專利名稱：：線鋸方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及切片(wafering)
技術領域：
。更具體而言，本方法涉及提高線鋸或其它裝置上切割線的研磨劑覆蓋率的方法。
背景技術：
：線鋸鋸切是產生薄的半導體材料基材的主要方法，由于所述基材通常具有非常有限的厚度，它們被稱為"晶片"。晶片是集成電路和光伏工業(yè)所必需的。在這些工業(yè)中經受"切片"的常用基材材料包括硅、藍寶石、碳化硅、氮化鋁、碲、二氧化硅、砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、鍺、硫化鋅、灰錫、硒、硼、碘化銀和銻化銦、以及其它材料。典型的線鋸鋸切方法包括橫跨一大塊基材材料拉動線，處于未切片的狀態(tài)的所述一大塊基材材料通常被稱為梨晶(boule)或晶錠(ingot)。所述線通常包括例如鋼、鐵、金屬合金、復合材料、磁性材料、金剛石、不銹鋼、鋁、黃銅、鎳鈦和銅中的一種或多種。通過將研磨劑顆粒施加到線與基材材料的相對的表面(interfacingsurfaces)上，切割效率增加。為此目的，在鋸切期間將標準切割漿料例如聚乙二醇及50重量％的碳化硅研磨劑泵送到所述相對的表面上。用在標準切割漿料組合物中的其它研磨劑顆粒尤其可包括下列的一種或多種碳化硅、金剛石、鐵氧化物、氧化錫、二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁、碳化鎢及碳化鈦。當橫跨梨晶表面拉動線時，切割漿料中的研磨劑的一部分跟隨該線移動。在這樣的行為中，研磨劑顆粒起到從梨晶移除基材材料的一部分，由此使切口加寬和加深的作用，如果該切口的位置靠近表面且與表面平行，則得到晶片。在一種意義上，更有效的切割線包括固定到該線上或者包埋在該線內的研磨劑顆粒。例如，本領域中已知的一種切割線包含浸漬的金剛石顆粒。下文中所闡述的本發(fā)明是對于切片
技術領域：
的有益擴充。
發(fā)明內容本發(fā)明的一個目的在于提供線鋸切割方法，其中增稠劑技術、或者電力或磁力的操控起到在切割線接觸基材的切割表面時增加切割漿料中的研磨顆粒與所述切割線的締合(association)的作用。所述基材可為任何材料。所述材料優(yōu)選具有適于用在用于集成電路和光伏器件的晶片狀薄片諸如硅等中的特性。這樣的基材通常是塊體，并且特別是對于集成電路和光伏工業(yè)而言，其被稱為基材塊。所述基材塊還通常被稱為梨晶或晶錠，并且包括呈復合形式的或者呈可替代形式的各種材料，所述基材塊包括如下面進一步描述的由單一的材料組成的那些。本發(fā)明的進一步目的在于提供使用切割漿料組合物以線鋸切割基材的方法，該切割漿料組合物包含研磨劑顆粒及賦予該漿料組合物剪切變稀的增稠劑。研磨劑顆粒懸浮在整個切割漿料中，從而提供了具有延長的儲存壽命(shelf-life)的膠體穩(wěn)定的組合物。該膠體穩(wěn)定性是通過向載流體中添加增稠劑而實現(xiàn)的。增稠劑可包括例如黃原膠(XG)、羥乙基纖維素(HEC)、瓜爾膠、甲基纖維素及多糖。本發(fā)明的另一目的在于提供用線鋸切割基材的方法，其中在切割基材之前或期間，切割漿料組合物中的研磨劑顆粒被以靜電方式或磁的方式吸引和富集到切割線上。如上所述，該基材可為任何材料。在一個實施方式中，通過將切割漿料的PH操控和調節(jié)為不等于研磨劑顆粒、線涂層、研磨劑涂層或線本身的等電點(IEP)的值而使研磨劑顆粒帶電。所述帶電的研磨劑顆粒被吸引至切割線的帶有相反電荷的表面。這些靜電表面吸引力導致形成原位固定研磨劑線。在本發(fā)明的該實施方式中，減少了或消除了在切片期間對粘性切割漿料的需求。此外，具有較低粘度的切割漿料增加了本發(fā)明中所采用的研磨劑顆粒和線之間的吸引力可產生原位固定研磨劑線的速率。術語"原位固定研磨劑線"用來指在本發(fā)明的上下文中所有利地采用的線，其中與本文中進一步討論的力的施加相應，研磨劑顆粒附著到該線上。較低的粘度還容許能夠更容易地泵送切割漿料組合物，且容許在切割漿料組合物中使用更便宜的流體例如水作為載流體。本發(fā)明的再一目的在于提供減少切割線的磨損的方法，該方法包括以下步驟(a)提供線；以及(b)將切割漿料組合物施加到該線上，該切割漿料組合物包含研磨劑顆粒和賦予該切割漿料組合物剪切變稀的增稠劑。優(yōu)選地，該研磨劑顆粒具有大于100的絕對硬度。更優(yōu)選地，與不包含增稠劑的第二切割漿料組合物相比，磨損速率更低。本發(fā)明的實施方式存在許多優(yōu)點。首先，由于研磨劑顆粒被吸引至切割線的工作表面，因此在切割漿料組合物中可需要更少的研磨劑。另外，由于線磨損速率降低，因此在本發(fā)明的方法中可使用直徑更小的切割線。使用直徑更小的切割線降低了切割操作中的截口損失(kerfloss)，并因此導致由梨晶產生更多的晶片。本發(fā)明的另外的目的及應用以及本發(fā)明的更完整理解展示于下面的附圖及說明中。圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的切割線62和研磨劑顆粒60的示意圖。圖2為沉降高度(任意單位)隨時間(以天數(shù)計)變化的圖，其用于說明用于比較的本發(fā)明的包含乙二醇(EG)、聚乙二醇(PEG)、或黃原膠(XG)的切割漿料組合物的膠體穩(wěn)定性。圖3為切割速率(mm7min)隨絕對硬度變化的圖，其說明所使用的研磨劑顆粒的硬度與使用本發(fā)明的方法及材料的切割速率之間的線性關系。