專利名稱：異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池及其制造方法。更具體地說，本發(fā)明涉及如下的 異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池及其制造方法其形成晶體硅基板的pn結(jié)和摻有雜質(zhì)的鈍化層，以使 得電子和空穴的重新組合最小化，使異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的效率最大化。
背景技術(shù)：
近年來，由于諸如石油價格上升、全球變暖、礦物能源的枯竭、核廢料處理、新發(fā)電 廠的建造所涉及的地點選擇等的問題，新形式的可再生能源受到很大關(guān)注。其中，已經(jīng)積極 推動作為無污染能量源的太陽能電池的研究和開發(fā)。作為使用光電效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置的太陽能電池根據(jù)構(gòu)成材料而分類 為硅太陽能電池、薄膜太陽能電池、染料敏化太陽能電池、有機聚合物太陽能電池等。太陽 能電池獨立地用作電子時鐘、無線電設(shè)備、無人燈塔、人造衛(wèi)星、火箭等的主電源，并且通過 連接到商業(yè)交流電源而用作輔助電源。近來，由于對替代能源的需求增加，越來越關(guān)注太陽 能電池。在這樣的太陽能電池中，很重要的一點是，增加與入射太陽光的被轉(zhuǎn)換為電能的 比例相關(guān)聯(lián)的轉(zhuǎn)換效率。已經(jīng)進行了各種研究來增加轉(zhuǎn)換效率。而且，通過在太陽能電池 中包括具有高的光吸收系數(shù)的薄膜，已經(jīng)有效推進了增加轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)發(fā)展。同時，使用太陽光的太陽能電池根據(jù)p-n結(jié)所使用的P區(qū)域和η區(qū)域的特性，可以 分類為同質(zhì)結(jié)硅太陽能電池和異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池。其中，異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池具有不同 的晶體結(jié)構(gòu)或者結(jié)合了不同材料的一種結(jié)構(gòu)。圖1是示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的剖面圖，其中，它示 出了常規(guī)異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)。參照圖1，常規(guī)的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池是非晶/晶體pn二極管結(jié)構(gòu)，其中作為發(fā)射 極的非晶硅(a-Si)層113通過使用等離子體化學(xué)汽相淀積(PECVD)而淀積在作為基體的 晶體硅(c-Si)基板111上，其中非晶/晶體pn 二極管結(jié)構(gòu)的前表面形成有透明導(dǎo)電氧化 物(TCO) 115，而其后表面形成有由鋁(Al)等制成的下電極117。與常規(guī)的擴散型晶體硅太陽能電池相比，由于如圖1所示的非晶/晶體異質(zhì)結(jié)硅 太陽能電池可以在低溫下制造并具有較高的開路電壓，因而它引起很大關(guān)注。但是，在異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池中，與參照圖1描述的其中ρ型非晶硅層淀積在η型 晶體硅基板上的非晶/晶體pn異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池相比，其中η型非晶硅層淀積在ρ型晶 體硅基板上的非晶/晶體ηρ異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)具有效率較低的問題。此外，由于 與常規(guī)的擴散型晶體硅太陽能電池的制作相比，非晶/晶體異質(zhì)結(jié)太陽能硅電池的制造需 要許多真空淀積裝置，所以存在制造時間長并且制造成本高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
因此，本發(fā)明的目的是提供一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其形成晶體硅基板的pn結(jié)和摻有雜質(zhì)的鈍化層，以使電子和空穴的重新組合最小化，使得可以最大化異質(zhì)結(jié)硅太陽 能電池的效率。本發(fā)明的另一目的是提供一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，該方法通過在制 造異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池時按原樣使用用于常規(guī)擴散型硅太陽能的擴散方法，可以實現(xiàn)作為 異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的優(yōu)點的高開路電壓，并可以實現(xiàn)作為常規(guī)擴散型硅太陽能電池的優(yōu) 點的高短路電流、填充比、快速處理時間和低制造成本。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，該異質(zhì)結(jié)太陽能電池包括晶 體硅基板；以及形成在所述晶體硅基板上并且摻有雜質(zhì)的鈍化層。