有機電致發(fā)光元件及使用該元件的顯示裝置的制作方法

文檔序號：7233070閱讀：232來源：國知局

專利名稱：有機電致發(fā)光元件及使用該元件的顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光元件(以下有時稱為有機EL元件)及使用該元件的顯示裝置。
背景技術：
有機EL元件除了低電壓驅動、高亮度以外，還具有容易得到多色發(fā) 光的特征，所以例如作為下一代顯示器(display)用的構件，受到關注。
有機EL元件含有陽極、陰極和具有發(fā)光層的有機層。而且，為了提高有機EL元件的性能，作為有機層，除了發(fā)光層以外，還已知使用具有包括聚(亞乙基二氧噻吩)一聚苯乙烯磺酸(以下稱為PEDOT: PSS。) 的空穴輸送層的有機層。
但是，由于PEDOT: PSS為強酸性的水溶性化合物，所以從涂布-成膜等制作過程的觀點出發(fā)，需要替代材料。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明從涂布，成膜等制作過程的觀點出發(fā)，目的在于發(fā)現(xiàn)所述替代材料，提供一種使用該替代材料的有機電致發(fā)光元件。
艮P，本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光元件，其特征在于，包含陽極、陰極及含有空穴輸送層和發(fā)光層的至少2層的有機層，所述空穴輸送層包括在主鏈上存在含有芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物，所述發(fā)光層含有發(fā)光性材料且利用空穴與電子的復合來發(fā)光，該陽極及該陰極的至少一方為透明或半透明，該有機層被設置于該陽極及該陰極之間且與該陽極相接，該陽極的表面中的至少與該有機層相接的部分被由下述通式(1):<formula>formula see original document page 4</formula>(式中，X為與在陽極的表面上存在的基或原子反應從而形成鍵合的基或原子，M為屬于周期律表的4族、5族、6族、13族、14族或15族的金屬元素的原子，R'獨立地表示烷基、芳基、芳基垸基、芳基鏈烯基或芳基炔基，v表示M的原子價。)
表示的有機化合物處理及/或構成該有機層的與該陽極相接的層含有該有機化合物。
第二，本發(fā)明提供一種面狀光源，其特征在于，具備所述有機電致發(fā) 光元件。
第三，本發(fā)明提供一種段式顯示裝置，其特征在于，具備所述有機電致發(fā)光元件。
第四，本發(fā)明提供一種點陣顯示裝置，其特征在于，具備所述有機電致發(fā)光元件。
第五，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其特征在于，具備包括所述有機電致發(fā)光元件在內的背光燈。
具體實施方式
_ [用語的說明]
以下說明在本說明書中通用的用語。
作為鹵原子，例示氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。 "Cm Cn" (m、 n為滿足nKn的正的整數(shù))的用語表示與該用語一起記載的有機基團的碳原子數(shù)為m n。
烷基是指非取代的垸基及被鹵原子、氨基、巰基等取代的垸基，包括直鏈狀烷基及環(huán)狀垸基(環(huán)垸基)的兩方。烷基可具有分支。烷基的碳原子數(shù)通常為1 20，優(yōu)選為1 15，更優(yōu)選為1 10左右。作為其例子，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、2—乙基己基、壬基、癸基、3， 7 — 二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、三氟丙基、十三氟一l， 1， 2, 2 —四氫辛基、十七氟一l, 1， 2， 2 一四氫癸基、氨基丙基、氨基辛基、氨基癸基、巰基丙基、巰基辛基、巰基癸基等。作為C, d2烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基、環(huán)己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等。
垸氧基是指非取代的烷氧基及被鹵原子、垸氧基等取代的垸氧基，包括直鏈狀烷氧基及環(huán)狀烷氧基(環(huán)烷氧基)的兩方。垸氧基可具有分支。
烷氧基的碳原子數(shù)通常為1 20，優(yōu)選為1 15，更優(yōu)選為1 10左右。
作為其例子，可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁
氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3， 7 — 二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲氧基、2 一甲氧基乙氧基等。作為C, C,2垸氧基，例如可舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán) 己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3， 7 — 二甲基辛氧基、月桂氧基等。
垸基硫代基是指非取代的垸基硫代基及被鹵原子等取代的烷基硫代基，包括直鏈狀垸基硫代基及環(huán)狀垸基硫代基(環(huán)烷基硫代基)的兩方。垸基硫代基也可具有分支。烷基硫代基的碳原子數(shù)通常為1 20，優(yōu)選為 1 15，更優(yōu)選為1 10左右。作為其例子，可舉出甲基硫代基、乙基硫代基、丙基硫代基、異丙基硫代基、丁基硫代基、異丁基硫代基、叔丁基硫代基、戊基硫代基、己基硫代基、環(huán)己基硫代基、庚基硫代基、辛基硫代基、2—乙基己基硫代基、壬基硫代基、癸基硫代基、3， 7—二甲基辛基硫代基、月桂基硫代基、三氟甲基硫代基等。作為d d2的垸基硫代基，例如可舉出甲基硫代基、乙基硫代基、丙基硫代基、異丙基硫代基、丁基硫代基、異丁基硫代基、叔丁基硫代基、戊基硫代基、己基硫代基、環(huán)己基硫代基、庚基硫代基、辛基硫代基、2—乙基己基硫代基、壬基硫代基、癸基硫代基、3， 7 — 二甲基辛基硫代基、月桂基硫代基等。
芳基是從芳香族烴除去1個結合于構成芳香環(huán)的碳原子的氫原子后剩余的原子團，是指非取代的芳基及被鹵原子、垸氧基、烷基等取代的芳基。芳基包括具有縮合環(huán)的芳基、2個以上獨立的苯環(huán)或縮合環(huán)借助單鍵或2價有機基團例如亞乙烯基等亞鏈烯基結合的芳基。芳基的碳原子數(shù)通常為6 60，優(yōu)選為7 48，更優(yōu)選為7 30左右。作為芳基，可例示苯基、d d2垸氧基苯基、d d2烷基苯基、1_萘基、2 —萘基、1—蒽基、2 —蒽基、9 —蒽基、五氟苯基等，優(yōu)選d C,2烷氧基苯基、d Cc
烷基苯基。
作為d d2烷氧基苯基的例子，可舉出甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、異丙氧基苯基、丁氧基苯基、異丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、
戊氧基苯基、己氧基苯基、環(huán)己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2 —乙基己氧基苯基、壬氧基苯基、癸氧基苯基、3， 7 — 二甲基辛氧基苯基、月桂氧基苯基等。
作為d d2烷基苯基的例子，可舉出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、均三甲苯基(mesityl)、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、異丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。
芳氧基是指非取代的芳氧基及被鹵原子、垸氧基、垸基等取代的芳氧基。芳氧基的碳原子數(shù)通常為6 60，優(yōu)選為7 48，更優(yōu)選為7 30左右。作為其例子，可舉出苯氧基、C, C,2烷氧基苯氧基、C, d2烷基苯
氧基、l一萘氧基、2 —萘氧基、五氟苯氧基等。優(yōu)選d C,2烷氧基苯氧
基、Q C,2烷基苯氧基。
作為d d2烷氧基苯氧基的例子，可舉出甲氧基苯氧基、乙氧基苯
氧基、丙氧基苯氧基、異丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、異丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、環(huán)己氧基苯氧基、庚氧
基苯氧基、辛氧基苯氧基、2—乙基己氧基苯氧基、壬氧基苯氧基、癸氧基苯氧基、3， 7 —二甲基辛氧基苯氧基、月桂氧基苯氧基等。
作為d C,2垸基苯氧基的例子，可舉出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1， 3， 5 —三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基、異丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。
芳基硫代基是指非取代的芳基硫代基及被鹵原子、烷氧基、烷基等取代的芳基硫代基。芳基硫代基的碳原子數(shù)通常為6 60，優(yōu)選為7 48，更優(yōu)選為7 30左右。作為其例子，可舉出苯基硫代基、d C。烷氧基苯基硫代基、C, d2垸基苯基硫代基、l一萘基硫代基、2 —萘基硫代基、五氟苯基硫代基等。
芳基烷基是指非取代的芳基烷基及被鹵原子、烷氧基、烷基等取代的
芳基垸基。芳基垸基的碳原子數(shù)通常為7 60，優(yōu)選為7 48，更優(yōu)選為 7 30左右。
作為其例子，可舉出苯基一C, d2烷基、Q d2垸氧基苯基一d C,2垸基、Ci C,2烷基苯基一C, Cu垸基、l一萘基一C, d2垸基、2 —
萘基一C, C,2垸基等。
芳基烷氧基是指非取代的芳基烷氧基及被鹵原子、烷氧基、烷基等取代的芳基垸氧基。芳基烷氧基的碳原子數(shù)通常為7 60，優(yōu)選為7 48，更優(yōu)選為7 30左右。作為其例子，可舉出苯基一C, C,2烷氧基、d
C,2烷氧基苯基一Q Q2垸氧基、Q d2烷基苯基一C, C,2烷氧基、1
—萘基一Q d2烷氧基、2 —萘基一Q d2垸氧基等。
芳基烷基硫代基是指非取代的芳基烷基硫代基及被鹵原子、烷氧基、烷基等取代的芳基烷基硫代基。芳基烷基硫代基的碳原子數(shù)通常為7 60，優(yōu)選為7 48，更優(yōu)選為7 30左右。作為其例子，可舉出苯基一d d2
烷基硫代基、C, C,2烷氧基苯基一d C,2烷基硫代基、Q C,2垸基苯
基一Q C,2烷基硫代基、l一萘基一d C，2垸基硫代基、2 —萘基一d
C,2垸基硫代基等。
芳基鏈烯基是指非取代的芳基鏈烯基及被卣原子、烷氧基、烷基等取代的芳基鏈烯基。芳基鏈烯基的碳原子數(shù)通常為8 60，優(yōu)選為8 48，更優(yōu)選為8 30左右。作為其例子，可舉出苯基一C2 C,2鏈烯基、C,
Cu烷氧基苯基—C2 d2鏈烯基、Q d2垸基苯基一C2 C,2鏈烯基、1 一萘基一C2 C，2鏈烯基、2 —萘基一C2 C,2鏈烯基等。優(yōu)選d C,2烷氧基苯基一C2 d2鏈烯基、C2 C,2垸基苯基一C2 d2鏈烯基。
作為d Q2鏈烯基，例如可舉出乙烯基、l一丙烯基、2 —丙烯基、 l一丁烯基、2 —丁烯基、l一戊烯基、2 —戊烯基、l一己烯基、2—己烯基、 l一辛烯基等。
