專利名稱：：具有高效率和優(yōu)異壽命的oled的制作方法具有高效率和優(yōu)異壽命的OLED發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及高效長(zhǎng)壽命的發(fā)綠光器件。
背景技術(shù)：
：雖然有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件已被人們知道二十多年的時(shí)間了，但它們的性能局限性阻礙了許多期望的應(yīng)用。最簡(jiǎn)單形式的有機(jī)EL器件包括用于空穴注入的陽(yáng)極、用于電子注入的陰極和夾在這些電極之間以支持電荷復(fù)合而發(fā)光的有機(jī)介質(zhì)。這些器件也被普遍稱為有機(jī)發(fā)光二極管或OLED。早期有機(jī)EL器件的代表是1965年3月9日頒發(fā)的Gurnee等的美國(guó)專利號(hào)3,172,862;1965年3月9日頒發(fā)的Gurnee的美國(guó)專利號(hào)3,173,050;Dresner,"DoubleInjectionElectroluminescenceinAnthracene",RCAReview,Vol.30,pp.322-334,1969;和1973年1月9日頒發(fā)的Dresner的美國(guó)專利號(hào)3,710,167。這些器件中的通常包含多環(huán)芳烴的有機(jī)層非常厚(大大高于lpm)。因此，工作電壓非常高，通?！?00V。pm)構(gòu)成的有機(jī)EL元件。在本文中，術(shù)語(yǔ)"有機(jī)EL元件"包括陽(yáng)極與陰極電極之間的層。減小厚度降低有機(jī)層的電阻并且使得器件能夠在低得多的電壓下工作。在US4,356,429中首次描述的基本的兩層EL器件結(jié)構(gòu)中，與陽(yáng)極相鄰的EL元件的一個(gè)有機(jī)層經(jīng)特別選擇用來(lái)傳輸空穴，因此^L稱為空穴傳輸層，并且另一個(gè)有機(jī)層經(jīng)特別選擇用來(lái)傳輸電子，稱為電子傳輸層。在有機(jī)EL元件內(nèi)注入的空穴和電子的復(fù)合產(chǎn)生了有效的電致發(fā)光。還提出了例如由Tang等[J.AppliedPhysics,65巻,3610-3616頁(yè)，1989]披露的三層有機(jī)EL器件，該器件含有在空穴傳輸層與電子傳輸層之間的有機(jī)發(fā)光層(LEL)。另外，在一些優(yōu)選的器件結(jié)構(gòu)中，LEL由摻雜的有機(jī)膜構(gòu)造，該有機(jī)膜包含有機(jī)材料作為主體和低濃度的熒光性化合物作為摻雜劑。通過(guò)選擇合適的摻雜劑-主體組合物已經(jīng)在這些摻雜的OLED器件中達(dá)到了EL效率、色度和壽命的改進(jìn)。摻雜劑(是主導(dǎo)發(fā)射中心)經(jīng)選擇產(chǎn)生合乎需要的EL顏色。存在綠色摻雜劑的已知實(shí)例。發(fā)射綠光的香豆素衍生物已經(jīng)由Chen等在US6,020,078中，Inoe等在JP3142378中和Tang等在US4,769,292中進(jìn)行了報(bào)道。雖然香豆素衍生物已經(jīng)顯示提供具有高EL效率的OLED器件，但是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)缺乏長(zhǎng)的器件使用壽命。發(fā)綠光喹吖啶酮衍生物已經(jīng)由Shi等在US5,593,788中和Tamano等在JP3509383中進(jìn)行了報(bào)道。雖然已經(jīng)顯示喹吖啶酮衍生物提供長(zhǎng)的使用壽命，但是這些衍生物的使用導(dǎo)致較低的器件效率。氨基蒽衍生物已經(jīng)證明可用于OLED。Enokida等在US6251531中和發(fā)光材料的;些9,10取代的氨基蒽，然而，這些類型的材料一般顯示具有差的壽命，低的效率或它們?cè)诳梢姽庾V的黃綠至黃色區(qū)域中發(fā)光，意味著CIEx坐標(biāo)大于0.30。Ichinosawa等在JP2003/146951和JP2004/091334中描述了可用作EL器件的空穴輸送材料的在2,6位有苯二胺基取代的蒽材料，并且提供了它們?cè)谂cLEL相鄰的層中寸吏用的實(shí)例。Toshio等在JP1995/109449中提供了叔胺基取代的蒽型材料和它們?cè)跊]有引入到LEL主體材料中的情況下用作發(fā)光材料的實(shí)例。眾所周知，具有單一組分的LEL—般具有低效率和短壽命。Hosokawa及其合作者在US2003/0072966、US2005/0038296、US6951693中和Ikeda等在JP2003/313156中也描述了用于OLED器件的某些叔氨基-蒽化合物。然而，報(bào)道的發(fā)光效率低并且器件壽命差。然而，盡管有發(fā)綠光材料的研究中的這些進(jìn)展，但是仍需要綠光OLED器件，它們結(jié)合高發(fā)光效率與長(zhǎng)操作壽命，同時(shí)維持優(yōu)異的色純度。發(fā)明概述本發(fā)明的目的是制造具有高發(fā)光效率、優(yōu)異操作壽命以及優(yōu)異色純度的OLED器件。這些目的由一種OLED器件達(dá)到，該OLED器件包括陰極、陽(yáng)極和在它們之間的發(fā)光層，其中該發(fā)光層包含(a)2-芳基蒽化合物和(b)在最少兩個(gè)位置具有氨基取代的發(fā)光第二蒽化合物，其中至少一個(gè)胺操作在2位。本發(fā)明的有利效果本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是可以獲得具有長(zhǎng)操作壽命和優(yōu)異發(fā)光效率的OLED器件。本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它提供具有優(yōu)異綠色色純度的OLED器件。本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它提供適合于顯示器應(yīng)用的OLED器件。附圖簡(jiǎn)述圖l示出了本發(fā)明OLED器件的截面圖。發(fā)明詳述一般性的器件體系結(jié)構(gòu)本發(fā)明可用于使用小分子材料、低聚材料、聚合材料或其組合的許多OLED器件構(gòu)造中。這些包括非常簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)(包括單個(gè)陽(yáng)極和陰極)到更復(fù)雜的器件，例如包括陽(yáng)極和陰極的正交陣列以形成象素的無(wú)源式矩陣顯示器，和其中每一象素例如用薄膜晶體管(TFT)獨(dú)立控制的有源矩陣顯示器。存在許多其中可以成功實(shí)施本發(fā)明的有機(jī)層的構(gòu)造。OLED的基本要求是陽(yáng)極、陰極和位于陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。正如下文中更完整描述的那樣，可以使用附加層。尤其可用于小分子器件的典型結(jié)構(gòu)示于附圖中，并且包括襯底101、陽(yáng)才及103、空穴注入層105、空穴傳輸層107、發(fā)光層109、電子傳輸層110、電子注入層lll、任選的第二電子注入層112和陰極113。這些層在下面詳細(xì)描述。注意4于底可以與陰才及相鄰，或4于底可以實(shí)際上構(gòu)成陽(yáng)才及或陰極。陽(yáng)極與陰極之間的有機(jī)層適宜地稱為有機(jī)EL元件。此外，有機(jī)層的總厚度理想地小于500nm。OLED的陽(yáng)極和陰極通過(guò)導(dǎo)電體160與電壓/電流源150相連。通過(guò)將使OLED工作。將空穴從陽(yáng)極注入有機(jī)EL元件并且在陰極處將電子注入有機(jī)EL元件。當(dāng)OLED以AC模式工作時(shí)，有時(shí)可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的器件穩(wěn)定性，其中在AC循環(huán)的一定時(shí)間期間，電勢(shì)偏差反轉(zhuǎn)，并且沒有電流流動(dòng)。AC驅(qū)動(dòng)的OLED的實(shí)例描述于US5,552,678中。襯底本發(fā)明的OLED器件通常提供在支持襯底101上，其中陰極或陽(yáng)極可21與襯底接觸。襯底可以是包括多個(gè)材料層的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。對(duì)于其中TFT提供在OLED層下方的有源矩陣襯底而言，通常是這種情形。仍然需要襯底至少在發(fā)光的象素化區(qū)域中由基本上透明的材料組成。與襯底接觸的電極適宜地稱為底電極。常規(guī)上，該底電極是陽(yáng)極，但本發(fā)明并不限于該構(gòu)造。襯底可以是光透射的或者不透明的，這取決于想要的光發(fā)射方向。為了通過(guò)襯底觀察EL發(fā)光，光透射性能是所希望的。在這類情形中普遍使用透明的玻璃或塑料。對(duì)于其中通過(guò)頂電極觀察EL發(fā)光的應(yīng)用而言，底部支持的透射特性可以是透光的、吸收光的或者反射光的。用于該情形的襯底包括，但不限于，玻璃、塑料、金屬、半導(dǎo)體材料、硅、陶資和電路板材料。在這些器件構(gòu)造中必須提供透光頂電極。陽(yáng)極本發(fā)明的OLED器件通常提供在支持襯底上，其中陰極或陽(yáng)極可與襯底接觸。與襯底接觸的電極適宜地稱為底電極。常規(guī)上，該底電極是陽(yáng)極，但本發(fā)明并不限于該構(gòu)造。導(dǎo)電性陽(yáng)才及層103形成在襯底上并且當(dāng)通過(guò)陽(yáng)相J見察EL發(fā)光時(shí)，應(yīng)該對(duì)所考慮的發(fā)光透明或者基本上透明。用于本發(fā)明的常用透明陽(yáng)極材料是氧化銦-錫和氧化錫，但其它的金屬氧化物可以工作，包括但不限于，鋁-或銦-摻雜的氧化鋅、氧化鎂-銦和氧化鎳-鴒。除了這些氧化物之外，可以使用金屬氮化物例如氮化鎵和金屬硒化物例如硒化鋅以及金屬硫化物例如硫化鋅。對(duì)于其中經(jīng)過(guò)頂電極(陰極)觀察EL發(fā)光的應(yīng)用而言，陽(yáng)極的透射性能是無(wú)關(guān)緊要的并且可以使用任何透明、不透明或反射性的導(dǎo)電材料。用于該應(yīng)用的導(dǎo)體的例子包括，但不限于，金、銥、鉬、鈀和4自。典型的透射或其它類型的陽(yáng)極材料具有4.1eV或更大的功函。所需的陽(yáng)極材料普遍通過(guò)任何合適的方式例如蒸鍍、賊鍍、化學(xué)蒸氣沉積或電化學(xué)方式而沉積。可以采用公知的光刻方法使這些陽(yáng)極構(gòu)圖。任選地，可以在施加其它層之前將陽(yáng)極拋光以降低表面粗4造度以減少短路或者提高反射率。通常用水基清潔劑清洗陽(yáng)極表面并使用商業(yè)玻璃洗滌器工具干燥。隨后通常用氧化等離子或UV/臭氧處理以進(jìn)一步清洗和調(diào)理該陽(yáng)極表面并調(diào)節(jié)它的功函。空穴注入層(HIL)雖然未必總是必要的，但是在陽(yáng)極103和空穴傳輸層107之間提供空穴注入、層105通常是有用的。空穴注入層可以由單一有機(jī)或無(wú)機(jī)材料或它們的混合物形成?？昭ㄗ⑷雽涌梢苑殖扇舾蓪樱恳粚佑上嗤虿煌牟牧辖M成。空穴注入材料可以起到改進(jìn)隨后的有機(jī)層的成膜性能和有助于將空穴注入空穴傳輸層的作用。用于空穴注入層的合適材料包括，但不限于，描述于US4,720，432中的卟啉和酞菁化合物，膦。秦化合物，和某些芳胺化合物，它們與常規(guī)HTL材料，例如N,N,N,N-四芳基聯(lián)苯胺化合物相比是更強(qiáng)的電子供體。例如，可用于第一HTL的材料可以讓它們的E。x受以下結(jié)構(gòu)部分之一支配對(duì)苯二胺，例如EPO891121A1和EP1,029,909Al中描述的那些或其它二-和三氨基苯，二氫吩漆，2,6-二氨基萘及其它多氨化(二-、三-、四-等氨基)萘和它們的混合物，2,6-二氨基蒽、9,10-二氨基蒽及其它多氨化蒽，2,6,9,10-四氨基蒽，苯胺基乙烯，N,N,N,N-四芳基耳關(guān)苯胺，單或多氨化l和它們的混合物，單或多氨化蓋和它們的混合物，多氨化芘和它們的混合物，單或多氨化熒蒽和它們的混合物，單或多氨化葸和它們的混合物，單或多氨化蒽嵌蒽和它們的混合物，單或多氨化苯并菲和它們的混合物，單或多氨化并四苯和它們的混合物，示例性的胺化合物中的一些是三(對(duì)氨基苯基)胺(CAS5981-09-9),4,4',4"隱三(N,N-二苯基氨基)-三苯胺(CAS105389-36-4);4,4',4"-三[(3-曱基苯基)苯基氨基]三苯胺(mTDATA),4,4',4"-三(N-(2畫萘基)-N-苯基氨基)-三苯胺(CAS185690-41-9);4,4',4"-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)-三苯胺(CAS18569039-5);N，N,N',N'-四(4-二丁基氨基苯基)-對(duì)苯二胺(CAS4182-80-3);23三[(4-二乙基氨基)苯基]胺(CAS47743-70-4);4,4'-雙[二(3,5-二曱苯基)氨基]-4"-苯基三苯基胺(CAS249609-49-2);5,10-二氫-5,10-二甲基-吩嗪；9,14-二氫-9,14-二甲基-二苯并[a,c]吩嗪；9,14-二氫-9,14-二甲基-菲并[4,5-abc]吩嗪；6,13-二甲基二苯并[b,i]吩嗪；5,10-二氫-5,10-二苯基吩嗪；四(N,N-二苯基-4-氨基苯基)乙烯；四[對(duì)-(二甲基氨基)苯基]乙烯；N,N,N',N'-四-2-萘基-6,12-蒽二胺；N-[2-(二苯基氨基)-6-萘基]^-3-1基-^['，-二苯基-2,6-萘二胺；N,N,N',N-四([1,1'-聯(lián)苯]-4-基)-2,6-萘二胺；N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-二苯并[(16￡,111110]蒽-6,12-二胺；N,N,N',N'-四苯基-9，10-l"-2,6-二胺；N,N,N',N',N",N",N"',N'"-八苯基-蒽-2,6,9,10-四胺；N，N,N',N'-四(4-曱氧基苯基)-聯(lián)苯胺；N,N,N',N'-四苯基-二萘嵌苯-3,9-二胺；N,N,N',N',N",N",N"',N'"畫八苯基-寬-1,4,7,1O陽(yáng)四胺；N,N,N',N',N",N",N"',N"'-八苯基-芘畫l,3,6,8-四胺；N,N,N',N'-四(3-曱基苯基)-3,9-熒蒽二胺；10,10'-(3,9-熒蒽二基)雙-10H-吩哺溱；N,N,N',N',N",N"-六苯基-2,6,1l-苯并菲三胺；N,N,N',N',N",N",N'",N"',N"",N川',N關(guān),N畫-十二苯基-2,3,6,7,10,11-苯并菲六胺；N,N,N',N'-四苯基-5,ll-并四苯二胺；或N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-5,12-并四苯二胺。