光罩用基板、光罩用基板的成形構件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法

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專利名稱：光罩用基板、光罩用基板的成形構件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法
光罩用基板、光軍用基板的成形構件、光罩用基板的制造方法、
光罩、及使用光罩的膝光方法
技術領域：
平面面板顯示器(以下，稱為FPD)等設備，是通過使用光刻技術，使形成于光罩(photo mask)的光罩圖案(mask pattern)高精度投影曝光于設備基板的表面來制造。因此，光罩變形時形成于光罩的光罩圖案也會產生變形，其結果，投影于設備基板的光罩圖案像也會產生變形。
因此，探討下述課題，即為了提升光罩的平坦性，進行除去光罩基板的一部分凸部分的加工，以改善基板的平面性(參照專利文獻1、專利文獻2、及專利文獻3)。
專利文獻1:日本特開2003 - 292346
專利文獻2:日本特開2004 - 359544
專利文獻3:日本特開2005 - 262432
然而，通過使形成于光罩的光罩圖案投影曝光于基板來制造FPD 等設備的曝光裝置中，已知一邊以形成有光罩圖案的面朝向下方的方式將光軍大致水平地保持在曝光裝置，一邊使形成于光罩的光罩圖案曝光于基板。此時，由于曝光裝置的構成上的限制，光罩在包圍下面 (亦即形成有光罩圖案的面)的四邊之中，相對向的一組兩個邊附近的區(qū)域被支持。以此方式被支持的光罩，被支持的一組邊之間的區(qū)域，會因本身重量向下面?zhèn)葟澢麓拱愕刈冃?。此處，將此變形稱為第 1變形。又，同時，在未被支持的兩個邊(自由端)的附近，會進一步向下方彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第2變形。由于此種光罩的變形，形成于光罩下面的光罩圖案也恐怕會產生如上述說明的變形。
為了使如此變形的光罩圖案正確地成像、曝光于基板上，曝光裝置的投影光學系統(tǒng)具有自動聚焦功能。然而，投影光學系統(tǒng)的自動聚
焦功能的聚焦深度對第1變形有效，但相對于此，第2變形造成的影響有超過聚焦深度的范圍的傾向。又，伴隨光軍的大型化，第2變形顯著變大，產生進一步自投影光學系統(tǒng)的聚焦深度的范圍內脫離的問題。
相對于此問題，即使專利文獻1 ~3所探討般地使平面性良好，也無法應對因基板本身重量而變形的問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種可抑制因本身重量導致的光軍基板的第2變形所引起的光罩基板的從所期望的光罩圖案的變形，使光罩圖案投影曝光于設備基板上的光罩用基板、光罩用基板的成形構件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法。
本發(fā)明的光罩用基板，是由厚度實質上均一的板狀構件構成的光罩用基板，其特征在于具備由連續(xù)曲面構成的、待形成光罩圖案的第1面、及與第1面相對向的第2面；第1面呈由相對向的一對第1 組的邊、及以連結該第1組的邊的方式延伸的相對向的一對第2組的邊構成的四邊形，沿著第l組的各邊的端部具有用以支持光罩用基板的支持部；以第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，以通過光罩用基板的重心且延伸于光軍用基板的厚度方向的軸線與第1 面相交的交點作為第1面的中心點；將與中心點處的第1面的切平面平行的參照平面，定義在對光罩用基板而言比第2面接近第1面的一側時，第1面的中心點與參照平面之間的沿著厚度方向的第l距離，短于第2組的各邊的中點與參照平面之間的沿著厚度方向的第2距離。此處，本說明書的切平面，是包含在曲面上的一點處、與此曲面相切的所有切線的平面。
以第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，在第2 組的各邊中，該邊的第1組的邊側的部分與參照平面之間的沿著厚度方向的距離短于第2距離也可。又，以第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，對于第l組的各邊上的任一點，該第l組的邊
9上的點與參照平面之間的沿著厚度方向的距離實質上相同也可。
以第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，第l組的各邊的中點與參照平面之間的沿著厚度方向的距離與笫l距離實質上相同也可。
以第l面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，第l組的各邊的中點與參照平面之間的沿著厚度方向的距離短于第1距離也可。
以第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，對于第2 組的各邊上的任一點，該第2組的邊上的點與參照平面之間的沿著厚度方向的距離實質上相同也可。
上述光罩用基板中，具備用以辨別第1面與第2面的標記也可。上述光罩用基板中，基板由石英玻璃構成也可。
本發(fā)明的光罩，是使用上述光罩用基板制作的光軍，其特征在于在第1面形成有光罩圖案；在該支持部被曝光裝置支持以便從第2面側投射膝光用光。
本發(fā)明的曝光方法，是使形成于上述光罩的光罩圖案曝光于晶片上的曝光方法，其特征在于從光罩的與形成有光罩圖案的面相反側的面投射爆光用光，以形成有光罩圖案的面朝向晶片側的方式，在支持部被曝光裝置的光罩支持構件支持的狀態(tài)下進行膝光。
本發(fā)明的光罩用基板的成形構件，是對板狀構件進行成形以形成光罩用基板的成形構件，其特征在于具備用以對板狀構件進行成形的成形面，該成形面，是呈由連續(xù)曲面構成的、相對向的一對第l組的邊、及以連結該第1組的邊的方式延伸的相對向的一對第2組的邊所構成的四邊形；以連結第l組的各邊的中點的直線及連結第2組的各邊的中點的直線的交點作為成形面的中心點；將與中心點處的成形面的切平面平行的參照平面，定義在對成形面而言自成形構件遠離的側時，成形面的中心點與參照平面之間的沿著切平面的法線方向的第 l距離，短于第2組的各邊的中點與參照平面之間的沿著法線方向的笫2距離。在第2組的各邊中，該邊的第1組的邊側的部分與參照平面之間的沿著法線方向的距離短于第2距離也可。又，對于第l組的各邊上的任一點，該第1組的邊上的點與參照平面之間的沿著法線方向的距離實質上相同也可。
第1組的各邊的中點與參照平面之間的沿著法線方向的距離與第l距離實質上相同也可。第l組的各邊的中點與參照平面之間的沿著法線方向的距離短于第l距離也可。
對于第2組的各邊上的任一點，該笫2組的邊上的點與參照平面之間的沿著法線方向的距離實質上相同也可。上述成形構件由石墨構成也可。
本發(fā)明的光罩用基板的制造方法，其特征在于準備上述成形構件；準備具備待形成光罩圖案的第1面、及與第1面相對向的第2面的、厚度實質上均一的板狀構件；在將板狀構件的第2面用成形構件的成形面支持的狀態(tài)下配置于熱處理爐內；將熱處理爐內加熱至板狀構件的溫度成為規(guī)定溫度后，降低板狀構件的溫度。
