fā)明第四種半導(dǎo)體裝置具有以下結(jié)構(gòu)。所述封裝體具有基
9板部、第一突起部以及第二突起部，所述基板部實(shí)質(zhì)上是矩形， 且包括裝載所述半導(dǎo)體元件的裝載面，所述第一突起部沿著所述 裝載面的 一對相向的外緣延伸，且各自位于所述一對相向的外緣 中的一個(gè)外緣上，所述第二突起部沿著與所述裝載面不同的另一 對相向的外緣延伸，且所述第二突起部各自位于所述另 一對相向 的外緣中的一個(gè)外緣上，覆蓋所迷半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外 緣部放置在各個(gè)所述第一突起部上表面，所迷第一突起部與所述 蓋體由粘接劑粘接在一起，在存在于所述第一突起部上的所述蓋 體的側(cè)面由所述祐接劑形成填角，在所述填角的與所述蓋體相反 的一側(cè)的終端部留有被阻擋過的痕跡，所述第二突起部的與所述 另一對相向的外緣正交的方向上的寬度比所述第一突起部的與所 述一對相向的外緣正交的方向上的寬度小。
能夠做成一種由所述粘接劑將所述第二突起部和所述蓋體粘 接起來的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的第一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，用來制造包括半導(dǎo)
體元件和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝體的半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)
體裝置的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備封裝體集合基板的步驟， 所述封裝體集合基板具有相互平行的多個(gè)槽，擋壩在所述槽的側(cè) 壁上表面的中央部分沿著所述槽延伸，裝載步驟，在多個(gè)所述槽 的各個(gè)槽中沿著槽的延伸方向裝載多個(gè)半導(dǎo)體元件，涂敷步驟， 在所述槽的側(cè)壁上表面且所述擋壩與槽之間的部分沿著所述槽連 續(xù)地涂敷粘接劑，放置步驟X，將覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的 蓋體的外緣部放置在所述所述粘接劑上，固化步驟，使所述粘接 劑固化，以及分離步馬聚Y，沿著所述槽將相鄰的兩個(gè)所迷槽的中 央部分切斷，將封裝體集合基板分開。
本發(fā)明的第二種半導(dǎo)體裝置的制造方法，用來制造包括半導(dǎo) 體元件和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝體的半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo) 體裝置的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備封裝體集合基板的步驟， 在所述封裝體集合基板中，多個(gè)凹部以多個(gè)行與列的形狀排列，在所述凹部的相鄰行之間的中央部位擋壩沿著所述行延伸，裝載 步驟，將多個(gè)半導(dǎo)體元件裝載在多個(gè)所迷凹部中的每個(gè)凹部中， 涂敷步驟，在所迷凹部的行間且所述擋壩的兩側(cè)部分沿著所述擋 壩連續(xù)地涂敷粘接劑，放置步驟X，將覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上 方的蓋體的外緣部放置在所述所述粘接劑上，固化步驟，使所述 粘接劑固化，以及分離步驟Z,沿著所迷行將相鄰兩個(gè)所述凹部 的行間的中央部位切斷，將所述封裝體集合基板分開。
優(yōu)選相鄰的所述凹部的列間的寬度在相鄰的所述凹坑的行間
的寬度以下。
在所述步驟Y或步驟Z中，也能夠?qū)鯄蔚囊徊糠智袛唷?
優(yōu)選，在所述步驟X中，所述粘接劑附著在所述蓋體的側(cè)面 形成填角。 使本發(fā)明的拾光模塊具有以下結(jié)構(gòu)。包括上述任一種半導(dǎo)體 裝置、激光模塊以及分光鏡。所述蓋體由透明材料制成，裝載在 所述半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件是受光元件。 優(yōu)選拾光模塊進(jìn)一步包括反射鏡和物鏡；優(yōu)選所述拾光模塊 放置在光盤的信息記錄面的下側(cè)，所述突起部的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上 與所迷信息記錄面垂直。 所迷激光糢塊包括藍(lán)紫色激光裝置和雙波長激光裝置，從所 述藍(lán)紫色激光裝置射出的光的峰值波長在385nm以上且425rnn以 下，從所述雙波長激光裝置射出的光的峰值波長在630nm以上且 670nm以下和760nm以上且800nm以下。 —發(fā)明的效果一
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，因?yàn)樯w體粘接在一對相向的第一突起 部上表面，相向的另 一 對第二突起部的寬度比第 一 突起部的寬度 小或者是不存在第二突起部，所以能夠使半導(dǎo)體裝置整體小一些； 因?yàn)樵诘?一 突起部上表面設(shè)置阻擋粘接劑的擋壩，所以能夠防止 粘接劑越出來。需提一下，可以在粘接劑固化后除去擋壩。


圖1 (a)是將第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分切 去后的剖開立體圖，圖1 (b)是從圖1 (a)的背面看到的圖。
圖2 (a)是第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的取走蓋體后 的俯視圖，圖2 (b)是沿圖2 (a)的A-A'線剖開的剖視圖，圖 2 (c)是沿圖2 (a)的B-B'線剖開的剖視圖。
圖3 (a)到圖3 (e)是按時(shí)間順序說明第一實(shí)施方式所涉及 的半導(dǎo)體裝置的制造過程的圖。
圖4是表示圖3 (c)所示狀態(tài)下的一部分半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
圖5是第一實(shí)施方式所涉及的封裝體集合基板的另一例的圖。
圖6 (a)是將第二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分切
去后的剖開立體圖，圖6 (b)是從圖6 (a)的背面看到的圖。
圖7 (a)到圖7 (f)是按時(shí)間順序說明第二實(shí)施方式所涉及 的半導(dǎo)體裝置的制造過程的圖。
圖8 (a)是將第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分切 去后的剖開立體圖，圖8 (b)是從圖8 (a)的背面看到的圖。
圖9 (a)是第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的取走蓋體后 的俯視圖，圖9 (b)是沿圖9 (a)的A-A'線剖開的剖視圖，圖 9 (c)是沿圖9 (a)的B-B'線剖開的剖視圖。
圖IO是表示格子狀部件之例的圖。
圖ll是表示格子狀部件之另一例的圖。
圖12 (a)是將第四實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分 切去后的剖開立體圖，圖12 (b)是從圖12(a)的背面看到的圖。
圖13 (a)是將第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分 切去后的剖開立體圖，圖13 (b)是從圖13 (a)的背面看到的圖。
圖14 (a)是第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的取走蓋體 后的俯視圖，圖14 (b)是沿圖14 (a)的A-A'線剖開的剖枧圖， 圖14 (c)是沿圖14 (a)的B-B'線剖開的剖視圖。
圖15是一部分俯視圖，表示第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝
12置的制造中途的情況。
圖16是一部分俯視圖，表示第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝 置的制造中途的另一種情況。
圖17 (a)是將第六實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分 切去后的剖開立體圖，圖17 (b)是從圖17 (a)的背面看到的圖。
圖18 (a)是第一參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖， 圖18 (b)是從圖18 (a)的背面看到的圖。
圖19 (a)是第一參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的省略封裝 樹脂后的俯視圖，圖19 (b)是沿圖19 (a)的A-A'線剖開的剖 視圖，圖19 (c)是沿圖19 (a)的B-B'線剖開的剖視圖。
圖20 (a)到圖20 (0是按時(shí)間順序說明第一參考方式所涉 及的半導(dǎo)體裝置的制造過程的圖。