具體實施例方式本發(fā)明涉及提高基材的線鋸切割效率的方法。該方法利用經優(yōu)化以增加研磨劑顆粒與切割線的締合的切割線-切割漿料組合，這導致研磨劑顆粒堆積(lodge)在切割線與正被鋸切的基材之間并與它們二者保持接觸的可能性增大。經受本發(fā)明的切割方法的基材可為任何材料。優(yōu)選地，該基材為以下的一種或多種硅、藍寶石、碳化硅、氮化鋁、碲、二氧化硅、砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、鍺、硫化鋅、灰錫、硒、硼、碘化銀和銻化銦、以及其它材料。更優(yōu)選地，該基材為硅或藍寶石。最優(yōu)選地，該基材為硅。在一個實施方式中，本發(fā)明包括增稠劑技術和/或對施加到切割漿料和切割線上5的電力或磁力的操控。本發(fā)明的有效利用導致在線與該線施加到其上的切割表面接觸之前或之時，切割線變成涂覆有原來是松散的研磨劑顆粒或者與原來是松散的研磨劑顆粒締合。這種涂覆有研磨劑顆粒的線在本文中被稱為原位固定研磨劑線。適于用在本發(fā)明中的研磨劑顆粒包括具有足以切割基材的硬度的材料。通常，充足的硬度是相對于期望切割的基材的硬度確定的，其中合適的研磨劑顆粒具有大于基材硬度值的硬度值。硬度可通過在礦物學領域中公知的莫氏硬度標度上材料劃傷公認材料的能力來度量。莫氏硬度標度是基于硬度依次增加的IO種礦物。所測試的材料的硬度定義為所測試的材料所能夠劃傷的莫氏硬度標度的最硬材料的序數(shù)和/或能夠劃傷所測試的材料的最軟材料的序數(shù)。在針對該討論的莫氏硬度標度的相關部分中，用來定義莫氏硬度7-10的材料分別為石英(Si0》、黃玉(Al2Si04(0H-，F(xiàn)-)》、剛玉(A1203)及金剛石(C)。因此，能夠劃傷石英但不能劃傷黃玉的材料可描述為具有在莫氏硬度標度上為7.5的硬度。莫氏硬度的這種相對測量可通過用硬度計測量絕對硬度來改進，該硬度計是通常可用于礦物學研究的儀器。該硬度計用來通過將壓力施加在所測試的材料上以使該測試材料壓靠著移動著的金剛石點直至出現(xiàn)劃痕而測量硬度。將壓力的量記錄為所測試材料的硬度的直接指標。使用硬度計，定義莫氏硬度標度7-10的礦物的絕對硬度值分別為100、200、400及1600。關于本發(fā)明上下文中所有利地采用的研磨劑顆粒的限定，所述研磨劑顆粒具有大于7的莫氏硬度或大于100的絕對硬度。對于本發(fā)明中所使用的研磨劑顆粒具有在莫氏硬度標度上大于7的硬度的要求起因于在使用基于當前方法的漿料介質或者如下面在實施例8中所述的本發(fā)明的漿料介質時，觀察到二氧化硅顆粒不具備有效地切割硅梨晶的能力。更優(yōu)選地，研磨劑顆粒的莫氏硬度至少為8，這些顆粒的絕對硬度為200或更高。甚至更優(yōu)選地，莫氏硬度為7.5-10。在另一優(yōu)選實施方式中，研磨劑顆粒的莫氏硬度為8或更大。最優(yōu)選地，本發(fā)明上下文中所使用的研磨劑顆粒的莫氏硬度為8-10或8.5-9.5。關于絕對硬度測量結果，本發(fā)明上下文中所使用的優(yōu)選研磨劑顆粒具有大于100的硬度計讀數(shù)。更優(yōu)選地，研磨劑顆粒的絕對硬度為1600或更低，且仍更優(yōu)選地為1250或更低；在這些情況中的任一情況下，所指出的絕對硬度值限定了一個范圍的最大值，該范圍的最小值至少大于二氧化硅的絕對硬度。優(yōu)選地，研磨劑顆粒的最小絕對硬度為150、200、250、300、350或400。仍更優(yōu)選地，研磨劑顆粒的絕對硬度為150-1600、150-1250、200-1250、300-1250、400-1250、500-1250、750-1250或1000-1250。甚至更優(yōu)選地，研磨劑顆粒具有這樣的范圍的絕對硬度，該范圍的合適的最小值為400-750，該范圍的最大值為1600、1500、1400、1300、1200、1100、1000或900。最優(yōu)選地，最小硬度為600-750。在優(yōu)選實施方式中，研磨劑顆粒的硬度等級超過石英、黃玉或剛玉的硬度等級。在另一優(yōu)選實施方式中，研磨劑顆粒的硬度等級約為石英的硬度等級的120%;更優(yōu)選地，研磨劑顆粒的硬度等級為黃玉或剛玉的硬度等級的80%-120%。在又一實施方式中，研磨劑顆粒的硬度等級約為金剛石的硬度等級的至少60%、至少70%、至少75%、至少80%、至少85%、至少90%或至少95%。本發(fā)明中所使用的研磨劑顆粒的硬度必須至少等于經受切割方法的基材的硬度?？紤]到研磨劑顆粒的尺寸及形狀類似，切割速率直接取決于所使用的研磨劑顆粒的硬度。即，研磨劑顆粒越硬，切割速率越大。因此，對于切割硅梨晶而言，例如，可使用包括a-氧化鋁的研磨劑顆粒并實現(xiàn)35至50mm7min的切割速率。使用較硬的研磨劑顆粒比如碳化硅或碳化硼研磨劑顆粒，可實現(xiàn)75-125mm7min的切割速率。如圖3中所示且如實施例8中所討論的，絕對硬度與切割速率之間存在線性關系，使得可選擇所期望的切割速率并由此測定本發(fā)明上下文中優(yōu)選使用的研磨劑顆粒的適當硬度。優(yōu)選地，合適的材料具有可操控的磁性能或電性能。有利地用于形成研磨劑顆粒的材料包括，但不限于，碳化硅、金剛石、鐵氧化物、氧化錫、碳化鎢、碳化硼、氮化硼及碳化鈦。優(yōu)選的材料為碳化硅。研磨劑顆粒的粒度范圍優(yōu)選為1納米至500i！