專利名稱:用于堆疊式半導體裝置的可重新配置連接的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
此專利申請案主張2007年10月16日提出申請的美國申請 案第11/873,118號的 優(yōu)先權(quán)益處,所述申請案以引用方式并入本文中。
背景技術(shù):
包含存儲器的半導體裝置通常在計算機及其它電子產(chǎn)品中(例如數(shù)字電視、數(shù)字 相機及蜂窩式電話)中用于存儲數(shù)據(jù)及其它信息。半導體裝置(例如存儲器裝置)通常具 有許多組件及相關(guān)聯(lián)電路連接以在所述組件之間來回傳送信息。一些存儲器裝置可形成于 多個半導體裸片上。
發(fā)明內(nèi)容
圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例包含裝置及連接的設備的框圖。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有連接的存儲器裝置的框圖。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有裸片及連接的存儲器裝置的局部橫截面。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有布置成堆疊的裸片及經(jīng)過所述裸片的連接的 IC封裝的局部橫截面。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有連接及用以檢查所述連接中的缺陷的電路的 存儲器裝置的局部橫截面。圖6是顯示在檢查圖5的存儲器裝置的連接中的缺陷期間使用的位的實例性值的表。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有連接720及用以修復連接中的缺陷的電路的存 儲器裝置的圖示。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的系統(tǒng)的框圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的實施例檢查并修復裸片堆疊中的連接中的缺陷的方法的流 程圖。
具體實施例方式圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的設備100的框圖,其包含裝置101、102、103及104 以及連接120及121。連接120及121可包含導電連接。裝置101、102、103及104可經(jīng)由 連接120彼此通信并經(jīng)由接口電路110與其它外部裝置(例如,處理器、存儲器控制器或其 它裝置)通信。圖1以框圖顯示裝置101、102、103及104。實際上,這些裝置可在物理上布置成堆 疊,且連接120及121可對應于延伸穿過這些設備的傳導路徑。本發(fā)明人已注意到,例如機 械缺陷、電缺陷或兩者等因素可使得連接120及121的一個或一個以上部分無用。因此,本發(fā)明人已如下文所述發(fā)明了各種設備、系統(tǒng)及方法來檢查缺陷并修復缺陷,從而可避免丟棄整個堆疊且可改良良率。在圖1中,設備100可使用連接120及121來傳送例如數(shù)據(jù)、地址、控制信息及其它 信息。連接121可包含許多部分,例如部分131、132、133、134、141、142、151、152、161、162、 171、172、173、197、198及199。這些部分中的每一者可包含導電路徑。連接121可包含連 接120及額外部分123。除使用連接120來在裝置101、102、103及104之間傳送信息外,設 備100可使用額外部分123來在接口電路110與外部裝置(例如,處理器、存儲器控制器、 或其它裝置)之間傳送額外信息(例如,額外數(shù)據(jù)及控制信息及其它信息)。部分131、132、133、134、141、142、151、152、161、162、171、172、173、197、198 及 199 中的每一者可包含傳導路徑來傳送信息。這些部分可形成不同的總線來傳送不同類型的 信息。舉例來說,部分131、132、133及134可形成數(shù)據(jù)總線來傳送表示待存儲于裝置101、 102、103及104中的數(shù)據(jù)或從裝置101、102、103及104讀取的數(shù)據(jù)的信息。部分141及142 可形成地址總線來傳送表示裝置101、102、103及104中可存儲數(shù)據(jù)的位置的地址的信息。 部分151及152可形成控制總線來傳送控制信息以控制設備100的操作。部分161及162 可形成電源總線來將電力(例如,電壓Vcc及Vss,Vss可包含接地)提供到裝置101、102、 103及104。部分171、172及173可形成用于提供信息(例如,測試位)來檢查設備100中 的連接120及121中的缺陷的總線。部分197、198及199可對應于備用部分。設備100可使用部分197、198及199來 修復連接120及121中的一個或一個以上有缺陷部分。設備100可包含電路及活動(類似 于或相同于下文參考圖2到圖9所述的那些電路及活動)來檢查連接120及121中的缺陷 并修復連接120及121中的缺陷。圖1顯示具有特定數(shù)目個部分的連接120及121作為實例。連接120及121的部 分的數(shù)目可變化。舉例來說,連接120可包含數(shù)十、數(shù)百或數(shù)千個部分,以使得連接120可 包含數(shù)百或數(shù)千個經(jīng)過堆疊中的裸片的傳導路徑。圖1顯示其中部分197、198及199(可 用作備用部分)散布于其它部分之間的實例。然而,部分197、198及199的位置可以是連 接120及121內(nèi)的任一處。在圖1中,設備100可僅包含單個存儲器裝置,以使得所述單個存儲器裝置的各個 部分可分布于裝置101、102、103及104之間,其中裝置101、102、103及104中的每一者可 僅包含所述單個存儲器裝置的一部分(而非整個所述存儲器裝置)。設備100還可包含多 個存儲器裝置,其中裝置101、102、103及104中的每一者本身可包含存儲器裝置。因此,設 備100可包含(例如)四個存儲器設備,裝置101、102、103及104中的每一者中一個存儲 器裝置。設備100的裝置101、102、103及104中的每一者可包含存儲器裝置的一部分或整 個所述存儲器裝置,例如下文圖2到圖9中所示的存儲器裝置。圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有連接220的存儲器裝置222的框圖。存儲器裝 置222可與圖1的裝置101、102、103及104中的一者或一者以上相關(guān)聯(lián)。圖2的連接220 可與圖1的連接120相關(guān)聯(lián)。如圖2中所示,存儲器裝置222可包含存儲器單元陣列235, 其用以存儲信息;解碼電路236,其用以存取存儲器單元陣列235 ;I/O (輸入/輸出)電路 237,其用以將信息傳送到存儲器單元存儲器陣列235并從存儲器單元存儲器陣列235傳送信息;及控制電路238,其用以控制存儲器裝置222的操作,例如讀取及寫入操作。存儲器 裝置222可包含動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)裝置、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)裝置、快閃 存儲器裝置、或其它存儲器裝置、或這些存儲器裝置的組合。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于認 識到,存儲器裝置222可包含其它組件,未顯示所述組件以幫助集中于本文中所述的實施 例。在一些情況中,存儲器裝置222的一些組件可分布于同一裸片堆疊的多個半導體裸片 之間。