專利名稱：：利用單相和雙相介質(zhì)去除顆粒的材料的制作方法利用單相和雙相介質(zhì)去除顆粒的材料
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體器件(如集成電路、存儲(chǔ)單元等)制造中，執(zhí)行一系列制造步驟以在半導(dǎo)體晶片(“晶片”)上形成特征。該晶片(或基片)包括硅基片上形成的多層結(jié)構(gòu)形式的集成電路器件。在基片層，形成具有擴(kuò)散區(qū)的晶體管器件。在后面的層中，互連金屬線圖案化并電氣連接到該晶體管器件以形成所需的集成電路器件。并且，圖案化的導(dǎo)電層通過電介質(zhì)材料與其他導(dǎo)電層絕緣。在這一系列制造步驟中，該晶片表面暴露于各種不同的污染物?；旧现圃觳襟E出現(xiàn)的任何材料都是潛在的污染源。例如，污染物源可包括，尤其是，工藝氣體、化學(xué)制劑、沉積材料和液體。多種不同的污染物會(huì)以顆粒形態(tài)沉積在該晶片表面上。如果該顆粒污染物沒有去除，污染物附近的器件很可能不可用。因此，該晶片表面必須以基本上完全的方式從該晶片表面清潔污染物而不損傷形成在該晶片上的特征。然而，顆粒污染物的大小往往與在該晶片上制造的特征的關(guān)鍵尺寸在一個(gè)數(shù)量級(jí)。去除如此小的顆粒污染物而不會(huì)不利地影響該晶片上的特征十分困難。傳統(tǒng)的晶片清潔方法極大地依賴于機(jī)械力以從該晶片表面去除顆粒污染物。隨著特征尺寸持續(xù)降低并且變得更加脆弱，由于該晶片表面上施加機(jī)械力所導(dǎo)致的特征損傷的可能性也增加。例如，具有高縱橫比的特征當(dāng)受到足夠的機(jī)械力的沖擊時(shí)容易倒塌或破碎。使該清潔問題更復(fù)雜的是，降低特征尺寸的趨勢(shì)還使得顆粒污染物的大小降低。足夠小的顆粒污染物會(huì)進(jìn)入該晶片表面上難以到達(dá)的區(qū)域，如被高縱橫比特征圍繞的溝槽中。因此，現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程中污染的有效以及非損傷去除是晶片清潔技術(shù)的持續(xù)發(fā)展中所要遇到的持續(xù)挑戰(zhàn)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到平面顯示器的制造步驟遇到與上面討論的集成電路制造相同的缺陷。鑒于前面所述，需要清潔圖案化的晶片的設(shè)備和方法，其有效去除污染物并且不會(huì)損傷該圖案化的晶片上的特征。
發(fā)明內(nèi)容一般說來，本發(fā)明的實(shí)施例提供用于清潔晶片表面的改進(jìn)的材料、設(shè)備和方法，尤其是圖案化的晶片(或基片)的表面。上面討論的清潔材料、設(shè)備和方法優(yōu)點(diǎn)在于可清潔具有精細(xì)特征的圖案化的基片而基本上不損傷該特征。該清潔材料是流體，或者液相，或者液/氣雙相，并在器件特征附近變形；所以，該清潔材料基本上不損傷該器件特征或降低總共的損傷。該清潔材料(包含一種或多種大分子量的聚合化合物的聚合物)捕獲該基片上的污染物。對(duì)于由一種單體形成的聚合物，該聚合物包含一種聚合化合物。對(duì)于由多種單體形成的聚合物，如共聚物或聚合物的混合物，該聚合物包含多于一種聚合化合物。另外，該清潔材料截留該污染物，并且不會(huì)將該污染物返回到該基片表面上。該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物形成長(zhǎng)聚合物鏈，其還可以交聯(lián)以形成網(wǎng)狀物(或聚合網(wǎng)狀物)。不大量交聯(lián)或幾乎不交聯(lián)的該聚合物的聚合物鏈的長(zhǎng)度可通過將該聚合物的分子量除以該單體物質(zhì)的分子量估算(長(zhǎng)度(聚合物分子量)/(單體重量))。該長(zhǎng)聚合物鏈和/或聚合物網(wǎng)狀物相比傳統(tǒng)的清潔材料表現(xiàn)出更好的捕獲和截留污染物能力。結(jié)果，包含這種聚合物的清潔材料(流體形態(tài))表現(xiàn)出出色的顆粒去除性能。然后將所捕獲或截留的污染物從該基片表面去除。如上所討論的，該聚合物可以交聯(lián)。然而，交聯(lián)的程度受到相對(duì)限制以避免使該聚合物過硬或過于剛性，這會(huì)阻止該聚合物可溶于溶劑并在該基片表面上器件特征附近變形。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到本發(fā)明可以許多方式實(shí)現(xiàn)，包括系統(tǒng)、方法和室。下面描述本發(fā)明的多個(gè)創(chuàng)新性實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料。該清潔材料包含溶劑，以及緩沖劑以改變?cè)撉鍧嵅牧系乃釅A度(PH)值。該緩沖劑和該溶劑形成清潔溶液。該清潔材料還包含由分子量大于10000g/mol的聚合化合物組成的聚合物。該聚合物變得可溶于該清潔溶液以形成該清潔材料。該可溶化的聚合物具有長(zhǎng)聚合物鏈以捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的至少一些污染物。該清潔材料限定為液相。當(dāng)力施加于覆蓋該圖案化的基片的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形。該清潔材料是施加于該圖案化的基片的表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征。在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料基本上不含研磨顆粒。在另一實(shí)施例中，提供一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料。該清潔材料包含溶劑以及聚合物，該聚合物具有足夠大的分子量以當(dāng)該聚合物變成可溶于該溶劑時(shí)形成聚合物鏈和凝膠形態(tài)的聚合網(wǎng)狀物。該溶劑和該可溶化的聚合物形成該清潔材料。該清潔材料在施加于該圖案化的基片的表面之前具有小于1十億分之一(ppb)的金屬污染物。具有該聚合物鏈和聚合網(wǎng)狀物的聚合物捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的污染物。其中當(dāng)力施加到覆蓋該圖案化的基片的表面的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形。該清潔材料施加在該基片表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征。在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料基本上不含研磨顆粒。在另一實(shí)施例中，提供一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料。該清潔材料包含溶劑，以及緩沖劑以改變?cè)撉鍧嵅牧系乃釅A度(pH)值。該緩沖劑和該溶劑形成清潔溶液。該清潔材料還包含由分子量大于或等于500000g/mol的聚丙烯酰胺(PAM)組成的聚合物。該聚合物變得可溶于該清潔溶液以形成該清潔材料。在施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料具有小于lppb的金屬污染物，以及PH值在大約7和大約12之間。該可溶化的聚合物具有長(zhǎng)聚合物鏈以捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的至少一些污染物。該清潔材料限定為液相。當(dāng)力施加于覆蓋該圖案化的基片的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形。該清潔材料是施加于該圖案化的基片的表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征。在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料基本上不含6研磨顆粒。在又一實(shí)施例中，提供一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料。該清潔材料包含溶劑，以及緩沖劑，以改變?cè)撉鍧嵅牧系乃釅A度(PH)值，其中該緩沖劑和該溶劑形成清潔溶液。該清潔材料還包含由分子量大于或等于500000g/mol的Carbopol940組成的聚合物。該聚合物變得可溶于該清潔溶液以形成該清潔材料。在施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料具有小于lppb的金屬污染物。該可溶化的聚合物具有長(zhǎng)聚合物鏈以捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的至少一些污染物。該清潔材料限定為液相。當(dāng)力施加于覆蓋該圖案化的基片的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形。該清潔材料是施加于該圖案化的基片的表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征。在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料基本上不含研磨顆粒。通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將容易理解本發(fā)明，類似的參考標(biāo)號(hào)指出相似的結(jié)構(gòu)元件。圖1示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，基片上的缺陷和器件特征。圖2示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，三條與在圖案化的基片上施加清潔材料有關(guān)的響應(yīng)曲線的圖表。圖2B示出三條與在圖案化的基片上施加清潔材料有關(guān)的響應(yīng)曲線的圖表。