專利名稱：粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法、存儲介質(zhì)、基板處理系統(tǒng)和基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法、存儲介質(zhì)、基板 處理系統(tǒng)和基板處理方法，特別涉及向?qū)鍖?shí)施成膜處理的成膜裝 置中供給粉體狀物質(zhì)源的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，作為對用作基板的晶片實(shí)施成膜處理的基板處理
系統(tǒng)，公知有使用粉末狀的固體源，例如使用粉末狀的羰基鎢(tungsten carbonyl) (W(CO)6)。該基板處理系統(tǒng)包括收容固體源的容器(安瓿 容器(ampoule));對晶片實(shí)施成膜處理的成膜處理裝置；和連接該成 膜處理裝置與容器并且向成膜處理裝置導(dǎo)入固體源的導(dǎo)入管。
在該基板處理系統(tǒng)中，固體源通過載體氣體經(jīng)由導(dǎo)入管內(nèi)而被搬 運(yùn)到成膜處理裝置。被搬運(yùn)來的固體源通過氣化器等而被氣體化，該 氣體在成膜處理裝置中被等離子體化。利用該等離子體對晶片實(shí)施成 膜處理(例如，參照日本特開2006-93240號公報(bào)(圖l))。
然而，若在上述基板處理系統(tǒng)中持續(xù)長時(shí)間維持待機(jī)狀態(tài)，則在 導(dǎo)入管內(nèi)、容器內(nèi)羰基鎢的粉粒成長為比粉粒大的粒子(顆粒)。若該 顆粒在成膜處理時(shí)從容器內(nèi)、導(dǎo)入管內(nèi)流出并流入到成膜處理裝置， 然后該流入的顆粒附著在晶片上，則會引起利用該晶片制造出的半導(dǎo) 體設(shè)備中發(fā)生不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法、 存儲介質(zhì)、基板處理系統(tǒng)和基板處理方法，能夠防止在成膜處理時(shí)從 容器內(nèi)或者導(dǎo)入管內(nèi)流出顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面提供一種粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，該清洗方法是具有用于供給粉體狀物質(zhì)源的粉體 狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)和使用被供給的該粉體狀物質(zhì)源對基板實(shí)施成膜處 理的成膜處理裝置的基板處理系統(tǒng)中的所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的 清洗方法，所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容所述粉體狀物質(zhì)源 的容器；向該容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置；連接所述容 器與所述成膜處理裝置并且從所述容器向所述成膜處理裝置導(dǎo)入所述 載體氣體和所述粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管；從該導(dǎo)入管分支并 且與排氣裝置連接的吹掃管；和在所述成膜處理裝置與至所述吹掃管 的分支點(diǎn)之間對所述導(dǎo)入管進(jìn)行開閉的開閉閥，所述粉體狀物質(zhì)源供 給系統(tǒng)的清洗方法包括清洗步驟，其中，在所述成膜處理之前，在關(guān) 閉所述開閉閥并且所述排氣裝置對所述吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，所述載 體氣體供給裝置供給所述載體氣體使得由所述載體氣體作用在顆粒上 的粘性力比所述成膜處理時(shí)由所述載體氣體作用在顆粒上的粘性力 大。在本發(fā)明第一方面中，優(yōu)選在所述清洗步驟中，所述載體氣體供 給裝置以比所述成膜處理時(shí)的供給流量多的供給流量向所述容器內(nèi)供 給所述載體氣體。在本發(fā)明第一方面中，優(yōu)選在所述清洗步驟中，所述載體氣體供 給裝置以比所述成膜處理時(shí)的供給流量至少增加25%的供給流量向所 述容器內(nèi)供給所述載體氣體。在本發(fā)明第一方面中，優(yōu)選所述基板處理系統(tǒng)在所述容器與至所 述吹掃管的分支點(diǎn)之間還包括向所述導(dǎo)入管內(nèi)供給附加氣體的附加氣 體供給裝置，在所述清洗步驟中，所述附加氣體供給裝置以比所述成 膜處理時(shí)的供給流量小的供給流量向所述導(dǎo)入管內(nèi)供給所述附加氣 體。在本發(fā)明第一方面中，優(yōu)選在所述清洗步驟中，所述附加氣體供 給裝置以比所述成膜處理時(shí)的供給流量至少減少40%的供給流量向所 述導(dǎo)入管內(nèi)供給所述附加氣體。在本發(fā)明第一方面中，優(yōu)選反復(fù)進(jìn)行所述清洗步驟。 在本發(fā)明第一方面中，優(yōu)選在所述清洗步驟中，向容器內(nèi)供給所 述載體氣體，使得在所述容器內(nèi)的粉體狀物質(zhì)源的表面生成邊界層。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第二方面提供一種存儲有能夠使粉體 狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法在計(jì)算機(jī)中運(yùn)行的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存 儲介質(zhì)，該清洗方法是具有用于供給粉體狀物質(zhì)源的粉體狀物質(zhì)源供 給系統(tǒng)和使用被供給的該粉體狀物質(zhì)源對基板實(shí)施成膜處理的成膜處 理裝置的基板處理系統(tǒng)中的所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法， 所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容所述粉體狀物質(zhì)源的容器；向 該容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置；連接所述容器與所述成 膜處理裝置并且從所述容器向所述成膜處理裝置導(dǎo)入所述載體氣體和 所述粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管；從該導(dǎo)入管分支并且與排氣裝 置連接的吹掃管；和在所述成膜處理裝置與至所述吹掃管的分支點(diǎn)之 間對所述導(dǎo)入管進(jìn)行開閉的開閉閥，所述清洗方法包括清洗步驟，其 中，在所述成膜處理之前，在關(guān)閉所述開閉閥并且所述排氣裝置對所 述吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，所述載體氣體供給裝置供給所述載體氣體使 得由所述載體氣體作用在顆粒上的粘性力比所述成膜處理時(shí)由所述載 體氣體作用在顆粒上的粘性力大。