所述晶體硅基板可以是ρ型晶體硅基板，并且所述雜質(zhì)為η型雜質(zhì)。所述晶體硅基板可以是η型晶體硅基板，并且所述雜質(zhì)為ρ型雜質(zhì)。所述鈍化層硅可以包括從由氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiNx)和本征非 晶硅組成的組中選擇的至少一種。所述晶體硅基板的下表面可以形成有紋理化結(jié)構(gòu)(texturingstructure)。所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池還可以包括形成在所述晶體硅基板的下部上的電場形 成層；和形成在所述電場形成層的下部上的下電極。所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池還可以包括形成在所述鈍化層的上部上的防反射層。
所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池在所述鈍化層的上部上可以形成有摻雜區(qū)、并且在所述 晶體硅基板的上部上可以形成有非摻雜區(qū)。在所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池中，所述鈍化層的上部的摻雜濃度可以高于所述晶體 硅基板的上部的摻雜濃度。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，該方法包括 以下步驟(a)在晶體硅基板的上表面上形成鈍化層；和(b)對鈍化層摻入雜質(zhì)，以在所述 晶體硅基板與所述鈍化層之間形成結(jié)。所述晶體硅基板可以是ρ型晶體硅基板，并且所述雜質(zhì)可以是η型雜質(zhì)。所述晶體硅基板可以是η型晶體硅基板，并且所述雜質(zhì)是P型雜質(zhì)。在步驟(b)中，可以通過如下的擴散方法來進行摻雜，所述擴散方法將其上淀積 了所述鈍化層的所述晶體硅基板弓丨入爐中，并將雜質(zhì)注入所述爐的內(nèi)部。在步驟(a)中，所述鈍化層硅可以包括從由氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、氮化硅 (SiNx)和本征非晶硅組成的組中選擇的至少一種。所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法在步驟(a)之前還可以包括在所述晶體硅 基板的下表面上形成紋理化結(jié)構(gòu)的步驟。所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法在步驟(b)之后還可以包括步驟(C)在所 述鈍化層的上部上形成防反射層。所述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法還可以包括如下步驟在步驟(C)之后，在 所述防反射層的上部上形成上電極，并在所述晶體硅基板的下部上形成下電極；并且通過 執(zhí)行熱處理，在所述下電極的接觸所述晶體硅基板的下表面的部分處形成電場形成層。有利效果
根據(jù)本發(fā)明，在異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池中，晶體硅基板和摻有雜質(zhì)的鈍化層形成pn 結(jié)，從而使得pn界面的缺陷最小化，因此使電子和空穴的重新組合最小化，從而可以使異 質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的效率最大化。同樣，在異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法中，通過在制造異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池時 按原樣使用用于常規(guī)擴散型硅太陽能的擴散方法，本發(fā)明可以實現(xiàn)作為異質(zhì)結(jié)硅太陽能電 池的優(yōu)點的高開路電壓，并可以實現(xiàn)作為常規(guī)擴散型硅太陽能電池的優(yōu)點的高短路電流、 填充比、快速處理時間和低制造成本。


結(jié)合附圖，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點將變得更明顯， 在附圖中圖1是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)的 剖面圖；圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的結(jié)構(gòu) 的剖面圖；以及圖4至圖9是示出制造圖2的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的處理的圖。
具體實施例方式下面，將參考附圖來詳細地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)的 剖面圖。如圖2所示，本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200包括ρ型晶體硅基板201，在基板 201上按順序形成有鈍化層203、防反射層205、和上電極209，在基板201之下按順序形成 有紋理化結(jié)構(gòu)206、電場形成層(BSF) 207和下電極208。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200是非晶/晶體np異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，并包括淀積在ρ型晶體硅 基板201上的用作η型非晶硅層的鈍化層203。