舉例來說,存儲器單元陣列235及解碼電路236可分布于僅一個裸片處,且I/O電路 237及控制電路238中的至少一部分可分布于一個或一個以上額外裸片處。存儲器裝置222可包含至少一個裸片及多個連接,例如圖3中所述的裸片及連接。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有裸片305及若干連接320的存儲器裝置333的 局部橫截面。存儲器裝置333可包含電路311。為清楚起見,圖3以橫截面圖解說明顯示連 接320且以框解說明顯示電路311。此揭示內(nèi)容中的圖式中的特征可以夸大的尺寸顯 示。當所述特征是以橫截面圖顯示時,所述圖式中所述的一些或全部特征可不具有截線符 號(交叉陰影線)。在圖3中,連接320可對應于圖1的連接120及圖2的連接220。圖3的裸片305 可包含其中可形成電路311的半導體材料(例如,硅)306。電路311可包含電路組件312, 所述電路組件可包含存儲器單元陣列、解碼電路、控制電路及存儲器裝置333的其它電路 組件。存儲器裝置333可使用連接320來將信息傳送到電路組件312并從電路組件312傳 送信息。如圖3中所示,連接320可包含延伸穿過裸片305的數(shù)個導通孔325 (有時稱為通 孔)??捎脗鲗Р牧?26填充導通孔325以形成連接320的數(shù)個部分,例如部分331、332、 341、342及399??墒褂盟鶎兕I(lǐng)域的技術(shù)人員已知的技術(shù)形成存儲器裝置333。舉例來說, 可通過蝕刻穿過裸片305或通過向裸片305施加激光來形成包含導通孔325的連接120。 在導通孔325形成之后,傳導材料(例如多晶硅、金屬(例如,銅)或金屬合金)可填充導 通孔325以形成連接320。圖3顯示具有一個裸片(例如裸片305)的存儲器裝置333作為實例。存儲器裝 置333可包含布置成堆疊且由集成電路(IC)封裝覆蓋的多個裸片,例如圖4中所示的存儲
器裝置。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有布置成堆疊407的裸片401、402、403及404以 及經(jīng)過所述裸片的連接420的IC封裝400的局部橫截面。IC封裝400也可稱為IC芯片, 其中裸片401、402、403及404在所述IC芯片內(nèi)部。裸片401、402、403及404可形成存儲 器裝置444。裸片401、402、403及404中的每一者可包含類似于或相同于圖3的裸片305 的裸片。因此,裸片401、402、403及404中的每一者可包含具有電路組件的電路,所述電路 組件例如是存儲器單元、解碼電路、控制電路及類似于或相同于圖3的存儲器裝置333的電 路311及電路組件312或類似于或相同于圖2的存儲器裝置222的那些電路及電路組件的 其它電路組件。為清楚起見,圖4省略了存儲器裝置444的電路及電路組件。IC封裝400可包含耦合到存儲器裝置444的支座440。支座440可包含陶瓷或有 機封裝襯底。觸點421可耦合到支座440以使得存儲器裝置444能夠與另一裝置(例如處 理器或存儲器控制器)通信。觸點421可以是連接(例如圖1的連接121)的一部分。在 圖4中,IC封裝400可包含外殼460,所述外殼可將支座440及存儲器裝置444的至少一部 分封入內(nèi)部部分462中。可用填充材料、氣體、液體或其組合填充內(nèi)部部分462。所述填充材料可包含聚合物材料。如圖4中所示,連接420可包含數(shù)個部分431、432、441、442及499。出于圖解說明 目的,如圖4中所示,連接420的每一部分可包含具有經(jīng)過堆疊407中的裸片401、402、403 及404的傳導路徑(在圖4中顯示為虛線)的部分。
如上所述,存儲器裝置444可包含電路組件,例如存儲器單元、解碼電路、控制電 路及其它電路組件,圖4中未顯示所述電路組件但所述電路組件可類似于或相同于圖2的 那些電路組件。存儲器裝置444的那些電路組件可分布于裸片401、402、403及404之間。 舉例來說,存儲器裝置444的存儲器單元可僅位于裸片401、402及403處且不位于裸片404 處。因此,裸片404可不包含像裸片401、402及403 —樣的存儲器單元。然而,裸片404 可包含控制電路的一部分、接口電路的一部分或存儲器裝置444的整個控制電路及接口電 路。所述接口電路(其可位于裸片404處)可類似于或相同于圖1的接口電路110。所述 接口電路可包含電路組件(例如,緩沖器及I/O驅(qū)動器)以容許在存儲器裝置444與另一 裝置(例如處理器或存儲器控制器)之間以適合的數(shù)據(jù)傳送速率傳送信息??蓡为毜匦纬陕闫?01、402、403及404,且然后可如圖4中所示按堆疊407布置單 獨的裸片??稍谶B接420的每一部分中形成接頭438。如圖4中所示,裸片401、402、403及 404可具有相等的大小或大致相等的大小且可垂直地堆疊于支座440上或相對于支座440 垂直地堆疊。換句話說,裸片401、402、403及404可沿垂至于支座440的方向堆疊。每一接 頭438可位于兩個裸片之間。接頭438可包含兩個結(jié)合墊412及導電材料414。傳導材料 414可包含焊料、銅或傳導黏合劑??墒褂盟鶎兕I(lǐng)域的技術(shù)人員已知的技術(shù)形成裸片401、 402,403及404的堆疊407。舉例來說,可以倒裝芯片方式形成堆疊407,在所述倒裝芯片方 式中,可使用裸片401作為基底,然后可將裸片402堆疊于裸片401上,然后可將裸片403 堆疊于裸片403上,且最后可將裸片404堆疊于裸片403上??墒褂美鐐鲗Р牧?14的 傳導材料(例如,焊料)來在堆疊所述裸片時將一個裸片的結(jié)合墊(例如,結(jié)合墊412)結(jié) 合到另一裸片的結(jié)合墊。在已堆疊所述裸片之后,可使其翻轉(zhuǎn)過來并然后將其附接(例如, 附接裸片404)到支座(例如支座440)。圖4顯示其中存儲器裝置444以所謂的“倒裝芯 片”布置來布置的IC封裝400的實例。然而,IC封裝400可針對存儲器裝置444具有其它 布置。在一些情況中,連接420的至少一部分可以是有缺陷的。舉例來說,部分431、432、 441、442及499中的至少一者可具有相對高電阻(例如,不具有充足的傳導材料來完全填充 導通孔)、可以是開口(例如,傳導材料的某一部分內(nèi)的間隙)、接地短路(例如,到Vss)、或 接電源短路(例如,Vcc),此表示這些部分中的至少一者有缺陷。在實施例中,IC封裝400 包含電路來檢查缺陷并修復缺陷,以使得堆疊407仍可使用且避免被丟棄(即使有缺陷部 分在修復之后仍可存在)。因此,由于IC封裝400可包含電路來檢查連接420中的缺陷并 修復連接420中的缺陷,因此在存儲器裝置444的一個或一個以上電路組件(例如,存儲器 單元、解碼電路、控制電路及其它電路組件)操作時連接420的有缺陷部分仍可保持在連接 420中(但可由無缺陷部分替換)。在IC封裝400中,用以檢查缺陷并修復缺陷的電路可 類似于或相同于圖5到圖7的那些電路。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有連接520及用以檢查連接520中的缺陷的電路 511及512的存儲器裝置555的局部橫截面。為清楚起見,圖5以橫截面圖解說明顯示連接520且以框解說明顯示電路511及512。存儲器裝置555可與圖4的存儲器裝置444相關(guān)聯(lián)或可形成存儲器裝置444的一 部分。因此,存儲器裝置555可包含以類似于或相同于圖4的存儲器裝置444的堆疊407的 堆疊布置的裸片。在圖5中顯示僅具有兩個裸片505及506的存儲器裝置555作為實例。 連接520的至少一些部分及電路511可形成于裸片505上,且連接520的至少一些其它部分 及電路512可形成于裸片506上。