專(zhuān)利名稱(chēng)：具有帶橋形網(wǎng)絡(luò)的pcb的插頭/插座系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及插頭/插座系統(tǒng)，尤其涉及包含用于降低插頭/插座系統(tǒng)中的串 擾的橋形網(wǎng)絡(luò)的插頭/插座系統(tǒng)。
2. 相關(guān)技術(shù)描述
在通信行業(yè)中，隨著數(shù)據(jù)傳輸率穩(wěn)定增加，由于插頭和/或插座內(nèi)接近隔 開(kāi)的并行導(dǎo)體之間的電容性和電感性耦合引起的串?dāng)_越來(lái)越成問(wèn)題。已經(jīng)設(shè)計(jì) 出具有改進(jìn)的串?dāng)_性能的模塊化插頭/插座系統(tǒng)以滿(mǎn)足日益苛刻的標(biāo)準(zhǔn)。這些改 進(jìn)的插頭/插座系統(tǒng)中的很多都包括美國(guó)專(zhuān)利No. 5,997,358中披露的概念，該 專(zhuān)利的整個(gè)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。具體地，當(dāng)前的插頭/插座系統(tǒng)引入預(yù)定量 的串?dāng)_補(bǔ)償，以消除冒犯的串?dāng)_。兩個(gè)或更多補(bǔ)償區(qū)被用于解決補(bǔ)償和串?dāng)_之 間的相移。結(jié)果，冒犯串?dāng)_的量值和相位通過(guò)補(bǔ)償偏移，其合計(jì)具有相等的量 值但相反的相位。
最近的傳輸率已經(jīng)超過(guò)美國(guó)專(zhuān)利No. 5,997,358中披露的技術(shù)的能力。因 此，需要改進(jìn)的補(bǔ)償技術(shù)。
概述
提供一種具有多個(gè)區(qū)的插頭/插座系統(tǒng)。這些區(qū)包括接觸區(qū)、補(bǔ)償區(qū)和串
3擾區(qū)。在接觸區(qū)中，在插座彈簧接觸件的插頭/插座接口處，插頭的插頭接觸件 與插座的插座彈簧接觸件相連接。接觸區(qū)提供插頭/插座系統(tǒng)中的串?dāng)_。補(bǔ)償區(qū) 提供補(bǔ)償插頭/插座系統(tǒng)中的串?dāng)_的補(bǔ)償信號(hào)。插座中的串?dāng)_區(qū)增加了附加的相 位延遲串?dāng)_。連接到插座彈簧接觸件的PCB包含串?dāng)_區(qū)。例如可在包含串?dāng)_
區(qū)的PCB中、在設(shè)置在插頭/插座接口和包含串?dāng)_區(qū)的PCB之間的PCB中、 和/或通過(guò)整形插座彈簧接觸件來(lái)提供補(bǔ)償區(qū)。補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中的導(dǎo)體連接到 插座彈簧接觸件。補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中的至少一個(gè)包含第一對(duì)導(dǎo)體和第二對(duì)導(dǎo)體 之間的耦合，可將其建模為橋形網(wǎng)絡(luò)。橋形網(wǎng)絡(luò)包括串?dāng)_電路組件和補(bǔ)償電路 組件，其每一個(gè)都具有不同的耦合速率與頻率關(guān)系。在一個(gè)實(shí)施例中，橋形網(wǎng) 絡(luò)包括在第一對(duì)導(dǎo)體的第一導(dǎo)體和第二對(duì)導(dǎo)體的第一導(dǎo)體之間的串聯(lián)LC電路 以及在第一對(duì)導(dǎo)體的第二導(dǎo)體和第二對(duì)導(dǎo)體的第二導(dǎo)體之間的串聯(lián)LC電路。 橋形網(wǎng)絡(luò)還包括在第一對(duì)導(dǎo)體的第一導(dǎo)體和第二對(duì)導(dǎo)體的第二導(dǎo)體之間的分 路電容器以及在第一對(duì)導(dǎo)體的第二導(dǎo)體和第二對(duì)導(dǎo)體的第一導(dǎo)體之間的分路 電容器。根據(jù)橋形網(wǎng)絡(luò)所處的區(qū)，將橋形網(wǎng)絡(luò)的耦合頻率響應(yīng)斜率設(shè)計(jì)成高于 或低于一階耦合(諸如純電容性耦合)的耦合頻率響應(yīng)斜率。
附圖簡(jiǎn)述
以下參考附圖描述各示例性實(shí)施例。


圖1A和1B是插頭/插座補(bǔ)償系統(tǒng)的簡(jiǎn)化框圖。
圖2示出圖1A和1B的三區(qū)插頭和插座系統(tǒng)的示意模型，僅示出導(dǎo)線(xiàn)3、 4、 5禾口6。
圖3 (i) 、 3 (ii)和3 (iii)示出在補(bǔ)償區(qū)中分別僅具有電容性耦合、僅 具有互感性耦合以及具有橋形網(wǎng)絡(luò)的電路模型示意圖。
圖4 (i) 、 4 (ii)和4 (iii)示出在串?dāng)_區(qū)中分別具有電容性耦合和互感 性耦合、具有串聯(lián)LC電路耦合以及具有橋形網(wǎng)絡(luò)的電路模型示意圖。
圖5A和5B分別是在串?dāng)_區(qū)中工作的網(wǎng)絡(luò)的量值響應(yīng)和相位移位的模擬。
圖6A和6B分別是在補(bǔ)償區(qū)中工作的橋形網(wǎng)絡(luò)和一階耦合的量值響應(yīng)和 相位移位的模擬。
圖7A和7B示出當(dāng)在補(bǔ)償區(qū)中分別使用一階耦合和橋形網(wǎng)絡(luò)時(shí)在各種頻率下RJ45插頭和插座三區(qū)系統(tǒng)的簡(jiǎn)化向量模型。
圖8A和8B示出當(dāng)在串?dāng)_區(qū)中分別使用一階耦合和橋形網(wǎng)絡(luò)時(shí)在各種頻 率下RJ45插頭和插座三區(qū)系統(tǒng)的簡(jiǎn)化向量模型。
圖9是將串?dāng)_區(qū)中的一階耦合和橋形網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行比較的插頭/插座系統(tǒng)中的 近端串?dāng)_的模擬。
圖10是將補(bǔ)償區(qū)中的一階耦合和橋形網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行比較的插頭/插座系統(tǒng)中的 近端串?dāng)_的模擬。
圖IIA和IIB示出在串?dāng)_區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)的10 GbE RJ45插座的近端 串?dāng)_(圖11A)和遠(yuǎn)端串?dāng)_(圖11B)。