圖2C示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，三條不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的損傷曲線和清潔材料力強(qiáng)度曲線的圖表。圖3A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，包含由大分子量的聚合化合物組成的溶解在該清潔溶液中的聚合物的清潔材料。圖3B示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，截留污染物的圖3A的清潔材料。圖3C示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，圖3A的該清潔材料分散在圖案化的晶片上以將污染物從該基片表面清除。圖3D示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，圖3A的該清潔材料分散在圖案化的晶片上以將污染物從該基片表面清除。圖3E示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，圖3A的該清潔材料分散在帶有溝槽和過孔的圖案化的晶片上以將污染物從該基片表面清除。圖3F示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，帶有乳化在該清潔溶液中的類凝膠聚合物滴的清潔材料。圖3G示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，帶有懸浮在該清潔溶液中的類凝膠聚合物團(tuán)的清潔材料。圖3H示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的泡沫清潔材料。圖4A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于清潔基片的系統(tǒng)的俯視圖的簡(jiǎn)化示意圖。圖4B示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，圖4A的清潔頭的仰視圖。圖4C示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，該清潔頭的側(cè)視圖，其將清潔材料組成的清潔體分散在基片表面上、該清潔頭下方。圖4D示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，在基片上方的清潔頭的剖視圖。圖4E示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基片清潔系統(tǒng)。圖4F示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的清潔設(shè)備，其使用該清潔材料包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物以清潔基片和沖洗設(shè)備沖洗掉該清潔材料。圖4G示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的清潔和沖洗設(shè)備，其使用包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物的清潔材料以清潔基片。圖4H示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的清潔系統(tǒng)。圖41示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于清潔基片的系統(tǒng)的俯視圖的簡(jiǎn)化示意圖。圖4J示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，圖41的該清潔頭和該沖洗頭的仰視圖。圖4K示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，用于清潔材料制備的系統(tǒng)。圖5A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，聚丙烯酸(PAA)和羥基乙基纖維素(HEC)的顆粒去除效率(PRE)與分子量的關(guān)系。圖5B示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，聚丙烯酰胺(PAM)的PRE與分子量的關(guān)系。圖5C示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，使用氯化銨來降低用聚丙烯酰胺(PAM)聚合物制作的清潔材料的粘度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖6A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，使用包含由高分子量的聚合化合物的組成的聚合物的該清潔材料以清潔圖案化的基片的工藝流程。圖6B示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，提純清潔材料的工藝流程。圖6C示出參照本發(fā)明另一實(shí)施例，提純清潔材料的工藝流程。具體實(shí)施例方式描述清潔晶片表面而不損傷表面特征的材料、方法和設(shè)備的實(shí)施例。這里討論的該清潔材料、設(shè)備和方法好處在于清潔具有精細(xì)特征的圖案化的基片而不損傷該特征。該清潔材料是流體，或者液相，或者液/氣相，并在器件特征附近變形；所以，該清潔材料不會(huì)損傷該器件特征。該清潔材料(包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物)捕獲該基片上的污染物。另外，該清潔材料截留該污染物，并且不會(huì)將該污染物返回到該基片表面上。該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物形成長(zhǎng)聚合物鏈，其還可以交聯(lián)以形成網(wǎng)狀物(或聚合網(wǎng)狀物)。該長(zhǎng)聚合物鏈和/或聚合物網(wǎng)狀物相比傳統(tǒng)的清潔材料表現(xiàn)出更好的捕獲和截留污染物能力。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然，本發(fā)明可不利用這些具體細(xì)節(jié)的一些或者全部而實(shí)施。在有的情況下，公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有說明，以避免不必要的混淆本發(fā)明。這里描述的實(shí)施例提供清潔材料和清潔方法，其有效去除污染物并且不會(huì)損傷該圖案化的晶片上的特征，一些該特征包含高縱橫比特征。盡管這些實(shí)施例提供與半導(dǎo)體清潔應(yīng)用有關(guān)的具體示例，這些清潔應(yīng)用可擴(kuò)展到任意需要從基片上去除污染物的技術(shù)。圖1示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，帶有基片體101的基片100?；?01上，在表面105附近有器件結(jié)構(gòu)102和顆粒103。顆粒103具有近似直徑107，其可與器件結(jié)構(gòu)102的寬度104在相同的數(shù)量級(jí)。對(duì)于先進(jìn)的技術(shù)，如65nm、45nm、32nm、22nm和16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，該器件結(jié)構(gòu)102的寬度104等于或小于65nm。器件結(jié)構(gòu)的寬度(如器件結(jié)構(gòu)102的寬度104)在每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)持續(xù)縮小以在芯片有限的表面區(qū)域上安裝更多的器件。該器件結(jié)構(gòu)的高度(如器件結(jié)構(gòu)102的高度106)由于電阻率的關(guān)系通常不會(huì)與該器件特征的寬度成比例縮小。對(duì)于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(如多晶硅線路和金屬互連線)，縮減結(jié)構(gòu)的寬度和高度將使得電阻率增加過高而導(dǎo)致顯著的RC延遲，并且產(chǎn)生對(duì)于該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)太多的熱量。結(jié)果，器件結(jié)構(gòu)(如結(jié)構(gòu)102)具有高縱橫比，這就使得它們易于被施加到該結(jié)構(gòu)上的力111的損壞。在一個(gè)實(shí)施例中，該器件結(jié)構(gòu)的縱橫比在大約2或更大的范圍。力112施加到顆粒103上以幫助去除顆粒103。力111和112由清潔材料(未示)施加到靠近器件結(jié)構(gòu)102的基片表面上以去除表面顆粒，如顆粒103。在一個(gè)實(shí)施例中，力111和112大小非常接近，因?yàn)樗麄儽舜丝拷Ｊ┘釉谠摶砻嫔狭?11、112的可來自于該清潔材料和該基片表面任何相對(duì)運(yùn)動(dòng)。例如，其可來自清潔材料的分散或該清潔材料的沖洗。該減小的器件結(jié)構(gòu)102的寬度104和器件結(jié)構(gòu)102相對(duì)高縱橫比使得該器件結(jié)構(gòu)102易于在所施加的力111作用下或施加的力111積聚的能量下破碎。該損壞的器件結(jié)構(gòu)102變成顆粒源而降低成品率。另外，該損壞的器件結(jié)構(gòu)102由于該損傷而變得不可用。圖2A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，三條與在圖案化的基片上施加清潔材料有關(guān)的響應(yīng)曲線的圖表。曲線201示出清潔材料施加在該基片表面上的強(qiáng)度與能量關(guān)系(力作用的結(jié)果)。該清潔材料所施加的清潔能量的強(qiáng)度在EP出現(xiàn)峰值。曲線202示出顆粒去除效率與該清潔材料施加在該基片上的能量的關(guān)系。