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第三方面提供一種基板處理系統(tǒng)，所 述基板處理系統(tǒng)具有用于供給粉體狀物質(zhì)源的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng) 和使用被供給的該粉體狀物質(zhì)源對基板實(shí)施成膜處理的成膜處理裝 置，所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容所述粉體狀物質(zhì)源的容器; 向該容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置；連接所述容器與所述 成膜處理裝置并且從所述容器向所述成膜處理裝置導(dǎo)入所述載體氣體 和所述粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管；從該導(dǎo)入管分支并且與排氣 裝置連接的吹掃管；和在所述成膜處理裝置與至所述吹掃管的分支點(diǎn) 之間對所述導(dǎo)入管進(jìn)行開閉的開閉閥，在所述成膜處理之前，在關(guān)閉 所述開閉閥并且所述排氣裝置對所述吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，所述載體 氣體供給裝置供給所述載體氣體使得由所述載體氣體作用在顆粒上的 粘性力比所述成膜處理時(shí)由所述載體氣體作用在顆粒上的粘性力大。在本發(fā)明第三方面中，優(yōu)選所述吹掃管具有壓力控制閥。在本發(fā)明第三方面中，優(yōu)選所述吹掃管的流導(dǎo)比所述成膜處理裝 置和至所述吹掃管的分支點(diǎn)之間的所述導(dǎo)入管的流導(dǎo)大。在本發(fā)明第三方面中，優(yōu)選所述容器具有超聲波振動發(fā)生裝置。在本發(fā)明第三方面中，優(yōu)選所述導(dǎo)入管具有加熱器。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第四方面提供一種基板處理方法，接著本發(fā)明第一方面的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法的實(shí)施對所述基板實(shí)施所述成膜處理。


圖1是簡要表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)的示意圖。圖2表示的是作為本實(shí)施方式所涉及的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的 清洗方法的預(yù)吹掃處理的流程圖。圖3是模式表示在圖1中的安瓿容器內(nèi)的粉體狀物質(zhì)源表面產(chǎn)生 的邊界層的示意圖。圖4表示的是作為本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的粉體狀物質(zhì)源供 給系統(tǒng)的清洗方法的預(yù)吹掃處理的流程圖。圖5是顆粒根據(jù)有無實(shí)施預(yù)吹掃處理等而表現(xiàn)出的附著數(shù)的變化 的圖表。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。 圖1是簡要表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的結(jié) 構(gòu)的示意圖。在圖1中，基板處理系統(tǒng)10包括對作為基板的晶片(圖未示出)實(shí)施成膜處理例如MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積))處理的成膜處理裝置11;和向該成膜裝置 11供給作為成膜處理的來源的粉末狀的羰基鎢的粉體狀物質(zhì)源供給系 統(tǒng)12。成膜處理裝置11具有收容晶片的腔室(圖未示出)。在成膜處理 裝置11中，向著收容在腔室內(nèi)的晶片供給被氣體化的羰基鎢，利用該 氣體化的羰基鎢實(shí)施成膜處理。粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)12包括用于收容由粉末狀的羰基鎢構(gòu)成 的粉體狀物質(zhì)源13的安瓿容器14 (容器)；經(jīng)由載體氣體供給管15200880011161.3 氣體供給裝置16;連 接安瓿容器14和成膜處理裝置11的粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17;和在分支點(diǎn)17a從該粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17分支并且與干式泵18(排氣裝置) 連接的吹掃管19。在粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)12中，若載體氣體供給裝置16經(jīng)由載 體氣體供給管15向安瓿容器14內(nèi)以規(guī)定的供給流量供給氬氣，則該 氬氣巻起作為粉體狀物質(zhì)源13的羰基鎢，該被巻起的羰基鎢與載體氣 體發(fā)生混合而成為氣體和固體的混合物，該混合物流向成膜處理裝置 11。此外當(dāng)然，在成膜處理時(shí)在安瓿容器14內(nèi)，例如作為升華的氣體 的羰基鎢也作為源氣體而向成膜處理裝置11流入。此外，粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)12具有經(jīng)由附加氣體供給管20向 粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供給附加氣體例如氬氣的附加氣體供給裝置 21。附加氣體供給管20在安瓿容器14和分支點(diǎn)17a之間與粉體狀物 質(zhì)源導(dǎo)入管17連接。附加氣體供給裝置21向在粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管 17內(nèi)流動的混合物添加附加氣體從而使整體的流量上升，由此，實(shí)現(xiàn) 混合物向成膜處理裝置11的穩(wěn)定流入。此外，在圖1中，以虛線表示載體氣體供給管15中的載體氣體流 路、粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17中的混合物流路、和附加氣體供給管20 中的附加氣體的流路。粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17在成膜處理裝置11和分支點(diǎn)17a之間具 有直徑比吹掃管19的直徑小的細(xì)徑部17b和配置在該細(xì)徑部17b上的 用于開閉該細(xì)徑部17b的開閉閥22。此外，吹掃管19具有壓力控制閥 23。若打開開閉閥22，關(guān)閉壓力控制閥23，則載體氣體、附加氣體等 向成膜處理裝置11流動(圖中的兩點(diǎn)劃線)，此外，若關(guān)閉開閉閥22， 打開壓力控制闊23，則載體氣體、附加氣體等向干式泵18流動(圖中 的一點(diǎn)劃線)而并不向成膜處理裝置11流動。