圖21是第一參考方式所涉及的另一半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖22 (a)是第二參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖， 圖22 (b)是從圖22 (a)的背面看到的圖。
圖23 (a)是第三參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖， 圖23 (b)是從圖23 (a)的背面看到的圖。
圖24 (a)是第三參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的省略封裝 樹脂后的俯視圖，圖24 (b)是沿圖24 (a)的A-A'線剖開的剖 視圖，圖24 (c)是沿圖24 (a)的B-B'線剖開的剖視圖。
圖25 (a)是第四參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的立體圖， 圖25 (b)是從圖25 (a)的背面看到的圖。
圖26 (a)是第七實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分切 去后的剖開立體圖，圖26 (b)是從圖26 (a)的背面看到的圖。
圖27 (a)是第七實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的取走蓋體 后的俯視圖，圖27 (b)是沿圖27 (a)的B-B'線剖開的剖視圖， 圖27 (c)是沿圖27 (a)的A-A'線剖開的剖視圖。
圖28 (a)是將第八實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分 切去后的剖開立體圖，圖28 (b)是沿圖28 (a)中的B-B'線剖開的剖視圖。
圖29 (a)是將第九實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的一部分 切去后的剖開立體圖，圖29 (b)是沿圖29 (a)中的B-B'線剖 開的剖視圖。
圖30是第一實(shí)施方式所涉及的拾光模塊的示意立體圖。 圖31是第一實(shí)施方式所涉及的拾光模塊的示意主視圖。 圖32是現(xiàn)有的包括受光元件的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。 一符號(hào)說明一 1, 2，3，4，5，6 —半導(dǎo)體裝置，1， ，3' ,5， 一半導(dǎo)體裝置，IO-半導(dǎo)體元件，22 —金屬細(xì)線，30 —板狀側(cè)壁部，41 —第一激光裝 置，42—第二激光裝置，43 —分光鏡，45 —反射鏡，46 —物鏡， 47 —光盤，49一激光模塊，50, 51， 52, 53-封裝體，60， 60' — 基板部，62， 62' —裝載面，64， 64' —非裝載面，70， 70' -第一突起部，70a， 70a'—第一突起部外側(cè)側(cè)壁，70b， 70b' — 第一突起部上表面，71， 71， 一第二突起部，75， 75' —連接電 極，76， 76' —內(nèi)部布線，77—外部連接部，80， 80' —擋壩， 80a —擋壩外側(cè)側(cè)壁，85 —粘接劑，90， 91-蓋體，90a-蓋體側(cè)壁， 94，94a，95 —透明部件，96 —封裝樹脂，100， 101， 102 —封裝體 集合基板。
具體實(shí)施例方式
下面，參考附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在以下 各圖中，為筒化說明，用同一參考符號(hào)表示實(shí)質(zhì)上具有同一功能 的構(gòu)成要素。 (第一實(shí)施方式) 一半導(dǎo)體裝置一
第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置，是用集成化受光元件作 半導(dǎo)體元件的光檢測器。需提一下，既可以用光敏二極管、光敏 三極管、光敏集成電路(IC)等受光元件作半導(dǎo)體元件，也可以 用LED (半導(dǎo)體發(fā)光二極管)、半導(dǎo)體激光元件等發(fā)光元件作半導(dǎo)體元件。 如圖1所示，該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置1，半導(dǎo)體元件IO
內(nèi)裝在槽的剖面形狀是"U"字形的封裝體50的槽中，由透明的 平板狀蓋體90蓋住。圖2 (a)到圖2 (d)也示出了該實(shí)施方式 中的半導(dǎo)體裝置1，但為便于說明，圖2 (a)示出的是取走蓋體 90后的情況，蓋體90未表示在該圖2 (a)中。
該實(shí)施方式中的封裝體50具有矩形的基板部60、兩個(gè)第 一突起部70、 70以及擋壩(dam) 80、 80。該兩個(gè)第一突起部70、 70朝著基板部60的上方突出且分別沿著該矩形的一對對邊中的 一條邊延伸，該擋壩80、 80設(shè)置在該第一突起部上表面70b的外 緣部分。第一突起部70、 70各自僅設(shè)置在基板部60中裝載半導(dǎo) 體元件10的矩形裝載面62的相向的一對外緣中的一個(gè)外緣上， 該第一突起部70、 70的形狀是一沿著裝載面62的外緣延伸的長 方體。需提一下，第一突起部70、 70僅設(shè)置在裝載面62的相向 的一對外緣上意味著第一突起部70、70設(shè)置在所述一對外緣上， 在與該一對外緣不同的另一對外緣上沒有設(shè)置第一突起部70、 70，在裝載面62的中央部位及其周圍都沒有設(shè)置第一突起部70、 70。 在裝載面62上且所裝載的半導(dǎo)體元件10與第一突起部70 之間的部分，多個(gè)連接電極75、 75、."排列成一列，各個(gè)連接 電極75延伸到第一突起部70之下，且有一部分隱藏在第一突起 部70之下。連接電極75連接在埋入基板部60內(nèi)的埋入電極76、 76、上。在基板部60的裝載面62的背面即非裝載面64上設(shè) 置有多個(gè)外部連接部77、77、，多個(gè)外部連接部77、 77、.，'連 接在埋入電極76、 76、."上。也就是說，連接電極75、 75、'"經(jīng) 由埋入電極76、 76、與外部連接部77、 77電連接。 在半導(dǎo)體元件10的一個(gè)矩形面上，沿著相向的一對對邊分別 排列有由多個(gè)電極墊20、 20、形成的電極墊列。設(shè)置有電極 墊20、 20、的面的背面裝載在封裝體50的裝載面62上，并用粘接劑固定在裝載面62上。此時(shí)，半導(dǎo)體元件10裝載到封裝 體50中，并做到由電極墊20、 20、"'排成的列延伸的方向與第 一突起部70、 70延伸的方向大致平行。電極墊20、 20、 **'與連 接電極75、 75、由金屬細(xì)線22連接在一起。
擋壩80、 80在第一突起部上表面70b位于離半導(dǎo)體元件10 最遠(yuǎn)的位置上，且沿著第一突起部70、 70的延伸方向延伸。矩形 蓋體90的外緣部放置在第一突起部上表面70b且離開擋壩80、 80的位置上，并用祐接劑85固定在第一突起部70、 70上。這里， 粘接劑85存在于蓋體90的外緣部下面和第一突起部上表面70b 之間，也存在于擋壩80和蓋體90的側(cè)面之間。需提一下，因?yàn)?第一突起部70、70的上表面70b和蓋體90之間的粘接劑85的厚 度薄，所以在圖2 (a)中省略圖示軲接劑85。在對第二實(shí)施方式 以后的實(shí)施方式進(jìn)行說明的剖視圖中，也同樣省略圖示軲接劑 85。 這里，因?yàn)檩M接劑85存在于擋壩80和蓋體90的側(cè)面之間， 所以，與粘接劑85僅存在于蓋體90的外緣部下面和第一突起部 上表面70b之間的情況相比，蓋體90被更加牢固地固定在第一 突 起部70上。特別是，在該實(shí)施方式中，也存在于擋壩80和蓋體 90的側(cè)面之間的粘接劑85在蓋體90的側(cè)面與第一突起部上表面 70b所成的角部呈填角(fillet)形狀。因此，即使粘接劑85的 量很少，蓋體90也會(huì)被更加牢固地固定在第一突起部70上。 半導(dǎo)體裝置1的側(cè)壁部中，第一突起部外側(cè)側(cè)壁70a和擋壩 外側(cè)側(cè)壁80a是同一個(gè)平面。這樣便能夠縮短半導(dǎo)體裝置1的兩 個(gè)第一突起部70、 70之間的長度，有益于小型化；而且，粘接劑 85被擋壩80擋住，而沒有越出半導(dǎo)體裝置1的側(cè)壁到外面來。 這里所說的外側(cè)側(cè)壁是第一突起部70、 70和擋壩80、 80的側(cè)壁 中與靠近半導(dǎo)體元件10的側(cè)壁相向的側(cè)壁。
在該實(shí)施方式中，因?yàn)樵诨宀?0的外緣中與設(shè)置有第一突 起部70、 70的一對外緣不同的另一對相向的外緣部未設(shè)置突起部，所以該另一對外緣部之間的距離是由半導(dǎo)體元件10的大小、
設(shè)置連接電極75、 75、所需要的空間等決定的。也就是說， 能夠制作出所迷另一對外緣部之間的距離最小的裝載半導(dǎo)體元件 10的封裝體。
—半導(dǎo)體裝置的制造方法一
