專利名稱：探針晶片、探針裝置以及測試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及探針晶片、探針裝置以及測試系統(tǒng)。本發(fā)明特別涉及與具有多個(gè)半導(dǎo) 體芯片的半導(dǎo)體晶片電連接的探針晶片。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體芯片的測試中，公知的一種裝置是在具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片 狀態(tài)下，測試各個(gè)半導(dǎo)體芯片的好壞(例如參考專利文獻(xiàn)1)。該裝置可被認(rèn)為是具有一種 可與多個(gè)半導(dǎo)體芯片整體電連接的探針卡。專利文獻(xiàn)1 特開2002-222839號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 國際公開2003/062837號文本通常，使用印刷電路板形成探針卡(例如參考專利文獻(xiàn)2)。在該印刷電路板形成 多個(gè)探針銷(probe pin)，可與多個(gè)半導(dǎo)體芯片共同電連接。但是，因半導(dǎo)體晶片與印刷電路板的熱膨脹率不同，所以在測試時(shí)，如果在半導(dǎo)體 芯片發(fā)熱、加熱測試或冷卻測試等發(fā)生溫度變動時(shí)，可以想象半導(dǎo)體芯片與探針卡之間的 電連接有松開的可能。這一問題，對于在大面積的半導(dǎo)體晶片上形成半導(dǎo)體芯片的測試時(shí) 更為顯著。同時(shí)，對于半導(dǎo)體芯片的測試，例如有使用BOST電路的方法。此時(shí)，雖然可以考慮 在探針卡上裝載BOST電路，但如果以半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)進(jìn)行測試，則應(yīng)該設(shè)置的BOST電路 數(shù)量變多，難以將BOST電路安裝在探針卡印刷電路板上。同時(shí)，對于半導(dǎo)體芯片的測試，可以考慮使用在半導(dǎo)體芯片內(nèi)設(shè)置BIST電路的方 法。但是該方法因?yàn)樵诎雽?dǎo)體芯片內(nèi)形成有在實(shí)際工作中不使用的電路，所以用于形成半 導(dǎo)體芯片實(shí)際工作電路的區(qū)域變小。另外，半導(dǎo)體芯片的測試裝置具有控制用的主機(jī)、容納多個(gè)測試模塊等的測試頭 以及與半導(dǎo)體芯片接觸的探針卡等，體積變得非常大。因此，需要實(shí)現(xiàn)測試裝置的小型化。為此，本發(fā)明的目的是提供一種能夠解決上述問題的探針晶片、探針裝置以及測 試系統(tǒng)。該目的可由申請專利范圍內(nèi)的各個(gè)獨(dú)立權(quán)項(xiàng)所述的特征組合來達(dá)到，而各從屬權(quán) 項(xiàng)規(guī)定了本發(fā)明的更有利的具體例子。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，在本發(fā)明的第一方式中提供的探針晶片，是與形成有多個(gè)半 導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片電連接的探針晶片，所述探針晶片包括晶片基板和多個(gè)晶片側(cè)連接 端，所述多個(gè)晶片側(cè)連接端在晶片基板上形成，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，并與對 應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接。