m、更優(yōu)選500納米至250iim、仍更優(yōu)選1iim至100iim且最優(yōu)選5ym至50ym。在本發(fā)明的另一實施方式中，采用至少包含研磨劑顆粒、載流體及增稠劑的切割漿料組合物。該載流體可為水性的(aqueous)或非水的；優(yōu)選地，該載流體為水性的。合適的水性載流體包括水和亞烷基二醇。本發(fā)明上下文中所使用的優(yōu)選亞烷基二醇包括乙二醇(EG)、聚乙二醇(PEG)及聚丙二醇(PPG)。更優(yōu)選的載流體為水、EG及PPG;仍更優(yōu)選的載流體為水。增稠劑優(yōu)選具有以下特性在沒有剪切時或在低剪切時具有高的粘度并且在中等至高的剪切條件下具有降低的但穩(wěn)定的粘度，例如在線鋸操作的環(huán)境中所經歷的。在本發(fā)明的上下文中，該特性定義為"剪切變稀"，其為漿料粘度隨剪切力增加而下降的現(xiàn)象。相反的流體性能被稱為"剪切增稠"，在該情況下粘度隨剪切力的增加而增加。因此，本發(fā)明的優(yōu)選增稠劑使其中添加該增稠劑的流體的粘度增大，由此提高例如載流體的顆粒懸浮性能及線涂覆性能。此外，這些特性賦予切割漿料產品以膠體穩(wěn)定性。另外，優(yōu)選的增稠劑賦予切割漿料剪切變稀性能。因此，本發(fā)明優(yōu)選的增稠劑在切割過程期間賦予切割漿料剪切變稀并提高輸送至切割線和基材界面的研磨劑顆粒的量。具有這些性能的任何合適的增稠劑優(yōu)選用于本發(fā)明。優(yōu)選的增稠劑還基本上不受切割漿料的離子強度或溫度的變化影響。因此，優(yōu)選的增稠劑具有促成在儲存和切割這兩種條件下的長的儲存壽命和穩(wěn)定性的特性。本發(fā)明中所使用的優(yōu)選增稠劑包括，但不限于，例如黃原膠(XG)、羥乙基纖維素(HEC)、瓜爾膠、淀粉、纖維素、甲氧基乙基纖維素及甲基纖維素。也有利地使用其它多糖作為增稠劑。更優(yōu)選的增稠劑包括XG和HEC;最優(yōu)選的增稠劑為XG。增稠劑以0.1%至1%的優(yōu)選重量百分數(shù)范圍添加到載流體中；該重量百分數(shù)范圍更優(yōu)選為0.2%至0.75%，仍更優(yōu)選為0.25%至0.6%。當選擇XG作為增稠劑時，優(yōu)選的重量百分數(shù)為至少0.1%;更優(yōu)選地，該重量百分數(shù)為0.1%至0.7%;仍更優(yōu)選地，該重量百分數(shù)為O.2%至0.4%。當選擇HEC作為增稠劑時，優(yōu)選的重量百分數(shù)為O.1%至1%;更優(yōu)選地，該重量百分數(shù)為0.1%至0.7%;仍更優(yōu)選地，該重量百分數(shù)為至少0.25%。如本發(fā)明中所采用的，切割漿料組合物中存在的研磨劑顆粒優(yōu)選占該組合物的10重量％至80重量％;更優(yōu)選地，占20%至70%;仍更優(yōu)選地，占30%至60%;且最優(yōu)選地，占45%至55%。在一個實施方式中，切割槳料組合物包含45重量％至55重量％的碳化硅(SiC)，在0.3重量％至0.4重量％的XG的存在下，所述碳化硅可穩(wěn)定存在于優(yōu)選包含載流體的漿料介質中。用在漿料介質中的優(yōu)選載流體包括水和聚亞烷基二醇(例如EG、PEG、PPG等)、以及其組合。在切割基材的過程中切割線發(fā)生磨損，這可能是由切割線與正被切割的基材之間的摩擦力所引起的。選擇用于切割漿料的增稠劑影響線上的磨損速率。優(yōu)選地，在切割漿7料組合物中采用能使研磨劑顆粒保持穩(wěn)定，從而增加研磨劑顆粒在切割表面上適當?shù)奈恢蒙系牧康脑龀韯?。本發(fā)明的增稠劑賦予切割漿料剪切變稀特性。優(yōu)選的增稠劑的作用在于導致切割線的磨損速率下降或者與切割線的磨損速率下降有關。優(yōu)選通過比較在除了選擇切割漿料組合物中所包含的增稠劑之外使用與本發(fā)明上下文中所使用的相同的材料和方法時的失效速率來評價磨損速率。或者，可通過測量在切割漿料組合物中包含或者不包含優(yōu)選增稠劑的情況下切割線隨使用時間而變化的直徑來評價磨損速率。因此，在降低切割線的磨損速率的方法中，優(yōu)選包括隨切割時間而賦予切割漿料組合物剪切變稀特性的增稠劑。在一個實施方式中，與吸引力和排斥力例如靜電力的施加相應，實現(xiàn)了研磨劑顆粒到切割線的靶向移動(targeting)。切割漿料中存在的靜電力可設想為研磨劑顆粒上的表面電荷?？赏ㄟ^調節(jié)漿料介質的PH來控制由切割漿料中的研磨劑顆粒所呈現(xiàn)的凈電荷?？刂蒲心╊w粒上的凈電荷的另一方法是通過使帶電分子與研磨劑顆粒締合；優(yōu)選地，所述帶電分子為聚合物。例如，陽離子或陰離子聚合物可涂覆或吸附到研磨劑顆粒上。這樣的聚合物的實例包括，但不限于，聚丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯聚合物、聚氯化二烯丙基二甲基銨(聚DADMAC)及聚氯化[(甲基丙烯酰氧)乙基]三甲基銨(聚MADQUAT)。對于意圖通過靜電力將其研磨劑顆粒吸引到切割線上的切割漿料而言，優(yōu)選確定研磨劑顆粒的等電點(IEP)在pH尺度上的位置。在IEP處，單獨的研磨劑顆粒之間的排斥力被最小化，這可容許研磨劑顆粒由于典型顆粒的潛在范德華吸引力而聚集。所述范德華力是特定的研磨劑材料所獨有的，并且不能被操控。通常，切割漿料的PH離IEP越遠，研磨劑顆粒的表面電荷越大，其全部都相同并且因而這些研磨劑顆粒之間相互排斥。