下面，對該實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置1的制造方法進(jìn)行 說明。 首先，準(zhǔn)備圖3 (a)所示的封裝體集合基板100。該封裝體 集合基板100所具有的形狀是多個(gè)所述封裝體50排列起來，相 鄰封裝體50的第一突起部外側(cè)側(cè)壁70a亙?yōu)橐惑w，多個(gè)封裝體 50也排列在突起部延伸的方向上，多個(gè)封裝體50互為一體。 利用公知的方法即能夠制造出該封裝體集合基板100。例如， 讓多個(gè)通孔在平板狀基板上排列成一列，再平行于該列設(shè)置多列。 之后，將導(dǎo)電體埋入該通孔中，并以其作埋入電極76、 76、"'， 在基板的上表面形成與這些埋入電極76、 76、相連接的連接 電極75、 75、，在基板的下面形成外部連接部77、 77、。然 后，在連接電極75、 75、的列間，且每隔一個(gè)列間就放置上 四棱柱體的第一突起部前驅(qū)體70，、 70，、并進(jìn)行固定，再在 第一突起部前驅(qū)體70'的上表面中央部位放上擋壩80'，封裝體 集合基板100就做出來了。此時(shí)，相鄰第一突起部前驅(qū)體70'、 70'、 *"夾住的地方就成為槽55。且擋壩80'與槽55平行延伸。
接下來，在多個(gè)槽55、 55、 55中各個(gè)槽的底面沿著槽55、 55、 55的延伸方向裝載上多個(gè)半導(dǎo)體裝置1并進(jìn)行固定，即成為 圖3 (b)所示的狀態(tài)。 接下來，利用線焊將半導(dǎo)體元件10的電極墊20和連接電極 75連接起來。之后，在第一突起部前驅(qū)體70'的上表面且擋壩 80'與槽55之間的地方，沿著槽55連續(xù)地涂敷粘接劑85，就成 為電極墊20和連接電極75由金屬細(xì)線22連接在一起且祐接劑 85放置在第一突起部前驅(qū)體70'上表面的狀態(tài)，如圖3 (c)所
17示。 如圖4所示，連續(xù)地涂敷粘接劑85，意味著所涂敷的祐接劑 85在對應(yīng)于相鄰的半導(dǎo)體元件之間的部分也不會(huì)中斷，是順著擋 壩80'成為一條直線。 接下來，給封裝體集合基板IOO中的每個(gè)半導(dǎo)體元件IO設(shè)置 一個(gè)透明蓋體90，且使得該蓋體90的外緣部分位于粘接劑85之 上。所布置的蓋體90要將每一個(gè)半導(dǎo)體元件10的上方遮蓋起來。 之后，使祐接劑85固化，將蓋體90粘接、固定好。該狀態(tài)是圖 3 (d)所示的狀態(tài)。因?yàn)榇藭r(shí)蓋體90的外緣放置在已涂敷的大約 一半左右的枯接劑85上，所以粘接劑85不僅存在于蓋體90的下 面和第一突起部前驅(qū)體70'上表面，蓋體90側(cè)面也附著有粘接 劑85。祐接劑85被推向擋壩80'，但被擋壩80'擋住，而不會(huì) 越出到相鄰的封裝體區(qū)域。而且，此時(shí)，祐接劑85成為附著在蓋 體90的側(cè)面，朝向擋壩80'的方向下陷的填角。 接下來，用切片鋸(dicing saw) 40從相鄰的兩個(gè)槽55、 55 之間擋壩80'的中央部位進(jìn)行切割，將擋壩80' —分為二。這樣 側(cè)壁就保持齊平。進(jìn)一步垂直于槽55的延伸方向把相鄰的兩個(gè)半 導(dǎo)體元件10切開。這樣切開后的狀態(tài)就是圖3 (e)所示的狀態(tài)。 一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體裝置1就制造出來了 。 需提一下，上述半導(dǎo)體裝置1的制造方法只是一個(gè)例子而已， 該實(shí)施方式中的制造方法并不限于此例。從相鄰的槽55、 55之間 進(jìn)行切割并分開后，再放上蓋體90也無妨。而且，槽55的形成 方法并不限于將第 一 突起部前驅(qū)體設(shè)置在基板上的方法。除此以 夕卜，既可以釆用切削具有一定厚度的基板形成槽的方法，也可以 采用用激光形成槽的方法。如圖5所示，使用在相鄰的槽55、 55 之間具有切口 (slit) 86的封裝體集合基板101亦可。若使用這 樣的封裝體集合基板101，則即使封裝體集合基板101變大(面 積變寬)，也能夠抑制該封裝體集合基板IOI發(fā)生翹起、變形等， 同時(shí)還能夠用切片鋸40很容易地且在短時(shí)間內(nèi)從槽55、 55之間切開，因此加工容易。 —拾光模塊一
圖30是一示意立體圖，示出了該實(shí)施方式所涉及的拾光模塊 放置在光盤47之下的狀態(tài)。圖31是從側(cè)面觀看該狀態(tài)時(shí)得到的 圖。需提一下，圖31右端的半導(dǎo)體裝置l是作為參考示出的，示 出的是將設(shè)置在位于該右端的半導(dǎo)體裝置l之左側(cè)的底座48上的 半導(dǎo)體裝置l (光檢測器)繞上下方向的軸旋轉(zhuǎn)90度后所看到的 受光面一側(cè)，并非在拾光模塊中裝載有兩個(gè)半導(dǎo)體裝置1。 該拾光模塊包括所述半導(dǎo)體裝置l (光檢測器)、第一及第 二激光裝置41、 42、分光鏡43、反射鏡45以及物鏡46。第一及 第二激光裝置41、 42構(gòu)成激光模塊49。從該第一及第二激光裝 置41、 42射出的光44通過分光鏡43，在反射鏡45發(fā)生反射后， 再通過物鏡46朝著光盤47的信息記錄面入射，光44在信息記錄 面上發(fā)生反射，經(jīng)由物鏡46、反射鏡45、分光鏡43后入射到半 導(dǎo)體裝置1中。 這里，第一激光裝置41是射出峰值波長405nm的激光的藍(lán)紫 色激光裝置；第二激光裝置42是射出峰值波長650nm的紅色激光 和峰值波長780nm的紅外激光這兩個(gè)波長的激光的雙波長激光裝 置。 構(gòu)成拾光模塊的各個(gè)部件放在底座48上且光盤47的信息記 錄面的下側(cè)。拾光模塊在旋轉(zhuǎn)的光盤47下在光盤47的徑向上移 動(dòng)。底座48的放置有各個(gè)部件的面與光盤47的信息記錄面平行。 這里，出于對布線的考慮，布置半導(dǎo)體裝置l時(shí)，要做到第 一突起部70、 70延伸的方向垂直于底座48。也就是說，要做到 突起部70、 70延伸的方向垂直于光盤47的信息記錄面。這樣一 布置，就成為半導(dǎo)體裝置1的多個(gè)外部連接部77、 Tf、 "*垂直 于底座48的設(shè)置面排成兩列的狀態(tài)。于是，能夠?qū)亩鄠€(gè)外部連 接部77、 77、引出的用于與外部連接的布線收納在半導(dǎo)體裝 置1的從底座48的設(shè)置面算起高度為H的范圍內(nèi)。結(jié)果是，能夠
19使拾光模塊整體的高度減小。 如上所述，半導(dǎo)體裝置1的第一突起部70、 70垂直于底座 48延伸，不存在平行于底座48延伸的突起部。因此，能夠使半 導(dǎo)體裝置1的高度H大致接近與所裝載的半導(dǎo)體元件10的一條邊 的長度相等的長度。這樣一來，就能夠使拾光樓塊整體變薄，從 而能夠?qū)崿F(xiàn)拾光模塊的小型化。 該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置1，在封裝體50中將蓋體90粘 接在設(shè)置在一對相向的外緣部的第一突起部70、 70的上表面70b 上，在另一對相向的外緣部沒有設(shè)置突起部。因此能夠使半導(dǎo)體 裝置1整體變小。而且，因?yàn)楸粨鯄?0、 80擋住的粘接劑85附 著在蓋體90的側(cè)面形成填角，所以能夠?qū)⑸w體90牢固地固定在 封裝體50上。 在該實(shí)施方式的制造工序中，在從相鄰的槽55、 55之間進(jìn)行 切開之際切斷擋壩80'，所以粘接劑85內(nèi)部不會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，負(fù)荷 也不會(huì)施加在粘接劑85上，蓋體90與第一突起部70、70之間的 的粘接強(qiáng)度就一定不變。專利文獻(xiàn)3中的圖9所示的半導(dǎo)體裝置， 因?yàn)榘颜辰觿┍旧砬袛?，所以粘接劑?nèi)部就會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，祐接強(qiáng) 度就有可能出現(xiàn)偏差，同時(shí)，在涂敷粘接劑時(shí)，粘接劑會(huì)從凹部 越出來；安裝蓋體時(shí)，若一個(gè)一個(gè)地安裝蓋體，粘接劑在凹部兩 側(cè)的附著量就會(huì)不同，若多個(gè)蓋體同時(shí)安裝，粘接劑就有可能遭 受兩側(cè)的擠壓，而竄到蓋體之上。但該實(shí)施方式不可能發(fā)生上述 不良現(xiàn)象。 (第二實(shí)施方式)
第二實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第一實(shí)施方式所涉及的
半導(dǎo)體裝置1的不同之處僅在于第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中 去掉了擋壩80，其它各方面都相同。因此，下面^f又對與第一實(shí)施 方式不同的i也方進(jìn)4亍說明。
圖7是用剖視圖顯示該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置2的制造工序 的圖。圖7 (a)到圖7 (e)所示的制造工序與圖3所示的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的制造工序相同。在該實(shí)施方式中，用切