本發(fā)明的光罩用基板的制造方法，其特征在于準備具備待形成光罩圖案的第1面、及與第1面相對向的第2面的、厚度實質上均一的板狀構件；以板狀構件呈大致水平的方式，將沿著構成板狀構件的第2面的彼此相對向的兩組邊之中一組邊的端部區(qū)域用支持構件支持的狀態(tài)下配置于熱處理爐內；將熱處理爐內加熱至板狀構件的溫度成為規(guī)定溫度后，降低板狀構件的溫度。此時，支持構件由石墨構成也可。
板狀構件由石英玻璃構成也可。
又，本發(fā)明第l發(fā)明的光罩用基板，其特征在于用以進行光罩圖案形成的第1面是對角線長度為1200mm以上的矩形；光罩用基板的厚度為8mm以上；將光罩用基板保持成第1面實質上呈鉛直狀態(tài)；在第1面的前側與第1面充分離開的位置定義與上述第1面的中心附近平行的任意平面即參照平面時，自構成第1面的兩條中心線之中的一條第1中心線的端部附近至參照平面為止的距離，相比于自第1中心線的中心附近至參照平面為止的距離，長30~ lOOfim。
此光罩在平行于第1中心線的一組的邊附近被曝光裝置支持的狀態(tài)下進行膝光。因此，根據此構成，由于可抑制曝光中在光罩未受到支持的兩邊(自由端)的中央部附近處第2變形的變大，因此即使是大尺寸的光罩，也能使光罩圖案高精度曝光于玻璃基板上。
本發(fā)明第2發(fā)明的光罩用基板，在上述第l發(fā)明的光罩用基板中，進而，自平行于第1中心線的一組的邊即第l組的邊附近的各點至參照平面為止的距離實質上相同。
此光軍在平行于第1中心線的一組的邊附近被曝光裝置支持的狀態(tài)下進行啄光。根據此構成，光罩基板形成為曝光中在光罩未受到支持的兩邊(自由端)的中央部附近產生的第2變形消除的形狀。因此，由于可抑制曝光中在自由端產生的第2變形，因此即使是大尺寸的光罩，也能使光罩圖案進一步高精度曝光于玻璃基板上。
本發(fā)明第3發(fā)明的光罩用基板，在上述第l及第2發(fā)明的光罩用基板中，自第2中心線的中央部附近至參照平面為止的距離，相比于自第2中心線的端部附近至參照平面為止的距離，長lS0 lS00nm。
根據此構成，光罩基板形成為曝光中在支持區(qū)域之間的區(qū)域產生的第l變形消除，且同時在自由端的中央部附近產生的第2變形也消除的形狀。因此，即使是大尺寸的光罩，也能使光罩圖案以極高精度曝光于玻璃基板上。
根據本發(fā)明，能提供一種可抑制因本身重量導致的光罩基板的第 2變形所引起的光罩基板的從所期望光罩圖案的變形，使光罩圖案投影爆光于設備基板上的光罩用基板、光罩用基板的成形構件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法。

圖l是顯示第1實施形態(tài)的光罩用基板的概念圖。圖2是顯示第2實施形態(tài)的光罩用基板的概念圖。圖3是顯示第3實施形態(tài)的光罩用基板的概念圖。圖4是顯示第1實施形態(tài)的光罩用基板的成形構件的概念圖。
12圖5是顯示第2實施形態(tài)的光罩用基板的成形構件的概念圖。圖6是顯示第3實施形態(tài)的光罩用基板的成形構件的概念圖。圖7(a) (d)是顯示第1實施形態(tài)、第2實施形態(tài)、及第3實施形態(tài)的光罩用基板的制造方法的概念圖。
圖8(a) (c)是顯示第4實施形態(tài)的光罩用基板的制造方法的概念圖。
圖9(a) (f)是顯示光罩的制造方法的概念圖。圖IO是顯示使用光罩的膝光方法的概念圖。圖ll是顯示使用光罩的爆光方法的概念圖。圖12是顯示光軍的變形的樣子的概念圖。圖13是顯示使用光罩的曝光方法的概念圖。符號說明
光罩用基板 11,21,31:第1面 12， 22， 32:第2面 40,50,60:成形枸件 41,51,61:成形面
100， 200， 300， 400， 500， 600:參照平面具體實施方式
以下，參照

本發(fā)明的實施形態(tài)，但本發(fā)明并不限于此。又，說明中，對于相同組件或具有相同功能的組件使用相同符號，省略重復說明。又，對各組件所附加的符號僅為該組件的例示，并非限定各組件。
(第1實施形態(tài))
圖7是顯示第1實施形態(tài)的光罩用基板的制造方法的概略圖。首先，準備相對向的二面實質上平行、厚度實質上均一的石英玻璃制板狀構件。相對向的二面是矩形，其尺寸為長、寬長度分別是1220mm 及1400mm，厚度是13mm。對此石英玻璃制板狀構件的兩個面進行研磨加工。石英玻璃制板狀構件71,具備相對向的兩面之中的一面作為待形成光罩圖案的第1面71a、及另一面作為與第1面相對向的第 2面71b。
接著，準備為了形成此石英玻璃制板狀構件71而使用的石墨制成形構件72。
此成形構件72與圖4所示的成形構件40相同。此處，參照圖4 說明成形構件40。成形構件40的厚度大約100mm,用以形成石英玻璃制板狀構件的成形面41的尺寸與石英玻璃制板狀構件大致相同。成形面41預先:l皮加工成下述形狀。也即，在成形面41的前側充分離開的位置上定義與成形面41的中心附近平行的任意平面即參照平面 400時，自構成成形面41的兩條中心線之中的一條第1中心線42的端部附近至參照平面400為止的距離401，相比于自第1中心線42的中心附近至參照平面為止的距離402，長大約40jim。也即，以成形面 41朝上的方式放置上述石墨制支持構件40時，沿著第1中心線42，其兩端部附近的表面相比于其中央部附近的表面，低大約40fim。
也即，成形面41呈由連續(xù)曲面構成的、相對向的一對第l組的邊41a， 41b、及以連結該第1組邊的方式延伸的相對向的一對第2組的邊41c，41d所構成的四邊形。此處，將連結第l組的各邊41a，41b 的中點41e，41f的直線即第2中心線43、與連結第2組的各邊41c,41d 的中點41g，41h的直線即第1中心線42的交點作為成形面41的中心點41i。此時，參照平面400與成形面41的中心點41i處的成形面41 的切平面410平行，定義在對于成形面41而言自成形構件40遠離的側。成形面41的切平面410,如上述定義般，是包含在作為成形面 41上的一點的中心點41i處與成形面41相切的所有切線的平面。
成形面41的中心點41i與參照平面400之間的沿著切平面410 的法線方向410N的第l距離402，短于第2組的各邊41c， 41d的中點41g，41h與參照平面400之間的沿著法線方向410N的第2距離401。又，對于第2組的各邊41c，41d上的任一點，該第2組的邊41c， 41d 上的點與參照平面400之間的沿著法線方向41i的距離401實質上都相同。
14上述形狀，如上述說明，是為了消除曝光裝置所支持的光罩產生
的因本身重量導致的變形而設定的。此外，大約40nm的數值，會因石英玻璃制板狀構件的尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外的材料時，較佳為，根據其材料的彈性模量來適當變更。
接著，將石英玻璃制板狀構件71栽置于石墨制成形構件72的成形面73上(圖7(b))。石英玻璃制板狀構件71因本身重量而彈性變形，與石墨制成形構件72的成形面73大致整面接觸。因此，石英玻璃制板狀構件71成為應力產生的狀態(tài)。此外，由于石墨制成形構件72具有充分的厚度，因此可忽視變形(圖7(c))。