該排斥力使研磨劑顆粒的結塊降到最低限度。結果，該排斥力還有助于切割漿料組合物的穩(wěn)定。理解該組合物的穩(wěn)定性的另一技術方法是通過測量如本領域中所理解的^電勢而獲得的。在兩個方向中的任一方向上距離IEP2至3個pH單位處，存在與各研磨劑顆粒有關的充足的凈電荷，使得每個顆粒的凈電荷的庫侖斥力克服了相同顆粒之間的范德華力。結果，可用與切割漿料組合物的穩(wěn)定相一致的膠體計算4電勢值。例如，研磨劑顆粒中士20mV的4電勢通常足以實現(xiàn)穩(wěn)定。優(yōu)選得到穩(wěn)定的切割漿料組合物，這不僅是由于其延長的儲存壽命特性，而且也是由于增強了鋸切期間研磨劑顆粒與切割線之間的受控的相互作用。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，采用包含研磨劑顆粒的含水(aqueous)切割漿料以利用線鋸將多晶硅梨晶切片。研磨劑顆粒優(yōu)選富集到切片工藝中所使用的鋼切割線上。據(jù)信，研磨劑顆粒的富集是由于靜電吸引力而產生的，如圖1中所示。如圖1中所示，帶負電的研磨劑顆粒60被以靜電方式吸引到鋼切割線62的帶正電的表面上。靜電表面吸引力優(yōu)選導致原位固定研磨劑線64的形成。研磨劑顆粒60可為上文中所闡述的那些中的任何研磨劑顆粒。選擇切割漿料介質的pH，使其遠離線與研磨劑顆粒60各自的IEP。優(yōu)選地，選擇切割漿料介質的pH，使得線上的凈電荷與研磨劑顆粒上的凈電荷相反。用作切割線的材料可為任何金屬或復合材料。優(yōu)選地，該材料為鋼、不銹鋼、經涂覆的鋼、或者具有金屬覆層的不銹鋼；更優(yōu)選地，該材料為不銹鋼或者經涂覆的鋼。在一個實施方式中，用增加表面凈電荷的第二材料噴涂切割線材料。例如，可將聚乙烯亞胺(PEI)噴涂到切割線上，這增加了線上的正的表面凈電荷。通常采用的其它線涂覆材料尤其包括，但不限于，蠟、聚合物、以空間方式附著的(sterically-adhered)研磨劑顆粒、磁性材料、以磁的方式附著的(magnetically-adhered)研磨劑顆粒、以及以靜電方式附著的(electrostatically-adhered)研磨劑顆粒。特別地，在本發(fā)明中適合用作線涂層的聚合物材料包括，但不限于，聚(二烯丙基二甲基丙烯酰胺)、聚丙烯酸、以及聚甲基丙烯酸。更優(yōu)選地，該線涂覆材料為聚丙烯酸或聚(二烯丙基二甲基丙烯酰胺)。在本發(fā)明的另一實施方式中，通過利用注入顆粒的線涂層使研磨劑顆粒與切割線接觸。在該實施方式中，研磨劑顆粒優(yōu)選懸浮于粘性蠟狀流體中，從而形成注入顆粒的流體。以容許注入顆粒的流體涂覆鋼切割線的速率拉著該線穿過該注入顆粒的流體，產生原位固定研磨劑線。在該實施方式中，除了注入顆粒的流體之外，還可在鋸切期間采用冷卻流體以使對線進行涂覆的注入顆粒的流體的壽命及效率最大化。在本發(fā)明的再一方面中，優(yōu)選將施加了電偏壓的鋼切割線拉著穿過帶靜電的SiC研磨劑顆粒的容器以用研磨劑有效地涂覆線，如圖1中所示。這產生原位固定研磨劑線。在該實施方式中，在鋸切期間優(yōu)選采用單獨的冷卻流體以控制切割系統(tǒng)的溫度。在本發(fā)明的另一實施方式中，在含水切割漿料中包含經磁化的或磁性的研磨劑顆粒。當使用該切割漿料時，這些經磁化的或磁性的研磨劑顆?？杀灰源诺姆绞轿透患阡撉懈罹€上。用于經磁化的研磨劑顆粒的合適材料包括，但不限于，鐵素體、鋼及羰基鐵。優(yōu)選地，采用鐵素體。在基材的鋸切期間，經磁化的或磁性的研磨劑顆粒被以磁的方式吸引到鋼切割線上。兩個表面之間的磁性吸引力導致形成原位固定研磨劑線。在本發(fā)明的又一實施方式中，在鋸切期間，含水漿料中的大部分研磨劑顆粒可被以電的方式吸引到鋼切割線上。在該實施方式中，用DC電壓對鋼切割線施加電偏壓。優(yōu)選設定所述電壓使得鋼線帶上與研磨劑顆粒相反的電荷，所述研磨劑顆粒分別具有如上所述的凈電荷。結果，研磨劑顆粒被吸引至線并在線周圍或者在線上富集，從而形成原位固定研磨劑線。通過操控切割漿料的pH來控制研磨劑顆粒上的電荷。在另一方面中，涂覆研磨劑顆粒以增加它們的表面凈電荷，從而增強它們對帶相反電荷的線的吸引力。顆粒狀涂覆材料可選自，但不限于，上述涂覆材料的任一種。在另一實施方式中，本發(fā)明涉及用于提高線的研磨劑覆蓋率的方法，該方法包括以下步驟(a)提供線；以及(b)將包含載流體、研磨劑顆粒的切割漿料組合物施加到所述線上；其中(i)電力或磁力作用于所述線或所述研磨劑顆粒；以及(ii)所述研磨劑顆粒具有大于100的絕對硬度。可實現(xiàn)根據(jù)該實施方式的方法，其中對所述線施加電偏壓或其中所述線包括涂層。在該實施方式的一個優(yōu)選替代方案中，切割漿料組合物包含賦予切割漿料剪切變稀的增稠劑。更具體而言，可實現(xiàn)該方法，其中載流體包括選自水和聚乙二醇(PEG)的材料。在本發(fā)明的另一變型實施方式中，實現(xiàn)該方法，其中切割漿料組合物具有不等于研磨劑顆粒或涂層的等電點(IEP)的pH。在另一實施方式中，本發(fā)明涉及切割基材的方法，該方法包括以下步驟(a)提供包括切割線的線鋸；(b)將切割漿料組合物施加到所述切割線上；(c)使所述基材的表面與所述切割線接觸；以及(d)與切割動作(cuttingaction)—致地操控所述切割線與所述表面的相對定位；其中(i)所述切割漿料組合物包含研磨劑顆粒；以及(ii)所述研磨劑顆粒被以電的方式或磁的方式吸引到切割線上。