同時，異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200不包括單獨 的η型非晶硅層，而通過使用摻雜有η型雜質(zhì)的鈍化層203來形成pn結(jié)。將在下面詳細描 述鈍化層203的摻雜。鈍化層203是盡可能防止電子和空穴在非晶硅和晶體硅之間的界面處重新組合 的層。在P型晶體硅基板201和η型摻雜鈍化層203形成pn結(jié)的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200 中，鈍化層203自身用作η型非晶硅層，同時在與ρ型晶體硅基板201的界面處用作保護層， 由此最小化pn結(jié)的界面處可能出現(xiàn)的缺陷，并盡可能防止電子和空穴的重新組合。優(yōu)選的是，鈍化層203的上部形成有摻雜區(qū)，晶體硅基板201的上部形成有非摻雜 區(qū)?？梢园凑諑讉€nm至幾十個nm的厚度將鈍化層203淀積在ρ型晶體硅基板201上。 在該情況下，鈍化層203可以由于后面描述的材料特性而與防反射層205 —起用作雙防反射層。優(yōu)選的是，鈍化層203的材料是這樣的材料其能夠通過保護ρ型晶體硅基板201的表面而最小化作為電子和空穴重新組合的原因的缺陷。這些材料例如可以包括氧化硅 (SiO2)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiNx)或本征非晶硅等。另一方面，具有上述材料并且摻雜 有η型雜質(zhì)的鈍化層203用作η型非晶硅層，由此，與常規(guī)異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的非晶硅層 相比，其串聯(lián)電阻降低，從而增加異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200的穩(wěn)定性和可再現(xiàn)性。防反射層205是使得對從異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200的上部入射的太陽光的反射最 小的層。此外，防反射層205使得在用作η型非晶硅層的鈍化層203中的由太陽光所引起的 電子的重新組合最少，并將重新組合的電子發(fā)射到上電極209。由此，鈍化層203和防反射 層205 二者使電子的重新組合最少，使得可以最大化太陽能電池的效率。此外，如上所述， 鈍化層203和防反射層205用作雙防反射層，從而可以進一步最大化太陽能電池的效率。防反射層205可以通過使用諸如SiNx等的材料而形成。作為制備方法，可以使用 等離子體化學(xué)汽相淀積法(PECVD)等，此時，優(yōu)選的是，按照大約IOOnm來淀積防反射層。紋理化結(jié)構(gòu)206形成在ρ型晶體硅基板201的下表面上。這可以通過使用諸如刻 蝕等的本領(lǐng)域公知技術(shù)在P型晶體硅基板201的下表面上執(zhí)行表面處理來形成。紋理化結(jié) 構(gòu)206實現(xiàn)這樣的功能降低入射在異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200上的太陽光的反射率并且?guī)?助收集太陽光。紋理化結(jié)構(gòu)的形狀可以是錐體形、四方蜂窩形、和三角蜂窩形等。電場形成層207使得下電極208可以用作晶體硅基板201的下表面處的雜質(zhì)，并 將基板201的下表面變換為ρ++型，使得該ρ++層最小化由基板201的下表面上的光而產(chǎn) 生的電子的重新組合，從而可以增加太陽能電池的效率。通過在晶體硅基板201的下表面 上印刷下電極208并在其上執(zhí)行熱處理，可以形成電場形成層207。這將在下面描述。本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200使得鈍化層203可以用作ρη結(jié)處的η型非晶 硅層并且用作晶體硅與非晶硅之間的界面處的保護層，由此最小化缺陷。結(jié)果，使得電子和 空穴的重新組合最小化，從而可以增加太陽能電池的效率。此外，鈍化層203與防反射層205 —起用作雙防反射層，由此最小化對入射在太陽 能電池200上的太陽光的反射，并進一步增加太陽能電池的效率。另一方面，通過紋理化結(jié)構(gòu)206也使得對太陽光的反射最小化，并通過電場形成 層207也使得電子的重新組合最小化，從而可以最大化異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200的效率。圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)的 剖面圖。圖3的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池300大致具有與圖4的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200相同 的結(jié)構(gòu)。但是，圖3的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池300和圖4的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200之間的 結(jié)構(gòu)差別在于，基板301是η型晶體硅，鈍化層303摻雜有ρ型雜質(zhì)以充當(dāng)ρ型非晶硅層， 由此形成ηρ結(jié)。在異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池300中，鈍化層303用作形成ηρ結(jié)的ρ型非晶硅層并且用 作保護層，由此最小化電子和空穴的重新組合。