專(zhuān)利名稱：：氧化劑用于半導(dǎo)體晶片處理的用途、為此的組合物的用途以及組合物的制作方法氧化劑用于半導(dǎo)體晶片處理的用途、為此的組合物的用途以及組合物本申請(qǐng)要求于2007年4月13日提交的歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?7106168.3的權(quán)益，該申請(qǐng)通過(guò)引用結(jié)合在此。本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體晶片處理(具體是用于半導(dǎo)體晶片的清潔和化學(xué)機(jī)械拋光)的氧化劑的用途。本發(fā)明還涉及一種組合物的用途以及因此涉及該組合物。那些半導(dǎo)體晶片以及金屬層的處理經(jīng)常需要使用清潔組合物來(lái)去除污染物，如有機(jī)物、小顆粒、重金屬以及其他來(lái)自半導(dǎo)體晶片和金屬層表面的殘余物?；瘜W(xué)機(jī)械平面化(CMP)法還通常用在半導(dǎo)體工業(yè)中。確實(shí)，在集成電路中的半導(dǎo)體晶片、介電層、導(dǎo)線以及絕緣材料的表面必須要拋光以達(dá)到一定程度的平面性，這對(duì)于獲得一個(gè)高密度的集成電路是非常重要的。例如，在沉積了多個(gè)金屬互連層之后，經(jīng)常將CMP用于使半導(dǎo)體襯底平面化。對(duì)于使用含有作為氧化劑的過(guò)氧化氫的清潔和CMP組合物是已知的。令人遺憾的是，使用此類(lèi)組合物可導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片和金屬層的表面的腐蝕。因此已開(kāi)發(fā)了清潔和CMP組合物、連同清潔和CMP方法以阻止在半導(dǎo)體晶片處理過(guò)程中的腐蝕。例如，美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?002/0020432披露了一種用于清潔半導(dǎo)體晶片表面的方法，該方法通過(guò)使用基于過(guò)氧化氫、氨以及水的一個(gè)典型清潔溶液同時(shí)控制晶片的溫度(在室溫與45。C之間)以及清潔溶液的溫度(在0°C與45。C之間)來(lái)防止覆蓋半導(dǎo)體晶片的硅化物層腐蝕。向組合物中加入腐蝕抑制化合物也是已知的。例如，美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?005/0261151披露了用于半導(dǎo)體晶片處理的水性抑制腐蝕的清潔組合物，該組合物基于過(guò)氧化氫并且含有作為螯合劑(該螯合劑與被清潔的金屬層結(jié)合并且抑制其腐蝕)的一種吡咯化合物。盡管有了這些已知的用于半導(dǎo)體晶片處理的清潔和CMP組合物，對(duì)于顯示出良好效應(yīng)同時(shí)限制/避免了襯底的腐蝕的清潔和CMP組合物仍繼續(xù)存在著一種需要。確實(shí)，基于過(guò)氧化氫的組合物對(duì)半導(dǎo)體晶片和金屬層表面的腐蝕性(特別對(duì)硅)正在越來(lái)越大地成為一個(gè)問(wèn)題。此外，使用基于過(guò)氧化氫的組合物提出了關(guān)于組合物穩(wěn)定性以及關(guān)于在CMP中的清潔和拋光性能的問(wèn)題。本發(fā)明的目的是提供用于配制用于半導(dǎo)體晶片處理的新型組合物的新型氧化劑，此類(lèi)組合物顯示出良好的清潔和/或拋光效應(yīng)同時(shí)限制/避免了村底的腐蝕。本發(fā)明因此涉及至少一種氧化劑在用于半導(dǎo)體晶片處理的組合物中的用途，該氧化劑是選自過(guò)酸類(lèi)、尤其是選自下組，其構(gòu)成為過(guò)酸酯類(lèi)以及酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)。