在本發(fā)明的第二方式中提供的探針裝置，是與形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶 片電連接的探針裝置，所述探針裝置包括與半導(dǎo)體晶片電連接的第一探針晶片，與第一探 針晶片電連接的第二探針晶片；所述第一探針晶片包括第一晶片基板和多個(gè)晶片側(cè)連接端，所述多個(gè)晶片側(cè)連接端形成在第一晶片基板上，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，與 對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接；多個(gè)第一中間連接端，與多個(gè)晶片側(cè)連接端電連 接；多個(gè)第一電路部，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，基于自第二探針晶片施加的信 號，分別形成并輸出應(yīng)該施加給所對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的信號波形；第二探針晶片包括第 二晶片基板，與第一晶片基板的形成有多個(gè)第一中間連接端的面相對設(shè)置；多個(gè)第二中間 連接端，形成在第二晶片基板上，與多個(gè)第一中間連接端一一對應(yīng)設(shè)置，與對應(yīng)的第一中間 連接端形成電連接；以及多個(gè)第二電路部，對半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，生成應(yīng)該施加給 對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的信號所具有的邏輯圖形，將對應(yīng)邏輯圖形的信號提供給對應(yīng)的第一電 路部。在本發(fā)明的第三方式中，提供一種測試系統(tǒng)，是測試在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成的 多個(gè)半導(dǎo)體芯片的測試系統(tǒng)，所述測試系統(tǒng)具有晶片基板；及在晶片基板上形成的，對各 個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，與對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接的多個(gè)晶片側(cè)連 接端；以及多個(gè)電路部，該多個(gè)電路部在晶片基板上形成，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一 個(gè)，生成用于所對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片測試的測試信號，分別提供給對應(yīng)的各個(gè)半導(dǎo)體芯片，以 測試各個(gè)半導(dǎo)體芯片；以及生成控制多個(gè)電路部的控制信號的控制裝置。在本發(fā)明的第四方式中，提供一種測試系統(tǒng)，是用于測試在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上形 成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的測試系統(tǒng)，所述測試系統(tǒng)具有與半導(dǎo)體晶片電連接的第一探針晶 片，與第一探針晶片電連接的第二探針晶片，生成控制信號的控制裝置；第一探針晶片包括 第一晶片基板和多個(gè)晶片側(cè)連接端，所述多個(gè)晶片側(cè)連接端在第一晶片基板上形成，對各 個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，與對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接；多個(gè)第一 中間連接端，與多個(gè)晶片側(cè)連接端電連接；多個(gè)第一電路部，對各個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各 設(shè)置一個(gè)，基于由第二探針晶片施加的信號，分別形成并輸出應(yīng)提供給所對應(yīng)的半導(dǎo)體芯 片的信號的波形；上述第二探針晶片包括第二晶片基板，與上述第一晶片基板的形成有 上述第一中間連接端的面相對設(shè)置；多個(gè)第二中間連接端，在上述第二晶片基板上形成，與 上述多個(gè)第一中間連接端一對一對應(yīng)設(shè)置，并與對應(yīng)的上述第一中間連接端電連接；以及 多個(gè)第二電路部，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，生成應(yīng)該施加給對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片 的信號具有的邏輯圖形，將對應(yīng)邏輯圖形的信號，提供給對應(yīng)的第一電路部。上述發(fā)明概要并未列舉發(fā)明的必要特征的全部，這些特征群的次級組合，也可構(gòu) 成發(fā)明。