該顆粒去除速率峰值在&附近。當(dāng)該清潔材料施加的能量達(dá)到EK，該清潔材料最有效從該基片表面去除顆粒。曲線203示出該清潔材料導(dǎo)致的器件結(jié)構(gòu)的損傷量與該清潔材料施加在該基片表面上的能量的關(guān)系。該器件結(jié)構(gòu)在Es變得受損，這比該清潔材料施加在該基片上的能量的較高端EN還高。因?yàn)樵撈骷Y(jié)構(gòu)損傷曲線203是在該清潔材料施加在圖案基片上的能量分布201外面，該圖案基片上的器件結(jié)構(gòu)不會(huì)受損。該顆粒去除曲線202示出該清潔材料可從該基片表面去除顆粒(或觸點(diǎn))而不損傷該基片上的結(jié)構(gòu)。圖2B示出三條與在圖案化的基片上施加清潔材料有關(guān)的響應(yīng)曲線的圖表。曲線201'示出清潔材料施加在圖案化的基片上的強(qiáng)度與能量關(guān)系。該清潔材料施加的強(qiáng)度峰值在EP'。曲線202'示出顆粒去除速率與施加在該基片上的能量的關(guān)系。該顆粒去除速率峰值靠近Ek'。當(dāng)該清潔材料施加的能量到達(dá)E/，該清潔材料最有效從該基片表面去除顆粒。曲線203'示出該清潔材料導(dǎo)致的器件結(jié)構(gòu)的損傷量與該清潔材料施加在該基片表面上的能量的關(guān)系。該基片上的器件結(jié)構(gòu)在Es'變得受損，其高于該清潔材料施加的能量分布的低端En'。因?yàn)樵撈骷Y(jié)構(gòu)損傷曲線203'在該清潔材料施加在圖案基片上的能量分布201'內(nèi)，所以該圖案基片上的器件結(jié)構(gòu)會(huì)被該清潔材料損傷而增加顆粒(或缺陷)。如上面所提到的，清潔工藝過程中損傷器件結(jié)構(gòu)會(huì)致使器件不可用，并且損壞的器件結(jié)構(gòu)會(huì)保留在該基片表面上而降低器件成品率。所以，圖2B中的該清潔曲線201'和損傷曲線203'之間的關(guān)系是不期望的。相反，希望出現(xiàn)圖2A中的該清潔曲線201和損傷曲線203之間的關(guān)系。傳統(tǒng)的基片清潔設(shè)備和方法包括在從該基片表面去除顆粒中采用機(jī)械力的刷子和板。對(duì)于先進(jìn)的技術(shù)，即器件結(jié)構(gòu)具有較窄的寬度和高縱橫比，由該刷子和板施加的機(jī)械力會(huì)損傷該器件結(jié)構(gòu)。另外，該粗糙的刷子和板還會(huì)在該基片表面上導(dǎo)致劃痕。如兆頻超聲清潔和超聲波清潔的清潔技術(shù)，采用至清潔基片的空泡和聲流，也會(huì)損壞脆弱的結(jié)構(gòu)。使用噴射和濺射的清潔技術(shù)會(huì)導(dǎo)致薄膜侵蝕，也會(huì)損壞脆弱的結(jié)構(gòu)。圖2C示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，傳統(tǒng)的方法(如兆頻超聲清潔)施加的傳統(tǒng)的清潔材料的清潔曲線201"。有分別對(duì)應(yīng)三個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)90nm、65nm和45nm的損傷曲線203P203H和203m。對(duì)于90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的圖案化的晶片的曲線203工，損傷開始于能量ESI。ESI大于該圖案化的基片上該清潔材料能量分布的上端En"。所以，對(duì)該器件結(jié)構(gòu)沒有損傷。圖2C的該傳統(tǒng)的清潔材料對(duì)于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)同樣適用，因?yàn)閾p傷開始于ESII，其高于En"。隨著技術(shù)進(jìn)入到較窄的寬度，損傷開始于更高的能量水平。當(dāng)該技術(shù)節(jié)點(diǎn)變成45nm或更低，曲線201"的傳統(tǒng)的清潔材料和方法會(huì)導(dǎo)致器件結(jié)構(gòu)損壞。45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的損壞起始點(diǎn)Esm低于該EN"。圖2C示出盡管一些清潔材料和方法適用于傳統(tǒng)的技術(shù)，但是不再適用于具有較窄特征寬度的先進(jìn)的技術(shù)。所以，需要找到一種清潔機(jī)制，其使用的清潔材料對(duì)該器件結(jié)構(gòu)比較溫和，并且對(duì)于先進(jìn)的技術(shù)有效從該基片表面去除顆粒。圖2C示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，傳統(tǒng)的方法(如兆頻超聲清潔)施加的傳統(tǒng)的清潔材料的清潔曲線201〃。分別對(duì)應(yīng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)90nm、65nm和45nm的損傷曲線203P203H和203m。對(duì)于90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的圖案化的晶片的曲線203工，損傷開始于能量ESI。ESI大于該圖案化的基片上該清潔材料能量分布的上端En"。所以，對(duì)該器件結(jié)構(gòu)沒有損傷。圖2C的傳統(tǒng)的清潔材料仍適用于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，因?yàn)閾p傷開始于ESII，其高于En"。隨著技術(shù)進(jìn)入到較窄的寬度，損傷開始于較低的能量水平。當(dāng)該技術(shù)節(jié)點(diǎn)變成45nm或更低，該傳統(tǒng)的清潔材料和方法曲線201"將導(dǎo)致器件結(jié)構(gòu)損壞。45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的損傷起點(diǎn)Esm低于該En"。圖2C示出盡管一些清潔材料和方法適用于傳統(tǒng)的技術(shù)，但是不再適用于具有較窄特征寬度的先進(jìn)的技術(shù)。所以，需要找到一種清潔機(jī)制，其使用的清潔材料對(duì)該器件結(jié)構(gòu)比較溫柔，并且對(duì)于先進(jìn)的技術(shù)有效從該基片表面去除顆粒。圖3A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的液體清潔材料300，其包含清潔溶液305，其含有溶解在該清潔溶液中305、具有大分子量聚合物310。在一個(gè)實(shí)施例中，該液體清潔材料300是凝膠。在另一實(shí)施例中，該液體清潔材料300是溶膠。在又一實(shí)施例中，該液體清潔材料300是液體溶液。該液體清潔材料300，當(dāng)施加在表面上具有顆粒的基片上時(shí)，可去除該基片表面上的顆粒。在一個(gè)實(shí)施例中，所去除的顆粒320附著于該聚合物310，如圖3B所示。該由大分子量的聚合化合物(如大于lOOOOg/mol或lOOOOOg/mol)組成的聚合物形成長(zhǎng)聚合物鏈和聚合網(wǎng)狀物以捕獲和截留所去除的顆粒，從而防止該顆粒返回到該基片表面。該聚合物溶解在清潔溶液中，其包含影響該P(yáng)H值并增強(qiáng)該聚合物溶解性的元素。該溶解在該清潔溶液中的聚合物可以是軟凝膠或變成懸浮在該清潔溶液中的類凝膠滴。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)該聚合物分子進(jìn)入該污染物附近時(shí)，該基片表面上的該污染物通過離子力、范德瓦爾力、靜電力、疏水性相互作用、空間相互作用或化學(xué)粘合附著于該溶劑化的聚合物。該聚合物捕獲和截留該污染物。在一個(gè)實(shí)施例中，該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物在該清潔溶液305中形成網(wǎng)狀物。另外，該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物分散在該液體清潔溶液305中。該液體清潔材料300在清潔工藝對(duì)該基片上的器件結(jié)構(gòu)比較柔和。該清潔材料300中的聚合物310可在該器件結(jié)構(gòu)(如結(jié)構(gòu)302)周圍滑動(dòng)，如圖3C的清潔體330所示，而不會(huì)對(duì)該器件結(jié)構(gòu)302產(chǎn)生強(qiáng)烈的沖擊。相反，上面提到的硬的刷子和板會(huì)與該器件結(jié)構(gòu)形成堅(jiān)硬的接觸并損傷該器件結(jié)構(gòu)。兆頻超聲清潔中的空泡產(chǎn)生的力(或能量)以及噴射過程中液體的高速?zèng)_擊也會(huì)損壞該結(jié)構(gòu)。替代性地，超過一種聚合物可以溶解在該清潔溶液中以配制該清潔材料。例如，該清潔材料中的聚合物可包括“A”聚合化合物和“B”聚合化合物。由具有高分子量的聚合化合物組成的聚合物形成聚合物長(zhǎng)鏈，可以有或者可以沒有交聯(lián)以形成聚合網(wǎng)狀物。如圖3C所示，該聚合物310與該污染物接觸，如該圖案化(或未圖案化)基片表面上的污染物SZOpSZOnJZOmdZC^，并捕獲污染物。在該污染物被該聚合物捕獲之后，該污染物變成附著于該聚合物并懸浮在該清潔材料中。圖3C示出污染物320m和320IV，其分別附著于該聚合物鏈311工和311n。污染物320工和320附著于其他聚合物鏈。替代性地，污染物SZOpSZOnJZOm和320IV每個(gè)可附著于多個(gè)聚合物鏈，或附著于聚合網(wǎng)狀物。當(dāng)該清潔材料中的聚合物300從該基片表面去除時(shí)，如通過沖洗，附著于該聚合物鏈的污染物與該聚合物鏈一起從該基片表面去除。圖3C中示出的實(shí)施例僅示出一個(gè)器件結(jié)構(gòu)302。參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，基片上，如基片301，許多器件結(jié)構(gòu)，如302I,302II,302III和302IV，可以彼此挨著集中，如圖3D所示。