裸片505及506中的每一者可與圖3的裸片305或圖4 的裸片401、402、403及404中的一者相關(guān)聯(lián)。圖5中的連接520可對應于圖1到圖4中所 示的連接120、220、320或420至少一些部分。圖5顯示其中連接520可包含部分531、532、 571、572、573及599的實例,所述部分可以類似于或相同于部分331、341、342及399 (圖3) 經(jīng)過裸片305的方式經(jīng)過裸片505。為清楚起見,圖5僅顯示部分531、532、571、572、573及 599中的每一者的一部分。連接520還可包含部分541、542、581、582、583及589,所述部分 可以類似于或相同于部分331、341、342及399 (圖3)經(jīng)過裸片305的方式經(jīng)過裸片506。為 清楚起見,圖5僅顯示部分541、542、581、582、583及589中的每一者的一部分。部分531、 532、571、572、573及599可分別耦合到對應部分541、542、581、582、583及589以形成經(jīng)過 裸片505及506的數(shù)個傳導路徑。舉例來說,部分571可耦合(在圖5中象征性地顯示為部 分571與581之間的線耦合)到部分581以形成類似于或相同于圖4中經(jīng)過裸片401、402、 403及404的傳導路徑(在圖4中顯示為虛線)中的兩者的傳導路徑。在另一實例中,部分 531可耦合到部分541以形成類似于圖4中經(jīng)過裸片401、402、403及404的傳導路徑(在 圖4中顯示為虛線)的傳導路徑。為清楚起見,圖5僅顯示部分571與對應部分581之間 的一個耦合(例如,線)。在圖5中為清楚起見而未顯示其它部分之間的耦合(例如,線)。 連接520還可包含許多額外部分,所述額外部分類似于或相同于裸片505的部分531、532、 571、572、573及599以及裸片506的部分541、542、581、582、583及589,為清楚起見而從圖 5省略了所述額外部分。如圖5中所示,部分571可包含復制品部分,所述復制品部分是彼此連接且連接到 相同電路組件的相同部分的兩個實例。類似地,部分572、部分573、部分581、部分582及 部分583可包含復制品部分。存儲器裝置555可使用連接520的一些指定部分來開始測 試(或在測試期間)。因此,如果所述指定部分中的一者或一者以上在所述測試開始之前 有缺陷,那么所述測試本身可能難以開始。在圖5中,存儲器裝置555可在測試期間使用部 分571、572、573、581、582及583 (例如,用作指定部分)來檢查連接520的其它部分中的缺 陷。因此,制成部分571、572、573、581、582及583的復制品可允許將執(zhí)行所述測試,即使部 分571中的一者、部分572中的一者、部分573中的一者、部分581中的一者、部分582中的 一者及/或部分583中的一者在所述測試開始之前有缺陷。在圖5中,部分599可用作備用部分來修復(例如,將用于重新路由)有缺陷部分。 舉例來說,部分599可用于在部分531或532有缺陷的情況下替換部分531或532。下文參 考圖7更詳細地描述修復缺陷。在圖5中,電路511及512可如下檢查連接520中的缺陷。裸片505的電路511可包含e掃描單元551、552及559。電路512可包含類似于 或相同于掃描單元551、552及559的掃描單元。電路511的掃描單元551、552及559中的 每一者可耦合到部分531、532及559中的一者。圖5顯示僅具有三個部分531、532及559 以及三個對應掃描單元551、552及559的存儲器裝置555的實例。然而,存儲器裝置555
8可包含許多其它部分及類似于或相同于圖5中所示的那些對應掃描單元的對應掃描單元。裸片506的電路512可包含掃描邏輯514。圖5顯示位于裸片506中的掃描邏輯 514作為實例。掃描邏輯514的一部分或整個掃描邏輯514可位于裸片505中或位于裸片 505加上存儲器裝置555的一個或一個以上其它裸片中。因此,掃描邏輯514可位于存儲 器裝置555的一個或一個以上裸片中。此外,替代整個位于存儲器裝置555中,掃描邏輯 514的至少一部分可位于存儲器裝置555外部的測試設備中。在本文中的說明中,“組件的 至少一部分”意指僅所述組件的一部分或整個所述組件。舉例來說,“掃描邏輯的至少一部 分”(例如掃描邏輯514)意指僅所述掃描邏輯的一部分或整個所述掃描邏輯。因此,在圖5 中,雖然將掃描邏輯514顯示為位于存儲器裝置555內(nèi),但掃描邏輯514的至少一部分(僅 掃描邏輯514的一部分或整個掃描邏輯514)可位于存儲器裝置555及測試設備中的至少 一者中,此意指掃描邏輯514的一部分可位于存儲器裝置555中且掃描邏輯514的另一部 分可位于測試設備中,或整個掃描邏輯514可位于存儲器裝置555內(nèi)或測試設備中。掃描邏輯514可掃描連接520以檢查缺陷。掃描邏輯514可在掃描期間使用掃描 信息517。掃描信息517可包含例如掃描位(例如,測試位)等信息,其中所述掃描位可形 成一個或一個以上位模式。掃描信息517中的掃描位可臨時地或永久地存儲于掃描邏輯 514中。在檢查缺陷期間,掃描邏輯514可使用掃描信息517中的掃描位中的至少一些作為 輸入數(shù)據(jù)位并傳送所述輸入數(shù)據(jù)位穿過連接520的一個或一個以上部分。掃描邏輯514可 在連接520的另一部分處獲得輸出數(shù)據(jù)位(基于輸入數(shù)據(jù)位),且然后將所述輸入數(shù)據(jù)位的 值與輸出數(shù)據(jù)位的值相比較以確定連接520的一個或一個以上部分是否有缺陷。掃描單元551、552及559可形成并列加載移位寄存器,其具有加載模式以在部分 531,532及559處接收輸入數(shù)據(jù)位D1、D2及D3,及移位模式以將位D1、D2及D3移位出所述 移位寄存器到達部分573。部分573處的信號SD。ut可表示輸出數(shù)據(jù)位D1ott、D2out及D3QUT, 掃描邏輯514還可包含信號SaK及SEN??蓪en信號提供到啟用掃描單元551、552及559中的每一者的載入端子LOAD/ SHIFT以使得這些掃描單元在檢查部分531、532及599中的缺陷期間處于加載模式或移位 模式中。舉例來說,當Sen信號具有第一信號電平(例如,低)時,掃描單元551、552及559 可處于加載模式中。當Sen信號具有第二信號位準(例如,高)時,掃描單元551、552及559 可處于移位模式中。在加載模式中,可在每一掃描單元的對應輸入Din處將位D1、D2及D3 并列提供(例如,加載)到掃描單元551、552及559。因此,在加載模式中,掃描單元551、 552及559可分別含有位D1、D2及D3。且然后,在移位模式中,掃描單元551、552及559可 將位Dl、D2及D3逐個(例如,從圖5的左到右)移位到部分573,在部分573處可獲得位 D1。UT、D2qut、and D30UT (例如,由掃描邏輯514獲得。)圖5中的Sm信號可表示時鐘信號且可提供到掃描單元551、552及559中的每一 者的時鐘端子CK??芍貜陀|發(fā)所述Sm信號以允許這些掃描單元將位Dl、D2及D3逐個移 位到部分573。舉例來說,當掃描單元551、552及559處于移位模式中時,可觸發(fā)所述sM 信號三次以允許掃描單元551、552及559穿過掃描單元551、552及559的端子Sin及Squt 連續(xù)移位三個位且然后移位到部分573。部分573處的SD。ut信號(其表示位D1qut、D2qut及D3QUT)可饋送掃描邏輯514,以使 得掃描邏輯514可將D1ott、D2ott及D3ott的值與位D1、D2及D3的值相比較來確定部分531、532及599中的任一者是否可能有缺陷。舉例來說,如果位D1ott、D2ott及D3OTT的值與位D1、 D2及D3的值相匹配,那么部分531、532及599中無一者有缺陷。