本發(fā)明還涉及用于半導(dǎo)體晶片處理的包含至少一種氧化劑的一種組合物的用途，該氧化劑是選自過(guò)酸類(lèi)、尤其是選自下組，其構(gòu)成為過(guò)酸酯類(lèi)以及酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)；還涉及在半導(dǎo)體晶片處理中使用的包括至少一種氧化劑的一種組合物，該氧化劑是選自過(guò)酸類(lèi)、尤其是選自下組，其構(gòu)成為過(guò)酸酯類(lèi)以及酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體晶片處理通常包括晶片的清潔和/或化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)的步驟。本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特征之一在于降低了在半導(dǎo)體晶片處理中使用的過(guò)氧化氫的量而沒(méi)有削弱這種處理的效應(yīng)。這一點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)是通過(guò)使用過(guò)酸類(lèi)，尤其是過(guò)酸酯類(lèi)和/或酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)，來(lái)取代全部的或至少一部分的通常在半導(dǎo)體晶片處理組合物中使用的過(guò)氧化氫，由此使之有可能與典型的組合物相比降低了過(guò)氧化氫的濃度。的確已發(fā)現(xiàn)，過(guò)酸類(lèi)是用于半導(dǎo)體晶片處理的有效的氧化劑。還已發(fā)現(xiàn)與過(guò)氧化氫相比過(guò)酸類(lèi)引起一種更低的襯底腐蝕。此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，與只含有過(guò)氧化氫作為氧化劑的那些組合物相比，過(guò)酸類(lèi)允許制備具有延長(zhǎng)的保質(zhì)期的半導(dǎo)體晶片處理組合物。術(shù)語(yǔ)"過(guò)酸"是指一種含有至少一個(gè)-COOOH基團(tuán)的化合物。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理組合物中存在的過(guò)酸可以是所存在的唯一的氧化劑。該過(guò)酸還可以存在于和其他常見(jiàn)的氧化劑類(lèi)(例如過(guò)氧化氫)的組合中。優(yōu)選地，過(guò)酸是與過(guò)氧化氫相結(jié)合而使用。取決于它預(yù)期的用途，過(guò)酸在該組合物中可以存在的量是至少0.01%w/w，具體是至少0.1%w/w,例如大約l。/ow/w?？傮w上該組合物中存在的過(guò)酸的量是最多40%w/w，優(yōu)選最多30%w/w，例如大約20%w/w。在本發(fā)明中，用于半導(dǎo)體晶片處理的組合物中存在的氧化劑的總量通常是從0.01到40%w/w。在本發(fā)明中使用的組合物通常是液體。液體組合物可以是水性的。可替代地，它們可以是非水性的。液體組合物可以是溶液或懸浮液。含有過(guò)酸類(lèi)的組合物的保質(zhì)期通常是比含有過(guò)氧化氫作為單獨(dú)氧化劑的組合物的保質(zhì)期更長(zhǎng)。以下進(jìn)一步說(shuō)明這一論述。根據(jù)本發(fā)明，該過(guò)酸優(yōu)選地是選自下組，其構(gòu)成為酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)以及過(guò)酸酯類(lèi)。酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)被披露在例如SOLVAYSOLEXISS.p.A所擁有的歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)EP0325288以及SOLVAYSOLEXISS.p.A提交的國(guó)際專(zhuān)利申請(qǐng)WO2004/007452中，兩者都通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合在此o具體而言，此類(lèi)酰亞胺-烷-過(guò)羧酸具有以下通式(I):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中A代表選自以下各項(xiàng)的一個(gè)基團(tuán)或<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中n是0、l或2的一個(gè)整數(shù)，Rl具有以下-含義之一氫、氯、溴、d-C2。