接著，在此狀態(tài)下收納于熱處理爐內。使熱處理爐內的溫度逐漸上升至大約1300°C,接著，以大約1300。C維持規(guī)定時間。由此，緩和石英玻璃制板狀構件71產生的應力，在整面接觸石墨制成形構件的成形面的狀態(tài)下應力大致變?yōu)榱?。由于熱處理前的石英玻璃制板?構件的上面與下面大致平行，因此即使應力變?yōu)榱愦岁P系也不會改變。又，雖維持溫度1300。C，但只要此溫度為可緩和樣本的應力的溫度即可，為更低的溫度也可以。又，使用石英玻璃以外的材料時，設定在使其材料應力緩和的溫度即可。
石英玻璃制板狀構件71的應力緩和結束后，使熱處理爐內的溫度逐漸下降至室溫，下降至室溫后放置規(guī)定時間，之后從熱處理爐取出石英玻璃制板狀構件71。石英玻璃制板狀構件71成為石墨制成形構件72的成形面的形狀已轉印的狀態(tài)，制成光罩用基板l。
接著，測定制成的光罩用基板l的平面度。測定的面，是未接觸石墨制成形構件72的一側的面，也即對應石英玻璃制板狀構件71的第l面71a。平面度的測定，是在使光罩用基板1垂直豎立的狀態(tài)下使用非接觸的光學測定裝置進行。由此，可確認光罩用基板l的表面已成為石墨制成形構件72的支持面即成形面73的形狀已大致轉印的形狀。
也即，如圖l所示，制成下述光罩用基板，即以進行光罩圖案形成的笫1面11實質上呈鉛直的方式保持所制成的光罩用基板1,在第l面的前側與該第l面充分離開的位置上定義與第l面ll的中心附近
平行的任意平面即參照平面100時，從觀察方向O觀察，自構成第l 面的兩條中心線之中的一條第1中心線Cl的端部附近至參照平面為止的距離101，相比于自第1中心線的中心附近至參照平面為止的距離102，長大約40nm。
也即，光罩用基板l,是厚度實質上均一的板狀構件，其具備由連續(xù)曲面構成的、待形成光罩圖案的第1面11、及與第1面11相對向的第2面12。第1面11呈由相對向的一對第1組的邊lla, llb、及以連結第l組的邊lla，llb的方式延伸的相對向的一對第2組的邊 llc，lld構成的四邊形。第1面11，在沿著第l組的各邊lla，llb的端部具有用以支持光罩用基板l的支持部lls，llt。
此處，假設以第1面11實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板1。此外，將通過光罩用基板1的重心且延伸于光罩用基板1的厚度方向D的軸線與第1面ll相交的交點作為第1面11的中心點lli。由于光罩用基板1是厚度實質上均一的板狀構件，因此中心點lli，是連結第1組的各邊lla， lib的中點lle， llf的直線即第2中心線C2、與連結第2組的各邊lie, lid的中點llg， llh的直線即第1中心線 Cl的交點。
又，作為參照平面100定義如下的面，即與中心點lli處的第l 面11的切平面IIO平行的面，且對于光罩用基板l而言比第2面12 接近第1面11的一側的面。第1面11的切平面110，如上述定義般，是包含在作為第1面11上的一點的中心點lli處與第1面ll相切的
所有切線的平面。
此時，第1面11的中心點lli與參照平面IOO之間的沿著厚度方向D的第1距離102，短于第2組的各邊llc, lld的中點llg， llh 與參照平面IOO之間的沿著厚度方向D的笫2距離101。又，對于第 2組的各邊llc， lld上的任一點，該第2組的邊llc， lld上的點與參照平面IOO之間的沿著厚度方向D的距離101實質上都相同。
本實施形態(tài)的光罩用基板l、光罩用基板的成形構件41(72)、及光罩用基板的制造方法，適用于制造液晶面板等FPD時。
液晶面板等FPD，是通過在玻璃基板表面高精度形成FPD的組件來制造。因此，使用光刻技術。也即，以曝光用光照明在平面性優(yōu) 異的平板狀透明基板表面高精度形成有光罩圖案的光罩，使該光罩圖案像成像在預先涂布有光阻(photoresist)的玻璃基板上后，顯影，由此在玻璃基板表面形成光阻圖案(resist pattern)。之后，經由多個步驟制造FPD。
然而，為了 FPD的畫面尺寸的大型化與生產的效率化，FPD用玻璃基板逐年大型化，伴隨于此，其生產所使用的光罩也逐漸大型化。不久的將來，玻璃基板會成為例如2200mmx2500mm般極大，伴隨于此，為了使光罩圖案曝光于此玻璃基板而所使用的光罩的尺寸，成為例如1220mmxl400mm、厚度13mm般極大。然而，大型化的進展不會停于此，要求更大的玻璃基板與光罩。
使形成于光罩的光罩圖案曝光于基板時，一邊以形成有光罩圖案的面向下的方式將光罩大致水平地保持在曝光裝置一邊進行。此時，由于膝光裝置的構成上的限制，光罩在包圍下面(也即形成有光罩圖案的面)的四邊之中，相對向的一組兩個邊附近的區(qū)域被支持。以此方式被支持的光罩，被支持的一組邊之間的區(qū)域，會因本身重量向下面?zhèn)?彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第l變形。又，同時，在未被支持的兩個邊(自由端)的附近，會進一步向下方彎曲而下垂般地變形。此處，將此變形稱為第2變形。圖12顯示該樣子。也即，圖 12中，光罩M，與2個部位的支持部分S之間的區(qū)域向下方下垂同時，未被支持的自由端F的中央部附近進一步向下方下垂。其意味著形成于光罩下面的光軍圖案也產生如上述說明的變形。又，圖12中， C1及C2表示形成有光罩圖案的面的兩條中心線，此處，將平行于支持部分S的中心線稱為第1中心線C1，另一者稱為第2中心線C2。
曝光裝置構成為投影光學系統(tǒng)使細長區(qū)域曝光。為了使如上述變形的光罩圖案正確地成像、曝光于作為FPD的基板的玻璃基板上，曝光裝置的投影光學系統(tǒng)具有自動聚焦功能。
17雖然形成于光罩的光罩圖案產生如上述說明的變形，但對上述第 1變形，以往通過曝光裝置的自動聚焦功能或光罩的移動方向等來應
對。又，關于上述第2變形，由于在投影光學系統(tǒng)的聚焦深度的范圍內，因此并無特別的應對。
然而，伴隨光罩的大型化，特別是第2變形進一步變大，會產生自投影光學系統(tǒng)的聚焦深度的范圍內脫離的問題。又，第l變形也進一步變大。對此類型的變形，如上述說明，通過曝光裝置的功能可應對至某種程度，但為了將大型化的光軍的光軍圖案的膝光品質維持在極高的狀態(tài)，較佳為，采取某些對策。
為了提升光罩圖案的曝光品質，日本特開2003 -292346(專利文獻l)、日本特開2004 - 359544(專利文獻2)、及日本特開2005 -262432(專利文獻3)揭示有通過進行除去基板的一部分凸部分的加工，以改善基板的平面性。然而，即使平面性良好，也無法應對因大型化的基板的本身重量導致的變形的問題。
本實施形態(tài)解決這些問題，能提供一種即使是大尺寸的光軍，也能使光罩的光罩圖案高精度曝光于玻璃基板上的用以制造光罩的光罩用基板、用以制造光罩用基板的成形構件、及光罩用基板的制造方法。
(第2實施形態(tài))
準備與第1實施形態(tài)相同的石英玻璃制板狀構件，以與第1實施形態(tài)所使用的步驟相同的步驟進行研磨加工。
接著，準備為了支持此石英玻璃制板狀構件以進行熱處理而使用的石墨制成形構件50。