圖12A-12F示出導(dǎo)體對(duì)之間的正和負(fù)互感以及針對(duì)每種配置的耦合與頻 率的關(guān)系的模擬。
圖13A和13B示出在橋形網(wǎng)絡(luò)中使用正和負(fù)互感的兩個(gè)實(shí)施例；圖13C 是針對(duì)圖13A和13B中的每種配置的橋形網(wǎng)絡(luò)耦合與頻率的關(guān)系的模擬。
圖14A和14B示出在橋形網(wǎng)絡(luò)中使用正和負(fù)互感的其它實(shí)施例；圖14C 是針對(duì)與電容性耦合比較的圖14A和14B中的每種配置的橋形網(wǎng)絡(luò)耦合與頻 率的關(guān)系的模擬。
圖15示出包含在補(bǔ)償區(qū)中具有負(fù)互感且在串?dāng)_區(qū)具有正互感的串聯(lián)LC 電路的插座。
圖16-19示出具有橋形網(wǎng)絡(luò)的各種插座配置，該橋形網(wǎng)絡(luò)在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_ 區(qū)中包含負(fù)或正互感。
圖20-21示出包含并聯(lián)諧振電路的插座，該并聯(lián)諧振電路在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_ 區(qū)中包含負(fù)或正互感。
圖22-23分別示出具有串?dāng)_向量和補(bǔ)償向量的雙橋形網(wǎng)絡(luò)，其具有不同的 頻率特性。
實(shí)施例的詳細(xì)描述
通信系統(tǒng)中使用的數(shù)據(jù)傳輸率不斷增加。這種增加已經(jīng)增加了插頭/插座 系統(tǒng)中的串?dāng)_。因此，已經(jīng)使用各種方法來(lái)降低系統(tǒng)中的凈串?dāng)_。這些方法之 一包括在插座中提供至少一個(gè)印刷電路板(PCB)以補(bǔ)償串?dāng)_，降低系統(tǒng)中的凈近端串?dāng)_(NEXT)。根據(jù)某些實(shí)施例，降低插頭/插座系統(tǒng)中的凈NEXT還 導(dǎo)致凈遠(yuǎn)端串?dāng)_(FEXT)的降低。
在通信系統(tǒng)中通常使用的一種類(lèi)型的電連接器是RJ45連接器。八導(dǎo)線(xiàn) RJ45插頭/插座系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)引腳配置包含多個(gè)導(dǎo)電對(duì)。這些多個(gè)對(duì)包括橫跨在 中間對(duì)(導(dǎo)體4和5)上的劈分線(xiàn)對(duì)(導(dǎo)體3和6)。由于插頭和插座兩者中 的導(dǎo)體的物理鄰近，引入劈分線(xiàn)對(duì)的信號(hào)電容且電感地耦合至中間對(duì)。在插頭 /插座接口附近引入插座的無(wú)意耦合就是串?dāng)_。其中發(fā)生這種耦合的區(qū)域在下文 中稱(chēng)為接觸區(qū)。
為了補(bǔ)償由以上耦合導(dǎo)致的串?dāng)_，在沿插頭/插座系統(tǒng)的傳輸路徑的不同 區(qū)域中有意地引入不同導(dǎo)體對(duì)之間的電容性和電感性耦合。圖1A和1B示出 插頭/插座系統(tǒng)的不同實(shí)施例的橫截面圖。在圖1A和1B中，在區(qū)A (接觸區(qū)) 中的插座彈簧接觸件的插頭/插座接口處，插頭的插頭接觸件與插座的插座彈簧 接觸件連接。插座彈簧接觸件從插頭/插座接口延伸以連接至包含區(qū)C (在下文 中稱(chēng)為串?dāng)_區(qū))的PCB。 PCB上的導(dǎo)電跡線(xiàn)在插座彈簧接觸件和附連至PCB 的絕緣位移接觸件(IDC)之間延伸。如圖1A所示，區(qū)B (在下文中稱(chēng)為補(bǔ) 償區(qū))設(shè)置在接觸區(qū)和串?dāng)_區(qū)之間?？衫肞CB或附連至插座彈簧接觸件的 各個(gè)元件和/或通過(guò)改變插座彈簧接觸件的形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償區(qū)。根據(jù)至少某些實(shí) 施例的連接器中的PCB可以是剛性PCB、柔性PCB或這兩者的組合。如圖1B 所示，還可將補(bǔ)償區(qū)(區(qū)B，)設(shè)置在包含IDC的PCB中。區(qū)B'在電學(xué)上比串 擾區(qū)(區(qū)C)更接近接觸區(qū)。
如上所述，在接觸區(qū)中無(wú)意地引入了串?dāng)_。在串?dāng)_區(qū)中有意地添加補(bǔ)充串 擾。補(bǔ)償區(qū)引入補(bǔ)償，其補(bǔ)償來(lái)自接觸區(qū)和串?dāng)_區(qū)的組合串?dāng)_。如下文以及美 國(guó)專(zhuān)利No. 7,153,168中更全面地描述的，串?dāng)_區(qū)中增加的串?dāng)_允許插座的補(bǔ)償 區(qū)通過(guò)將相位延遲的串?dāng)_引入插頭/插座系統(tǒng)來(lái)更好地補(bǔ)償接觸區(qū)中的串?dāng)_。盡 管可使用圖1A或1B中示出的任一個(gè)實(shí)施例，但補(bǔ)償區(qū)處的補(bǔ)償?shù)挠行噪S 著越來(lái)越接近接觸區(qū)而增加，這是由于接觸區(qū)中引入的串?dāng)_和補(bǔ)償區(qū)處引入的 補(bǔ)償之間的相位延遲減少。
每個(gè)區(qū)中的耦合被建模為導(dǎo)體之間的網(wǎng)絡(luò)。網(wǎng)絡(luò)包含耦合的導(dǎo)體對(duì)之間的 電路。每個(gè)電路包含一個(gè)或多個(gè)電路元件。導(dǎo)體可包含插座彈簧接觸件或PCB上的導(dǎo)電跡線(xiàn)。補(bǔ)償和串?dāng)_區(qū)的每一個(gè)中的電容性和電感性耦合可由諸如相互 平行的PCB跡線(xiàn)或插座彈簧接觸件之類(lèi)的分布式元件提供，或由插座彈簧接 觸件或跡線(xiàn)之間的各個(gè)物理組件提供。如果電容性和電感性耦合由分布式元件 提供，則可將特定部分中的耦合建模為包含集總元件的電路，只要該部分與要 分析的最大頻率的波長(zhǎng)相比較小即可。 一般而言，該部分的物理尺寸應(yīng)小于使
用該方法的信號(hào)的波長(zhǎng)的約1/20。例如，如果在導(dǎo)體對(duì)之間存在純分布式電容
性耦合或純分布式電感性耦合，則這種耦合可通過(guò)在導(dǎo)體對(duì)之間分別使用單個(gè) 電容器或電感器來(lái)建模。接觸區(qū)包含導(dǎo)體對(duì)之間的分布式互感耦合和分布式電