可實現(xiàn)根據(jù)該實施方式的方法，其中對所述切割線施加電偏壓、或者所述切割線是磁性的或具有涂層。更具體而言，可實現(xiàn)該方法，其中所述涂層包括蠟、聚合物、以空間方式附著的研磨劑顆粒、磁性材料、以磁的方式附著的研磨劑顆粒或以靜電方式附著的研磨劑顆粒。在該實施方式的另一方面中，實現(xiàn)該方法，其中所述切割漿料組合物具有不等于所述研磨劑顆粒、涂層或所述線的等電點(IEP)的pH。在另一實施方式中，本發(fā)明涉及用線鋸切割基材的方法，該方法包括以下步驟(a)提供線；以及(b)將切割漿料組合物施加到所述線上，所述切割漿料組合物包含研磨劑顆粒、載流體及賦予所述切割漿料組合物剪切變稀的增稠劑；其中所述研磨劑顆粒具有大于100的絕對硬度。與不包含增稠劑的第二切割漿料組合物相比，使用本發(fā)明的該實施方式的切割漿料的基材的切割速率更大?？蓪崿F(xiàn)根據(jù)該實施方式的方法，其中增稠劑包括選自黃原膠(XG)、羥乙基纖維素(HEC)、淀粉、纖維素及甲氧基乙基纖維素的材料。還可實現(xiàn)該方法，其中切割漿料呈現(xiàn)提高的膠體穩(wěn)定性，其中研磨劑顆粒以10重量％至80重量％的量存在。在該實施方式的優(yōu)選變型中，實現(xiàn)該方法，其中切割漿料組合物是含水的；更優(yōu)選地，切割漿料組合物包含O.2%至0.4重量％的黃原膠(XG);以及在該實施方式的可替代的優(yōu)選變型中，實現(xiàn)該方法，其中切割漿料組合物是含水的且包含0.4重量％至0.6重量％的羥乙基纖維素(HEC)。在另一實施方式中，本發(fā)明涉及減少切割線上的磨損的方法，該方法包括以下步驟(a)提供線；以及(b)將切割漿料組合物施加到所述線上，所述切割漿料組合物包含研磨劑顆粒及賦予所述切割漿料組合物剪切變稀的增稠劑；其中(i)所述研磨劑顆粒具有大于100的絕對硬度；以及(ii)與不包含增稠劑的第二切割漿料組合物相比，磨損速率更低。在該實施方式的情況下所使用的增稠劑包括選自黃原膠(XG)、羥乙基纖維素(HEC)、淀粉、纖維素及甲氧基乙基纖維素的材料。本文所使用的增稠劑優(yōu)選為XG或HEC;最優(yōu)選地，所使用的增稠劑為XG。本發(fā)明得到線鋸鋸切方法，相對于現(xiàn)有技術的線鋸切割方法，其在多個方面更為有效。使用本文所公開的方法和材料，更多的研磨劑顆粒跟隨著線來到基材梨晶上的切割表面，因為本文所公開的方法顯著增加了切割漿料中的研磨劑顆粒與線的締合。該締合可為附著現(xiàn)象或另一種相互作用，通過所述另一種相互作用，兩種材料可以能松開的形式互相結合而不使用機械手段。與如上所述的對研磨劑顆粒和線的靜電特性的操控相應，發(fā)生增加的締合。此外或者可選擇地，與同樣如上文中所闡述的將本發(fā)明的增稠劑添加到漿料介質中相應，發(fā)生增加的締合。對于切片的基材的每單位平面表面積，研磨劑顆粒與線的增加的締合提供下面的益處切割時間更快；減少了切割漿料的量；減少了所使用的研磨劑顆粒的量；可選擇使用質量稍次的研磨劑顆粒；可選擇使用直徑更細的線(從而減少截口損耗)；增加了膠體穩(wěn)定性，從而增加了切割漿料的儲存壽命；由于所需要的切割漿料的量更少，因此降低了環(huán)境及處理/回收成本。通過使得能夠使用直徑更細的線，本發(fā)明的切割漿料可降低截口損失且因此可從梨晶切割更多的晶片。下文實施例8中說明了該能力。由于由所使用的直徑更小的線所得到的更大效率，該能力的經濟效果大幅降低了工業(yè)規(guī)模下每個晶片的成本。作為例子，通過在工業(yè)規(guī)模的切割操作中使用120iim與160iim直徑的切割線來產生200mm及150mm厚度的晶片，可計算出從12英寸長的硅晶錠切下的晶片的數(shù)量分別增加11%和13%。對于該計算，假定截口損失為線直徑與取決于研磨劑粒度和/或其它工藝變量的某值之和。在該說明性實例中，選擇45iim的截口損失作為該值，因此，對于160iim禾P120iim的線，總的截口損失分別為205mm和165mm。在本發(fā)明的線切割工藝中產生晶片之后，使該晶片任選地經受拋光工藝。當晶片用于集成電路制造時，通常采用拋光工藝，且提供該拋光工藝以除去可能已經損害晶片的平坦表面的任何劃痕或擦傷。本領域中已知的標準拋光材料和方法即足夠。本發(fā)明的切割漿料組合物可包含殺生物劑。該殺生物劑可包含任何合適的殺生物劑，基本上由任何合適的殺生物劑組成，或者由任何合適的殺生物劑組成。例如，合適的殺生物劑包括亞氯酸鈉、次氯酸鈉、氯化四甲基銨、氯化四乙基銨、氯化四丙基銨、氯化烷基芐基二甲基銨、氫氧化烷基節(jié)基二甲基銨、以及異噻唑啉酮。該上下文中所使用的優(yōu)選殺生物劑為異噻唑啉酮。熟練技術人員應認識到拋光組合物中殺生物劑的量取決于所采用的具體殺生物化合物。為了說明目的，異噻唑啉酮可以lppm至500ppm，例如10ppm至100ppm，例如20卯m至50卯m的濃度使用。以下實施例以及上文所提供的描述僅是為了說明性目的，而非意在以任何方式限制本發(fā)明的范圍。本領域技術人員應理解，在不背離本發(fā)明的范圍及精神的情況下，可對本文所包括的實施例及所描述的實施方式進行修改。除非另有說明，否則本文中所列的所有化學品均得自St.Louis，MO的Sigma-Aldrich。實施例實施例1.該實施例說明不同的切割漿料組合物對線鋸在硅梨晶上的切割性能的影響。