此處，因?yàn)榇祾吖?9 的直徑比細(xì)徑部17b的直徑大，所以吹掃管19的流導(dǎo)(conductance) 比細(xì)徑部17b的流導(dǎo)大。此外，吹掃管19與粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)連通以及經(jīng)由該粉 體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17與安瓿容器14內(nèi)連通，所以壓力控制閥23不僅能夠控制吹掃管19內(nèi)的壓力并且還能夠控制安瓿容器14內(nèi)、粉體狀 物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)(以下簡稱為"安瓿容器14內(nèi)等")的壓力。其中， 壓力計(jì)24被設(shè)置在分支點(diǎn)17a的附近，該壓力計(jì)24用于測定粉體狀 物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)的壓力。在載體氣體供給管15上設(shè)置有流量控制器25，在附加氣體供給管 20上設(shè)置有流量控制器26。流量控制器25、 26分別對載體氣體供給 裝置16供給的載體氣體的流量和附加氣體供給裝置21供給的附加氣 體的流量進(jìn)行控制。在粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17的周圍設(shè)置有加熱器27，該加熱器27 對粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17進(jìn)行加熱。此外，在安瓿容器14上設(shè)置有 超聲波振動發(fā)生裝置28，該超聲波振動發(fā)生裝置28向安瓿容器14施 加超聲波振動。在該基板處理系統(tǒng)10中，若持續(xù)長時(shí)間維持在待機(jī)狀態(tài)，則在安 瓿容器14內(nèi)等羰基鎢的粉粒成長并變成比粉粒大的顆粒P，但是在本 實(shí)施方式中，利用載體氣體的粘性力在成膜處理前將這些顆粒P除去。圖2表示的是作為本實(shí)施方式所涉及的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的 清洗方法的預(yù)吹掃處理的流程圖。該預(yù)吹掃處理是在基板處理系統(tǒng)10 中在成膜處理裝置11的成膜處理之前實(shí)施的。在圖2中，首先，關(guān)閉開閉閥22并且將壓力控制閥23打開(步 驟S21)。由此，確保從安瓿容器14經(jīng)由粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17和吹 掃管19的向著干式泵18的流路(圖1中的1點(diǎn)劃線)。接著，利用始終處于工作狀態(tài)的干式泵18被確保的流路，對吹掃 管19內(nèi)進(jìn)行排氣(步驟S22)，載體氣體供給裝置16向安瓿容器14 內(nèi)供給載體氣體和經(jīng)由該安瓿容器14向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供 給載體氣體。此時(shí)的載體氣體的供給流量被設(shè)定為比成膜處理時(shí)的載 體氣體的供給流量多(步驟S23)(清洗步驟)。通常，作用在球形的顆粒上的載體氣體的粘性力由下述公式(1)表不 公式h<formula>formula see original document page 12</formula>
此處，F(xiàn)為載體氣體的粘性力，n為載體氣體的分子密度，m為載 體氣體的分子量，v為載體氣體的流速，d為顆粒的直徑。
此外，通常，如下述公式2所示，分子密度n與壓力成正比，流 速v與流量成正比并且與壓力成反比。
公式2:<formula>formula see original document page 12</formula>
逸 瓦力
因此，載體氣體的粘性力如下述公式3所示，其與載體氣體的流 量的平方成正比并且與安瓿容器14或者粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)的 壓力成反比。
公式3:<formula>formula see original document page 12</formula>
在步驟S23中，具體而言，載體氣體的供給流量與成膜處理時(shí)的 載體氣體的供給流量(80sccm)相比增加了25%，被設(shè)定為100sccm。 由此，能夠?qū)Π碴橙萜?4內(nèi)等的顆粒P上作用比成膜處理時(shí)的粘性力 大的粘性力。其結(jié)果，不僅能夠使通過成膜處理時(shí)的粘性力而移動的 顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等移動，而且還能夠使比該顆粒P大的顆粒P 從安瓿容器14內(nèi)等移動。
此外，附加氣體供給裝置21向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供給附 加氣體(步驟S24)。此時(shí)，附加氣體供給裝置21供給的附加氣體的供 給流量比成膜處理時(shí)的附加氣體供給流量(500sccm)稍微小一些，被 設(shè)定為480sccm。此處，對從安瓿容器14內(nèi)移動的顆粒P以及載體氣 體的混合物施加附加氣體。此外，因?yàn)殚_閉閥22關(guān)閉并且壓力控制閥 23打開，所以上述混合物并不在細(xì)徑部17b中流動，而是從吹掃管19 向基板處理系統(tǒng)10的外部排出。由此，將顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等 除去。在緊接著的步驟S25中，對是否從吹掃管19內(nèi)的排氣開始經(jīng)過規(guī)定時(shí)間、步驟S23是否實(shí)施規(guī)定次數(shù)以上進(jìn)行判斷。對于該判斷結(jié)果，當(dāng)為沒有經(jīng)過規(guī)定時(shí)間并且步驟S23沒有實(shí)施規(guī)定次數(shù)以上時(shí)，返回到步驟S23，繼續(xù)進(jìn)行載體氣體的供給等，當(dāng)經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)或者步驟S23實(shí)施規(guī)定次數(shù)以上時(shí)，結(jié)束本處理。其中，作為步驟S25中的規(guī)定時(shí)間，例如被設(shè)定為預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)等確定的、從安瓿容器14內(nèi)等將顆粒P完全除去所需要的時(shí)間。具體而言，作為規(guī)定時(shí)間，例如設(shè)定為1秒鐘。此外，作為在步驟S25中的規(guī)定次數(shù)，例如設(shè)定為預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)等確定的、從安瓿容器14內(nèi)等將顆粒P完全除去所需要的步驟S23的實(shí)施次數(shù)。