片鋸40從相鄰的槽55、 55之間切開后，再將擋壩80、 80、 "*去 掉，如圖7 (f)所示。此時(shí)，擋壩80、 80、用的是粘接劑85 不會(huì)祐上的材質(zhì)。 因此，如圖6所示，與第一實(shí)施方式一樣，該實(shí)施方式中的 半導(dǎo)體裝置2，使用封裝體50、半導(dǎo)體元件10以及蓋體90。與 第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置1 一樣，蓋體90由粘接劑85連接 在第一突起部70、 70上。與第一實(shí)施方式不同之處是沒有擋壩。 在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置2的粘接劑85附著在蓋體90的側(cè) 面，朝著第一突起部上表面70b形成填角，但在該填角的遠(yuǎn)離蓋 體90的側(cè)面的那一側(cè)(側(cè)面的相反一側(cè))的終端部留下了曾經(jīng)被 擋壩80擋住過的痕跡。該痕跡的形狀象斷崖一樣。即，粕接劑 85從蓋體90的側(cè)面朝著第一突起部上表面70b平緩地下沉，在 下沉中途突然一下到達(dá)第一突起部上表面70b。
就這樣，該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置2去掉了擋壩。因此， 在將半導(dǎo)體裝置2安裝到拾光模塊上時(shí)，中途不會(huì)受阻，安裝作 業(yè)能夠很順利地進(jìn)行下去；該實(shí)施方式也能夠收到與第 一 實(shí)施方 式一樣的效果。 (第三實(shí)施方式)
第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置，是在第一實(shí)施方式所涉 及的半導(dǎo)體裝置1中增加了第二突起部而構(gòu)成的。除此以外其它 各方面都與第一實(shí)施方式相同。因此，下面僅對與第一實(shí)施方式 不同的;也方進(jìn)4亍說明。 如圖8、圖9所示，在該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3中，設(shè) 置有第一突起部70、 70和第二突起部71、 71。在第一實(shí)施方式 的半導(dǎo)體裝置1中，朝著外部打開的半導(dǎo)體裝置1的側(cè)面被第二 突起部71、 71關(guān)閉起來，半導(dǎo)體元件10成為密閉狀態(tài)。第二突 起部71、 71延伸的方向與第一突起部70、 70延伸的方向正交。 需提一下，為便于說明，圖9 (a)示出的是取走蓋體90的狀態(tài)，未圖示蓋體90。 第二突起部71、 71設(shè)置在基板部60的裝載面62的外緣上， 朝著基板部60的上方突出。設(shè)置有第二突起部71、 71的裝載面 62的外緣是與設(shè)置有第一突起部70、 70的裝載面的外緣不同的 另一對相向的外緣，這兩對外緣相互正交。 在該實(shí)施方式中，第二突起部71、 71的上表面的朝向封裝體 51內(nèi)側(cè)的邊緣部分與蓋體90的外緣接觸，而且，粘接劑85借助 毛細(xì)管現(xiàn)象進(jìn)入并粘接在第一突起部70、 70附近且第二突起部 71、 71與蓋體90的接觸部分。半導(dǎo)體元件10由于二者的接觸成 為密閉狀態(tài)。因此，能夠防止塵埃等侵入封裝體51內(nèi)，同時(shí)能夠 防止布線短路。在半導(dǎo)體元件IO是光源元件的情況下，能夠防止 塵埃進(jìn)入光學(xué)功能面上損害功能。 第二突起部71的寬度a (在與第二突起部71延伸的方向垂 直的方向上的寬度)比第一 突起部70的寬度b(與第 一突起部70、 70的延伸方向垂直的方向上的寬度)小。之所以第二突起部71 的寬度a比第一突起部70的寬度b小，是因?yàn)榈谝煌黄鸩?0起 的是固定蓋體90的作用，而第二突起部71不具備這樣的作用， 第二突起部71只要能夠防止塵埃侵入即可之故。 在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體裝置3的在第一突起部70、 70延伸 的方向上的長度比第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置1長出第二突起 部71、 71的寬度ax2那么多，但a比第一突起部70、 70的寬度 b小，因此所增加的長度被抑制在一個(gè)很小的值上。需提一下， 優(yōu)選a在b的1 / 2以下，更優(yōu)選a在b的1 / 4以下。但a要在 lO;Czm以上。因此，半導(dǎo)體裝置3包括第二突起部71、 71，便能 夠防止塵埃進(jìn)入封裝體51內(nèi)，同時(shí)，能夠使半導(dǎo)體裝置3在第一 突起部70、 70的長邊方向上的長度比現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的長度 短，從而能夠使半導(dǎo)體裝置3整體小。利用該實(shí)施方式中的半導(dǎo) 體裝置3，除了能夠收到上迷效果外，還能夠收到與第一實(shí)施方 式一樣的效果。
在制作該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3之際，將圖10 (a)所示的格子狀部件120貼到平板狀的基板上，制作封裝體集合基板，并使用該封裝體集合基板。需提一下，圖10 (a)所示的是，整個(gè)格子狀部件120的一部分，省略了其它部分。構(gòu)成格子狀部件120的部件中放置了擋壩80'部分是第一部件111，該第一部件111的一部分成為第一突起部70，與該第一部件111正交的是第二部件112，該第二部件112中的一部分成為第二突起部71。 將該格子狀部件120與基板貼合起來制成的封裝體集合基板是這樣的，在格子的孔部分由基板形成底，該部分即成為凹部，該凹部排列成多個(gè)行和列。也就是說，多個(gè)凹部形成矩陣，半導(dǎo)體元件IO放置在這些凹部的每一個(gè)凹部中，并被線焊。'這里，在由多個(gè)凹部形成的行中，第一部件111存在于相鄰的行之間，在第一部件111的上表面中央部位，擋壩80'沿著由凹部形成的行延伸。在由多個(gè)凹部形成的列中，第二部件112存在于相鄰的列之間。 與第一實(shí)施方式一樣，沿著擋壩80'連續(xù)地涂敷粘接劑85，給每一個(gè)凹部放上一個(gè)蓋體90,并將該蓋體90貼合到封裝體集合基板上。此時(shí)，蓋體90的外緣部分放置在粘接劑85之上。 之后，利用熱、紫外線等使粘接劑85固化，再用切片鋸從擋壩80'的中央部位進(jìn)行切割，將各個(gè)第一部件111 一分為二，進(jìn)一步用切片鋸從各個(gè)第二部件112的中央部位進(jìn)行切割，將各個(gè)第二部件112—分為二，以其作半導(dǎo)體裝置3。 需提一下，利用圖10 (b)、圖11 (a)及圖11 (b)所示的格子狀部件121、 122、 123制作封裝體集合基板也無妨。與圖5所示的封裝體集合基板一樣，圖10 (b)所示的格子狀部件121，在第一部件113的中央部分設(shè)置有切口 86，將第一部件113分開就很容易了；圖11 (a)所示的格子狀部件122，在第二部件114的中央部分設(shè)置有切口 87，將第二部件114分開就很容易了 ；圖11 (b)所示的格子狀部件123，在第一部件113上設(shè)置有切口 86,在第二部件114上設(shè)置有切口 87，將第一部件113、第二部件114中之任一個(gè)部件分開都是很容易的。
為使是最終產(chǎn)品的半導(dǎo)體裝置3中，第一突起部70的寬度b比第二突起部71的寬度a大，所述格子狀部件120、 121、 122、12 3,使成為相鄰凹部的列與列之間的第二部件112 、 114的寬度在將成為相鄰凹部的行與行之間的第一部件111、 113的寬度以下。 需提一下，在該實(shí)施方式中，第二突起部71、 71與蓋體90接觸，半導(dǎo)體元件IO被密閉起來。但即使二者不接觸，二者間留有幾十微米左右的距離，也能夠防止灰塵等侵入，導(dǎo)致半導(dǎo)體元件10的功能下降、短路等。因此，第二突起部71、 71不與蓋體90接觸亦可。 (第四實(shí)施方式)
從第三實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置3中取走了擋壩80這一點(diǎn)，是第四實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第三實(shí)施方式唯一不同的地方，其它各方面都相同。因此，下面4又對與第三實(shí)施方式不同的地方進(jìn)行說明。 在制作出第三實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3之后，或者在制作第三實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3的中途取走擋壩80,即制作出該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置4，如圖12所示。因此，該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置4，具有從第三實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3中取走擋壩80后的構(gòu)造、構(gòu)成和形狀。與第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置2 —樣，粘接劑85附著在蓋體90的側(cè)面上，朝著第一突起部上表面70b形成填角。但該填角的遠(yuǎn)離蓋體90的側(cè)面的一側(cè)(與側(cè)面相反的一側(cè))的終端部留下了曾經(jīng)被擋壩80擋住過的痕跡。 該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置4，除了產(chǎn)生第三實(shí)施方式的效果以外，還產(chǎn)生以下效果。即，在將半導(dǎo)體裝置4安裝到拾光模塊上時(shí)，中途不會(huì)受阻，安裝作業(yè)能夠很順利地進(jìn)行下去。 (第五實(shí)施方式)