類似于圖3C，該清潔容積330'中的液體清潔材料300在清潔工藝過程中對(duì)該基片上的器件結(jié)構(gòu)柔和。該清潔材料300中的該聚合物310在該器件結(jié)構(gòu)SOAdC^nJC^m和302IV附近滑動(dòng)而不會(huì)對(duì)該器件結(jié)構(gòu)造成強(qiáng)烈沖擊。類似于圖3C的該污染物SZOpSZOnJZOm和320IV附著于聚合物鏈，污染物SZSpSZSnJZSm和325IV也附著于聚合物鏈。除了具有線性特征的清潔基片，如圖3C和3D中的，具有其他圖案化特征的基片也可利用本發(fā)明中描述的材料和方法清潔。圖3E示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，帶有結(jié)構(gòu)302'的基片301'，該結(jié)構(gòu)形成過孔315和溝槽316。污染物326^326^326^和326IV還利用清潔材料300通過上面在圖3C和3D中描述的機(jī)制來去除。在一個(gè)實(shí)施例中，該聚合物用作絮凝劑，其使得來自該基片表面的該顆粒(或污染物)變得絮凝，其是細(xì)的懸浮顆粒聚集形成的團(tuán)。在另一實(shí)施例中，該聚合物不用作絮凝劑。如上所述，該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物分散在該清潔溶液中。該具有大分子量的聚合化合物的例子包括，但不限于丙烯酸聚合物，如聚丙烯酰胺(PAM)和聚丙烯酸(PAA)，如Carbopol940和Carbopol941,聚_(N，N-二甲基-丙烯酰胺)(PDMAAm)，聚-(N-異丙基-丙烯酰胺)(PIPAAm)，聚甲基丙烯酸(PMAA)，聚甲基丙烯酰胺(PMAAm)；聚亞胺和氧化物，如聚乙烯亞胺(PEI)，聚乙烯氧化物(PE0)，聚丙烯氧化物(PP0)等；乙烯基聚合物，如聚乙烯基醇(PVA)，聚乙烯磺酸(PESA)，聚乙烯胺(PVAm)，聚乙烯-吡咯烷酮(PVP)，聚-4-乙烯基吡啶(P4VP)等；纖維素衍生物如甲基纖維素(MC)，乙基-纖維素(EC)，羥基乙基纖維素(HEC)，羧基甲基纖維素(CMC)等；多糖，如阿拉伯膠(GumArabic)，瓊脂和瓊脂糖，肝磷脂，瓜爾豆膠，黃原膠等；蛋白質(zhì)如胚乳，膠原蛋白，谷蛋白等。為了說明該聚合物結(jié)構(gòu)的幾個(gè)例子，聚丙烯酰胺是丙烯酰胺子單元形成的丙烯酸酯聚合物(-CH2CHC0NH2-)n。聚乙烯基醇是乙烯基醇子單元形成的聚合物(_CH2CH0H-)m。聚丙烯酸是丙烯酸子單元形成的聚合物(-CH2=CH-C00H-)o。“n”、“m”和“0”是整數(shù)。該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物或者可溶于水溶液，或者是非常吸水，以在水溶液中形成軟凝膠。在一個(gè)實(shí)施例中，該聚合化合物的分子量大于lOOOOOg/mol。在另一實(shí)施例中，該聚合化合物的分子量在大約0.IMg/mol至大約100Mg/mol之間。在另一實(shí)施例中，該聚合化合物的分子量在大約IMg/mol至大約20Mg/mol之間。在又一實(shí)施例中，該聚合化合物的分子量在大約15Mg/mol至大約20Mg/mol之間。該清潔材料中的聚合物的重量百分比在大約0.001%至大約20%之間，在一個(gè)實(shí)施例中。在另一實(shí)施例中，該重量百分比在大約0.001%至大約10%之間。在另一實(shí)施例中，該重量百分比在大約0.01%至大約10%之間。在又一實(shí)施例中，該重量百分比在大約0.05%至大約5%之間。該聚合物可溶于該清潔溶液、完全分散在該清潔溶液中、在該清潔溶液中形成液體滴(乳化的)或在該清潔溶液形成塊。替代性地，該聚合物可以是共聚物，其從兩個(gè)或多個(gè)單體物質(zhì)形成。例如，該共聚物包括90%的PAM和10%的PAA，并由PAM和PAA單體形成。另外，該聚合物可以是兩種或多種聚合物的混合物。例如，該聚合物可以通過在該溶劑中混合兩種聚合物形成，如90%的PAM禾口10%的PAA。圖3A-3C示出的這些實(shí)施例中，由大分子量的聚合化合物組成的聚合物均勻地溶解于該清潔溶液。該清潔溶液的基礎(chǔ)液體，或溶劑可以是非極性液體，如松節(jié)油，或極性液體，如水(H2O)。溶劑的其它示例包括異丙醇(IPA)，二甲亞砜(DMSO)和二甲基甲酰胺(DMF)。在一個(gè)實(shí)施例中，該溶劑包含超過一種液體，并是兩種或多種液體的混合物。對(duì)于極性聚合物，如PAM、PAA或PVA，該清潔溶液合適的溶劑是極性液體，如水(H2O)。在另一實(shí)施例中，該清潔溶液包含除了該溶劑(如水)之外的液體以改變?cè)撉鍧嵅牧系膶傩裕撉鍧嵅牧贤ㄟ^將該聚合物混合在該清潔溶液中形成。例如，該清潔溶液可包含緩沖劑(其可以是弱酸或弱堿)以調(diào)節(jié)該清潔溶液和該清潔溶液形成的清潔材料的酸堿度(PH)值。該弱酸的一個(gè)例子是檸檬酸。該弱堿的一個(gè)例子是銨(NH4OH)。該清潔材料的PH值在大約1至大約12。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于前端應(yīng)用(在銅和金屬間電介質(zhì)沉積之前)，該清潔材料是堿性的。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于前端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約7至大約12之間。在另一實(shí)施例中，對(duì)于前端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約8至大約11之間。在又一實(shí)施例中，對(duì)于前端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約8至大約10之間。對(duì)于后端處理(在銅和金屬間電介質(zhì)沉積之后)，該清潔溶液是弱堿性、中性或酸性的，在一個(gè)實(shí)施例中。后端互聯(lián)中的銅與帶有銨的堿性溶液不相容，該溶液會(huì)攻擊銅。對(duì)于后端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約1至大約7之間，在一個(gè)實(shí)施例中。在另一實(shí)施例中，對(duì)于后端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約1至大約5之間。在又一實(shí)施例中，對(duì)于后端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約1至大約2之間。在另一實(shí)施例中，該清潔溶液包含表面活性劑(如十二烷基硫酸銨(ADS))以幫助將該聚合物分散在該清潔溶液中。在一個(gè)實(shí)施例中，該表面活性劑還幫助潤(rùn)濕該基片表面上的清潔材料。潤(rùn)濕該基片表面上的該清潔材料允許該清潔材料緊密接觸該基片表面和該基片表面上的顆粒。潤(rùn)濕提高清潔效率。也可添加其他添加劑以提高表面潤(rùn)濕、基片清潔、沖洗和其他相關(guān)的屬性。緩沖清潔溶液(或清潔溶液)的例子包括緩沖銨溶液(BAS)，其在該溶液中包括堿性和酸性緩沖劑，如0.44wt%的NH4OH和0.4wt%的檸檬酸。替代性地，該緩沖溶液(如BAS)包括一定量的表面活性劑(如以幫助將該聚合物懸浮和分散在該清潔溶液中。包含ADS、0.44wt%^NH3和0.4wt%的檸檬酸的溶液稱為溶液“100”。溶液“100”和BAS兩者的pH值為大約10。12圖3A-3E中示出的這些實(shí)施例提供一種液體清潔材料300，其具有均勻分散(或溶解)在該清潔溶液305中的大分子量聚合物310。如上所述，這個(gè)應(yīng)用中，大分子量聚合物完全溶解在該清潔溶液中，該溶液可以是含水的。該聚合物非常吸水而在水溶液中形成軟凝膠。圖3F示出乳化在該清潔溶液中305'中的類凝膠聚合物滴340的液體清潔材料300'的實(shí)施例。該清潔溶液305'還包含小的、隔開的聚合物306。表面活性劑(如ADS)可添加到該清潔溶液以幫助該類凝膠聚合物滴340均勻分散在該清潔溶液305'中。在圖3F示出的實(shí)施例中，在該清潔溶液305'和該類凝膠聚合物滴340之間有邊界341。該類凝膠聚合物滴340是軟的，并且在該基片表面上的器件特征附近變形。由于該類凝膠聚合物滴340在器件特征附近變形，所以其不會(huì)在該器件特征上施加很大的能量(或力)而損傷它們。在一個(gè)實(shí)施例中，該滴的直徑在大約0.1μm至大約100μm之間。在另一實(shí)施例中，該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物溶解在該清潔溶液中以形成類凝膠聚合物團(tuán)350，其不會(huì)與該清潔溶液305"形成明顯的邊界，如圖3G所示。該清潔溶液305"還包含小的、隔開的聚合物306。該類凝膠聚合物團(tuán)350是軟的，并在該基片表面上的器件特征附近變形，不會(huì)在該器件特征上施加很大的能量(或力)而損傷它們。在一個(gè)實(shí)施例中，該聚合物團(tuán)的直徑在大約0.Iym至大約IOOym之間。上面討論的該清潔材料都是液相。在又一實(shí)施例中，該清潔材料，如上面討論的液體清潔材料300、300'和300"，可以攪動(dòng)以增加氣體，如N2、惰性氣體或氣體混合物如空氣，以將該清潔材料形成泡沫，如圖3H所示。圖3F中，該清潔材料300*具有分散在該清潔溶液305中的氣泡360。聚合物310也分散在該清潔溶液305中。別的實(shí)施例中，圖3H中的聚合物310可以是聚合物滴340或聚合物團(tuán)350，如圖3F和3G中描述的。該清潔材料300*具有氣相和液相。上述清潔材料可以通過任何機(jī)制分散在該基片表面上。如上面在圖2A和2B中所討論的，為了避免損傷該圖案化的基片上的器件特征，該清潔材料施加在該圖案化表面的能量需要低于該最低力Es或Es'以避免損傷該器件特征。上面討論的該清潔材料(如清潔材料300，300'，300"和30(f)或者是液相，或者是氣/液相。液體和泡沫可在該基片表面上流動(dòng)并在該基片表面上的器件特征附近變形(或流動(dòng))。