芳基炔基是指非取代的芳基炔基及被鹵原子、烷氧基、垸基等取代的芳基炔基。芳基炔基的碳原子數(shù)通常為8 60，優(yōu)選為8 48，更優(yōu)選為 8 30左右。作為其例子，可舉出苯基一C2 Q2炔基、d d2烷氧基苯基一C2 d2炔基、d C12烷基苯基一C2 d2炔基、l一萘基一C2 C12 炔基、2 —萘基一C2 d2炔基等。優(yōu)選d d2烷氧基苯基一C2 d2炔基、 C, Ci2烷基苯基一C2 d2炔基。
作為C2 d2炔基，例如可舉出乙炔基、1 —丙炔基、2 —丙炔基、1
一丁炔基、2—丁炔基、l一戊炔基、2 —戊炔基、l一己炔基、2—己炔基、
l一辛炔基等。
1價的雜環(huán)基是指從雜環(huán)式化合物除去1個氫原子后剩余的原子團，是指非取代的1價的雜環(huán)基及被垸基等取代基取代的1價的雜環(huán)基。1價
的雜環(huán)基的碳原子數(shù)不包括取代基的碳原子數(shù)，通常為4 60，優(yōu)選為4 30，更優(yōu)選為4 20左右。在此，雜環(huán)式化合物是指在具有雜環(huán)結構的有機化合物中，作為構成環(huán)的元素，不僅包括碳原子，而且還包括氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、硅原子、硒原子、碲原子、砷原子等雜原子的雜環(huán)式化合物。作為1價的雜環(huán)基，例如可舉出噻吩基、^ C,2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C, C,2烷基吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、吡咯烷基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，其中，優(yōu)選噻吩基、C, C,2烷基噻吩基、吡啶基、d d2烷基吡啶基。
雜環(huán)硫代基是指巰基的氫原子被1價的雜環(huán)基取代的基團。作為雜環(huán) 硫代基，例如可舉出吡啶基硫代基、噠嗪基硫代基、嘧啶基硫代基、吡嗪基硫代基、三嗪基硫代基等雜芳基硫代基等。
氨基是指非取代的氨基以及被從烷基、芳基、芳基烷基及1價的雜環(huán) 基中選擇的1或2個取代基取代的氨基(以下稱為取代氨基)。取代基也可進一步具有取代基(以下有時稱為二次取代基。)。取代氨基的碳原子數(shù) 不包括二次取代基的碳原子數(shù)，通常為1 60，優(yōu)選為2 48，更優(yōu)選為 2 40左右。作為取代氨基，例如可舉出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、異丙基氨基、二異丙基氨基、丁基氨基、異丁基氨基、仲丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2 —乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3， 7_ 二甲基辛基氨基、十二垸基氮基、環(huán)戊基氨基、二環(huán)戊基氨基、環(huán)己基氨基、二環(huán)己基氨基、二三氟甲基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、d C12 烷氧基苯基氨基、二 (d d2烷氧基苯基)氨基、d d2垸基苯基氨基、二 (d C,2烷基苯基)氨基、l一萘基氨基、2 —萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、噠嗪基氨基、噴啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基一d d2烷基氨基、d C,2烷氧基苯基一d Q2垸基氨基、二(d d2垸氧基苯基一d C,2垸基)氨基、d d2烷基苯基一C, C,2烷基氨基、二 (C! d2烷基苯基—Q d2垸基)氨基、1一萘基一C, C,2烷基
氨基、2 —萘基一Q d2烷基氨基等。
甲硅烷基是指非取代的甲硅垸基以及被從垸基、芳基、芳基垸基以及
1價的雜環(huán)基中選擇的1、 2或3個取代基取代的甲硅烷基(以下稱為取
代甲硅垸基。)。取代基也可具有二次取代基。取代甲硅烷基的碳原子數(shù)不
包括二次取代基的碳原子數(shù)，通常為1 60，優(yōu)選為3 48，更優(yōu)選為3
40左右。作為取代甲硅烷基，例如可舉出三甲基甲硅垸基、三乙基甲硅
烷基、三丙基甲硅烷基、三異丙基甲硅垸基、二甲基一異丙基甲硅烷基、
二乙基一異丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基
甲硅烷基、己基二甲基甲硅垸基、庚基二甲基甲硅垸基、辛基二甲基甲硅
烷基、2—乙基己基一二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅垸基、癸基二甲
基甲硅烷基、3， 7 — 二甲基辛基一二甲基甲硅烷基、十二垸基二甲基甲硅
烷基、苯基—C廣Cn烷基甲硅烷基、Ci Ci2烷氧基苯基一Ci C12烷基
甲硅烷基、Q C,2烷基苯基一d d2烷基甲硅烷基、l一萘基一d Cu
烷基甲硅垸基、2 —萘基一d d2烷基甲硅烷基、苯基—d d2垸基二
甲基甲硅垸基、三苯基甲硅垸基、三對二甲苯基甲硅烷基、三芐基甲硅垸
基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。
?；侵阜侨〈孽；氨畸u原子等取代的?；?。?；奶荚訑?shù)通常為1 20，優(yōu)選為2 18，更優(yōu)選為2 16左右。作為?；?，例如可舉出甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁?；?、異丁酰基、三甲基乙?；?、苯甲酰基、三氟乙?；?、五氟苯甲?；取?br> 酰氧基是指非取代的酰氧基及被卣原子等取代的酰氧基。酰氧基的碳原子數(shù)通常為1 20，優(yōu)選為2 18，更優(yōu)選為2 16左右。作為酰氧基，
例如可舉出甲酰氧基、乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、異丁酰氧基、三甲基乙酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。亞胺殘基是指從具有由式H—N二CX及式一N二CH—的至少一方表示的結構的亞胺化合物除去該結構中的1個氫原子后剩余的殘基。作為這樣的亞胺化合物，例如可舉出醛亞胺、酮亞胺及結合于醛亞胺中的氮原子的氫原子被垸基、芳基、芳基烷基、芳基鏈烯基、芳基炔基等取代的化
合物。亞胺殘基的碳原子數(shù)通常為2 20，優(yōu)選為2 18，更優(yōu)選為2 16左右。作為亞胺殘基，例如可舉出由通式一CR，二N—R"或通式一 N=C (R") 2 (式中，R'表示氫原子、烷基、芳基、芳基烷基、芳基鏈烯基、芳基炔基，R"獨立地表示烷基、芳基、芳基烷基、芳基鏈烯基、芳基炔基，其中，在存在2個R"的情況下，2個R"也可彼此結合成一體，作為2價的基例如亞乙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基等碳原子數(shù)2 18的亞烷基，形成環(huán)。)表示的基等。作為亞胺殘基的例子，, 可舉出由以下結構式表示的基等。
Me
Me
J Me
(式中，Me表示甲基。) 酰胺基是指非取代的酰胺基及被鹵原子等取代的酰胺基。酰胺基的碳原子數(shù)通常為2 20，優(yōu)選為2 18，更優(yōu)選為2 16左右。作為酰胺基，例如可舉出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二三氟乙酰胺基、二五氟苯甲酰胺基等。酰亞胺基是指從酰亞胺除去結合于其氮原子的氫原子得到的殘基。酰
亞胺基的碳原子數(shù)通常為4 20，優(yōu)選為4 18，更優(yōu)選為4 16左右。作為酰亞胺基，例如可舉出以下所示的基等。
<formula>formula see original document page 12</formula>(式中，Me表示甲基。)
羧基是指非取代的羧基及被垸基、芳基、芳基垸基、1價的雜環(huán)基等取代基取代的羧基(以下稱為取代羧基。)。取代基也可具有二次取代基。取代羧基的碳原子數(shù)不包括二次取代基的碳原子數(shù)，通常為1 60，優(yōu)選為2 48，更優(yōu)選為2 45左右。作為取代羧基，例如可舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、異丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、環(huán)己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2—乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3， 7 —二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基等。在本發(fā)明的有機EL元件中，在陽極表面的處理中使用及/或在構成有機層的、與陽極相接的層中添加的有機化合物是由下述通式(1):
(X) v一廣M—R1 (1)
(式中，x為與存在于陽極的表面的基團或原子進行反應而形成鍵合
的基團或原子，M為屬于周期律表的4族、5族、6族、13族、14族或 15族的金屬元素的原子，R'獨立地表示垸基、芳基、芳基垸基、芳基鏈烯基或芳基炔基，v表示M的原子價。)
表示的有機化合物。該有機化合物可單獨使用1種或并用2種以上。
上述X是與存在于陽極的表面的基團或原子進行反應而形成鍵合的基團或原子。X可根據(jù)在陽極的表面存在的基團或原子適當?shù)剡x擇。在陽極由金屬或者其氧化物或硫化物構成的情況下，作為X的例子，可舉出羥基、羧基、?；ⅤＱ趸?、卣代羰基(是指由式—C (0) —Y (式中， Y表示鹵原子。)表示的基團，優(yōu)選由式_C (O) —C1表示的基團及由式_C (O) —Br表示的基團。)、鹵原子、垸氧基、芳氧基、芳基烷氧基、磷酸殘基(由式(H02P (0) —O—表示的基團)、磷酸酯殘基(由式(R10) 2P (0) _0_或式(R10) (HO) P (O) —0—(式中，R1 如上所述。)表示的基團)、亞磷酸殘基(由式(HO) 2P — 0—表示的基團)、亞磷酸酯殘基(由式(R10) 2P_0—或式(R10) (HO) P —O— (式中，R'如上所述。)表示的基團)、巰基、垸基硫代基、芳基硫代基、芳基垸基硫代基、雜環(huán)硫代基、氨基等。X通過與在陽極的表面存在的基團或原子反應而在由上述通式(1)表示的有機化合物與陽極之間形成共價鍵、配位鍵、離子鍵等鍵合。作為陽極，通常利用導電性的無機氧化物或金屬的薄膜，由于其表面大多具有羥基，所以作為X，優(yōu)選可與羥基反應的基團或原子，例如鹵原子、垸氧基、磷酸殘基或氨基。
此外，X可與在陽極的表面存在的基團或原子直接反應，但也可借助其他物質間接地反應。在使X與在陽極的表面存在的基團或原子反應時，只要使該其他物質共存，即可發(fā)生如上所述的間接的反應。作為該其他物質，可舉出具有與在陽極的表面存在的基團或原子直接反應的基團或原子
和與X直接反應的基團或原子的兩方的化合物。
在上述通式(1)中，M是屬于周期律表的4族、5族、6族、13族、14族或15族的金屬元素的原子。在此，金屬元素還包括硼、硅、鍺、磷、砷、銻、鉍等半金屬元素。因而，作為M的例子，可舉出鈦、鋯、鉿等屬于4族的金屬元素的原子；釩、鈮、鉭、等屬于5族的金屬元素的原子; 鉻、鉬、鎢等屬于6族的金屬元素的原子；硼、鋁、鎵、銦、鉈等屬于 13族的金屬元素的原子；硅、鍺、錫、鉛等屬于14族的金屬元素的原子; 磷、砷、銻、鉍等屬于15族的金屬元素的原子。其中，優(yōu)選，硅原子、