第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第三實(shí)施方式所涉及的
24半導(dǎo)體裝置的不同之處在第二突起部71、71與蓋體90的關(guān)系上，其它方面都相同。下面，僅對與第三實(shí)施方式不同的地方進(jìn)行說明。 如圖13、圖14所示，在該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置5中，蓋體91的端部與第二突起部71、 71的上表面重疊，二者在該重疊部分夾著粘接劑85粘接在一起。也就是說，該實(shí)施方式中的蓋體91，在第一突起部70、 70延伸的方向上的長度比第三實(shí)施方式中的蓋體90長，延伸到第二突起部71、 71的上表面，蓋體91的側(cè)面與第二突起部7K 71的外壁面齊平。需提一下，為便于說明，圖14 (a)中示出的是取走蓋體91的狀態(tài)，蓋體91未示。同樣，為便于說明，在圖14 (b)和圖14 (c)也省略未示存在于蓋體91、第一突起部70、 70與第二突起部71、 71之間的粘接劑85。 接下來，參考圖15、圖16對蓋體91與封裝體51間的祐接情況進(jìn)行說明。 圖15示出了將半導(dǎo)體元件10裝載、焊接到封裝體集合基板102中的凹部，再在將成為第一突起部的第一部件113的上表面沿著擋壩80連續(xù)地涂敷了粘接劑85后的狀態(tài)。需提一下，封裝體集合基板102在圖的上下方向以及左右方向進(jìn)一步延伸，這里僅示出了封裝體集合基板102的一部分。該封裝體集合基板102是利用圖10 (b)所示的格子狀部件121制成的。所涂敷的粘接劑85在由凹部130形成的列與行之間(存在第二部件的部分)也沒有中斷。 之后，如圖16所示，將蓋體91放在各個(gè)凹部130上，將凹部130堵住。在一個(gè)凹部130放置一個(gè)蓋體91,但在行方向上相鄰的蓋體91之間要留出間隙。因?yàn)榇藭r(shí)蓋體91中放在第一部件113上表面的外緣部分被直接放置在第一部件113上的粘接劑85上，所以粘接劑85附著在該外緣部分上。另一方面，在蓋體91中放在第二部件112上表面的外緣部分，粘接劑85借助毛細(xì)管現(xiàn)象進(jìn)入蓋體91和第二部件112之間。因此，盡管在第二部件112上不涂敷粘接劑85，第二部件112與蓋體91也會(huì)由粘接劑85粘接在一起。與第三實(shí)施方式相比，蓋體91被更加牢固地粘接在封裝體51上。因?yàn)樯w體91將凹部130的開口堵得很嚴(yán)實(shí)，所以一定能夠防止塵埃侵入。還能夠產(chǎn)生與第三實(shí)施方式一樣的效杲。
需提一下，在制作該實(shí)施方式所涉及的封裝體集合基板之際，可以使用圖10 (a)、圖11 (a)及圖11 (b)所示的格子狀部件120、 122、 123。在使用格子狀部件120、 122之際，因?yàn)榈谝徊考?11上沒有切口而是放置有寬度寬的擋壩80'，所以為將這些行分開，同時(shí)將第一部件113和放在該第一部件113上的擋壩80，切斷。 (第六實(shí)施方式)
只有從第五實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置5中取走了擋壩80這一點(diǎn)，是第六實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第五實(shí)施方式的不同之處，其它各方面都一樣。下面，卩叉對與第五實(shí)施方式不同的地方進(jìn)行說明。 在制作出第五實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置5之后或者在制作第五實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置5的中途取走擋壩80，即制作出圖17所示的該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置6。因此，該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置6，具有從第五實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置5中取走擋壩80后的構(gòu)造、構(gòu)成和形狀。與第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置2 —樣，津占接劑85附著在蓋體90的側(cè)面上，朝著第一突起部上表面70b形成填角。但該填角的遠(yuǎn)離蓋體90的側(cè)面的一側(cè)(與側(cè)面相反的一側(cè))的終端部留下了曾經(jīng)被擋壩80擋住過的痕跡。 該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置6,除了具有第五實(shí)施方式的效果以外，還具有以下效果。即，在將半導(dǎo)體裝置6安裝到拾光模塊上時(shí)，中途不會(huì)受阻，安裝作業(yè)能夠很順利地進(jìn)行下去。 (第七實(shí)施方式)
第七實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置，封裝體與第一實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置1不同。下面，參考圖26、圖27以與第一
實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置不同的地方為中心，對該實(shí)施方式 所涉及的半導(dǎo)體裝置r進(jìn)行說明。 該實(shí)施方式中的封裝體52具有矩形的基板部60'、兩個(gè)分 別沿著該矩形的一對對邊中的一條邊延伸的第一突起部70'、 70' 以及設(shè)置在該第一突起部上表面70b'的擋壩80、 80。還形成有 從第一突起部上表面70b'朝半導(dǎo)體元件10下降一些后而形成的 突起部臺(tái)階部73。該突起部臺(tái)階部73上形成有連接電極75'、 75'、。所設(shè)置的第一突起部70'、 70'從基板部60'中裝載有 半導(dǎo)體元件10的矩形裝載面62'的相向的一對外緣部分朝著上 方突出，具有沿著裝載面62'的外緣延伸的長方體形狀。 在第一突起部70'、 70'內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)內(nèi)部布線(埋入布 線)76'、 76'、。內(nèi)部布線76'在突起部臺(tái)階部73與連接電 極75相連接，在突起部臺(tái)階部73的反面(非裝載面64)與外部 連接部77連接。半導(dǎo)體元件10的電極墊20、 20、與突起部 臺(tái)階部73的連接電極75由金屬細(xì)線22連接在一起。所設(shè)置的擋 壩80、 80在第一突起部上表面70b且連接電極75的外側(cè)與突起 部70、 70平行地延伸。 蓋體90的外緣部分放置在第一突起部上表面70b',與第一 實(shí)施方式一樣，蓋體90由粘接劑85粘接在封裝體52上。 因?yàn)榈谝煌黄鸩可媳砻?0b'和突起部臺(tái)階部73的距離比金 屬細(xì)線22的直徑大，且將金屬細(xì)線22焊接到連接電極75'上是 第二焊，所以放置在第一突起部上表面70b'的蓋體90不會(huì)與金 屬細(xì)線22接觸，遭受金屬細(xì)線22擠壓，金屬細(xì)線22的連接可靠 性就保持得很高；因?yàn)閷⒌谝煌黄鸩可媳砻?0b'與突起部臺(tái)階 部73的距離設(shè)定在金屬細(xì)線22的直徑的2倍以下，所以能夠使 半導(dǎo)體裝置l'的厚度更薄，從而能夠使半導(dǎo)體裝置l'更小。 該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置l'，其蓋體90與封裝體52的粘 接狀態(tài)與第一實(shí)施方式一樣，在第一突起部70'、 70'的延伸方向上的封裝體52的長度也相同，因此能夠產(chǎn)生與第一實(shí)施方式相
同的效果。因?yàn)閷⑦B接電極75'設(shè)在突起部臺(tái)階部73上，所以 能夠使裝載半導(dǎo)體元件10的部分的面積最小，這將有利于半導(dǎo)體 裝置1'的小型化。 能夠用與第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置1 一樣的方法制造該 實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置l'。需提一下，在制造好該實(shí)施方式中 的半導(dǎo)體裝置l'后將擋壩80、 80取走也無妨。 (第八實(shí)施方式)
第八實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置，是在第七實(shí)施方式所涉
及的半導(dǎo)體裝置r中加上第二突起部后構(gòu)成的。除此以外其它