如下制備各種切割漿料介質1.乙二醇(EG)-對照介質2.0.2%(重量/重量)聚丙烯酸，Mv為約1250K(PAA1250K)[OOM]3.0.35%(重量/重量)黃原膠(XG)[OO54]4.0.5%(重量/重量)羥乙基纖維素，Mv為約1300K(HEC)5.5%(重量/重量)聚乙烯吡咯烷90K(PVP90K)用去離子水(比電導率《0.4X10—7S/m)制備含水漿料介質(即剛剛描述的介質2-5)。在7.0的pH、400秒—1的剪切速率及25t:下，對于各增稠劑，漿料介質分別具有以下粘度測量結果(A)EG，14.OcP;(B)PAA125K，24.OcP;(C)XG，17.2cP;(D)HEC，14.3cP;及(E)PVP90K，14.3cP。這些測量結果是使用Ares流體流變儀(RheometricScientificInc.，Piscataway，NJ)及Orion3STARpH計(ThermoElectronCorporation)獲得的。通過向各漿料介質的每一種中添加1:l重量比的a-碳化硅(SiC)而形成混合物，即每種混合物具有50重量％的SiC。切割漿料中所使用的a-碳化硅購自TianjinPengZhanChemcialImport-ExportCo.，Ltd.(中國天津)。如通過HoribaLA-910粒度分布分析儀(Horiba，Ltd.)所測量的，切割漿料中所使用的a-碳化硅顆粒的平均粒度(Dv(50%))為10.6iim。將各切割槳料與單線鋸和安裝在其上的0.2mm不銹鋼切割線(MTICorporationRichmond,CA的SXJ-2型)一起使用。隨后采用切割裝置從具有約490mm2的切割面積尺寸的結晶硅梨晶上切割晶片。切割速率(mm7min)記錄如下11<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>結果表明，相對于對照物即不含增稠劑的SiC/乙二醇切割漿料組合物，當SiC/含水切割漿料組合物中包含O.35%XG或O.5%HEC時，切割速率增加13%至16%。另外，當切割漿料介質含有剪切增稠的添加劑(例如，PVP90K)時，相對于對照物，切割速率降低。PAA1250K多價分散劑也未能提供提高的切割速率。分散劑通常被加入以吸附到研磨劑顆粒上且通過添加電荷而使?jié){料穩(wěn)定并因而成為阻礙團聚的空間阻隔物。然而，在本申請中，較重的SiC顆?；蚱鋱F聚體仍沉降出來并且切割速率低于EG對照物。這些結果表明，賦予剪切變稀的增稠劑提供改善的切割性能。實施例2.該實施例說明用于比較的本發(fā)明的切割漿料組合物的一個實施方式的膠體穩(wěn)定性。制備如下三種不同的切割槳料組合物，每種均含有50%(重量/重量)SiC:1.乙二醇(EG)，如實施例1中所述。2.聚乙二醇(PEG)(麗為約300)3.0.35%黃原膠(XG)，如實施例1中所述。將三種切割漿料組合物分別置于三個100毫升量筒中并在10天的時間內觀察所含研磨劑顆粒即SiC研磨劑顆粒的沉降程度。觀察到的沉降速率越慢表明膠體的穩(wěn)定性程度越高。記錄相對于量筒內含有SiC的漿料介質的液面的沉積程度。盡管量筒上的標記表示以毫升計的體積，但沉降高度以任意單位(a.u.)表示。記錄在第0、1、3.5、7和10天時SiC顆粒的沉積，且數(shù)據(jù)示于圖2的圖中。如圖2所示，看到在第1天內不具有增稠劑的對照EG切割漿料的膠體穩(wěn)定性大幅下降，沉降高度水平剛好超過_15a.u.。在第3.5天時觀察到，對照EG切割漿料到達底部且其沉降高度在-40與-45a.u.之間，在其余觀測點處該深度保持不變。PEG-300切割槳料相對于對照物顯示出放慢的沉降速率，其中SiC在第1天中僅沉降_3a.u.，到第3.5天時沉降_13a.u.，到第7天時沉降-25a.u.且到第10天時沉降-40a.u.。含有0.35重量％XG的SiC/含水切割漿料在所觀察的整個10天內維持其全部高度，即在10天實驗期間內未檢測到SiC的沉降高度的下降。觀察到包含O.35%XG的含水漿料介質中SiC研磨劑顆粒沒有沉降，這與高度的穩(wěn)定性是一致的，從而使試劑的儲存壽命延長到至少30天而沒有研磨劑的明顯沉降。實施例3.該實施例說明切割線與研磨劑顆粒之間的靜電吸引。本實驗采用具有50重量％的SiC且用緩沖劑處理至pH為7.0的切割漿料組合物。選擇落在SiC研磨劑顆粒的等電點(IEP)與鋼切割線的IEP之間的pH，從而在研磨劑和線上產生相反的電荷。因此，在比SiC的IEP高約4-5個pH單位的pH7下，SiC研磨劑顆粒帶上負電。另外，在PH7下，鋼切割線的表面帶上正電。因而，帶負電的SiC顆粒被吸引到鋼切割線的帶正電的表面。上述靜電表面特性導致SiC研磨劑顆粒與鋼線之間的吸引力，且導致形成原位固定研磨劑線。實施例4.該實施例說明通過施加涂層改變表面處的凈電荷的方法。用聚乙烯亞胺(PEI)噴涂鋼切割線。PEI具有容易干燥并固定到表面上從而在pH7下提供正的表面凈電荷的特性。在相同的PH下，SiC研磨劑顆粒的表面帶上負電。因此，使該鋼線與如實施例1所述的SiC/XG切割漿料接觸導致大部分SiC顆粒被吸引到切割線上，從而形成原位固定研磨劑線。實施例5.該實施例說明一種在使用線鋸對硅梨晶進行切片期間將研磨劑顆粒從切割漿料中以靜電方式吸引到切割線上的方法。在硅梨晶切割工藝中采用標準線鋸，例如得自MTICorporation(Richmond,CA)的SXJ-2型。