容性耦合的組合，這導(dǎo)致多個(gè)一階耦合，如圖2所示。諸如純電容性耦合之類(lèi) 的--階耦合的量值具有每10個(gè)單位約20dB的頻率相關(guān)性。集總元件模型適合 于插頭/插座系統(tǒng)的正常工作頻率范圍。因此，將使用集總元件模型描述本文所 討論的各電路的電路元件。
圖2示出圖1A和1B的三區(qū)插頭/插座系統(tǒng)的示意模型，為清楚起見(jiàn)僅示 出導(dǎo)線(xiàn)3、 4、 5和6。三個(gè)區(qū)中的每一個(gè)包括電容性和電感性電路元件，在補(bǔ) 償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中示為包含網(wǎng)絡(luò)的框。接觸區(qū)包括來(lái)自插頭導(dǎo)線(xiàn)和接觸件(圖1A 中的U2)的電容性和電感性耦合、由從插頭/插座接口延伸至插座彈簧接觸件 遠(yuǎn)離PCB的一端的插座彈簧接觸件(圖1A中的114)導(dǎo)致的電容性耦合、以 及來(lái)自從插頭/插座接口向PCB延伸的插座彈簧接觸件(圖1A中的116)的電 容性和電感性耦合。這些元件被示為導(dǎo)體3和4之間以及導(dǎo)體6和5之間的電 容性和互感耦合。電容和互感的每一個(gè)的量在兩個(gè)耦合對(duì)之間可以是不同的。 在補(bǔ)償和串?dāng)_區(qū)中的導(dǎo)體之間可存在類(lèi)似的耦合。
圖2的接觸區(qū)中示出的耦合是一階耦合。盡管在補(bǔ)償和串?dāng)_區(qū)中使用類(lèi)似 的一階耦合可提供減少串?dāng)_的某些能力，但這些耦合在串?dāng)_降低方面存在限 制?？刹捎闷渌W(wǎng)絡(luò)來(lái)更好地降低串?dāng)_。具體地，可在補(bǔ)償和/或串?dāng)_區(qū)中使用 具有多個(gè)頻率相關(guān)耦合的橋形網(wǎng)絡(luò)，以提供補(bǔ)償和串?dāng)_耦合。
橋形網(wǎng)絡(luò)的一個(gè)實(shí)施例包含在兩組導(dǎo)體對(duì)之間的串聯(lián)電感和電容(即串聯(lián) LC電路)以及其它兩組導(dǎo)電對(duì)之間的分路電容。橋形網(wǎng)絡(luò)的該實(shí)施例被建模 為串?dāng)_配置中的兩個(gè)串聯(lián)LC電路(一個(gè)在導(dǎo)體對(duì)3-4之間且另一個(gè)在導(dǎo)體對(duì) 5-6之間)以及補(bǔ)償配置中的兩個(gè)分路電容器(一個(gè)在導(dǎo)體對(duì)3-5之間且另一
7個(gè)在導(dǎo)體對(duì)4-6之間)?？稍谘a(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中的任一個(gè)或兩者中使用橋形網(wǎng) 絡(luò)。
將橋形網(wǎng)絡(luò)與一階耦合作比較橋形網(wǎng)絡(luò)的頻率響應(yīng)斜率是可調(diào)的且可更 高或更低，橋形網(wǎng)絡(luò)的相移隨著頻率更大程度地變化，且可根據(jù)需要設(shè)計(jì)橋形 網(wǎng)絡(luò)的諧振頻率。類(lèi)似地，將橋形網(wǎng)絡(luò)與串?dāng)_配置中單獨(dú)的串聯(lián)LC電路作比 較可更靈活地調(diào)節(jié)橋形網(wǎng)絡(luò)的頻率響應(yīng)斜率，橋形網(wǎng)絡(luò)的相移隨著頻率更大 程度地變化，且橋形網(wǎng)絡(luò)中使用的電感能夠較小，這允許PCB上提供電感的 跡線(xiàn)的物理布局能在大小上減小。橋形網(wǎng)絡(luò)的使用允許插頭/插座系統(tǒng)的串?dāng)_響 應(yīng)的頻率整形改進(jìn)。
圖3和4分別示出補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中的網(wǎng)絡(luò)的各實(shí)施例的SPICE(以集成 電路為重點(diǎn)的模擬程序)電路模型示意圖。如上所述，在一個(gè)實(shí)施例中，圖3 和4中的每個(gè)網(wǎng)絡(luò)可由PCB上的跡線(xiàn)提供，且跡線(xiàn)之間的耦合被表示為各個(gè) 電路元件。更具體地，圖3 (i)禾B 3 (ii)示出在補(bǔ)償區(qū)中在導(dǎo)體3和5之間 以及在導(dǎo)體4和6之間分別使用純電容性耦合或純互感耦合。這些耦合中的每 -個(gè)由每對(duì)的導(dǎo)體之間的單個(gè)元件建模，電容器(C。,和Cc2)或互感器(Mcl 和Md)。圖4 (i)示出在串?dāng)_區(qū)中耦合導(dǎo)體3和4以及耦合導(dǎo)體5和6的電
容器(Cx"和Cxt2)和互感器(Mxt!和Mxt2)的組合，而圖4 (ii)示出在串?dāng)_
區(qū)中導(dǎo)體3和4之間以及導(dǎo)體5和6之間的串聯(lián)電感器-電容器(LC)電路。
圖4 (ii)中的每對(duì)導(dǎo)體之間的串聯(lián)LC電路包含在導(dǎo)體對(duì)3和4之間與自
感L^串聯(lián)的電容器Q,。同樣，在導(dǎo)體對(duì)5和6之間C"與I^串聯(lián)。串聯(lián)LC 電路的諧振頻率=1/(2"*7^)。在低于諧振頻率的頻率下，由串聯(lián)LC電路提
供的耦合作為頻率的函數(shù)而增加。在高于諧振頻率的頻率下，由串聯(lián)LC電路 提供的耦合作為頻率的函數(shù)而降低。
圖3 (iii)和4 (iii)分別示出補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中的橋形網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施例。 如圖所示，橋形網(wǎng)絡(luò)包括與分路電容結(jié)合的一對(duì)串聯(lián)LC電路。 一個(gè)串聯(lián)LC 電路(圖3 (iii)中的Lu和d,以及圖4 (iii)中的Lx!和Cxi)在串?dāng)_配置中 連接在導(dǎo)體3和4之間，且另一個(gè)串聯(lián)LC電路(圖3 (iii)中的L。和C,2以 及圖4 (m)中的U2和Cx2)在串?dāng)_配置中連接在導(dǎo)體5和6之間。此外，一 個(gè)分路電容器(圖3 (iii)中的Cn以及圖4 (iii)中的Cx3)在補(bǔ)償配置中連接在導(dǎo)體3和5之間，且另一個(gè)分路電容器(圖3 (iii)中的d4以及圖4 (iii) 中的Cx4)在補(bǔ)償配置中連接在導(dǎo)體4和6之間。在圖3 (iii)的一個(gè)實(shí)施例中， 電容器C,3和Cw彼此相同，且其電容值比電容器C"和Cu要大，電容器Cn