圖5顯示此成形構件50。成形構件50的厚度大約100mm，成形面51的尺寸與石英玻璃制板狀構件大致相同。成形面51預先被加工成下述形狀。也即，在成形面51的前側充分離開的位置上定義與成形面51的中心附近平行的任意平面即參照平面500時，自構成成形面51的兩條中心線之中的一條第1中心線52的端部附近至參照平面為止的距離501，相比于自第1中心線的中心附近至參照平面為止的距離502，長大約40nm，自平行于第1中心線52的一組邊即第一組邊附近的各點至參照平面為止的距離503實質上相同。
也即，成形面51呈由連續(xù)曲面構成的、相對向的一對第l組的邊51a， 51b、及以連結該第1組的邊的方式延伸的相對向的一對第2 組的邊51c， 51d所構成的四邊形。此處，將連結第1組的各邊51a， 51b 的中點51e，51f的直線即笫2中心線53、與連結第2組的各邊51c， 51d 的中點51g，51h的直線即第1中心線52的交點作為成形面51的中心點51i。此時，參照平面500與成形面51的中心點51i處的成形面51 的切平面平行，定義在對于成形面51而言自成形構件50遠離的側。
成形面51的中心點51i與參照平面500之間的沿著切平面的法線方向N的第l距離502，短于第2組的各邊51c， 51d的中點51g， 51h 與參照平面500之間的沿著法線方向N的第2距離501。
又，在第2組的各邊51c, 51d中，該邊51c， 51d的第1組的邊 51a， 51b側的部分與參照平面500之間的沿著法線方向N的距離503 短于第2距離501。因此，對于第l組的各邊51a， 51b上的任一點，該第l組的邊51a，51b上的點與參照平面500之間的沿著法線方向N 的距離與距離503實質上都相同。
又，第l組的各邊51a,51b的中點51e，51f與參照平面500之間的沿著法線方向N的距離503與第l距離502實質上相同。其原因在于，連結第l組的各邊51a，51b的中點51e，51f的直線，通過成形面 51的中心點51i。
上述形狀，如上述說明，是為了消除曝光裝置所支持的光罩產生的因本身重量導致的變形而設定的。此外，大約40nm的數值，會因石英玻璃制板狀構件的尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外的材料時，較佳為，根據其材料的彈性模量來適當變更。
之后，以與第1實施形態(tài)說明的步驟相同的步驟制成光罩用基板。
制成的光罩用基板的平面度的測定，也通過與第1實施形態(tài)說明的步驟相同的步驟來進行。由此，可確認光罩用基板的表面已成為石墨制支持構件的支持面的形狀已大致轉印的形狀。
也即，如圖2所示，制成下述光罩用基板，即以進行光罩圖案形成的第1面21實質上呈鉛直的方式保持所制成的光罩用基板2，在第 1面的前側與第1面充分離開的位置上定義與第1面的中心附近平行的任意平面即參照平面200時，從觀察方向O觀察，自構成第1面的兩條中心線之中的一條第1中心線Cl的端部附近至參照平面為止的距離201，相比于自第1中心線Cl的中心附近至參照平面為止的距離202，長大約40pm，自平行于第1中心線Cl的一組邊即第1組的邊21a，21b附近的各點至參照平面為止的距離203實質上相同。
也即，光軍用基板2，是厚度實質上均一的板狀構件，其具備由連續(xù)曲面構成的、待形成光罩圖案的第1面21、及與第1面21相對向的第2面22。第1面21呈由相對向的一對第1組的邊21a， 21b、及以連結第l組的邊21a,21b的方式延伸的相對向的一對第2組的邊 21c，21d構成的四邊形。第1面21，在沿著第1組的各邊21a，21b的端部具有用以支持光罩用基板2的支持部21s，21t。
此處，假設以第1面21實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板2。此外，將通過光罩用基板2的重心且延伸于光罩用基板2的厚度方向D的軸線與第1面21相交的交點作為第l面21的中心點21i。由于光罩用基板2是厚度實質上均一的板狀構件，因此中心點21i是連結第1組的各邊21a,21b的中點21e，21f的直線即第2中心線C2、與連結第2組的各邊21c， 21d的中點21g， 21h的直線即第1中心線 Cl的交點。
又，作為參照平面200定義如下面，即與中心點21i處的第1面 21的切平面210平行的面且對于光罩用基板2而言比第2面22接近第1面21側的面。
此時，第1面21的中心點21i與參照平面200之間的沿著厚度方向D的第1距離102，短于第2組的各邊21c, 21d的中點21g， 21h 與參照平面200之間的沿著厚度方向D的第2距離201。又，在第2 組的各邊21c, 21d中，該邊21c， 21d的第1組的邊21a， 21b側的部分
20與參照平面200之間的沿著厚度方向D的距離203短于第2距離201。因此，對于第1組的各邊21a，21b上的任一點，該第1組的邊21a，21b 上的點與參照平面200之間的沿著厚度方向D的距離203實質上都相同。又，第l組的各邊21a，21b的中點21e，21f與參照平面200之間的沿著厚度方向D的距離203與第l距離202實質上相同。其原因在于，連結第l組的各邊21a，21b的中點21e，21f的直線，通過第1面 21的中心點21i。
(第3實施形態(tài))
準備與第1實施形態(tài)相同的石英玻璃制板狀構件71，以與第1 實施形態(tài)所使用的步驟相同的步驟進行研磨加工。
接著，準備為了支持此石英玻璃制板狀構件71以進行熱處理而使用的石墨制成形構件60。
圖6顯示此成形構件60。成形構件60的厚度大約100mm，成形面61的尺寸與石英玻璃制板狀構件71大致相同。成形面61預先被加工成下述形狀。也即，在成形面61的前側充分離開的位置上定義與成形面61的中心附近平行的任意平面即參照平面600時，自構成成形面61的兩條中心線之中的一條第1中心線62的端部附近至參照平面為止的距離601，相比于自第1中心線的中心附近至參照平面為止的距離602，長大約40jim,自平行于第1中心線62的一組邊即第一組邊附近的各點至參照平面為止的距離603實質上相同，自構成成形面61的兩條中心線之中的與第1中心線不同的第2中心線的中央部附近至參照平面600為止的距離602,相比于自該第2中心線的端部附近至該參照平面為止的距離603，長大約500jim。
也即，成形面61呈由連續(xù)曲面構成的、相對向的一對第l組的邊61a， 61b、及以連結該第1組的邊的方式延伸的相對向的一對第2 組的邊61c， 61d所構成的四邊形。此處，將連結第1組的各邊61a， 61b 的中點61e,61f的直線即第2中心線63、與連結第2組的各邊61c，61d 的中點61g，61h的直線即第1中心線62的交點作為成形面61的中心點61i。此時，參照平面600與成形面61的中心點61i處的成形面61的切平面平行，定義在對于成形面61而言自成形構件60遠離的側。成形面61的切平面610，如上述定義般，是包含在作為成形面61上的一點的中心點61i處、與成形面61相切的所有切線的平面。
成形面61的中心點61i與參照平面600之間的沿著切平面610 的法線方向610N的第1距離602，短于第2組的各邊61c， 61d的中點61g，61h與參照平面600之間的沿著法線方向N的第2距離601。又，第l組的各邊61a, 61b的中點61e，61f與參照平面600之間的沿著法線方向N的距離603短于第1距離602。