方面都與第七實(shí)施方式一樣。因此，下面^叉對與第七實(shí)施方式不
同的地方進(jìn)行說明。 圖28示出了該實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置3'。在該實(shí)施 方式中的半導(dǎo)體裝置3'中，在基板部60'上沿著與設(shè)置有第一 突起部70'、 70'的一對外緣不同的另一對外緣，從一個(gè)第一突 起部70'的長邊方向的端部到另一個(gè)第一突起部70'的長邊方向 的端部設(shè)置有第二突起部71'、 71'。也就是說，在第七實(shí)施方式 中的封裝體52中增加第二突起部71'、 71'，即成為該實(shí)施方式 中的封裝體53。 在該實(shí)施方式中，第二突起部71'、 71'上表面的朝向封裝 體53內(nèi)側(cè)的緣部分與蓋體90的外緣接觸，而且，在第一突起部 70'、 70'附近，粘接劑85借助毛細(xì)管現(xiàn)象進(jìn)入并粘接在第二突 起部71'、 71'與蓋體90的接觸部分。 該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3'，能夠用與第七實(shí)施方式中的 半導(dǎo)體裝置一樣的制造方法制造出來。也就是說，制造好第七實(shí) 施方式中的半導(dǎo)體裝置后，再安裝上第二突起部71'、 71',即制 成該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置3'。需提一下，制造好該實(shí)施方式 中的半導(dǎo)體裝置3'后再取走擋壩80、 80也無妨。 (第九實(shí)施方式)
第九實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第八實(shí)施方式所涉及的 半導(dǎo)體裝置3'的不同之處在第二突起部71'、 71'與蓋體90的 關(guān)系上，其它方面都相同。因此，下面1^對與第八實(shí)施方式不同 的地方進(jìn)4于i兌明。 如圖29所示，該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置5'，蓋體91的端 部與第二突起部71'、 71'的上表面重疊，二者在該重疊部分夾 著粘接劑85粘接在一起。也就是說，該實(shí)施方式中的蓋體91在 第一突起部70，、 70'延伸的方向上的長度比第八實(shí)施方式中的 蓋體90長，延伸到第二突起部71'、 71'的上表面上，蓋體91 的側(cè)面與第二突起部71'、 71'的外壁面齊平。因?yàn)樯w體91的端 部與第二突起部71'、 71'的上表面的粘接情況與笫五實(shí)施方式 相同，所以省略說明。 與第八實(shí)施方式相比，該實(shí)施方式中，蓋體91被更加牢固地 固定在封裝體53上；因?yàn)樯w體91嚴(yán)嚴(yán)實(shí)實(shí)地堵住封裝體53的開 口，所以一定能夠防止塵埃侵入；還能夠產(chǎn)生與第八實(shí)施方式一樣的效果。需提一下，在制造好該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置5'
后再取走擋壩80、 80也無妨。 (第一參考方式) 一半導(dǎo)體裝置一
第一參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第一實(shí)施方式所涉及的 半導(dǎo)體裝置的不同之處在于，用板狀透明部件取代透明的平板狀 蓋體，并將該板狀透明部件放到半導(dǎo)體元件上，將封裝樹脂注入 到封裝體的槽中，以將該透明部件的側(cè)面與金屬細(xì)線掩埋起來。 下面，以與第一實(shí)施方式不同的地方為中心對第一參考方式進(jìn)行 說明。有時(shí)省略對與第 一 實(shí)施方式相同之處的說明。
該實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置7示于圖18 (a)、圖18 (b) 以及圖19 (a)到圖19 (c)中。需提一下，為便于說明，在圖 19 (a)中省略圖示封裝樹脂96。在該實(shí)施方式中，封裝體50、 半導(dǎo)體元件10、擋壩80、 80、第一突起部70、 70以及金屬細(xì)線 22都與第一實(shí)施方式一樣，連接電極75與外部連接部77的連接 結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體元件10與連接電極75的連接結(jié)構(gòu)也與第一實(shí)施 方式一樣。 裝載在封裝體50中的半導(dǎo)體元件10通過金屬細(xì)線22與連接 電極75連接。板狀的透明部件94隔著透明的祐接劑放在半導(dǎo)體 元件10上，并做到覆蓋住半導(dǎo)體元件10的受光面。透明部件94 是上表面為矩形的由玻璃形成的板狀部件，被粘接在半導(dǎo)體元件 10上。 除了透明部件94的上表面、擋壩別、80的上表面以外，封 裝體50的槽(凹部)內(nèi)的部件皆被封裝樹脂96封裝起來。也就 是說，透明部件94的側(cè)面、第一突起部70、 70的上表面、金屬 細(xì)線22等被埋入封裝樹脂96中。當(dāng)從上往下觀看該參考方式中 的半導(dǎo)體裝置7時(shí)，僅有透明部件94的上表面與擋壩80、 80的 上表面露出來，剩余部分被封裝樹脂96覆蓋。因此，灰塵、塵埃 不會(huì)附著在半導(dǎo)體元件10的受光面、電極墊20、連接電極75及金屬細(xì)線22等上，也就不會(huì)出現(xiàn)由于灰塵、塵埃等所導(dǎo)致的短路 等不良現(xiàn)象。能夠優(yōu)選使用熱固化環(huán)氧樹脂、夾雜著含有Si02等 的填料的樹脂、含有染料且具有遮光性的樹脂等作封裝樹脂。 在以基板部60的裝載面62為基準(zhǔn)的高度(距離)下，透明 部件94的上表面的高度比擋壩80、 80的上表面的高度大，因此， 在將半導(dǎo)體裝置7裝載到拾光模塊中之際，就能夠很容易地以平 行于半導(dǎo)體元件10的受光面且面積較大的透明部件94的上表面 作裝載作業(yè)的基準(zhǔn)面，也就能夠很容易地提高將半導(dǎo)體裝置3裝 載到拾光模塊中的裝載精度。同時(shí)，因?yàn)橥该鞑考?4的上表面的 高度比擋壩80、 80的上表面的高度大，所以裝載作業(yè)能夠很容易 地在短時(shí)間內(nèi)完成。 —半導(dǎo)體裝置的制造方法—
下面，對該參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置7的制造方法進(jìn)行 說明。需提一下，與第一實(shí)施方式的制造方法一樣的地方，要么 省略說明，要么僅做簡單的說明。 首先，準(zhǔn)備圖20 (a)所示的封裝體集合基板100。該封裝體 集合基板100與第一實(shí)施方式中的封裝體集合基板100 —樣。 接下來，依次在槽55、 55、的底面沿著槽55、 55、的 延伸方向裝載、固定上多個(gè)半導(dǎo)體元件10,再將透明部件94放到半導(dǎo)體元件10的受光面上，并用透明粘接劑進(jìn)行固定。此時(shí)，
保護(hù)薄片92a設(shè)置在透明部件94的上表面。若進(jìn)一步在擋壩80' 的上表面放置保護(hù)薄片92b，則成為圖20 (b)所示的狀態(tài)。 之后，利用線焊將半導(dǎo)體元件10的電極墊20和連接電極75 連接起來。于是，就成為電極墊20和連接電極75由金屬細(xì)線22 連接在一起的狀態(tài)，如圖20 (c)所示。 之后，將封裝樹脂96填充到槽55內(nèi)。既可以利用灌注進(jìn)行 填充，也可以利用注塑成型進(jìn)行填充。此時(shí)，因?yàn)橛杀Ｗo(hù)薄片92a、 92b蓋住了透明部件94的整個(gè)上表面和擋壩80'的上表面，所以 透明部件94的上表面和擋壩80'的上表面一定不會(huì)被封裝樹脂 96覆蓋住，而是露出來。圖20 (d)表示的是封裝樹脂96已填充 好且已固化的狀態(tài)。
接下來，用切片鋸40從相鄰的兩個(gè)槽55、 55之間擋壩80' 的中央部位進(jìn)行切割，將擋壩80' —分為二。這樣切開后的狀態(tài) 是圖20 (e)所示的狀態(tài)。側(cè)壁部分所在的平面齊平。 之后，從透明部件94和擋壩80'上將保護(hù)薄片92a、 92b揭 下來，則成為圖20 (f)所示的狀態(tài)。進(jìn)一步垂直于槽55的延伸 方向?qū)⑾噜彽膬蓚€(gè)半導(dǎo)體元件10之間切斷。于是， 一個(gè)一個(gè)的半 導(dǎo)體裝置7就制造出來了 。這里，因?yàn)榉庋b樹脂96在固化時(shí)收縮， 所以封裝樹脂96的上表面位于比透明部件94的上表面以及擋壩 80的上表面之下幾微米處。 該參考方式中的半導(dǎo)體裝置7與第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝 置1一樣，會(huì)制作得比現(xiàn)有技術(shù)下的半導(dǎo)體裝置更小。 亦可改變透明部件94，制成在圖21 (a)、圖21 (b)所示的 上表面的外緣部具有臺(tái)階的半導(dǎo)體裝置17、 17'。圖21 (a)所示 的透明部件94a在它的上表面部分設(shè)置有臺(tái)階。該透明部件94a 包括上表面部98和臺(tái)階面部99，該上表面部98設(shè)置在所述上表 面部分的中央部位且與半導(dǎo)體元件10的光學(xué)功能面的形狀、大小 相對應(yīng)；該臺(tái)階面部99比上表面部98低一些。封裝樹脂96覆蓋到臺(tái)階面部99的上表面，但封裝樹脂96沒有載入上表面部98。 這樣一設(shè)置臺(tái)階面部99，就一定能夠抑制封裝樹脂96載入上表 面部98。因此，所需要的光一定能夠到達(dá)半導(dǎo)體元件10的光學(xué) 功能面；從光學(xué)功能面發(fā)出的光能夠亳無浪費(fèi)地射出。 如圖21 (b)所示，半導(dǎo)體裝置17'中，臺(tái)階面部99、上表 面部98雙方皆不被封裝樹脂96覆蓋也無妨。 (第二參考方式)