和Cu也是彼此相同的。在圖4 (iii)的一個(gè)實(shí)施例中，電容器Cx3和Cx4彼此 相同，但其電容值比電容器Qd和C^要小，電容器Qd和Cx2也是彼此相同的。
例如當(dāng)接觸區(qū)向量和串?dāng)_區(qū)向量相對(duì)于補(bǔ)償區(qū)向量不平衡時(shí)，如圖8A所示， 橋形網(wǎng)絡(luò)可實(shí)現(xiàn)在串?dāng)_區(qū)中，如圖4 (iii)所示。當(dāng)接觸向量和串?dāng)_向量的量 值不相等時(shí)和/或當(dāng)補(bǔ)償向量與接觸向量和串?dāng)_向量之間的相位差不相等時(shí)，可 能發(fā)生這種情況。
單獨(dú)的串聯(lián)LC電路和橋形網(wǎng)絡(luò)的電容和電感可被設(shè)計(jì)成使得單獨(dú)的串聯(lián) LC電路和橋形網(wǎng)絡(luò)在低頻(例如小于約100 MHz)下在耦合中不起重要作用， 但由于串聯(lián)電感器的存在而在較高頻率(例如大于約100 MHz)下起不斷增加 的顯著作用。作為示例，圖5A和5B示出在RJ45插頭/插座系統(tǒng)的串?dāng)_區(qū)中的 不同網(wǎng)絡(luò)的響應(yīng)。更具體地，圖5A和5B分別比較一階耦合(僅有電容)、 串聯(lián)LC電路(如圖4 (ii)所示)以及串?dāng)_區(qū)中的橋形網(wǎng)絡(luò)(如圖4 (iii)所 示)的量值和相移。在一階耦合和串聯(lián)LC電路的模擬中使用的電容是lpF。 在橋形網(wǎng)絡(luò)的模擬中使用的每個(gè)串?dāng)_電容(即橋形網(wǎng)絡(luò)的LC串聯(lián)電路中的電 容)是lpF，且每個(gè)補(bǔ)償電容(即，橋形網(wǎng)絡(luò)中的分路電容)是2pF。在串聯(lián) LC電路和橋形網(wǎng)絡(luò)的模擬中使用的每個(gè)電感是20nH。給出的電容和電感值用 于低頻(低于約50MHz)。插頭/插座系統(tǒng)的特征工作頻率范圍在圖5A和5B 中被表示為題為"感興趣的區(qū)域"的虛線(xiàn)區(qū)，且從約200MHz延伸至約500MHz。 在圖5A的圖中， 一階耦合響應(yīng)在感興趣的區(qū)域中的斜率是每10個(gè)單位約 20dB。串聯(lián)LC電路具有約l.lGHz的諧振。在諧振之下，串聯(lián)LC電路的響 應(yīng)的斜率約為每10個(gè)單位25dB。諧振之下橋形網(wǎng)絡(luò)的響應(yīng)斜率(約為每10 個(gè)單位30dB)比串聯(lián)LC電路的響應(yīng)斜率更大。
在圖5B中示出在串?dāng)_區(qū)中作為頻率的函數(shù)的一階耦合、串聯(lián)LC電路和 橋形網(wǎng)絡(luò)的相移。在感興趣的區(qū)域中一階耦合和串聯(lián)LC電路的相移幾乎相同。 在感興趣的區(qū)域中，相比于無(wú)論一階耦合還是串聯(lián)LC電路的相移，橋形網(wǎng)絡(luò) 的相移隨頻率更大程度地變化。當(dāng)補(bǔ)償插頭/插座系統(tǒng)時(shí)，可利用橋形網(wǎng)絡(luò)所表現(xiàn)出的相比于一階耦合或串聯(lián)LC電路的量值和相移差別。這點(diǎn)利用圖7和8
的向量圖更詳細(xì)地示出且在下文中更詳細(xì)地描述。
在圖6A和6B中分別示出在RJ45插頭/插座系統(tǒng)的補(bǔ)償區(qū)中工作的網(wǎng)絡(luò) 的量值響應(yīng)和相移。具體地，圖6A和6B分別示出橋形網(wǎng)絡(luò)(圖3 (iii)中所 示)和一階(電容性)耦合(圖3 (i)中所示)的量值響應(yīng)和相移。在圖6A 和6B的模擬中使用的電路元件的值與圖5A和5B中使用的相同，除了橋形網(wǎng) 絡(luò)的模擬中使用的每個(gè)串?dāng)_電容是2pF且每個(gè)補(bǔ)償電容是lpF。圖6A中所示 的一階耦合響應(yīng)的量值具有每10個(gè)單位約20dB的斜率。在感興趣的區(qū)域中的 橋形網(wǎng)絡(luò)的量值小于一階耦合的量值，且其斜率從在感興趣的區(qū)域的下端處的 每10個(gè)單位20 dB變化到在感興趣的區(qū)域的上端處的每10個(gè)單位約0 dB。如 圖6B所示，在感興趣的區(qū)域中，相比于一階耦合的相移，橋形網(wǎng)絡(luò)的相移隨 著頻率更大程度地變化。能夠更精確地調(diào)整橋形網(wǎng)絡(luò)的量值和相移，從而比一 階耦合或串聯(lián)LC電路更好地補(bǔ)償串?dāng)_。
圖7和8示出三區(qū)插頭/插座系統(tǒng)的向量模型。來(lái)自接觸區(qū)、補(bǔ)償區(qū)和串 擾區(qū)的補(bǔ)償和串?dāng)_可被分析為一組頻率相關(guān)的向量，該組向量與基準(zhǔn)平面(標(biāo) 定位于補(bǔ)償區(qū)的有效中心)分開(kāi)有相位差。相位差取決于耦合之間的物理距離， 且還取決于信號(hào)傳播通過(guò)的材料。接觸區(qū)包含多個(gè)串?dāng)_項(xiàng)，它們可組合以形成 具有量值和相位的單個(gè)串?dāng)_向量。來(lái)自接觸區(qū)的串?dāng)_和來(lái)自串?dāng)_區(qū)的串?dāng)_與來(lái) 自補(bǔ)償區(qū)的補(bǔ)償均相比具有相位差。來(lái)自這三個(gè)區(qū)的向量可相加在一起以計(jì)算 頻率相關(guān)串?dāng)_。
圖7和8的向量模型分別將在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中實(shí)現(xiàn)的一階耦合與橋形網(wǎng) 絡(luò)進(jìn)行比較。在不同的頻率下示出向量的相對(duì)量值。注意這些圖示出在感興趣 的區(qū)域上向量彼此相對(duì)的量值、向量隨頻率增加的絕對(duì)量值。在圖7和8中， 低頻指的是低于約50MHz的頻率，中頻指的是在約50MHz和200MHz之間的 頻率，且高頻指的是高于約200MHZ的頻率。在不同的頻率下示出向量的相對(duì) 量值。