SXJ-2線鋸具有0-5毫米/秒的線行進速度能力和0-1295rpm的旋轉速度能力。將作為切割線的標準線例如購自MTICorporation的不銹鋼線與SXJ-2線鋸一起使用。該不銹鋼線的直徑為200iim且長度為840mm。另外，用聚乙烯亞胺(PEI)噴涂該不銹鋼線以在線鋸的操作期間獲得帶正電的切割線表面。通過將去離子水與10重量％a-碳化硅組合而制備切割漿料并將pH調節(jié)至7.0。切割槳料中所使用的a-碳化硅購自TianjinPengZhanChemcialImport-ExportCo.，Ltd。如通過HoribaLA-910粒度分布分析儀(Horiba，Ltd.)所測量的，該切割漿料中所使用的a-碳化硅顆粒的平均粒度(Dv(50%))為10.6ym。用去離子水制備含水漿料。用對照標準緩沖水溶液校準的標準PH計進行所有的pH測量。在SXJ-2線鋸的操作期間，將切割線速度設定為4米/秒。另外，監(jiān)測切割線張力并在整個切割工藝中對其進行調節(jié)。使用標準蠕動泵以30毫升/分鐘的速率將切割漿料加到硅梨晶及切割線上。在其加料期間對切割漿料pH的控制支配著a-碳化硅顆粒的表面電荷。在pH7下，a-碳化硅顆粒帶負電，不銹鋼線上的PEI涂層具有正的凈電荷。所述帶相反電荷的表面使得a-碳化硅顆粒被吸引到切割線上。這些靜電表面吸引力導致形成原位固定研磨劑線。與目前的標準線切割方法相比，操控切割線與切割漿料組合物中所包含的研磨劑顆粒之間的靜電吸引力導致在切片期間所需的研磨劑顆粒的量減少，切割時間更短且晶片表面更光滑，為了獲得最終產品，所述更光滑的晶片表面所需要的研磨和拋光更少。實施例6.該實施例說明一種在使用線鋸對硅梨晶進行切片期間將研磨劑顆粒從切割漿料中以磁的方式吸引到切割線上的方法。采用如本文實施例5中所述的與標準不銹鋼線組合的標準線鋸。通過將去離子水與10重量％磁性鐵素體粉末組合而制備切割漿料。用去離子水(比電導率《0.4X10—7S/m)制備含水漿料。在SXJ-2線鋸的操作期間，將切割線速度設定為4米/秒。另外，監(jiān)測切割線張力并在整個切割工藝中對其進行調節(jié)。如實施例5中所述，使用標準蠕動泵以30毫升/分鐘的速率將切割漿料加到硅梨晶和切割線上。在硅梨晶的切割期間，磁性鐵素體顆粒被吸引到鋼切割線上。該磁性吸引力導致形成原位固定研磨劑線。與目前的標準線切割方法相比，切割線與研磨劑顆粒之間的磁力導致在切片期間所需的研磨劑顆粒的量減少，切割時間更短，且晶片表面更光滑，為了獲得最終產品，所述更光滑的晶片表面所需要的研磨和拋光更少。實施例7.該實施例說明一種在使用線鋸對硅梨晶進行切片期間將研磨劑顆粒從切割漿料中以電的方式吸引到施加了偏壓的切割線上的方法。采用如本文實施例5中所述的與標準不銹鋼線組合的標準線鋸。通過將去離子水與10重量％a-碳化硅組合而制備切割漿料。用去離子水(比電導率《0.4X10—7S/m)制備含水漿料。切割漿料中所使用的a-碳化硅購自TianjinPengZhanChemcialImport-ExportCo.，Ltd。如通過HoribaLA-910粒度分布分析儀所測量的，該切割漿料中所使用的a-碳化硅顆粒的平均粒度(Dv(50%))為10.6ym。在SXJ-2線鋸的操作期間，將切割線速度設定為4米/秒。另外，監(jiān)測切割線張力并在整個切割工藝中對其進行調節(jié)。如實施例5中所述，使用蠕動泵以30毫升/分鐘的速率將切割漿料加到硅梨晶和切割線上。在硅梨晶的切割期間，使用DC電路將與a-碳化硅顆粒相反的電勢施加到不銹鋼切割線上。通常施加低的電壓，例如l伏特至20伏特。然而，可對該電壓進行調節(jié)以使所需切割性能最優(yōu)化。a-碳化硅顆粒被吸引到施加了偏壓的不銹鋼切割線上，這導致形成原位固定研磨劑線。與目前的標準線切割方法相比，施加了偏壓的切割線與切割顆粒之間的吸引力導致在切片期間所需的研磨劑顆粒的量減少，切割時間更短，且晶片表面更光滑，為了獲得最終產品，所述更光滑的晶片表面所需要的研磨和拋光更少。實施例8.該實施例說明其中使用黃原膠(XG)作為增稠劑的切割漿料中不同研磨劑的影響。制備0.3%XG的水溶液并調節(jié)至pH8.0。向該溶液中添加三種不同研磨劑的每一種至最終濃度為50%(以重量計)。所述研磨劑為a-碳化硅(SiC，TianjinPengZhanChemcialImport-ExportCo.，Ltd)、碳化硼(B4C，UKAbrasives，Northbrook，IL)及ct-氧化鋁(AA，Saint-Gobain)。如通過HoribaLA-910粒度分布分析儀(Horiba，Ltd.)所測量的，上述研磨劑顆粒的平均粒度(Dv(50%))為10-11iim。將各切割漿料介質與單線鋸和在其上安裝的0.2mm不銹鋼切割線(MTICorporationRichmond,CA的SXJ-2型)一起使用。隨后使用切割裝置從具有約490mm2的切割面積尺寸的結晶硅梨晶切割晶片。切割速率(mm7min)記錄如下14<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>還使用這些數(shù)據(jù)產生使用不同切割漿料的切割速率隨著各切割漿料中所包含的研磨劑顆粒的絕對硬度的變化的圖。在圖3中可以看出，該圖和所用研磨劑顆粒的硬度與使用本發(fā)明的方法及材料的切割速率之間的線性關是一致的。結果表明，通過使用B^，切割速率增加30%，但使用AA時，切割速率下降57%。B4C的莫氏硬度值高于SiC，而SiC的莫氏硬度值高于AA的莫氏硬度值。