在另一個(gè)有用的實(shí)施方案中，HIL包括結(jié)合了對(duì)苯二胺、二氫吩嗪、2,6-二氨基萘、2,6-二氨基蒽、2,6,9,10-四氨基蒽、苯胺基乙烯、N,N,N,N-四芳基聯(lián)苯胺、單或多氨化l、單或多氨化M、多氨化芘、單或多氨化熒蒽、單或多氨化葸、單或多氨化并四苯結(jié)構(gòu)部分的化合物，而第二材料包括含N,N,N,N-四芳基聯(lián)苯胺或N-芳基?？ㄟ蚪Y(jié)構(gòu)部分的胺化合物。24HIL可以包括無(wú)機(jī)化合物，例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬離子和有機(jī)配體的配合物和過(guò)渡金屬離子和有才幾配體的配合物。雖然不是必要的，HIL還可以包括兩種組分例如，上述有機(jī)材泮十之一，例如用強(qiáng)氧化劑摻雜的胺化合物，例如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]會(huì)喔啉六腈、F4TCNQ或FeClg。用于HIL的適合的材料還可以包括美國(guó)專利6,208,075中所述的等離子沉積的氟烴聚合物(CFx)、強(qiáng)氧化劑例如美國(guó)專利6,720,573B2和美國(guó)公開申請(qǐng)2004/113547Al中所述的二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉六腈或另一種強(qiáng)氧化劑，它可以是有機(jī)的，例如F4TCNQ或無(wú)機(jī)的，例如氧化鉬、FeCl3或FeFg?？昭▊鬏攲?HTL)有機(jī)EL器件的空穴傳輸層107含有至少一種空穴傳輸化合物，例如芳族叔胺，其中后者理解為是含至少一個(gè)僅與碳原子鍵接的三價(jià)氮原子的化合物，它們中至少一個(gè)是芳族環(huán)的成員?？昭▊鬏攲涌梢杂蓡我挥袡C(jī)或無(wú)機(jī)材料或它們的混合物形成。空穴傳輸層可以分成若干層，每一層由相同或不同的材料組成。用于HTL的適合的材料包括但不限于，胺化合物，即具有胺結(jié)構(gòu)部分的結(jié)構(gòu)。示例性單體三芳基胺由Klupfel等的美國(guó)專利3,180,730進(jìn)行了舉例說(shuō)明。取代有一個(gè)或多個(gè)乙烯基和/或包含至少一個(gè)含活性氫的基團(tuán)的其它適合的三芳基胺由Brantley等的美國(guó)專利3,567,450和美國(guó)專利3,658,520進(jìn)行了公開。一類更優(yōu)選的芳族叔胺是美國(guó)專利4,720，432和5,061,569中所述的包括至少兩個(gè)芳族叔胺結(jié)構(gòu)部分的那些?；騈~R8—R4-其中取代基R4和Rs各自單獨(dú)地是含5-30個(gè)碳原子的芳基，或取代的芳基，含至少一個(gè)氮原子或至少一個(gè)氧原子或至少一個(gè)辟u原子或至少一個(gè)硼原子或至少一個(gè)磷原子或至少一個(gè)硅原子或它們的任何組合的雜環(huán)；取代基R4和Rs各自單獨(dú)地或一起(作為表示為"R8—R4"的一個(gè)單元)表示芳基例如苯、萘、蒽、并四苯、芘、、蕭、phenathrene、苯并菲、四苯、蓋、熒蒽、二苯并菲、卵苯、二萘品并苯、蒽嵌蒽和它們的同系物以及它們的l,2-苯并、1,2-萘并、2,3-萘并、1,8-萘并、1,2-蒽并、2，3-蒽并、2,2'誦BP、4,5腸PhAn、1,12-TriP、1，12-Per、9,10-PhAn、1,9墨An、1,10-PhAn、2,3國(guó)PhAn、1,2-PhAn、1,10-Pyr、1,2-Pyr、2,3-Per、3,4-FlAn、2,3曙FlAn、1,2-FlAn、3,4-Per、7,8國(guó)FlAn、8,9誦FlAn、2,3-TriP、1,2-TriP、2，2，-BP，4,5-PhAn,1，12-TriP,1,12-Per,9,10-PhAn,1，9-An，1,10-PhAn，2,3-PhAn,1,2-PhAn，1，10-Pyr,1,2墨Pyr，2，3-Per，3，4-FlAn,2,3-FlAn,1，2-FlAn，3,4-Per,7，8-FlAn，8,9-FlAn,2,3-TriP,1,2-TriP(其中不形成環(huán)的鍵表示聯(lián)結(jié)點(diǎn))、或乙酰(ace)或茚并取代的衍生物；和取代基R,至R9排除R4和Rs各自單獨(dú)地是氫、甲硅烷基、含l-24個(gè)碳原26子的烷基、取代的烷基、含5-30個(gè)碳原子的芳基、取代的芳基、氟或氯、含至少一個(gè)氮原子或至少一個(gè)氧原子或至少一個(gè)硫原子或至少一個(gè)硼原子或至少一個(gè)磷原子或至少一個(gè)硅原子或它們的任何組合的雜環(huán)。有用的胺化合物的示例和它們的簡(jiǎn)名是上面對(duì)HIL列出的及以下的那些N,N'-雙(l-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPB);N,N'-雙(l-萘基)-N,N'-雙(2-萘基)聯(lián)苯胺(TNB);N,N'-雙(3-曱基苯基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(TPD);N,N'-雙(N",N"-二苯基氨基萘-5-基)-^[，-二苯基-1,5-二氨基萘(CAS503624-47-3);N,N'-雙(4-曱基苯胺)-^>^'-二苯基-1,4-苯二胺；N,N'-二苯基-N,N'-二(間-甲苯基)聯(lián)苯胺(CAS65181-78-4);N,N-二苯基聯(lián)苯胺(CAS531-91-9);N,N,N',N'隱四苯基聯(lián)苯胺(CAS15546-43-7);4國(guó)(2,2-二苯基乙烯-1-基)三苯胺(CAS89114-90-9);N-(聯(lián)苯基-4-基)-N-(間-甲苯基)苯胺(CAS154576-20-2);N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)聯(lián)苯胺(CAS161485-60-5);N,N'-雙(4-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺(CAS20441-06-9);N,N',N",N"'畫四(3-甲基苯基)-聯(lián)苯胺(CAS106614-54-4);N,N'陽(yáng)二(萘畫l-基)-N,N'畫二(4-曱基苯基)國(guó)聯(lián)苯胺(CAS214341-85-2);N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(3-曱基苯基)聯(lián)苯胺(CAS178924-17-9);N,N'-雙(4-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-1,4-苯二胺(CAS138171-14-9);1,1_雙(4-雙(4-曱基苯基)氨基苯基)-環(huán)己烷(CAS58473-78-2);N,N,N',N'-四(萘-2國(guó)基)聯(lián)苯胺(CAS141752-82-1);N,N'-雙(菲-9-基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(CAS141752-82-1);N,N'-雙(2-萘基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(CAS123847-85-8);4,4',4"-三(咕唑-9-基)三苯胺(CAS139092-78-7);N,NL雙(4-(2,2-二苯基乙烯-1-基)苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺(CAS218598-81-3);N,N'陽(yáng)雙(4-(2,2-二苯基乙烯-1-基)苯基)-N,N'-雙(4-甲基苯基)聯(lián)苯胺(CAS263746-29-8);27N,N'-雙(苯基)-N,N'-雙(4'-(N,N-雙(萘-l-基)氨基)聯(lián)苯-4-基)聯(lián)苯胺^N,N'-雙(苯基)-N,N'-雙(4'-(N,N-雙(苯基氨基)聯(lián)苯-4-基)聯(lián)苯胺(CAS167218-46-4);a-萘基苯基聯(lián)苯胺；1,l-雙[4-[N,N-二(對(duì)-曱苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(CAS58473-78-2);1.4-雙[2-[4-[N,N-二(對(duì)-甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(CAS55035-43-3);1,3,5-三(9H-?？ㄟ?9-基)苯(CAS148044-07-9);三(4-聯(lián)苯基)胺(CAS6543-20-0);1,1—雙(4-二-對(duì)-曱苯基氨基苯基)-4-環(huán)己基苯；4,4'-雙(二苯基氨基)四聯(lián)苯；雙(4-二甲基氨基-2-曱基苯基)苯基曱烷；4-(二-對(duì)-曱苯基氨基)-4'-[4-(二-對(duì)-曱苯基氨基)苯乙烯基rl;聚(N-乙烯基。卡唑)；4,4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]-對(duì)-三聯(lián)苯；4,4'-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯；4,4'-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯；4,4'-雙[>1-(l-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯；4,4'JX[N-(2-l基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯；2,6-雙(二-對(duì)-曱苯基氨基)萘；2,6-雙[二國(guó)(l陽(yáng)萘基)氨基]萘；2,6-xqN-(l-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘；N,N,N',N'-四(2-萘基)-4,4'-二氨基-對(duì)-三聯(lián)苯；4,4'-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯；2,6-雙[N,N-二(2-萘基)胺]氟；1.5-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]萘；7-苯基-7H-苯并[k,l]吖啶；2,3,6,7-四氫萘并[l,2,3-ij]喹嗪；2,3,5,6,7,11，12，14,15,16-十氫隱lH,10H-蒽[l,2,3畫ij:5,6,7畫r,j']二喹嗪；N,N,N',N'-四苯基苯并[x,y,z]蒽并四并苯-6,9-二胺；N,N'-二苯基苯并[x,y,z]蒽并四并苯-6,9-二胺；N,N'-二-l-蓋基-N,N'-二苯基-[l,l'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺；N,N',N"-三[4-[2,2-雙(4-曱基苯基)乙烯基]苯基]-N,N',N"-三(4-甲基苯基)-2,6、10-苯并菲三胺；4,4'-(6,12-蒽二基)雙[N,N陽(yáng)雙(4-曱基苯基)]苯胺；N,N,N',N'-四-2-萘基-6，12-蒽二胺；N,N'-雙[4-(l,l-二甲基乙基)苯基]-N,N'-二苯基-6,12-葸二胺；4,4'-(5,11-蒽二基二-2,1-乙烯二基)雙[N,N-二苯基苯胺];N-(7,10-二苯基-3-熒蒽基)-^[,7,10-三苯基-3-熒蒽胺；N,N'-雙[4-[2,2-雙(4-甲基苯基)乙烯基]苯基]-N,N'-雙(4-甲基苯基)-3,8-熒蒽二胺；8-(9H畫啼唑-9畫基)-N,N-二苯基-3-熒蒽胺；N,N-雙(4-甲基苯基)-2-芘胺；3陽(yáng)(l-芘基)國(guó)N,N-雙[3隱(l-芘基)苯基〗隱苯胺；N,N'畫[(9,9-二曱基-9H-芴-2,7-二基)二-4,l-亞苯基]雙[N-[4-(1,1-二曱基乙基)苯基]-l-芘胺；N,N-雙([1,1'-聯(lián)苯]-4-基)-6、12-雙(l,l-二甲基乙基)-3-:胺；N-[U'-聯(lián)苯]-3-基-N-3-l基-3-l"胺；N，N'-二-2-萘基-N,N'-二苯基-3,10-l二胺；N,N'-(1,4-萘二基-二-4,1-亞苯基)雙[N-苯基-3-l胺];N-[4-(二苯基氨基)苯基]-N-2-并四苯基-N',N'-二苯基-l,4-苯二胺；^1-并四苯基-:^'-1-萘基-^[4-(1-萘基苯基氨基)苯基]-^['-苯基-1,4-苯二胺；N-5-并四苯基-N'-l-萘基-N-[4-(1-萘基苯基-氨基)苯基]-N'-苯基-l,4-苯二胺；N,N'-二苯基-N,N'-二-1H-吡咯-2-基-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺；三[4-(吡咯-l-基)苯基]胺；4,4'-[(l-乙基-lH-吡咯-2,5-二基)雙(4,1-亞苯基-2,1-乙烯二基)]雙[N,N-二苯基-苯胺];4-[2-(4-曱基苯基)-2-(1H-吡咯-2-基)乙烯基]-N,N-雙[4-[2-(4-甲基苯基)-2-(1H-吡咯-2-基)乙烯基]苯基]苯胺；N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-3,10-1二胺，N,N,N',N',N",N",N'",N'"