圖1是一個(gè)實(shí)施例涉及的測試系統(tǒng)400的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是一例探針晶片100的側(cè)面圖。圖3表示配有探針晶片100的探針裝置200的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是電路部110的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是測試電路120的功能構(gòu)成方框圖。圖6是測試電路120的其它結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是測試系統(tǒng)400的其它結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是圖7中的電路部110的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9是測試系統(tǒng)400的其它結(jié)構(gòu)示意圖。圖10表示具有2個(gè)探針晶片100的探針裝置200剖面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明10.控制裝置，100.探針晶片，102.晶片連接面，104.裝置連接面，106.開關(guān)，111. 晶片基板，112.晶片側(cè)連接端，113.第一中間連接端，114.裝置側(cè)連接端，115.第二中間連 接端，116.通孔，117.線路，118.轉(zhuǎn)換部，119.墊，120.測試電路，122.圖形發(fā)生部，124.圖 形存儲器，126.期望值存儲器，128.失效存儲器，130.波形形成部，132.驅(qū)動器，134.比較 器，136.時(shí)序發(fā)生部，138.邏輯比較部，140.特性測量部，142.電源供給部，200.探針裝置， 210.晶片托盤，212.保持構(gòu)件，220.晶片側(cè)膜片，222.凸塊，230.晶片側(cè)PCR，240.裝置側(cè) PCR, 250.裝置側(cè)膜片，252.凸塊，260.裝置基板，270.中間PCR，280.中間膜片，282.凸塊， 300.半導(dǎo)體晶片，310.半導(dǎo)體芯片，400.測試系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式下面通過本發(fā)明的具體實(shí)施方式
說明本發(fā)明，但下面的實(shí)施方式并不限定權(quán)利要 求所涉及的發(fā)明。另外，在實(shí)施方式中說明的特征組合并非全部都是本發(fā)明的解決手段所 必須的。圖1是一個(gè)實(shí)施例的測試系統(tǒng)400的結(jié)構(gòu)示意圖。測試系統(tǒng)400用于測試在測試 對象半導(dǎo)體晶片300上形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片310，其包括探針晶片100以及控制裝置10。 另外，圖1中顯示了半導(dǎo)體晶片300及探針晶片100的一例結(jié)構(gòu)示意圖。半導(dǎo)體晶片300，例如可以是圓盤狀的半導(dǎo)體基板，具體地說，半導(dǎo)體晶片300可 以是硅、化合物半導(dǎo)體或其它的半導(dǎo)體基板。另外，半導(dǎo)體芯片310可以在半導(dǎo)體晶片300 上采用曝光等半導(dǎo)體工藝形成。探針晶片100電連接半導(dǎo)體晶片300。具體地說，探針晶片100與在半導(dǎo)體晶片 300上形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片310分別電連接。探針晶片100包括晶片基板111以及多個(gè) 晶片側(cè)連接端112。晶片基板111，可以用與半導(dǎo)體晶片300的基板相同的半導(dǎo)體材料制成。