烷基、CrC2o鏈烯基、芳基或烷芳基，R2是氫、氯、溴或選自以下各項(xiàng)的一個(gè)基團(tuán)-S03M、-C02M、-C03M或-OS。3M，M是指氫、一種堿金屬、銨或當(dāng)量的一種堿土金屬，X表示一個(gè)d-Cw亞烷基或一個(gè)亞芳基。在多數(shù)情況下，所述過(guò)酸類(lèi)在醇類(lèi)和其他有機(jī)溶劑(例如醚類(lèi)、酯類(lèi)、酮類(lèi)以及囟化的溶劑，尤其是氯化的溶劑)中是可溶的。例如，該有機(jī)溶劑可以是丙酮、四氫呋喃(THF)、乙酸乙酯、或乳酸乙酯。它們非常8經(jīng)常地在水中也是可溶的，尤其是在高于7的pH下。因此，根據(jù)組合物的pH，它們能夠以溶液或漿料的形式使用。在后者的情況下，在它們的氧化特性之外，這些產(chǎn)品還顯示出一些磨料特性。含有酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)的組合物的保質(zhì)期通常是比含有過(guò)氧化氫作為唯一的氧化劑的組合物的保質(zhì)期更長(zhǎng)。所述酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)作為穩(wěn)定的固體材料是普遍可得的，它沒(méi)有特殊氣味.另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它們的生物可降解性，因?yàn)樗鼈兎纸獬删哂锌珊雎缘乃锒拘缘纳锟山到獾漠a(chǎn)物。更優(yōu)選地，該酰亞胺-烷-過(guò)羧酸是s-苯二曱酰亞胺基(phtalimido)-過(guò)氧己酸(稱作PAP)。PAP是例如由SOLVAYSOLEXISS.p.A.在EURECO⑧商標(biāo)下出售的.過(guò)酸酯類(lèi)被披露在例如SOLVAYINTEROXLIMITED提交的歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)EP0765309、0946506和1089971中，這些專(zhuān)利通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合在此。具體而言，在本發(fā)明中使用的過(guò)酸酯類(lèi)具有以下通式(II):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>(II)其中R代表具有1到4個(gè)碳原子的一個(gè)烷基基團(tuán)并且n是從1到4。當(dāng)R具有3個(gè)或4個(gè)碳原子時(shí)，該烷基基團(tuán)可以是直鏈的或支鏈的，即該烷基基團(tuán)可以是正丙基或異丙基，或正丁基、異丁基或叔丁基。優(yōu)選地，R是一個(gè)曱基基團(tuán)。在許多情況下，n是2、3和4，即過(guò)己二酸、過(guò)戊二酸以及過(guò)琥珀酸的單酯類(lèi)的一個(gè)混合物。更優(yōu)選地，該混合物的主要組分具有等于3的n。此類(lèi)過(guò)酸酯是例如過(guò)己二酸單甲酯類(lèi)、過(guò)戊二酸單甲酯類(lèi)以及過(guò)琥珀酸單甲酯類(lèi)的一個(gè)混合物，該混合物的主要組分是過(guò)戊二酸的單曱酯。此類(lèi)過(guò)酸酯是由SOLVAYINTEROXLIMITED在PERESTANE⑧商標(biāo)下出售。此類(lèi)過(guò)酸酯通常是溶在水、極性溶劑或它們的混合物中來(lái)使用的，這導(dǎo)致具有良好的處理和穩(wěn)定性特性的存儲(chǔ)穩(wěn)定的平衡系統(tǒng)。這些平衡系統(tǒng)包括相應(yīng)的二酯、酯酸、二酸、酸過(guò)酸、以及二過(guò)酸。此類(lèi)系統(tǒng)通常具有在從1到5的范圍內(nèi)的pH。