-八(4陽(yáng)曱氧基苯基)-1,4,7,10畫1"四胺；29]^-1-萘基-^[4'-(三氟曱氧基)[1,l'-聯(lián)苯]-2-基]-3-l"胺；4,4'-(1,4-萘二基-二-2,1-乙烯二基)雙[N-(4-曱氧基苯基)-N-苯基-苯胺；N,N'-(氧基二-4,l-亞苯基)雙[N-曱基-3-1T胺];N-[4-(二苯基氨基)苯基]-N-(12-乙氧基-5-并四苯基)-N',N'-二苯基-l,4-苯二胺；N,N-雙(4-苯氧基苯基)-l-并四苯胺；2,2'-(1,4-亞苯基)雙[3-曱氧基-N-9-菲基-N-苯基-6-苯并呋喃胺；2,2'-(1,4-亞苯基)雙[]^-1-萘基-^苯基-3-(三氟曱基)-6-苯并呋喃胺；2,2'-(9,10-蒽二基)雙[N-(3-曱基苯基)-N-苯基-6-苯并呋喃胺；N,N'-二苯基-N,N'-雙[4誦(3-苯基-2-苯并呋喃基)苯基]誦[l,l'-聯(lián)苯]_4,4'-二胺；N,N'-雙[4'-[[8-[雙(2,4-二甲基苯基)氨基]-2-二苯并呋喃基](4-甲基苯基)氨基][l,l'-聯(lián)苯]-4-基]-N,N'-雙(4-甲基苯基)-2,8-二苯并呋喃二胺；2,2'-(1,4-亞苯基)雙[N,N-二苯基-6-苯并呋喃胺；^2-苯并呋喃基-:^'-[4-(2-苯并呋喃基苯基氨基)苯基]射-3-1基-^苯基_1,4-苯二胺；N,Nj_q4-(二曱基苯基甲硅烷基)苯基]-3-l胺；4-(三苯基甲硅烷基)-N,:NMq4-(三苯基曱硅烷基)苯基]-苯胺；4-(二曱基苯基甲硅烷基)-N,:NMq4-(二曱基苯基曱硅烷基)苯基]-苯胺；N,N-雙[4—(二甲基-2-萘基曱硅烷基)苯基]-4-乙氧基-苯胺；4,4'-(9,10-蒽二基)雙[]^,^雙[4-(曱基聯(lián)苯曱硅烷基)苯基]-苯胺；]^^雙[4'-[雙[4-(曱基二苯基曱硅烷基)苯基]氨基][1,1'-聯(lián)苯]-4-基]射，-雙[4-(甲基二苯基曱硅烷基)苯基]-[l,l'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺；N,N,N',N'-W[4-(二苯基膦基)苯基]-[l,l'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺；4,4'-(9,10-蒽二基)雙[N,N-雙[4-[雙(4-甲基苯基)-膦基]苯基]-苯胺；4,4'-(9,10-蒽二基)雙[]^,:^-雙[4-(二苯基氧膦基)苯基]-苯胺;或4,4'-(9,10-蒽二基)雙[]^,:^-雙[4-(二苯基膦基)苯基]-苯胺。30另一類有用的空穴傳輸材料包括EP1009041中描述的多環(huán)芳族化合物?？梢允褂脦в卸嘤趦蓚€(gè)的胺基的叔芳胺，包括低聚物材料。另夕卜，可以使用聚合物空穴傳輸材料，例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺和共聚物例如聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)，也稱為PEDOT/PSS。發(fā)光層(LEL)根據(jù)本發(fā)明，有機(jī)EL元件的發(fā)光層(LEL)主要擔(dān)負(fù)從OLED器件發(fā)射的電致發(fā)光。這種發(fā)光層的最常用的配方之一是包括主體和一種或多種摻雜劑的有機(jī)薄膜。主體充當(dāng)從陽(yáng)極和陰極注射的載荷子的傳輸和復(fù)合的固體介質(zhì)或基體。摻雜劑(通常少量地均勻分布在主體中)提供其中產(chǎn)生光的發(fā)射中心。選擇發(fā)射材料的重要關(guān)系是帶隙勢(shì)能的對(duì)比，該帶隙勢(shì)能定義為分子的最高已占分子軌道和最低未占分子軌道之間的能量差。對(duì)于從主體到發(fā)射材料的有效能量轉(zhuǎn)移，必要條件是摻雜劑的帶隙小于主體材料的帶隙。遵循現(xiàn)有技術(shù)中的教導(dǎo)，本發(fā)明使用包括主體和摻雜劑的發(fā)光層，但是它與現(xiàn)有技術(shù)區(qū)別在于該發(fā)光層包含(a)2-芳基蒽化合物和(b)在最少兩個(gè)位置具有氨基取代的發(fā)光第二蒽化合物，其中至少一個(gè)胺在2位取4戈。該蒽環(huán)編號(hào)系統(tǒng)顯示如下。在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，2-芳基蒽化合物(a)由通式[l]表示,其中Ar2表示芳基，山和d3-山o可以相同或不同并且各自表示氫或獨(dú)立選擇的取代基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，通式[l]的d6表示獨(dú)立選擇的d5d10d,芳基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，通式[l]的d9和du)表示獨(dú)立選擇的芳基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，2-芳基蒽化合物(a)由通式[2]表示，其中^和(13-(18可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基，和每個(gè)g可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基，和p、r和s獨(dú)立地是0-5。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，2-芳基蒽化合物(a)由通式[3]表示，其中d!、(13-(15和(17-(18可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基，和每個(gè)g可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基，和p、r、s和t獨(dú)立地是0-5。在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，2-芳基蒽化合物(a)按至多50體積％,優(yōu)選至多80體積％,更優(yōu)選至多90體積％的量存在。本發(fā)明2-芳基蒽化合物(a)可以通過(guò)各種方法制得。例如，通過(guò)流程I所示的方法。溴-芳基化合物(A—Br)與鋰試劑，例如叔丁基鋰的反32應(yīng)形成芳基-鋰鹽，該芳基-鋰鹽然后可以與化合物Int-A反應(yīng)形成Int-B(方程式A)。Int-B的脫水和與例如，KI、NaH2P02和乙酸的芳構(gòu)化提供蒽Int-C(方程式B)。這種蒽與芳基硼酸(Ar2-B(OH)2)在Suzuki型偶合條件下，例如，與三(二千叉基丙酮)二鈀、三環(huán)己基膦和磷酸鉀堿的反應(yīng)提供期望的蒽材料P-l(方程式C)。參見J.Hassan,M.Sevignon,C.Gozzi,E.Schulz,M.Lemaire,Marc,Chem.Rev,102,1359(2002)和其中對(duì)Suzuki偶合反應(yīng)和類似反應(yīng)的綜述引用的參考文獻(xiàn)。流程I:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>使用上述類似的化學(xué)作用，還可以通過(guò)流程II所示的方法制造有用的本發(fā)明2-芳基蒽化合物(a)。溴-芳基化合物(ArlBr)與鋰試劑，例如叔丁基鋰的反應(yīng)形成芳基-鋰鹽，該芳基-鋰鹽然后可以與化合物Intd-D反應(yīng)形成Intd-E(方程式A)。Int-E的脫水和與例如，KI、NaH2PO^。乙酸的芳構(gòu)化提供蒽Int-F(方程式B)。這種蒽與芳基硼酸(Ar2-B(OH)2)在Suzuki型偶合條件下，例如，與三(二千叉基丙酮)二鈀、三環(huán)己基膦和磷酸鉀堿的反應(yīng)提供期望的蒽材料P-2(方程式C)。參見J.Hassan,M.Sevignon,C.Gozzi,E.Schulz,M.Lemaire,Marc,Chem.Rev,102,1359(2002)和其中對(duì)Suzuki偶合反應(yīng)和類似反應(yīng)的綜述引用的參考文獻(xiàn)。流程II:oeq.Dlnt-E本發(fā)明2-芳基蒽化合物(a)材料的示例性、非限制性實(shí)例列于下面。34AlInv-A2c&r06oInv-A3Inv-A4Inv-A5Inv-A6lnv-A76lnv-A8Inv-A9Inv-AIO66lnv-All夸"Inv-A12lnv-A13Inv-A14Inv-A15P1Inv-AJ6Inv-A17lnv-A18P1lnv-A19lnv-A20Inv-A21Inv-A22Inv-A23Inv-A2435<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>37lnv-A67Inv-A68Inv-A69身Inv-A70Inv-A71Inv-A72A73Inv-A74Inv-A75Inv-A76^^」Inv-A77寺Inv-A78hw-A79lnv-A80lnv-A8IInv-A82導(dǎo)Inv-A836Inv-A84A85Inv-A86Inv-A8738<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>Inv-Inv-A109AU0.6AllloInv-A112Inv-A1130Jiw-A114Inv-A1150Inv-A116矛A117AU8一A120》A121A122A123A124A125A126爭(zhēng)A127A128A129》A130A131A132寺40<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，所述發(fā)光第二蒽化合物(b)由通式[4〗表示，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>其中Ru和R42表示芳基或烷基，山和d3-d!o可以相同或不同并且各自表示氬或獨(dú)立選擇的取代基并且山和d3-du)中至少一個(gè)是帶有兩個(gè)選自烷基或芳基的取代基的另一種氨基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，通式[4]的ds表示另一種氨基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，d6和d9獨(dú)立地表示另一種氨基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，d6、d9和du)獨(dú)立地表示另一種氨基。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，所述發(fā)光第二蒽化合物(b)由通式[5]表示,其中山、d3-d5和d7-d8可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基，和每個(gè)h可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基，和a-d、i和j獨(dú)立地是0-5。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，所述發(fā)光第二蒽化合物(b)由通式[6]表示，其中山、d3-d5和d7-ds可以相同或不同并且各自代表氬或獨(dú)立選擇的取代基，和每個(gè)h可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基，和a-f和j獨(dú)立地是0-5。在另一個(gè)適合的實(shí)施方案中，所述發(fā)光第二蒽化合物(b)由通式[7]表示，其中山、d3-d5和d7-d8可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基，和每個(gè)h可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基，和a-h獨(dú)立地是0-5。在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，所述發(fā)光第二蒽化合物(b)按至多50[6](Wd、"體積％,優(yōu)選至多20體積％,更優(yōu)選至多10體積％的量存在。在另一個(gè)實(shí)施方案中，所述發(fā)光第二蒽化合物(b)具有對(duì)SCE0.8V或更低的氧化電勢(shì)，適合地對(duì)SCE0.7V或更低的氧化電勢(shì)。希望地，所述2,6-二氨基-取代的蒽的氧化電勢(shì)對(duì)SCE在0.50V-0.8V之間，適合地對(duì)SCE在0.55V國(guó)0.70V之間。可以通過(guò)熟知的文獻(xiàn)程序，例如循環(huán)伏安法(CV)和Osteryoung方波伏安法(SWV)測(cè)量氧化電勢(shì)。對(duì)于電化學(xué)測(cè)量的綜述，參見J.0.Bockris和A.K.N.Reddy,現(xiàn)代電化學(xué)(ModernElectrochemistry),PlenumPress,NewYork;和A.J.BardandL.R.Faulkner，■電化學(xué)方法(ElectrochemicalMethods),JohnWiley&Sons,NewYork和其中引用的參考文獻(xiàn)。本發(fā)明發(fā)光第二蒽化合物(b)材料可以通過(guò)文獻(xiàn)中已知的各種方法合成。作為說(shuō)明，可以如流程m所示制備發(fā)光第二蒽化合物(b)的一些材料，其中Ar!、Ar2和Ai"3表示獨(dú)立選擇的芳族基。可以根據(jù)文獻(xiàn)程序根據(jù)Hodge等(Chem.Commun.(Cambridge)，1，73-74(1997))合成起始材料2,6-二溴蒽醌(Int-D)?？梢允褂免Z催化的胺化化學(xué)作用合成二氨基蒽醌衍生物(Int-G，方程式G)，該鈀催化的胺化化學(xué)作用由Hartwig等開發(fā)(J.Org.Chem.，64，5575-80(1999))。(Int-G)與格氏試劑或芳基鋰化物質(zhì)的反應(yīng)將提供中間體二醇(Int-H,方程式H)。可以使用Smet等開發(fā)的程序(Tetrahedron,55，7859-74(1999))使用碘化鉀和次磷酸鈉水合物(方程式I)還原該粗二醇而產(chǎn)生2,6-蒽二胺衍生物P-3。