將圖7A中的補(bǔ)償區(qū)中的一階耦合實(shí)現(xiàn)與圖7B中的補(bǔ)償區(qū)中的橋形網(wǎng)絡(luò) 實(shí)現(xiàn)進(jìn)行比較。圖7A和7B的向量圖假設(shè)插頭/插座系統(tǒng)是平衡的，即來(lái)自接 觸區(qū)的補(bǔ)償和串?dāng)_之間的相位角差與來(lái)自串?dāng)_區(qū)的補(bǔ)償和串?dāng)_之間的相位角差相同，且接觸區(qū)中的串?dāng)_的量值與串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_的量值相同。串?dāng)_分量在
圖7A和7B中由指向下的向量示出(圖7A中的710、 711、 712、 720、 721、 722以及圖7B中的750、 751、 752、 760、 761、 762)。串?dāng)_向量關(guān)于0。對(duì)稱(chēng) (在圖7和8中將補(bǔ)償區(qū)作為基準(zhǔn)平面)，如圖7A中的角度化、cp2、 cp3和圖 7B中的角度(P4、 (p5、 (P6所示。這些角度表示補(bǔ)償區(qū)與接觸和串?dāng)_區(qū)之間的相 位差。在圖7A中，接觸區(qū)中的串?dāng)_向量720、 721、 722的相對(duì)量值分別是Aml、 Am2、 Am3，且串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_向量710、 711、 712的相對(duì)量值分別是Cm,、 Cm2、 Cm3。類(lèi)似地，在圖7B中，接觸區(qū)中的串?dāng)_向量760、 761、 762的相對(duì)量值分 別是Am4、 Am5、 Am6，且串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_向量750、 751、 752的相對(duì)量值分別 是Cw、 Cm5、 Cm6。串?dāng)_向量的相對(duì)量值和角度隨著頻率而增加。因此，在圖 7A中，cp, < (P2 < 93 i(Aml=Cml) < (Am2=Cm2) < (Am3=Cm3)，以及在圖7B中，cp4 < cp5 < (p6 i(Am4=Cm4) < (Am5=Cm5) < (Am6=Cm6)。
提供補(bǔ)償區(qū)中的補(bǔ)償以補(bǔ)償插頭/插座系統(tǒng)中的串?dāng)_。來(lái)自補(bǔ)償區(qū)的補(bǔ)償 向量(圖7A中的730、 731、 732和圖7B中770、 771、 772)的極性與串?dāng)_向 量的合成的極性相反。合成向量(圖7A中的740、 741、 742和圖7B中780、 781、 782)是串?dāng)_和補(bǔ)償向量的組合。因此，合成向量表示補(bǔ)償后插頭/插座系 統(tǒng)中剩余的串?dāng)_。在圖7A和7B中所示的頻率范圍上的特定頻率上每一對(duì)串 擾向量(圖7A中的710和720、 711和721、 712和722，以及圖7B中的750 和760、 751和761、 752和762)與基準(zhǔn)平面所成角度相同。在每個(gè)頻率下來(lái) 自串?dāng)_和接觸區(qū)的串?dāng)_向量——即710和720、 711和721、 712和722、 750 和760、 751和761、 752和762——的sine cp分量(即圖7A和7B中的水平分 量)相互抵消，僅留下cosine cp分量(即圖7A和7B中的垂直分量)。因此， 合成向量與補(bǔ)償向量疊加在補(bǔ)償向量上(即，在圖7A中740疊加在730上， 741疊加在731上，742疊加在732上，在圖7B中780疊加在770上，781疊 加在771上，782疊加在772上)。在圖7A中，補(bǔ)償和串?dāng)_向量的量值單獨(dú) 隨頻率以約每10個(gè)單位20dB的速率增加。這導(dǎo)致合成向量隨頻率相對(duì)較快速 地增加，因?yàn)檠a(bǔ)償向量比來(lái)自串?dāng)_和接觸區(qū)的串?dāng)_向量的cosine cp分量增加更
快。因此，在不使用橋形網(wǎng)絡(luò)的情況下，插頭/插座系統(tǒng)中的串?dāng)_基本上隨著增 加的頻率而增加。
11圖7B的向量圖示出在補(bǔ)償區(qū)中采用橋形網(wǎng)絡(luò)的插頭/插座系統(tǒng)。圖7B中 的向量類(lèi)似于圖7A中的向量。然而，在圖7B所示的插頭/插座系統(tǒng)中，補(bǔ)償 向量770、 771、 772以小于每10個(gè)單位20 dB的速率隨頻率增加，即小于各 個(gè)串?dāng)_向量750、 751、 760、 761、 752、 762的速率。補(bǔ)償向量770、 771、 772 的增加與相應(yīng)的串?dāng)_向量750和760、 751和761、 752和762的組合cosine cp 分量的增加更好地匹配。合成向量仍不具有相移，但與圖7A的插座相比隨頻 率增加較少。
在圖8A中示出在不同頻率下RJ45插頭和插座三區(qū)系統(tǒng)的簡(jiǎn)化向量模型， 其中一階耦合實(shí)現(xiàn)在串?dāng)_區(qū)中，并且在圖8B中示出其中橋形網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)在串?dāng)_ 區(qū)中的向量模型。與圖7A和7B的向量圖不同，圖8A和8B的向量圖假設(shè)插 頭/插座系統(tǒng)不平衡。在補(bǔ)償和來(lái)自接觸區(qū)的串?dāng)_之間的相位角差與在補(bǔ)償和來(lái) 自串?dāng)_區(qū)的串?dāng)_之間的相位角差不相同。如圖8A中的角度(e)所示，串?dāng)_區(qū)
串?dāng)_與補(bǔ)償?shù)南嘁菩∮诮佑|區(qū)串?dāng)_與補(bǔ)償?shù)南嘁?即，e, > e2， e3 > e4， e5 > e6)。 在圖8A中的接觸區(qū)中的串?dāng)_和串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_也不具有相同的量值；接觸區(qū)
中的串?dāng)_的量值大于串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_的量值(即，Anl>Cnl、 An2>Cn2、 An3>
cn3)。