在平衡溶液中的過(guò)酸酯類(lèi)的總濃度通常是按溶液的重量計(jì)從2%到大約10%,優(yōu)選按重量計(jì)從大約3%到大約6%。過(guò)氧化氫還典型的是以按重量計(jì)高達(dá)30%的濃度存在于平衡溶液中的，具有按重量計(jì)在從5%到25%的范圍內(nèi)的濃度，例如按重量計(jì)從10%到20%。含有過(guò)酸酯類(lèi)的此類(lèi)平衡系統(tǒng)與僅含有過(guò)氧化氫作為氧化劑的組合物相比通常呈現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。在它們的與基于過(guò)氧化氫的組合物相比的對(duì)于腐蝕的限制和含有它們的組合物的增加的保質(zhì)期的優(yōu)點(diǎn)之外，上述酰亞胺-烷-過(guò)羧酸類(lèi)和過(guò)酸酯類(lèi)的優(yōu)點(diǎn)是不存在像許多其他過(guò)酸類(lèi)那樣的一種強(qiáng)烈氣味。在本發(fā)明的一個(gè)笫一實(shí)施方案中，半導(dǎo)體晶片處理包括晶片清潔。晶片清潔通常是通過(guò)使組合物與該半導(dǎo)體晶片的表面接觸而進(jìn)行的。清潔的目的是去除污染物，如有機(jī)物、小顆粒、重金屬以及其他來(lái)自半導(dǎo)體晶片和金屬層表面的殘余物。例如，基于溶劑的清潔組合物可以用來(lái)從低k介電材料上去除蝕刻后的光致抗蝕劑層。根據(jù)該第一實(shí)施方案，可以使用任何常規(guī)的使用清潔溶液的清潔半導(dǎo)體的方法來(lái)清潔半導(dǎo)體晶片，這些方法包括浸漬、淋洗和噴灑技術(shù)。對(duì)于清潔的一種有用裝置可以是例如一個(gè)濕法分批清潔裝置，該裝置包括一個(gè)或多個(gè)裝滿清潔溶液的水箱。在第一實(shí)施方案中進(jìn)行的清潔可以是以一個(gè)單一的步驟或多個(gè)步驟來(lái)進(jìn)行。它可以進(jìn)一步包括一個(gè)機(jī)械清潔步稞。機(jī)械清潔包括刷-擦清潔(例如用一個(gè)高速旋轉(zhuǎn)的刷子)，以及使用高頻的超聲清潔.該清潔步驟通常是跟隨有一個(gè)漂洗和/或一個(gè)干燥步驟。通常，在第一實(shí)施方案中使用的用于半導(dǎo)體晶片清潔的組合物是一種溶液的形式，優(yōu)選一種水溶液或一種有機(jī)溶劑中的溶液。根據(jù)預(yù)期的用途，可以優(yōu)選是一種水溶液、一種有機(jī)溶劑中的溶液、或兩者的一個(gè)10混合物。例如，該有機(jī)溶劑可以是選自醇類(lèi)、瞇類(lèi)、酯類(lèi)、酮類(lèi)、和/或囟化的溶劑。合適的實(shí)例是丙酮、四氫呋喃(THF)、乙基乙酸酯或乙基乳酸酯。用在第一實(shí)施方案中的清潔組合物的pH通常可以從1到13變動(dòng)。確實(shí)該清潔組合物的pH將隨著所選的過(guò)酸的性質(zhì)而變化。有時(shí)，pH需要針對(duì)所選用的過(guò)酸的溶解性進(jìn)行調(diào)適.可以使用一種酸或一種堿來(lái)調(diào)整組合物的pH。酸類(lèi)包括任何無(wú)機(jī)酸類(lèi)，如硫酸、鹽酸、磷酸以及硝酸，或有機(jī)酸類(lèi)如乙酸。堿通常是一種堿金屬氫氧化物，如氫氧化鈉或氫氧化鉀、銨、或一種有機(jī)胺。還可以通過(guò)加入一種緩沖溶液來(lái)保持pH。在第一實(shí)施方案中清潔步驟的操作溫度通常是從0。C到100°C，優(yōu)選是從40。C到70°C。在第一實(shí)施方案中的清潔步驟的持續(xù)時(shí)間通常是至少10秒，優(yōu)選至少30秒，更優(yōu)選至少l分鐘。在第一實(shí)施方案中的清潔步驟的持續(xù)時(shí)間總體上是最多30分鐘，尤其是最多20分鐘，更具體的是最多IO分鐘。在本發(fā)明的一個(gè)第二實(shí)施方案中，半導(dǎo)體晶片處理包括表面的化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)。實(shí)際上，CMP包括使組合物與有待拋光的表面接觸并且通過(guò)引起有待拋光的表面與一個(gè)進(jìn)行拋光的表面之間的一種摩擦來(lái)拋光該表面。CMP的目的是使表面成為平面。