流程III:Pdcat.Ar廣Int隱Geq.Glnt-GMgBr—Ar3Ar3UAr、OH,N-Ar2Ar廣eq.H流程IV:eq.J其它發(fā)光第二蒽化合物(b)材料的另一種路線描述在流程IV中?？梢愿鶕?jù)US4,341,852合成起始材料2,6,9,10-四溴蒽(Int-I)?？梢允褂冒汛呋陌坊瘜W(xué)作用合成四氨基蒽衍生物(方程式J),該鈀催化的胺化化學(xué)作用由Hartwig等開發(fā)J.Org.Chem.，64,5575-80(1999)。本發(fā)明發(fā)光第二蒽化合物(b)材料的說(shuō)明性、非限制性實(shí)例列于下面。lnt-H-NaH2P0244<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光層包含(a)2,9,10-三芳基蒽化合物和(b)N,N,N',N',9,10-六芳基-2,6-蒽二胺化合物。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光層包含(a)2，6,9,10-四芳基蒽化合物和(b)N,N,N',N',9,10-六芳基-2,6-蒽二胺化合物。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光層包含(a)2，9,10-三芳基蒽化合物和(b)N,N,N',N',N"，N",10-七芳基-2,6，9-蒽三胺化合物。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光層包含(a)2,6,9,10-四芳基蒽化合物和(b)N,N,N',N',N",N",10-七芳基-2,6,9-蒽三胺化合物。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光層包含(a)2,9,10-三芳基蒽化合物和(b)N,N,N',N'，N",N",N'",N"'-八芳基-2,6,9,10-蒽四胺化合物。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光層包含(a)2,6，9,10-四芳基蒽化合物和(b)N,N，N',N',N",N",N"',N"'-八芳基-2,6,9,10-蒽四胺化合物。如Jarikov的美國(guó)專利申請(qǐng)2004076583和Jarikov等的美國(guó)專利申請(qǐng)2005106415中更完全描述的那樣，本發(fā)明LEL還可以包含第三組分(c)，其中該第三組分是能夠輸送電子或空穴或兩者并且能夠形成單體態(tài)和聚集態(tài)并且進(jìn)一步能夠以基電子態(tài)或電子激發(fā)態(tài)形成聚集態(tài)的有機(jī)化合物，該聚集態(tài)分別相對(duì)于單體態(tài)的吸收光譜或發(fā)射光譜或兩者產(chǎn)生不同的吸收或發(fā)射光譜或兩者，或所述混合物的第三組分能夠形成聚集態(tài)，該聚集態(tài)的存在導(dǎo)致單體態(tài)的發(fā)光的量子產(chǎn)率與在沒有聚集態(tài)的情況下單體態(tài)的發(fā)光的量子產(chǎn)率不同。第三組分的一種特定的選擇標(biāo)準(zhǔn)是有機(jī)化合物應(yīng)該具有使它能夠同時(shí)形成單體態(tài)和聚集態(tài)的分子結(jié)構(gòu)。聚集態(tài)可以由相同化合物，例如第三組分的至少兩個(gè)分子，或由兩種不同化合物，例如化合物(a)和第三組分或第三組分和發(fā)光化合物(b)的至少兩個(gè)分子形成。所有這些聚集態(tài)可用于本發(fā)明。然而，以下論述將集中于第一種情形。單體態(tài)定義為其中第三主體組分的分子在基電子態(tài)或電子激發(fā)態(tài)中不彼此相互作用并因此在第二組分的固體溶液中相當(dāng)于單一分子的狀態(tài)。因此，特別地，它們的吸收和發(fā)射過(guò)程僅涉及一種分子。相互作用的不存在可以出現(xiàn)，例如歸因于固有的缺乏能夠相互作用的力、分子間的距離過(guò)大、不適當(dāng)?shù)膸缀谓Y(jié)構(gòu)、空間阻礙及其它原因。聚集態(tài)定義為通過(guò)至少兩種分子的相互作用，例如本領(lǐng)域中通常已知的范德華力或本領(lǐng)域中通常已知的電荷轉(zhuǎn)移相互作用形成的狀態(tài)。它具有不同于單體態(tài)的物理和化學(xué)性能。具體來(lái)說(shuō)，兩種或更多種分子可以參予協(xié)作的吸收或發(fā)射或兩者，即吸收或發(fā)射或兩者僅可以理解為從分子復(fù)合物或分子聚集體產(chǎn)生。當(dāng)兩種或更多種分子協(xié)作地吸收光子時(shí)，認(rèn)為吸收聚集體存在于基電子態(tài)中。當(dāng)兩種或更多種分子協(xié)作發(fā)射光子時(shí)，認(rèn)為激態(tài)復(fù)合物(或分子復(fù)合物或分子聚集體)存在于電子激發(fā)態(tài)。吸收聚集體在激發(fā)時(shí)無(wú)需形成激態(tài)復(fù)合物并且激態(tài)復(fù)合物無(wú)需發(fā)射而產(chǎn)生基態(tài)聚集體。因此，分子聚集體可以存在于基電子態(tài)或電子激發(fā)態(tài)或兩者。包含聚集體的分子在基電子態(tài)僅能弱締合(范德華作用力的能量-l-3kcal/mo1),但是在電子激發(fā)態(tài)能更強(qiáng)烈地締合(范德華作用力的能量~3-10kcal/mo1)。處于基電子態(tài)的最簡(jiǎn)單的聚集態(tài)通常稱作二聚物，它是由處于基電子態(tài)的兩個(gè)相同分子形成的聚集態(tài)。處于電子激發(fā)態(tài)的聚集態(tài)稱作激態(tài)復(fù)合物或激發(fā)物并且在最簡(jiǎn)單的情況下由兩個(gè)相同的分子形成，其中之一在激發(fā)物的形成之前處于基電子態(tài)而另一個(gè)處于電子激發(fā)態(tài)。聚集態(tài)的最通常觀察到的特征之一是它們的吸收光譜或它們的發(fā)射光譜或兩者分別相對(duì)于單體態(tài)的吸收光譜或發(fā)射光譜或兩者移動(dòng)。移動(dòng)可以進(jìn)行到紅色或藍(lán)色。另一方面，聚集態(tài)的吸收光譜或發(fā)射光譜或兩者分別相對(duì)于單體態(tài)的吸收光i普或發(fā)射光i普或兩者可以含有新特征例如位于紅色或藍(lán)色的峰和肩。聚集態(tài)的另一種最通常觀察到的特征是新的或移動(dòng)的吸收或發(fā)射或兩者的強(qiáng)度和有時(shí)位置(波長(zhǎng))取決于形成聚集態(tài)的分子的濃度。隨濃度增加，移動(dòng)的吸收或發(fā)射特征或兩者的強(qiáng)度由于聚集態(tài)的提高的濃度而可能提高，而位置或波長(zhǎng)可能由于聚集態(tài)的尺寸(形成時(shí)涉及的分子的數(shù)目)增加也移動(dòng)。在沒有可容易檢測(cè)的單體吸收或發(fā)射光i普或兩者的改變的情況下觀察到的聚集態(tài)的另一個(gè)通常的特征是單體發(fā)射的強(qiáng)度(發(fā)光的量子產(chǎn)率)的改變。對(duì)于參考，這些定義可以參見N丄Turro,ModernMolecularPhotochemistry,UniversityScienceBooks,Sausalito,CA,1991。對(duì)于一些有機(jī)化合物，它們的分子結(jié)構(gòu)滿足它們處于電子激發(fā)態(tài)的聚集體是發(fā)射性的，并因此可以通過(guò)測(cè)量隨濃度變化的熒光發(fā)射光譜容易地觀察到。形成發(fā)射性和高度發(fā)射性聚集態(tài)的化合物可能是最有用的第三組分。然而，存在許多形成非發(fā)射性或僅弱發(fā)射性的聚集態(tài)的有機(jī)化合物。完全非或基本上非發(fā)射性聚集態(tài)(即具有為零或接近零的發(fā)光量子產(chǎn)率的那些)的形成可能導(dǎo)致電致發(fā)光和光致發(fā)光效率的降低，這歸因于轉(zhuǎn)移至發(fā)光摻雜劑的電子激發(fā)能量的不足夠效率。仍然，對(duì)于某些類型的化合物，特別是上列的那些，聚集態(tài)的發(fā)光的量子產(chǎn)率最通常發(fā)現(xiàn)是非零的。這能足以維持足夠比率的電子激發(fā)能量到發(fā)光摻雜劑，如果后者在熟知的Foerster能量轉(zhuǎn)移過(guò)程中充當(dāng)足夠強(qiáng)的受體。因此，此類化合物不會(huì)損害電致發(fā)光效率并且也可以用作第三組分。它們的使用將不但導(dǎo)致改進(jìn)的使用壽命而且導(dǎo)致優(yōu)異的EL效率。另一方面，如果激發(fā)能轉(zhuǎn)移的受體(發(fā)光摻雜劑)強(qiáng)并且它的濃度足夠高以致能量轉(zhuǎn)移的量子效率~100%,則即使供體的發(fā)光量子產(chǎn)率降低10-15倍(倘若所有其它保持相等)，能量轉(zhuǎn)移的量子效率和因此受體發(fā)光的量子效率僅降低~10%。選擇作為第三組分的化合物的另一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)是這種化合物的聚集態(tài)應(yīng)該具有頻譜特性，即吸收和發(fā)射光譜、激發(fā)態(tài)壽命、發(fā)光的量子產(chǎn)率和振動(dòng)強(qiáng)度，滿足確保電子激發(fā)能量向發(fā)光化合物(b)的有效轉(zhuǎn)移。發(fā)現(xiàn)可用作本發(fā)明第三組分的許多苯環(huán)型化合物具有平面剛性幾何結(jié)構(gòu)，這促進(jìn)聚集態(tài)的形成。許多代表性的苯環(huán)型化合物，例如芘、I、S、并四苯、蒽、蒽嵌蒽、二萘品并苯、苯并菲、蒽、熒蒽、苯并[ghi]l等和它們的單和多取代的苯并、萘并、蒽并、菲并、苯并菲并及其它衍生物已經(jīng)在通常的文獻(xiàn)中介紹具有顯著的形成聚集態(tài)的傾向。這些化合物的聚集態(tài)在通常的文獻(xiàn)中進(jìn)行了全面地表征。如果苯環(huán)型化合物在它的單體態(tài)下是發(fā)射性的，則最通常認(rèn)為在它的聚集態(tài)下也是發(fā)射性，特別是在固體溶液中和在沒有氧的情況下(正如在OLED器件中發(fā)的。、'、'。a、's'雖然包括兩個(gè)分子的聚集態(tài)是最常見的并且在文獻(xiàn)中進(jìn)行了描述，但是通常發(fā)現(xiàn)例如本發(fā)明中公開的化合物隨著體積％增加能夠形成不但包括兩個(gè)分子，而且包括三、四、五、十、一百、一千和更多分子的聚集態(tài)。如杲足夠高數(shù)目的第三組分的分子參予聚集態(tài)的形成，則可能形成其中可以發(fā)現(xiàn)某種有序度或結(jié)晶度的域。這些域的尺寸可能在納米(納米晶域)甚至微米(微晶域)范圍內(nèi)。本發(fā)明第三組分化合物的說(shuō)明性、非限制性實(shí)例是苯并[g，h,i]l、苯并[a]芘、并四苯、未取代的、二苯并[b,k]l、二苯并[b,n]1T、二苯并[b,def]藺、2,5,8,1l-四-叔丁基l"、3,9-二-1-萘基1、3,9-二-2-萘基^和3,10-二-2-萘基芘。發(fā)光層還可以包含用于改進(jìn)器件性能例如，改進(jìn)效率、降低電壓和改進(jìn)壽命的添加劑。有用的添加劑的實(shí)例是5,12-二氫-5,12-二苯基-喹啉并[2,3-b〗吖啶-7,14畫二酉同(AD1)、二氟[6-霱基-N-(2(1H)-喹啉叉基-kN)-(6-窬基-2-喹啉氨合-kNl)]硼(AD2)和4-(二-對(duì)曱苯基氨基)-4'-[(二-對(duì)曱苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(AD3)。優(yōu)選本發(fā)明的OLED器件的發(fā)光層發(fā)射綠色電致發(fā)光。優(yōu)選該綠色電致發(fā)光具有優(yōu)異的色純度。優(yōu)異的色純度是指本發(fā)明的電致發(fā)光光譜的1931CommissionInternationalede1'Edairage(CIE)x坐標(biāo)在0.21-0.30之間并且本發(fā)明電致發(fā)光光譜的1931CIEy坐標(biāo)在0.60-0.70之間。除非另外特別說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)"取代的"或"取代基"的使用是指不同于氫的任何基團(tuán)或原子。此外，當(dāng)使用術(shù)語(yǔ)"基團(tuán)"時(shí)，是指當(dāng)取代基包含可被代替的氪時(shí)，還預(yù)期不僅包括取代基的未取代的形式，而且還包括其進(jìn)一步被本文提及的任何取代基或基團(tuán)取代的形式，只要取代基不破壞器件使用所需的性能即可。適宜地，取代基可以是卣素或者可以通過(guò)碳、硅、氧、氮、磷、硫、硒或硼原子鍵合在分子的剩余部分上。取代基可以是例如卣素，如氯、溴或氟；硝基；羥基；氰基；羧基；或者可以進(jìn)一步取代的基團(tuán)例如烷基，包括直鏈或支鏈或者環(huán)狀烷基例如甲基、三氟曱基、乙基、叔丁基、3-(2,4-二叔戊基苯氧基)丙基和十四烷基；鏈烯基例如乙烯、2-丁烯；烷氧基例如曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、2-甲氧基乙氧基、仲丁氧基、己氧基、2-乙基己氧基、十四烷氧基、2_(2,4-二叔戊基苯氧基)乙氧基和2-十二烷氧基乙氧基；芳基例如苯基、4-叔丁基苯基、2,4,6-三甲基苯基、萘基；芳氧基例如苯氧基、2-曱基苯氧基、a-或P-萘氧基和4-曱苯氧基；碳酰氨基例如乙酰氨基、苯酰氨基、丁酰氨基、十四烷酰氨基、a-(2,4-二叔戊基苯氧基)乙酰氨基、a-(2,4-二叔戊基苯氧基)丁酰氨基、a-(3-十五烷基苯氧基)-己酰氨基、a-(4-羥基-3-叔丁基苯氧基)-十四烷酰氨基、2-氧代-吡咯烷-l-基、2-氧代-5-十四烷基吡咯啉-l-基、N-甲基十四烷酰氨基、N-琥珀酰亞氨基、N-鄰苯二甲酰亞氨基、2，5-二氧代-1-噹唑烷二基、3-十二烷基-2,5-二氧代-l-咪唑基和N-乙?