上述形狀，如上述說明，是為了消除曝光裝置所支持的光罩產生的因本身重量導致的變形而設定的。此外，大約40nm及500nm的數值，會因石英玻璃制板狀構件的尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外的材料時，較佳為，根據其材料的彈性模量來適當變更。
之后，以與第1實施形態(tài)說明的步驟相同的步驟制成光軍用基板。制成的光罩用基板的平面度的測定，也通過與第l實施形態(tài)說明的步驟相同的步驟來進行。由此，可確認光罩用基板的表面已成為石墨制支持構件的支持面的形狀已大致轉印的形狀。
也即，如圖3所示，以進行光罩圖案形成的第1面31實質上呈鉛直的方式保持所制成的光罩用基板3，在第l面的前側與第l面充分離開的位置上定義與第1面的中心附近平行的任意平面即參照平面 300時，從觀察方向O，見察，自構成第1面的兩條中心線之中的一條第1中心線C1的端部附近至參照平面為止的距離301，相比于自第1 中心線Cl的中心附近至參照平面為止的距離302,長大約40nm，自平行于第1中心線Cl的一組邊即第1組邊31a， 31b附近的各點至參照平面為止的距離303實質上相同，自構成第1面的兩條中心線之中的與該第1中心線不同的第2中心線C2的中央部附近至參照平面為止的距離302，相比于自該第2中心線C2的端部附近至參照平面為止的多巨離303,長大約500nm。
也即，光罩用基板3，是厚度實質上均一的板狀構件，其具備由連續(xù)曲面構成的、待形成光罩圖案的第1面31、及與第1面31相對向的第2面32。第1面31呈由相對向的一對第1組的邊31a， 31b、及以連結第l組的邊31a,31b的方式延伸的相對向的一對第2組的邊 31c，31d構成的四邊形。第1面31,在沿著第1組的各邊31a，31b的端部具有用以支持光罩用基板3的支持部31s， 31t。
此處，假設以第1面31實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板3。此外，將通過光罩用基板3的重心且延伸于光軍用基板3的厚度方向D的軸線與第1面31相交的交點作為第l面31的中心點31i。由于光罩用基板3是厚度實質上均一的板狀構件，因此中心點31i，是連結第1組的各邊31a, 31b的中點31e， 31f的直線即第2中心線C2、與連結第2組的各邊31c， 31d的中點31g， 31h的直線即第1中心線 Cl的交點。
又，作為參照平面300定義如下面，即與中心點31i處的第1面 31的切平面平行的面且對于光罩用基板3而言比第2面32接近第1 面31側的面。
此時，第1面31的中心點31i與參照平面300之間的沿著厚度方向D的第l距離302，短于第2組的各邊31c， 31d的中點31g， 31h 與參照平面300之間的沿著厚度方向D的第2距離301。又，第l組的各邊31a，31b的中點31e，31f與參照平面300之間的沿著厚度方向 D的距離303短于第1距離302。
此外，在第1實施形態(tài)、第2實施形態(tài)、及第3實施形態(tài)中，雖然在石墨制支持構件之上直接放置石英玻璃制板狀構件以進行熱處理，但熱處理時，也可以使石墨片介于石墨制支持構件與石英玻璃制板狀構件之間來進行。此時，具有防止石英玻璃制板狀構件產生損傷的效果。又，雖進行研磨加工后，對石英玻璃制板狀構件進行熱處理，但也可以在熱處理后進行研磨加工。再者，也可以使石墨制支持構件的支持面的形狀成為凹凸相反的形狀。此時，熱處理時使形成光罩圖案的面成為下側的面。
又，第1實施形態(tài)、第2實施形態(tài)、及第3實施形態(tài)的光罩用基板1,2,3,也可具備用以辨別第1面11， 21， 31與第2面12， 22， 32的標記。
(第4實施形態(tài))
圖8是顯示第4實施形態(tài)的光罩用基板的制造方法的概略圖。準備與第1實施形態(tài)所使用的板狀構件71相同的石英玻璃制板
狀構件85，以與第1實施形態(tài)所使用的步驟相同的步驟進行研磨加工
(圖8(a))。
接著，將石英玻璃制板狀構件85收納于熱處理爐內。此時，如圖8(b)所示，在沿著構成石英玻璃制板狀構件85的表面85b的彼此相對向的兩組邊之中的一組邊的附近的區(qū)域，由一對石墨制棒狀構件 S將石英玻璃制板狀構件85支持成大致水平支持的狀態(tài)。支持的區(qū) 域，與由曝光裝置支持使用石英玻璃制板狀構件85制成的光罩的區(qū) 域大致一致。此狀態(tài)下，由石墨制棒狀構件S支持的區(qū)域之間，石英玻璃制板狀構件85會因本身重量向下方下垂般地變形，同時，在未被支持的兩邊F的中央部附近，會進一步向下方下垂般地變形。
接著，使熱處理爐內的溫度逐漸上升至1300。C后，使熱處理爐內的溫度逐漸下降，下降至室溫為止時放置規(guī)定時間后，取出石英玻璃制板狀構件。由此，石英玻璃制板狀構件，從上述說明的因本身重量導致變形的狀態(tài)進一步產生更大的變形。
以同樣步驟對多個石英玻璃制板狀構件進行熱處理。此時，多樣地改變維持在1300。C的時間，以多個條件進行熱處理。
也即，如圖8(a)所示，準備具備待形成光罩圖案的第1面85a、及與第l面85a相對向的第2面85b的、厚度實質上均一的板狀構件 85。接著，如圖8(b)所示，以板狀構件85成為大致水平的方式，由一對石墨制棒狀構件S支持沿著構成板狀構件85的第2面85b的彼此相對向的兩組邊之中的一組邊85c，85d的端部區(qū)域。接著，在凈皮支持構件S支持的狀態(tài)下，將板狀構件85配置于熱處理爐內。
將熱處理爐內加熱至板狀構件85的溫度成為規(guī)定溫度(例如， 1300。C)后，使板狀構件85的溫度逐漸下降。以此方式，下降至室溫時放置規(guī)定時間后，取出板狀構件85,如圖8(c)所示，制得光罩用基板8。
接著，測定以上述多個條件進行熱處理的石英玻璃制板狀構件的平面度。平面度的測定，是通過與第1實施形態(tài)說明的步驟相同的步驟來進行。維持在130(TC的時間越長，平面度成為越大的值。因此，從這些多個熱處理條件之中，求出滿足下述條件的熱處理條件。
也即，如圖8(c)所示，選擇下述石英玻璃制板狀構件，即以待進行光罩圖案形成的第1面81實質上呈鉛直的方式保持熱處理結束的石英玻璃制板狀構件85即石英玻璃制板狀構件8，在第1面的前側與該第1面充分離開的位置上定義與第l面的中心附近平行的任意平面即參照平面800時，從觀察方向O觀察，自與熱處理中支持的區(qū)域附近的一組的邊82正交的笫1面的中心線C2的中央部附近至參照平面 800為止的距離801，相比于自第2中心線C2的端部附近至參照平面 800為止的距離802，長大約500nm。接著，以對石英玻璃制板狀構件進行的熱處理條件作為要求出的熱處理條件來制造光罩用基板。
以此方式制造的光罩用基板，與第3實施形態(tài)所制造的光罩用基板為大致相同形狀。也即，如圖3所示，以進行光罩圖案形成的第1 面31實質上呈鉛直的方式保持所制成的光罩用基板3，在第l面的前側與該笫1面充分離開的位置上定義與第1面的中心附近平行的任意平面即參照平面300時，從觀察方向O觀察，自構成第1面的兩條中心線之中的一條第1中心線Cl的端部附近至參照平面為止的距離 301，相比于自第1中心線Cl的中心附近至參照平面為止的距離302，長大約40nm，自平行于第1中心線Cl的一組邊即第1組的邊31a， 31b 附近的各點至參照平面為止的距離303實質上相同，自構成第1面的兩條中心線之中的與該第1中心線不同的第2中心線C2的中央部附近至參照平面為止的距離302，相比于自該第2中心線C2的端部附近至參照平面為止的距離303,長大約500fim。
