專利名稱：：太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有對入射的光的一部分進(jìn)行反射的反射層的太陽能電池。
背景技術(shù)：
：太陽能電池能夠?qū)碜宰鳛榍鍧嵡覠o窮盡的能源的太陽的光直接轉(zhuǎn)換為電，因此作為一種新的能源而受到期待。一般而言，太陽能電池在設(shè)置于光入射側(cè)的透明電極層與設(shè)置于與光入射側(cè)相反的一側(cè)的背面電極層之間，具有吸收入射到太陽能電池的光并生成光生載流子的光電轉(zhuǎn)換部。一直以來，已知在光電轉(zhuǎn)換部與背面電極層之間設(shè)置有將入射的光的一部分進(jìn)行反射的反射層。這樣的反射層將透過光電轉(zhuǎn)換部的光的一部分反射到光電轉(zhuǎn)換部側(cè)，因此在光電轉(zhuǎn)換部中被吸收的光量增加。其結(jié)果是，在光電轉(zhuǎn)換部中生成的光生載流子增加，因此提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。作為如上所述的反射層的主體即透光性導(dǎo)電材料，一般而言，使用氧化鋅(ZnO)(參照:MichioKondoetal.，“Fourterminalcellanalysisofamorphous/microcrystallineSitandemcell，，)。然而，近年來，一直要求進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。這里，為了使光電轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提高，有效的方法是使在光電轉(zhuǎn)換部中生成的光生載流子增加。因此，通過提高反射層的光的反射率，能夠?qū)崿F(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率的提高。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明是鑒于上述的問題完成的，目的在于提供一種能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。本發(fā)明的第一方面的太陽能電池，其特征在于，包括具有導(dǎo)電性和透光性的受光面電極層；具有導(dǎo)電性的背面電極層；和設(shè)置于受光面電極層和背面電極層之間的疊層體，疊層體包括利用光的入射而生成光生載流子的第一光電轉(zhuǎn)換部；和將透過第一光電轉(zhuǎn)換部的光的一部分反射到第一光電轉(zhuǎn)換部側(cè)的反射層，反射層具有低折射率層、和插設(shè)在低折射率層與第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸層。根據(jù)本發(fā)明第一方面的太陽能電池，反射層具有折射率低的低折射率層。因此，能夠提高反射層的反射率。此外，反射層具有插入低折射率層與第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸層。因此，避免了低折射率層與第一光電轉(zhuǎn)換部直接接觸。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制由于太陽能電池整體的串聯(lián)電阻值增大而導(dǎo)致的太陽能電池的填充因子(F.F.)降低，并且能夠提高反射層的反射率。從而，能夠提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。在本發(fā)明的第一方面的太陽能電池中，疊層體也可以具有從受光面電極層側(cè)起依次層疊有第一光電轉(zhuǎn)換部、反射層、和利用光的入射而生成光生載流子的第二光電轉(zhuǎn)換部的結(jié)構(gòu)，反射層可以還具有插設(shè)在低折射率層與第二光電轉(zhuǎn)換部之間的另一接觸層。此外，另一接觸層可以由與第二光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值比低折射率層與第二光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成。在本發(fā)明的第一方面的太陽能電池中，接觸層由與第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值比低折射率層與第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成。在本發(fā)明的第一方面的太陽能電池中，低折射率層可以由折射率為1.7以上1.9以下的透光性導(dǎo)電氧化物構(gòu)成。特別是，低折射率層優(yōu)選由折射率為1.7以上1.85以下的透光性導(dǎo)電氧化物構(gòu)成。在本發(fā)明的第一方面的太陽能電池中，低折射率層可以由MgZnO構(gòu)成。在本發(fā)明的第一方面的太陽能電池中，接觸層可以包含氧化鋅或氧化銦。在本發(fā)明的第一方面的太陽能電池中，另一接觸層可以包含氧化鋅或氧化銦。本發(fā)明的第二方面的太陽能電池，在具有絕緣性和透光性的基板上具有第一太陽能電池元件和第二太陽能電池元件，其特征在于第一太陽能電池元件和第二太陽能電池元件分別包括具有導(dǎo)電性和透光性的受光面電極層；具有導(dǎo)電性的背面電極層；和設(shè)置于受光面電極層與背面電極層之間的疊層體，疊層體包括通過光的入射而生成光生載流子的第一光電轉(zhuǎn)換部；將透過第一光電轉(zhuǎn)換部的光的一部分反射到第一光電轉(zhuǎn)換部側(cè)的反射層；和利用光的入射而生成光生載流子的第二光電轉(zhuǎn)換部，第一太陽能電池元件的背面電極層具有向第二太陽能電池元件的受光面電極層延伸的延伸部，延伸部沿著第一太陽能電池元件所包含的疊層體的側(cè)面形成，延伸部與在第一太陽能電池元件所包含的疊層體的側(cè)面露出的反射層相接，反射層具有低折射率層、插入低折射率層與第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸層、和插入低折射率層與第二光電轉(zhuǎn)換部之間的其他的接觸層。在本發(fā)明的第二方面的太陽能電池中，接觸層可以具有比低折射率層小的厚度。在本發(fā)明的第二方面的太陽能電池中，低折射率層可以由MgZnO構(gòu)成。在本發(fā)明的第二方面的太陽能電池中，MgZnO層中的Mg的含有率可以大于Oat%、并且在25at%以下。圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。圖2是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。圖3是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。圖4是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。圖5是本發(fā)明的比較例1和比較例2的太陽能電池20的截面圖。圖6是本發(fā)明的比較例3的太陽能電池30的截面圖。圖7是表示MgZnO層中的Mg含有率與光吸收系數(shù)的關(guān)系的圖。圖8是表示MgZnO層中的Mg含有率與折射率的關(guān)系的圖。具體實(shí)施例方式接著，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下的關(guān)于附圖的記載中，對相同或類似的部分賦予相同或類似的標(biāo)號。然而，附圖為進(jìn)行示意性表示的圖，應(yīng)當(dāng)注意各尺寸的比率等與實(shí)際比率不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)當(dāng)參酌以下的說明進(jìn)行判斷。此外，附圖相互之間當(dāng)然也包含相互的尺寸關(guān)系、比率不同的部分。(第一實(shí)施方式)(太陽能電池的結(jié)構(gòu))以下，參照圖1對本發(fā)明的第一實(shí)施方式的太陽能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。