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200與異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池300的效率相同，如果有必要，則可以選擇性地實現(xiàn)它們。圖4至圖9是描述圖2的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200的制造處理的圖。下面，參照 圖4至圖9來描述異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池200的制造處理。首先，如圖4所示，對ρ型晶體硅基板201的下表面處理以形成紋理化結(jié)構(gòu)206。作為熱處理方法，可以使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，如刻蝕等，并且，紋理化結(jié)構(gòu)206的類型可 以形成為諸如錐體形或四方蜂窩形等的各種形狀。 然后，如圖5所示，在ρ型晶體硅基板201的上表面上形成鈍化層203?？梢酝ㄟ^ 使用諸如等離子體化學(xué)汽相淀積法(PECVD)等的本領(lǐng)域公知淀積方法來形成鈍化層203。 如上所述，鈍化層203的材料可以包括氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiNx)或本征 非晶硅等。優(yōu)選的是，通過考慮鈍化層203的作為雙防反射層的功能，按照幾個nm至幾十 nm的厚度形成淀積。 然后，如圖6所示，在異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池中，用于形成pn結(jié)的鈍化層203摻雜有η型雜質(zhì)。通過利用η型雜質(zhì)(例如(五價磷)(P))來摻雜鈍化層203并將鈍化層203轉(zhuǎn) 換為η型層，從而進行摻雜。作為摻雜方法，可以按原樣使用常規(guī)擴散方法。換言之，擴散方法可以使用這樣的 方法將其上淀積有鈍化層203的ρ型晶體硅基板201引入高溫爐中，在850°C下向爐內(nèi)注 入η型雜質(zhì)(例如POCl3),對其進行摻雜。此外，通過使用離子植入法直接將η型雜質(zhì)注入 到鈍化層203，從而可以獲得摻雜有η型雜質(zhì)的鈍化層203?？梢园丛瓨邮褂糜糜谥圃斐Ｒ?guī)擴散型太陽能電池的擴散方法，即這樣的擴散方 法通過按比P型硅基板中包括的P型雜質(zhì)(例如三價硼(B))更高的濃度摻雜η型雜質(zhì) (例如，五價磷(P))來形成η+型發(fā)射極，從而可以獲得作為常規(guī)擴散型硅太陽能電池的優(yōu) 點的高短路電流和填充比、快速處理時間和低制造成本等等。在鈍化層的摻雜處理中，可能出現(xiàn)不必要的氧化物層，由此通過刻蝕等被去除這 種不必要的氧化物層，并且還可以進一步執(zhí)行設(shè)置邊緣的邊緣隔離處理，如圖7所示。作為 去除氧化物層的方法，可以執(zhí)行本領(lǐng)域公知的技術(shù)，如使用氟酸溶液的濕法刻蝕方法等。下面，如圖8所示，在鈍化層203上形成防反射層205?？梢允褂没瘜W(xué)汽相淀積法 (PECVD)等來淀積防反射層205，并且防反射層205使用諸如氮化硅(SiNx)等的材料。優(yōu) 選的是，防反射層的厚度為大約lOOnm。接著，如圖9所示，形成上電極209和下電極208，然后對其進行熱處理以形成電場 形成層207?？梢允褂弥T如銀(Ag)等的材料來形成上電極209。形成上電極的方法可以使用絲 網(wǎng)印刷方法等。隨后，對上電極209進行熱處理，使得它貫穿防反射層205以形成與作為η 型非晶硅層的鈍化層203的電接觸。優(yōu)選的是，形成上電極209的厚度為大約15 μ m。可以使用諸如鋁(Al)的材料來形成下電極208，并且也可以使用絲網(wǎng)印刷方法形 成下電極208。當(dāng)印刷了上電極209和下電極208、然后以高溫(大約750至900°C )對其 進行了熱處理時，在下電極208的接觸ρ型晶體硅基板201的下表面的部分形成電場形成 層207。電場形成層207減少太陽光產(chǎn)生的電子的后表面重新組合，由此增加太陽能電池的 效率。優(yōu)選的是，形成下電極208的厚度大約為20至30 μ m。圖3的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池300的制造處理與參照圖4至圖9描述的異質(zhì)結(jié)硅太 陽能電池200的制造處理的不同之處在于，使用η型晶體硅基板301替代ρ型晶體硅基板 201，并使用具有ρ型雜質(zhì)的鈍化層203替代以η型雜質(zhì)摻雜鈍化層203。但是，這些制造處 理本質(zhì)上彼此相同。本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池300的制造處理可以按原樣使用用于制造常規(guī)擴散型硅太陽能電池的擴散方法，從而它可以實現(xiàn)作為現(xiàn)有技術(shù)的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的優(yōu) 點的高短路電流、填充比、快速處理時間和低制造成本。同時，如上所述，通過鈍化層203而使得在pn結(jié)或np結(jié)的界面處的電子和空穴的重新組合最小化，從而可以最大化異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的效率。盡管已經(jīng)結(jié)合圖中例示的示例性實施方式描述了本發(fā)明，但它只是示例性的。