上述形狀，如上述說明，是為了消除曝光裝置所支持的光罩產生的因本身重量導致的變形而"i殳定的。此外，大約40nm及500nm這樣的數值，會因石英玻璃制板狀構件的尺寸而不同。又，使用石英玻璃以外的材料時，較佳為，根據其材料的彈性模量來適當變更。
(第5實施形態(tài))
在本實施形態(tài)中，使用圖9說明光罩的制造方法。首先，準備第1~第3實施形態(tài)的光罩用基板l、 2、 3或通過第4實施形態(tài)的制造方法所制造出的光罩用基板8作為光罩用基板90。對光罩用基板90進行洗凈以成為極潔凈的狀態(tài)。圖9(a)顯示其狀態(tài)。
接著，在光罩用基板90的光罩圖案形成面即第1面卯a形成鉻層91。圖9(b)顯示其狀態(tài)。
接著，在鉻層91之上涂布光阻92后，使所期望的液晶圖案曝光。圖9(c)顯示其狀態(tài)。
接著，進行顯影以除去已曝光的部分的光阻，形成光阻圖案。圖9(d)顯示其狀態(tài)。
接著，進行蝕刻，除去露出的鉻層的部分。圖9(e)顯示其狀態(tài)。
接著，通過除去殘留的光阻，成為在表面形成有鉻的液晶圖案的光罩，最后，用測長器檢查液晶圖案是否正確地形成后，進行精密洗凈，制成光罩。圖9(f)顯示其狀態(tài)。
也即，第1~第3實施形態(tài)的光罩用基板l、 2、 3或通過第4實施形態(tài)的制造方法所制造出的光罩用基板8即光罩用基板90，具備待形成光罩圖案的第1面90a、及與第1面90a相對向的第2面90b。在光罩用基板90中，在第1面90a形成有光罩圖案，在第1面90a的支持部被曝光裝置支持以《更從第2面90b側投射曝光用光。
如上述說明，由于通過使用第1~第3實施形態(tài)的光罩用基板，可高精度進行曝光，因此能制造高品質的光罩。
此外，也可以在研磨光軍用基板后，使用成形構件等施加熱處理使其變形后，經由圖9所示的步驟形成光罩圖案來制得光罩?；蛘?，也可以使用成形構件等對光罩用基板施加熱處理使其變形后，施加研磨，之后經由圖9所示的步驟形成光罩圖案來制得光罩?；蛘撸部梢栽谘心ス庹钟没搴?，經由圖9所示的步驟形成光罩圖案后，使用成形構件等施加熱處理使其變形來制得光罩。也即，也可以變更組合研磨、熱處理、及光罩圖案的形成步驟的順序。
(第6實施形態(tài))
本實施形態(tài)關于使用第1~第3實施形態(tài)的光罩的液晶圖案的曝光方法。使用圖10加以說明。
圖IO顯示液晶用曝光裝置ES。此膝光裝置，具備光源LS、照明光學系統(tǒng)IS、投影光學系統(tǒng)PS、光罩載臺MS、及基板載臺SS。
將在第5實施形態(tài)中制作的光罩即光罩M配置于曝光裝置的光罩載臺MS。光罩M，在對應第1面的下面Ml形成有光罩圖案，在構成下面Ml的兩組邊之中的一組邊的附近被光罩載臺MS所支持。因此，圖10中，2處的未被光罩載臺MS所支持的另一組邊成為自由
又，將涂布有光阻的液晶用基板S支持于曝光裝置的基板載臺
ss上。
從光源LS射出的光通過照明光學系統(tǒng)IS來照明光罩圖案。被照明的光罩圖案通過投影光學系統(tǒng)PS而聚光于預先涂布有光阻的基板S。此時，光罩載臺MS與基板栽臺SS同步地在與紙面呈直角的方向上移動。
也即，在本實施形態(tài)的使用光罩的液晶圖案的曝光方法中，從光罩M的與形成有光罩圖案的面Ml相反側的面M2投射曝光用光，在以形成有光罩圖案的面Ml朝向基板S側的方式由曝光裝置ES的光罩支持構件MS支持光罩M的狀態(tài)下進行曝光。
由于第1 ~第3實施形態(tài)的光罩用基板被制造成消除當支持基板時因本身重量導致的變形的形狀，因此即使是大尺寸的光罩，也可以使光罩圖案高精度曝光于玻璃基板上。
又，使用圖ll說明使用另一類型的曝光裝置的情形。圖11顯示另一類型的曝光裝置ES2。此曝光裝置，具備光源LS2、反射鏡FM1，FM2，FM3，FM4、曲面反射鏡CM、光罩載臺MS、及基板載臺SS。
將在第5實施形態(tài)中制作的光罩即光罩M配置于曝光裝置的光罩載臺MS。光罩M，在上面M1形成有光罩圖案，在構成下面的兩組邊之中的一組邊的附近被光罩載臺MS所支持。因此，圖10中，2 處的未被光罩栽臺MS所支持的另一組邊成為自由端。
又，將涂布有光阻的液晶用基板S支持于曝光裝置的基板載臺 SS上。
從光源LS2射出的光經由反射鏡Ml而照明光罩。從被照明的光罩射出的光，經由各反射鏡FM2， FM3、曲面反射鏡CM、及反射鏡FM4而聚光于預先涂布有光阻的基板S。此時，光罩載臺MS與基板載臺SS同步地在紙面的左右方向上移動。
(第7實施形態(tài))
本實施形態(tài)關于將實施形態(tài)的光罩1 ~3的任一者使用為光罩M 的液晶圖案的膝光方法。使用圖13加以說明。
圖13顯示液晶用曝光裝置ES3。此曝光裝置，具備照明光學系統(tǒng)IOIO、投影光學系統(tǒng)1002a 1002g、光罩載臺MS、板件P。此外，圖13中，設定坐標系統(tǒng)，該坐標系統(tǒng)是以設有規(guī)定光罩圖案的光罩 M、及在玻璃基板上涂布有光阻的板件W的搬送方向(掃描方向)為X 軸，以在光罩M的平面內與X軸正交的方向為Y軸，以光罩M的法線方向為Z軸。
圖13中，來自照明光學系統(tǒng)1010的曝光用光，均一地照明圖中 XY平面內的光罩M。作為照明光學系統(tǒng)1010,可使用具備例如供應 g線(435nm)、或i線(365nm)等的曝光用光的水銀燈等光源的系統(tǒng)。曝光用光形成作為照明光學系統(tǒng)1010的視野光闌的孔徑部的像的照明區(qū)》或Ma Mg。
光罩M被配置成第2面朝向圖1的上方、也即照明光學系統(tǒng)1010 側，形成有光罩圖案的第1面朝向投影光學系統(tǒng)1002a 1002g側、也即板件P側。光罩M被配置成第1組的邊與Y軸方向平行，第2 組的邊與X軸方向平行。又，光罩M在位于沿著光罩M的第l組的邊的端部的第1面上的支持部被光罩載臺MS支持。另一方面，光罩 M的第2組的邊成為自由端。在光罩M的下方配置多個投影光學系統(tǒng)1002a ~ 1002g。投影光學系統(tǒng)1002a~ 1002g具有以投影光學系統(tǒng)內的視野光闌規(guī)定的視野區(qū)域Ma Mg。這些視野區(qū)域Ma Mg的像，在板件P上的曝光區(qū) 域Pa ~ Pg上形成為等倍的正立像。此處，投影光學系統(tǒng)1002a ~ 1002d 被設成視野區(qū)域Ma~Md沿著圖中Y方向排列。又，投影光學系統(tǒng) 1002e 1002g被設成在圖中X方向上與視野區(qū)域Ma Md不同的位置處、視野區(qū)域Me Mg沿著Y方向排列。
在板件P上，通過投影光學系統(tǒng)1002a 1002d形成沿著圖中Y 方向排列的曝光區(qū)域Pa Pd，通過投影光學系統(tǒng)1002e~ 1002g形成在與曝光區(qū)域Pa Pd不同的位置處沿著Y方向排列的曝光區(qū)域Pe Pg。這些膝光區(qū)域Pa ~ Pg是視野區(qū)域Ma ~ Mg的等倍的正立像。