如圖1所示，太陽能電池10包括基板1、受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4?；?具有透光性，由玻璃、塑料等透光性材料構(gòu)成。受光面電極層2疊層于基板1上，具有導(dǎo)電性和透光性。作為受光面電極層2，能夠使用氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、或氧化鈦(TiO2)等金屬氧化物。另外，也可以在這些金屬氧化物中摻雜氟(F)JM(Sn)、鋁(Al)、鐵(Fe)、鎵(Ga)、鈮(Nb)等。疊層體3設(shè)置于受光面電極層2與背面電極層4之間。疊層體3包括第一光電轉(zhuǎn)換部31和反射層32。第一光電轉(zhuǎn)換部31和反射層32從受光面電極層2起依次被疊層。第一光電轉(zhuǎn)換部31利用從受光面電極層2入射的光生成光生載流子。此外，第一光電轉(zhuǎn)換部31利用從反射層32反射的光生成光生載流子。第一光電轉(zhuǎn)換部31具有從基板1側(cè)起層疊有P型非晶硅類半導(dǎo)體、i型非晶硅類半導(dǎo)體、和η型非晶硅類半導(dǎo)體的pin結(jié)(未圖示)。反射層32將透過第一光電轉(zhuǎn)換部31的光的一部分反射到第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)。反射層32包括第一層32a和第二層32b。第一層32a和第二層32b從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次被疊層。因此，第一層32a與第一光電轉(zhuǎn)換部31接觸，第二層32b不與第一光電轉(zhuǎn)換部31接觸。作為第一層32a，使用與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值比第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值小的材料作為主體。即，優(yōu)選對構(gòu)成第一層32a的材料進(jìn)行選擇，使得第一光電轉(zhuǎn)換部31與第一層32a的接觸電阻(ContactResistance)值不足使第一光電轉(zhuǎn)換部31與第二層32b直接接觸時(shí)的接觸電阻值。作為第一層32a，例如能夠使用ZnO、ITO等。第二層32b為由折射率比第一光電轉(zhuǎn)換部31和第一層32a低的材料構(gòu)成的透光性導(dǎo)電氧化物。此外，第二層32b由折射率比一直以來作為反射層的主體使用的ZnO低的材料構(gòu)成。第二層32b的折射率優(yōu)選為1.7以上1.9以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.7以上1.85以下。在第一實(shí)施方式中，第二層32b包含氧化鎂鋅(MgZnO)。也可以在第二層32b摻雜Al等。第二層32b中的Mg的含有率優(yōu)選大于Oat%、并且在25at%以下。另外，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，第一層32a相當(dāng)于本發(fā)明的“接觸層”。此外，第二層32b相當(dāng)于本發(fā)明的“低折射率層”。此外，優(yōu)選對構(gòu)成第一層32a的材料進(jìn)行選擇，使得包含第一層32a的疊層體3的兩端的電阻值小于不包含第一層32a的疊層體3的兩端的電阻值。背面電極層4具有導(dǎo)電性。作為背面電極層4，能夠使用ZnO、銀(Ag)等，但是不限定于此。背面電極層可以具有從疊層體3側(cè)起層疊有包含ZnO的層和包含Ag的層的結(jié)構(gòu)。此外，背面電極層4也可以僅具有包含Ag的層。(作用和效果)根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的太陽能電池10，反射層32包括由折射率低的MgZnO構(gòu)成的第二層32b、和由與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值比第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成的第一層32a。第一層32a和第二層32b從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次被疊層。從而，折射率低的第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31不直接接觸。因此，能夠提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。以下，對該效果進(jìn)行詳細(xì)的說明。在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的太陽能電池10中，反射層32包含由折射率比一直以來作為反射層的主體使用的ZnO低的MgZnO構(gòu)成的第二層32b。因此，與以ZnO為主體的現(xiàn)有的反射層相比，能夠擴(kuò)大與第一光電轉(zhuǎn)換部31的折射率差，因此能夠提高反射層32的反射率。這里，在反射層32不具有第一層32a的情況、從背面電極層4側(cè)起依次層疊有第一層32a和第二層32b的情況下，第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31直接接觸。通常，為了減小反射層32的折射率，需要增大反射層32的帶隙(bandgap)。然而，一般而言，當(dāng)帶隙增大時(shí)，存在電阻變大的趨勢。因此，折射率低的第二層32b、與以硅為主體的第一光電轉(zhuǎn)換部31的接觸電阻值變成非常高的值，因此在第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31直接接觸的情況下，太陽能電池10整體的串聯(lián)電阻(SeriesResistance)值增大。從而，在太陽能電池10中產(chǎn)生的短路電流由于反射層32的反射率被提高而增加，另一方面，太陽能電池10的填充因子(F.F.)由于串聯(lián)電阻值的增大而減少，因此不能夠謀求將太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率充分地提高。因此，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的太陽能電池10中，通過從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次疊層第一層32a和第二層32b，避免了折射率低的第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31直接接觸。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制由于太陽能電池10整體的串聯(lián)電阻值增大而導(dǎo)致的太陽能電池的填充因子(F.F.)降低，并且能夠提高反射層32的反射率。從而，能夠提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，通過使第二層32b中的Mg的含有率大于Oat%、并且在25at%以下，能夠使例如700SOOnm等波長區(qū)域中的第二層32b的光吸收系數(shù)比以ZnO為主體的現(xiàn)有的反射層低。由此，能夠增加被反射到第一光電轉(zhuǎn)換部33側(cè)的光量，因此能夠增大太陽能電池10中的短路電流。從而，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，在第二層32b的折射率為1.7以上1.9以下的情況、進(jìn)一步為1.7以上1.85以下的情況下，能夠得到反射層32的充分的反射特性。此外，第一層32a的厚度優(yōu)選為約10A以上、約80A以下。在第一層32a的厚度小于約10A的情況下，不能夠充分地降低第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻。此外，在第一層32a的厚度大于約80A的情況下，會減弱具有第二層32b的效果、即提高反射層32的反射率這一效果。