只有從第一參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置7中取走了擋壩80 這一點(diǎn)，是第二參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第一參考方式的 不同之處，其它各方面都相同。因此，下面儀對與第一參考方式 不同的地方進(jìn)4亍說明。 在制作出第一參考方式中的半導(dǎo)體裝置7之后，或者在制作 第一參考方式中的半導(dǎo)體裝置7的中途取走擋壩80，即制作出該 參考方式中的半導(dǎo)體裝置7'，如圖22所示。因此，該參考方式 中的半導(dǎo)體裝置7'，具有從第一參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置7 中取走擋壩80后的構(gòu)造、構(gòu)成和形狀。與第二實(shí)施方式中的半導(dǎo) 體裝置2 —樣，存在于第一突起部70的外緣附近的封裝樹脂96 的終端部留下了曾經(jīng)被擋壩80擋住過的痕跡。 該實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置7'，除了產(chǎn)生第一參考方式的效 果以外，還產(chǎn)生以下效果。即，在將半導(dǎo)體裝置7'安裝到拾光 模塊上時(shí)，中途不會(huì)受阻，安裝作業(yè)能夠很順利地進(jìn)行下去。 (第三參考方式)
第三參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置，是在第一參考方式所涉 及的半導(dǎo)體裝置7中增加了第二突起部而構(gòu)成的。其它各方面都 與第一參考方式相同；封裝體與第三實(shí)施方式相同。下面，以與 第一參考方式、第三實(shí)施方式不同之處為中心對第三參考方式進(jìn) 行說明。有時(shí)省略對與第一參考方式、第三實(shí)施方式相同之處做 說明。
該實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置8示于圖23 (a)、圖23 (b)
33以及圖24 (a)到圖24 (c)中。需提一下，為便于說明，在圖 24 (a)中省略圖示封裝樹脂96。在該實(shí)施方式中，封裝體51、 半導(dǎo)體元件IO、擋壩80、 80、第一突起部70、 70以及金屬細(xì)線 22都與第三實(shí)施方式一樣，連接電極75與外部連接部77的連接 結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體元件10與連接電極75的連接結(jié)構(gòu)也與第三實(shí)施 方式一樣。 在第一參考方式的半導(dǎo)體裝置7中，在封裝樹脂96裸露出來 的側(cè)面上設(shè)置第二突起部71、 71，將側(cè)面的封裝樹脂96遮擋起 來后，即構(gòu)成該參考方式中的半導(dǎo)體裝置8。 該參考方式中的半導(dǎo)體裝置8，能夠產(chǎn)生與第一參考方式的 半導(dǎo)體裝置7—樣的效果。 (第四參考方式)
從第三參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置8中取走了擋壩別這一 點(diǎn)，是第四參考方式所涉及的半導(dǎo)體裝置與第三參考方式的不同 之處，其它各方面都相同。因此，下面僅對與第三參考方式不同 的J4方進(jìn)^亍i兌明。 在制作出第三參考方式中的半導(dǎo)體裝置8之后，或者在制作 第三參考方式中的半導(dǎo)體裝置8的中途取走擋壩80，即制作出第 四參考方式中的半導(dǎo)體裝置8'，如圖25所示。因此，該參考方 式中的半導(dǎo)體裝置8'，具有從第三參考方式中的半導(dǎo)體裝置8中 取走擋壩80后的構(gòu)造、構(gòu)成和形狀。與第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體 裝置2 —樣，存在于第一突起部70的外緣附近的封裝樹脂96的 終端部留有曾經(jīng)被擋壩80擋住過的痕跡。 該參考方式中的半導(dǎo)體裝置8',除了產(chǎn)生第三參考方式的效 果以外，還產(chǎn)生以下效果。即，在將半導(dǎo)體裝置8'安裝到拾光 模塊上時(shí)，中途不會(huì)受阻，安裝作業(yè)能夠很順利地進(jìn)行下去。 (其它實(shí)施方式)
到此敘述的實(shí)施方式是本發(fā)明的示例，但本發(fā)明并不限于以 上這些例子。
外部連接部設(shè)置在基板部的非裝載面以外的部分上也無妨。 例如，既可以在突起部的外側(cè)側(cè)壁上設(shè)置外部連接部，也可以從 非裝載面到突起部的外側(cè)側(cè)壁連續(xù)地設(shè)置外部連接部。連接外部 連接部與連接電極的布線也不限于設(shè)置在突起部內(nèi)的貫穿電極， 沿著突起部的側(cè)壁設(shè)置連接外部連接部與連接電極的布線也無 妨。 既可以用固體攝像元件以外的光敏耦合器等受光元件作半導(dǎo) 體元件，也可以用LED、激光元件等發(fā)光元件作半導(dǎo)體元件，還 可以用光學(xué)元件以外的半導(dǎo)體元件作半導(dǎo)體元件，光學(xué)元件以外 的半導(dǎo)體元件例如有表面聲波(SAW)元件、振子、壓力傳感器、 加速度傳感器、聲傳感器等。此時(shí)，蓋體無需透明。甚至是利用 微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)制造的元件也可以作半導(dǎo)體元件用。 在制造第一、第二實(shí)施方式那樣的沒有第二突起部的半導(dǎo)體 裝置的情況下，使用圖10、圖11所示的格子狀部件和基板制作 封裝體集合基板也無妨。在該情況下，切割分離各個(gè)半導(dǎo)體裝置 時(shí)，對切割位置進(jìn)^f亍調(diào)整，不用留出第二突起部部分。 —產(chǎn)業(yè)實(shí)用性一
綜上所述，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化， 作為拾光模塊的光檢測器等很有用。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體元件和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝體，其特征在于所述封裝體具有基板部和第一突起部，所述基板部實(shí)質(zhì)上是矩形，且包括裝載所述半導(dǎo)體元件的裝載面，所述第一突起部僅沿著所述裝載面的一對相向的外緣延伸，且所述第一突起部各自位于所述一對相向的外緣中的一個(gè)外緣上，在各個(gè)所述第一突起部上表面設(shè)置有沿著所述第一突起部上表面的外緣延伸的擋壩，同時(shí)，覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在比所述擋壩離所述半導(dǎo)體元件近的位置上，且與所述擋壩之間留有間隙，所述第一突起部與所述蓋體由粘接劑粘接在一起，同時(shí)所述粘接劑存在于所述擋壩和所述蓋體之間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述粘接劑也附著在所述蓋體的與所述擋壩相向的側(cè)面上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 沿著設(shè)置有所述第一突起部的所述裝載面外緣延伸的所述第一突起部的側(cè)壁、和沿著所述第 一 突起部上表面的外緣延伸的所述擋壩的外側(cè) 側(cè)壁齊平。
4、 一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體元件和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝 體，其特征在于所迷封裝體具有基板部、第一突起部以及第二突起部，所述基板部 實(shí)質(zhì)上是矩形，且包括裝載所述半導(dǎo)體元件的裝載面，所述第一突起部 沿著所述裝載面的一對相向的外緣延伸，且各自位于所述一對相向的外 緣中的一個(gè)外緣上，所迷第二突起部沿著與所迷裝載面不同的另一對相 向的外緣延伸，且所述第二突起部各自位于所述另 一對相向的外緣中的 一個(gè)外緣上，在各個(gè)所述第一突起部上表面設(shè)置有沿著所述第一突起部上表面的外緣延伸的擋壩，同時(shí)，覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放 置在比所述擋壩離所述半導(dǎo)體元件近的位置上，且與所述擋壩之間留有 間隙，所述第 一 突起部與所述蓋體由粘接劑粘接在 一起，同時(shí)所述粘接劑 存在于所述擋壩和所述蓋體之間，所述第二突起部的與所述另一對相向的外緣正交的方向上的寬度比 所述第 一 突起部的與所述一對相向的外緣正交的方向上的寬度小。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述粘接劑也附著在所述蓋體與所述擋壩相向的側(cè)面上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 沿著設(shè)置有所迷第一突起部的所述裝載面外緣延伸的所述第一突起部的側(cè)壁、和沿著所述第 一 突起部上表面的外緣延伸的所述擋壩的外側(cè) 側(cè)壁齊平。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4到6中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特 征在于所迷第二突起部與所述蓋體由所述粘接劑粘接在一起。