確實(shí)，集成電路中的半導(dǎo)體晶片、介電層、導(dǎo)線以及阻隔材料的表面必須進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)一定程度的平面性，這對(duì)于達(dá)到一個(gè)高密度的集成電路是極其重要的。例如，在沉積多個(gè)金屬互連層之后經(jīng)常使用CMP來(lái)使半導(dǎo)體襯底平面化。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案，CMP可以是在半導(dǎo)體村底上的金屬層上進(jìn)行的.該金屬可以是鋁、銅、鵠、金、銀、鉑、鎳、或鈦，連同它們的合金以及它們的混合物。該金屬優(yōu)選是鋁或銅，更優(yōu)選是銅。該金屬層可以形成一個(gè)接線或一個(gè)插頭。作為用于根據(jù)第二實(shí)施方案的CMP步驟的一個(gè)裝置，可以使用一個(gè)通用拋光裝置，該裝置具有一個(gè)支架(該支架夾持帶有一個(gè)有待拋光的表面的工件)和具有附著在其上的拋光墊的一個(gè)進(jìn)行拋光的表面板(并且配有一個(gè)能夠改變轉(zhuǎn)速的發(fā)動(dòng)機(jī))。該拋光墊不是特別受限制的并且可以使用例如一般的無(wú)紡纖維類(lèi)、泡沫聚氨酯類(lèi)、多孔的氟樹(shù)脂類(lèi)、以及類(lèi)似物。在第二實(shí)施方案中進(jìn)行的CMP過(guò)程能夠以一個(gè)單獨(dú)的步驟或多個(gè)步驟來(lái)進(jìn)行。還可以作為一種兩階段過(guò)程來(lái)進(jìn)行，其中第二階段對(duì)應(yīng)于襯底的清潔.通常，每一個(gè)CMP階段跟隨有一個(gè)清潔階段。通常，在笫二實(shí)施方案中使用的用于半導(dǎo)體晶片CMP的組合物是漿料的形式，優(yōu)選水漿料或一種有機(jī)溶劑中的漿料。相對(duì)于有待拋光的材料來(lái)調(diào)節(jié)在第二實(shí)施方案中使用的CMP組合物的pH可以是有利的。如以上所述，可以使用一種酸或一種堿來(lái)調(diào)節(jié)組合物的pH。通常，在第二實(shí)施方案中使用的CMP組合物還可以包含磨料顆粒。磨料顆?？傮w上存在的量為至少0,01%w/w，優(yōu)選至少0，1%w/w，更優(yōu)選至少0，5。/。w/w，具體的是至少l。/。w/w?？傮w上，磨料顆粒存在的量為最多60%w/w，特別優(yōu)選最多30%w/w，更優(yōu)選最多20%w/w，例如最多15%w/w。這些磨料顆粒可以是無(wú)機(jī)的、聚合物的、或非聚合性的有機(jī)顆粒。通常的磨料顆粒是例如礬土、硅石、氧化鋯、氧化鎂、二氧化鋅、以及其他材料。磨料顆粒的機(jī)械作用以及漿料的化學(xué)作用都是從晶片源上去除材料。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案的優(yōu)選的CMP條件取決于所采用的具體的CMP裝置。許多類(lèi)型的工件的制造要求工件的至少一個(gè)表面是基本平面化或拋光的。需要一個(gè)平的表面的此類(lèi)工件的實(shí)例包括半導(dǎo)體部件，還有光學(xué)部件、陶瓷、存儲(chǔ)盤(pán)、以及類(lèi)似物。本申請(qǐng)當(dāng)然還可以被應(yīng)用于此類(lèi)工件的CMP并且因此還涉及用于化學(xué)機(jī)械平面化的包括至少一種選自過(guò)酸類(lèi)的氧化劑的組合物的用途。在本發(fā)明的一個(gè)第三實(shí)施方案中，半導(dǎo)體晶片的處理組合物還包含至少一種材料，該材料選自螯合劑類(lèi)、穩(wěn)定劑類(lèi)、分散劑類(lèi)、腐蝕抑制劑類(lèi)、表面活性劑類(lèi)、增稠劑類(lèi)、pH控制劑類(lèi)或它們的混合物。螯合劑類(lèi)的實(shí)例描述在例如美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?006/0073997(從第2頁(yè)段)以及歐洲專(zhuān)利申請(qǐng)EP1642949(第4頁(yè)段)中，其內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合在此。