(第二實(shí)施方式)以下，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，以下，主要對上述的第一實(shí)施方式與第二實(shí)施方式的差異進(jìn)行說明。具體而言，在上述的第一實(shí)施方式中，疊層體3包括第一光電轉(zhuǎn)換部31和反射層32。與此相對，在上述的第二實(shí)施方式中，除第一光電轉(zhuǎn)換部31和反射層32之外，疊層體3還包括第二光電轉(zhuǎn)換部33。即，第二實(shí)施方式的太陽能電池具有疊層(tandem)構(gòu)造。(太陽能電池的結(jié)構(gòu))以下，參照圖2，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的太陽能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖2是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。如圖2所示，太陽能電池10包括基板1、受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4。疊層體3設(shè)置于受光面電極層2與背面電極層4之間。疊層體3包括第一光電轉(zhuǎn)換部31、反射層32、和第二光電轉(zhuǎn)換部33。第一光電轉(zhuǎn)換部31、第二光電轉(zhuǎn)換部33、和反射層32從受光面電極層2側(cè)起依次被疊層。第一光電轉(zhuǎn)換部31利用從受光面電極層2側(cè)射入的光生成光生載流子。第一光電轉(zhuǎn)換部31具有從基板1側(cè)起層疊有ρ型非晶硅類半導(dǎo)體、i型非晶硅類半導(dǎo)體、和η型非晶硅類半導(dǎo)體的Pin結(jié)(未圖示)。反射層32將從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)入射的光的一部分反射到第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)。反射層32包括第一層32a和第二層32b。第一層32a和第二層32b從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次被疊層。從而，第一層32a與第二光電轉(zhuǎn)換部33接觸，第二層32b與第二光電轉(zhuǎn)換部33不接觸。第二層32b為由折射率比第一光電轉(zhuǎn)換部31低的材料構(gòu)成的透光性導(dǎo)電氧化物。此外，在第二實(shí)施方式中，第二層32b的折射率也優(yōu)選為1.7以上1.9以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.7以上1.85以下。由MgZnO構(gòu)成的第二層32b中的Mg的含有率優(yōu)選大于Oat%、并且在25at%以下。第二光電轉(zhuǎn)換部33利用入射的光生成光生載流子。第二光電轉(zhuǎn)換部33具有從基板1側(cè)起層疊有P型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、i型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、和η型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的pin結(jié)(未圖示)。(作用和效果)根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的太陽能電池10，反射層32所包含的第一層32a和第二層32b從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起被疊層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，太陽能電池10即使具有疊層構(gòu)造，也能夠抑制太陽能電池10整體的串聯(lián)電阻值的增大，并且能夠提高反射層32的反射率。從而，能夠提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，通過使第二層32b中的Mg的含有率大于Oat%、并且在25at%以下，能夠使例如900IOOOnm等波長區(qū)域中的第二層32b的光吸收系數(shù)比以ZnO為主體的現(xiàn)有的反射層低。由此，能夠增加入射到第二光電轉(zhuǎn)換部33的光量，因此能夠增大太陽能電池10中的短路電流。從而，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，在第二層32b的折射率為1.7以上1.9以下的情況、進(jìn)一步為1.7以上1.85以下的情況下，能夠得到反射層32的充分的反射特性。此外，第一層32a的厚度優(yōu)選為約10人以上、約80人以下。在第一層32a的厚度小于約10Λ的情況下，不能夠充分地降低第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻。此外，在第一層32a的厚度大于約80人的情況下，會減弱具有第二層32b的效果、即提高反射層32的反射率這一效果。(第三實(shí)施方式)以下，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，以下，主要對上述的第一實(shí)施方式與第三實(shí)施方式的差異進(jìn)行說明。具體而言，在上述的第一實(shí)施方式中，疊層體3包括第一光電轉(zhuǎn)換部31和反射層32。與此相對，在上述的第三實(shí)施方式中，除第一光電轉(zhuǎn)換部31和反射層32之外，疊層體3還包括第二光電轉(zhuǎn)換部33。即，第三實(shí)施方式的太陽能電池具有疊層(tandem)構(gòu)造。進(jìn)而，在第三實(shí)施方式中，反射層32除第一層32a和第二層32b之外，還包含第三層32c。(太陽能電池的結(jié)構(gòu))以下，參照圖3，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式的太陽能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。如圖3所示，太陽能電池10包括基板1、受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4。疊層體3設(shè)置于受光面電極層2與背面電極層4之間。疊層體3包括第一光電轉(zhuǎn)換部31、反射層32、和第二光電轉(zhuǎn)換部33。第一光電轉(zhuǎn)換部31、反射層32、和第二光電轉(zhuǎn)換部33從受光面電極層2側(cè)起依次被疊層。第一光電轉(zhuǎn)換部31利用從受光面電極層2側(cè)入射的光生成光生載流子。此外，第一光電轉(zhuǎn)換部31利用從反射層32反射的光生成光生載流子。第一光電轉(zhuǎn)換部31具有從基板1側(cè)起層疊有P型非晶硅類半導(dǎo)體、i型非晶硅類半導(dǎo)體、和η型非晶硅類半導(dǎo)體的pin結(jié)(未圖示)。反射層32將透過第一光電轉(zhuǎn)換部31的光的一部分反射到第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)。反射層32包括第一層32a、第二層32b、和第三層32c。第一層32a、第二層32b、和第三層32c從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次被疊層。從而，第一層32a與第一光電轉(zhuǎn)換部31接觸，第三層32c與第二光電轉(zhuǎn)換部33接觸。第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31和第二光電轉(zhuǎn)換部33中的任一個(gè)均不接觸。第二層32b為由折射率比第一光電轉(zhuǎn)換部31、第二光電轉(zhuǎn)換部33、第一層32a、和第三層32c低的材料構(gòu)成的透光性導(dǎo)電氧化物。此外，第二層32b由折射率比一直以來作為反射層的主體使用的ZnO低的材料構(gòu)成。第二層32b的折射率優(yōu)選為1.7以上1.9以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1.7以上1.85以下。