錫原子、鈦原子、鋯原子、鋁原子、鈮原子、硼原子及磷原子，更優(yōu)選硅原子、鋯原子、鋁原子、硼原子、鈦原子、磷原子，進而更優(yōu)選硅原子、鈦原子、磷原子。
在上述通式(1)中，w獨立地表示垸基、芳基、芳基垸基、芳基鏈
烯基或芳基炔基。
上述v表示M的原子價，其值對于從業(yè)者而言，上述的每個金屬元素均為公知。例如在M為硅原子、鈦原子、鋯原子等的情況下，v為4，在M為硼、鋁等的情況下，v為3。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方式中，在上述陽極的表面存在羥基，由上述通式(1)表示的有機化合物是由下述通式(2):
(X)廣Si—R1 (2)
(式中，X及W如上所述。) 表示的硅垸偶合劑以及由下述通式(3):
(X)廣Ti一R1 (3)
(式中，X及R'如上所述。) 表示的鈦偶合劑的任意一方或兩方。在這種情況下，作為X，特別優(yōu)選鹵原子、垸氧基、磷酸殘基或氨基。另外，作為R1，特別優(yōu)選垸基或芳基。另外，在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，由上述通式(1)表示的有機化合物為由下述通式(4):
(A)廣Si—B (4)
(式中，A獨立地為氯原子或羥基，B為碳原子數(shù)2以上、10以下的烷基。)
表示的有機化合物。
由上述通式(1)表示的有機化合物的例子如下所述。作為硅烷偶合劑的例子，可舉出丙基三甲氧基硅垸、辛基三甲氧基硅垸、癸基三甲氧基硅垸、氨丙基三甲氧基硅烷、氨基辛基三甲氧基硅烷、氨基癸基三甲氧基硅烷、巰基丙基三甲氧基硅烷、巰基辛基三甲氧基硅垸、巰基癸基三甲氧基硅垸、丙基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅垸、癸基三乙氧基硅垸、氨丙基三乙氧基硅烷、氨基辛基三乙氧基硅垸、氨基癸基三乙氧基硅垸、巰基丙基三乙氧基硅垸、巰基辛基三乙氧基硅烷、巰基癸基三乙氧基硅垸等烷氧基硅烷偶合劑；丙基三氯硅烷、辛基三氯硅烷、癸基三氯硅垸、氨丙基三氯硅垸、氨基辛基三氯硅烷、氨基癸基三氯硅烷、巰
基丙基三氯硅烷、巰基辛基三氯硅烷、巰基癸基三氯硅烷等氯硅烷偶合劑；及，十七氟一l， 1， 2， 2—四氫癸基三乙氧基硅烷、十七氟一l， 1， 2， 2 一四氫癸基三甲氧基硅烷、十七氟一l， 1， 2， 2—四氫癸基三氯硅烷、十三氟一1， 1， 2， 2—四氫辛基三乙氧基硅烷、十三氟一l， 1， 2， 2—四氫辛基三甲氧基硅烷、十三氟一l， 1， 2， 2—四氫辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟化垸基硅烷等。這些硅垸偶合劑可單獨使用1種或并用 2種以上。其中，優(yōu)選氟化垸基硅垸。
作為鈦偶合劑的例子，可舉出丙基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、氨丙基三甲氧基鈦、氨基癸基三甲氧基鈦、巰基丙基三甲氧基鈦、巰基辛基三甲氧基鈦、氨丙基三乙氧基鈦、巰基丙基三乙氧基鈦、巰基癸基三乙氧基鈦、丙基三氯鈦、辛基三氯鈦、癸基三氯鈦、氨丙基三氯鈦、巰基丙基三氯鈦、巰基辛基三氯鈦、十七氟一l， 1， 2， 2—四氫癸基三乙氧基鈦、十七氟一l， 1， 2， 2—四氫癸基三氯鈦。這些鈦偶合劑可單獨使用1種或并用2種以上。
作為可直接或間接地與在本發(fā)明中使用的有機電致發(fā)光元件的陽極存在的基團或原子反應的有機化合物，還可使用膦酸酯化合物((WO)2P (0) —R1)、酸性膦酸酯化合物((R10) (HO) P (0) —R1)、膦酸化合物((HO) 2P (0) —R1)、亞膦酸酯化合物((R10) 2P—R1)、酸性亞膦酸酯化合物((R10) (H0) P—R1)、亞膦酸化合物((H0) 2P—R1)(在這些6式中，W如上所述。)。
在本發(fā)明的有機EL元件中，在陽極的表面中的至少與有機層相接的部分被由上述通式(1)表示的有機化合物處理，或者，構成有機層的與陽極相接的層含有該有機化合物，或者，在陽極的表面中的至少與有機層相接的部分被該有機化合物處理而且構成有機層的與陽極相接的層含有該有機化合物。
作為利用上述有機化合物處理與本發(fā)明的有機EL元件的陽極的表面中的至少有機層相接的部分的方法，可舉出將該有機化合物溶解于溶媒中，在得到的溶液中浸漬該陽極從而使該有機化合物中的基團X (即親水部)與該陽極反應，然后從溶液中分離該陽極，利用溶解該有機化合物的溶媒洗滌該陽極，由此除去未反應的該有機化合物的方法。
對上述溶解有機化合物的溶媒而言，只要是不與該有機化合物反應的
溶媒，則沒有特別限制。作為所述溶媒，可例示氯仿、二氯甲垸、1， 2
—二氯乙烷、1， 1， 2 —三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶媒；四氫呋喃、二噁烷等醚系溶媒；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶媒；環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬垸、正癸烷等脂肪族烴系溶媒；丙酮、甲基乙基甲酮、環(huán)己酮等酮系溶媒；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶媒；乙二醇、乙二醇一丁醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一甲醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲垸、三甘醇單乙醚、甘油、1， 2—己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶媒；二甲亞砜等亞砜系溶媒。其中，所述溶媒可單獨使用一種或并用兩種以上。
對使由上述通式(1)表示的有機化合物溶解于溶媒中得到的溶液中的該有機化合物的濃度沒有特別限制，如果濃度低，則有時該有機化合物與陽極的反應必須長時間，故不優(yōu)選，如果濃度高，則有時該有機化合物的分子之間的凝集導致成膜性降低，故不優(yōu)選。因而，該有機化合物的濃度優(yōu)選為0.01 100mmo1/1，但不限于該范圍。
對使由上述通式(1)表示的有機化合物與陽極反應的溫度沒有特別限制，優(yōu)選10 50'C的范圍。對該反應必需的時間也沒有特別限制，通常優(yōu)選1分 24小時的范圍。
在本發(fā)明的有機EL元件中，在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物是相對該高分子化合物的所有重復單元含有30摩爾%以上、100摩爾％以下包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物，在有機層中為了輸送空穴而使用，尤其在含有該高分子化合物的空穴輸送層與陽極相接的情況下，還為了有效地從陽極向有機層中注入空穴而使用。包括芳香族胺骨架的重復單元的比例相對該高分子化合物中的所有重
復單元為40摩爾％以上、100摩爾％以下，從提高空穴的輸送性的觀點出發(fā)，優(yōu)選為50摩爾％以上、85摩爾％以下。作為該高分子化合物，進而優(yōu)選使用含有包括芳香族胺骨架的重復單元和其以外的包括具有芳香族烴環(huán)及/或芳香族雜環(huán)的共軛系化合物殘基的重復單元的芳香族胺共聚物。
作為上述包括芳香族胺骨架的重復單元，優(yōu)選由下述式(5):
(5)
(式中，Ar1、 Ar2、 Ar3及Ar4獨立地表示亞芳基或2價的雜環(huán)基。 Ar5、 A一及Ar 獨立地表示芳基或l價的雜環(huán)基。或者，Ai^和A,也可代替表示上述的基而成為一體地與A一和Af結合的氮原子一起形成環(huán)。o 及p獨立地表示0或1。) 表示的重復單元。
在所述式(5)中，作為亞芳基的例子，可舉出亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞聯(lián)三苯基、萘二?；?、蒽二酰基、菲二?；?、戊搭烯二酰基、茚二酰基、庚搭烯二酰基、苯并二茚二?；?、苯并菲二?；?、聯(lián)二萘二酰基、苯基亞萘基二酰基、芪二?；④潭；取Ｗ鳛?價的雜環(huán)基(2價的雜環(huán)基是指從雜環(huán)式化合物除去2個氫原子而成的原子團。)的例子，可舉出吡啶一二?；?、二氮亞苯基、喹啉二?；?、喹喔啉二?；⑦灌ざ；⒍?吡啶基二?；?、鄰二氮雜菲二酰基等。芳基的碳原子數(shù)通常為6 60，作
17在上述式中，芳香族烴環(huán)、芳香族雜環(huán)上的氫原子也可獨立地被碳原
子數(shù)1 20的烷基、碳原子數(shù)1 20的烷氧基、碳原子數(shù)7 26的苯基烷基、碳原子數(shù)7 26的苯基烷氧基、苯基、苯氧基、碳原子數(shù)7 26的烷基取代苯基、碳原子數(shù)7 26的垸氧基取代苯基、碳原子數(shù)2 21的烷基羰基、甲?；?、碳原子數(shù)2 31的烷氧基羰基或羧基取代。另外，在存在 2個取代基的情況下，它們也可彼此結合形成環(huán)。
為其例子，可舉出苯基等。另外，1價的雜環(huán)基是指從雜環(huán)式化合物除去 l個氫原子而成的原子團，作為其例子，可舉出吡啶基等。
作為由所述式(5)表示的重復單元的例子，可舉出由下述式表示的重復單元。
18作為苯基烷基，例如可舉出碳原子數(shù)通常為7 26、優(yōu)選為11 2K 更優(yōu)選為14 18的苯基烷基，作為其例子，可舉出苯基甲基、苯基乙基、苯基丙基、苯基丁基、苯基戊基、苯基己基、苯基庚基、苯基辛基、苯基壬基、苯基癸基、苯基十二烷基等。作為苯基烷氧基，例如可舉出碳原子數(shù)通常為7 26、優(yōu)選為11 21、更優(yōu)選為14 18的苯基烷氧基，作為其例子，可舉出苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基、苯基壬氧基、苯基癸氧基、苯基十二烷氧基等。垸基取代苯基是指苯基上的1個以上氫原子被碳原子數(shù)1 20的烷基取代而成的基，即，一垸基苯基、二烷基苯基、三烷基苯基、四烷基苯基及五烷基苯基。作為垸基取代苯基，例如可舉出碳原子數(shù)通常為7 26、優(yōu)選為11 21、更優(yōu)選為14 18的烷基取代苯基，作為其例子，可舉出一、二、三、四或五甲基苯基；一、二、三、四或五乙基苯基；一、二、三、四或五丙基苯基；一、二、三、四或五異丙基苯基；一、二、三、四或五丁基苯基；一、二、三、四或五異丁基苯基；一、二、三、四或五仲丁基苯基；一、二、三、四或五叔丁基苯基；一、二、三、四或五戊基苯基；一、二、三、四或五異戊基苯基；一、二、三、四或五己基苯基；一、二、三、四或五庚基苯基；一、二、三、四或五辛基苯基；一、二、三、四或五(2—乙基己基)苯基；一、二、三、四或五壬基苯基；一、二、三、四或五癸基苯基；一、二、三、四或五(3， 7 — 二甲基辛基)苯基；一、二、三、四或五十二烷基苯基等。烷氧基取代苯基是指苯基上的1個以上氫原子被碳原子數(shù)1 20的垸氧基取代而成的基團，即，一垸氧基苯基、二烷氧基苯基、三烷氧基苯基、四垸氧基苯基及五烷氧基苯基。作為烷氧基取代苯基，例如可舉出碳原子數(shù)通常為7 26、優(yōu)選為11 21、更優(yōu)選為14 18的垸氧基取代苯基，作為其例子，可舉出一、二、三、四或五甲氧基苯基；一、二、三、四或五乙氧基苯基；一、二、三、四或五丙氧基苯基；一、二、三、四或五異丙氧基苯基；一、二、三、四或五丁氧基苯基；一、二、三、四或五異丁氧基苯基；一、二、三、四或五仲丁氧基苯基；一、二、三、四或五叔丁氧基苯基；一、二、三、四或五戊氧基苯基；一、二、三、四或五己氧基苯基；一、二、三、四或五庚氧基苯基；一、二、三、四或五辛氧基苯基; 一、二、三、四或五(2—乙基己氧基)苯基；一、二、三、四或五壬氧基苯基；一、二、三、四或五癸氧基苯基；一、二、三、四或五(3， 7 一二甲基辛氧基)苯基；一、二、三、四或五十二垸氧基苯基等。