所以，該清潔材料可以施加在該圖案化的基片上而不會(huì)在該基片表面上的器件特征上施加過大能量。圖4A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，清潔基片的系統(tǒng)400的俯視圖的簡(jiǎn)化示意圖。晶片(或基片)420以直線移向清潔頭410(或清潔臨近頭)。該清潔頭由支撐結(jié)構(gòu)450夾持，其可以是臂。該清潔頭410提供(或分布)上述清潔材料。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔頭410的長(zhǎng)度440大于該晶片420的直徑451。晶片420僅在該清潔頭下方移動(dòng)一次。在另一實(shí)施例中，該清潔頭410的長(zhǎng)度440小于該晶片420的直徑451。晶片420在該清潔頭410下方移動(dòng)多次以確保清潔整個(gè)晶片420。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔材料可通過供應(yīng)管線460從儲(chǔ)存器470(其可加壓)得到。替代性地，該清潔頭410可在上方晶片420移動(dòng)，而該晶片420保持靜止或者也移動(dòng)。如上所述，該清潔材料可以是液體溶液、泡沫或乳液形態(tài)。如果該儲(chǔ)存器470加壓，則清潔溶液或乳液可在傳送到該清潔頭之前充氣并產(chǎn)生泡沫。在該儲(chǔ)存器不加壓的情況下，該清潔溶液可通過泵送或其他公知的方法輸送。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔頭還連接到用以將使用過的清潔材料從該基片表面吸走13的容器423以及提供真空的真空泵425。圖4B示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，具有多個(gè)分布孔411以分布該清潔材料的清潔頭410的示范性仰視圖。替代性地，用長(zhǎng)且窄的分布槽替代該分布孔411。在一個(gè)實(shí)施例中，該分布孔411(排)被真空孔414圍繞，真空孔從該基片表面去除清潔材料。圖4C示出該清潔頭410的實(shí)施例的側(cè)視圖，其將清潔材料組成的清潔體430在該清潔頭410下方分布在該晶片420的表面421上以清潔該表面421。該清潔材料由供應(yīng)管線460提供。該清潔材料通過由真空管線465提供的真空從該基片表面去除。該晶片420在箭頭422表示的方向在該清潔頭410下方移動(dòng)。清潔材料組成的清潔體430形成“彎液面”。這里使用的術(shù)語“彎液面”指的是由該液體表面張力劃界和約束的該液體組成的清潔體(或容積)430。該彎液面還是可控的，并且以約束的形狀在表面上方移動(dòng)。在具體的實(shí)施例中，通過將流體輸送到表面同時(shí)也去除該流體來保持該彎液面，從而該彎液面保持可控。進(jìn)而，該彎液面形狀可以通過精確的流體輸送和去除系統(tǒng)來控制，該系統(tǒng)部分與控制器(計(jì)算系統(tǒng))接口，控制器可以聯(lián)網(wǎng)。在基片表面形成彎液面的分配頭的細(xì)節(jié)在美國(guó)專利申請(qǐng)(11/641362)(代理檔案號(hào)LAM2P581)中討論，其遞交于2006年12月18，主題為“SubstratePreparationUsingStabilizedFluidSolutionsandMethodsforMakingStableFluidSolution”。上面提到的相關(guān)申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合在這里。在一個(gè)實(shí)施例中，隨著該晶片420在該清潔頭410下方移動(dòng)，該清潔體430在該表面421上留下清潔材料(未示)薄層。該清潔材料薄層是清潔材料沒有完全被真空去除的結(jié)果。該清潔頭410由臂450保持臨近晶片420的表面421。所以，該清潔頭410稱作臨近頭。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔頭410分布的清潔材料在該清潔體430下方的基片表面421上施加剪切力432。在另一實(shí)施例中，該清潔頭410分布的清潔材料還在該清潔體430下方的基片表面421上施加向下的力(未示)。在一個(gè)實(shí)施例中，該向下的力和該剪切力幫助使該聚合物接觸該污染物，以允許該污染物附著于該聚合物鏈和/或網(wǎng)狀物。在一個(gè)實(shí)施例中，該污染物通過范德瓦爾力附著于該聚合物。在另一實(shí)施例中，該污染物被該聚合網(wǎng)狀物截留。在另一實(shí)施例中，既不需要向下的力也不需要剪切力使該清潔溶液中聚合物與該污染物接觸。當(dāng)該清潔材料分布到該基片表面上時(shí)，該清潔材料中分布的聚合物將接觸該基片表面上的污染物。在從該基片表面去除清潔材料的沖洗步驟過程中，該聚合物附著和/或截留的污染物與該清潔材料一起從該基片表面去除。圖4D示出將清潔材料分布在基片420上的清潔頭420〃的剖視圖。該清潔材料通過連接到清潔材料供應(yīng)管線460的分布孔分布，并通過該真空管線465的真空孔從基片表面420去除。該清潔材料在該清潔頭420和該基片420之間形成彎液面430'。另外，有偶聯(lián)至表面張力降低氣體(其用于降低基片表面420的表面張力)的供應(yīng)管線467的表面張力降低氣體分布孔(未示)。在一個(gè)實(shí)施例中，該表面張力降低氣體包括異丙醇(IPA)和氮(N2)的混合物。圖4E示出具有清潔材料分布組件418的清潔系統(tǒng)400'的實(shí)施例，其包括上清潔頭(或臨近頭)410、下清潔頭(或臨近頭)410'和支撐結(jié)構(gòu)419。該上清潔頭410'是該下清潔頭410'的鏡像。該清潔材料分布組件418由控制器419控制。基片420(由基片夾具424夾持)在方向466通過該上和下清潔頭410、410'之間。利用該上和下清潔頭410、410'，該基片的前側(cè)和后側(cè)兩者同時(shí)清潔。每個(gè)清潔頭包括多個(gè)分布孔(或噴嘴)，通過該分布孔提供形成彎液面200的清潔材料。該液體可以是去離子水、清潔溶液或其他設(shè)計(jì)用來處理、清潔或沖洗基片160的液體。多個(gè)真空端口114在彎液面200的邊緣施加真空。真空端口114從彎液面200和周圍的流體吸出液體，如空氣或噴嘴112提供的其他氣體。在某些實(shí)施例，噴嘴112圍繞真空端口114，并提供異丙醇蒸汽、氮?dú)?、其混合物，或其他氣相或?液兩相流體。該噴嘴112和通過其提供的流體幫助在該彎液面200的表面上保持連貫的液體/氣體界面。通過在上面相關(guān)技術(shù)的交叉引用部分的引用而包含臨近頭結(jié)構(gòu)和運(yùn)行相關(guān)的更多細(xì)節(jié)。特別地，對(duì)于關(guān)于臨近頭結(jié)構(gòu)和運(yùn)行的額外細(xì)節(jié)，引用美國(guó)專利申請(qǐng)10/261839、10/330843和10/330897。使用臨近頭分布清潔材料的清潔設(shè)備的細(xì)節(jié)在美國(guó)專利申請(qǐng)(11/532491)(代理檔案號(hào)LAM2P548B)中描述，遞交于2006年9月15日，主題為“MethodandMaterialforCleaningSubstrate”，美國(guó)專利申請(qǐng)(11/532493)(代理檔案號(hào)LAM2P548C)，遞交于2006年9月15日，主題為“ApparatusandSystemforCleaningSubstrate”，以及美國(guó)專利申請(qǐng)(11/641362)(代理檔案號(hào)LAM2P581)，遞交于2006年12月18日，主題為“SubstratePreparationUsingStabilizedFluidSolutionsandMethodsforMakingStableFluidSolutions”。上面提到的相關(guān)申請(qǐng)每個(gè)的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合在這里。上面描述的這些實(shí)施例僅僅是示例。也可以有其他用于將清潔材料分布在該基片表面以及用于從該基片表面去除清潔材料的清潔頭的實(shí)施例。圖4F示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，包含清潔材料481的清潔罐480和包含沖洗液體491的沖洗罐490?；?20‘(由基片托架423夾持)首先浸入罐480的清潔材料481中以允許該清潔材料接觸該基片表面上的污染物?；?20'由機(jī)械機(jī)構(gòu)(未示)來降低進(jìn)入清潔罐480的清潔材料481并升出該清潔材料。之后，將該基片420'(由基片托架426夾持)浸入清潔罐490的沖洗液體491中，沖洗掉該清潔材料。機(jī)械機(jī)構(gòu)(未示)用于將該基片降入和升出該沖洗罐490。當(dāng)該清潔材料在沖洗罐(或清洗罐)490中離開基片表面420'，該污染物與該清潔材料一起從該基片表面去除。基片420'由機(jī)械機(jī)構(gòu)(未示)降入沖洗罐490的沖洗液體491。盡管圖4F中示出的基片方位是垂直的，但是也可以是其他的方位。例如，該基片可以水平方位浸沒在該清潔罐和/或該沖洗罐中。圖4G示出清潔該基片表面污染物的清潔設(shè)備499的另一實(shí)施例。該清潔設(shè)備具有清潔罐485，帶有基片支撐件483?；?20*設(shè)在該基片支撐件483上，基片在該清潔工藝過程中轉(zhuǎn)動(dòng)。該清潔設(shè)備499具有清潔材料分布頭497，其將清潔材料分布在基片表面420*上。該清潔材料分布頭497(或分布噴嘴)連接到清潔材料存儲(chǔ)罐470。該清潔設(shè)備499還具有沖洗液體分布頭498(或分布噴嘴)，其將沖洗液體濺射到該基片表面420〃上。該沖洗液體分布頭498連接到該沖洗液體存儲(chǔ)罐496。該轉(zhuǎn)動(dòng)的基片420*允許該清潔材料和該沖洗液體覆蓋整個(gè)基片表面。先將該清潔材料分布在該基片表面上，然后分布該沖洗液體，以從該基片表面去除該清潔材料。