在第三實(shí)施方式中，第二層32b包含氧化鎂鋅(MgZnO)。也可以在第二層32b中摻雜Al等。第二層32b中的Mg的含有率優(yōu)選大于Oat%、并且在25at%以下。作為第一層32a，使用與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值比MgZnO與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值小的材料作為主體。此外，作為第三層32c，使用與第二光電轉(zhuǎn)換部33之間的接觸電阻值比MgZnO與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值小的材料作為主體。即，優(yōu)選對構(gòu)成第一層32a的材料進(jìn)行選擇，使得第一光電轉(zhuǎn)換部31與第一層32a的接觸電阻值不足在使第一光電轉(zhuǎn)換部31與第二層32b直接接觸時(shí)的接觸電阻值。此外，優(yōu)選對構(gòu)成第三層32c的材料進(jìn)行選擇，使得第三層32c與第二光電轉(zhuǎn)換部33的接觸電阻值不足在使第二層32b與第二光電轉(zhuǎn)換部33直接接觸時(shí)的接觸電阻值。此外，優(yōu)選對構(gòu)成第一層32a的材料和構(gòu)成第三層32c的材料進(jìn)行選擇，使得包含第一層32a和第三層32c的疊層體3的兩端的電阻值小于不包含第一層32a和第三層32c的疊層體3的兩端的電阻值。作為第一層32a或第三層32c，例如能夠使用ZnO、ITO等。另外，構(gòu)成第一層32a的材料與構(gòu)成第三層32c的材料可以相同，也可以不同。另外，在本方面的第一實(shí)施方式中，第三層32c相當(dāng)于本發(fā)明的“另一接觸層”。第二光電轉(zhuǎn)換部33利用入射的光生成光生載流子。第二光電轉(zhuǎn)換部33具有從基板1側(cè)起層疊有P型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、i型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、和η型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的pin結(jié)(未圖示)。(作用和效果)根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的太陽能電池10，反射層32包括由折射率高于第二層32b的材料構(gòu)成的第一層32a、由折射率低的MgZnO構(gòu)成的第二層32b、和與第二光電轉(zhuǎn)換部33之間的接觸電阻值比第二層32b與第二光電轉(zhuǎn)換部33之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成的第三層32a，其中，第一層32a由與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值比第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成。第一層32a、第二層32b、和第三層32c從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次被疊層。從而，包含MgZnO的第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31和第二光電轉(zhuǎn)換部33中的任一個(gè)均不接觸。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制太陽能電池10整體的串聯(lián)電阻值的增大，并且能夠提高反射層32的反射率。因此，能夠使在第一光電轉(zhuǎn)換部31中吸收的光量增加。此外，通過使第二層32b中的Mg的含有率大于Oat%、并且在25at%以下，能夠使例如900IOOOnm等波長區(qū)域中的第二層32b的光吸收系數(shù)比以ZnO為主體的現(xiàn)有的反射層低。由此，能夠增加射入第二光電轉(zhuǎn)換部33的光量，因此能夠增大太陽能電池10中的短路電流。從而，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。其結(jié)果是，能夠使太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率得以提高。此外，在第二層32b的折射率為1.7以上1.9以下的情況、進(jìn)一步為1.7以上1.85以下的情況下，能夠得到反射層32的充分的反射特性。此外，第一層32a和第三層32c的各自的厚度優(yōu)選為約10人以上、約80人以下。在第一層32a和第三層32c的各自的的厚度小于約10A的情況下，不能夠充分地降低第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間、和第二層32b與第二光電轉(zhuǎn)換部33之間的接觸電阻。此外，在第一層32a和第三層32c的各自的厚度大于約80人的情況下，會減弱具有第二層32b的效果、即提高反射層32的反射率這一效果。(第四實(shí)施方式)以下，對本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，以下，主要對上述的第三實(shí)施方式與第四實(shí)施方式的差異進(jìn)行說明。具體而言，在上述的第三實(shí)施方式中，太陽能電池10包括基板1、受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4。與此相對，在第四實(shí)施方式中，太陽能電池10在基板1上具有分別包括受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4的多個(gè)太陽能電池元件10a。(太陽能電池的結(jié)構(gòu))以下，參照圖4，對本發(fā)明的第四實(shí)施方式的太陽能電池的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖4是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的太陽能電池10的截面圖。如圖4所示，太陽能電池10包括基板1、和多個(gè)太陽能電池元件IOa。多個(gè)太陽能電池元件IOa分別在基板1上形成。多個(gè)太陽能電池元件IOa分別包括受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4。疊層體3設(shè)置于受光面電極層2與背面電極層4之間。疊層體3包括第一光電轉(zhuǎn)換部31、反射層32、和第二光電轉(zhuǎn)換部33。反射層32包含第一層32a、第二層32b、和第三層32c。第一層32a、第二層32b、和第三層32c從第一光電轉(zhuǎn)換部31側(cè)起依次被疊層。從而，第一層32a與第一光電轉(zhuǎn)換部31接觸，第三層32c與第二光電轉(zhuǎn)換部33接觸。第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31和第二光電轉(zhuǎn)換部33中的任一個(gè)均不接觸。第一層32a和第三層32c的厚度優(yōu)選盡量小。背面電極層4，具有向多個(gè)太陽能電池元件IOa所包含的與一個(gè)太陽能電池元件IOa相鄰的另一太陽能電池元件IOa的受光面電極層2延伸的延伸部4a。延伸部4a沿著一個(gè)太陽能電池元件IOa包含的疊層體3的側(cè)面形成。延伸部4a與在一個(gè)太陽能電池元件IOa包含的疊層體3的側(cè)面露出的反射層32相接觸。(作用和效果)根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的太陽能電池10，除了能夠提高反射層32的反射率之外，還能夠抑制太陽能電池10的填充因子(F.F.)的降低，因此能夠提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。以下，對該效果進(jìn)行詳細(xì)的說明。一直以來作為反射層的主體使用的ZnO，其表面電阻值為1.OXIO21.0Χ103Ω/□左右。