如果位D1OTT、D2OTT及D3QUT 的值與位D1、D2及D3的值不相匹配,那么部分531、532及599中的一者或一者以上可能有缺陷。圖6是顯示在檢查圖5的存儲器裝置555的連接520中的缺陷期間使用的位D1、 D2、D3以及位D1out、D2out及D3out的實例性值的表600。如表600中所示,位D1、D2及D3 (輸 入位)可具有兩個不同的實例性值610及620 (輸入值),這兩個不同的實例性值可在對應 于兩個不同的掃描實例的兩個不同的時間提供到連接520的部分531、532及599 (圖5)。 值610及620中的每一者可包含數(shù)個(例如,三個)二進制數(shù)字,其中所述二進制數(shù)字中 的每一者可包含“0”或“1”位值。在一個掃描期間,可將具有三個位(具有值“1”、“0”及 “1”)的值610分別提供到部分531、532及599。在另一掃描期間,可將具有三個位(具有 值“0”、“1”及“0”)的值620分別提供到部分531,532及599。表600還顯示可在掃描期間獲得的位D1qut、D2qut及D3QUT (輸出位)之各種可能值。 舉例來說,可在其中將具有值610的位D1、D2及D3提供到連接520的掃描期間獲得值611、 612,613或614 (輸出值)。在另一實例中,可在其中將具有值620的位D1、D2及D3提供到 連接520的另一掃描期間獲得值621、622、623或624。在表600中,位D1QUT的值是基于基 于位D1的值獲得,位D2ot是基于位D1的值獲得,位的值是基于位D3的值獲得。電路511 (圖5)可基于值610與對應值611、612、613或614之間的位與位比較確 定連接520的哪一部分(如果存在)有缺陷。類似地,電路511還可基于值620的每一位 與值621、622、623,或624的對應位之間的位與位比較確定連接520的哪一部分(如果存 在)有缺陷。舉例來說,如果在掃描期間將圖6的值610提供到部分531、532及599且獲得值 611,那么部分531、532及599中無一者有缺陷,因為值610與611相匹配。然而,如果在掃 描期間將值610提供到部分531、532及599且獲得值612、613或614,那么部分531、532及 599中的一者可能有缺陷,因為值610與值612、613及614中的每一者不相匹配。舉例來 說,如果將值610提供到部分531、532及599且獲得值612,那么部分531可能有缺陷,因為 位D1 (提供到部分531)的值為“ 1 ”,而位D1out的值為“0”,其與位D1的值“0”不相匹配。 在另一實例中,如果將值610提供到部分531、532及599且獲得值613,那么部分599可能 有缺陷,因為位D3(提供到部分599)的值為“1”,而位D3qut的值為“0”,其與位D3的值“1” 不相匹配。在另一實例中,如果將值610提供到部分531、532及599且獲得值614,那么部 分532可能有缺陷,因為位D2(提供到部分532)的值為“0”,而位D2QUT的值為“1”,其與位 D2的值“0”不相匹配。類似于以上實例,如果在掃描期間將值620提供到部分531、532及599且獲得值 621,那么部分531、532及599中無一者有缺陷,因為值620與621相匹配。然而,如果獲得 值612,613或614,那么部分531,599及532中的一者可能有缺陷,因為值620 ( “0”、“1”、 “0”)與值 622( “1”、“1”、“0”)、623( “0”、“1”、“1”)及 624( “1”、“0”、“1”)中的每一者
不相匹配。在以上實例中,表600僅顯示D1、D2及D3的一些值以及D1QUT、D2QUT及D3QUT之一些 值??墒褂肈l、D2及D3的其它值(例如,其它二進制組合),且可獲得D1ott、D2out及D3QUT的其它值。所述其它值可包含在表600中的以上實例中使用的其它數(shù)目個位(例如,不同于3個位)。如果使用其它值,那么掃描邏輯514還可使用類似于以上實例中所述的那些活 動的活動確定連接520中的一個或一個以上部分是否可以有缺陷。在確定連接520的一部分有缺陷之后,電路511可用無缺陷部分(例如,備用部 分)替換所述有缺陷部分,以便裝置555仍可使用且避免被丟棄。舉例來說,如果確定部分 531有缺陷且部分599無缺陷,那么電路511便可用部分599替換部分531。在此實例中, 當存儲器裝置555操作時,部分531 (雖然其是有缺陷部分)保持在連接520中,因為其由 部分599 (無缺陷部分)替換。電路511可包含電路組件(在圖5中為清楚起見而未顯示其)以修復連接520的 有缺陷部分。這些電路組件可類似于或相同于下文參考圖7所述的那些電路組件。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例具有連接720及用以修復連接720中的缺陷的電路 711的存儲器裝置777的圖示。為清楚起見,圖7以橫截面圖解說明顯示連接720且以框圖 圖解說明顯示電路711。存儲器裝置777可與圖4的存儲器裝置444相關(guān)聯(lián)或可形成圖4的存儲器裝置 444的一部分。因此,存儲器裝置777可包含布置成類似于或相同于圖4的存儲器裝置444 的堆疊407的堆疊的裸片。存儲器裝置777還可與圖5的存儲器裝置555相關(guān)聯(lián)。存儲器裝置777可包含其中可形成連接720及電路711的至少一些部分的裸片 705。裸片705可與圖3的裸片305、圖4的裸片401、402、403及404中的一者或圖5的裸 片505相關(guān)聯(lián)。圖7中的連接720可對應于圖1到圖5中所示的連接120、220、320、420或 520的至少一些部分。圖7顯示其中連接720可包含部分731、732及799的實例,所述部分 可以類似于或相同于部分331、341、342及399 (圖3)經(jīng)過裸片305的方式經(jīng)過裸片705。 為清楚起見,圖7僅顯示部分731、732及799中的每一者的一部分。此外,連接720可包含 許多其它部分,為清楚起見而從圖7省略了所述其它部分。存儲器裝置777可以類似于或相同于圖5的那些方式的方式包含電路組件以檢查 連接720中的缺陷。舉例來說,存儲器裝置777可包含掃描單元及掃描邏輯(類似于或相 同于圖5的掃描單元551、552及559以及掃描514邏輯),在圖7中為清楚起見而未顯示所 述電路組件。如圖7中所示,存儲器裝置777可包含修復邏輯712及重新路由邏輯713,并 修復連接720中的缺陷。修復邏輯712可設定指示以基于檢查缺陷的結(jié)果來指示部分731、732及799中的 哪一者可以是有缺陷部分,所述檢查缺陷可能已由存儲器裝置777的組件(例如,掃描邏輯 及掃描單元)或由存儲器裝置777外部的測試設備執(zhí)行。重新路由邏輯713可辨識部分731、732及799中的哪一者可以是有缺陷部分,并 將待在連接720的有缺陷部分上傳送的信息(例如,重新路由信號)適合地重新路由到連 接720的無缺陷(例如,替換)部分。存儲器裝置777可包含與連接720的部分731、732及799相關(guān)聯(lián)的電路單元741、 742及749以及信號路徑751、752及759。如圖7中所示,信號路徑751可包含兩個段。信 號路徑751的第一個段可借助對應電路單元741耦合于部分731與重新路由邏輯713之 間。信號路徑751的第二個段可耦合于重新路由邏輯713與電路組件715之間。類似地, 如圖7中所述,信號路徑752及759中的每一者可包含耦合到部分732及799、重新路由邏輯713及電路組件715的段。電路組件715可包含存儲器單元、解碼電路、控制電路或存儲器裝置的可類似于 或相同于組件(例如圖2的存儲器裝置200的存儲器單元235、解碼電路236及控制電路 238)的其它組件。存儲器裝置777可使用信號路徑751、752及759來在連接720與電路 組件715之間傳送信息。所述信息可包含例如將寫入到存儲器單元中或從存儲器單元讀取 的數(shù)據(jù)的信息、將提供到解碼電路的地址信息或用以控制存儲器裝置777的電路的控制信 息。