本 領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以對本發(fā)明做出各種修改和等同替代。因此，本發(fā)明的真正技術(shù)范 圍應(yīng)該由所附的權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，該異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池包括晶體硅基板；以及形成在所述晶體硅基板上并且摻有雜質(zhì)的鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其中，所述晶體硅基板是ρ型晶體硅基 板，并且所述雜質(zhì)是η型雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其中，所述晶體硅基板是η型晶體硅基 板，并且所述雜質(zhì)是P型雜質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其中，鈍化層硅包括從由氧化硅 (SiO2)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiNx)和本征非晶硅組成的組中選擇的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其中，所述晶體硅基板的下表面形成 有紋理化結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，該異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池還包括形成在所述晶體硅基板的下部上的電場形成層；以及形成在所述電場形成層的下部上的下電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，該異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池還包括形成在 所述鈍化層的上部上的防反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其中，所述鈍化層的上部形成有摻雜 區(qū)，并且，所述晶體硅基板的上部形成有非摻雜區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其中，所述鈍化層的上部的摻雜濃度 高于所述晶體硅基板的上部的摻雜濃度。
10.一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，該方法包括以下步驟(a)在晶體硅基板的上表面上形成鈍化層；以及(b)對鈍化層摻入雜質(zhì)，以在所述晶體硅基板與所述鈍化層之間形成結(jié)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，其中，所述晶體硅基板 是P型晶體硅基板，并且所述雜質(zhì)是η型雜質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，其中，所述晶體硅基板 是η型晶體硅基板，并且所述雜質(zhì)是ρ型雜質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，其中，在步驟(b)中，通 過如下的擴散方法來進行摻雜所述擴散方法將淀積了所述鈍化層的所述晶體硅基板引入 爐中，并將雜質(zhì)注入所述爐的內(nèi)部。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，其中，在步驟(a)中，鈍 化層硅包括從由氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiNx)和本征非晶硅組成的組中選擇 的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，該方法在步驟(a)之前 還包括在所述晶體硅基板的下表面上形成紋理化結(jié)構(gòu)的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，該方法在步驟(b)之后 還包括步驟(c)在所述鈍化層的上部上形成防反射層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的制造方法，該方法還包括以下步驟在步驟(C)之后，在所述防反射層的上部上形成上電極，并在所述晶體硅基板的下部上形成下電極；以及通過執(zhí)行熱處理，在所述下電極的與所述晶體硅基板的下表面接觸的部分處形成電場 形成層。
全文摘要
公開了一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池形成晶體硅基板和摻有雜質(zhì)的鈍化層的pn結(jié)，以使得電子和空穴的重新組合最小化，從而可以最大化異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池的效率。本發(fā)明提供一種異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池，其包括晶體硅基板；和形成在所述晶體硅基板上并且摻有雜質(zhì)的鈍化層。
文檔編號H01L31/042GK101821857SQ200880111068
公開日2010年9月1日 申請日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月18日
發(fā)明者尹周煥, 鄭一炯, 金真阿, 金鐘煥, 高志勛, 魚英株 申請人:Lg電子株式會社