因此，在使用以ZnO為主體的現(xiàn)有反射層的情況下，在太陽能電池元件IOa中產(chǎn)生的電流的一部分沿著該反射層流向延伸部4a，產(chǎn)生漏電流。當(dāng)這樣的漏電流在多個(gè)太陽能電池元件IOa的每一個(gè)中變大時(shí)，太陽能電池10的填充因子(F.F.)降低。因此，在本發(fā)明的第四實(shí)施方式的太陽能電池10中，反射層32包含表面電阻值為1.OX106Ω/口以上的由MgZnO構(gòu)成的第二層32b。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，反射層32的表面電阻值，與以ZnO為主體的現(xiàn)有反射層的表面電阻值相比大幅地增加，因此能夠抑制在太陽能電池元件IOa中產(chǎn)生的電流從反射層32直接流到延伸部4a。從而，通過使用包含第二層32b的反射層32，與使用以ZnO為主體的現(xiàn)有反射層的情況相比，能夠抑制太陽能電池10的填充因子(F.F.)的降低。基于以上，能夠提高太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，第一層32a(接觸層)降低第二層32b(MgZnO層)與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值，第三層32c(另一接觸層)降低第二層32b(低折射率層)與第二光電轉(zhuǎn)換部33之間的接觸電阻值，因此能夠使第一層32a和第三層32c的厚度變小。在縮小第一層32a的厚度的情況下，能夠增大第一層32a的表面電阻值。此外，在縮小第三層32c的厚度的情況下，能夠增大第三層32c的表面電阻值。這里，即使在縮小第一層32a的厚度的情況下，也能夠充分地降低第二層32b(MgZnO層)與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值。此外，即使在縮小第一層32a的厚度的情況下，也能夠充分地降低第二層32b(MgZn0層)與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間的接觸電阻值。因此，通過使第一層32a和第三層32c的厚度盡量小，能夠減少沿著第一層32a和第三層32c流向延伸部4a的漏電流。此外，第一層32a和第三層32c的各自的厚度優(yōu)選為約10人以上、約80人以下。在第一層32a和第三層32c的各自的厚度小于約10人的情況下，不能夠充分地降低第二層32b與第一光電轉(zhuǎn)換部31之間、和第二層32b與第二光電轉(zhuǎn)換部33之間的接觸電阻。此外，在第一層32a和第三層32c的各自的厚度大于約80人的情況下，會減弱具有第二層32b的效果、即提高反射層32的反射率這一效果。此外，在第二層32b的折射率為1.7以上1.9以下的情況、進(jìn)一步為1.7以上1.85以下的情況下，能夠得到反射層32的充分的反射特性。(其他的實(shí)施方式)本發(fā)明通過上述的實(shí)施方式記載，但是不應(yīng)當(dāng)將構(gòu)成該公開的一部分的論述和附圖理解為對本發(fā)明進(jìn)行限定的內(nèi)容。根據(jù)該公開，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠了解到各種代替的實(shí)施方式、實(shí)施例和運(yùn)用技術(shù)。例如，在上述的第一實(shí)施方式中，疊層體3所包含的光電轉(zhuǎn)換部為1個(gè)(第一光電轉(zhuǎn)換部31)，在第二實(shí)施方式和第三實(shí)施方式中，疊層體3所包含的光電轉(zhuǎn)換部為2個(gè)(第一光電轉(zhuǎn)換部31和第二光電轉(zhuǎn)換部33)，但是并不限定于此。具體而言，在疊層體3中也可以包含3個(gè)以上的光電轉(zhuǎn)換部。在該情況下，反射層32能夠設(shè)置于任意的相鄰的2個(gè)光電轉(zhuǎn)換部之間。此外，在上述的第一實(shí)施方式中，第一光電轉(zhuǎn)換部31具有從基板1側(cè)起層疊有ρ型非晶硅類半導(dǎo)體、i型非晶硅類半導(dǎo)體、和η型非晶硅類半導(dǎo)體的pin結(jié)，但是并不限定于此。具體而言，第一光電轉(zhuǎn)換部31也可以具有從基板1側(cè)起層疊有ρ型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、i型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體、和η型結(jié)晶硅類半導(dǎo)體的Pin結(jié)。另外，在結(jié)晶硅中包含微晶硅、多晶娃。此外，在上述的第一實(shí)施方式第四實(shí)施方式中，第一光電轉(zhuǎn)換部31和第二光電轉(zhuǎn)換部33具有pin結(jié)，但是并不限定于此。具體而言，第一光電轉(zhuǎn)換部31和第二光電轉(zhuǎn)換部33中的至少一方也可以具有從基板1側(cè)起層疊有ρ型硅類半導(dǎo)體和η型硅類半導(dǎo)體的ρη結(jié)。此外，在上述的第一實(shí)施方式第四實(shí)施方式中，太陽能電池10具有在基板1上依次層疊有受光面電極層2、疊層體3、和背面電極層4的結(jié)構(gòu)，但是并不限定于此。具體而言，太陽能電池10也可以具有在基板1上依次層疊有背面電極層4、疊層體3、和受光面電極層2的結(jié)構(gòu)。這樣，本發(fā)明當(dāng)然還包含沒有記載在這里的各種實(shí)施方式等。因此，本發(fā)明的技術(shù)范圍僅由根據(jù)上述的說明而得到的適當(dāng)?shù)臋?quán)利要求的范圍中的權(quán)項(xiàng)來確定。實(shí)施例以下，列舉實(shí)施例，對本發(fā)明的太陽能電池進(jìn)行具體的說明。但是，本發(fā)明并不限定于下述的實(shí)施例所表示的結(jié)構(gòu)，在未變更其要旨的范圍中，能夠?qū)嵤┻m當(dāng)?shù)淖兏?折射率評價(jià))首先，對MgZnO的折射率、和一直以來作為反射層的主體使用的ZnO的折射率進(jìn)行比較。具體而言，通過濺射法分別制作MgZnO層和ZnO層。然后，對所制作的各層的折射率進(jìn)行測定。將MgZnO層和ZnO層的形成條件在表1中示出。此外，將各層的折射率的測定結(jié)果在表2中示出。(表1)MgZnO層和ZnO層的形成條件<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(表2)MgZnO層和ZnO層的折射率<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>如表2所示那樣，能夠確認(rèn)MgZnO層的折射率比ZnO層的折射率低。因此，通過在反射層中包含以MgZnO為主體的層，能夠提高反射層的反射率。(接觸電阻值評價(jià))接著，對MgZnO層與微晶硅類半導(dǎo)體層(以下，設(shè)為μc_Si層)的接觸電阻值、和ZnO層與μC-Si層的接觸電阻值進(jìn)行比較。具體而言，首先，制作依次層疊有Al電極層、μc-Si層、MgZnO層、和Ag電極層的試驗(yàn)疊層體A以及依次層疊有Al電極層、μC-Si層、ZnO層、和Ag電極層的試驗(yàn)疊層體B。將試驗(yàn)疊層體A所包含的MgZnO層的厚度、和試驗(yàn)疊層體B所包含的ZnO層的厚度都設(shè)為約30nm。此外，在試驗(yàn)疊層體A和試驗(yàn)疊層體B中，使Al電極層的厚度為約300nm、μc-Si層的厚度為約30nm、Ag電極層的厚度為約300nm。然后，對所制作的試驗(yàn)疊層體A和試驗(yàn)疊層體B的Al電極層-Ag電極層間的電阻值進(jìn)行了測定。試驗(yàn)疊層體A和試驗(yàn)疊層體B中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值的測定結(jié)果在表3中示出。(表3)試驗(yàn)疊層體A和試驗(yàn)疊層體B中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表3所示那樣，試驗(yàn)疊層體A中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值是比試驗(yàn)疊層體B中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值高的值。