根據(jù)圖2的處理，在成膜處理之前，在關(guān)閉開閉閥22并且利用干式泵18對吹掃管19內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，載體氣體供給裝置16以比成膜處理時(shí)的載體氣體的供給流量多的供給流量向安瓿容器14內(nèi)以及經(jīng)由該安瓿容器14向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供給載體氣體，所以，能夠使載體氣體在安瓿容器14內(nèi)等的流量增加。此處，如上述公式3所示，因?yàn)樽饔糜陬w粒P上的載體氣體的粘性力與載體氣體的流量的平方成正比，因此，能夠使作用在安瓿容器14等內(nèi)的顆粒P的粘性力比成膜處理時(shí)的粘性力大。其結(jié)果，在成膜處理前，不僅能夠使通過成膜處理時(shí)的粘性力移動的顆粒P移動，而且還能夠使比該顆粒P大的顆粒P移動。此外，移動的顆粒P通過吹掃管19內(nèi)的排氣的流動而被導(dǎo)向吹掃管19但是并沒被導(dǎo)向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17b，從該吹掃管19被排出。即，在成膜處理前，幾乎能夠?qū)⒃诔赡ぬ幚頃r(shí)通過粘性力而有可能移動的顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等全部排除。其結(jié)果，能夠防止在成膜處理時(shí)從安瓿容器14內(nèi)等流出顆粒P。
此外，在圖2的處理中，因?yàn)榉磸?fù)實(shí)施作為清洗步驟的步驟S23，所以，能夠在成膜處理之前，從基板處理系統(tǒng)的安瓿容器14內(nèi)等可靠地除去顆粒P。其中，在只需通過一次步驟S23的實(shí)施便能夠完全除去顆粒P的情況下，沒有必要反復(fù)實(shí)施步驟S23。其中，也可以不根據(jù)規(guī)定時(shí)間的經(jīng)過、規(guī)定次數(shù)以上的實(shí)施來判斷圖2的處理是否結(jié)束，而設(shè)置用于檢測來自于安瓿容器14內(nèi)等的顆粒P的除去處理的終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測器，根據(jù)該終點(diǎn)檢測器的檢測結(jié)果來進(jìn)行判斷。在步驟S23中，也可以通過對載體氣體的供給流量、安瓿容器14內(nèi)的壓力進(jìn)行控制從而在安瓿容器14內(nèi)的粉體狀物質(zhì)源13的表面產(chǎn)生邊界層。因?yàn)檫吔鐚拥暮穸葹閹譸m左右，因此，如圖3所示，雖然顆粒P從該邊界層29突出，但是粉體狀物質(zhì)源13的粉粒30不從邊界層29突出。此處，因?yàn)樵谶吔鐚?9內(nèi)不產(chǎn)生載體氣體的流動，所以在不從邊界層29突出的粉粒30上沒有作用有粘性力。另外，因?yàn)樵谶吔鐚?9外產(chǎn)生載體氣體的流動，所以在從邊界層29突出的顆粒P上作用有粘性力。由此，能夠從安瓿容器14內(nèi)選擇性地除去顆粒P。其中，為了在安瓿容器14內(nèi)產(chǎn)生邊界層，有必要至少將安瓿容器14內(nèi)的壓力設(shè)定在133Pa (1Torr)以上，因此，當(dāng)產(chǎn)生邊界層時(shí)，優(yōu)選將安瓿容器14內(nèi)的壓力設(shè)定為133Pa以上。
此外，在步驟S23中，使來自于載體氣體供給裝置16的載體氣體的供給流量增加，但是若過度增加該供給流量，則粉體狀物質(zhì)源13的大部分被巻起，結(jié)果有可能在成膜處理前從安瓿容器14內(nèi)除去大部分的粉體狀物質(zhì)源13。因此，在步驟S23中的載體氣體的供給流量存在上限，該上限例如為200sccm (比成膜處理時(shí)的載體氣體的流量增加150%)，這是本發(fā)明人等通過實(shí)驗(yàn)等確定的。而且，在步驟S23中，載體氣體的供給流量與成膜處理時(shí)的載體氣體的供給流量(80sccm)相比增加了 25%，被設(shè)定為100sccm，但是，只要載體氣體的供給流量比成膜處理時(shí)的載體氣體的供給流量增加10%，被設(shè)定為88sccm，則能夠?qū)⒊赡ぬ幚頃r(shí)通過粘性力移動的顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等移動，這是本發(fā)明人等通過實(shí)驗(yàn)等確定的。。
在上述基板處理系統(tǒng)10中，安瓿容器14具有超聲波振動發(fā)生裝置28。若向安瓿容器14施加超聲波振動，則顆粒P向安瓿容器14內(nèi)的粉體狀物質(zhì)源13的表面浮起。由此，能夠使顆粒P暴露在載體氣體的流動中，從而能夠可靠地向顆粒P作用粘性力。
此外，在上述基板處理系統(tǒng)10中，因?yàn)榉垠w狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17具有加熱器27，通過該加熱器27對粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17進(jìn)行加熱，所以，能夠利用熱應(yīng)力促進(jìn)粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)的顆粒P的除去。
此外，也可以利用加振器等使粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17產(chǎn)生振動，由此，能夠促進(jìn)顆粒P從粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17的內(nèi)壁剝離，其結(jié)果，說明書第10/16頁
能夠促進(jìn)顆粒P的除去。
其中，上述基板處理系統(tǒng)10具有附加氣體供給裝置21，但是，只要能夠?qū)崿F(xiàn)在粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)流動的混合物(顆粒P和載體氣體的混合物)向成膜處理裝置11的穩(wěn)定流入，則基板處理系統(tǒng)10沒有必要具有附加氣體供給裝置21。
接著，對本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)和粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式所涉及的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法僅僅在載體氣體的供給流量和附加氣體的供給流量方面與第一實(shí)施方式不同，所以對其重復(fù)的結(jié)構(gòu)、作用省略說明，以下只對不同的結(jié)構(gòu)、作用進(jìn)行說明。
圖4表示的是作為本實(shí)施方式所涉及的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法的預(yù)吹掃處理的流程圖。預(yù)吹掃處理同樣也是在基板處理系統(tǒng)10中先于成膜處理裝置11的成膜處理而實(shí)施的。
在圖4中，首先，關(guān)閉開閉閥22并且打開壓力控制法23 (步驟S41)，利用干式泵18對吹掃管19內(nèi)進(jìn)行排氣(步驟S42)。