作為烷基羰基，例如可舉出碳原子數(shù)通常為2 21、優(yōu)選為5 15、
更優(yōu)選為8 12的垸基羰基，作為其例子，可舉出乙?；?、丙酰基、丁酰基、異丁?；⑽祯；?、己?；?、庚?；?、辛?；?、2—乙基己?；?、壬酰基、癸?；?、3， 7 — 二甲基辛?；?、十二烷?；?。
作為烷氧基羰基，例如可舉出碳原子數(shù)通常為2 21、優(yōu)選為5 5、更優(yōu)選為8 12的烷氧基羰基，作為其例子，可舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、異丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2—乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3， 7—二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基等。
在由上述式(5)表示的重復單元中，優(yōu)選由下述式(6):
(式中，R3、 114及115獨立地表示碳原子數(shù)1 20的烷基、碳原子數(shù) 1 20的垸氧基、碳原子數(shù)7 26的苯基垸基、碳原子數(shù)7 26的苯基烷氧基、苯基、苯氧基、碳原子數(shù)7 26的垸基取代苯基、碳原子數(shù)7 26 的烷氧基取代苯基、碳原子數(shù)2 21的垸基羰基、甲酰基、碳原子數(shù)2 21的烷氧基羰基或羧基?；蛘?，&與114也可代替上述的基而成為一體地形成環(huán)。x及y獨立地為0 4的整數(shù)，z為1或2， w為0 5的整數(shù)。在存在多個R3、 114及尺5的至少1種的情況下，該多個存在的基相同或不同。)
表示的重復單元。
在所述式(6)中的W和RM戈替上述的基而成為一體地形成環(huán)的情
況下，作為該環(huán)，例如可舉出可具有取代基的C5 Q4的雜環(huán)。作為雜環(huán)，例如可舉出嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)、吡咯環(huán)、哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)等。
作為這樣的由通式(6)表示的重復單元的例子，可舉出由下述式(6 一l) (6—10)表示的重復單元。
作為由所述式(6)表示的重復單元，從該空穴輸送性高分子材料在溶媒中的溶解性、該"包括芳香族胺骨架的重復單元"的合成的容易程度、空穴輸送性及電離電勢的觀點出發(fā)，優(yōu)選由下述式(7):(式中，W表示碳原子數(shù)l 20的烷基，w為0 5的整數(shù)。在存在多個W的情況下，它們相同或不同。) 表示的重復單元。
如果在所述主鏈中含有包括芳香族胺骨架在內的重復單元的高分子化合物的末端部分仍然殘留聚合活性基，在元件的制作中使用的情況下，得到的元件的發(fā)光特性或壽命可能會降低，所以優(yōu)選被穩(wěn)定的保護基保護。作為保護基，優(yōu)選具有與主鏈的共軛結構連續(xù)的共軛鍵的保護基，例如可舉出芳基或1價的雜環(huán)基借助碳—碳鍵與主鏈結合的結構。具體而言，可例示在特開平9一4547S號公報的化10中記載的取代基等。
另外，在本發(fā)明的有機EL元件中，從最大發(fā)光效率或元件壽命等元件特性的觀點出發(fā)，優(yōu)選在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物在主鏈中與包括上述芳香族胺骨架的重復單元的至少1種一起含有由下述通式(8)表示的重復單元的至少l種。
—Ar8— (8) (式中，ArS表示亞芳基。)
在所述通式(8)中，亞芳基是從芳香族烴除去2個結合于構成芳香環(huán)的碳原子的氫原子后剩余的原子團，是指非取代的亞芳基及取代的亞芳基。在亞芳基中具有縮合環(huán)也包括2個以上獨立的苯環(huán)或縮合環(huán)借助單鍵或2價的有機基團例如亞乙烯基等亞鏈烯基結合而成的縮合環(huán)。對取代的亞芳基中的取代原子及取代基沒有特別限定，從溶解性、熒光特性、合成的容易程度、成為元件時的特性等觀點出發(fā)，優(yōu)選鹵原子、垸基、烷氧基、垸基硫代基、芳基、芳氧基、芳基硫代基、芳基烷基、芳基垸氧基、芳基烷基硫代基、芳基鏈烯基、芳基炔基、1價的雜環(huán)基、雜環(huán)硫代基、氨基、甲硅烷基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、羧基、氰基或硝基。另外，這樣的亞芳基中的除去取代基的部分的碳原子數(shù)通常為6
60，優(yōu)選為6 20，更優(yōu)選為6 18左右。另外，亞芳基中的包括取代基的全部碳原子數(shù)通常為6 100，優(yōu)選為6 80，更優(yōu)選為6 70左右。
另外，作為這樣的亞芳基，例如可舉出亞苯基(例如由下述通式1 3表示的基)、萘二?；?例如由下述通式4 13表示的基)、蒽二?；?例如由下述通式14 19表示的基)、聯(lián)苯基二?；?例如由下述通式20 25表示的基)、聯(lián)三苯基二酰基(例如由下述通式26 28表示的基)、芴二?；?例如由下述通式36 38表示的基)、苯并藥二?；?例如由下述通式39 46表示的基)、其他2價的縮合多環(huán)式芳香族烴基(例如由下述通式29 35表示的基)等。
<formula>formula see original document page 23</formula><formula>formula see original document page 24</formula>在上述式1 46中，R表示鹵原子、烷基、烷氧基、垸基硫代基、芳基、芳氧基、芳基硫代基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基硫代基、芳基鏈烯基、芳基炔基、1價的雜環(huán)基、雜環(huán)硫代基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、羧基、氰基或硝基。其中，
在上述式1 46中，多個存在的R相同或不同。
另外，在這樣的由通式(8)表示的重復單元中，從本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的亮度減半壽命的觀點出發(fā)，優(yōu)選由下述通式(9)表示的重復單元。(式中，R7及R8相同或不同，獨立地表示鹵原子、烷基、烷氧基、烷基硫代基、芳基、芳氧基、芳基硫代基、芳基烷基、芳基垸氧基、芳基烷基硫代基、芳基鏈烯基、芳基炔基、1價的雜環(huán)基、雜環(huán)硫代基、氨基、甲硅垸基、酰基、酰氧基、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、羧基、氰基或
硝基，h及i相同或不同，獨立地表示0 3的整數(shù)，R9及Rk)相同或不同，
獨立地表示氫原子、鹵原子、垸基、垸氧基、烷基硫代基、芳基、芳氧基、芳基硫代基、芳基垸基、芳基烷氧基、芳基垸基硫代基、芳基鏈烯基、芳基炔基、1價的雜環(huán)基、雜環(huán)硫代基、氨基、甲硅烷基、?；ⅤＱ趸?、亞胺殘基、酰胺基、酰亞胺基、羧基、氰基或硝基，其中，在存在多個
R7及R8的任意一方或兩方的情況下，該存在多個的原子或基相同或不
同。)
從原料單體的合成的容易程度的觀點出發(fā)，所述通式(9)中的h及i優(yōu)選為O或l，特別優(yōu)選為O。
另外，從原料單體的合成的容易程度的觀點出發(fā)，所述通式(9)中的R9及Ru)優(yōu)選為烷基或芳基。
作為這樣的由通式(9)表示的重復單元的例子，可舉出由下述通式(9_1) (9一8)表示的重復單元。
<formula>formula see original document page 26</formula>
所述在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物的
數(shù)均分子量以聚苯乙烯換算優(yōu)選為103 108左右，更優(yōu)選為104 106左右。此外，在本發(fā)明中，聚苯乙烯換算的"數(shù)均分子量"及"重均分子量"
使用體積排阻色譜(size exclusion chromatography) (SEC)(島津制作所制LC一10Avp)求得。另夕卜，將測定的樣品在四氫呋喃中溶解成約0.5wt%的濃度，在SEC中注入50"L。進而，作為SEC的移動相，使用四氫呋喃，以0.6mL/min的流速流動。另外，作為柱(column)，使用串聯(lián)TSKgelSuperHM—H (東曹制)2根和TSKgel SuperH2000 (東曹制)1根而成的柱。另外，檢測器使用示差折射率檢測器(島津制作所制RID—10A)。
作為在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物的合成方法，例如可舉出從對應需要的高分子化合物的單體利用Suzuki偶合反應進行聚合的方法、利用Grignard反應進行聚合的方法、利用Ni (0)催化劑進行聚合的方法、利用FeCl3等氧化劑進行聚合的方法、電化學地進行氧化聚合的方法、利用具有適當?shù)拿撾x基的中間體高分子化合物的分解的方法等。其中，從反應控制容易的點出發(fā)，優(yōu)選利用Suzuki偶合反應進行聚合的方法、利用Grignard反應進行聚合的方法、利用Ni (0)催化劑進行聚合的方法。
在所述反應中，為了促進反應，可適宜地添加堿、適當?shù)拇呋瘎?。這些堿、適當?shù)拇呋瘎┲灰獙磻姆N類選擇即可，優(yōu)選在反應中使用的溶媒中充分地溶解的催化劑。作為堿，例如可舉出碳酸鉀、碳酸鈉等無機堿；三乙胺、氫氧化四乙銨等有機堿；氟化銫等無機鹽。作為催化劑，例如可舉出四(三苯基膦)鈀、鈀乙酸鹽類。
由于在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物的純度影響元件的發(fā)光特性，優(yōu)選在利用蒸餾、升華純化、再結晶等方法純化聚合前的單體之后使其聚合，另外，還優(yōu)選在合成后，進行利用再沉淀純化、色譜的分餾等純化處理。
作為在所述反應中使用的溶媒，例如可舉出戊烷、己烷、庚垸、辛烷、環(huán)己烷等飽和烴；苯、甲苯、乙苯、二甲苯等芳香族烴；四氯化碳、氯仿、二氯甲垸、氯丁垸、溴丁烷、氯戊垸、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯環(huán)己烷、溴環(huán)己烷等鹵化飽和烴；氯苯、二氯苯、三氯苯等鹵化芳香族烴；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、叔丁醇等醇類；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸類；二甲醚、二乙醚、甲基叔丁醚、四氫呋喃、四氫化吡喃、二噁烷等
27醚類；鹽酸、氫溴酸、氫氟酸、硫酸、硝酸等無機酸等。這些溶媒可單獨使用一種或并用兩種以上。
在反應后，例如在用水淬火(quench)之后用有機溶媒抽提，利用餾去該有機溶媒等通常的后處理，可得到粗制的高分子化合物。另外，如上所述，高分子化合物的利用離析及純化還可通過利用色譜的分取、再結晶等方法進行。
作為所述高分子化合物的合成方法的例子，可舉出利用上述的方法使由下述式(10)表示的化合物單獨或由下述式(10)表示的化合物與由下述式(11)表示的化合物發(fā)生聚合的方法。
X，一Ar1
——N—
廣、 Ar4
—Ar2-
—Ar3-
(10〉
A l'bAr。
、乂 0 Ar7
X3—Ar8.