此處，光罩M被載置于光罩栽臺MS上，板件P被載置于板件載臺60上。此處，光罩載臺MS與板件載臺60同步地在圖中X方向上移動。由此，在板件P上依次轉印照明光學系統(tǒng)1010所照明的光罩M的像，即進行所謂掃描曝光。通過光罩M的移動，利用視野區(qū) 域Ma ~ Mg進行的光罩M的整面的掃描結束后，光罩M的像轉印至板件P上的整面。在光罩栽臺MS設置有測量光罩栽臺MS的移動量的激光千涉儀(省略圖示)。激光干涉儀使用移動鏡測量光罩載臺MS 的位置坐標，根據測量的位置坐標控制光罩載臺MS的位置。
在板件栽臺60上設置具有沿著Y軸的反射面的反射構件1061、及具有沿著X軸的反射面的反射構件1062。又，在曝光裝置本體側作為干涉儀設有供應例如He - Ne(633nm)等激光光束的激光光源 1063、將來自激光光源1063的激光光束分割成X方向測定用的激光光束與Y方向測定用的激光光束的分束器1064、用以將來自分束器 1064的激光光束投射至反射構件1061的棱鏡1065、及用以將來自分束器1064的激光光束投射至反射構件1062上的2點的棱鏡1066， 1067。由此，可檢測載臺的X方向的位置、Y方向的位置、及在XY 平面內的旋轉。此外，圖13中，關于使反射構件1061， 1062所反射的激光光束與參照用激光光束干涉后加以檢測的檢測系統(tǒng)，省略了圖示。
在曝光裝置ES3中，對于光罩載臺MS，除了需要支持光軍M 的支持部MS以外，還需要干涉儀，并且需要在光罩M的上下保持空間。因此，較佳為，對光罩M的2對相對向的邊的組，僅在一對組的邊附近支持光罩M。此時，如上述，隨著光罩M變大，因光罩 M的本身重量所導致的變形，特別是第2變形的問題變顯著。相對于此，由于光罩M是實施形態(tài)的光罩1~3，因此可消除超過投影光學系統(tǒng)的自動聚焦功能的焦點深度的因本身重量導致的變形。因此，在曝光裝置ES3中可高精度曝光。
由于第1~第3實施形態(tài)的光罩用基板被制造成消除當支持基板時因本身重量導致的變形的形狀，因此即使是大尺寸的光罩，也可使光罩圖案高精度膝光于玻璃基板上。
以上，對本發(fā)明的較佳實施形態(tài)加以詳細說明，但本發(fā)明并不限于上述實施形態(tài)，可進行各種變形。例如，光罩用基板的尺寸并不限于上述實施形態(tài)所記載的尺寸。
又，光罩用基板也可由石英玻璃以外構成。光罩用基板并不限于液晶曝光用的光罩，也可使用于其它組件用的光罩。又，光罩的成形構件并不限于石墨。
產業(yè)上的可利用性
本發(fā)明能提供為了使平面面板顯示器，特別是大尺寸液晶的高精細光罩圖案高精度曝光而所使用的光罩、光罩用基板、光罩用基板的制造方法、及使用光罩的曝光方法。
權利要求
1.一種光罩用基板，是由厚度實質上均一的板狀構件構成的光罩用基板，其特征在于具備由連續(xù)曲面構成的、待形成光罩圖案的第1面、及與上述第1面相對向的第2面；上述第1面呈由相對向的一對第1組的邊、及以連結該第1組的邊的方式延伸的相對向的一對第2組的邊構成的四邊形，沿著上述第1組的各邊的端部具有用以支持上述光罩用基板的支持部；以上述第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持上述光罩用基板時，以通過上述光罩用基板的重心且延伸于上述光罩用基板的厚度方向的軸線與上述第1面相交的交點作為上述第1面的中心點；將與上述中心點處的上述第1面的切平面平行的參照平面，定義在對上述光罩用基板而言比上述第2面接近上述第1面的一側時，上述第1面的中心點與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的第1距離，短于上述第2組的各邊的中點與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的第2距離。
2. 如權利要求1所述的光軍用基板，其中，以上述第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持上述光罩用基板時，在上述第2組的各邊中，該邊的上述第l組的邊側的部分與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的距離短于上述第2距離。
3. 如權利要求1所述的光罩用基板，其中，以上述第l面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持上述光罩用基板時，對于上述第l組的各邊上的任一點，上述第l組的邊上的點與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的距離實質上相同。
4. 如權利要求1至3中任一項所述的光罩用基板，其中，以上述第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持上述光罩用基板時，上述第l組的各邊的中點與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的距離與上述第l距離實質上相同。
5. 如權利要求1至3中任一項所述的光罩用基板，其中，以上述第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持上述光罩用基板時，上述第1組的各邊的中點與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的距離短于上述第l距離。
6. 如權利要求1所述的光罩用基板，其中，以上述第l面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持上迷光罩用基板時，對于上述第2組的各邊上的任一點，上述第2組的邊上的點與上述參照平面之間的沿著上述厚度方向的距離實質上相同。
7. 如權利要求1至6中任一項所述的光罩用基板，其具備用以辨別上述第1面與上述第2面的標記。
8. 如權利要求1至7中任一項所述的光罩用基板，其中，上述基板由石英玻璃構成。
9. 一種光罩，是使用權利要求1至8中任一項所述的光罩用基板制作的光罩，其特征在于在上述第1面形成有光軍圖案；在上述支持部被曝光裝置支持以便從上述第2面?zhèn)韧渡淦毓庥霉狻?br> 10. —種曝光方法，是使形成于權利要求9所述的光罩的光罩圖案曝光于晶片上的曝光方法，其特征在于從上述光罩的與形成有光罩圖案的面相反側的面投射曝光用光，以上述形成有光罩圖案的面朝向上述晶片側的方式，在上述支持部被曝光裝置的光罩支持構件所支持的狀態(tài)下進行曝光。
11. 一種光罩用基板的成形構件，是對板狀構件進行成形以形成光罩用基板的成形構件，其特征在于具備用以對上述板狀構件進行成形的成形面，上述成形面呈由連續(xù)曲面構成的、相對向的一對第l組的邊、及以連結上述第l組的邊的方式延伸的相對向的一對第2組的邊所構成的四邊形；以連結上述第l組的各邊的中點的直線及連結上述第2組的各邊的中點的直線的交點作為上迷成形面的中心點；將與上述中心點處的上述成形面的切平面平行的參照平面，定義在對上述成形面而言自上述成形構件遠離的側時，上述成形面的中心點與上述參照平面之間的沿著上述切平面的法線方向的第l距離，短于上述第2組的各邊的中點與上述參照平面之間的沿著上述法線方向的第2距離。