8、 一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體元件和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝 體，其特征在于所述封裝體具有基板部和第一突起部，所述基板部實(shí)質(zhì)上是矩形， 且包括裝載所迷半導(dǎo)體元件的裝載面，所述突起部沿著所述裝載面的一 對相向的外緣延伸，且所述第 一 突起部各自位于所述一對相向的外緣中 的一個(gè)外緣上，覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在各個(gè)所述第一突 起部上表面，所述第一突起部與所述蓋體由粘接劑粘接在一起，在存在于所迷第 一突起部上的所述蓋體的側(cè)面由所述粘接劑形成填角，在所述填角的與 所述蓋體相反的 一側(cè)的終端部留有被阻擋過的痕跡。
9、 一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體元件和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝 體，其特征在于所述封裝體具有基板部、第一突起部以及第二突起部，所述基板部 實(shí)質(zhì)上是矩形，且包括裝載所述半導(dǎo)體元件的裝載面，所述第一突起部 沿著所述裝載面的一對相向的外緣延伸，且各自位于所述一對相向的外 緣中的一個(gè)外緣上，所述第二突起部沿著與所述裝載面不同的另一對相 向的外緣延伸，且所迷第二突起部各自位于所述另 一對相向的外緣中的 一個(gè)外緣上，覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在各個(gè)所述第一突 起部上表面，所述第一突起部與所述蓋體由粘接劑粘接在一起，在存在于所述第 一突起部上的所述蓋體的側(cè)面由所述粘接劑形成填角，在所述填角的與 所述蓋體相反的 一側(cè)的終端部留有被阻擋過的痕跡，所述第二突起部的與所述另一對相向的外緣正交的方向上的寬度比 所述第一突起部的與所述一對相向的外緣正交的方向上的寬度小。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所迷的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述第二突起部和所述蓋體由所述粘接劑粘接在一起。
11、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體元件 和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝體，其特征在于所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備封裝體集合基板的步驟，所述封裝體集合基板具有相亙平行的 多個(gè)槽，擋壩在所述槽的側(cè)壁上表面的中央部分沿著所述槽延伸，裝載步驟，在多個(gè)所述槽的各個(gè)槽中沿著槽的延伸方向裝載多個(gè)半 導(dǎo)體元件，涂敷步驟，在所述槽的側(cè)壁上表面且所述擋壩與槽之間的部分沿著 所述槽連續(xù)地涂敷粘接劑，放置步驟X,將覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在所 述所述粘接劑上，固化步驟，使所述粘接劑固化，以及分離步驟Y，沿著所述槽將相鄰的兩個(gè)所述槽的中央部分切斷，將封 裝體集合基板分開。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 在所述步驟Y中，也將所述擋壩的一部分切斷。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征 在于在所述步驟X中，所述粘接劑附著在所述蓋體的側(cè)面形成填角。
14、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體元件 和裝載所述半導(dǎo)體元件的封裝體，其特征在于所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備封裝體集合基板的步驟，在所述封裝體集合基板中，多個(gè)凹部 以多個(gè)行與列的形狀排列，在所述凹部的相鄰行之間的中央部位擋壩沿 著所述行延伸，裝載步驟，將多個(gè)半導(dǎo)體元件裝載在多個(gè)所迷凹部中的每個(gè)凹部中，涂敷步驟，在所述凹部的行間且所述擋壩的兩側(cè)部分沿著所述擋壩 連續(xù)地涂敷粘接劑，放置步驟X，將覆蓋所述半導(dǎo)體元件的上方的蓋體的外緣部放置在所 述所述粘接劑上，固化步驟，使所述粘接劑固化，以及分離步驟Z，沿著所述行將相鄰兩個(gè)所述凹部的行間的中央部位切 斷，將所述封裝體集合基板分開。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于 相鄰的所述凹部的列間的寬度在相鄰的所述凹坑的行間的寬度以下。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征 在于在所述步驟Z中，也將擋壩的一部分切斷。
17、 根據(jù)權(quán)利要求11到16中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置的 制造方法，其特征在于在所述步驟X中，所述粘接劑附著在所述蓋體的側(cè)面形成填角。
18、 根據(jù)權(quán)利要求11到17中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于進(jìn)一步包括在使所述粘接劑固化的步驟后除去所述擋壩的步驟。
19、 一種拾光模塊，包括權(quán)利要求l到10中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的 半導(dǎo)體裝置、激光模塊以及分光鏡，其特征在于所述蓋體由透明材料制成，裝載在所述半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件是受光元件。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的拾光模塊，其特征在于 進(jìn)一 步包括反射鏡和物鏡。
21、 根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的拾光模塊，其特征在于 所述拾光模塊放置在光盤的信息記錄面的下側(cè)，所述突起部的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上與所述信息記錄面垂直。
22、 根據(jù)權(quán)利要求19到21中任一項(xiàng)權(quán)利要求所迷的拾光模塊，其 特征在于所迷激光模塊包括藍(lán)紫色激光裝置和雙波長激光裝置，從所述藍(lán)紫 色激光裝置射出的光的峰值波長在385薩以上且425nm以下，從所述雙 波長激光裝置射出的光的峰值波長在630nm以上且670nm以下和760nm 以上且800nra以下。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、拾光模塊。半導(dǎo)體裝置(1)將半導(dǎo)體元件(10)裝載在近似矩形的封裝體(50)中。所設(shè)置的第一突起部(70、70)在裝載面(62)的一對相向的外緣上朝著上方突出，蓋體(90)的外緣用粘接劑(85)固定在第一突起部上表面(70b)上。擋壩(80)設(shè)置在第一突起部上表面(70b)的外緣上，粘接劑(85)從蓋體(90)的側(cè)面連續(xù)地存在到擋壩(80)。因此，本發(fā)明提供了一種整體大小能夠小型化，特別是封裝體的近似矩形的四條邊中相向的一對邊的長度能夠很小的半導(dǎo)體裝置。
文檔編號(hào)H01L23/02GK101647115SQ20088000339
公開日2010年2月10日 申請日期2008年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者南尾匡紀(jì), 古屋敷純也, 吉川則之, 宇辰博喜, 森部省三, 石田裕之, 福田敏行 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社