例如晶片 基板111可以是硅基板。另外，晶片基板111可用與半導(dǎo)體晶片300的基板具有大致相同 的熱膨脹率的半導(dǎo)體材料制成。另外，晶片基板111的晶片連接面與半導(dǎo)體晶片300上形成半導(dǎo)體芯片310的面 具有基本相同的形狀。晶片連接面，可以為與半導(dǎo)體晶片的直徑大致相同的圓形。晶片基 板111，以成晶片連接面與半導(dǎo)體晶片300相對的方式設(shè)置。另外，晶片基板111，也可以是 直徑比半導(dǎo)體晶片300大的圓盤狀的半導(dǎo)體基板。多個(gè)晶片側(cè)連接端112，形成于晶片基板111的晶片連接面。另外，晶片側(cè)連接端 112，對各半導(dǎo)體芯片310至少每一芯片設(shè)置一個(gè)。例如晶片側(cè)連接端112，可針對各半導(dǎo)體 芯片310的各個(gè)輸入輸出端分別設(shè)置。即，各半導(dǎo)體芯片310有多個(gè)輸入輸出端時(shí)，晶片側(cè) 連接端112可對各半導(dǎo)體芯片310各設(shè)多個(gè)連接端。各個(gè)晶片側(cè)連接端112，與對應(yīng)的半導(dǎo) 體芯片310的輸入輸出端電連接。另外，所謂電連接是指在兩個(gè)構(gòu)件間可傳送電信號的狀態(tài)。例如晶片側(cè)連接端112 及半導(dǎo)體芯片310的輸入輸出端可為直接接觸，或經(jīng)過其它的導(dǎo)體間接接觸，以進(jìn)行電連
7接。另外，晶片側(cè)連接端112及半導(dǎo)體芯片310的輸入輸出端，可用如電容結(jié)合(靜電結(jié) 合)或感應(yīng)耦合(磁性結(jié)合)等，以非接觸的狀態(tài)電連接。另外晶片側(cè)連接端112及半導(dǎo) 體芯片310的輸入輸出端之間的一部分傳輸線路，也可以使用光學(xué)傳輸線路。同時(shí)，探針晶片100通過晶片側(cè)連接端112與各個(gè)半導(dǎo)體芯片310交換信號。測 試系統(tǒng)400使用本例的探針晶片100對各個(gè)半導(dǎo)體芯片310提供測試信號。同時(shí)，探針晶 片100接收各個(gè)半導(dǎo)體芯片310根據(jù)測試信號輸出的響應(yīng)信號。當(dāng)從控制裝置10向探針晶片100提供測試信號時(shí)，探針晶片100通過在晶片連接 面背面的裝置連接面上形成的裝置側(cè)連接端與控制裝置10電連接。此時(shí)，探針晶片100可 以將分別從各半導(dǎo)體芯片310接收到的響應(yīng)信號發(fā)送給控制裝置10。裝置側(cè)連接端可以通 過在晶片基板111上設(shè)置的通孔(e 了 *一> )等，與晶片側(cè)連接端112連接。同時(shí)，當(dāng)在探針晶片100中生成測試信號的情況下，探針晶片100具有多個(gè)電路部 110，該多個(gè)電路部110對各個(gè)半導(dǎo)體芯片310至少各設(shè)置一個(gè)。各個(gè)電路部110，在晶片基 板111上形成，通過晶片側(cè)連接端112與對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310進(jìn)行信號交接。如上所述，各個(gè)電路部110可以生成用于測試對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310的測試信號， 通過晶片側(cè)連接端112提供給半導(dǎo)體芯片310。同時(shí)，各個(gè)電路部110可以通過晶片側(cè)連接 端112接收由對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310輸出的響應(yīng)信號。各個(gè)電路部110可以通過比較各個(gè) 響應(yīng)信號的邏輯圖形和預(yù)定的期望值圖形，判定各個(gè)半導(dǎo)體芯片310的好壞。本例的探針晶片100，由于晶片基板111用與半導(dǎo)體晶片300相同的半導(dǎo)體材料制 成，故即使在周圍的溫度變動的情況下，也能良好地維持探針晶片100與半導(dǎo)體晶片300之 間的電連接。因此，例如在進(jìn)行半導(dǎo)體晶片300的加熱測試時(shí)，也能夠精度良好地測試半導(dǎo) 體晶片300。