這表明MgZnO層與μc-Si層的接觸電阻值高于ZnO層與μc-Si層的接觸電阻值?；诒?的結(jié)果，制作依次層疊有Al電極層、μc-Si層、ZnO層、MgZnO層、和Ag電極層的試驗(yàn)疊層體C，對該試驗(yàn)疊層體C中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值進(jìn)行了測定。在試驗(yàn)疊層體C中，將MgZnO層的厚度和ZnO層的厚度都設(shè)定為約15nm。試驗(yàn)疊層體C中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值的測定結(jié)果在表4中示出。(表4)試驗(yàn)疊層體C中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表4所示那樣，能夠確認(rèn)試驗(yàn)疊層體C中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值稍高于試驗(yàn)疊層體B中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值，但是較大幅度地低于試驗(yàn)疊層體A中的Al電極層-Ag電極層間的電阻值。因此，在反射層包含以MgZnO為主體的層的情況下，通過將以ZnO為主體的層等與以硅為主體的層的接觸電阻值較小的層插入以MgZnO為主體的層與以硅為主體的層之間，能夠抑制太陽能電池的串聯(lián)電阻值的增大。(光電轉(zhuǎn)換效率評價(jià))接著，如以下那樣制作實(shí)施例1、實(shí)施例2、比較例1、比較例2、和比較例3的太陽能電池，對光電轉(zhuǎn)換效率進(jìn)行比較。(實(shí)施例1)如以下那樣制作實(shí)施例1的太陽能電池10。首先，在厚度為4mm的玻璃基板(基板1)上形成SnO2層(受光面電極層2)。接著，使用等離子體CVD法，在SnO2層(受光面電極層2)上層疊ρ型非晶硅類半導(dǎo)體、i型非晶硅類半導(dǎo)體、和η型非晶硅類半導(dǎo)體，形成第一元件(cell)(第一光電轉(zhuǎn)換部31)。接著，使用濺射法，在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)上形成中間反射層(反射層32)。具體而言，通過在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)上依次疊層ZnO層(第一層32a)、MgZnO層(第二層32b)、和ZnO層(第三層32c)，形成具有3層構(gòu)造的中間反射層(反射層32)。接著，使用等離子體CVD法，在中間反射層(反射層32)上疊層ρ型微晶硅類半導(dǎo)體、i型微晶硅類半導(dǎo)體、和η型微晶硅類半導(dǎo)體，形成第二元件(cell)(第二光電轉(zhuǎn)換部33)。接著，使用濺射法，在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)上形成ZnO層和Ag層(背面電極層4)。上述的第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)、中間反射層(反射層32)、和第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)的形成條件在表5中示出。另外，將ZnO層和Ag層(背面電極層4)的厚度分別設(shè)為90nm、200nm。(表5)實(shí)施例1中的第一元件、中間反射層、和第二元件的形成條件<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>基于以上，在本實(shí)施例1中，如圖3所示那樣，形成了在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)和第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)之間具有包含MgZnO層(第二層32b)的中間反射層(反射層32)的太陽能電池10。此外，在MgZnO層(第二層32b)與第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)之間插設(shè)ZnO層(第一層32a)，在MgZnO層(第二層32b)與第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)之間插設(shè)ZnO層(第三層32c)。(比較例1)如以下那樣，制作比較例1的太陽能電池20。首先，與上述實(shí)施例1同樣，在厚度為4mm的玻璃基板(基板21)上依次形成SnO2層(受光面電極層22)、第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)。接著，使用濺射法，在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)上形成中間反射層(反射層232)。在本比較例1中，在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)上僅形成ZnO層，使該ZnO層為中間反射層(反射層232)。接著，與上述實(shí)施例1同樣，在中間反射層(反射層232)上依次形成第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)、ZnO層、和Ag層(背面電極層24)。上述的中間反射層(反射層232)的形成條件在表6中示出。另外，第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)、第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)的形成條件與上述實(shí)施例1中的形成條件相同。此外，ZnO層和Ag層(背面電極層24)的厚度與上述實(shí)施例1同樣地分別設(shè)為90nm、200nm。(表6)比較例1中的中間反射層的形成條件<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>基于以上，在本實(shí)施例1中，如圖5所示那樣，形成在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)與第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)之間具有由ZnO層構(gòu)成的中間反射層(反射層232)的太陽能電池20。(比較例2)如以下那樣，制作比較例2的太陽能電池20。首先，與上述實(shí)施例1同樣，在厚度為4mm的玻璃基板(基板21)上依次形成SnO2層(受光面電極層22)、第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)。接著，使用濺射法，在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)上形成中間反射層(反射層232)。在本比較例2中，在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)上僅形成MgZnO層，使該MgZnO層為中間反射層(反射層232)。接著，與上述實(shí)施例1同樣，在中間反射層(反射層232)上依次形成第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)、ZnO層、和Ag層(背面電極層24)。上述的中間反射層(反射層232)的形成條件在表7中示出。另外，第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)、第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)的形成條件與上述實(shí)施例1中的形成條件相同。此外，ZnO層和Ag層(背面電極層24)的厚度與上述實(shí)施例1同樣地分別設(shè)為90nm、200nm。