；?N-十二烷基氨基、乙氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、千氧基羰基氨基、十六烷氧基羰基氨基、2,4-二叔丁基苯氧基羰基氨基、苯基羰基氨基、2,5-(二叔戊基苯基)羰基氨基、對(duì)-十二烷基-苯基羰基氨基、對(duì)-曱苯基羰基氨基、N-曱基脲基、N,N-二曱基脲基、N-甲基-N-十二烷基脲基、N-十六烷基脲基、N,N-二-十八烷基脲基、N,N-二辛基-N'-乙基脲基、N-苯基脲基、N,N-二苯基脲基、N-苯基-N-對(duì)甲苯基脲基、N_(間-十六烷基苯基)脲基、N,N-(2,5-二叔戊基苯基)-N'-乙基脲基和叔丁基碳酰氨基；磺酰氨基例如曱基磺酰氨基、苯磺酰氨基、對(duì)甲苯基磺酰氨基、對(duì)-十二烷基苯磺酰氨基、N-甲基十四烷基磺酰氨基、N,N-二丙基氨磺酰氨基和十六烷基磺酰氨基；氨磺酰基例如N-曱基氨磺?；?、N-乙基氨磺?；?、N,N-二丙基氨磺酰基、N-十六烷基氨磺?；,N-二曱基氨磺?；?、N-[3-(十二烷氧基)丙基]氨磺?；?、N-[4-(2,4-二叔戊基苯氧基)丁基]氨磺?；?、N-甲基-N-十四烷基氨磺?；蚇-十二烷基氨磺?；?；氨甲酰基，比如N-曱基氨曱酰基、N,N-二丁基氨曱酰基、N-十八烷基氨曱酰基、N-[4-(2,4-二叔戊基苯氧基)丁基]氨曱酰基、N-曱基-N-十四烷基氨曱酰基和N,N-二辛基氨曱?；?；酰基例如乙?；?、(2,4-二叔戊基苯氧基)乙酰基、苯氧基羰基、對(duì)-十二烷氧基苯氧基羰基曱氧基羰基、丁氧基羰基、十四烷氧基羰基、乙氧基羰基、節(jié)氧基羰基、3-十五烷氧基羰基和十二烷氧基羰基；磺?；鐣跹趸酋；?、辛氧基磺酰基、十四烷氧基磺酰基、2-乙基己氧基磺酰基、苯氧基磺?；?、2,4-二叔戊基苯氧基磺?；?、曱基磺酰基、辛基磺?；?-乙基己基磺酰基、十二烷基磺?；⑹榛酋；?、苯基磺酰基、4-壬基苯基磺?；蛯?duì)-甲苯基磺?；?；磺酰氧基例如十二烷基磺酰氧基和十六烷基磺酰氧基；亞硫?；缂谆鶃喠蝓；?、辛基亞硫?；?、2-乙基己基亞硫?；?、十二烷基亞硫酰基、十六烷基亞硫?；?、苯基亞硫?；?-壬基苯基亞硫?；蛯?duì)-曱苯基亞硫?；?；硫基例如乙基硫基、辛基硫基、千基硫基、十四烷基硫基、2-(2,4-二叔戊基苯氧基)乙基硫基、苯基硫基、2-丁氧基-5-叔辛基苯基硫基和對(duì)-曱苯基硫基；酰氧基例如乙酰氧基、苯曱酰氧基、十八烷酰氧基、對(duì)-十二烷基酰氨基苯甲酰氧基、N-苯基氨甲酰氧基、N-乙基氨甲酰氧基和環(huán)己基羰氧基；胺例如苯基苯胺基、2-氯苯胺基、二乙胺、十二烷基胺；亞氨基例如l-(N-苯基亞氨)乙基、N-琥珀酰亞氨基或3-千基乙內(nèi)酰脲基；磷酸根例如二曱基磷酸根和乙基丁基磷酸根；亞磷酸根例如二乙基和二己基亞磷酸根；雜環(huán)基團(tuán)、雜環(huán)氧基或雜環(huán)硫基，其各自可以是取代的并且含有由碳原子和至少一個(gè)選自氧、氮、硫或磷的雜原子組成的3-7元雜環(huán)，例如吡啶基、噻吩基、呋喃基、p比咯基、p塞唑基、嚅唑基、咪唑基、p比口坐基、p比。秦基、嘧p定基、pyrolidinonyl、壹啉基、異壹啉基、2-吹喃基、2-漆吩基、2-苯并咪唑基氧基或2-苯并噻唑基；季銨例如三乙銨；季磷鏃例如三苯基磷鈸；和曱硅烷氧基例如三曱基曱硅烷氧基。如果需要，這些取代基本身可以進(jìn)一步被所述的取代基取代一次或用于特定應(yīng)用的所希望性能，并且可以包括例如吸電子基團(tuán)、供電子基和空間基團(tuán)。當(dāng)分子可以含有兩個(gè)或多個(gè)取代基時(shí)，這些取代基可以連接在一起形成環(huán)例如稠環(huán)，除非另外提供。一般而言，以上基團(tuán)和其的取代基可以包括含有至多48個(gè)碳原子，通常l-36個(gè)碳原子，通常小于24個(gè)碳原子的那些，但更大的數(shù)目是可能的，這取決于選擇的特定取代基。對(duì)本發(fā)明來(lái)說(shuō)，雜環(huán)的定義中還包括那些包括配位或配價(jià)鍵的環(huán)。配位鍵的定義可以參見Grant&Hackh'sChemicalDictionary,91頁(yè)。實(shí)質(zhì)上，當(dāng)富電子原子例如O或N對(duì)缺電子原子例如A1或B貢獻(xiàn)出一對(duì)電子時(shí)，形成配位4建。確定特定基團(tuán)是否是供電子的還是受電子的處于本領(lǐng)域的技能范圍內(nèi)。供電子和受電子性能的最普遍測(cè)量是根據(jù)Hammett(j值。氫具有O的Hammetto值，而供電子基團(tuán)具有負(fù)的Hammettd值并且受電子基團(tuán)具有正的Hammett(j值。在此通過(guò)引用而結(jié)合進(jìn)來(lái)的Lange的化學(xué)手冊(cè),第12版,McGrawHill,1979,表3-12,3-134至3-138頁(yè)列出了大量普遍遇到的基團(tuán)的Hammettcj值。給出的Hammettci值是基于苯環(huán)取代賦予的，但它們提供了用于定性選擇供電子和受電子基團(tuán)的實(shí)際指導(dǎo)。合適的供電子基團(tuán)可以選自-R'、-OR'和-NR'(R"),其中R'是含有至多6個(gè)碳原子的烴并且R"是氫或R'。供電子基團(tuán)的具體實(shí)例包括曱基、乙基、苯基、甲氧基、乙氧基、苯氧基、-N(CH3)2、-N(CH2CH3)2、-NHCH3、-N(C6H5)2、-N(CH3)(C6H5)和墨。6115。合適的受電子基團(tuán)可以選自含有至多10個(gè)碳原子的氰基、a-卣代烷基、a-卣代烷氧基、酰氨基、磺?；?、羰基、羰氧基和氧基羰基取代基。具體實(shí)例包括畫CN、誦F、-CF3、-OCF3、-CONHC6H5、-S02C6H5、-COC6H5、-C02C6H3。-OCOC6H5。除非另有規(guī)定，材料的術(shù)語(yǔ)"百分率"或"百分比"和符號(hào)"％"表示材料在它所存在的層中的體積百分比。電子傳輸層(ETL)用于形成本發(fā)明有機(jī)EL器件的電子傳輸層的優(yōu)選的薄膜形成材料包括金屬螯合的類喔星化合物，包括喔星本身(還通常稱為8-羥基喹啉)的螯合物。此類化合物幫助注入和傳輸電子并且同時(shí)顯示高的性能水平和容易地以薄膜形式制造。所考慮的類喔星化合物的示例是滿足結(jié)構(gòu)通式(A)的那些。^巾M表示金屬；n是l-4的整數(shù)；和58Z在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地表示完成含有至少兩個(gè)稠合芳環(huán)的核的原子。從前述內(nèi)容明顯看出，該金屬可以是單價(jià)、二價(jià)、三價(jià)或四價(jià)金屬。該金屬可以例如是堿金屬如鋰、鈉或鉀；堿土金屬例如鎂或鈣；土金屬例如鋁或鎵，或者過(guò)渡金屬例如鋅或鋯。通常可以使用已知為有用的螯合金屬的任何單價(jià)、二價(jià)、三價(jià)或四價(jià)金屬。Z完成了含有至少兩個(gè)稠合芳環(huán)的雜環(huán)核，該芳環(huán)的至少一個(gè)是吡咯環(huán)或吖嗪環(huán)。如果需要，另外的環(huán)，包括脂族和芳族環(huán)，可以與兩個(gè)所需的環(huán)稠合。為了避免增加分子體積但沒有提高功能，通常將環(huán)原子的數(shù)目保持在18或更少。有用的螯合類喔星化合物的示例如下CO-l:三喔星鋁[別名，三(8-羥基查啉合)鋁(III);A1Q3]CO-2:雙喔星鎂[別名，雙(8-羥基喹啉合)鎂(II)]CO-3:雙[苯并(f)-8-羥基喹啉合]鋅(II)CO-4:雙(2-曱基-8-羥基喹啉合)鋁(III)卞國(guó)氧代-雙(2-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(III)CO-5:三喔星銦[別名，三(8-羥基喹啉合)銦]CO-6:三(5-甲基-8-曱基喔星)鋁[別名，三(5-甲基-8-羥基喹啉合)鋁(III)]'CO-7:喔星鋰[別名，(8-羥基喹啉合)鋰(I)]CO-8:喔星鎵[別名，三(8-羥基喹啉合)鎵(III)]CO-9:喔星鋯[別名，四(8-羥基喹啉合)鋯(IV)]滿足結(jié)構(gòu)通式(B)的氮茚也是有用的電子傳輸材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula>n是3-8的整數(shù)；Z是O、NR或S;和R和R'單獨(dú)地是氬；l-24個(gè)碳原子的烷基，例如丙基、叔丁基、庚基等；5-20個(gè)碳原子的芳基或雜原子取代的芳基，例如苯基和萘基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基及其它雜環(huán)體系；或卣素例如氯、氟；其中或?yàn)橥瓿沙砗戏辑h(huán)所需的原子；L是由烷基、芳基、取代的烷基或取代的芳基構(gòu)成的連接單元，其將多個(gè)氮茚共軛或非共軛地連接在一起。有用的氮茚的一個(gè)實(shí)例是2,2',2"-(1,3,5-亞苯基)三[l-苯基-lH-苯并咪唑]。取代的1,10-菲咯啉化合物也已知可用作電子傳輸材料，例如JP2003-115387;JP2004-311184;JP2001-267080和WO2002國(guó)043449中所公開那樣。可用作電子傳輸材料的菲咯啉化合物還在Klubek等的美國(guó)專利申請(qǐng)ll/289,856中進(jìn)行了更完全描述，其中電子傳輸層包括含一個(gè)且僅一個(gè)蒽環(huán)并且包括至多兩個(gè)含菲咯啉的取代基的化合物和其中所述環(huán)核在2-、3-、6-或7-位取代有含菲咯啉的取代基。有用的菲咯啉化合物還在Klubek等的美國(guó)專利申請(qǐng)11/290,214中進(jìn)行了更完全描述，其中所述電子傳輸層包括含至多兩個(gè)任選取代的菲咯啉結(jié)構(gòu)部分的菲咯啉化合物，其中取代在菲咯啉環(huán)上的一個(gè)和僅一個(gè)基團(tuán)包括含四個(gè)或更多稠合芳族環(huán)的芳族體系。其它電子傳輸材料包括US4,356,429中公開的各種丁二烯衍生物和US4,539,507中所述的各種雜環(huán)光學(xué)增白劑。三。秦也已知可用作電子傳輸材料。其它有用的材料是EP1,480,280;EP1,478,032;和EP1,469,533中描述的硅雜環(huán)戊二烯衍生物。吡啶衍生物在JP2004-200162中描述為有用的電子傳輸材料?；?-(2-吡啶基)咪唑基的鎵螯合物也已知可用作電子傳輸材料，如Royster等的美國(guó)專利公開2007/0003786所述那樣。蒽衍生物可用作電子傳輸材料，如Kondakov等的美國(guó)專利申請(qǐng)11/412,676,Kondakov等的11/412,426,Owczarczyk等的11/412,602和Kim等的美國(guó)專利公開2004/0067387中更完全描述的那樣。具有胺取代的蒽也可用作電子傳輸材料，如Klubek等的美國(guó)專利申請(qǐng)11/314,548中更完全描述的那樣?；旌细鞣N電子傳輸材料已經(jīng)證明可用于電子傳輸層，如Lee等的美國(guó)公開2004/0207318和Kido等的U.S6,396,209中更完全描述的那樣，其中電子傳輸層包括電子傳輸有機(jī)化合物和有機(jī)金屬絡(luò)合化合物的混合層，該有機(jī)金屬絡(luò)合化合物包含堿金屬離子、堿土金屬離子或稀土金屬離子中至少一種。混合電子傳輸層也在Begley等的美國(guó)序列號(hào)11/259,290和11/501,336中進(jìn)行了描述，其中電子傳輸層包括(a)10voP/。或更多稠環(huán)芳族化合物和(b)至少一種堿或堿土金屬的鹽或第一絡(luò)合物，和包60含堿或堿土金屬的第二絡(luò)合物的附加層。有用的混合電子傳輸層由Seo等在US2002/0086180中進(jìn)行了進(jìn)一步描述，其中混合電子傳輸層包括Bphen(亦稱4,7-二苯基-l,10-菲咯啉)和AlQg的l:1混合物。有用的混合電子傳輸層由共同受讓的美國(guó)序列號(hào)11/076,821;11/077,218和11/116,096進(jìn)行了進(jìn)一步描述，其中通過(guò)使第一化合物與是低電壓電子傳輸材料的第二化合物混合形成電子傳輸層，以在OLED器件中的發(fā)光層的陰極那側(cè)上形成層，這樣獲得的OLED器件的驅(qū)動(dòng)電壓甚至低于僅含低電壓電子傳輸材料的器件。在一些情況下，基于功函小于4.2eV的金屬的金屬材料包括在該層中。在一個(gè)合乎需要的實(shí)施方案中，可以用低功函堿金屬或堿土金屬例如Li、Cs、Ca或Mg摻雜電子傳輸層。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中堿金屬是Li。在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，堿金屬是Cs。在一個(gè)合乎需要的實(shí)施方案中，可以用描述如下的電子注入材料摻雜電子傳輸層。當(dāng)ETL包含烴材料，即僅由碳和氫原子組成的材料，例如，9,10-二-2-萘基-2-苯基蒽時(shí)，結(jié)合如下所述的電子注入層(EIL)通常是有益的。電子注入層(EIL)具有電子注入層(EIL)是不要求的，然而，當(dāng)存在時(shí)，EIL在ETL的陰極那側(cè)上并且鄰接ETL?？梢源嬖诙嘤谝粋€(gè)電子注入層。在一些情形下，上述電子傳輸材料也可以用作EIL或在EIL中與一種或多種材料混合。用低功函堿金屬或堿土金屬例如Li、Cs、Ca和Mg摻雜的有機(jī)化合物也可以用作電子注入層。實(shí)例是Li-或Cs-摻雜的A1Q3。Kondakov等的美國(guó)專利申請(qǐng)11/412,676中也已表明，EIL化合物的LUMO能級(jí)等于或幾乎等于包含在該ETL中的材料的能級(jí)是合乎需要的。在一個(gè)實(shí)施方案中，EIL化合物的LUMO能級(jí)等于或更正于ETL材料的LUMO能級(jí)。適合地，EIL化合物和ETL材料的LUMO能級(jí)之差是0.50或更低，0.40或更低，0.30或更低，0.20或更低甚至0.10eV或更低。希望地，EIL中的化合物具有等于或更正于ETL中的化合物的LUMO能量值的LUMO能量值。已經(jīng)表明，為了獲得最佳器件性能，優(yōu)化EL器件的每一層的厚度同樣重要。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，EIL與LEL的相對(duì)厚度是重要的。