在將該圖案化的基片的表面的該清潔材料沖洗掉之后，該圖案化的基片通過以相對(duì)高的速度旋轉(zhuǎn)(或轉(zhuǎn)動(dòng))該基片來干燥。旋轉(zhuǎn)過程中，該基片通過裝置(或機(jī)構(gòu))固定，其在圖4G中未示。在一個(gè)實(shí)施例中，表面張力降低氣體施加于該圖案化的基片的表面以幫助去除該沖洗以及可能殘留的清潔材料。在一個(gè)實(shí)施例中，該表面張力降低氣體包括異丙醇(IPA)和氮?dú)?N2)的混合物。也可使用其他表面張力降低氣體。該清潔罐485可接受該清潔工藝的廢棄物。該清潔工藝的廢棄物包括廢棄的清潔材料和廢棄的沖洗液體。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔罐485具有排水管403，其連接到廢棄物管404。廢棄物管404連接到閥門405，其控制從該清潔罐485排出清潔廢棄物。該清潔廢棄物可以引導(dǎo)至再循環(huán)處理器406或廢棄物處理器407。該上面描述的清潔材料對(duì)于清潔在基片表面上具有精細(xì)特征(或拓?fù)?的基片特別有利，該特征如多晶硅線路或金屬互連線(具有溝槽和/或過孔)。這些精細(xì)特征的最小寬度(或關(guān)鍵尺寸)可以是45nm、32nm、25nm或更少。對(duì)于使用上面描述的清潔材料的高級(jí)清潔，需要該清潔材料帶來盡可能少的金屬和/或顆粒污染物。在一個(gè)實(shí)施例中，該制備好的清潔材料中的金屬污染物(在清潔材料施加在該基片表面上之前)規(guī)定為全部金屬污染物小于IOOppb(十億分率)。在另一實(shí)施例中，該制備好的清潔材料中的金屬污染物規(guī)定為小于IOppb(十億分率)。在又一實(shí)施例中，對(duì)于高級(jí)清潔，該制備好的清潔材料中的金屬污染物規(guī)定為小于lppb。在一個(gè)實(shí)施例中，該制備好的清潔材料的顆粒規(guī)范(在其施加在該基片表面上)是尺寸大于65nm的顆粒小于50。在另一實(shí)施例中，該顆粒規(guī)范是大小大于65nm的顆粒小于20。在另一實(shí)施例中，該顆粒規(guī)范是大小大于50nm的顆粒小于10。在又一實(shí)施例中，該顆粒規(guī)范是大小大于30nm的顆粒小于5。金屬污染物和顆粒的規(guī)范對(duì)于具有更精細(xì)(或更小)特征尺寸的更先進(jìn)技術(shù)更加嚴(yán)格。許多方法和系統(tǒng)可以用來使得(或提純)該清潔材料滿足該金屬污染物規(guī)范。例如，可通過分餾來去除該清潔材料中的金屬污染物(或可以提純清潔材料)。在一個(gè)實(shí)施例中，醇添加到聚合物水溶液。因?yàn)樵摼酆衔镌谠摯贾斜仍谒须y溶得多，純的聚合物將沉淀。除了醇，可以將酸添加到聚合物的水溶液以幫助將金屬與該聚合物分離。酸可提供H+來替換附著于該聚合物的金屬離子，如Na+，這幫助將金屬與該聚合物分離。另一去除金屬污染物的方法是使用離子交換。該清潔材料通過裝填了小的樹脂顆粒的柱，而以該柱提供的氫離子交換該清潔材料中的金屬離子。該柱如果填滿酸，其提供氫離子以替換金屬離子，如Na+。Na+只是用作示例。其他金屬離子可以通過這樣的方法和系統(tǒng)去除。也可使用其他方法用于提純清潔材料。圖4H示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，清潔基片的系統(tǒng)475的示意圖。該清潔頭410(或清潔臨近頭)類似于圖4A中所示的。該基片420"由基片夾具(或基片托架)424夾持。該清潔頭410連接到清潔材料(如上面討論的清潔材料300)的儲(chǔ)存器470。該清潔頭410還連接到用于使用過的清潔材料的容器423，其進(jìn)一步連接到真空泵425。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)475具有沖洗頭417，其分布沖洗液體以從基片表面420"去除清潔材料。該沖洗頭417連接到?jīng)_洗液體儲(chǔ)存器471。在一個(gè)實(shí)施例中，該沖洗頭417結(jié)構(gòu)類似于具有沖洗液體分布孔和真空孔的該清潔頭。該沖洗頭417連接到使用過的沖洗液體的容器408，其進(jìn)一步連接到真空泵425'。在另一實(shí)施例中，系統(tǒng)475具有真空頭412，其去除任何留在該基片表面上的剩余清潔材料和/或沖洗液體。該真空頭連接到使用過的清潔材料和沖洗液體的廢棄物容器409。該廢棄物容器409進(jìn)一步連接到真空泵425〃。圖41示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，另一清潔系統(tǒng)400*的剖視圖。晶片(或基片)420以直線方向移向清潔頭410*(或清潔臨近頭)。該清潔頭由支撐結(jié)構(gòu)450支撐，其可以是臂。該清潔頭410連接到清潔材料儲(chǔ)存器470。該清潔頭410*提供(或分布)上述清潔材料。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔頭410*的長(zhǎng)度440大于該晶片420的直徑451。晶片420僅在該清潔頭下方移動(dòng)一次。在另一實(shí)施例中，該清潔頭410*的長(zhǎng)度440小于該晶片420的直徑451。晶片420在該清潔頭410*下方移動(dòng)多次，以確保清潔整個(gè)晶片420。圖41的實(shí)施例中，臨近該清潔頭410*是沖洗頭417*。類似于清潔頭410*，該沖洗頭417*的長(zhǎng)度440'可以大于或小于該晶片的直徑451。晶片420先在清潔頭410*下移動(dòng)，隨后在沖洗頭417*下方移動(dòng)。該清潔頭410*包括狹縫411*以分布清潔材料。圖4J包括該具有該狹縫411*的清潔頭410*的仰視圖。該沖洗頭417*連接到該沖洗液體的儲(chǔ)存器471。在一個(gè)實(shí)施例中，該沖洗頭417*的結(jié)構(gòu)類似于圖4A和4B的清潔頭410，具有沖洗液體分布孔401和真空孔402。圖4J包括具有若干沖洗液體分布孔401的沖洗頭417*的仰視圖，其被若干真空孔402圍繞。該沖洗頭417連接到使用過的沖洗液體的容器408，其進(jìn)一步連接到真空泵425'。當(dāng)晶片420在清潔頭410*和沖洗頭417*下方移動(dòng)，該清潔頭410*將清潔材料分布在該基片表面上而該沖洗頭417*將該清潔材料從該晶片表面420沖掉。該沖洗頭417*還去除該清潔廢棄物，其包括該晶片表面420上的顆粒和污染物、清潔材料和沖洗液體。圖4K示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的清潔材料制備系統(tǒng)482。系統(tǒng)482具有聚合物容器484，其存儲(chǔ)用于該清潔材料的聚合物。該聚合物容器484進(jìn)一步連接到分布控制器488，其控制分散進(jìn)系統(tǒng)482的預(yù)混和容器493中的聚合物的量。系統(tǒng)482還具有溶劑容器486，其存儲(chǔ)該清潔材料中使用的溶劑。該溶劑容器486進(jìn)一步連接到分布控制器489，其控制分布在預(yù)混和容器493中以及分布到清潔材料調(diào)節(jié)容器495(將在下面進(jìn)一步描述)的溶劑的量。另外，系統(tǒng)482具有緩沖劑和添加劑容器487，其存儲(chǔ)在該清潔材料中使用的緩沖劑和添加劑，如表面活性劑。該緩沖劑和添加劑容器487連接到分布控制器492，其控制分布在該預(yù)混和容器493中以及分布到該清潔材料調(diào)節(jié)容器495的緩沖劑和添加劑的量。在另一實(shí)施例中，該清潔材料中不需要添加劑，而且在該緩沖劑和添加劑容器487中沒有添加劑。在又一實(shí)施例中，該緩沖劑和該添加劑在單獨(dú)的容器中，并且由獨(dú)立的控制器控制。在一個(gè)實(shí)施例中，該聚合物、溶劑、緩沖劑和添加劑先在該預(yù)混和容器493中混合。之后，來自該容器493的混合物提供到提純器(或提純系統(tǒng))494以從該混合物去除金屬污染物和其他污染物。在一個(gè)實(shí)施例中，該提純器494還具有過濾功能以從該混合物過濾掉任何顆粒(軟的或磨料)。在另一實(shí)施例中，只有該聚合物和該溶劑在該預(yù)混和容器493中混合。該緩沖劑和該添加劑不與該聚合物和該溶劑在預(yù)混和容器493中混合。在去除金屬污染物之后，將該混合物移至該調(diào)節(jié)容器495用以添加額外的溶劑，需要緩沖劑和添加劑以制造最終的清潔材料混合物。該制備好的清潔材料存儲(chǔ)在容器427中以用于清潔基片。替代性地，離開該提純器494的混合物隨時(shí)可以使用，并且不需要在該清潔材料的調(diào)節(jié)容器495中進(jìn)一步處理。在這種情況下，該離開該提純器494的混合物是最終清潔材料，并提供到清潔材料的容器427中。在另一實(shí)施例中，該來自該預(yù)混和容器493的混合物隨時(shí)可以使用，并且不需要通過該提純器494。在這種情況下，該混合物(該清潔材料)提供到該容器427。系統(tǒng)482沒有該提純器494和該調(diào)節(jié)容器495，該預(yù)混和容器是混合容器。在這種情況下，該混合的清潔材料直接提供到該容器427。在一個(gè)實(shí)施例中，圖4A、4E、4G、4H和41的清潔材料儲(chǔ)存器470中的清潔材料來自清潔材料的容器427。表I比較BAS中不同重量百分比的Carbopol94ItmPM的粘度、沖洗時(shí)間和顆粒去除效率(PRE)。該粘度在500—1的應(yīng)變速率下測(cè)量。該沖洗時(shí)間測(cè)量將該清潔材料沖離該基片表面需要的時(shí)間。該P(yáng)RE使用顆粒檢測(cè)基片測(cè)量，其故意沉積了不同尺寸的氮化硅顆粒。在這個(gè)研究中，僅測(cè)量大小在90nm和Ιμπι之間的顆粒。PRE通過下面列出的方程⑴計(jì)算PRE=(預(yù)清潔量_后清潔量)/預(yù)清潔量............(1)濃度(wt%)聚合物分子量(g/mol)粘度(cP)沖洗時(shí)間(秒)PRE0.2%1.25M26<574%0.5%1.25M1985-1089%1%1.25M5608-1087%表I具有不同Carbopol94ItmPAA聚合物濃度的清潔材料的對(duì)比表I的清潔材料通過在上面描述的BAS混合Carbopol941PAA(可通過商業(yè)方法得到)制得。