在圖8A中，類(lèi)似于圖7A，各個(gè)串?dāng)_向量810、 811、 812、 820、 821、 822 的量值以大約每10個(gè)單位20dB的速率隨頻率增加(即，An3 > An2 〉 Anl且Cn3 > Cn2 > Cnl)。補(bǔ)償向量830、 831、 832的量值也相應(yīng)地以約每10個(gè)單位約20dB 的速率隨頻率增加。由于不平衡，合成向量840、 841、 842不與補(bǔ)償向量830、 831、 832疊加。因此，由于串?dāng)_向量810和820、 811和821、 812和822的增 加的相位失配，合成向量840、 841、 842的量值和相位延遲隨著增加的頻率而 增大。
如圖8B所示，在串?dāng)_區(qū)中采用橋形網(wǎng)絡(luò)減少合成向量的相對(duì)量值。與圖 8A不同，圖8B中插頭/插座系統(tǒng)被有效地平衡，g卩，在接觸區(qū)中引入的串?dāng)_ 向量860、 861、 862和在串?dāng)_區(qū)中引入的串?dāng)_向量850、 851、 852具有相等的 相對(duì)量值(即，An4 = Cn4， An5 = Cn5， An6 = Cn6)以及相對(duì)于補(bǔ)償區(qū)的相位差。 隨著頻率增加，由于如圖8B所示的橋形網(wǎng)絡(luò)引起的串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_向量850、 851、 852的相對(duì)量值的增加速率大于由于如圖8A所示的一階耦合引起的串?dāng)_區(qū)中的串?dāng)_向量810、 811、 812的相對(duì)量值。在串?dāng)_區(qū)中實(shí)現(xiàn)橋形網(wǎng)絡(luò)的插頭/插座系統(tǒng)中的合成向量880、 881、 882的相對(duì)量值因此隨頻率增加的速率小于在串?dāng)_區(qū)中實(shí)現(xiàn)一階耦合的插頭/插座系統(tǒng)。
在圖9中，將串?dāng)_區(qū)中實(shí)現(xiàn)的一階耦合和橋形網(wǎng)絡(luò)的SPICE模擬與NEXT極限(ANSI/TIA/EIA-568B.2-1標(biāo)準(zhǔn))進(jìn)行比較。在模擬中，在約lOOMHz以下，在串?dāng)_區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)910的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT和在串?dāng)_區(qū)中具有一階耦合920的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT幾乎相同。在約lOOMHz和220MHz之間，在串?dāng)_區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)910的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT略微大于在串?dāng)_區(qū)中具有一階耦合920的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT。在約250MHz和lGHz之間，在串?dāng)_區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)910的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT顯著小于在串?dāng)_區(qū)中具有一階耦合920的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT。具體地，具有橋形網(wǎng)絡(luò)910的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT和具有一階耦合920的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT之間的差在約500 MHz下增加到15-20dB。具有橋形網(wǎng)絡(luò)910和一階耦合920兩者的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT對(duì)于低于約400MHz的頻率低于NEXT極限930。在400MHz以上，具有一階耦合920的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT超過(guò)NEXT極限930，而具有橋形網(wǎng)絡(luò)910的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT保持低于NEXT極限930。通過(guò)在插頭/插座系統(tǒng)的正常操作范圍的串?dāng)_區(qū)中使用橋形網(wǎng)絡(luò)，在一階耦合上改進(jìn)了 RJ45插座的帶寬和NEXT余量(插頭/插座系統(tǒng)中的NEXT和NEXT極限之間的差)。
在圖IO中，將補(bǔ)償區(qū)中實(shí)現(xiàn)的一階耦合和橋形網(wǎng)絡(luò)的SPICE模擬與NEXT極限進(jìn)行比較。如同圖9的模擬中，在約lOOMHz以下，在補(bǔ)償區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)1010的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT和在補(bǔ)償區(qū)中具有一階耦合1020的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT幾乎相同。在約lOOMHz和200MHz之間，在補(bǔ)償區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)1010的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT略微大于在補(bǔ)償區(qū)中具有一階耦合1020的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT。在約200MHz和600MHz之間，在補(bǔ)償區(qū)中具有橋形網(wǎng)絡(luò)1010的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT顯著小于在補(bǔ)償區(qū)中具有一階耦合1020的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT。具體地，具有橋形網(wǎng)絡(luò)1010的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT和具有一階耦合1020的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT之間的差在約500 MHz下增加到23-24dB。具有橋形網(wǎng)絡(luò)1010和一階耦合1020兩者的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT對(duì)于低于約400MHz的頻率低于NEXT極限1030。在400MHz以上，具有一階耦合1020的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT超過(guò)NEXT極限1030，而具有橋形網(wǎng)絡(luò)1010的插頭/插座系統(tǒng)的NEXT保持低于NEXT極限1030。如上所述，通過(guò)在插頭/插座系統(tǒng)的正常操作范圍的串?dāng)_區(qū)中使用橋形網(wǎng)絡(luò)，在一階耦合上改進(jìn)了RJ45插座的帶寬和NEXT余量(插頭/插座系統(tǒng)中的NEXT和NEXT極限之間的差)。
圖IIA和11B分別示出在串?dāng)_區(qū)中具有一階耦合的插頭/插座系統(tǒng)以及在串?dāng)_區(qū)中采用橋形網(wǎng)絡(luò)的插頭/插座系統(tǒng)的近端串?dāng)_(NEXT)和遠(yuǎn)端串?dāng)_(FEXT)測(cè)量。在兩種情形中，使用具有由TIA568b定義的"中間插頭"規(guī)范的性能級(jí)別的RJ45插頭。如圖11A所示，在超過(guò)約300MHz的頻率下，利用橋形網(wǎng)絡(luò)1120的插座的NEXT性能比利用一階耦合1110的插座的NEXT性能好。對(duì)于低于約400MHz的頻率，具有橋形網(wǎng)絡(luò)1120和具有一階耦合1110的插座的NEXT性能低于10G NEXT要求1130，而對(duì)于高于約400MHz的頻率，只有具有橋形網(wǎng)絡(luò)1120的插座的NEXT性能低于IOGNEXT要求1130。在圖11B中，盡管對(duì)于低于約500MHz的頻率具有橋形網(wǎng)絡(luò)1150和具有一階耦合 1140 的插座的FEXT性能低于 10G FEXT要求 1160(ANSI/TIA/EIA-568B.2-1標(biāo)準(zhǔn))，但在高于2MHz的所有頻率上具有橋形網(wǎng)絡(luò)1150的插座的FEXT性能比具有一階耦合1140的插座的FEXT性能好。
除以上示出的的網(wǎng)絡(luò)配置外，還可使用其它網(wǎng)絡(luò)配置。例如，可將諸如自感元件之類(lèi)的電感器用作橋形網(wǎng)絡(luò)中的串?dāng)_電路組件(例如在導(dǎo)體3和4之間以及5和6之間)。圖12-21示出可使用的其它網(wǎng)絡(luò)。
圖12A和12B示出在每對(duì)導(dǎo)體之間的耦合中使用負(fù)互感和正互感。這些
圖之間的唯一差別是L2的連接是顛倒的，使得圖12A具有負(fù)互感而圖12B具
有正互感。在這些圖中，每對(duì)導(dǎo)體之間的耦合包括與電感器串聯(lián)的電容器。電
感器的互感M隨著互耦合常數(shù)K而改變。K在0和1之間改變(即，0 ^ K S 1 )。
在圖12A和12B中，每個(gè)電容器是lpF，且每個(gè)電感器U,、 Ls2、 Ls3、 Ls4的自
感U是20nH。在圖12A中的每個(gè)電感器的電感改變，使得= Lsl + M = Ls +M且L2 = Ls2+ M = Ls + M，其中M = -/c**Zs2 = -A:* ￡、，使得L, = L2 =
(1-K)*LS。因此，當(dāng)K二0時(shí)，M二O且L, =L2 = 20nH。當(dāng)K接近1時(shí)，M接近-Ls，且每個(gè)電感器的凈電感(Ls+M)歸為0。因此，當(dāng)K接近1時(shí)，每對(duì)導(dǎo)體之間的串聯(lián)LC電路的響應(yīng)接近僅有理想的電容性耦合的響應(yīng)。類(lèi)似地，圖12B中的電感器改變，使得M:K承Ls且L3 = L4 = (1+K)*LS。因此，當(dāng)K接近1時(shí)，M接近Ls， iL3 = L4 = 2Ls。
圖12C-12F是利用圖12A和12B中所示的電路的耦合的模擬。更具體地，圖12C是圖12A的配置的模擬，而圖12D是在約200MHz和500MHz之間的感興趣的區(qū)域中圖12C的放大。類(lèi)似地，圖12E是圖12B的配置的模擬，而圖12F是在感興趣的區(qū)域中圖12E的放大。如圖12C和12D所示，隨著負(fù)互感的量增加，在感興趣的區(qū)域內(nèi)的所有頻率下耦合減少。如圖12E和12F所示，隨著正互感的量增加，在感興趣的區(qū)域內(nèi)的所有頻率下耦合增加。
圖13A和13B示出在橋形網(wǎng)絡(luò)中使用負(fù)互感和正互感。圖13A的橋形網(wǎng)絡(luò)具有負(fù)互感，且圖13B的橋形網(wǎng)絡(luò)具有正互感。如在圖12A和12B的串聯(lián)LC電路中，橋形網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)LC電路中的每個(gè)電感器的自感是20nH。每個(gè)串聯(lián)LC電路中的電容是lpF，且每個(gè)分路電容器具有2pF的電容。圖13C是示出利用負(fù)互感(圖13A)或正互感(圖13B)的橋形網(wǎng)絡(luò)中的耦合的模擬。如圖13C所示，相比于使用負(fù)互感，使用正互感將200-500MHz頻率范圍中的耦合量更大程度地降低。
圖14A和14B分別示出具有負(fù)互感和正互感的橋形網(wǎng)絡(luò)。如在圖13A和13B的串聯(lián)LC電路中，橋形網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)LC電路中的每個(gè)電感器的自感是20nH。然而與圖13A和13B的配置不同，每個(gè)串聯(lián)LC電路中的電容是2pF，且每個(gè)分路電容器具有l(wèi)pF的電容。圖14C是示出利用負(fù)互感(圖14A)或正互感(圖14B)的橋形網(wǎng)絡(luò)中的耦合的模擬。如圖14C所示，相比于使用負(fù)互感，使用正互感將200-500MHz頻率范圍中的耦合量更大程度地增加。圖13和14之間的耦合量的差是各圖之間串聯(lián)LC電路電容和分路電容之間的相對(duì)差的結(jié)果。