EIL與LEL的厚度之比應(yīng)該大于0.125。希望地，該比例是0.25或更大，甚至0.50或更大。在一個(gè)實(shí)施方案中，EIL與LEL的厚度之比為0.125-1.50或希望地0.125-1.25。在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，如Kondakov等的美國(guó)專利申請(qǐng)11/412,426所述，EIL包括雜環(huán)化合物。希望地，雜環(huán)化合物的LUMO能級(jí)等于或幾乎等于包含在ETL中的材料的LUMO能級(jí)。適合地，EIL雜環(huán)化合物和ETL材料的LUMO能級(jí)之差是0.50或更低，0.40或更低，0.30或更低，0.20或更低甚至0.10eV或更低。希望地，EIL中的雜環(huán)化合物具有等于或更正于ETL化合物的LUMO值的LUMO值。有機(jī)電子注入層的厚度通常為0.1-40nm,通常5-30nm,通常1-20nm。在一個(gè)實(shí)施方案中，這一層的厚度大于10nm但是小于20nm。在另一個(gè)實(shí)施方案中，層厚度大于20nm。金屬螯合物，尤其是Li螯合物是有用的電子注入材料，如美國(guó)專利申請(qǐng)11/258,671;11/259，586;11/259,290;11/501,336;11/258,740;11/258,719中更完全描述的那樣。不含8-羥基會(huì)啉(hydroxyquinolate)配體的金屬螯合物也可用作電子注入層，例如Begley等的美國(guó)專利申請(qǐng)11/259,290和11/501,336中所述，其中電子注入層含有由通式(C)表示的環(huán)金屬化配合物■(M>m(c)其中Z和虛線弧表示與M—起完成5-元或6-元環(huán)所需的兩個(gè)或三個(gè)原子和鍵；每個(gè)A表示H或取代基，每個(gè)B表示Z原子上獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)或多個(gè)取代基可結(jié)合形成稠環(huán)或稠環(huán)體系；j是0-3，和k是l或2;M表示元素周期表第IA、IIA、IIIA和IIB族元素；62m和n獨(dú)立選擇的整數(shù)，該整數(shù)經(jīng)由選擇在該配合物上提供中性電荷；并且條件是該配合物不含8-羥基喹啉配體。有用的Li螯合物的示例如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula>US6,468,676揭示了也可用于本發(fā)明的電子注入層的有機(jī)金屬鹽、卣化物或有才幾金屬配合物。附加的電子注入層(EIL-2)在另一個(gè)合乎需要的實(shí)施方案中，陰極和EIL之間存在另一個(gè)層且與EIL鄰接。這一層代表附加的電子注入層。希望地，所述另一個(gè)層包括無(wú)機(jī)材料例如低功函堿金屬或堿土金屬，例如Li、Cs、Ca和Mg。另夕卜，用這些低功函金屬摻雜的有機(jī)材料也可以有效地用作電子注入層。實(shí)例是Li-或Cs-摻雜的AlQ3。在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，該另一個(gè)層包括堿金屬化合物，例如LiF。該另一個(gè)層通常是沉積到0.1-3.0nm的適合厚度的薄層。附加的電子注入層(當(dāng)存在時(shí))包括US5,608,287;5,776,622;5,776,623;6,137,223;6,140,763和US6,914,269中描述的那些。有用的附加電子注入層一^:由功函小于4.0eV的材料構(gòu)成。可以采用含4氐功函堿金屬或堿土金屬例如Li、Cs、Ca和Mg的薄膜。另外，用這些低功函金屬摻雜的有機(jī)材料也可以有效地用作電子注入層。實(shí)例是Li-或Cs-摻雜的A1Q3。在一個(gè)適合的實(shí)施方案中，附加的電子注入層包括LiF。在實(shí)踐中，該附加的電子注入層通常是沉積到0.1-3.0nm的適合厚度的薄層。高效率的ETL和EIL組合如上面和美國(guó)專利/>開物2006/0040131和2006/0141287和申請(qǐng)11/293,656;11/289,856;11/290,214;11/412,676和11/412,426中公開那樣，存在已知的ETL和EIL材料和器件體系結(jié)構(gòu)，它們將降低電子注射的阻隔和改進(jìn)OLED內(nèi)的電子傳導(dǎo)。結(jié)果通常觀察到改進(jìn)的OLED器件性能。例如，器件驅(qū)動(dòng)電壓得到降低且器件發(fā)光效率得到提高。陰極當(dāng)只經(jīng)過(guò)陽(yáng)極觀察光發(fā)射時(shí)，本發(fā)明使用的陰極可以包括幾乎任何導(dǎo)電材料。合乎需要的材料具有良好的成膜性能以確保與在下的有機(jī)層良好接觸，促進(jìn)在低電壓下的電子注射和具有良好的壽命。有用的陰極材料通常含有低功函金屬(〈4.0eV)或金屬合金。如美國(guó)專利號(hào)4,885,221中所述，一種有用的陰極材料包括Mg:Ag合金，其中銀的百分比為1-20%。另一類合適的陰極材料包括含有陰極和與有機(jī)層(例如電子傳輸層(ETL))接觸的薄電子注入層(EIL)的雙層，該陰極被較厚的導(dǎo)電金屬層封蓋。這里，EIL優(yōu)選包括低功函金屬或金屬鹽，并且如果這樣，則較厚的封蓋層不需要具有低的功函。如美國(guó)專利號(hào)5,677,572中所述，一種這樣的陰極包括薄的LiF層和隨后的較厚Al層。其它有用的陰極材料系列包括，但不限于公開于美國(guó)專利號(hào)5,059,861、5,059,862和6,140,763中的那些。當(dāng)經(jīng)過(guò)陰極觀察發(fā)光時(shí)，陰極必須是透明的或者幾乎透明的。對(duì)于這類應(yīng)用而言，金屬必須是薄的或者必須使用透明的導(dǎo)電氧化物或者這些材料的組合。光學(xué)透明陰極已經(jīng)更詳細(xì)描述于US4,885,211、US5,247,190、JP3,234,963、US5,703,436、US5,608,287、US5，837,391、US5,677,572、US5,776,622、US5,776,623、US5,714,838、US5,969,474、US5,739,545、US5,981,306、US6,137,223、US6,140,763、US6,172,459、EP1076368、US6,278,236和US6,284,3936中。陰極材料通常通過(guò)任何合適的方法例如蒸鍍、濺鍍或化學(xué)蒸氣沉積而沉積。當(dāng)需要時(shí)，可以通過(guò)許多公知的方法構(gòu)圖，這些方法包括，但不限于通過(guò)掩沖莫的沉積、如US5,276,380和EP0732868中描述的整體陰影掩模、激光燒蝕和選擇性化學(xué)蒸氣沉積。其它有用的有機(jī)層和器件體系結(jié)構(gòu)在一些情形中，可以任選地將層109和110塌陷成單層，該單層起到支持發(fā)光和電子傳輸?shù)淖饔?。本領(lǐng)域中還已知發(fā)光材料可以包含在空穴傳輸層中，該空穴傳輸層可以充當(dāng)主體?？梢岳缤ㄟ^(guò)將藍(lán)光和黃光發(fā)射材料、青色光和紅光發(fā)射材料、或者紅光、綠光和藍(lán)光發(fā)射材料組合而將多種材料加入一個(gè)或多個(gè)層中以制造發(fā)白光OLED。白光發(fā)射器件描述于例如EP1187235、EP786925、US20020025419、EP1182244、US5,683,823、US5,503,910、US5,405,709、US5,283,182、US6,696,177、US6,614,176、US6,627,333和US7,037,601中并且可以裝配有合適的濾波器配置以產(chǎn)生有色發(fā)光。附加層例如本領(lǐng)域中揭示的電子或空穴阻擋層可以用于本發(fā)明的器件?？梢栽诎l(fā)光層和電子傳輸層之間使用空穴阻擋層。可以在空穴傳輸層和發(fā)光層之間使用電子阻擋層。這些層常用來(lái)改進(jìn)發(fā)光效率，例如，如US20020015859中那樣。例如US5,703,436和US6,337,492中教導(dǎo)那樣，本發(fā)明可用于所謂的堆疊器件體系結(jié)構(gòu)。有才幾層的沉積上述有一幾材料適合地通過(guò)適用于有機(jī)材料形式的4壬何方式沉積。在小分子的情形中，它們適宜地通過(guò)升華而沉積，但可以通過(guò)其它方式沉積，例如從溶劑與任選的粘結(jié)劑進(jìn)行沉積以改善膜形成。如果材料是聚合物，則通常優(yōu)選溶劑沉積。待通過(guò)升華沉積的材料可以從通常由鉭材料組成的升華器"舟"中氣化，例如US6,237,529中所述，或者可以首先涂覆在供體片上，然后在襯底的附近升華。具有材料混合物的層可以采用覆。可以采用q陰i掩:、^整體陰影掩"(U〗5,294,87。;^i間界定^來(lái)自供體片的熱染料轉(zhuǎn)印(US5,688,551、US5,851,709和US6,066,357)或者噴墨方法(US6,066,357)實(shí)現(xiàn)圖案化沉積。一種沉積本發(fā)明材料的優(yōu)選的方法在US2004/0255857和USSN10/945,941中進(jìn)行了描述，其中使用不同源蒸發(fā)器來(lái)蒸發(fā)本發(fā)明的各種材料。第二種優(yōu)選的方法包括使用閃蒸，其中隨著材料路徑計(jì)量加入材料，其中材料路徑是溫度控制的。這種優(yōu)選的方法在以下共同受讓的專利申請(qǐng)中進(jìn)4亍了描述USSN10/784,585、USSN10/805,980、USSN10/945,940、USSN10/945,941、USSN11/050,924和USSN11/050,934。使用這第二種方法，可使用不同源的蒸發(fā)器蒸發(fā)各種材料，或者可將固體材料混合，隨后使用相同來(lái)源的蒸發(fā)器蒸發(fā)。封裝大多數(shù)OLED器件對(duì)水分或氧氣或者兩者敏感，因此它們通常在伴隨著干燥劑例如氧化鋁、鋁礬土、硫酸4丐、粘土、硅膠、沸石、堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、硫酸鹽或者金屬卣化物和過(guò)氯酸鹽的惰性氣氛例如氮?dú)饣驓鍤庵忻芊?。用于封裝和干燥的方法包括，但不限于描述于美國(guó)專利號(hào)6,226,890中的那些。另夕卜，在封裝領(lǐng)域中阻隔層例如SiOx、Teflon和交替的無(wú)機(jī)/聚合物層是已知的。光學(xué)優(yōu)化如果需要，本發(fā)明的OLED器件可以采用各種公知的光學(xué)效應(yīng)以增強(qiáng)它們的發(fā)光性能。這包括將層厚度優(yōu)化以產(chǎn)生最大光透射、提供電介質(zhì)鏡結(jié)構(gòu)、用吸光性電極代替反射性電極、在顯示器上提供防閃或抗反射涂層、在顯示器上提供偏振介質(zhì)，或者在顯示器上提供有色的中密度或者顏色轉(zhuǎn)化濾色片?？梢蕴貏e地將濾色片、偏振器和防閃或抗反射涂層提供在覆蓋物上或作為覆蓋物的一部分提供。實(shí)施例實(shí)施例l.2-(4-甲基苯基)-9,10-二-2-萘基蒽(Inv-A46)的合成eq.1Inv-A46根據(jù)方程式l-方程式3制備Inv-A46,2-(4-甲基苯基)-9,10-二-2-萘基蒽。將2-溴代萘(9.2g,44.4mmo1)溶于干THF(118ml)并冷卻到-78°C。在5min內(nèi)按逐滴方式添加t-BuLi(1.7M,52.3g,89mmol),然后在該溫度下再攪拌反應(yīng)物5min。在添加2-氯代蒽醌(4.3g,17.8mmol)后，從丙酮-干冰浴中移除反應(yīng)物并在室溫下攪拌過(guò)夜。將該反應(yīng)混合物添加到氯化銨水溶液中并用二氯曱烷萃取產(chǎn)物。用硫酸鎂干燥有機(jī)相，過(guò)濾并濃縮。結(jié)晶純化(85%醚/庚烷)獲得Int-l(方程式l)。通過(guò)以下程序(方程式2)制備中間體Int-2。將碘化鉀(17.6g,106.02mmol)和次磷酸鈉水合物(16.5g,188.1mmol)添加到Int-l(5.7g,11.4mmol)在乙酸(181mL)中的混合物中。將該混合物加熱至回流保持3h,然后冷卻到室溫。過(guò)濾黃色固體并用水和甲醇洗滌而產(chǎn)生Int-2。合成Inv-A46的最后的合成程序如下(方程式3)。在干燥條件下將4-曱苯基硼酸(1.2當(dāng)量)、三(二千叉基丙酮)二鈀(0)(0.03當(dāng)量)、三環(huán)己基膦(0.045當(dāng)量)和石粦酸鉀(2當(dāng)量)添加到Int-2(l當(dāng)量)在脫氣甲苯中的混合物中。將反應(yīng)混合物加熱至回流過(guò)夜。冷卻反應(yīng)混合物，經(jīng)硅藻土過(guò)濾并添加到水中。從二氯曱烷萃取產(chǎn)物，用硫酸鎂干燥，過(guò)濾并濃縮。柱層析(硅膠，用95%庚烷/二氯曱烷洗脫劑)產(chǎn)生Inv-A46。FD隱MS(m/z):520.實(shí)施例2.N,N,N',N',9,10-六苯基-2，6-蒽二胺(Inv-Bl)的合成。才艮據(jù)方程式4-方程式6制備Inv-B1N,N,N',N',9,10-六苯基-2,6-蒽二胺。在氮?dú)鈿夥障聦?,6-二溴蒽醌(44g,0.12mol)、二苯胺(42.5g，0.26mol)、A又丁醇鈉(27g,0.27mol)、乙酸4巴(II)(1.5g,0.007mol)和400ml曱苯添加在一起。在攪拌下，添加三^又丁基膦(1.1g,0.005mol)并在90。C下加熱反應(yīng)物12小時(shí)。在冷卻后讓反應(yīng)混合物穿過(guò)珪膠墊，用CH2Cl2洗脫。除去溶劑并通過(guò)色譜法進(jìn)一步純化粗固體而產(chǎn)生48.9g(75%產(chǎn)率)為紅色固體的N,N,N',N'-四苯基-2,6-二氨基-9,10-蒽二酮(Int陽(yáng)l,方程式l)。FD漏MS(m/z):542在氮?dú)庀路胖没衔?Int-l)(20g，0,036摩爾)和200ml無(wú)水四氫呋喃(THF)并在攪拌下冷卻到-78。C。逐滴添加苯基鋰(1.8M,在環(huán)己烷:醚[70:30]中，45ml，0.081mol)并允許反應(yīng)混合物回暖至室溫過(guò)夜。