另外，因晶片基板111是用半導(dǎo)體材料制成的，因此能夠容易地在晶片基板111上 形成高密度的電路部110。例如，可通過使用曝光等半導(dǎo)體工藝，容易地在晶片基板111上 形成高密度的電路部110。因此，得以很容易地在晶片基板111上形成與多個(gè)半導(dǎo)體芯片 310對應(yīng)的多個(gè)電路部110。同時(shí)，當(dāng)在晶片基板111上設(shè)置電路部110時(shí)，能降低控制裝置10的規(guī)模。例如 控制裝置10可以具有以下各功能，S卩，對電路部110通知測試的開始等時(shí)序功能，讀出在電 路部110中的測試結(jié)果的功能，向電路部110及半導(dǎo)體芯片310提供驅(qū)動電力的功能。上述實(shí)施例說明了探針晶片100在測試系統(tǒng)400中的使用情況，但探針晶片100 的用途不限于測試系統(tǒng)400。例如在半導(dǎo)體晶片300中形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片310的狀態(tài)，且 該多個(gè)半導(dǎo)體芯片310用于電器等時(shí)，探針晶片100也可以安裝于相應(yīng)的電器，與半導(dǎo)體晶 片300電連接。圖2是探針晶片100側(cè)面圖的一個(gè)例子。如上所述，探針晶片100，有與半導(dǎo)體晶 片300相對的晶片連接面102，以及晶片連接面102背面的裝置連接面104。同時(shí)，多個(gè)晶 片側(cè)連接端112在晶片連接面102上形成，多個(gè)裝置側(cè)連接端114在裝置連接面104上形 成。多個(gè)裝置側(cè)連接端114及多個(gè)晶片側(cè)連接端112可以一一對應(yīng)形成。探針晶片100的 端子，可以通過對導(dǎo)電材料電鍍、蒸鍍等在晶片基板111上形成。探針晶片100，可以具有各個(gè)通孔116，將對應(yīng)的裝置側(cè)連接端114及晶片側(cè)連接 端112電連接。各個(gè)通孔116貫通晶片基板111而形成。
同時(shí)，各個(gè)裝置側(cè)連接端114的間隔和各個(gè)晶片側(cè)連接端112的間隔可以不同。晶 片側(cè)連接端112，為了與半導(dǎo)體芯片310各輸入端電連接，與各輸入端以相同的間隔設(shè)置。 因此，晶片側(cè)連接端112，例如圖1所示，以微小的間隔設(shè)置在每個(gè)半導(dǎo)體芯片310上。對此，各個(gè)裝置側(cè)連接端114，能夠以間隔大于與一個(gè)半導(dǎo)體芯片310對應(yīng)的多個(gè) 晶片側(cè)連接端112的間隔的方式進(jìn)行設(shè)置。例如裝置側(cè)連接端114，可以在裝置連接面104 的面內(nèi)，以大體上等間隔地設(shè)置裝置側(cè)連接端114。同時(shí)，對于晶片基板111，可以形成將各 端子和各通孔116電連接的線路117。圖2雖然沒有圖示電路部110，但電路部110可以在晶片基板111的裝置連接面 104上形成，也可以在晶片連接面102上形成。同時(shí)，電路部110可以在晶片基板111的中 間層上形成。電路部110與對應(yīng)的晶片側(cè)連接端112及裝置側(cè)連接端114電連接。圖3表示配有探針晶片100的探針裝置200結(jié)構(gòu)的的剖面圖。本例利用探針裝置 200的各構(gòu)成要件相互分開的圖進(jìn)行說明，但探針裝置200的各構(gòu)成要件在圖3的上下方向 上相鄰構(gòu)成要件是互相接觸設(shè)置的。探針裝置200用于保持半導(dǎo)體晶片300，使探針晶片 100與半導(dǎo)體晶片300電連接。探針裝置200包括晶片托盤210、晶片側(cè)膜片220、晶片側(cè)PCR230、探針晶片100、 裝置側(cè)PCR240、裝置側(cè)膜片250以及裝置基板260。晶片托盤210用于保持半導(dǎo)體晶片300， 例如晶片托盤210設(shè)置于半導(dǎo)體晶片300的未形成端子312的面的對面。另外，晶片托盤 210設(shè)置有保持半導(dǎo)體晶片300的保持構(gòu)件212。保持構(gòu)件212，可為將半導(dǎo)體晶片300夾持于晶片托盤210的挾持構(gòu)件。