為了進一步確定硬度小于AA的研磨劑顆粒的性能，采用二氧化硅(Si02)顆粒。在該實施例中所描述的條件下對包含Si02研磨劑顆粒并含有增稠劑的切割漿料以及包含Si(^研磨劑顆粒并且不含增稠劑的切割漿料進行試驗(數(shù)據(jù)未示出)。不存在對硅梨晶的明顯切割。然而，由于圖3中所圖示的切割速率與所用研磨劑顆粒的硬度之間的線性關系，本文所公開的方法可使用比Si(^硬但比AA軟的研磨劑顆粒切割硅梨晶。該實驗說明具有Si02的硬度或更低硬度的研磨劑顆粒未有效地切割硅梨晶。由于圖3中所示的硬度與切割速率之間的經證實的線性關系，可以看到，硬度大于Si02的研磨劑顆粒被表明提供對硅梨晶的切割，并且切割速率隨著所用研磨劑顆粒的硬度的增大而增加。顯然，硬度約為AA的硬度和更高的研磨劑顆粒會容易地切割硅梨晶。使用具有從AA的硬度開始逐漸降低的硬度的研磨劑顆粒時，切割速率降低，直至使用具有二氧化硅的硬度及更低的硬度的研磨劑顆粒不能再觀察到這樣的切割。實施例9.該實施例說明不同的切割漿料在切割操作期間對線磨損的影響。制備兩種不同的切割漿料。第一種切割漿料含有在去離子水中的0.3%的黃原膠(XG)且將其pH調節(jié)至8.0。第二種切割漿料含有分子量為300的聚乙二醇(PEG)。以1:l(重量)的比率將碳化硅研磨劑顆粒添加至各漿料中。然后將這些漿料與上述SXJ-2單線鋸一起用于切割具有約490mm2的切割面積尺寸的結晶硅梨晶。對于每個試驗都安裝初始直徑為197m的新線(長度為85cm)。使切割工藝連續(xù)運行，在硅梨晶中連續(xù)制作切片直至線無效或斷裂。在各切片步驟完成后測量線直徑。結果示于下表中<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>結果表明，使用基于XG的切割漿料與在線失效前進行至少3次完整的切割相關聯(lián)。相比之下，使用基于PEG的漿料，切割線通常在第二次切割梨晶的中途失效。工業(yè)應用本發(fā)明的有利應用在于改善線鋸切割效率，通過減少鋸切期間所需的研磨劑顆粒的量而降低切割漿料的成本，實現(xiàn)更短的切割時間，并獲得更光滑晶片表面，為了獲得最終產品，所述更光滑的晶片表面所需要的研磨和拋光更少。權利要求用線鋸切割基材的方法，包括以下步驟(a)提供切割線；和(b)將切割漿料組合物施加到所述切割線上，所述切割漿料組合物包含載流體和具有大于100的絕對硬度的研磨劑顆粒；和(c)通過下列方式增加所述研磨劑顆粒與所述切割線的締合(i)添加賦予所述切割漿料組合物剪切變稀的增稠劑，或(ii)在所述線與所述研磨劑顆粒之間形成電吸引力或磁吸引力，或(i)與(ii)的組合。2.權利要求l的方法，其中對所述線施加電偏壓。3.權利要求1的方法，其中所述線包括涂層。4.權利要求l的方法，其中所述載流體是水性的。5.權利要求1的方法，其中所述增稠劑包括選自如下的材料黃原膠(XG)、羥乙基纖維素(HEC)、瓜爾膠、淀粉、纖維素、以及甲氧基乙基纖維素。6.權利要求3的方法，其中所述切割漿料組合物具有不等于所述研磨劑顆?；蛩鐾繉拥牡入婞c(IEP)的pH。7.切割基材的方法，包括以下步驟(a)提供包括切割線的線鋸；(b)將切割漿料組合物施加到所述切割線上；(C)使所述基材的表面與所述切割線接觸；禾口(d)與切割動作一致地操控所述切割線與所述表面的相對定位；其中(i)所述切割漿料組合物包含研磨劑顆粒；和(ii)所述研磨劑顆粒被以電的方式或磁的方式吸引到所述切割線上。8.權利要求7的方法，其中對所述切割線施加電偏壓。9.權利要求7的方法，其中所述切割線是磁性的。10.權利要求7的方法，其中所述切割線具有涂層。11.權利要求10的方法，其中所述涂層包括蠟、聚合物、以空間方式附著的研磨劑顆粒、磁性材料、以磁的方式附著的研磨劑顆粒、或者以靜電方式附著的研磨劑顆粒。12.權利要求ll的方法，其中所述切割漿料組合物具有不等于所述研磨劑顆粒、涂層或所述線的等電點(IEP)的pH。13.用線鋸切割基材的方法，包括以下步驟(a)提供切割線；禾口(b)將切割漿料組合物施加到所述切割線上，所述切割漿料組合物包含載流體、研磨劑顆粒以及賦予所述切割漿料組合物剪切變稀的增稠劑；其中所述研磨劑顆粒具有大于100的絕對硬度。14.權利要求13的方法，其中所述增稠劑包括選自如下的材料黃原膠(XG)、羥乙基纖維素(HEC)、瓜爾膠、淀粉、纖維素、以及甲氧基乙基纖維素。15.權利要求13的方法，其中所述研磨劑顆粒以10重量％至80重量％的量存在。16.權利要求13的方法，其中所述基材為硅。17.權利要求13的方法，其中所述切割漿料組合物包含0.1重量％至0.7重量％的黃原膠(XG)。18.權利要求13的方法，其中所述切割漿料組合物包含0.2重量％至0.4重量％的黃原膠(XG)。19.權利要求13的方法，其中所述切割漿料組合物包含0.1重量％至0.7重量％的羥乙基纖維素(HEC)。20.權利要求13的方法，其中所述研磨劑顆粒為碳化硅。全文摘要本發(fā)明提供通過增加切割漿料中的研磨劑顆粒與切割線的締合來提高在切割基材時線鋸的切割性能的方法，所述提高可通過在切割漿料中使用增稠劑或者通過增加研磨劑顆粒與切割線的吸引力而實現(xiàn)。文檔編號H01L21/78GK101772838SQ200880101554公開日2010年7月7日申請日期2008年7月25日優(yōu)先權日2007年7月31日發(fā)明者凱文·莫根伯格,南哲佑申請人:卡伯特微電子公司