(表7)比較例2中的中間反射層的形成條件<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>基于以上，在本比較例2中，如圖5所示那樣，形成在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)與第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)之間具有由MgZnO層構(gòu)成的中間反射層(反射層232)的太陽能電池20。(特性評價(jià)(其一))對實(shí)施例1、比較例1、和比較例2的太陽能電池的開路電壓、短路電流、填充因子、和光電轉(zhuǎn)換效率各特性值進(jìn)行比較。比較結(jié)果在表8中示出。另外，在表8中，使比較例1中的各特性值為1.00進(jìn)行歸一化來表示。(表8)實(shí)施例1、比較例1、和比較例2的太陽能電池的各特性值<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>如表8所述那樣，能夠確認(rèn)在比較例2中，雖然短路電流與比較例1相比增加了，但是填充因子比比較例1的低。而且，能夠確認(rèn)在比較例2中，作為其結(jié)果，光電轉(zhuǎn)換效率比比較例1的低。就短路電流的增加而言，能夠認(rèn)為這是由于在比較例2的太陽能電池20中，中間反射層(反射層232)由折射率比ZnO層低的MgZnO層構(gòu)成。另一方面，就填充因子的降低而言，能夠認(rèn)為這是由于在比較例2的太陽能電池20中，構(gòu)成中間反射層(反射層232)的MgZnO層與第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部231)和第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部233)直接接觸，因而比較例2的太陽能電池20的串聯(lián)電阻值增大。此外，能夠認(rèn)為由于在比較例2中填充因子降低的程度大，因此與比較例1相比光電轉(zhuǎn)換效率降低。與此相對，能夠確認(rèn)在實(shí)施例1中短路電流與比較例1相比增加了，填充因子能夠維持與比較例1同等的值。其結(jié)果是，能夠確認(rèn)與比較例1相比，實(shí)施例1能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。(實(shí)施例2)如以下那樣制作實(shí)施例2的太陽能電池10。首先，在厚度為4mm的玻璃基板(基板1)上形成SnO2層(受光面電極層2)。接著，使用等離子體CVD法，在SnO2層(受光面電極層2)上疊層ρ型非晶硅類半導(dǎo)體、i型非晶硅類半導(dǎo)體、和η型非晶硅類半導(dǎo)體，形成第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)。接著，使用等離子體CVD法，在第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)上疊層ρ型微晶硅類半導(dǎo)體、i型微晶硅類半導(dǎo)體、和η型微晶硅類半導(dǎo)體，形成第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)。接著，使用濺射法，在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)上形成中間反射層(反射層32)。具體而言，通過在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)上依次疊層ITO層(第一層32a)和MgZnO層(第二層32b)，形成具有2層構(gòu)造的背面反射層(反射層32)。接著，使用濺射法，在背面反射層(反射層32)上形成Ag層(背面電極層4)。上述的第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部31)、第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)、和背面反射層(反射層32)的形成條件在表9中示出。另外，令A(yù)g層(背面電極層4)的厚度為200nmo(表9)實(shí)施例2中的第一元件、第二元件、和背面反射層的形成條件<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>基于以上，在本實(shí)施例1中，如圖2所示那樣，形成了在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)和Ag層(背面電極層4)之間具有包含MgZnO層(第二層32b)的背面反射層(反射層32)的太陽能電池10。此外，在MgZnO層(第二層32b)與第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部33)之間插設(shè)ITO層(第一層32a)。(比較例3)如以下那樣，制作比較例3的太陽能電池30。首先，與上述實(shí)施例2同樣，在厚度為4mm的玻璃基板(基板31)上依次形成SnO2層(受光面電極層32)、第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部331)、第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部333)。接著，使用濺射法，在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部333)上形成背面反射層(反射層332)。在本比較例3中，在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部333)上僅形成ZnO層，使該ZnO層為背面反射層(反射層332)。接著，與上述實(shí)施例1同樣，在背面反射層(反射層332)上形成Ag層(背面電極層34)。上述的背面反射層(反射層332)的形成條件在表10中示出。另外，第一元件(第一光電轉(zhuǎn)換部331)、第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部333)的形成條件與上述實(shí)施例2中的形成條件相同。此外，Ag層(背面電極層34)的厚度與上述實(shí)施例2同樣地設(shè)定為200nm。(表10)比較例3中的背面反射層的形成條件基板溫度氣體流量反應(yīng)壓力IRF功率I厚度(0C)(sccm)(Pa)(W)(mm)背面反射層ZnO層170Ar100^430090~基于以上，在本比較例3中，如圖6所示那樣，形成在第二元件(第二光電轉(zhuǎn)換部333)與Ag層(背面電極層34)之間具有由ZnO層構(gòu)成的背面反射層(反射層332)的太陽能電池10。(特性評價(jià)(其2))對實(shí)施例2和比較例3的太陽能電池的開路電壓、短路電流、填充因子、和光電轉(zhuǎn)換效率各特性值進(jìn)行比較。比較結(jié)果在表11中示出。另外，在表11中，使比較例3中的各特性值為1.00進(jìn)行歸一化來表示。(表11)實(shí)施例2和比較例3的太陽能電池的各特性值開路電壓短路電流填充因子I光電轉(zhuǎn)換效率~比較例3ITooΓοοITooΓοο實(shí)施例2ITooΤθ2IToo7Ο2如表11所述那樣，能夠確認(rèn)在實(shí)施例2中，短路電流與比較例3相比增加了，填充因子能夠維持與比較例3同等的值。其結(jié)果是，能夠確認(rèn)與比較例3相比，實(shí)施例2能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。(Mg含有率的最佳化)(光吸收系數(shù)測定)接著，進(jìn)行MgZnO層中的Mg的含有率(Mg相對于Zn、Mg、0的比率)的最佳化。具體而言，制作使Mg含有率在Oat%40at%的范圍變化的多個(gè)MgZnO層，通過X射線電子分光法(XPS)對各個(gè)層的Mg含有率進(jìn)行測定，并且對各個(gè)層的光吸收系數(shù)進(jìn)行測定。另外，各MgZnO層通過濺射法制作，厚度分別設(shè)為約lOOnm。MgZnO層中的Mg含有率與光吸收系數(shù)的關(guān)系在圖7中示出。