-X4 (11)
(式中，A一 ArS如上所述，X' XM蟲立地表示鹵原子、烷基磺基、芳基磺基、芳基烷基磺基、硼酸酯殘基、銃甲基、鱗甲基、膦酸酯甲基、一鹵化甲基、硼酸殘基(一B (OH) 2))、甲酰基或乙烯基。)
從由所述式(10)或(11)表示的化合物的合成上的觀點及反應的容易程度的觀點出發(fā)，優(yōu)選X' X^蟲立地為鹵原子、烷基磺基、芳基磺基、芳基垸基磺基、硼酸酯殘基或硼酸殘基。
作為烷基磺基，可例示甲烷磺基、乙垸磺基、三氟甲烷磺基等。作為芳基磺基，可例示苯磺基、對甲苯磺基等。作為芳基烷基磺基，可例示芐
作為硼酸酯殘基，例如可舉出由下述式表示的基<
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O
陽B
\ OEt
-B'
/
\一
o'(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。) 作為銃甲基，可例示由下述式表示的基。 —CH2S+Me2X—、 — CH2S+Ph2X_
(式中，X表示鹵原子，Me表示甲基，Ph表示苯基。) 作為轔甲基，可例示由下述式表示的基。 —CH2P+Ph3X-
(式中，X表示鹵原子，Ph表示苯基。) 作為膦酸酯甲基，可例示由下述式表示的基。 —CH2PO (OR11) 2
(式中，R"表示垸基、芳基、芳基烷基。) 作為一鹵化甲基，可例示氟化甲基、氯化甲基、溴化甲基或碘化甲基。
空穴輸送層的不溶性化(不溶化)
另外，在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物 (以下有時稱為芳香族胺高分子化合物。)的空穴輸送層上層疊其他層，例如在層疊利用空穴與電子的復合進行發(fā)光的發(fā)光層時，為了防止通用的溶媒引起兩層的混合或空穴輸送層的洗脫，優(yōu)選不溶性化該空穴輸送層。作為進行不溶性化的處理，可例示使用芳香族胺高分子化合物的可溶性的前體或具有可溶性的取代基的芳香族胺高分子化合物，利用熱處理將前體轉換成高分子化合物或者通過分解該取代基來降低溶解性從而進行不溶性化的方法；使用在分子內具有交聯(lián)性基團的芳香族胺高分子化合物，在該芳香族胺高分子化合物間進行交聯(lián)反應的方法；在進行該交聯(lián)反應時，進一步使用交聯(lián)劑(利用熱、光、電子射線等發(fā)生交聯(lián)反應的單體或大分子單體(macromer))的方法；使用在分子內不具有交聯(lián)性基團的芳香族胺高分子化合物和交聯(lián)劑(例如熱、光、電子射線等發(fā)生交聯(lián)反應的單體或大分子單體)，使其進行交聯(lián)反應的方法等。尤其優(yōu)選使用在分子內具有交聯(lián)性基團的主鏈中具有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物，根據(jù)需要使用交聯(lián)劑。
作為在分子內具有所述交聯(lián)性基團的在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物，可例示在側鏈中具有交聯(lián)性基團的在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物。作為這樣的交聯(lián)性基團，例如包括乙烯基、乙炔基、丁烯基、丙烯酰基、丙烯酰氧基、丙烯酰胺基、甲基丙烯?；⒓谆Ｑ趸?、甲基丙烯酰胺基、乙烯基醚基、乙烯基氨基、硅烷醇基、具有小員環(huán)(小員環(huán))的交聯(lián)性基團(例如環(huán)丙
基、環(huán)丁基、環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基、雙烯酮基、環(huán)硫化物(episufide) 基等)的基、內酯基、內酰胺基或含有硅氧烷衍生物的基等。另外，除了這些基以外，還可使用可形成酯鍵或酰胺鍵的基的組合等。例如包括酯基與氨基、酯基與羥基等的組合。進而還可例示在WO 97/09394公開說明書中記載的含有苯并環(huán)丁烷結構的基等。其中，尤其優(yōu)選丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。
這樣的在分子內具有交聯(lián)性基團的在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物可通過使具有對應的交聯(lián)性基團的單體發(fā)生聚合來合成。例如，作為具有丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基的單官能單體的例子，可舉出2 —乙基己基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸2—羥基乙基酯等。作為具有丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基的2官能單體的例子，可舉出1， 6—己二醇二丙烯酸酯、1， 6—己二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、三甘醇二丙烯酸酯、三甘醇二甲基丙烯酸酯、3—甲基戊二醇二丙烯酸酯、3 —甲基戊二醇二甲基丙烯酸酯等。作為其他具有丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基的多官能單體的例子，可舉出三羥甲基丙垸三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯等。
所述在分子內具有交聯(lián)性基團的在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物中的該交聯(lián)性基團的含有率通常為0.01 30重量％，優(yōu)選為0.5 20重量％，更優(yōu)選為1 10重量％。
作為上述交聯(lián)劑，可例示聚苯乙烯換算的重均分子量為2000以下的具有兩個以上上述交聯(lián)性基團的交聯(lián)劑，作為其例子，可舉出作為具有丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基的2官能單體的具體例在上述中舉出的化合物、其他作為具有丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基的多官能單體的例子在上述中舉出的化合物、三季戊四醇八丙烯酸酯(TPEA)等。
作為具有交聯(lián)性基團的高分子或交聯(lián)劑的交聯(lián)反應，可例示利用加熱或光、電子射線等的照射發(fā)生的反應。也可在熱聚合引發(fā)劑、光聚合引發(fā) 劑、熱聚合引發(fā)助劑、光聚合引發(fā)助劑等的存在下進行所述反應。
在進行加熱從而使空穴輸送層不溶性化的情況下，加熱的溫度只要低
于因材料的分解而特性降低的溫度即可，沒有特別限制，例如50。C 300 。C，優(yōu)選為10(TC 250。C。
在進行加熱從而使空穴輸送層不溶性化的情況下，作為可并用的熱聚合引發(fā)劑，通常可使用作為自由基聚合引發(fā)劑已知的熱聚合引發(fā)劑，例如可舉出2， 2'—偶氮二異丁腈、2， 2' —偶氮雙一 (2， 4一二甲基戊腈)、2， 2' —偶氮雙(4一甲氧基—2， 4 —二甲基戊腈)等偶氮化合物；過氧化苯甲酰、過氧化月桂酰、叔丁基過氧化三甲基乙酸酯、1， l，一雙(叔丁基過氧化)環(huán)己垸等有機過氧化物；及過氧化氫。在作為自由基聚合引發(fā)劑使用過氧化物的情況下，也可與還原劑一起使用過氧化物作為氧化還原型引發(fā)劑。這些熱聚合引發(fā)劑可分別單獨使用l種或組合使用2種以上。
并用熱聚合引發(fā)劑時的反應溫度例如為40°C 250°C，優(yōu)選為50°C 200 °C。
在使用光聚合引發(fā)劑的光聚合中，只要以0.01mW/cm2以上的照射強度照射紫外線1秒 3600秒、優(yōu)選30秒 600秒即可。
光聚合引發(fā)劑可舉出通過照射光來使活性自由基發(fā)生的活性自由基發(fā)生劑、發(fā)生酸的酸發(fā)生劑等。作為活性自由基發(fā)生劑，例如可舉出乙酰苯系光聚合引發(fā)劑、苯偶姻系光聚合引發(fā)劑、二苯甲酮系光聚合引發(fā)劑、噻噸酮系光聚合引發(fā)劑、三嗪系光聚合引發(fā)劑等。作為酸發(fā)生劑，可舉出利用紫外線、遠紫外線、電子射線及X射線等的照射直接或間接地發(fā)生酸的化合物，例如在特開平4一163552號公報中記載的三鹵甲基三嗪系化合物、在特開平1 — 57777號公報中記載的二砜化合物等。這些光聚合引發(fā)劑可分別單獨使用1種或組合使用2種以上。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，發(fā)光層優(yōu)選在主鏈中含有包括芳香
31族胺骨架的重復單元的高分子化合物的空穴輸送層與陰極之間形成。作為在發(fā)光層中使用的發(fā)光性材料，可使用具有輸送空穴的功能、輸送電子的功能、復合的功能、發(fā)光的功能等功能的一種分子，也可以使用具有單一或多個功能的2種以上的分子，另外，也可并用具有同一功能的多種分子。發(fā)光性材料可為低分子或高分子。作為形成含有它們發(fā)光層的手法，可例示(共)蒸鍍或從溶液的制膜。只要發(fā)光性材料溶解于溶媒，則可使用從溶液的制膜的手法，另外，只要在真空中蒸發(fā)，則還可使用蒸鍍的手法。
作為在該發(fā)光層中含有的發(fā)光性材料，可利用在"有機EL顯示器" (時任靜夫、安達千波矢、村田英幸共著株式會社才一厶公司平成16 年刊第1版第1次印刷發(fā)行)17 48頁、83 99頁、101 120頁中記載的熒光材料或三重線發(fā)光材料。作為低分子的熒光材料，例如可使用萘衍生物、蒽及其衍生物、二萘嵌苯及其衍生物、聚甲炔系、氧雜蒽系、香豆素系、酞菁系等色素類、8 —羥基喹啉的金屬絡合物、8 —羥基喹啉衍生物的金屬絡合物、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物等。具體而言，例如可使用在特開昭57 — 51781號公報、特開昭59—194393號公報中記載的低分子的熒光材料等公知的材料。
作為三重線發(fā)光材料的三重線發(fā)光絡合物，例如可舉出以銦為中心金屬的Ir (ppy) 3、 Btp2Ir (acac)，以鉑為中心金屬的PtOEP，以銪為中心金屬的Eu (TTA) 3phen等。
改P2lKacao〉PtOEP
Eu(TTA)3phen
三重線發(fā)光絡合物的其他例子在Nature, ( 1998 ) ,395,151 、 Appl.Phys丄ett. (1999) ，75 (1) ,4、 Proc,SPIE—IntSoc.Opt.Eng: (2001)， 4105 (有機發(fā)光材料和器件(Organic Light—Emitting Materials and Devices IV) ,119、 J.Am.Chem.Soc.， (2001) ,123， 4304、 Appl. Phys. Lett., (1997)， 71 (18), 2596、 Syn. Met" (1998)， 94 (1) ， 103 、 Syn.Met.， ( 1999 ) ，99 (2 ), 1361 、 Adv.Mater., (1999) ,11 (10) ,852、 Jpn丄Appl.Phys"34，1883 (1995)等中有記載。
在本發(fā)明中使用的發(fā)光性材料也可為高分子化合物，例如交替共聚物、無規(guī)聚合物、嵌段聚合物或接枝聚合物的任意一種，也可為具有它們的中間結構的高分子化合物，例如帶嵌段性的無規(guī)共聚物。從顯現(xiàn)高電荷輸送性能且可實現(xiàn)高發(fā)光效率、低驅動電壓化、長壽命化的觀點出發(fā)，優(yōu) 選與完全的無規(guī)共聚物相比還帶有嵌段性的無規(guī)共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。此外，還包括在主鏈上存在分支的具有3個以上末端部的高分子化合物或所謂的樹枝狀化合物(dendrimer)。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，從可通過提高空穴注入性來提高發(fā) 光效率出發(fā)，優(yōu)選在主鏈上含有包括所述芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物。從最大發(fā)光效率等元件特性的觀點出發(fā)，該重復單元的比例相對該高分子化合物中的全部重復單元，優(yōu)選為0.1摩爾％以上、不到30 摩爾％。如果少于0.1摩爾％，則有時不能得到足夠的空穴注入性。如果
33為30摩爾％以上，則有時不使其發(fā)光而空穴到達作為對置電極的陰極，從而發(fā)光效率降低。該比例進而優(yōu)選相對該高分子化合物中的全部重復單
元為0.5摩爾％以上、10摩爾％以下，從而成為更高發(fā)光效率的有機電致發(fā)光元件。作為包括該芳香族胺骨架的重復單元，可使用由上述式(5) 表示的重復單元。