使用的Carbopol94ItmPAA的分子量為1250000(或1.25M)g/moL·表I中結(jié)果示出PRE隨著Carb0p01941TMPAA的重量百分比增加而增加，直到大約0.5%。0.5%和的聚合物之間PRE沒有顯著差別。該結(jié)果還表明該清潔材料的粘度隨著該聚合物的重量百分比增加而增加。另外，沖洗掉該清潔材料所需的沖洗時(shí)間隨著該清潔材料的粘度增加而增加。用水沖洗該基片。表II比較不同清潔材料將顆粒截留或懸浮在該清潔材料的能力。有意將氮化硅顆粒添加進(jìn)該清潔材料。在添加氮化硅顆粒之后，將該清潔材料分布在清潔基片上。然后將該清潔材料從該基片沖洗掉，然后測(cè)量該表面上的顆粒(氮化硅)數(shù)量。清潔材料w/lXSiN顆粒沖洗后顆粒數(shù)量清潔材料w/50XSiN顆粒沖洗后顆粒數(shù)量DIW飽和的DIW飽和的DIW+銨(pH>10)6002DIW+銨(pH>10)飽和的“100”4238“100”飽和的“100”中0.2%Carbopol9401137“100”中0.2%Carbopol940156890.5%PAM530.5%PAM10418表II添加氮化硅顆粒的不同的清潔材料的顆粒數(shù)量的對(duì)比。五種溶液用作清潔材料。第一種清潔材料，“DIW”，是去離子水。第二種清潔材料是DIW添加銨，已將該pH值調(diào)節(jié)為大于10。第三種是溶液“100”，其是BAS添加lwt%&ADS。如上面所提到的，溶液“100”的pH值是10。第四種清潔材料是0.2Wt%mCarbOpO1940TMPAA溶解于“100”溶液。該Carbopol940PAA的分子量是4M(或4兆)g/mol。第五種是0.5wt%的PAM溶解于溶液“100”。PAM的分子量是18Mg/mol。該第五種清潔材料的pH值是大約10。該五種清潔材料與兩種數(shù)量的氮化硅顆?；旌希琁X和50X。50X的氮化硅顆粒數(shù)量是IX顆粒數(shù)量的50倍。IX氮化物顆粒代表該氮化物顆粒的襯％是0.00048%，而50X氮化物顆粒代表該氮化物顆粒的《丨％是0.024%。結(jié)果表明DIW對(duì)于將氮化硅顆粒懸浮并保持在DIW中不是非常好。大量的氮化硅顆粒(飽和的)留在該基片表面。表II中使用的“飽和的”的描述指的是顆粒(或缺陷)數(shù)量大于75000。相反，“100”中0.2%Carbopol940PAA以及“100”中0.5%PAM在將氮化硅顆粒懸浮在該清潔材料方面好得多。“100”中0.5%PAM對(duì)于將添加的氮化硅顆粒截留或懸浮在該清潔材料中的特別優(yōu)良。只有較少數(shù)量的該清潔材料中的氮化硅(或Si3N4)顆粒留在該基片表面，IX氮化硅顆粒是53，50X氮化硅顆粒是104。在該清潔材料中使用的該聚合物分子量會(huì)影響該顆粒去除效率(PRE)。圖5A示出由具有“100”中1%(wt%)PAA和“100”中1%(wt%)的羥乙基纖維素(HEC)的清潔材料得到的基片上大于90nm氮化硅顆粒的PRE與這兩種聚合物(PAA和HEC)的分子量的函數(shù)。圖5A中的數(shù)據(jù)表明在100000g/mol至IM(或1000000)g/mol之間PRE隨著HEC的分子量增加而增加。圖5A中的數(shù)據(jù)還表明500000g/mol和IMg/mol之間，PRE隨著PAA分子量增加而增加。然而，在lMg/mol和1.25Mg/mol的PAA之間，PRE不會(huì)改變很多。圖5B示出由“100”中(wt%)的PAM的清潔材料得到的基片上大于90nm氮化硅顆粒的PRE與PAM的分子量的函數(shù)。圖5B中的數(shù)據(jù)表明在500000g/mol至18Mg/mol之間，PRE隨著PAM的分子量的增加而增加。兩個(gè)圖表中的數(shù)據(jù)表明分子量對(duì)于PRE的影響。如上面所提到的，該清潔材料的粘度將影響從該基片表面去除該清潔材料的沖洗時(shí)間。圖5C示出將氯化銨(NH4Cl)添加到由0.2wt%-Iwt%的PAM溶解在去離子(DI)水中形成的清潔材料的結(jié)果。該P(yáng)AM的分子量為18Mg/mol。所添加的氯化銨在該清潔溶液中離子化以向該清潔材料提供額外的離子，從而增加該清潔材料的離子強(qiáng)度。該增加的離子強(qiáng)度降低該清潔材料的粘度。例如，1.5wt%的氯化銨能夠?qū)⒕哂蠵AM的清潔材料的粘度從大約IOOcP降低到60cp。1.5襯％的氯化銨還能夠?qū)⒕哂?.5wt%PAM的清潔材料的粘度從大約50cP降低至大約25cP。降低粘度會(huì)降低從該基片表面沖洗該清潔材料所需的時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施例中，該清潔材料的粘度降低到500cP以下以確保在對(duì)于實(shí)現(xiàn)制造目標(biāo)合理的時(shí)間框架內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)基片清潔。圖6A示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，使用包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物的清潔材料清潔圖案化的基片的工藝流程600。該清潔材料是如上面所述的。在步驟601，該圖案化的基片設(shè)在清潔設(shè)備中。在步驟602，該清潔材料分布在該圖案化的基片的表面上。在步驟603，沖洗液體分布在該圖案化的基片的表面上以沖洗掉該清潔材料。該沖洗液體是如上所述的。在一個(gè)實(shí)施例中，在該沖洗液體施加在該基片表面上之后，該沖洗液體、該清潔材料和該基片表面上的污染物可以通過真空從該圖案化的基片的表面去除。19圖6B示出參照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例，制備清潔材料以清潔圖案化的基片的工藝流程650。該清潔材料包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物，如上所述。在步驟651，該材料，如聚合物、溶劑和添加劑(如緩沖劑和/或表面活性劑)，混合在一起以形成該清潔材料，或該清潔材料預(yù)混合物。在步驟653，提純?cè)撉鍧嵅牧?或該預(yù)混合物)以具有小于Ippb的金屬污染物。在提純工藝之后，有可能需要添加一些添加劑、溶劑和/或緩沖劑以將該清潔材料恢復(fù)成所需的配方。在這種情況下，添加該添加劑、溶劑和/或緩沖劑以形成最終的清潔材料產(chǎn)品。如上所討論的，有許多提純?cè)撉鍧嵅牧弦允乖撉鍧嵅牧蠑[脫金屬污染物的方法。替代性地，該提純可以在該清潔材料制備工藝期間執(zhí)行。圖6C示出參照本發(fā)明另一實(shí)施例，制備清潔材料以清潔圖案化的基片的工藝流程670。在步驟671，該聚合化合物和一些溶劑混合在一起以形成混合物。在步驟672，提純聚合物和溶劑的混合物以具有小于Ippb的金屬污染物。在步驟673，聚合物和溶劑的混合物與剩下的材料混合以形成該清潔材料。也可以有別的提純?cè)撉鍧嵅牧系膶?shí)施例。上面討論的清潔材料、設(shè)備和方法的優(yōu)點(diǎn)在于清潔具有精細(xì)特征的圖案化的基片而不損傷該特征。該清潔材料是流體的，或者液相，或者液/氣相(泡沫)，并在器件特征附近變形；所以，該清潔材料不會(huì)損傷該器件特征。液相的該清潔材料可以是液體、溶膠或凝膠的形式。包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物的該清潔材料捕獲該基片上的污染物。另外，該清潔材料截留該污染物和不會(huì)將該污染物返回到該基片表面上。該由大分子量的聚合化合物組成的聚合物形成長(zhǎng)聚合物鏈，其還可以交聯(lián)以形成聚合物的網(wǎng)狀物。該長(zhǎng)聚合物鏈和/或聚合物網(wǎng)狀物相比傳統(tǒng)的清潔材料表現(xiàn)出更好的捕獲和截留污染物能力。在施加在該基片表面上以從該基片表面去除污染物或顆粒之前，該清潔材料基本上不含不可變形的顆粒(或研磨顆粒)。不可變形顆粒是硬顆粒，如泥漿或沙子中的顆粒，并且會(huì)損傷該圖案化的基片上的精細(xì)的器件特征。在該基片清潔工藝期間，該清潔材料將從該基片表面收集污染物或顆粒。然而，在該清潔材料施加在該基片表面上用以基片清潔之前，不會(huì)有意將不可變形顆?；旌显谠撉鍧嵅牧现?。盡管上面這些實(shí)施例描述用于清潔圖案化的基片的材料、方法和系統(tǒng)，但是該材料、方法和系統(tǒng)還可用來清潔非圖案化的(或坯)基片。盡管上面的討論集中于從圖案化的晶片清潔污染物，但是該清潔設(shè)備和方法還可用來從非圖案化的晶片清潔污染物。另外，上面討論的該圖案化的晶片上的示范性圖案是突出的線條，如多晶硅線路或金屬線。然而，本發(fā)明的概念適用于具有凹入特征的基片。例如，CMP之后凹入的過孔可在該晶片上形成特征，最適合的通道設(shè)計(jì)可以用于獲得最佳的污染物去除效率?；?，如這里用作示例的，表示但不限于半導(dǎo)體晶片、硬盤碟片、光盤、玻璃基片和平板顯示表面、液晶顯示表面等，其會(huì)在制造或搬運(yùn)操作過程中受到污染。根據(jù)實(shí)際的基片，表面會(huì)以不同的方式受到污染，并且可接受的污染物水平在處理該基片的具體產(chǎn)業(yè)中限定。盡管這里詳細(xì)描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明實(shí)現(xiàn)為許多其他的具體形式而不背離本發(fā)明的主旨或范圍。所以，當(dāng)前的示例和實(shí)施例應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是說明性的而非限制性的，并且本發(fā)明不限于這里提供的細(xì)節(jié)，而是可在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)修改和實(shí)施。