接著，載體氣體供給裝置16向安瓿容器14內(nèi)以及經(jīng)由該安瓿容器14向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供給載體氣體。此時(shí)的載體氣體的供給流量為與成膜處理時(shí)的載體氣體的供給流量(80sccm)相同的量，被設(shè)定為80sccm (步驟S43)。
接著，附加氣體供給裝置21向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供給附加氣體(步驟S44)(清洗步驟)。此時(shí)，附加氣體供給裝置21供給的附加氣體的供給流量比成膜處理時(shí)的附加氣體的供給流量(500sccm)少，具體而言，比成膜處理時(shí)的減少了 40%，被設(shè)定為300sccm。其中，被供給的附加氣體被附加到從安瓿容器14內(nèi)移動的顆粒P和載體氣體的混合物中。
在步驟S44中，因?yàn)楦郊託怏w的供給流量與成膜處理時(shí)的相比有所減少，所以干式泵18經(jīng)由吹掃管19排氣的附加氣體的量減少，干式泵18能夠?qū)Ω嗟妮d體氣體進(jìn)行排氣。由此，能夠使安瓿容器14內(nèi)或者粉體狀物質(zhì)源供給管17內(nèi)的壓力比成膜處理時(shí)的壓力降低。此外，如上述公式3所示，載體氣體的粘性力與安瓿容器14內(nèi)或者粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)的壓力成反比。由此，能夠?qū)Π碴橙萜?4內(nèi)等的顆粒P作用比成膜處理時(shí)的粘性力大的粘性力。其結(jié)果，不僅能夠使成膜處理時(shí)通過粘性力移動的顆粒P移動，而且還能夠使比該顆粒P大的顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等移動。
此外，在步驟S44中，因?yàn)殛P(guān)閉開閉閥22并且打開壓力控制閥23，所以，將顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等經(jīng)由吹掃管19除去。
在緊接著的步驟S45中，對是否從吹掃管19內(nèi)的排氣開始經(jīng)過規(guī)定時(shí)間、步驟S44是否實(shí)施規(guī)定次數(shù)以上進(jìn)行判斷。對于該判斷結(jié)果，當(dāng)為沒有經(jīng)過規(guī)定時(shí)間并且步驟S44沒有實(shí)施規(guī)定次數(shù)以上時(shí)，返回到步驟S43，繼續(xù)進(jìn)行載體氣體的供給等，當(dāng)經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)或者步驟S44實(shí)施規(guī)定次數(shù)以上時(shí)，結(jié)束本處理。其中，作為步驟S45中的規(guī)定時(shí)間，與圖2中的步驟S25的規(guī)定時(shí)間相同。此外，作為在步驟S45中的規(guī)定次數(shù)，例如設(shè)定為預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)等確定的、從安瓿容器14內(nèi)等將顆粒P完全除去所需要的步驟S44的實(shí)施次數(shù)。
根據(jù)圖4的處理，在成膜處理之前，在關(guān)閉開閉閥22并且干式泵18工作以對吹掃管19內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，附加氣體供給裝置21以比成膜處理時(shí)的附加氣體的供給流量少的供給流量向粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)供給附加氣體，所以，能夠使干式泵18經(jīng)由吹掃管19排出的附加氣體的量減少，從而該干式泵18能夠?qū)Ω嗟妮d體氣體進(jìn)行排氣，能夠降低安瓿容器14內(nèi)或者粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)的壓力。此處，如上述公式3所示，因?yàn)樽饔糜陬w粒P上的載體氣體的粘性力與安瓿容器14或者粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17內(nèi)的壓力成反比，因此，能夠使作用在安瓿容器14內(nèi)等的顆粒P的粘性力比成膜處理時(shí)的粘性力大。其結(jié)果，能夠得到與第一實(shí)施方式相同的效果。
其中，也可以不根據(jù)規(guī)定時(shí)間的經(jīng)過、規(guī)定次數(shù)以上的實(shí)施來判斷圖4的處理是否結(jié)束，而設(shè)置用來檢測來自于安瓿容器14內(nèi)等的顆粒P的除去處理的終點(diǎn)的終點(diǎn)(endpoint)檢測器，根據(jù)該終點(diǎn)檢測器的檢測結(jié)果來進(jìn)行判斷。
此外，在步驟S44中，附加氣體的供給流量與成膜處理時(shí)的附加氣體的供給流量(500sccm)相比減少了40%，被設(shè)定為300sccm，但是，只要附加氣體的供給流量比成膜處理時(shí)的附加氣體的供給流量減少10%，被設(shè)定為450sccm，便能夠使成膜處理時(shí)通過粘性力移動的 顆粒P從安瓿容器14內(nèi)等移動，這是本發(fā)明人等通過實(shí)驗(yàn)等確認(rèn)的。
在上述基板處理系統(tǒng)10中，因?yàn)榇祾吖?9具有壓力控制閥23， 所以該壓力控制閥23能夠經(jīng)由吹掃管19將安瓿容器14內(nèi)等的壓力控 制在期望的低壓。其結(jié)果，能夠可靠地使作用在顆粒P上的粘性力比 成膜處理時(shí)的粘性力大。此外，載體氣體的粘性力在安瓿容器14的壓 力成為133Pa(lTorr)以下時(shí)并不作用，這是本發(fā)明人等通過實(shí)驗(yàn)等 確認(rèn)的。因此，在預(yù)吹掃處理時(shí)，在基板處理系統(tǒng)10中，通過壓力控 制閥23將安瓿容器14內(nèi)的壓力控制為不在133Pa以下。
此外，在上述基板處理系統(tǒng)10中，因?yàn)榇祾吖?9的流導(dǎo)比粉體 狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17的細(xì)徑部17b的流導(dǎo)大，所以當(dāng)載體氣體流過吹掃 管19時(shí)，與載體氣體流過細(xì)徑部17b相比，能夠促進(jìn)載體氣體的排出， 從而，能夠降低載體氣體的安瓿容器14內(nèi)或者粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17 內(nèi)的壓力。其結(jié)果，能夠可靠地使作用在顆粒P上的粘性力比成膜處 理時(shí)的粘性力大。
在上述各實(shí)施方式中，吹掃管19從粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管17分支， 但是基板處理系統(tǒng)10也可以設(shè)置與安瓿容器14內(nèi)連通的吹掃專用管 來代替吹掃管19，也可以從該吹掃專用管將通過載體氣體的粘性力移 動的顆粒P排出。