另外，在本發(fā)明的有機EL元件中，發(fā)光性材料至少含有1種上述包括芳香族胺骨架的重復單元的情況下，從最大發(fā)光效率或元件壽命等元件特性的觀點出發(fā)，優(yōu)選與其一起在主鏈中含有由上述通式(8)表示的重復單元的至少1種。由上述通式(8)表示的重復單元的定義、例子等如上所述。
進而，從本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的壽命特性的觀點出發(fā)，在本發(fā) 明中使用的發(fā)光性材料優(yōu)選聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1X103 1X 108的高分子化合物，更優(yōu)選聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1X103 1X 106的高分子化合物。
作為在主鏈中含有由上述式(5)表示的重復單元及由上述通式(8) 表示的重復單元的發(fā)光性材料的合成方法，可舉出與對所述在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物的合成方法例示的合成方法相同的方法。
本發(fā)明的有機EL元件中的有機層也可進一步含有電子輸送層。這種情況下，作為被用作電子輸送層的材料的電子輸送性材料，可使用公知的電子輸送性材料，作為其例子，可舉出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲垸及其衍生物、芴衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、聯(lián)對苯醌衍生物、8 —羥基喹啉及其衍生物的金屬絡合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。具體而言，可例示在特開昭63 一70257號公報、同63 — 175860號公報、特開平2_ 135359號公報、同2 —135361號公報、同2—209988號公報、同3 — 37992號公報、同3 —152184 號公報中記載的電子輸送性材料等。
其中，優(yōu)選噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8 —
34絡合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，進而優(yōu)選2— (4一聯(lián)苯基)一5— (4一叔丁基
苯基)一l， 3， 4 —噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8 —羥基喹啉)鋁、聚喹啉。 [有機電致發(fā)光元件]
在本發(fā)明的有機EL元件中，在陽極的表面中的至少與有機層相接的部分被由上述通式(1)表示的有機化合物處理，或者，構成有機層的與陽極相接的層含有該有機化合物，或者，在陽極的表面中的至少與有機層相接的部分被該有機化合物處理而且構成有機層的與陽極相接的層含有該有機化合物。可在進行空穴注入的電極(稱為陽極)與進行電子注入的電極(稱為陰極)之間的有機層上，從空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層中適當?shù)剡x定層疊。在陽極的表面中的至少與有機層相接的部分被由上述通式(1)表示的有機化合物處理的情況下，不必在這些層中含有該有機化合物，但在陽極的表面中的上述部分沒有被該有機化合物處理的情況下，構成有機層的與陽極相接的層必需含有該有機化合物。以下例示代表性的結構，但不限定于此，也可分別在有效的層疊結構的位置插入其他有機層、電子模塊層、空穴模塊層、電子注入層、空穴注入層等。
被上述有機化合物進行了表面處理的陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/陰極被上述有機化合物進行了表面處理的陽極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極
陽極/含有上述有機化合物的空穴輸送層/發(fā)光層/陰極
陽極/含有上述有機化合物的空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極
被上述有機化合物進行了表面處理的陽極/含有上述有機化合物的空
穴輸送層/發(fā)光層/陰極
被上述有機化合物進行了表面處理的陽極/含有上述有機化合物的空
穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/陰極
在此，/表示層疊在該符號的兩側記載的層或層與電極。進而，空穴
輸送層、發(fā)光層、電子輸送層可為一層，也可層疊2層以上具有相同功能的層。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，作為可在有機層中使用的材料，可例示在低分子型有機電致發(fā)光元件或高分子型有機電致發(fā)光元件中使用的電荷輸送性材料或發(fā)光性材料。作為發(fā)光色，除了紅、藍、綠3個基本
色以外，還可例示中間色或白色。在全色(fUll color)元件中，示出3個基本色的發(fā)光的材料優(yōu)選使用在平面光源中示出白色或中間色的發(fā)光的材料。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，有機層整體的厚度因使用的材料不同而最適值不同，只要將其調整成驅動電壓、發(fā)光效率、元件壽命成為適度的值即可，例如為30nm l"m，優(yōu)選為40nm 500nm，進而優(yōu)選為 60nm 400nm。
作為在該有機層中含有的各層的厚度，將其適當?shù)剡x擇成為使發(fā)光效率或驅動電壓成為理想的值，通常為5nm 200nm。作為含有在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物的空穴輸送層的厚度，可例示10 300nm，優(yōu)選20 150nm。作為利用空穴與電子的復合進行發(fā)光的發(fā)光層的厚度，可例示5 300nm，優(yōu)選30 200nm，進而優(yōu)選40 150nm。作為空穴模塊層的厚度，可例示5 50nm，優(yōu)選10nm 30nm。作為電子輸送層的厚度，可例示10 100nm，優(yōu)選20 80nm。
作為這些層的制膜方法，除了真空蒸鍍、簇(cluster)蒸鍍、分子線蒸鍍等真空過程以外，溶解性或可形成乳劑(emulsion)的制膜方法還可例示利用涂敷法或印刷法進行制膜的方法。
在本發(fā)明中，尤其在含有在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物的空穴輸送層、利用空穴與電子的復合進行發(fā)光的發(fā)光層及電子輸送層的制造可使用從溶液制膜的方法等。
作為從溶液制膜的方法，例如可使用旋涂法、澆注法、微凹版印刷涂敷法、凹版印刷涂敷法、棒涂法、輥涂法、拉絲錠涂敷法、浸涂法、噴涂法、網(wǎng)版印刷法、凸版印刷法、膠版印刷法、噴墨打印法、噴嘴涂敷法、毛細管涂敷法等涂布法。其中，從容易進行圖案形成或多色的分涂的點出發(fā)，優(yōu)選網(wǎng)版印刷法、凸版印刷法、膠版印刷法、噴墨打印法等印刷法。
上述的從溶液制膜的方法通常使用油墨。該油墨是含有在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物和溶媒而成的油墨。對該溶媒?jīng)]有特別限制，優(yōu)選可溶解或均勻地分散除了構成所述油墨的溶媒以外的成分即在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物、發(fā) 光性材料的溶媒。作為所述溶媒，可例示氯仿、二氯甲垸、1， 2 — 二氯乙烷、1， 1， 2 —三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶媒；四氫呋喃、二噁垸等醚系溶媒；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶媒；環(huán)己垸、甲基環(huán)己烷、正戊垸、正己烷、正庚烷、正辛垸、正壬垸、正癸烷等脂肪族烴系溶媒；丙酮、甲基乙基甲酮、環(huán)己酮等酮系溶媒；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶媒；乙二醇、乙二醇一丁醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲垸、三甘醇單乙醚、甘油、 1， 2—己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環(huán)己醇等醇系溶媒；二甲亞砜等亞砜系溶媒；N—甲基一2 —吡咯烷酮、N， N— 二甲替甲酰胺等酰胺系溶媒。其中，所述溶媒可單獨使用一種或并用兩種以上。
其中，從在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物、發(fā)光性材料等的溶解性、成膜時的均勻性、粘度特性等觀點出發(fā)，優(yōu) 選芳香族烴系溶媒、脂肪族烴系溶媒、酯系溶媒、酮系溶媒，優(yōu)選甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲基苯、正丙苯、異丙苯、正丁苯、異丁苯、仲丁苯、茴香醚、乙氧基苯、1 —甲基萘、環(huán)己烷、環(huán)己酮、環(huán)己基苯、聯(lián)二環(huán)己烷、環(huán)己烯基環(huán)己酮、正庚基環(huán)己烷、正己基環(huán)己烷、2 —丙基環(huán)己酮、2 —庚酮、3 —庚酮、4 —庚酮、2 —辛酮、2_壬酮、2 —癸酮、二個環(huán)己基甲酮，更優(yōu)選含有二甲苯、茴香醚、環(huán)己基苯、聯(lián)二環(huán)己烷中的至少1種。
另外，油墨中的溶媒的比例相對溶質(即，在主鏈中含有包括芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物及發(fā)光性材料的含量)，為1重量％ 99.9重量％，優(yōu)選為60重量％ 99.5重量％，進而優(yōu)選為80重量％ 99.0
重量％。
油墨的粘度因印刷法不同而不同，但在像噴墨印刷法等那樣油墨經(jīng)由噴出裝置的情況下，為了防止噴出時的孔堵塞或飛躍曲線，優(yōu)選粘度在 25°〇下為1 20mPa s的范圍。
作為高分子型有機電致發(fā)光元件用的材料，可例示在"高分子EL材料"(大西敏博、小山珠美共著共立出版2004年刊初版第1次印刷發(fā)行)33頁 58頁中記載的材料，可用與電子注入層或電荷輸送層層疊發(fā) 光層的結構構筑有機電致發(fā)光元件。具體而言，作為高分子化合物的空穴輸送性材料、電子輸送性材料及發(fā)光性材料，可例示在W099/13692號公開說明書、WO99/48160號公開說明書、GB2340304A、 WO00/53656公開說明書、WO01/19834公開說明書、WO00/55927公開說明書、GB2348316、 WO00/46321公開說明書、WO00/06665公開說明書、W099/54943公開說明書、W099/54385公開說明書、US5777070、 WO98/06773公開說明書、 WO97/05184公開說明書、WO00/35987公開說明書、WO00/53655公開說明書、WO01/34722公開說明書、W099/24526公開說明書、WO00/22027 公開說明書、WO00/22026公開說明書、W098/27136公開說明書、 US573636、 W098/21262公開說明書、US5741921、 WO97/09394公開說明書、W096/29356公開說明書、WO96/10617公開說明書、EP0707020、 WO95/07955、特開2001 — 181618號公報、特開2001 — 123156號公報、特開2001—3045號公報、特開2000 — 351967號公報、特開2000—303066 號公報、特開2000—299189號公報、特開2000—252065號公報、特開 2000—136379號公報、特開2000 —104057號公報、特開2000 —80167號公報、特開平10 — 324870號公報、特開平10—114891號公報、特開平9 一111233號公報、特開平9一45478號公報等中公開的聚芴、其衍生物及共聚物、聚芳烯、其衍生物及共聚物、聚芳基乙烯(polyarylenevinylene)、其衍生物及共聚物、芳香族胺及其衍生物的(共)聚合物。也可在發(fā)光性材料或電荷輸送性材料中混合上述的低分子型有機電致發(fā)光元件用的發(fā) 光性材料或電荷輸送性材料。
可在各空穴輸送性材料、電子輸送性材料或發(fā)光性材料中并用上述的低分子材料和高分子材料。例如，可并用具有有機配位基的金屬絡合物，與作為低分子的熒光材料、磷光材料公知的材料、所謂的三重線發(fā)光絡合物等的并用尤其有效。作為發(fā)光性材料的具有有機配位基的金屬絡合物的中心金屬例如可舉出鋁、鋅、鈹、銦、鉑、金、銪、鋱等。