然后將反應(yīng)混合物倒入水中并添加200mlCH2Cl2。將有機(jī)層與水層分離，然后用水洗滌有才幾層，經(jīng)Na2S04干燥，并濃縮而產(chǎn)生粗N,N,N',N',9,10-六苯基-2,6-二氨基-9,10-二氫-9,10-蒽二醇(Int-2)。將粗Int-2溶于500ml乙酸。在攪拌下添加碘化鈉(50g)和次磷酸鈉水合物(50g)。將混合物加熱至回流保持60分鐘，冷卻到室溫并倒入水中。通過(guò)過(guò)濾收集沉淀的固體，用水洗滌，用少量甲醇(-20ml)洗滌，然后干燥。通過(guò)柱色譜純化產(chǎn)生14.0g(57。/。產(chǎn)率)為橙色固體的純N,N,N',N',9,10-六苯基-2,6-蒽二胺(Inv-Bl)。在600mTorr的壓力和265。C的溫度下使用順序升華使這一材料升華。FD-MS(m/z):664.實(shí)施例3.N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-9,10-二苯基-2,6-蒽二胺(Inv-B73)的合成。在氮?dú)鈿夥障聦?,6-二溴蒽醌(5g,13.7mmol)、二-曱苯胺(5.6g,28.4mmo1)、叔丁醇鈉(3.1g,32.2mmol)、乙酸4巴(II)(0.17g,0.75mmol)和50ml曱苯添加在一起。在攪拌下，添加三叔丁基膦(0.13g,0.64mmol)并在90。C下加熱反應(yīng)物12小時(shí)。在冷卻后讓反應(yīng)混合物穿過(guò)硅膠墊，用CKbCl2洗脫。除去溶劑并通過(guò)色譜法進(jìn)一步純化粗固體而產(chǎn)生5.0g(61%產(chǎn)率)為紅色固體的N,N,N',N'-四(4-曱基苯基)-2,6-二氨基-9,10-蒽二酮。FD-MS(m/z):598在氮?dú)庀路胖肗,N,N',N'-四(4-曱基苯基)-2,6-二氨基-9,10-蒽二酮(2.5g，41.8mmol)和50ml無(wú)水THF并在攪拌下冷卻到-78。C。逐滴添加苯基鋰(1.8M,在環(huán)己烷:醚[70:30]中，6.0ml,10.8mmol)并允許反應(yīng)混合物回暖至室溫過(guò)4復(fù)。然后將反應(yīng)混合物倒入水中并添加50mlCH2C12。將有機(jī)層與水層分離，然后用水洗滌有機(jī)層，經(jīng)Na2S04干燥，并濃縮而產(chǎn)生粗N,N,N',N'-四(4-曱基苯基)-2,6-二氨基-9,10-二氫-9,10-二苯基-9,10-蒽二醇。將該粗N,N,N',N'-四(4-曱基苯基)-2,6-二氨基-9,10-二氫-9,10-二苯基-9,10-蒽二醇溶于65ml乙酸。在攪拌下添加碘化鈉(10g)和次磷酸鈉水合物(10g)。將混合物加熱至回流保持60分鐘，冷卻到室溫并倒入水中。通過(guò)過(guò)濾收集沉淀的固體，用水洗滌，用少量甲醇(-5ml)洗滌，然后干燥。通過(guò)柱色譜純化產(chǎn)生2.3g(76%產(chǎn)率)為橙色固體的純N,N,N',N'國(guó)四(4-曱基苯基)-9,10-二苯基-2,6-蒽二胺(Inv-B73)。在600mTorr的壓力下，在290。C下使用順序升華使Inv-3升華。FD-MS(m/z):720.實(shí)施例4.N,N'-二-2-萘基-N,N',9,10-四苯基-2,6-蒽二胺(Inv-B10)的合成。在氮?dú)鈿夥障?，?,6-二溴蒽醌(ll.Og，30.1mmol)、>^-苯基-2-萘胺(15.0g，68.5mmo1)、叔丁醇鈉(6.75g,70.2mmol)、乙酸鈀(II)(0.38g,1.7mmo1)和100ml曱苯添加在一起。在攪拌下，添加三叔丁基膦(0.28g,1.4mmo1)并在90。C下加熱反應(yīng)物12小時(shí)。在冷卻后讓反應(yīng)混合物穿過(guò)石圭膠墊，并用CH2Cl2洗脫。除去溶劑并通過(guò)色i普法進(jìn)一步純化粗固體而產(chǎn)生17.3g(89.7%產(chǎn)率)為紅色固體的N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-2,6-二氨基-9,10-蒽二酮。FD-MS(m/z):642在氮?dú)庀路胖肗,N,N',N'-四(4-曱基苯基)-2,6-二氨基-9,10-蒽二酮(2.5g,3.1mmol)和50ml無(wú)水THF并在攪拌下冷卻到-78。C。逐滴添力口苯基鋰(1.8M,在環(huán)己烷:醚[70:30]中，5.0ml,9mmol)并允許反應(yīng)混合物回暖至室溫過(guò)夜。然后將反應(yīng)混合物倒入水中并添加50mlCH2C12。將有機(jī)層與水層分離，然后用水洗滌有機(jī)層，經(jīng)Na2S04干燥，并濃縮而產(chǎn)生粗N,N'-二-2-萘基-N,N',9,10-四苯基-2,6-二氨基-9,10-二氫-9,10-蒽二醇。將粗二醇溶于65ml乙酸。在攪拌下添加碘化鈉(10g)和次磷酸鈉水合物(10g)。將混合物加熱至回流保持60分鐘，冷卻到室溫并倒到水中。通過(guò)過(guò)濾收集沉淀的固體，用水洗滌，用少量甲醇(~10ml)洗滌，并干燥。通過(guò)柱色譜純化產(chǎn)生0.58(17%產(chǎn)率)為橙色固體的純>^^-二—2-萘基-N,N',9,10-四苯基-2,6-蒽二胺(Inv-B10)。在600mTorr的壓力下，在300。C下使用順序升華使Inv-4升華。FD隱MS(m/z):764.eq.4實(shí)施例5.N,N,N',N',N"，N",N"',N言"-八苯基-2,6,9,10-四氨基蒽(Inv-B115)的合成。根據(jù)方程式4制備Inv-23。在氮?dú)鈿夥障聦?,6,9,10-四溴蒽(1.5g,3.0mmol)、二苯胺(2.57g，15.2mmol)、叔丁醇鈉(1.63g,16.3mmol)、乙酸4巴(H)(90mg,0.4mmo1)和25ml甲苯添加在一起。在攪拌下，添加三叔丁基膦(67mg,0.3mmol)并在90。C下加熱反應(yīng)物12小時(shí)。在冷卻后讓反應(yīng)混合物穿過(guò)硅膠墊，用CH2Cb洗脫。除去溶劑并通過(guò)色譜法進(jìn)一步純化粗固體而產(chǎn)生1.1g(43%產(chǎn)率)為紅色固體的N,N,N',N',N",N",N"'，N"'陽(yáng)八苯基-2,6,9,10-四氨基蒽(Inv-B115)。FD國(guó)MS(m/z):846實(shí)施例6.氧化電勢(shì)的測(cè)量。采用型號(hào)CHI660電化學(xué)分析器(CH儀器，Inc.,Austin,TX)進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量。使用循環(huán)伏安法(CV)和Osteryoung方波伏安法(SWV)表征所考慮的化合物的氧化還原性能。使用玻璃碳(GC)盤形電極(A=0.071cm2)作為工作電極。用0.05pm氧化鋁漿料拋光該GC電極，接著在Milli-Q去離子水中超聲震蕩清洗兩次并用丙酮沖洗，其間用水清洗。最后清洗電極并在使用之前通過(guò)電化學(xué)處理活化。鉑線充當(dāng)平衡電極，并使用飽和甘汞電極(SCE)作為準(zhǔn)參考電極以完成標(biāo)準(zhǔn)3-電極電化學(xué)電池。^f吏用二茂鐵(Fc)作為內(nèi)標(biāo)物(EFC-0.50vs.SCE,在l:l乙腈/甲苯中)。使用乙腈和曱苯的混合物(MeCN/曱苯，1/1,v/v)作為有機(jī)溶劑體系。在異丙醇中使支持電解質(zhì)，四氟硼酸四丁基銨(TBAF)重結(jié)晶兩次并在真空下干燥三天。所使用的所有溶劑是低水含量的(〈20ppm水)。原樣分析所有化合物。用高純度氮?dú)獯祾咴囼?yàn)溶液約5分鐘以除去氧氣并在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中在溶液頂部保持氮?dú)飧采w層。所有測(cè)量在25土rc的環(huán)境溫度下進(jìn)^亍。使用超聲震蕩幫助溶解。在伏安測(cè)量之前經(jīng)由0.45(imWhatman玻璃71微纖維syrmgeless過(guò)濾器過(guò)濾未溶解的固體。將可逆或準(zhǔn)可逆電極方法的陽(yáng)極峰值電勢(shì)(Ep,a)和陰極峰值電勢(shì)(Ep,c)平均化或基于不可逆方法的峰值電勢(shì)(在SWV中)測(cè)定氧化電勢(shì)。報(bào)道的氧化電勢(shì)涉及第一事件電子轉(zhuǎn)移，即自由基陽(yáng)離子物質(zhì)的產(chǎn)生，這是認(rèn)為出現(xiàn)在固態(tài)中的過(guò)程。結(jié)果記錄在表l中。使用以下方程式計(jì)算Inv-B122相對(duì)于Inv-1的Eox:Eox=誦17.5xEhomo-2.17.Ehomo是取自B3LYP/MIDI的HOMO能量!使用PQS計(jì)算機(jī)代碼(PQSv3,2,ParallelQuantumSolutions,Fayetteville,Arkansas)幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化。Inv-B122的計(jì)算的氧化電勢(shì)發(fā)現(xiàn)比Inv-B1的小0.1V并且估算為對(duì)SCE的0.58V。表l.氧化電勢(shì)<table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table>NPB:N,N'-二(l-萘基)-:^,:^'-二苯基-4,4'-二氨基聯(lián)苯。m-TDATA:4,4',4"-三[(3-曱基苯基)苯基氨基]三苯胺。從計(jì)算估算從表l可以看出，本發(fā)明發(fā)光第二蒽化合物(b)具有對(duì)SCE低于0.8V的氧化電勢(shì)，而對(duì)比氨基蒽材料CX-4和CX-5(它們不滿足本發(fā)明的要求)具有對(duì)SCE大于0.8V的氧化電勢(shì)。實(shí)施例7.器件l-l、l-2和l-3的制造按以下方式構(gòu)造滿足本發(fā)明要求的本發(fā)明EL器件1-1:使用商業(yè)玻璃洗滌器工具將涂有透明ITO導(dǎo)電層的~1.1mm厚的玻璃襯底清洗并干燥。ITO的厚度為大約25nm并且該ITO的薄層電阻為大約68Q/口。隨后用氧化性等離子體處理ITO表面以調(diào)理作為陽(yáng)極的表面。通過(guò)在RF等離子體處理室中分解CHFs氣體，在清潔的ITO表面上沉積1nm厚的CFx層。隨后將襯底轉(zhuǎn)移至真空沉積室中以在襯底上沉積所有其它的層。采用以下順序，在約10-6托真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括N,N'-二(l-萘基)"^,:^'-二苯基-4，4'-二氨基聯(lián)苯(NPB)的110nm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(5.8體積％)的40iim發(fā)光層；c)35nmAlQ3電子傳輸層；d)0.5nm氟化鋰電子注入層；e)100nm鋁陰極。之后，將器件連同作為干燥劑的硫酸4丐一起封裝在氮?dú)鈿夥罩?。用和器件l-l一樣的方法制備對(duì)比器件l-2，不同之處在于用CX-1替換lnv-A5并且Inv-B1按5.9體積％存在。73CX-1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage74</formula>用和器件1-1一樣的方法制備對(duì)比器件1-3,不同之處在于用CX-2替換lnv-A5并且Inv-B1按6.1體積％存在。在20mA/cm2的恒定電流下測(cè)試器件l-l、l-2和1-3的亮度和色度(CIEx,y)。使用80mA/cm2的DC電流在室溫下測(cè)量器件壽命(初始亮度降低50%所要求的時(shí)間)并將器件性能結(jié)果計(jì)錄在表2中。表2.器件1-1、l-2和l-3的性能數(shù)據(jù)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage74</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage74</column></row><table>從表2可以看出，使用本發(fā)明主體和摻雜劑的本發(fā)明器件1-l提供高亮度與優(yōu)異壽命的組合。用CX-1替換Inv-A5的對(duì)比器件1-2與本發(fā)明器件1-1相比具有低的亮度和低得多的壽命。用CX-2替換Inv-A5的對(duì)比器件l-3與器件l-l具有幾乎相同的亮度，然而，壽命比器件l-l低得多。對(duì)比器件都沒有使用在蒽的2位具有芳基取代的蒽主體材料。實(shí)施例8.器件2-l、2-2和2-3的制造按以下方式構(gòu)造滿足本發(fā)明要求的本發(fā)明EL器件2-1:使用商業(yè)玻璃洗滌器工具將涂有透明ITO導(dǎo)電層的~1.1mm厚的玻璃襯底清洗并干燥。ITO的厚度為大約25nm并且該ITO的薄層電阻為大約68n/口。隨后用氧化性等離子體處理ITO表面以調(diào)理作為陽(yáng)極的表面。通過(guò)在RF等離子體處理室中分解CHF3氣體，在清潔的ITO表面上沉積lnm厚的CFx層。隨后將襯底轉(zhuǎn)移至真空沉積室中以在襯底上沉積所有其它的層。采用以下順序，在約10-6托真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括NPB的110nm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(5.9體積％)的40nm發(fā)光層；c)25nmAlQ3電子傳輸層；d)0.5nm氟化鋰電子注入層；e)100nm鋁陰才及。之后，將器件連同作為干燥劑的硫酸鈣一起封裝在氮?dú)鈿夥罩?。用和器?-1—樣的方法制備本發(fā)明器件2-2,不同之處在于用Inv-A65替換Inv-A5并且Inv-Bl按5.8體積。/。存在。用和器件2-1—樣的方法制備本發(fā)明器件2-3,不同之處在于用Inv-A5替換Inv-A55并且Inv-B1按6.0體積％存在。在20mA/cm2的恒定電流下測(cè)試器件2-l、2-2和2-3的亮度和色度(CIEx,y)。使用80mA/cm2的DC電流在室溫下測(cè)量器件壽命(初始亮度降低50%所要求的時(shí)間)并將器件性能結(jié)果記錄在表3中。表3.