作為MgZnO層的光吸收系數(shù)，對700800nm的波長區(qū)域中的光吸收系數(shù)的平均值α700-800、和900IOOOnm的波長區(qū)域中的光吸收系數(shù)的平均值α900-1000進(jìn)行測定。另外，在圖7中，Mg含有率χ為O的點(diǎn)表示ZnO層的光吸收系數(shù)α700-800和光吸收系數(shù)α900-1000。如圖7所示那樣，能夠確認(rèn)在Mg含有率χ大于Oat%、并且在25at%以下(即，O<χ彡25(at%))的情況下，MgZnO層的光吸收系數(shù)α700-800比ZnO層的光吸收系數(shù)α700800小，并且MgZnO層的光吸收系數(shù)α900-1000比ZnO層的光吸收系數(shù)α900-1000小。MgZnO層的光吸收系數(shù)α700-800比ZnO層的光吸收系數(shù)α700-800小這一事實(shí)表明MgZnO層比ZnO層更易于透過700800nm的波長區(qū)域中的光。此外，MgZnO層的光吸收系數(shù)α900-1000比ZnO層的光吸收系數(shù)α900-1000小這一事實(shí)表明MgZnO層比ZnO層更易于透過900IOOOnm的波長區(qū)域中的光。因此，通過將中間反射層所包含的MgZnO層中的Mg含有率設(shè)為大于Oat%、并且在25at%以下(即，O<χ彡25(at%))，與使用不包含MgZnO的中間反射層(例如，比較例1中的中間反射層)的情況相比，能夠使透過中間反射層而射入第二元件的光量增加，因此能夠增大太陽能電池中的短路電流。因此，能夠進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。(折射率測定)在MgZnO層中的Mg含有率為大于Oat%、并且在25at%以下(即，O<x^25(at%))的情況下，作為確認(rèn)實(shí)驗(yàn)對MgZnO層的折射率進(jìn)行測定。MgZnO層中的Mg含有率與折射率的關(guān)系在圖8中示出。這里，作為折射率的值，使用波長600nm的值Π600。另外，在圖8中，Mg含有率χ為0的點(diǎn)表示ZnO層的折射率。如圖8所示那樣，能夠確認(rèn)在MgZnO層中的Mg含有率為大于0at%、并且在25at%以下(即，0<χ彡25(at%))的情況下，MgZnO層的折射率比ZnO層的折射率低。從而，能夠確認(rèn)通過將中間反射層所包含的MgZnO層中的Mg含有率設(shè)定為大于0站％、并且在25at%以下(即，O<χ彡25(at%))，與使用不包含MgZnO的中間反射層(例如，比較例1中的中間反射層)的情況相比，能夠使被反射到第一元件側(cè)的光量增加，并且使透射到第二元件側(cè)的光量增加。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中是有用的。權(quán)利要求一種太陽能電池，其特征在于，包括具有導(dǎo)電性和透光性的受光面電極層；具有導(dǎo)電性的背面電極層；和設(shè)置于所述受光面電極層和所述背面電極層之間的疊層體，所述疊層體包括利用光的入射而生成光生載流子的第一光電轉(zhuǎn)換部；和將透過所述第一光電轉(zhuǎn)換部的光的一部分反射到所述第一光電轉(zhuǎn)換部側(cè)的反射層，所述反射層具有低折射率層、和插設(shè)在所述低折射率層與所述第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸層。2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于所述疊層體，具有從所述受光面電極層側(cè)起依次層疊有所述第一光電轉(zhuǎn)換部、所述反射層、和利用光的入射而生成光生載流子的第二光電轉(zhuǎn)換部的結(jié)構(gòu)，所述反射層，還具有插設(shè)在所述低折射率層與所述第二光電轉(zhuǎn)換部之間的另一接觸層。3.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于所述接觸層由與所述第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值比所述低折射率層與所述第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成。4.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于所述另一接觸層由與所述第二光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值比所述低折射率層與所述第二光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸電阻值小的材料構(gòu)成。5.如權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的太陽能電池，其特征在于所述低折射率層由折射率為1.7以上1.9以下的透光性導(dǎo)電氧化物構(gòu)成。6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征在于所述低折射率層由折射率為1.7以上1.85以下的透光性導(dǎo)電氧化物構(gòu)成。7.如權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的太陽能電池，其特征在于所述低折射率層由MgZnO構(gòu)成。8.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于所述接觸層包含氧化鋅或氧化銦。9.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于所述另一接觸層包含氧化鋅或氧化銦。10.一種太陽能電池，在具有絕緣性和透光性的基板上具有第一太陽能電池元件和第二太陽能電池元件，其特征在于所述第一太陽能電池元件和所述第二太陽能電池元件分別包括具有導(dǎo)電性和透光性的受光面電極層；具有導(dǎo)電性的背面電極層；和設(shè)置于所述受光面電極層與所述背面電極層之間的疊層體，所述疊層體包括利用光的入射而生成光生載流子的第一光電轉(zhuǎn)換部；將透過所述第一光電轉(zhuǎn)換部的光的一部分反射到所述第一光電轉(zhuǎn)換部側(cè)的反射層；和利用光的入射而生成光生載流子的第二光電轉(zhuǎn)換部，所述第一太陽能電池元件的所述背面電極層具有向所述第二太陽能電池元件的所述受光面電極層延伸的延伸部，所述延伸部，沿著所述第一太陽能電池元件所包含的所述疊層體的側(cè)面形成，所述延伸部與在所述第一太陽能電池元件所包含的所述疊層體的所述側(cè)面露出的所述反射層相接觸，所述反射層具有低折射率層、插設(shè)在所述低折射率層與所述第一光電轉(zhuǎn)換部之間的接觸層、和插設(shè)在所述低折射率層與所述第二光電轉(zhuǎn)換部之間的另一接觸層。11.如權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其特征在于所述接觸層具有比所述低折射率層小的厚度。12.如權(quán)利要求10或11所述的太陽能電池，其特征在于所述低折射率層由MgZnO構(gòu)成。13.如權(quán)利要求7或12所述的太陽能電池，其特征在于所述MgZnO層中的Mg的含有率為大于Oat%、并且在25at%以下。全文摘要本發(fā)明提供一種太陽能電池。本發(fā)明的太陽能電池，包括受光面電極層(2)、背面電極層(4)、和設(shè)置于受光面電極層(2)與背面電極層(4)之間的疊層體(3)，疊層體(3)包括第一光電轉(zhuǎn)換部(31)、和將透過第一光電轉(zhuǎn)換部(31)的光的一部分反射到第一光電轉(zhuǎn)換部(31)側(cè)的反射層(32)，反射層(32)包括由MgZnO構(gòu)成的MgZnO層(32b)、和插入MgZnO層(32b)與第一光電轉(zhuǎn)換部(31)之間的接觸層(32a)。文檔編號H01L31/04GK101809759SQ200880109660公開日2010年8月18日申請日期2008年10月30日優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日發(fā)明者關(guān)本健之,齋田敦,矢田茂郎申請人:三洋電機(jī)株式會社