以下進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明而不對(duì)其范圍進(jìn)行限制。實(shí)例1-4:光致抗蝕劑溶解測(cè)試在不同的有機(jī)溶劑的存在下并且任選在按重量計(jì)1%的作為過(guò)酸的s-苯二甲酰亞胺基-過(guò)氧己酸的存在下，在BlackDiamondI(BDI，k=3,0，6-8。/。的孔率)上在原始狀態(tài)的覆蓋層光致抗蝕劑(PR,具有金剛烷和內(nèi)酯作為側(cè)鏈基團(tuán)的基于曱基丙烯酸酯的樹(shù)脂，193nm)進(jìn)行光致抗蝕劑溶解測(cè)試。以下的表l歸納了用于全部去除光致抗蝕劑層所需要的時(shí)間。表l溶劑沒(méi)有過(guò)酸具有1%的過(guò)酸1丙酮<2miii<2min2THF10min10min3乙酸乙酯10min10min4乳酸乙酯10min5min實(shí)例2-8:在BlackDiamondI上去除光致抗蝕劑濕條帶在覆蓋有一個(gè)光致抗蝕劑層(其構(gòu)成為具有金剛烷和內(nèi)酯作為側(cè)鏈基團(tuán)的基于一種甲基丙烯酸酯的樹(shù)脂類(lèi)，PR,193nm)的等離子體處理的SingleDamasceneBlackDiamondI(SDBDI，k=3,0，6-8%的孔率)上進(jìn)行光致抗蝕劑濕條帶去除試驗(yàn)。目的是測(cè)試蝕刻后的光致抗蝕劑的去除。該蝕刻是由一個(gè)02、Ar、CF4以及CH2F2活性離子蝕刻(RIE)等離子體進(jìn)行的。絕緣體高度是240nm。在超聲波的存在下，這些測(cè)試進(jìn)行了10分鐘。使用光學(xué)顯微鏡觀測(cè)來(lái)評(píng)價(jià)去除效率。這些測(cè)試結(jié)輪歸納于以下的表2中。表2溶劑只有溶劑具有1%的過(guò)酸5丙酮部分的PR去除完全的PR去除6THF部分的PR去除部分的PR去除7乙酸乙酯部分的PR去除完全的PR去除8乳酸乙酯完全的PR去除完全的PR去除損失無(wú)損失實(shí)例9-12:NanoClusteredSilica上去除光致抗蝕劑濕條帶在覆蓋有一個(gè)氮化鉭金屬硬掩模、一個(gè)底部減反射涂層(BARC，193nm)、以及一個(gè)光致抗蝕劑層(其構(gòu)成為具有金剛烷和內(nèi)酯作為側(cè)鏈基團(tuán)的基于一種甲基丙烯酸酯的樹(shù)脂類(lèi)，PR，193mn)的SingleDamasceneNanoClusteredSilica(SDNCS，k=2,5，30%的孔率)上進(jìn)行光致抗蝕劑濕條帶去除試驗(yàn)。該蝕刻是由一個(gè)三步活性離子蝕刻(RIE)等離子體進(jìn)行的HBr(光致抗蝕劑硬化)、HBr/02混合物(BARC孑L)以及Cl2(TaN蝕刻)。絕緣體高度是l卯nm。在超聲波的存在下，在10分鐘的過(guò)程中在20°C和40°C下進(jìn)行該測(cè)試。使用光學(xué)顯微鏡觀測(cè)來(lái)評(píng)價(jià)去除效率。這些測(cè)試結(jié)論歸納于以下的表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>權(quán)利要求1.至少一種選自過(guò)酸酯和酰亞胺-烷-過(guò)羧酸的氧化劑在適合用于半導(dǎo)體晶片處理的組合物中的用途。2.—種適合用于半導(dǎo)體晶片處理的組合物，包含至少一種選自過(guò)酸酯和酰亞胺-烷-過(guò)羧酸的氧化劑。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合物用于半導(dǎo)體晶片處理的用途。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述過(guò)酸酯具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中R代表具有1到4個(gè)碳原子的烷基，并且n是從1到4。