也可與陰極相接設置10nm以下的絕緣層。作為絕緣層的材料，可舉出金屬氟化物或金屬氧化物或者有機絕緣材料等，優(yōu)選堿金屬或堿土類金屬等的金屬氟化物或金屬氧化物。在絕緣層中使用的無機化合物的成膜方法可例示真空蒸鍍法。形成本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件的基板只要是在形成電極或該元件的各層時不發(fā)生變化的基板即可，例如可例示玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板等。在為不透明的基板的情況下，優(yōu)選與該基板接近的電極的
相反側的電極為透明或半透明。在此，"透明"是指波長750 400nm的光通過該電極時的相對入射光強度的透過光強度的比(透過率)為90 100%。另外，"半透明"是指所述透過率為40%以上、不到90%。接著，對本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件具有的陽極及陰極進行說明。在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，如果陽極及陰極的至少一方為透明或半透明，則由于發(fā)生的光透過，所以發(fā)光的取出效率更適合。
在本發(fā)明中，優(yōu)選陽極側為透明或半透明。作為該陽極的材料，可使用導電性的金屬氧化物、半透明的金屬等。具體而言，可使用包括氧化銦、氧化鋅、氧化錫及作為它們的復合體的銦*錫*氧化物(ITO)、銦*鋅《氧化物等在內的導電性玻璃(NESA等)或金、鉑、銀、銅等，優(yōu)選ITO、銦*鋅*氧化物、氧化錫。另外，作為該陽極，也可使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有機的透明導電膜。另外，所述陽極的材料可單
獨使用一種或并用兩種以上。
陽極的膜厚可考慮光的透過性和電導率適當?shù)剡x擇，例如10nm 10
y m，優(yōu)選20nm 1 y m，進而優(yōu)選50nm 500nm。
作為陽極的制作方法，可舉出真空蒸鍍法、濺射(sputtering)法、離子鍍(ionplating)法、電鍍法等。
在本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件中，作為陰極的材料，優(yōu)選功函數(shù)小的材料，例如可使用鋰、鈉、鉀、銣、銫等堿金屬，鈹、鎂、鈣、鍶、鋇等堿土類金屬，鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等其他金屬及它們中的2種以上的合金或其中的1種以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的l種以上的合金，石墨，石墨層間化合物等。作為合金，例如可舉出鎂一銀合金、鎂—銦合金、鎂一鋁合金、銦一銀合金、鋰 —鋁合金、鋰—鎂合金、鋰一銦合金、鈣—鋁合金等。其中，陰極可為一層或二層以上。另外，所述陰極的材料可單獨使用一種或并用兩種以上。
陰極的厚度可考慮電導率或耐久性適當?shù)剡x擇，例如10nm 10um，
39優(yōu)選20nm lym，進而優(yōu)選50nm 500nm。
作為陰極的制作方法，可舉出真空蒸鍍法、濺射法、熱壓粘金屬薄膜的層壓(laminate)法等方法。另外，也可在陰極與有機層間設置包括導電性高分子化合物在內的層，包括金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料等在內的層(通常為平均膜厚2nm以下的層)。
在制作陰極之后，也可安裝保護該有機電致發(fā)光元件的保護層。為了長期穩(wěn)定地使用該有機電致發(fā)光元件，為了保護元件不受外部損傷，優(yōu)選安裝保護層及/或護罩。
作為該保護層，可使用高分子化合物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。另外，作為護罩，可使用玻璃板、在表面上實施了低透水率處理的塑料板等，優(yōu)選使用利用熱固化樹脂或光固化樹脂將該罩與元件基板粘在一起從而密閉的方法。如果使用間隙材來維持空間，則防止元件破損變得容易。如果在該空間中密封氮或氬之類的惰性氣體，則可防止陰極的氧化，進而通過在該空間內設置氧化鋇、氧化鈣等干燥劑，抑制在制造工序中吸附的水分使元件的性能降低變得容易。其中，優(yōu)選采用任意l種以上的方案。
本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件可作為面狀光源、段式顯示裝置、點陣顯示裝置、液晶顯示裝置的背光燈等使用。
為了使用本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件從而得到面狀的發(fā)光，只要重疊配置面狀的陽極和陰極即可。另外，為了得到圖案狀的發(fā)光，包括在所述面狀的發(fā)光元件的表面上設置圖案狀的窗的掩模(mask)的方法、將非發(fā) 光部的有機物層形成為極端厚從而實質上成為非發(fā)光的方法、將陽極或陰極的任意一方或兩方的電極形成為圖案(pattern)狀的方法。通過利用這些任意的方法形成圖案從而將幾個電極配置成能夠獨立地ON/OFF，可得到能夠顯示數(shù)字或文字、簡單的符號等的段式類型(segment type)的顯示元件。
進而，為了成為點陣元件，只要將陽極和陰極一起形成為條紋(stripe) 狀并配置成正交即可。利用分涂多種發(fā)光色不同的聚合物的方法或使用濾色片(color filter)或熒光變換濾波器(fliter)的方法，進行部分彩色(color)顯示、多彩色(multicolor)顯示成為可能。點陣元件可為無源(passive) 驅動，也可為與使用無定形硅(amorphous silicon)或低溫聚硅的薄膜晶體管(transistor)等組合的有源(active)驅動。這些顯示元件可作為電腦 (computer)、電視機、移動終端、手機、導航儀(car navigation)、攝影機(video camera)的取景器(view finder)等的顯示裝置使用。
進而，所述面狀的發(fā)光元件為自發(fā)光薄型，可優(yōu)選作為液晶顯示裝置的背光燈用的面狀光源或面狀的照明用光源使用。另外，如果使用柔性 (flexible)的基板，則也可作為曲面狀的光源或顯示裝置使用。實施例
以下為了進一步詳細說明本發(fā)明，示出實施例及比較例，但本發(fā)明不限定于這些實施例。
<合成例1> (高分子化合物A的合成空穴輸送性高分子化合物 ) 在接續(xù)了蛇形冷凝器(Dmiroth)的燒瓶中，加入由下述結構式
表示的化合物A5.25g (9.9mmol)、由下述結構式:
表示的化合物B4.55g(9.9mmol)、甲基三辛基氯化銨(商品名Aliquat336、 Aldrich公司制)0.91g、甲苯69ml，得到單體溶液。在氮氣氛下，加熱單體溶液，在8(TC下，加入乙酸鈀2mg、三(2—甲基苯基)膦15mg。在該單體溶液中，注入17.5重量X碳酸鈉水溶液9.8g，然后在110'C下，攪拌19小時。接著，在甲苯1.6ml中加入溶解的苯基硼酸121mg，在105
41"下攪拌lhr。
在與水相分離有機相之后，在有機相中加入甲苯300ml。以3重量％乙酸水溶液40ml (2次)、離子交換水100ml (l次)的順序洗滌有機相，與水相分離。在有機相中加入N， N—二乙基二硫代氨基甲酸鈉三水合物 (N,N-diethyldithiocarbamate tri-hydmte) 0.44g、甲苯12ml，在65。C下攪拌4hr。
在預先通液甲苯的硅膠/氧化鋁柱中通液反應生成物的甲苯溶液，在該溶液中注入甲醇1400ml，使聚合物沉淀，過濾沉淀物，然后干燥，得到固體。將該固體溶解于甲苯400ml中，在甲醇1400ml中滴注，使聚合物沉淀，過濾沉淀物，然后干燥，得到6.33g聚合物(以下稱為"高分子化合物A"。)。高分子化合物A的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量分別為Mn二8.8X104、 Mw=3.2X105。
此外，得到的高分子化合物A可從加入原料推測為以1: 1 (摩爾比)
具有由下述結構式
表示的重復單元而成的高分子化合物。
<合成例2> (高分子化合物B的合成發(fā)光性材料 ) 在反應容器中取0.647gAliquat336、 2.626g化合物A、 0.683g由下述結構式表示的化合物C、 2.194g由下述結構式:
表示的化合物D，進行氮置換。接著，加入已氬氣鼓泡(bubbling)的甲苯50ml，邊攪拌邊進一步鼓泡30分鐘。接著，加入乙酸鈀l.lmg、三(2 一甲氧基苯基)膦12.3mg，然后加入17.5重量X碳酸鈉水溶液10ml，以浴溫95"攪拌3小時。之后，加入苯基硼酸90mg，以浴溫95。C攪拌2 小時。
在冷卻反應溶液之后，加入甲苯60g，然后靜置，分液，回收有機相。接著，在該有機相中加入N， N—二乙基二硫代氨基甲酸鈉三水合物3.0g/ 離子交換水50g混合溶液，在室溫下攪拌3小時。
接著，從水相分離有機相，然后在該有機相中加入甲苯200ml。以約 3重量％乙酸水溶液、離子交換水的順序洗滌該有機相，然后緩慢地在甲醇中注入有機相，使聚合物再沉淀。過濾、回收生成的沉淀，然后使其溶解于約400ml的甲苯中。在使該甲苯溶液通過氧化鋁柱之后，在約1500ml 甲醇中緩慢地注入得到的甲苯溶液，使聚合物再沉淀。過濾、回收生成的沉淀，通過減壓干燥，得到聚合物2.3g。將該聚合物稱為高分子化合物B。
得到的高分子化合物B的的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量分別為Mn二1.7X105、 Mw=3.3X105。
<合成例3> (高分子化合物C的合成發(fā)光性材料 )
在200mL可拆式(separable)燒瓶中加入9， 9一二辛基芴一2， 7— 二硼酸乙二醇酯3.18g (6.0mmo1)、 9， 9 —二辛基一2， 7 — 二溴芴3.06g
43(5.4mmol)、 N， N，一雙(4一溴苯基)一N， N，一雙(2， 6 —二甲基一4 一叔丁基苯基)一l， 4一苯二胺0.44g(0.6mmo1)、甲基三辛基氯化銨(商品名Aliquat336， Aldrich公司制)0.82g、甲苯60mL，得到單體溶液。在氮氣氛下，在單體溶液中加入雙三苯基膦二氯化鈀4.2mg，加熱至85 °C。在該單體溶液中滴注17.5重量％碳酸鈉水溶液16.3mL并同時加熱至 105°C，然后攪拌1.5hr。接著，加入苯基磺酸0.74g、雙三苯基膦二氯化鈀4.2mg、甲苯30mL，在105°。攪拌17hr。
從水相分離有機相，然后在有機相中加入N， N—二乙基氨荒酸鈉三水合物3.65g、離子交換水36mL，在85。C下攪拌2hr。從水相分離有機相，然后以離子交換水80mL (2次)、3重量X乙酸水溶液80mL (2次)、離子交換水80mL (2次)的順序洗滌有機相，與水相分離。
在甲醇930mL中滴注有機相，使聚合物沉淀，過濾沉淀物，然后干燥，得到固體。將該固體溶解于甲苯190mL中，在預先通液甲苯的硅膠/ 氧化鋁柱中通液所述固體的甲苯溶液，在甲醇930mL中滴注洗脫液，使聚合物沉淀，過濾沉淀物，然后干燥，得到聚合物4.17g。以下將該聚合物稱為高分子化合物C。高分子化合物C的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量及重均分子量分別為Mn二2.7X 105、 Mw=7.1 X 105。
<實施例1> (EL元件的制作)
利用濺射法，對帶150nm厚度的ITO膜的玻璃基板進行UV臭氧處理15分鐘。然后，使該玻璃基板與Fluka公司制的作為硅烷偶合劑的1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅烷反應。混合1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅垸500ul和辛垸25ml，將基板浸漬于該溶液中22小時，使其反應。在二甲苯溶液的狀態(tài)下在該玻璃基板上旋涂高分子化合物A，制成 10nm厚度的膜。在加熱板(hot plate)上，以180。C熱處理15分鐘。接著，在二甲苯溶液的狀態(tài)下在已制膜的高分子化合物A上旋涂高分子化合物B，制膜，使得厚度成為75nm。然后，在氮氣氛下的加熱板上，以 13(TC加熱60分鐘，除去溶媒。在真空蒸鍍機中導入這樣地進行制作的薄膜，作為陰極，蒸鍍約5nm金屬鋇，接著蒸鍍約100nm鋁，制作EL元件。其中，在真空度達到1X10—^a以下之后開始金屬的蒸鍍。(EL元件的評價)
(1) 發(fā)光色的確認
向在上述得到的元件施加電壓，觀測藍色EL發(fā)光。測定發(fā)光光譜，結果峰波長為460nm，所以可確認為高分子化合物B引起的藍色發(fā)光。其中，成為lcd/cm2的發(fā)光開始電壓為3.4V。另外，最大發(fā)光效率為 2.99cd/A， 9V下的電流密度為169mA/cm2。
(2) 壽命
將電流值設定成在上述得到的EL元件成為驅動電流2mA，然后以恒電流使其驅動，測定亮度的時間變化。結果，亮度在1.71小時之后降低至80%， 4.3小時之后減半。
<比較例1>