12. 如權利要求11所述的光罩用基板的成形構件，其中，在上述第2組的各邊中，該邊的上述第l組的邊側的部分與上述參照平面之間的沿著上述法線方向的距離短于上述第2距離。
13. 如權利要求11所述的光軍用基板的成形構件，其中，對于上述第l組的各邊上的任一點，上述第l組的邊上的點與上述參照平面之間的沿著上述法線方向的距離實質上相同。
14. 如權利要求11至13中任一項所述的光罩用基板的成形構件，其中，上述第l組的各邊的中點與上述參照平面之間的沿著上述法線方向的距離與上述第l距離實質上相同。
15. 如權利要求11至13中任一項所述的光罩用基板的成形構件，其中，上述第l組的各邊的中點與上述參照平面之間的沿著上述法線方向的距離短于上述第l距離。
16. 如權利要求11項所述的光罩用基板的成形構件，其中，對于上述第2組的各邊上的任一點，上述第2組的邊上的點與上述參照平面之間的沿著上述法線方向的距離實質上相同。
17. 如權利要求11至16中任一項所述的光罩用基板的成形構件，其由石墨構成。
18. —種光罩用基板的制造方法，其特征在于準備權利要求11至17中任一項所述的成形構件；準備具備待形成光罩圖案的第1面、及與上述第1面相對向的第2面的、厚度實質上均一的板狀構件；在將上述板狀構件的上述第2面用上述成形構件的上述成形面支持的狀態(tài)下配置于熱處理爐內；將上述熱處理爐內加熱至上述板狀構件的溫度成為規(guī)定溫度后，降低上述板狀構件的溫度。
19. 一種光罩用基板的制造方法，其特征在于準備具備待形成光罩圖案的第1面、及與上述第1面相對向的第2面的、厚度實質上均一的板狀構件；以上述板狀構件呈大致水平的方式，將沿著構成上述板狀構件的上述第2面的彼此相對向的兩組邊之中、一組邊的端部區(qū)域用支持構件支持的狀態(tài)下配置于熱處理爐內；將上述熱處理爐內加熱至上述板狀構件的溫度成為規(guī)定溫度后，降低上述板狀構件的溫度。
20. 如權利要求19所述的光罩用基板的制造方法，其中，上述支持構件由石墨構成。
21. 如權利要求19或20所述的光罩用基板的制造方法，其中，上述板狀構件由石英玻璃構成。
22. —種光罩用基板，其特征在于用以進行光罩圖案形成的第1面，是對角線長度為1200mm以上的矩形；上述光罩用基板的厚度為8mm以上；將上述光罩用基板保持成上述第1面實質上呈鉛直狀態(tài)；在上述第l面的前側與上述第l面充分離開的位置定義與上述第 1面的中心附近平行的任意平面即參照平面時，自構成上述笫1面的兩條中心線之中的一條第1中心線的端部附近至上述參照平面為止的距離，相比于自上述第1中心線的中心附近至上述參照平面為止的距離，長30 100jim。
23. 如權利要求22所述的光罩用基板，其中，自平行于上述第l 中心線的一組的邊即第l組的邊附近的各點至上述參照平面為止的距離實質上相同。
24. 如權利要求22或23所述的光罩用基板，其中，自構成上述第1面的兩條中心線之中的與上述第1中心線不同的第2中心線的附近區(qū)域內的各點至上述參照平面為止的距離實質上相同。
25. 如權利要求22或23所述的光罩用基板，其中，自上述第2 中心線的中央部附近至上述參照平面為止的距離，相比于自上述第2 中心線的端部附近至上述參照平面為止的距離，長150~ 1500nm。
26. 如權利要求22至25中任一項所述的光罩用基板，其中，與上述第1面相對向的第2面與上述第1面實質上平行。
27. 如權利要求22至26中任一項所述的光罩用基板，其具備用以辨別上述第1面與上述第2面的標記。
28. 如權利要求22至27中任一項所述的光罩用基板，其中，上述基板由石英玻璃構成。
29. —種光罩，是使用權利要求22至28中任一項所述的光罩用基板制作的光罩，其特征在于在上述第1面形成有光罩圖案；上述光軍被膝光裝置所支持的支持部分，是第l組的邊的附近。
30. —種曝光方法，是使用權利要求29所述的光罩進行曝光，其特征在于以上述光罩的形成有光罩圖案的面朝向下方的方式，在用曝光裝置的光罩支持構件支持上述支持部分的狀態(tài)下進行曝光。
31. —種光罩用基板的成形構件，是對板狀構件進行成形以形成光軍用基板的成形構件，其特征在于具備用以對上述板狀構件進行成形的成形面；上述成形面是對角線長度為1200mm以上的矩形；在上述成形面的前側與上述成形面充分離開的位置定義與上述成形面的中心附近平行的任意平面即參照平面時，自構成上述成形面的兩條中心線之中的一條第1中心線的端部附近至上述參照平面為止的距離，相比于自上述第1中心線的中心附近至上述參照平面為止的 3巨離，長30 100nm。
32. 如權利要求31所述的光罩用基板的成形構件，其中，自平行于上述第1中心線的一組的邊即第l組的邊附近的各點至上述參照平面為止的距離實質上相同。
33. 如權利要求31或32所述的光罩用基板的成形構件，其中，自構成上述成形面的兩條中心線之中的與上述第1中心線不同的第2 中心線的附近區(qū)域內的各點至上述參照平面為止的距離實質上相同。
34. 如權利要求31或32所述的光罩用基板的成形構件，其中，自上述第2中心線的中央部附近至上述參照平面為止的距離，相比于自上述第2中心線的端部附近至上述參照平面為止的距離，長150~ 1500,。
35. 如權利要求31至34中任一項所迷的光罩用基板的成形構件，其中，上述成形構件由石墨構成。
36. —種光軍用基板的制造方法，其特征在于準備權利要求31至35中任一項所述的成形構件；準備用以進行光罩圖案形成的面為矩形、其對角線長度為 1200mm以上、厚度為8mm以上的板狀構件；將上述板狀構件在用上述成形構件的上述成形面支持的狀態(tài)下配置于熱處理爐內；將上述熱處理爐內加熱至上述板狀構件的溫度成為規(guī)定溫度后，降低上述板狀構件的溫度。
37. —種光罩用基板的制造方法，其特征在于準備用以進行光罩圖案形成的面為矩形、其對角線長度為 1200mm以上、厚度為8mm以上的板狀構件；以上述板狀構件呈大致水平的方式，用支持構件支持沿著構成上述板狀構件的下表面的彼此相對向的兩組邊之中一組邊的附近的區(qū) 域的狀態(tài)下配置于熱處理爐內；將上述熱處理爐內加熱至上述板狀構件的溫度成為規(guī)定溫度后，降低上述板狀構件的溫度。
38. 如權利要求36或37所述的光罩用基板的制造方法，其中，上述透明的板狀構件由石英玻璃構成，支持構件由石墨構成。
全文摘要
本發(fā)明是厚度實質上均一的光罩用基板，其具備由連續(xù)曲面構成的、待形成光罩圖案的第1面、及第2面。第1面呈由相對向的第1組的邊、及相對向的第2組的邊構成的四邊形，沿著第1組的各邊的端部具有支持部。以第1面實質上呈鉛直狀態(tài)的方式保持光罩用基板時，將與第1面中心點處的第1面的切平面平行的參照平面，定義在對光罩用基板而言比第2面接近第1面的一側。此時，第1面的中心點與參照平面之間的沿著厚度方向的第1距離，短于第2組的各邊的中點與參照平面之間的沿著厚度方向的第2距離。
文檔編號H01L21/027GK101681092SQ20088001537
公開日2010年3月24日申請日期2008年4月22日優(yōu)先權日2007年5月9日
發(fā)明者新田祐平, 木村幸泰, 阿邊哲也申請人:株式會社尼康

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