5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述酰亞胺-烷-過(guò)羧酸具有以下化學(xué)式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中A代表選自以下各項(xiàng)的基團(tuán)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中n是0、l或2的整數(shù)，Rl具有以下含義之一氫、氯、溴、Cl-C20烷基、C2-C20烯基、芳基或烷芳基，R2是氳、氯、溴或選自以下各項(xiàng)的基團(tuán)-S03M、-C02M、-C03M或-OS03M，M是指氫、堿金屬、銨或當(dāng)量堿土金屬，X表示C1-C19亞烷基或亞芳基。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述過(guò)酸酯是過(guò)己二酸單曱酯、過(guò)戊二酸單甲酯以及過(guò)琥珀酸單甲酯的混合物，該混合物的主要組分是過(guò)戊二酸單甲酯。7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)或5所述的用途或組合物，其中所述酰亞胺-烷-過(guò)羧酸是e-苯二甲酰亞胺基-過(guò)氧己酸。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述處理包括通過(guò)使所述組合物與所述半導(dǎo)體晶片的表面接觸而進(jìn)行的晶片清潔。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用途或組合物，其中所述組合物為溶液形式，優(yōu)選水溶液或有機(jī)溶劑的溶液。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述處理包括表面的化學(xué)機(jī)械平面化(CMP),該平面化包括使所述組合物與有待拋光的表面接觸并且通過(guò)引起有待拋光的表面與另一個(gè)拋光表面之間的摩擦來(lái)拋光該表面。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用途或組合物，其中所述CMP是在半導(dǎo)體襯底上的金屬層上進(jìn)行的，該金屬優(yōu)選是選自鋁、銅、鎢、鈦、它們的合金以及它們的混合物，更優(yōu)選是鋁或銅，最優(yōu)選是銅。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的用途或組合物，其中所述組合物為漿料形式并且還包含磨料顆粒，優(yōu)選水性漿料或在有機(jī)溶劑中的漿料的形式。13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中在所述組合物中存在的氧化劑的總量是從0.01%w/w到40%w/w。14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述過(guò)酸酯或所述酰亞胺-烷-過(guò)羧酸在所述組合物中存在的量是從0.01%w/w到40%w/w。15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的用途或組合物，其中所述組合物還包含至少一種選自螯合劑、穩(wěn)定劑、分散劑、腐蝕抑制劑、增稠劑、pH控制劑的材料或它們的混合物。全文摘要本發(fā)明涉及至少一種選自過(guò)酸類(lèi)的氧化劑在用于半導(dǎo)體晶片處理(具體是用于半導(dǎo)體晶片的清潔和化學(xué)機(jī)械拋光)的組合物中的用途。本發(fā)明還涉及一種組合物的用途以及因此涉及該組合物。使用本發(fā)明的氧化劑導(dǎo)致一種良好的效應(yīng)同時(shí)限制/避免了襯底的腐蝕。文檔編號(hào)H01L21/311GK101681837SQ200880018476公開(kāi)日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年4月11日優(yōu)先權(quán)日2007年4月13日發(fā)明者于爾根·博塞,史蒂夫·多布森,海因茨-約阿希姆·貝爾特,羅科·阿萊西奧申請(qǐng)人:索爾維公司