此外，在上述各實(shí)施方式中，載體氣體供給裝置16和附加氣體供 給裝置21供給氬氣，但是，只要被供給的氣體為不活潑性氣體即可， 載體氣體供給裝置16等也可以供給氙氣、氪氣等稀有氣體或者氮?dú)獾取?br> 此外，本發(fā)明的目的，也可以通過向計(jì)算機(jī)供給存儲有實(shí)現(xiàn)上述 各實(shí)施方式的功能用的軟件的程序代碼的存儲介質(zhì)，由計(jì)算機(jī)的CPU 讀出存儲在存儲介質(zhì)中的程度代碼來實(shí)施而實(shí)現(xiàn)。
此時(shí)，從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼本身能夠?qū)崿F(xiàn)上述各實(shí)施方式 的功能，程序代碼以及存儲有該程序代碼的存儲介質(zhì)構(gòu)成本發(fā)明。
此外，作為用于供給程序代碼的存儲介質(zhì)，例如，只要是RAM、 NV-RAM、軟盤(floppy (注冊商標(biāo))disk)、硬盤、光磁盤、CD-ROM、 CD畫R、 CD曙證、DVD (DVD-ROM、 DVD-RAM、 DVD-RW、 DVD+RW) 等光盤、磁帶、非易失性存儲卡、其它ROM等能夠存儲上述程序代碼的介質(zhì)即可。或者，上述程序代碼也可以通過從互聯(lián)網(wǎng)、商用網(wǎng)絡(luò)或 者與本地網(wǎng)絡(luò)連接的圖未示出的其它計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)庫等下載而提供給 計(jì)算機(jī)。
此外，通過執(zhí)行計(jì)算機(jī)讀出的程序代碼，不僅實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)施方
式的功能，而且還包括根據(jù)該程序代碼的指示，通過CPU運(yùn)行的OS
(操作系統(tǒng))等進(jìn)行的實(shí)際處理的一部分或者全部，根據(jù)該處理來實(shí) 現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能。
而且，還包括從存儲介質(zhì)讀出的程序代碼，在被寫入到插入計(jì)算 機(jī)中的功能擴(kuò)展板、與計(jì)算機(jī)連接的功能擴(kuò)展單元所具備的存儲器中 之后，根據(jù)該程序代碼的指示，其功能擴(kuò)展板、功能擴(kuò)展單元所具有
的CPU等進(jìn)行實(shí)際處理的一部分或者全部，通過該處理實(shí)現(xiàn)上述各實(shí)
施方式的功能的情況。
上述程序代碼的方式可以由目標(biāo)代碼(object code)、通過翻譯器 (interpreter)執(zhí)行的程序代碼、向OS供給的腳本數(shù)據(jù)(script date) 等方式構(gòu)成。實(shí)施例
接著，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。 實(shí)施例1
首先，在持續(xù)長時(shí)間維持待機(jī)狀態(tài)的基板處理系統(tǒng)10中，在執(zhí)行 圖2的處理之后，在成膜處理裝置11中連續(xù)對兩個(gè)晶片實(shí)施成膜處理。 然后，利用顆粒計(jì)數(shù)器對附著在已實(shí)施該成膜處理的晶片的表面上的、 大小為0.10pm以上的顆粒數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。將其結(jié)果表示在圖5的圖表中。
實(shí)施例2
首先，在持續(xù)長時(shí)間維持待機(jī)狀態(tài)的基板處理系統(tǒng)10中，在執(zhí)行 圖4的處理之后，在成膜處理裝置11中連續(xù)對兩個(gè)晶片實(shí)施成膜處理。 然后，對附著在己實(shí)施該成膜處理的晶片的表面上的、大小為O.l(Vm 以上的顆粒數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。將其結(jié)果表示在圖5的圖表中。
比較例1
在持續(xù)長時(shí)間維持待機(jī)狀態(tài)的基板處理系統(tǒng)10中，不執(zhí)行圖2的 處理、圖4的處理之后，在成膜處理裝置11中連續(xù)對兩個(gè)晶片實(shí)施成 膜處理。然后，對附著在已實(shí)施該成膜處理的晶片的表面上的、大小為0.10|am以上的顆粒數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。將其結(jié)果表示在圖5的圖表中。 比較例2
首先，在持續(xù)長時(shí)間維持待機(jī)狀態(tài)的基板處理系統(tǒng)10中，將圖2 的處理中的載體氣體的供給流量設(shè)定為與成膜處理時(shí)相同的量實(shí)施預(yù) 吹掃處理，之后，在成膜處理裝置11中連續(xù)對兩個(gè)晶片實(shí)施成膜處理。 然后，對附著在己實(shí)施該成膜處理的晶片的表面上的、大小為0.10pm 以上的顆粒數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。將其結(jié)果表示在圖5的圖表中。
如圖5的圖表所示，對比較例1與比較例2進(jìn)行對比可知，通過 實(shí)施預(yù)吹掃處理，能夠抑制成膜處理時(shí)顆粒從安瓿容器14內(nèi)等流出。 然而，即便將載體氣體的供給流量、附加氣體的供給流量設(shè)定為與成 膜處理時(shí)相同的量進(jìn)行預(yù)吹掃處理，也不能夠使附著在晶片表面的顆 粒的數(shù)目在作為目標(biāo)值的30個(gè)以下。
另外，對比較例2與實(shí)施例1或者實(shí)施例2進(jìn)行比較可知，在執(zhí) 行預(yù)吹掃處理時(shí)，通過增加載體氣體的供給流量或者降低附加氣體的 供給流量，能夠?qū)︻w粒P作用更大的粘性力，從而，幾乎能夠從安瓿 容器14內(nèi)等將顆粒P全部排除，其結(jié)果，能夠防止在成膜處理時(shí)顆粒 P從安瓿容器14內(nèi)等流出而流入到成膜處理裝置11內(nèi)。
工業(yè)可利用性