在實施例1中，使玻璃基板與Fluka公司制的作為硅垸偶合劑的1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅烷反應，除此以外，與實施例1同樣地進行，制作有機電致發(fā)光元件。向得到的元件施加電壓，結果示出高分子化合物B來源的峰波長460nm的藍色發(fā)光，成為lcd/cm2的發(fā)光開始電壓為 6.4V。另外，最大發(fā)光效率為0.10cd/A， 9V下的電流密度為70mA/cm2。將電流設為2mA，以恒電流使其驅動，結果，亮度在0.08小時之后降低至80%， 1.3小時之后減半。
<比較例2>
在實施例1中，沒有制膜高分子化合物A，除此以外，與實施例1同樣地進行，制作有機電致發(fā)光元件。向得到的元件施加電壓，結果示出高分子化合物B來源的峰波長460nm的藍色發(fā)光，成為lcd/cm2的發(fā)光開始電壓為3.4V。另外，最大發(fā)光效率為2.72cd/A， 9V下的電流密度為 242mA/cm2。將電流設為2mA，以恒電流使其驅動，結果，亮度在0.38 小時之后降低至80%， 0.96小時之后減半。
<比較例3>
在實施例1中，不使玻璃基板與Fluka公司制的作為硅烷偶合劑的 1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅垸反應，沒有制膜高分子化合物A，除此以外，與實施例1同樣地進行，制作有機電致發(fā)光元件。向得到的元件施加電壓，結果示出高分子化合物B來源的峰波長460nm的藍色發(fā)光，成為lcd/cn^的發(fā)光開始電壓為4.7V。另外，最大發(fā)光效率為1.44cd/A， 9V下的電流密度為88mA/cm2。將電流設為2mA，以恒電流使其驅動，結果，亮度在0.01小時之后降低至80%， 0.04小時之后減半。 <實施例2〉 (EL元件的制作)
利用濺射法，對帶150nm厚度的ITO膜的玻璃基板進行UV臭氧處理15分鐘。然后，使該玻璃基板與Fluka公司制的作為硅烷偶合劑的1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅烷反應。混合1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅烷500ul和辛垸25ml，將基板浸漬于該溶液中17小時，使其反應。在二甲苯溶液的狀態(tài)下在該玻璃基板上旋涂高分子化合物A，制成 20nm厚度的膜。在加熱板上，以18(TC熱處理60分鐘。接著，在二甲苯溶液的狀態(tài)下在已制膜的高分子化合物A上旋涂高分子化合物C，制膜，使得厚度成為75nm。然后，在氮氣氛下的加熱板上，以130。C加熱10分牟屮除豐溶升甘Ar畝臺眾4齒in出旦入^"錄+4hi、龍^f生il/f^的-逮瞄 ^t^陰秘
蒸鍍厚度約為5nm金屬鋇，接著蒸鍍厚度約為lOOnm的鋁，制作EL元件。其中，在真空度達到1Xl(T^a以下之后開始金屬的蒸鍍。 (EL元件的評價)
(1) 發(fā)光色的確認
向在上述得到的元件施加電壓，結果觀測到藍色EL發(fā)光。測定發(fā)光光譜，結果峰波長為450nm，所以可確認為高分子化合物C引起的藍色發(fā)光。其中，成為lcd/cri^的發(fā)光開始電壓為3.2V。另夕卜，最大發(fā)光效率為3.82cd/A， 9V下的電流密度為118mA/cm2。
(2) 壽命
將電流值設定成在上述得到的EL元件成為驅動電流2mA，然后以恒電流使其驅動，測定亮度的時間變化。結果，亮度在0.90小時之后降低至80%， 6.8小時之后減半。
<比較例4>
在實施例2中，代替制膜高分子化合物A而利用真空蒸鍍法制膜 Aldrich公司制的a—NPD，除此以外，與實施例2同樣地進行，制作有機電致發(fā)光元件。a —NPD的真空蒸鍍在真空度達到5X l(T4Pa以下之后開始。向得到的元件施加電壓，結果示出高分子化合物C來源的峰波長
450nm的藍色發(fā)光，成為lcd/cm2的發(fā)光開始電壓為3.4V。另外，最大發(fā) 光效率為2.20cd/A， 9V下的電流密度為128mA/cm2。將電流設為2mA, 以恒電流使其驅動，結果，亮度在0.25小時之后降低至80%， 1.1小時之
后減半。
<比較例5>
在實施例2中，不使玻璃基板與Fluka公司制的作為硅垸偶合劑的 1H， 1H， 2H， 2H—全氟辛基三氯硅烷反應，代替制膜高分子化合物A而利用真空蒸鍍法制膜AIdrich公司制的a—NPD，除此以外，與實施例2 同樣地進行，制作有機電致發(fā)光元件。向得到的元件施加電壓，結果示出高分子化合物C來源的峰波長450nm的藍色發(fā)光，成為lcd/cm2的發(fā)光開始電壓為5.8V。另外，最大發(fā)光效率為0.51cd/A， 9V下的電流密度為 55mA/cm2。將電流設為2mA，以恒電流使其驅動，結果，亮度在0.06小時之后降低至80%， O.Ol小時之后減半。
<實施例3> (EL元件的制作)
利用濺射法，對帶150nm厚度的ITO膜的玻璃基板進行UV臭氧處理15分鐘。然后，使該玻璃基板與Fluka公司制的作為硅烷偶合劑的1H，
i U 。tJ A^立宜—^ri,l^r CC & 、、/日A itt itt。tt。u—入氣立
in， zn， zxi —'土弗、干泰二求、u土人兀/乂/1。 y比口丄n， in， ^n，厶h 土風半
基三氯硅烷500 lU和辛烷25ml,將基板浸漬于該溶液中17小時，使其反
應?；旌隙妆饺芤旱臓顟B(tài)的高分子化合物A和作為交聯(lián)劑的二季戊四
醇六丙烯酸酯(日本化藥制，商品名"KAYARADDPHA")，得到涂布液
(使相對高分子化合物A與交聯(lián)劑的總和的交聯(lián)劑的比例為20重量
%。)。在上述玻璃基板上旋涂該涂布液，制成80nm厚度的膜。在加熱板
上，以18(TC熱處理60分鐘，利用二季戊四醇六丙烯酸酯交聯(lián)高分子化
合物A，得到包括高分子化合物A的交聯(lián)物在內的薄膜。在二甲苯溶液
的狀態(tài)下在該薄膜上旋涂高分子化合物C，制膜，使得厚度成為75nm。
然后，在氮氣氛下的加熱板上，以130。C加熱10分鐘，除去溶媒。在真
空蒸鍍機中導入這樣地進行制作的薄膜，作為陰極，蒸鍍約為5nm金屬
鋇，接著蒸鍍約為100nm鋁，制作EL元件。其中，在真空度達到IXIO—4Pa以下之后開始金屬的蒸鍍。 (EL元件的評價)
(1) 發(fā)光色的確認
向在上述得到的元件施加電壓，結果觀測到藍色EL發(fā)光。測定發(fā)光光譜，結果峰波長為450nm，所以可確認為高分子化合物C引起的藍色發(fā)光。其中，成為lcd/cn^的發(fā)光開始電壓為4.8V。另外，最大發(fā)光效率為4.24cd/A， 9V下的電流密度為11mA/cm2。
(2) 壽命
將電流值設定成在上述得到的EL元件成為驅動電流2mA，然后以恒電流使其驅動，測定亮度的時間變化。結果，亮度在0.66小時之后降低至80%。
<實施例4> (EL元件的制作)
在實施例3中，將所述涂布液的厚度從80nm變更成20nm，除此以外，與實施例3同樣地進行，制作有機電致發(fā)光元件。 (EL元件的評價)
(1) 發(fā)光色的確認
向在上述得到的元件施加電壓，結果觀測到藍色EL發(fā)光。測定發(fā)光光譜，結果峰波長為450nm，所以可確認為高分子化合物C引起的藍色發(fā)光。其中，成為lcd/cr^的發(fā)光開始電壓為3.7V。另外，最大發(fā)光效率為3.53cd/A， 9V下的電流密度為36mA/cm2。
(2) 壽命
將電流值設定成在上述得到的EL元件成為驅動電流2mA，然后以恒電流使其驅動，測定亮度的時間變化。結果，亮度在0.56小時之后降低至80%。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
從涂布，成膜等制造過程的觀點出發(fā)，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件由于使用PEDOT: PSS的替代材料，所以容易制造。另外，本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件通常為長壽命，進而為高發(fā)光效率。本發(fā)明的有機電致發(fā)光元件可優(yōu)選在段式類型的顯示元件、點陣的平板顯示(flat panel display) 等裝置中使用。另外，還可作為液晶顯示器的背光燈或照明用的曲面狀或平面狀的光源使用。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光元件，其特征在于，包含陽極、陰極及含有空穴輸送層和發(fā)光層的至少2層的有機層，所述空穴輸送層包括在主鏈上存在含有芳香族胺骨架的重復單元的高分子化合物，所述發(fā)光層含有發(fā)光性材料且利用空穴與電子的復合來發(fā)光，該陽極及該陰極的至少一方為透明或半透明，該有機層設置于該陽極及該陰極之間且設置為與該陽極相接，在該陽極的表面中至少與該有機層相接的部分被由下述通式(1)(X)V-1-M-R1 (1)表示的有機化合物進行了處理及/或構成該有機層的與該陽極相接的層含有該有機化合物，上式中，X為與存在于陽極的表面的基團或原子進行反應而形成鍵合的基團或原子，M為屬于周期律表的4族、5族、6族、13族、14族或15族的金屬元素的原子，R1獨立地表示烷基、芳基、芳基烷基、芳基鏈烯基或芳基炔基，v表示M的原子價。
2. 根據(jù)權利要求l所述的有機電致發(fā)光元件，其中，在所述空穴輸送層中含有的該高分子化合物是被不溶性化的高分子化合物。
3. 根據(jù)權利要求2所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述高分子化合物是通過交聯(lián)反應而被不溶性化的。
4. 根據(jù)權利要求3所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述已不溶性化的高分子化合物是利用交聯(lián)性基團的交聯(lián)反應使在分子內具有該交聯(lián)性基團的高分子化合物不溶性化而成的高分子化合物。
5. 根據(jù)權利要求3所述的有機電致發(fā)光元件，其中，所述交聯(lián)反應是使用交聯(lián)劑進行的。
6. 根據(jù)權利要求1 5中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述發(fā)光性材料是以聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為1 X 103 1 X 108 的高分子化合物。
7. 根據(jù)權利要求1 6中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，在上述陽極的表面存在羥基，并且由上述通式(1)表示的有機化合物為由下述通式(2)表示的硅烷偶合劑及由下述通式(3)表示的鈦偶合劑中的任意一方或兩方，(X)廣Si—R1 (2) 式(2)中，X及W如上所述，(X)廣Ti—R1 (3) 式(3)中，X及W如上所述。
8. 根據(jù)權利要求1 7中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，由上述通式(1)表示的有機化合物為由下述通式(4)表示的有機化合物(A)廣Si—B (4) 式中，A獨立地為氯原子或羥基，B為碳原子數(shù)在2以上、10以下的垸基。
9. 根據(jù)權利要求1 8中任意一項上述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機層進一步包含電子輸送層。
10. —種面狀光源，其特征在于，具備權利要求1 9中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件。
11. 一種段式顯示裝置，其特征在于，具備權利要求1 9中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件。
12. —種點陣顯示裝置，其特征在于，具備權利要求1 9中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件。
13. —種液晶顯示裝置，其特征在于，具備包括權利要求1 9中任意一項所述的有機電致發(fā)光元件的背光燈。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機EL元件，其特征在于，包含陽極、陰極及含有空穴輸送層和發(fā)光層的至少2層的有機層，該陽極及該陰極的至少一方為透明或半透明，該有機層被設置于該陽極及該陰極之間且與該陽極相接，該陽極的表面中的至少與該有機層相接的部分被特定的有機化合物處理及/或構成該有機層的與該陽極相接的層含有該有機化合物；本發(fā)明還提供具備該有機EL元件的面狀光源、段式顯示裝置、點陣顯示裝置或具備包括所述有機EL元件在內的背光燈的液晶顯示裝置。
文檔編號H01L51/50GK101682955SQ20088002145
公開日2010年3月24日申請日期2008年5月27日優(yōu)先權日2007年5月30日
發(fā)明者淺田浩平申請人:住友化學株式會社

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