圖15-23示出利用負(fù)或正互感的各種多區(qū)配置。可在補(bǔ)償和串?dāng)_區(qū)之一或兩者中實(shí)現(xiàn)互感。如果在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)兩者中使用互感，則互感可在兩個(gè)區(qū)中為負(fù)或正，或者在一個(gè)區(qū)中為負(fù)而在另一個(gè)區(qū)中為正。圖15-19示出三區(qū)插座的實(shí)施例，其中在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中采用串聯(lián)LC電路。圖20和21示出三區(qū)插座的實(shí)施例，其中在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)中采用并聯(lián)諧振電路。每個(gè)并聯(lián)諧振電路包含電感器和電容器的并聯(lián)組合。如同串聯(lián)LC電路配置一樣，并聯(lián)諧振電路可以在補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)之一中或在兩個(gè)區(qū)中，且可單獨(dú)使用自感或可包括
互感。圖20和21的實(shí)施例中的每個(gè)并聯(lián)諧振電路中的電感器包含互感。每對(duì)導(dǎo)體之間的耦合包含與阻塞電容器串聯(lián)的并聯(lián)諧振電路。 一般而言，可在插座的不同區(qū)或同一區(qū)中使用并聯(lián)諧振電路和串聯(lián)LC電路的組合。圖22和23示出包含互感的雙重橋形網(wǎng)絡(luò)。如圖7和8所示且如上所述，每個(gè)橋形網(wǎng)絡(luò)提供一向量(補(bǔ)償或串?dāng)_)，該向量取決于橋形網(wǎng)絡(luò)的配置和橋形網(wǎng)絡(luò)內(nèi)各元件的值。雙重橋形網(wǎng)絡(luò)提供雙重橋形網(wǎng)絡(luò)向量，其相對(duì)量值在與感興趣的區(qū)域中的橋形網(wǎng)絡(luò)向量的相對(duì)量值相反的方向上隨頻率改變。因此，例如，如果特定橋形網(wǎng)絡(luò)提供串?dāng)_向量，其相對(duì)量值在感興趣的區(qū)域中隨頻率增加而增加，則雙重特定橋形網(wǎng)絡(luò)提供雙重串?dāng)_向量，其相對(duì)量值隨頻率增加而降低。
在補(bǔ)償區(qū)和/或串?dāng)_區(qū)中使用橋形網(wǎng)絡(luò)可增強(qiáng)插座的串?dāng)_性能。每個(gè)橋形網(wǎng)絡(luò)可包括一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)LC電路和/或一個(gè)或多個(gè)并聯(lián)諧振電路。在橋形網(wǎng)絡(luò)中的電感器可包括自感和/或互感?？衫肞CB上的跡線(xiàn)、分立組件和/或通過(guò)整形插座彈簧接觸件來(lái)提供橋形網(wǎng)絡(luò)?？赏ㄟ^(guò)在PCB中使用高磁導(dǎo)率材料或具有頻率相關(guān)性的材料來(lái)增強(qiáng)包含橋形網(wǎng)絡(luò)的PCB的材料特性?？蓪⒚總€(gè)橋形網(wǎng)絡(luò)中的電路設(shè)置在各種串?dāng)_和補(bǔ)償配置中，且可選擇電路中的電路元件的值以提供期望的插座特性。
1權(quán)利要求
1.一種在通信系統(tǒng)的插頭-插座組合中使用的插座，所述插座包括插頭接口接觸件，用于與插頭接觸件形成電連接；近端串?dāng)_區(qū)，包括提供具有第一量值的第一補(bǔ)償耦合的第一補(bǔ)償結(jié)構(gòu)以及提供具有第二量值的第二補(bǔ)償耦合的第二補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，所述第一量值和所述第二量值之比隨頻率改變；以及補(bǔ)償區(qū)，其位于所述插座的信號(hào)路徑中的所述插頭接口接觸件和所述近端串?dāng)_區(qū)之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的插座，其特征在于，在所述插座的任何正常工作 頻率下，所述第一補(bǔ)償耦合和所述第二補(bǔ)償耦合之一的量值大于所述第一補(bǔ)償 耦合和所述第二補(bǔ)償耦合中的另一個(gè)的量值。
3. 如權(quán)利要求1所述的插座，其特征在于，所述第一補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和所述第 二補(bǔ)償結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)包括電感器和電容器的組合。
4. 如權(quán)利要求1所述的插座，其特征在于，所述第一補(bǔ)償耦合和所述第 二補(bǔ)償耦合具有相反的極性，所述第二補(bǔ)償耦合的極性提供串?dāng)_，所述第一補(bǔ) 償耦合的極性提供補(bǔ)償，且所述第二量值與所述第一量值之比隨著輸入到所述 插座的信號(hào)的頻率增加而增加。
5. 如權(quán)利要求2所述的插座，其特征在于，所述較大量值與所述較小量 值之比隨著頻率增加。
6. 如權(quán)利要求1所述的插座，其特征在于，所述第一補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的功能與 所述第二補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的功能無(wú)關(guān)。
全文摘要
提供一種具有補(bǔ)償區(qū)和串?dāng)_區(qū)的插座。各區(qū)中的至少一個(gè)采用橋形網(wǎng)絡(luò)，其耦合該區(qū)中的導(dǎo)體以減少插頭/插座系統(tǒng)中的凈串?dāng)_。橋形網(wǎng)絡(luò)的頻率響應(yīng)斜率與一階耦合或串聯(lián)LC電路耦合的頻率響應(yīng)斜率不同。提供了各種橋形網(wǎng)絡(luò)。
文檔編號(hào)H01R24/00GK101641842SQ200880009102
公開(kāi)日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2008年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月20日
發(fā)明者M·鮑婁瑞-撒蘭薩, R·A·諾丁, W·C·菲特 申請(qǐng)人:泛達(dá)公司