根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法、存儲介質(zhì)、基 板處理系統(tǒng)和基板處理方法，在成膜處理之前，在從容器向成膜處理 裝置導(dǎo)入載體氣體和粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管的開閉閥關(guān)閉并 且排氣裝置對從導(dǎo)入管分支的吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，載體氣體供給裝 置供給載體氣體使得由載體氣體作用在顆粒上的粘性力比成膜處理時(shí) 由載體氣體作用在顆粒上的粘性力大。由此，能夠?qū)υ趯?dǎo)入管內(nèi)和容 器內(nèi)成長的顆粒作用比成膜處理時(shí)的粘性力大的粘性力。其結(jié)果，在 成膜處理前，不僅能夠使成膜處理時(shí)通過粘性力而移動的顆粒移動， 而且還能夠使比該顆粒大的顆粒移動。此外，移動的顆粒通過吹掃管 內(nèi)的排氣的流動而被導(dǎo)入到吹掃管而不是導(dǎo)入管，并從該吹掃管被排 出。即，在成膜處理前，能夠?qū)⒃诔赡ぬ幚頃r(shí)通過粘性力具有移動可 能性的顆粒從容器內(nèi)、導(dǎo)入管內(nèi)大致排除。其結(jié)果，能夠防止在成膜 處理時(shí)顆粒從容器內(nèi)、導(dǎo)入管內(nèi)流出。根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，因?yàn)檩d體氣體 供給裝置以比成膜處理時(shí)的供給流量大的供給流量向容器內(nèi)供給載體 氣體，所以能夠增加載體氣體在導(dǎo)入管內(nèi)、容器內(nèi)的流量。因?yàn)檎承?力與載體氣體的流量的平方成正比，所以能夠可靠地使作用在顆粒上 的粘性力比成膜處理時(shí)的粘性力大。
根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，載體氣體供給
裝置以比成膜處理時(shí)的供給流量至少增加25%的供給流量向容器內(nèi)供 給載體氣體，所以能夠可靠地使作用在顆粒上的粘性力比成膜處理時(shí) 的粘性力大。
根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，因?yàn)樵谌萜骱?至吹掃管的分支點(diǎn)之間向?qū)牍軆?nèi)供給附加氣體的附加氣體供給裝置 以比成膜處理時(shí)的供給流量少的供給流量向?qū)牍軆?nèi)供給附加氣體， 所以排氣裝置經(jīng)由吹掃管排氣的附加氣體的量減少，該排氣裝置能夠 對更多的載體氣體進(jìn)行排氣，能夠降低載體氣體的導(dǎo)入管內(nèi)、容器內(nèi) 的壓力。因?yàn)檎承粤εc導(dǎo)入管內(nèi)或者容器內(nèi)的壓力成反比，所以能夠 可靠地使作用在顆粒上的粘性力比成膜處理時(shí)的粘性力大。
根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，因?yàn)楦郊託怏w 供給裝置以比成膜處理時(shí)的供給流量至少減少40%的供給流量向?qū)?管內(nèi)供給附加氣體，所以能夠可靠地使作用在顆粒上的粘性力比成膜 處理時(shí)的粘性力大。
根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，因?yàn)榉磸?fù)進(jìn)行 清洗步驟，所以能夠在成膜處理前從基板處理系統(tǒng)的容器內(nèi)、導(dǎo)入管 內(nèi)可靠地除去顆粒。
根據(jù)本發(fā)明的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，以在容器內(nèi)的 粉體狀物質(zhì)源的表面產(chǎn)生邊界層的方式向容器內(nèi)供給載體氣體。因?yàn)?在邊界層內(nèi)部沒有產(chǎn)生流動，所以，在不從邊界層突出的粉體狀物質(zhì) 源的粉粒上沒有作用有粘性力。另外，因?yàn)樵谶吔鐚油猱a(chǎn)生有流動， 所以在從邊界層突出的顆粒上作用有粘性力。由此，能夠從容器內(nèi)選 擇性地除去顆粒。
根據(jù)本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，因?yàn)榇祾吖芫哂袎毫刂崎y，所以 該壓力控制閥能夠經(jīng)由吹掃管將導(dǎo)入管內(nèi)、容器內(nèi)的壓力控制在期望的低壓力。其結(jié)果，能夠可靠地使作用在顆粒上的粘性力比成膜處理 時(shí)的粘性力大。
根據(jù)本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，因?yàn)榇祾吖艿牧鲗?dǎo)比成膜處理裝置 和至吹掃管的分支點(diǎn)之間的導(dǎo)入管的流導(dǎo)大，所以，當(dāng)載體氣體流過 吹掃管時(shí)，與成膜處理裝置和至吹掃管的分支點(diǎn)之間載體氣體流動的 成膜處理時(shí)相比，能夠促進(jìn)載體氣體的排出，從而，能夠降低載體氣 體的導(dǎo)入管內(nèi)、容器內(nèi)的壓力。其結(jié)果，能夠可靠地使作用在顆粒上 的粘性力比成膜處理時(shí)的粘性力大。
根據(jù)本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，容器具有超聲波振動發(fā)生裝置。若 向容器施加超聲波振動，則顆粒向著容器內(nèi)的粉體狀物質(zhì)源的表面浮 起，由此，能夠可靠地向顆粒作用粘性力。
根據(jù)本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，因?yàn)閷?dǎo)入管具有加熱器，所以能夠 利用熱應(yīng)力促進(jìn)導(dǎo)入管內(nèi)的顆粒的除去。
權(quán)利要求
1.一種粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于該清洗方法是具有用于供給粉體狀物質(zhì)源的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)和使用被供給的該粉體狀物質(zhì)源對基板實(shí)施成膜處理的成膜處理裝置的基板處理系統(tǒng)中的所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容所述粉體狀物質(zhì)源的容器；向該容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置；連接所述容器與所述成膜處理裝置并且從所述容器向所述成膜處理裝置導(dǎo)入所述載體氣體和所述粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管；從該導(dǎo)入管分支并且與排氣裝置連接的吹掃管；和在所述成膜處理裝置與至所述吹掃管的分支點(diǎn)之間對所述導(dǎo)入管進(jìn)行開閉的開閉閥，所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法包括清洗步驟，其中，在所述成膜處理之前，在關(guān)閉所述開閉閥并且所述排氣裝置對所述吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，所述載體氣體供給裝置供給所述載體氣體使得由所述載體氣體作用在顆粒上的粘性力比所述成膜處理時(shí)由所述載體氣體作用在顆粒上的粘性力大。
2. 如權(quán)利要求1所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特 征在于在所述清洗步驟中，所述載體氣體供給裝置以比所述成膜處理時(shí) 的供給流量大的供給流量向所述容器內(nèi)供給所述載體氣體。
3. 如權(quán)利要求2所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特 征在于在所述清洗步驟中，所述載體氣體供給裝置以比所述成膜處理時(shí) 的供給流量至少增加25%的供給流量向所述容器內(nèi)供給所述載體氣 體。