因此,信號路徑751、752及759中的每一者可以是單向信號路徑以沿從連接720到電 路組件715或從電路組件715到連接720的一個方向傳送信息。信號路徑751、752及759 中的每一者還可以是雙向信號路徑以沿從連接720到電路組件715及從電路組件715到連 接720的兩個方向傳送信息。電路單元741、742及749中的每一者可包含接收器、發(fā)射器、或接收器及發(fā)射器 兩者的組合。舉例來說,電路單元741、742及749中的每一者可包含接收器以從連接720 的對應部分(例如,部分731、732及799中的一者)接收信息(例如,數(shù)據(jù)、地址或控制信 息),其中所述信息可然后由重新路由邏輯713傳送到電路組件715。在另一實例中,電路 單元741、742及749中的每一者還可包含發(fā)射器以將信息(例如,數(shù)據(jù)或控制信息)發(fā)送 到連接720的對應部分,其中所述信息可源自電路組件715且然后由重新路由邏輯713傳 送到所述對應部分。在另一實例中,電路單元741、742及749中的每一者可包含接收器及 發(fā)射器(例如,收發(fā)器)兩者以從對應部分接收信息或?qū)⑿畔l(fā)送到對應部分。存儲器裝 置777可基于所述對應部分(例如,部分731、732及799中的一者)有缺陷或無缺陷來啟 用或停用電路單元741、742及749中的一者或一者以上,如下文所述。修復邏輯712可使用寄存器761、762及769來設定指示以指示部分731、732及 799中的哪一者有缺陷及哪一者無缺陷。如圖7中所示,寄存器761、762及769中的每一者 可與電路單元741、742及749中的一者以及連接720的部分731、732及799中的一者相關(guān) 聯(lián)。寄存器761、762及769中的每一者可存儲值(例如,狀態(tài))。修復邏輯712可在寄存器 761,762及769中的每一者中設定指示以指示連接720的哪一部分有缺陷及哪一部分無缺 陷。舉例來說,寄存器761、762及769中的每一者可通過存儲具有值“0”或“ 1”的單個位 來設定所述指示。在此實例中,如果連接720中與寄存器761、762及769中的每一者相關(guān) 聯(lián)的部分(部分731、732及799中的一者)有缺陷,那么修復邏輯712便可將所述寄存器 中的值(例如,狀態(tài))設定為第一值(例如,“0”),且如果連接720中與所述寄存器相關(guān)聯(lián) 的部分無缺陷,那么便將所述值設定為第二值(例如,“1”)。修復邏輯712可與檢查缺陷 的掃描邏輯(例如,類似于或相同于圖5的掃描邏輯514的掃描邏輯)通信以基于檢查缺 陷的結(jié)果來設定寄存器761、762及769中的值。重新路由邏輯713可基于寄存器761、762及769中的值將待在有缺陷部分上傳送 的信息重新路由到無缺陷部分。舉例來說,重新路由邏輯713可經(jīng)配置以使得在部分731或 732有缺陷且部分799無缺陷的情況下,其可將待在部分731或732上傳送的信息重新路由 到部分799。重新路由邏輯713可包含多路復用網(wǎng)絡,所述多路復用網(wǎng)絡可基于端子CTL1、 CLT2及CTL3處的控制信號(例如,多路復用控制信號)來在其端子DATA1、DATA2及DATA3 處重新路由信息。如圖7中所示,端子CTL1、CLT2及CTL3可耦合到線781、782及789,其中 這些線可具有對應于寄存器761、762及769中的值的信號值。因此,端子CTL1、CLT2及CTL3也可具有對應于寄存器761、762及769中的值的信號值。由于寄存器761、762及769中的 值可指示連接的哪一部分有缺陷及連接的哪一部分無缺陷,因此端子CTL1、CLT2及CTL3處 的信號值可允許重新路由邏輯713辨識哪一部分有缺陷及哪一部分無缺陷,從而其可將待 在有缺陷部分上傳送的信息適合地重新路由到無缺陷部分。寄存器761、762及769中的每一者可基于存儲于所述寄存器中的信息的值來啟用或停用電路單元741、742及743中的對應者(例如,借助電路單元的端子EN上的信號)。舉 例來說,寄存器761可在寄存器中的值為“0”時啟用電路單元741,且在寄存器中的值為“ 1” 時停用電路單元741。在寄存器761、762及769中的一者啟用對應電路單元時,所述寄存器 可允許所述對應電路單元在所述電路單元的DATAa與DATAb端子之間傳送信息(例如,數(shù) 據(jù))。重新路由邏輯713可使用對應信號路徑(信號路徑751、752及759中的一者)借助 對應的已啟用電路單元在部分731、732及799中的一者與電路組件715之間傳送信息。舉 例來說,在寄存器761啟用電路單元741 (例如,在寄存器761中為“1”)時,寄存器761可 允許電路單元741在其DATAa與DATAb端子之間傳送信息。因此,重新路由邏輯713可使 用信號路徑751(借助已啟用電路單元741)在部分731與電路組件715之間傳送信息。在 寄存器761、762及769中的一者停用對應電路單元時,所述寄存器可防止所述對應電路單 元在DATAa與DATAb端子之間傳送信息(例如,數(shù)據(jù)),從而可防止所述信息(通過重新路 由邏輯713)在連接的對應部分(有缺陷部分)與電路組件715之間傳送。舉例來說,在寄 存器761停用電路單元741時(例如,在所述寄存器中為“0” ),寄存器761可防止電路單 元741在其DATAa與DATAb端子之間傳送信息。因此,重新路由邏輯713還可防止在部分 731與電路組件715之間傳送信息,因為電路單元741被停用。在電路單元741、742及743 中的一者被停用時,存儲器裝置777可將所述已停用電路單元的DATAa及DATAb端子中的 一者或兩者耦合到固定狀態(tài)(例如,耦合到供電電壓Vcc或耦合到接地)以防止DATAa及 DATAb端子中的一者或兩者“浮動”。存儲器裝置777還可切斷所述已停用電路單元的電力 以節(jié)省電力。以下實例描述存儲器裝置777可執(zhí)行以修復連接720的有缺陷部分的活動。在此 實例中,假定部分731為存儲器裝置777可已確定為有缺陷的有缺陷部分(例如,通過使 用類似于或相同于以上參考圖5所述的那些電路及活動的電路及活動來檢查缺陷)?;?此實例,修復邏輯712可分別用值“0”、“1”及“1”來設定寄存器761、762及769,以指示部 分731有缺陷(對應于具有值“0”的寄存器761)且部分732及799無缺陷(對應于具有 “1”值的寄存器761及769)。因此,在此實例中,寄存器761可停用電路單元741以防止其 傳送信息。寄存器762及769可啟用電路單元742及769以允許其傳送信息。重新路由邏 輯713可經(jīng)配置以使得其可在部分731或732有缺陷的情況下將待在部分731或732上傳 送的信息重新路由到部分799。在此實例中,由于部分731有缺陷,因此重新路由邏輯713 可基于端子CTL1、CLT2及CTL3處的控制值來將待在部分731上傳送的信息重新路由到部 分799。在此實例中,所述控制值可反映寄存器761、762及769中的值(例如,值“0”、“1” 及“ 1 ”)。由于端子CTLl、CLT2及CTL3具有值“0”、“ 1 ”及“ 1 ”,因此重新路由邏輯713可 將打算待在信號路徑751 (與有缺陷部分731相關(guān)聯(lián))上傳送的信息重新路由到信號路徑 759 (與替換部分相關(guān)聯(lián))。如上所述,存儲器裝置777可包含布置成類似于或相同于圖4的存儲器裝置444的堆疊407的堆疊的裸片。因此,圖7的存儲器裝置777可包含其它裸片,其中所述其它裸 片中的每一者可具有包含類似于或相同于裸片705的修復邏輯712及重新路由邏輯713的 修復邏輯及重新路由邏輯的電路。