另外保持 構(gòu)件212亦可以將半導(dǎo)體晶片300吸附于晶片托盤210，此時(shí)，在晶片托盤210上形成貫通 孔，保持構(gòu)件212通過該貫通孔將半導(dǎo)體晶片300吸附于晶片托盤210上。晶片側(cè)膜片220設(shè)置在半導(dǎo)體晶片300及晶片側(cè)PCR230之間，用于電連接半導(dǎo)體 晶片300與晶片側(cè)PCR230。晶片側(cè)膜片220上設(shè)有貫通由絕緣材料形成的薄板的表面與底 面的多個(gè)導(dǎo)電體凸塊222。凸塊222與半導(dǎo)體晶片300的各半導(dǎo)體芯片310的各端子電連 接。凸塊222可以與探針晶片100的晶片側(cè)連接端112以相同的配置設(shè)置。晶片側(cè)PCR230，設(shè)置在晶片側(cè)膜片220與探針晶片100之間，用于電連接晶片側(cè)膜 片220的凸塊222與探針晶片100的晶片側(cè)連接端112。晶片側(cè)PCR230利用凸塊222及晶 片側(cè)連接端112按壓而電連接凸塊222及晶片側(cè)連接端112，可使用異向性導(dǎo)電膜形成的薄 板。裝置側(cè)PCR240，設(shè)置在探針晶片100與裝置側(cè)膜片250之間，用以電連接探針晶片 100的裝置側(cè)連接端114與裝置側(cè)膜片250的凸塊252。裝置側(cè)PCR240，利用裝置側(cè)連接端 114及凸塊252的按壓而電連接裝置側(cè)連接端114及凸塊252，可使用異向性導(dǎo)電膜形成的薄板。裝置側(cè)膜片250，設(shè)置在裝置側(cè)PCR240與裝置基板260之間，用以電連接裝置側(cè) PCR240與裝置基板260。裝置側(cè)膜片250上設(shè)有貫通由絕緣材料形成的薄板的表面與底面 的多個(gè)導(dǎo)電體的凸塊252。凸塊252與裝置基板260的各端子電連接。凸塊252可用與探 針晶片100的裝置側(cè)連接端114相同的配置設(shè)置。裝置基板260可用于固定從晶片托盤210到裝置側(cè)膜片250之間的構(gòu)件。例如可 以利用螺絲釘或真空吸附等方式固定從晶片托盤210到裝置基板260之間的構(gòu)件。另外裝置基板260可電連接控制裝置10與裝置側(cè)膜片250的各凸塊252。裝置基板260可為印制 電路板。此外各個(gè)膜片，在借助膜片電連接的端子(墊)的面積較小，或端子為鋁膜等而在 其表面形成有氧化膜的情況下也有效。因此，在通過膜片電連接的端子的面積充分大時(shí)，可 省略膜片。例如裝置基板260的端子為大面積且容易電鍍的情況下，故探針裝置200也可 以不設(shè)置裝置側(cè)膜片250。根據(jù)上述構(gòu)成，可使探針晶片100與半導(dǎo)體晶片300電連接。又可使探針晶片100 與控制裝置10電連接。再者優(yōu)選用與半導(dǎo)體晶片300的基板具有相同熱膨脹率的材料制 造晶片側(cè)膜片220。另外，裝置側(cè)膜片250，優(yōu)選使用與晶片基板111具有相同熱膨脹率的 材料制成。圖4是電路部110的結(jié)構(gòu)示意圖，說明了在裝置連接面104上形成電路部110的 例子。在晶片基板111形成的多個(gè)電路部110，其每個(gè)可以具有相同的構(gòu)成。各個(gè)電路部110，具有多個(gè)測試電路120及多個(gè)轉(zhuǎn)換部118。同時(shí)，電路部110設(shè) 置多個(gè)墊119。多個(gè)墊119通過通孔116與晶片連接面102上形成的晶片側(cè)連接端112電連接。各個(gè)測試電路120可經(jīng)過裝置側(cè)連接端114連接到控制裝置10。各個(gè)測試電 路120可由控制裝置10提供控制信號、電源電力等。另外，在通常情況下由第一測試電路 120-1工作，其它測試電路120在第一測試電路120-1故障時(shí)工作。多個(gè)測試電路120，其 每個(gè)可以具有相同的電路。各個(gè)切換部118從多個(gè)測試電路120中選擇正在動作的測試電路120。在通常情 況下由第一切換部118-1工作，其它的切換部118在第一切換部118-1故障時(shí)工作。多個(gè) 切換部118，其每個(gè)可為相同的電路。切換部118，使選擇的測試電路120經(jīng)過墊119連接 晶片側(cè)連接端112，以測試對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310。