4. 如權(quán)利要求1所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特 征在于-所述基板處理系統(tǒng)在所述容器與至所述吹掃管的分支點(diǎn)之間還包括向所述導(dǎo)入管內(nèi)供給附加氣體的附加氣體供給裝置，在所述清洗步 驟中，所述附加氣體供給裝置以比所述成膜處理時(shí)的供給流量小的供 給流量向所述導(dǎo)入管內(nèi)供給所述附加氣體。
5. 如權(quán)利要求4所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于在所述清洗步驟中，所述附加氣體供給裝置以比所述成膜處理時(shí)的供給流量至少減少40%的供給流量向所述導(dǎo)入管內(nèi)供給所述附加氣 體。
6. 如權(quán)利要求1所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于反復(fù)進(jìn)行所述清洗步驟。
7. 如權(quán)利要求1所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，其特征在于在所述清洗步驟中，向所述容器內(nèi)供給所述載體氣體，使得在所 述容器內(nèi)的粉體狀物質(zhì)源的表面生成邊界層。
8. —種存儲有能夠使粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法在計(jì)算機(jī)中運(yùn)行的計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲介質(zhì)，其特征在于該清洗方法是具有用于供給粉體狀物質(zhì)源的粉體狀物質(zhì)源供給系 統(tǒng)和使用被供給的該粉體狀物質(zhì)源對基板實(shí)施成膜處理的成膜處理裝 置的基板處理系統(tǒng)中的所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，所述 粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容所述粉體狀物質(zhì)源的容器；向該容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置；連接所述容器與所述成膜處理裝置并且從所述容器向所述成膜處理裝置導(dǎo)入所述載體氣體和所述粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管；從該導(dǎo)入管分支并且與排氣裝置連 接的吹掃管；和在所述成膜處理裝置與至所述吹掃管的分支點(diǎn)之間對 所述導(dǎo)入管進(jìn)行開閉的開閉閥，所述清洗方法包括清洗步驟，其中， 在所述成膜處理之前，在關(guān)閉所述開閉閥并且所述排氣裝置對所述吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，所述載體氣體供給裝置供給所述載體氣體使得由 所述載體氣體作用在顆粒上的粘性力比所述成膜處理時(shí)由所述載體氣 體作用在顆粒上的粘性力大。
9. 一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于所述基板處理系統(tǒng)具有用于供給粉體狀物質(zhì)源的粉體狀物質(zhì)源供 給系統(tǒng)和使用被供給的該粉體狀物質(zhì)源對基板實(shí)施成膜處理的成膜處 理裝置，所述粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容所述粉體狀物質(zhì)源的 容器；向該容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置；連接所述容器與所述成膜處理裝置并且從所述容器向所述成膜處理裝置導(dǎo)入所述載體氣體和所述粉體狀物質(zhì)源的混合物的導(dǎo)入管；從該導(dǎo)入管分支并且 與排氣裝置連接的吹掃管；和在所述成膜處理裝置與至所述吹掃管的 分支點(diǎn)之間對所述導(dǎo)入管進(jìn)行開閉的開閉閥，在所述成膜處理之前， 在關(guān)閉所述開閉閥并且所述排氣裝置對所述吹掃管內(nèi)進(jìn)行排氣時(shí)，所 述載體氣體供給裝置供給所述載體氣體使得由所述載體氣體作用在顆 粒上的粘性力比所述成膜處理時(shí)由所述載體氣體作用在顆粒上的粘性 力大。
10. 如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述吹掃管具有壓力控制閥。
11. 如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述吹掃管的流導(dǎo)比所述成膜處理裝置和至所述吹掃管的分支點(diǎn)之間的所述導(dǎo)入管的流導(dǎo)大。
12. 如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述容器具有超聲波振動發(fā)生裝置。
13. 如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于 所述導(dǎo)入管具有加熱器。
14. 一種基板處理方法，其特征在于接著權(quán)利要求1所述的粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法的實(shí)施， 對所述基板實(shí)施所述成膜處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)的清洗方法，能夠防止在成膜處理時(shí)從容器內(nèi)或?qū)牍軆?nèi)流出顆粒?；逄幚硐到y(tǒng)(10)具有粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)(12)和成膜處理裝置(11)。粉體狀物質(zhì)源供給系統(tǒng)包括收容粉體狀物質(zhì)源(13)(羰基鎢)的安瓿容器(14)；向安瓿容器內(nèi)供給載體氣體的載體氣體供給裝置(16)；連接安瓿容器和成膜處理裝置的粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管(17)；從粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管分支的吹掃管(19)；和開閉粉體狀物質(zhì)源導(dǎo)入管的開閉閥(22)。在成膜處理前，在關(guān)閉開閉閥且對吹掃管內(nèi)排氣時(shí)，載體氣體供給裝置供給載體氣體使得由載體氣體作用在顆粒上的粘性力比成膜處理時(shí)由載體氣體作用在顆粒上的粘性力大。
文檔編號H01L21/31GK101657888SQ20088001116
公開日2010年2月24日 申請日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者守屋剛, 山﨑英亮, 長谷川俊夫 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社