器件2-l、2-2和2-3的性能數(shù)據(jù)<table>tableseeoriginaldocumentpage76</column></row><table>從表3可以看出，本發(fā)明器件2-l、2-2和2-3提供高亮度與優(yōu)異壽命的組合。實(shí)施例9.器件3-l和3-2的制造按以下方式構(gòu)造滿足本發(fā)明要求的本發(fā)明EL器件3-1:使用商業(yè)玻璃洗滌器工具將涂有透明ITO導(dǎo)電層的~1.1mm厚的玻璃襯底清洗并干燥。ITO的厚度為大約25nm并且該ITO的薄層電阻為大約68Q/口。隨后用氧化性等離子體處理ITO表面以調(diào)理作為陽(yáng)極的表面。通過(guò)在RF等離子體處理室中分解CHF3氣體，在清潔的ITO表面上沉積lnm厚的CFx層。隨后將襯底轉(zhuǎn)移至真空沉積室中以在襯底上沉積所有其它的層。采用以下順序，在約10《托真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括NPB的113.5nm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(7體積％)的40nm發(fā)光層；c)35nmAlQ3的電子傳輸層；d)0.5nm氟化鋰電子注入層；e)100nm鋁陰才及。之后，將器件連同作為干燥劑的硫酸鈣一起封裝在氮?dú)鈿夥罩?。用和器?-1—樣的方法制備對(duì)比器件3-2,不同之處在于用CX-3替在20mA/cm2的恒定電流下測(cè)試器件3-1和3-2的亮度和色度(C正x,y)。使用5,000cd/m2的初始亮度在室溫下測(cè)量器件壽命(初始亮度降低50%所要求的時(shí)間)并將器件性能結(jié)果記錄在表4中。表4.器件3-l和3-2的性能數(shù)據(jù)器件主體材料Inv-Bl濃度Lum.(cd/m2)CIEX,CIEy壽命t50@5，000cd/m2(小時(shí))3-1本發(fā)明Inv-A57%51130.2550.6626，5003-2對(duì)比CX-37%46500.2500.6643，500從表4可以看出，含本發(fā)明主體和摻雜劑材料的本發(fā)明器件3-l較之對(duì)比器件3-2具有優(yōu)異的亮度和壽命，對(duì)比器件3-2具有與器件3-l相同的發(fā)光材料，但是使用在2位不具有芳基取代的蒽主體材料。實(shí)施例IO.器件4-l、4-2和4-3的制造按以下方式構(gòu)造滿足本發(fā)明要求的本發(fā)明EL器件2-1:使用商業(yè)玻璃洗滌器工具將涂有透明ITO導(dǎo)電層的~1.1mm厚的玻璃襯底清洗并干燥。ITO的厚度為大約25nm并且該ITO的薄層電阻為大約68Q/口。隨后用氧化性等離子體處理ITO表面以調(diào)理作為陽(yáng)極的表面。通過(guò)在RF等離子體處理室中分解CHF3氣體，在清潔的ITO表面上沉積lnm厚的CFx層。隨后將襯底轉(zhuǎn)移至真空沉積室中以在襯底上沉積所有其它的層。采用以下順序，在約10，乇真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括NPB的llOnm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(6.1體積％)的4077證發(fā)光層；c)25nmA1Q3電子傳輸層；d)0.5nm氟化鋰電子注入層；e)100nm鋁陰才及。之后，將器件連同作為干燥劑的硫酸鈣一起封裝在氮?dú)鈿夥罩小Ｓ煤推骷?-1一樣的方法制備對(duì)比器件4-2,不同之處在于用CX-4按6.1體積％的濃度替換Inv-Bl。用和器件4-1一樣的方法制備對(duì)比器件4-3,不同之處在于用CX-5按6.8體積％的濃度替換Inv-Bl。在20mA/cm2的恒定電流下測(cè)試器件4-l、4-2和4-3的亮度和色度(CIEx,y)。使用10,000cd/m2的初始亮度在室溫下測(cè)量器件壽命(初始亮度降低50%所要求的時(shí)間)并將器件性能結(jié)果記錄在表5中。78表5.器件4-l、4-2和4-3的性能數(shù)據(jù)器件主體材料摻雜劑(濃度)Lum.(cd/m2)CIEX,CIEy壽命t5。@80mA/cm2(小時(shí))4-1本發(fā)明Inv-A5Inv-Bl(6.1%)38920.2530,6613,6004-2對(duì)比Inv-A5CX-4(6.1%)1654O.l卯0.5154964-3對(duì)比Inv-A5CX-5(6.8%)22110.3010.635794從表5可以看出，含本發(fā)明主體和摻雜劑材料的本發(fā)明器件4-l具有遠(yuǎn)優(yōu)于器件4-2和4-3的亮度和壽命數(shù)據(jù)，所述器件4-2和4-3具有與器件4-l相同的主體材料，但是使用不同摻雜劑。此外，本發(fā)明器件4-l與對(duì)比器件4-2和4-3相比具有改進(jìn)的綠色。對(duì)比器件4-2和4-3不使用在最少兩個(gè)位置具有氨基取代的發(fā)光蒽化合物，其中至少一個(gè)胺取代在蒽的2位。實(shí)施例ll.器件5-l、5-2、5-3、5-4、5-5和5-6的制造按以下方式構(gòu)造滿足本發(fā)明要求的本發(fā)明EL器件5-1:使用商業(yè)玻璃洗滌器工具將涂有透明ITO導(dǎo)電層的~1.1mm厚的玻璃襯底清洗并干燥。ITO的厚度為大約25nm并且該ITO的薄層電阻為大約68Q/口。隨后用氧化性等離子體處理ITO表面以調(diào)理作為陽(yáng)才及的表面。通過(guò)在RF等離子體處理室中分解CHF3氣體，在清潔的ITO表面上沉積lnm厚的CFx層。隨后將襯底轉(zhuǎn)移至真空沉積室中以在襯底上沉積所有其它的層。采用以下順序，在約10"托真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括NPB的120.2nm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(6體積％)的40nm發(fā)光層；c)25nmA5電子傳輸層；d)5nmPH-l電子注入層(EIL);e)0.5nmLiF的另一個(gè)電子注入層(EIL-2);f)100nm鋁陰極。79之后，將器件連同作為干燥劑的硫酸鈣一起封裝在氮?dú)鈿夥罩?。用和器?-1—樣的方法制備對(duì)比器件5-2，不同之處在于采用以下順序，在約10—6托真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括NPB的110nm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(6體積％)的20nm發(fā)光層；c)35nmlnv-A5的電子傳輸層；d)10nmPH-l電子注入層(EIL);e)0.5nmMC-3的另一個(gè)電子注入層(EIL-2);f)100nm鋁陰才及。用和器件5-l—樣的方法制備對(duì)比器件5-3,不同之處在于省略層d)并采用以下順序，在約10-6托真空下，通過(guò)從加熱舟升華沉積以下層a)包括NPB的llOnm空穴傳輸層；b)包括Inv-A5作為主體和Inv-Bl作為發(fā)光摻雜劑(6體積％)的20nm發(fā)光層；c)45nmInv-A5的電子傳輸層；e)2.0nmMC-3的另一個(gè)電子注入層(EIL-2);f)100nm鋁陰極。用和器件5-3—樣的方法制備對(duì)比器件5-4,不同之處在于層c)包括2.5nmMC-7代替2,0nmMC-3。用和器件5-2—樣的方法制備對(duì)比器件5-5，不同之處在于層d)包括l體積y。Li。用和器件5-5—樣的方法制備對(duì)比器件5-6,不同之處在于省去層e)。在20mA/cm2的恒定電流下測(cè)試器件l-l、5-1、5-2、5-3、5-4、5-5和5-6的亮度、電壓和色度(CIEx,y)并將器件性能結(jié)果記錄在表6中。表6.器件l-l、5-1、5-2、5-3、5-4、5-5和5-6的性能數(shù)據(jù)。器件ETLEILEIL-2Lum.(cd/m2)電壓CIEX,CIEy1-1本發(fā)明A1Q3-LiF4,2817.60.2550.6635-1本發(fā)明A5PH-1LiF6,2584.10.2740.6575-2本發(fā)明A5PH-1MC-35,7393.80.2520.6545-3本發(fā)明A5-MC-36,0003.70.2500細(xì)5-4本發(fā)明A5-MC-75,7503.40.2550.658本發(fā)明-PH-1+l%LiMC-35,8053.60.2520.6555-6本發(fā)明-PH-1+l%Li-5,9493.70.2500.655從表6可以看出，通過(guò)改變ETL材料和ETL器件配置，例如在本發(fā)明器件5畫1、5-2、5-3、5-4、5-5和5-6中那樣,當(dāng)與具有AlQ3作為ETL和LiF作為EIL-2的本發(fā)明器件1-1相比時(shí)，可以提高亮度并且可以降低電壓。本說(shuō)明書引用的專利和其它出版物的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合到本文中來(lái)。已經(jīng)特別參考本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述，但是應(yīng)該理解的是可以在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)作出改變和修改。81部件列表101襯底103陽(yáng)才及105空穴注入層(HIL)107空穴傳輸層(HTL)109發(fā)光層(LEL)110電子傳輸層(ETL)111電子注入層(EIL)112第二電子注入層113陰極150電源160導(dǎo)體權(quán)利要求1.OLED器件，包括陰極、陽(yáng)極和在它們之間的發(fā)光層，其中該發(fā)光層包含(a)2-芳基蒽化合物和(b)在最少兩個(gè)位置具有氨基取代的發(fā)光第二蒽化合物，其中至少一個(gè)胺在該第二蒽化合物的2位取代。2.權(quán)利要求l的器件，其中分段(a)的化合物由以下結(jié)構(gòu)式表示d5d10d4其巾A"代表芳基；和山和(13-(11()可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基。3.權(quán)利要求2的器件，其中d6代表獨(dú)立選擇的芳基。4.權(quán)利要求2的器件，其中d9和dK)代表獨(dú)立選擇的芳基。5.權(quán)利要求2的器件，其中(a)由以下結(jié)構(gòu)式表示[2]其中山和d3-d8可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基；每個(gè)g可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基；和p、r和s獨(dú)立地是0-5。6.權(quán)利要求5的器件，其中(a)由以下結(jié)構(gòu)式表示其中山、(13-(15和(17-(18可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基；每個(gè)g可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基；和p、r、s和t獨(dú)立i也是0-5。7.權(quán)利要求l的器件，其中(b)由以下結(jié)構(gòu)式表示其中Rii和Ri2代表芳基或烷基；山和d3-du)可以相同或不同并且各自代表氫或獨(dú)立選擇的取代基；和山和d3-d1()中至少一個(gè)是帶有兩個(gè)選自烷基或芳基的取代基的另一種氨基。8.權(quán)利要求7的器件，其中d6代表另一個(gè)氨基。9.權(quán)利要求8的器件，其中(b)由以下結(jié)構(gòu)式表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>每個(gè)h可以相同或不同并且各自代表獨(dú)立選擇的取代基，條件是兩個(gè)取代基可以結(jié)合形成環(huán)基；和a-d、i和j獨(dú)立地是0-5。10.權(quán)利要求l的器件，其中(a)包含2,9,10-三芳基蒽化合物，(b)包含N,N,N',N',9,10-六芳基-2,6-蒽二胺化合物。11.權(quán)利要求l的器件，其中(a)包含2,6,9,10-四芳基蒽化合物，(b)包含N,N,N',N',9,10-六芳基-2,6-蒽二胺化合物。12.權(quán)利要求l的器件，其中(a)選自以下<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>A55A56fnv-A57Inv-A58寺Inv-A59lnv-A60Inv-A61f、寺lnv-A62浮』Inv-A63Inv-A64o-o發(fā)oo〉—\Inv-A65Inv-A66Inv-A67o義Inv-A68Inv-A69lnv-A70、JInv-A71Inv-A72lnv-A73A74lnv-A75余<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>hw-A97Inv-A98inv-A99lnv-A100Inv-A1010Inv-A102lnv-A103Inv-A104Inv-A10nv-A106Inv-A107Inv-A108lnv-AJ090〖々a6Inv-AUO》丄"^Inv-Alll種Inv-AH2Inv-A113oInv-AU4Inv-A1150Inv-AU6COA117AU8A119A120》!<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>全文摘要OLED器件包括陰極、陽(yáng)極并具有在它們之間的發(fā)光層，其中該發(fā)光層包含(a)2-芳基蒽化合物和(b)在最少兩個(gè)位置具有氨基取代的發(fā)光第二蒽化合物，其中至少一個(gè)胺在該第二蒽化合物的2位取代。文檔編號(hào)H01L51/00GK101595575SQ200880003575公開日2009年12月2日申請(qǐng)日期2008年1月16日優(yōu)先權(quán)日2007年1月30日發(fā)明者D·Y·康達(dá)科夫,K·P·克盧貝克,L·廖,M·L·里克斯,V·V·賈里科夫,W·J·貝利申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司