權(quán)利要求一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料，包含溶劑；緩沖劑，用以改變?cè)撉鍧嵅牧系乃釅A度(pH)值，其中該緩沖劑和該溶劑形成清潔溶液；以及由分子量大于10000g/mol的聚合化合物組成的聚合物，其中該聚合物變得可溶于該清潔溶液以形成該清潔材料，該可溶化的聚合物具有長(zhǎng)聚合物鏈以捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的至少一些污染物，該清潔材料形成為液相，其中當(dāng)力施加于覆蓋該圖案化的基片的該清潔材料時(shí)該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形，該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征，在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料基本上不含研磨顆粒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該溶劑選自水、異丙醇(IPA)、二甲基亞砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)或其組合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該聚合化合物選自丙烯酸聚合物，如聚丙烯酰胺(PAM)，聚丙烯酸(PAA)，如Carbopol940和Carbopol941,PAM和PAA的共聚物，聚-(N，N-二甲基-丙烯酰胺)(PDMAAm)，聚-(N-異丙基-丙烯酰胺)(PIPAAm)，聚甲基丙烯酸(PMAA)，聚甲基丙烯酰胺(PMAAm)，聚亞胺和氧化物，如聚乙烯亞胺(PEI)，聚乙烯氧化物(PEO)，聚丙烯氧化物(PPO)，乙烯基聚合物，如聚乙烯基醇(PVA)，聚乙烯磺酸(PESA)，聚乙烯胺(PVAm)，聚乙烯-吡咯烷酮(PVP)，聚-4-乙烯基吡啶(P4VP)，纖維素衍生物，如甲基纖維素(MC)，乙基-纖維素(EC)，羥基乙基纖維素(HEC)，羧基甲基纖維素(CMC)，多糖，如阿拉伯膠，瓊脂和瓊脂糖，肝磷脂，瓜爾豆膠，黃原膠和蛋白質(zhì)如胚乳，膠原蛋白和谷蛋白。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該分子量在大約O.lMg/mol至大約IOOMg/mol之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該清潔材料中的聚合物的重量百分比是在大約0.001%至大約10%之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，進(jìn)一步包含表面活性劑，幫助將該聚合物在該清潔溶液中分散或潤(rùn)濕。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清潔材料，其中該表面活性劑是十二烷基硫酸銨(ADS)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該清潔材料是液體、溶膠或凝膠形式的流體。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清潔材料，其中該清潔材料是液相乳液，帶有溶解在該清潔溶液的聚合物液滴。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，進(jìn)一步包含氣體，其中該清潔材料是具有包括液相和氣相的雙相的泡沫。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中對(duì)于前端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約7至大約12之間。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中對(duì)于后端應(yīng)用，該P(yáng)H值在大約1至大約7之間。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，進(jìn)一步包含提供離子的化合物，其在該清潔溶液中離子化以向該清潔材料提供更高的離子強(qiáng)度，從而降低該清潔材料的粘度。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中形成聚合物鏈的聚合物至少部分受到離子力、靜電力、范德瓦爾力、疏水性相互作用、空間相互作用或化學(xué)粘合的影響以捕獲和截留污染物。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該清潔材料的粘度小于500cP。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該器件特征特征尺寸的關(guān)鍵尺寸小于或等于大約45nm。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中部分該長(zhǎng)聚合物鏈交聯(lián)以形成聚合網(wǎng)狀物，其幫助捕獲和截留該污染物。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該清潔材料的金屬污染物小于lppb。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中對(duì)于顆粒尺寸大于和等于65nm，該清潔材料的微粒污染物小于20。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔材料，其中該聚合化合物是聚丙烯酰胺(PAM)，PAM的分子量大于或等于500000g/mol。21.一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料，包含溶劑；以及聚合物，其分子量足夠大以當(dāng)該聚合物變成可溶于該溶劑時(shí)形成聚合物鏈和凝膠形態(tài)的聚合網(wǎng)狀物，該溶劑和該可溶化的聚合物形成該清潔材料，該清潔材料在施加于該圖案化的基片的表面之前具有小于十億分之一(PPb)的金屬污染物，具有該聚合物鏈和聚合網(wǎng)狀物的聚合物捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的污染物，其中當(dāng)力施加到覆蓋該圖案化的基片的表面的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形，該清潔材料施加到該基片表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征，該清潔材料在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前基本上不含研磨顆粒。22.一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料，包含溶劑；緩沖劑，改變?cè)撉鍧嵅牧系乃釅A度(PH)值，其中該緩沖劑和該溶劑形成清潔溶液；以及由分子量大于或等于500000g/mol的聚丙烯酰胺(PAM)組成的聚合物，其中該聚合物變得可溶于該清潔溶液以形成該清潔材料，在施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料具有小于IPPb的金屬污染物和大約7和大約12之間的pH值，該可溶化的聚合物具有長(zhǎng)聚合物鏈以捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的至少一些污染物，該清潔材料形成為液相，其中當(dāng)力施加于覆蓋該圖案化的基片的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形，該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征，該清潔材料在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前基本上不含研磨顆粒。23.一種施加到用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面上以從該表面去除污染物的清潔材料，包含溶劑；緩沖劑，改變?cè)撉鍧嵅牧系乃釅A度(PH)值，其中該緩沖劑和該溶劑形成清潔溶液；以及由分子量大于或等于500000g/mol的Carbopol940形成的聚合物，其中該聚合物變得可溶于該清潔溶液以形成該清潔材料，在施加于該圖案化的基片的表面之前，該清潔材料具有小于Ippb的金屬污染物，該可溶化的聚合物具有長(zhǎng)聚合物鏈以捕獲和截留來自該用于形成集成電路器件的圖案化基片的表面的至少一些污染物，該清潔材料形成為液相，其中當(dāng)力施加于覆蓋該圖案化的基片的該清潔材料時(shí)，該清潔材料在該圖案化的基片的表面上器件特征附近變形，該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面以從該表面去除污染物而基本上不損傷該表面上的器件特征，該清潔材料在該清潔材料施加于該圖案化的基片的表面之前基本上不含研磨顆粒。全文摘要本發(fā)明的實(shí)施例提供改進(jìn)的材料，用以清潔具有精細(xì)特征的圖案化的基片。該清潔材料的優(yōu)點(diǎn)在于清潔具有精細(xì)特征的圖案化的基片而基本上不損傷該特征。該清潔材料是流體，或者是液相，或著液/氣相，并在器件特征附近變形；所以，該清潔材料基本上不損傷該器件特征或降低總共的損傷。包含由大分子量的聚合化合物組成的聚合物的該清潔材料捕獲該基片上的污染物。另外，該清潔材料截留該污染物和不會(huì)將該污染物返回到該基片表面上。一種或多種大分子量的聚合化合物組成的該聚合物形成長(zhǎng)聚合物鏈，其還可以交聯(lián)以形成網(wǎng)狀物(或聚合網(wǎng)狀物)。該長(zhǎng)聚合物鏈和/或聚合物網(wǎng)狀物相比傳統(tǒng)的清潔材料表現(xiàn)出更好的捕獲和截留污染物能力。文檔編號(hào)H01L21/304GK101903985SQ200880122180公開日2010年12月1日申請(qǐng)日期2008年12月12日優(yōu)先權(quán)日2007年12月14日發(fā)明者大衛(wèi)·S·L·穆伊,孔世鐘,德拉甘·波德萊斯尼克,朱吉,格蘭特·彭,薩蒂什·斯里尼瓦桑,阿爾瓊·門迪拉塔申請(qǐng)人:朗姆研究公司