圖7中的連接720還可耦合到存儲器裝置777的其它裸 片(除圖7的裸片705外)以形成類似于或相同于經(jīng)過圖4中的裸片401、402、403及404 的傳導路徑(在圖4中顯示為虛線)的傳導路徑。舉例來說,圖7的部分731、732及799 還可耦合到存儲器裝置777的其它裸片的其它對應部分(類似于或相同于部分731、732及 799的部分)以形成經(jīng)過存儲器裝置777的裸片的傳導路徑。如果形成特定傳導路徑的部 分之間的一個部分(例如,圖7的裸片705的部分731)有缺陷,那么可能必須替換不僅所述 有缺陷部分而是形成所述特定傳導路徑的所有部分以允許信號在裸片存儲器裝置777之 間傳送的連續(xù)。如果僅具有有缺陷部分的裸片替換所述有缺陷部分(部分之間的與其它裸 片形成同一傳導路徑的部分),那么信號在裸片之間傳送的不連續(xù)性可能出現(xiàn),因為具有有 缺陷部分的所述裸片可將信號重新路由到新的部分(例如,替換部分),而其它裸片任可使 用形成所述傳導路徑的相同部分路由信號,其仍具有有缺陷部分。因此,在圖7中,當裸片 705指示連接720的一部分有缺陷(例如,裸片705的部分731)時,存儲器裝置777的其它 裸片中的每一者也可指示對應部分(耦合到裸片705的有缺陷部分的部分,例如部分731) 有缺陷,即使所述其它裸片中的每一者的對應部分可能無缺陷。給予存儲器裝置777的裸 片之間的對應部分(形成同一傳導路徑的有缺陷部分及無缺陷部分)相同的指示可允許所 述裸片以相同方式重新路由待傳送到對應部分的信號(重新路由到相同的防止部分),借 此可維持信號在裸片之間的傳送的連續(xù)性以及裸片之間的適合通信。參考圖7,在關(guān)于修復連接720中的缺陷的以上說明中,修復邏輯712可在每次存 儲器裝置777加電(例如,執(zhí)行初始化過程)時設定寄存器761、762及769中的值,以在連 接720具有有缺陷部分時指示連接720的一部分有缺陷。因此,寄存器761、767及769可 能不永久地存儲值以指示連接720的哪一部分有缺陷(例如,在存儲器裝置777斷電時,將 寄存器761、767及769中的值重設為預設值,例如值“ 1”)。修復邏輯712還可包含電路元 件716以永久地指示連接720地哪一部分或哪幾個部分有缺陷。電路組件716可包含元件, 例如反熔絲、快閃存儲器單元或其它元件。電路元件716中的每一者可與連接720的電路 單元741、742及749中的一者以及部分731、732及799中的一者中的一者相關(guān)聯(lián)。基于檢 查缺陷(例如,由掃描邏輯執(zhí)行)的結(jié)果,修復邏輯712可選擇性地設定指示(例如,將值 存儲于快閃存儲器單元中或“燒壞”反熔絲以將所述反熔絲置于兩個不同的部分中)以指 示連接720的哪一部分有缺陷。舉例來說,修復邏輯712可將值存儲于選定快閃存儲器單元中以指示連接720的 與所述選定快閃存儲器單元相關(guān)聯(lián)的一部分有缺陷。在另一實例中,修復邏輯712可將選 定反熔絲設定到閉路位置以指示連接720的與所述選定反熔絲相關(guān)聯(lián)的一部分有缺陷(所 述選定反熔絲可能處于開路位置(例如,預設位置)以指示所述部分無缺陷)。如所屬領(lǐng) 域的技術(shù)人員所已知,反熔絲通??赡芴幱陂_路位置;其可(例如)通過向所述反熔絲的端 子施加相對高的電壓(例如,高于存儲器裝置777的電源電壓)而被設定到閉路位置?;?于電路元件716 (例如,反熔絲、快閃存儲器單元或兩者)中的指示,重新路由邏輯713可將 待在連接720的有缺陷部分上傳送的信息適合地重新路由到連接720的無缺陷(替換)部 分。如上所述,重新路由邏輯713可基于端子CTL1、CLT2及CTL3處的控制信號來在其端子
14DATAl、DATA2及DATA3處重新路由信息。端子CTLl、CLT2及CTL3處的控制信號的值可反映電路元件716的指示(例如,快閃存儲器單元中的值或反熔絲的位置),以使得重新路由 邏輯713可以類似于上文所述的那些方式的方式將信息重新路由到連接720的適合部分。修復邏輯712可基于檢查缺陷的結(jié)果來將電路元件716中的指示僅設定一次(例 如,在制造存儲器裝置777的工廠處),從而永久地指示連接720的哪一部分或哪幾個部分 有缺陷。修復邏輯712還可設定寄存器761、762及769中的值以在每次存儲器裝置777加 電時指示連接720的哪一部分或哪幾個部分有缺陷。舉例來說,在存儲器裝置777安裝于 系統(tǒng)(例如計算機或蜂窩式電話)中之后,存儲器裝置777可在每次其加電或接通時檢查 連接720中的缺陷。因此,每次存儲器裝置777加電時,修復邏輯712還可設定寄存器761、 762及769中的值(基于檢查缺陷的結(jié)果)以指示連接720的哪一部分或哪幾個部分有缺 陷。以上參考圖1到圖7的說明描述用以檢查設備及存儲器裝置(例如設備100及存 儲器裝置222、333、444、555及777)中的缺陷并修復檢查設備及存儲器裝置(例如設備100 及存儲器裝置222、333、444、555及777)中的缺陷的電路及活動。所述設備及存儲器裝置 可以是系統(tǒng)(例如圖8的系統(tǒng))的一部分。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的系統(tǒng)800。系統(tǒng)800可包含處理器810、第一存儲 器裝置888、圖像傳感器裝置820、第二存儲器裝置825、存儲器控制器830、圖形控制器840、 額外電路845、輸入及輸出(I/O)控制器850、顯示器852、鍵盤854、指向裝置856、外圍裝 置858及系統(tǒng)收發(fā)器859。系統(tǒng)800還可包含總線860,其用于在系統(tǒng)800的組件之間傳 送信息且將電力提供到這些中的至少一些;電路板802,系統(tǒng)的組件中的一些可附接在所 述電路板處;及天線870,其用于將信息以無線方式發(fā)射到系統(tǒng)800并從系統(tǒng)800以無線方 式接收信息。系統(tǒng)收發(fā)器859可操作以將信息從系統(tǒng)800的所述組件中的一者或一者以上 (例如,處理器810與存儲器裝置825中的至少一者)傳送到天線870。系統(tǒng)收發(fā)器859還 可操作以將于天線870處接收的信息傳送到處理器810與存儲器裝置825及888中的至少 一者中的至少一者。于天線870處接收的信息可借助系統(tǒng)外部的源發(fā)射到系統(tǒng)800。系統(tǒng)800還可包含耦合到總線860的開關(guān)846 (例如,按鈕開關(guān))及電源847以接 通系統(tǒng)800。在每次開關(guān)846接通系統(tǒng)800時,其可將來自位于系統(tǒng)800的所述組件中的至 少一者處的電源847的電力(例如)施加到處理器810、存儲器裝置888或兩者。處理器810可包含通用處理器或?qū)S眉呻娐?ASIC)。處理器810可包含單核處理 器或多核處理器。處理器810可執(zhí)行一個或一個以上編程命令以處理信息。所述信息可包含由 系統(tǒng)800的其它組件(例如由圖像傳感器裝置820或存儲器裝置825)提供的數(shù)字輸出信息。存儲器裝置825及888中的每一者可包含易失性存儲器裝置、非易失性存儲器裝 置或兩者的組合。舉例來說,存儲器裝置825可包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)裝置、靜態(tài) 隨機存取存儲器(SRAM)裝置、快閃存儲器裝置或這些存儲器裝置的組合。存儲器裝置825 及888中的每一者可包含本文中所述的各種實施例中的一者或一者以上,例如上文參考圖 1到圖7所述的設備100以及存儲器裝置222、333、444、555及777。因此,存儲器裝置825 及888中的每一者包含電路及電路組件(類似于或相同于上文參考圖1到圖7所述的那些 電路及電路組件)以檢查存儲器裝置825或888中的連接中的缺陷并修復存儲器裝置825 或888中的連接中的缺陷。