如上所述，因電路部110在半導(dǎo)體晶片基板111上形成，故能夠高密度地形成含有 半導(dǎo)體元件的測試電路120。因此，能夠容易地在半導(dǎo)體芯片310的對應(yīng)區(qū)域內(nèi)，設(shè)置已含 預(yù)備電路的多個(gè)測試電路120。另外，電路部110可為含有一個(gè)測試電路120而不具有切換 部118的結(jié)構(gòu)。圖5是測試電路120功能構(gòu)成方塊圖。測試電路120具有圖形發(fā)生部122、波形形 成部130、驅(qū)動器132、比較器134、時(shí)序發(fā)生部136、邏輯比較部138、特性測量部140以及電 源供給部142。此外，測試電路120，可以在被連接的半導(dǎo)體芯片310的輸入輸出管腳的每 一管腳，具有圖5所示的構(gòu)成。圖形發(fā)生部122，生成測試信號的邏輯圖形。本例的圖形發(fā)生部122包括圖形存儲 器124、期待值存儲器126以及失效存儲器128。圖形發(fā)生部122，可將預(yù)先儲存于圖形存儲 器124的邏輯圖形輸出。圖形存儲器124，可儲存在測試開始前由控制裝置10提供的邏輯 圖形。另外，圖形發(fā)生部122可依據(jù)預(yù)先給予的演算方法，生成該邏輯圖形。波形形成部130，依據(jù)圖形發(fā)生部122提供的邏輯圖形，形成測試信號的波形。例 如波形形成部130可將對應(yīng)于邏輯圖形的各邏輯值的電壓，在各個(gè)規(guī)定的比特(Ε 7卜) 期間輸出以形成測試信號的波形。驅(qū)動器132，將從波形形成部130提供的波形所對應(yīng)的測試信號輸出。驅(qū)動器132，可回應(yīng)由時(shí)序發(fā)生部136提供的時(shí)序信號，而輸出測試信號。例如驅(qū)動器132可輸出與時(shí) 序信號相同周期的測試信號。驅(qū)動器132輸出的測試信號，經(jīng)過切換部118等提供給對應(yīng) 的半導(dǎo)體芯片310。比較器134，用以檢測半導(dǎo)體芯片310輸出的響應(yīng)信號。例如比較器134可對應(yīng)由 時(shí)序發(fā)生部136提供的選通信號，依次檢測出響應(yīng)信號的邏輯值，以檢測響應(yīng)信號的邏輯 圖形。邏輯比較部138，依據(jù)比較器134檢測的響應(yīng)信號的邏輯值，判定對應(yīng)的半導(dǎo)體芯 片310的好壞，具有判定部的功能。例如，邏輯比較部138可根據(jù)由圖形發(fā)生部122提供的 期待值圖形與比較器134檢測的邏輯值圖形是否一致來判斷半導(dǎo)體芯片310的好壞。圖形 發(fā)生部122，可將預(yù)先儲存于期待值存儲器126的期待值圖形，提供給邏輯比較部138。期 待值存儲器126，可儲存在測試開始前由控制裝置10提供的邏輯圖形。另外，圖形發(fā)生部 122，也可依據(jù)預(yù)先提供的演算方法生成該期待值圖形。失效存儲器128，用以儲存由邏輯比較部138比較的比較結(jié)果。例如在測試半導(dǎo) 體芯片310的存儲區(qū)域時(shí)，失效存儲器128，可儲存邏輯比較部138對半導(dǎo)體芯片310的每 一地址的好壞判定結(jié)果。控制裝置10可以讀出在失效存儲器128儲存的好壞判定結(jié)果，例 如，裝置側(cè)連接端114可將失效存儲器128儲存的好壞判定結(jié)果，輸出到探針晶片100外部 的控制裝置10。特性測量部140用以檢測驅(qū)動器132輸出的電壓或電流的波形。例如，特性測量 部140，可依據(jù)由驅(qū)動器132提供給半導(dǎo)體芯片310的電流或電壓的波形是否滿足規(guī)定的規(guī) 格而判定半導(dǎo)體芯片310好壞，即具有判定部的功能。電源供給部142，提供驅(qū)動半導(dǎo)體芯片310的電源電力，例如電源供給部142，可在 測試中將對應(yīng)于由控制裝置10提供的電力的電源電力，提供給半導(dǎo)體芯片310。另外，電源 供給部142也可對測試電路120的各構(gòu)成元件提供驅(qū)動電力。測試電路120因具有上述構(gòu)造，故能降低測試系統(tǒng)400的控制裝置10的規(guī)模。例 如，對于控制裝置10可使用通用的個(gè)人電腦等。