存儲器裝置825及888可在每次其上電或通過初始化過程時檢查其中的缺陷并修復其中的缺陷。舉例來說,存儲器裝置825及888可在每次開關(guān)846接 通系統(tǒng)800時檢查缺陷。系統(tǒng)800中的一些組件可一起分組,從而系統(tǒng)800可包含所謂的系統(tǒng)級封裝 (SIP)。舉例來說,至少存儲器裝置888及處理器810可以是SIP 801的一部分或整個SIP 801,其中存儲器裝置888可用作處理器810的快取存儲器(例如,層L1快取、層L2快取、 層L3快取或其組合)。處理器810及存儲器裝置888可借助連接821彼此通信,所述連接 可類似于或相同于圖2的連接121。圖8中的連接821可包含可類似于或相同于圖1到圖 7 的連接 120、220、320、420、520 及 720 的連接。圖像傳感器裝置820可包含具有CMOS像素陣列的互補式金屬氧化物半導體 (CMOS)圖像傳感器或具有電荷耦合式裝置(CCD)像素陣列的CCD圖像傳感器。顯示器852可包含模擬顯示器或數(shù)字顯示器。顯示器852可從其它組件接收信息。 舉例來說,顯示器852可接收由圖像傳感器裝置820、存儲器裝置825、圖形控制器840及處 理器810中的一者或一者以上處理的信息以顯示例如文本或圖像等信息。額外電路845可包含用于車輛中的電路組件。額外電路845可從其它組件接收信 息以啟動所述車輛的一個或一個以上子系統(tǒng)。舉例來說,額外電路845可接收由圖像傳感 器裝置820、存儲器裝置825及處理器810中的一者或一者以上處理的信息以啟動車輛的氣 囊系統(tǒng)、車輛安全警報及障礙警報系統(tǒng)中的一者或一者以上。對設備(例如,設備100以及存儲器裝置222、333、444、555及777)及系統(tǒng)(例 如,系統(tǒng)800)的圖解說明打算提供對各種實施例的結(jié)構(gòu)的一般理解,且并非打算提供對可 能利用本文中所述結(jié)構(gòu)的的設備及系統(tǒng)的所有組件及特征的完全說明。上述組件中的任一者可以數(shù)種方式來實施,包含經(jīng)由軟件的模擬。因此,上文所述 的設備(例如,包含電路、電路組件及其邏輯(例如圖4的掃描邏輯514、圖7的修復及重 新路由邏輯712及713)的設備100以及存儲器裝置222、333、444、555及777)及系統(tǒng)(例 如,系統(tǒng)800的一部分或整個系統(tǒng)800)可在本文中被全部特征化為“模塊”。此類模塊可包 含硬件電路、單處理器及/或多處理器電路、存儲器電路、軟件編程模塊及對象及/或固件 以及其組合,按設備(例如,設備100及存儲器裝置222、333、444、555及777)及系統(tǒng)(例 如,系統(tǒng)800)的架構(gòu)所需要,且適于各種實施例的特定實施方案。舉例來說,此類模塊可包 含于系統(tǒng)操作模擬封裝中,例如軟件電信號模擬封裝、功率使用及分布模擬封裝、電容電感 模擬封裝、功率/熱耗散模擬封裝、信號發(fā)射接收模擬封裝及/或用于操作或模擬各種可能 實施例的操作的軟件及硬件的組合。各種實施例的新穎設備及系統(tǒng)可包含或包含于用于高速計算機、通信及信號處理 電路、單處理器或多處理器模塊、單嵌入式處理器或多嵌入式處理器、多核處理器、數(shù)據(jù)開 關(guān)及包含多層、多芯片模塊的專用模塊中的電子電路中。此類設備及系統(tǒng)可進一步被包含 為各種電子系統(tǒng)內(nèi)的子組件,例如電視、蜂窩式電話、個人計算機(例如,膝上型計算機、桌 上型計算機、手持計算機、平板計算機等)、工作臺、無線電、視頻播放器、音頻播放器(例 如,MP3(運動圖像專家組音頻層3)播放器)、車輛、醫(yī)學裝置(例如,心臟監(jiān)視器、血壓監(jiān)視 器等)、機頂盒及其它電子系統(tǒng)。圖9是根據(jù)本發(fā)明的實施例檢查并替換半導體裸片堆疊中的連接中的缺陷的方 法900的流程圖。方法900可用于上文參考圖1到圖8所述的設備100以及存儲器裝置222、333、444、555、777、825及888中。因此,方法900中所使用的組件可包含上文參考圖 1到圖8所述的設備100以及存儲器裝置222、333、444、555、777、825及888的組件。方法 900還可包含例如檢查缺陷并修復缺陷的活動,所述活動可類似于或相同于上文參考圖1 到圖8所述的那些活動。方法900的活動910可包含檢查耦合到布置成堆疊的裸片的連接中的缺陷。所述 裸片可包含例如存儲器裝置等裝置的組件,以使得所述裸片中的至少一者可包含存儲器單 元陣列。耦合到方法900中的裸片的連接可類似于或相同于上文參考圖1到圖7所述的連 接120、220、320、420、520及720。在活動910中檢查缺陷可包含至少使用耦合到所述連接 的掃描單元掃描所述連接并識別所述連接的有缺陷部分及無缺陷部分。在活動910中檢查 缺陷可類似于或相同于上文參考圖5及圖6所述的活動的那些活動。方法900的活動920可包含在第一部分有缺陷的情況下,用所述連接的第二部分 替換所述連接的第一部分。在活動920中替換所述第一部分可包含指示所述連接的一部分 被確定為有缺陷,并將待在所述有缺陷部分上傳送的信號重新路由到被確定為無缺陷的另 一部分。在方法900中重新路由可包含將信息傳送到所述連接的第一部分(例如,圖1到 圖8的連接120、220、320、420、520、720及821的第一部分),并由于所述第一部分有缺陷而 將所述信息重新路由到所述連接的第二部分(例如,圖1到圖8的連接120、220、320、420、 520、720及821的第二部分)。活動920可在所述堆疊中的裸片被IC封裝(例如,圖4的IC封裝400中的堆疊 507)覆蓋之前、在所述堆疊中的裸片被IC封裝覆蓋之后、或在所述裸片被IC封裝覆蓋之 前及之后均用一個或一個以上無缺陷部分替換一個或一個以上有缺陷部分。舉例來說,活 動920可在所述堆疊中的裸片被IC封裝覆蓋之前在工廠處用一個或一個以上無缺陷部分 替換一個或一個以上有缺陷部分。在另一實例中,活動920可在所述堆疊中的裸片被IC封 裝覆蓋之后用一個或一個以上無缺陷部分替換一個或一個以上有缺陷部分。在此實例中, 所述IC封裝可能已安裝于例如計算機或蜂窩式電話等系統(tǒng)中?;顒?20可包含類似于或 相同于上文參考圖7所述的活動的那些活動。本文中所述的一個或一個以上實施例包含設備、系統(tǒng)及方法,其包括布置成堆疊 的半導體裸片、經(jīng)配置以提供裸片之間的通信的連接(所述連接的至少一部分經(jīng)過所述裸 片中的至少一者)、及經(jīng)配置以檢查所述連接中的缺陷并修復所述連接中的缺陷的模塊。包 含額外設備、系統(tǒng)及方法的其它實施例是在上文參考圖1到圖9來描述。上述說明及圖式圖解說明本發(fā)明的一些實施例以使得所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠 實踐本發(fā)明的實施例。其它實施例可并入結(jié)構(gòu)、邏輯、電、過程及其它改變。在所述圖式中, 在這數(shù)個視圖中,相同特征或相同數(shù)字描述大致類似的特征。實例僅表示可能的變型。一 些實施例的部分及特征可包含于其它實施例的那些部分及特征中或替代其它實施例的那 些部分及特征。在閱讀并理解上述說明后,所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見許多其它實施 例。因此,本發(fā)明的實施例的范圍由所附權(quán)利要求書以及此類權(quán)利要求書所賦予的等效內(nèi) 容的完全范圍一起確定。本文提供發(fā)明摘要以遵循37C. F. R. § 1. 72 (b),其需要將允許讀者快速探知所述 技術(shù)揭示內(nèi)容的本質(zhì)及要旨的摘要。提交本摘要是基于下列理解其將不用于解釋或限定 本權(quán)利要求書的范圍或含義。
權(quán)利要求
一種設備,其包括布置成堆疊的裸片;經(jīng)配置以提供所述裸片之間的通信的連接,所述連接的至少一部分經(jīng)過所述裸片中的至少一者;及經(jīng)配置以檢查所述連接中的缺陷并修復所述連接中的缺陷的模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備,其中所述模塊經(jīng)配置以在所述連接的第一部分有缺陷 的情況下將待在所述連接的所述第一部分上傳送的信息重新路由到所述連接的第二部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備,其中所述模塊包含經(jīng)配置以從所述連接的第一部分接 收信息來檢查所述連接中的缺陷的第一掃描單元,及經(jīng)配置以從所述連接的第二部分接收 信息來檢查所述連接中的缺陷的第二掃描單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設備,其中所述模塊包含經(jīng)配置以在所述第一部分有缺陷的 情況下指示所述第一部分有缺陷且在所述第二部分有缺陷的情況下指示所述第二部分有 缺陷的邏輯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備,其中所述設備包括延伸穿過所述裸片中的至少一者的 至少一個導通孔,其中所述連接的至少一個部分包含傳導材料,且其中所述傳導材料填充 所述至少一個導通孔的至少一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備,其中所述連接的第一選定部分是所述連接的第二部分 的復制品,且其中所述第一選定部分直接連接到所述第二部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備,其中所述裸片包含第一裸片及第二裸片,其中所述裸 片包含耦合到所述連接的存儲器單元陣列,且其中所述存儲器單元陣列位于所述第一裸片 與所述第二裸片中的僅一者處。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設備,其中所述設備包括經(jīng)配置以掃描所述連接的至少一部 分來檢查所述連接中的缺陷的掃描邏輯,其中所述模塊位于所述裸片中的至少一者中,且 其中所述掃描邏輯的至少一部分位于所述模塊與測試裝備中的至少一者中。
9.一種設備,其包括布置成堆疊的裸片,所述裸片中的至少一者包含電路;及經(jīng)配置以提供所述裸片之間的通信的連接,所述連接的至少一部分經(jīng)過所述裸片中的 至少一者,其中所述連接的至少一個部分是有缺陷部分且耦合到所述電路,且其中所述有 缺陷部分在所述電路操作時仍保持在所述連接中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設備,其中所述連接包含經(jīng)配置以替換所述有缺陷部分的 至少一個部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設備,其包括經(jīng)配置以識別所述有缺陷部分并將待在所述 有缺陷部分上傳送的信息重新路由到所述連接的無缺陷部分的模塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設備,其中所述模塊包含與所述有缺陷部分相關(guān)聯(lián)的第一 電路組件,及與所述無缺陷部分相關(guān)聯(lián)的第二電路組件,其中所述第一及第二組件中的每 一者經(jīng)配置以設定表示有缺陷部分及無缺陷部分中的一者的指示。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設備,其中所述第一及第二電路組件中的至少一者包含經(jīng) 配置以存儲設定所述指示的值的寄存器。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設備,其中所述第一及第二電路組件中的至少一者包含經(jīng)配置以設定所述指示的至少一個反熔絲。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設備,其中所述連接的至少一個部分包含第一導通孔及第 二導通孔內(nèi)部的傳導材料,所述第一導通孔延伸穿過所述裸片中的第一裸片,且所述第二 導通孔延伸穿過所述裸片中的第二裸片。
16.一種系統(tǒng),其包括存儲器裝置,其包含布置成堆疊的裸片;及經(jīng)配置以提供所述裸片之間的通信的連 接,所述連接的至少一部分經(jīng)過所述裸片中的至少一者,所述裸片中的至少一者包含電路, 其中所述連接的至少一個部分是有缺陷部分且耦合到所述電路,且其中所述有缺陷部分在 所述電路操作時仍保持在所述連接中;及處理器,其耦合到所述連接且經(jīng)配置以與所述存儲器裝置傳送信息。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng),其包括經(jīng)配置以檢查所述連接中的缺陷并將待在所 述有缺陷部分上傳送的信息重新路由到所述連接的另一部分的模塊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng),其包括開關(guān),所述開關(guān)經(jīng)配置以每當所述開關(guān)接通 所述系統(tǒng)時向所述存儲器裝置及所述處理器供應電力,其中所述模塊經(jīng)配置以每當所述開 關(guān)接通所述系統(tǒng)時檢查缺陷。
19.一種方法,其包括檢查耦合到布置成堆疊的裸片的連接中的缺陷,所述連接的至少一部分經(jīng)過所述裸片 中的至少一者;及在所述第一部分有缺陷的情況下,用所述連接的第二部分替換所述連接的第一部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中檢查包含將來自所述第一部分的位傳送到所述 連接的額外部分,并將來自所述第一部分的所述位的值與從所述額外部分獲得的位的值進 行比較。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中替換包含指示在所述第一部分有缺陷的情況下 將待在所述第一部分上傳送的信息重新路由到所述第二部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中在由集成電路封裝覆蓋所述裸片之后執(zhí)行檢查 缺陷。
23.一種方法,其包括將信息傳送到耦合到布置成堆疊的裸片之間的連接的第一部分,所述連接的至少一部 分經(jīng)過所述裸片中的至少一者;及因所述第一部分有缺陷而將所述信息重新路由到所述連接的第二部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其包括在將所述信息傳送到所述第一部分之前檢查所述連接中的缺陷;及基于所述檢查缺陷的結(jié)果指示所述第一部分有缺陷。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中檢查缺陷包含將位從與所述第一部分相關(guān)聯(lián)的 掃描單元移位到與所述第二部分相關(guān)聯(lián)的掃描單元。
全文摘要
一些實施例包含設備、系統(tǒng)及方法,其包括布置成堆疊的半導體裸片;經(jīng)配置以提供所述裸片之間的通信的若干個連接,所述連接的至少一部分經(jīng)過所述裸片中的至少一者;及經(jīng)配置以檢查所述連接中的缺陷并修復所述連接中的缺陷的模塊。
文檔編號H01L21/66GK101828258SQ200880111949
公開日2010年9月8日 申請日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日
發(fā)明者布倫特·基斯 申請人:美光科技公司