圖6是測試電路120的其它結(jié)構(gòu)示意圖。本例的測試電路120具有在圖5中說明 的測試電路120的一部分結(jié)構(gòu)。例如，測試電路120可以具有驅(qū)動器132、比較器134及特 性測量部140。驅(qū)動器132、比較器134及特性測量部140，可以與在圖5中說明的驅(qū)動器 132、比較器134及特性測量部140相同。在這種情況下，控制裝置10，可以具有在圖5中說明的圖形發(fā)生部122、波形形成 部130、時(shí)序發(fā)生部136、邏輯比較部138及電源供給部142。測試電路120，按照從控制裝 置10給予的控制信號輸出測試信號。同時(shí)，測試電路120向控制裝置10傳送在比較器134 中的測量結(jié)果。根據(jù)這樣結(jié)構(gòu)的測試電路120，也能降低控制裝置10的規(guī)模。圖7是測試系統(tǒng)400的其它結(jié)構(gòu)示意圖。本例的探針晶片100，在每個(gè)規(guī)定個(gè)數(shù) 的半導(dǎo)體芯片310上具有一個(gè)電路部110。本例的電路部110，測試對應(yīng)的多個(gè)半導(dǎo)體芯片 310里面選中的任何一個(gè)半導(dǎo)體芯片310。圖8是圖7中的電路部110的結(jié)構(gòu)示意圖。本例的電路部110具有測試電路120 及開關(guān)106。測試電路120，可以與圖4至圖6中的任何一個(gè)測試電路120相同。開關(guān)106，通過轉(zhuǎn)換將測試電路120連接到某個(gè)半導(dǎo)體芯片310。具體地說，開關(guān)106將測試電路120連接到應(yīng)該測試的半導(dǎo)體芯片310對應(yīng)的晶片側(cè)連接端112。為了依次 測試各個(gè)半導(dǎo)體芯片310，開關(guān)106可以將測試電路120依次連接到與各個(gè)半導(dǎo)體芯片310 所對應(yīng)的晶片側(cè)連接端112。測試電路120，可以依次測試各個(gè)半導(dǎo)體芯片310。根據(jù)這樣 的構(gòu)成，即使是在晶片基板111上未能形成與半導(dǎo)體芯片310同樣數(shù)目的測試電路120，也 可以對各個(gè)半導(dǎo)體芯片310進(jìn)行測試。圖9是測試系統(tǒng)400的其它結(jié)構(gòu)的示意圖。本例的測試系統(tǒng)400，具有被測試晶片 側(cè)的探針晶片100-1、控制裝置側(cè)的探針晶片100-2及控制裝置10。被測試晶片側(cè)的探針 晶片100-1設(shè)置在半導(dǎo)體晶片300和控制裝置側(cè)的探針晶片100-2之間。同時(shí)，控制裝置 側(cè)的探針晶片100-2設(shè)置在被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1和控制裝置10之間。在本例中，被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1作為第一探針晶片發(fā)揮作用。同時(shí)，控 制裝置側(cè)的探針晶片100-2作為第二探針晶片發(fā)揮作用。同時(shí)，探針晶片100-1及探針晶 片100-2可各自具有與形成半導(dǎo)體晶片300的半導(dǎo)體芯片310的表面大體上相同直徑的圓 形面。被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1及控制裝置側(cè)的探針晶片100-2分別可以具有與 圖1至圖8說明的探針晶片100相同的功能及構(gòu)成。但是，被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1 的第一電路部110-1和在控制裝置側(cè)的探針晶片100-2中的第二電路部110-2，可以有不同 的電路。比如，第一電路部110-1，可以具有圖5所示的測試電路120的一部分構(gòu)成。同時(shí)， 第二電路部110-2，可以具有圖5所示的測試電路120構(gòu)成中的、第一電路部110-1所具有 的部分以外的構(gòu)成?？傊?，由于對應(yīng)的第一電路部110-1及第二電路部110-2的協(xié)同操作， 可以測試各個(gè)半導(dǎo)體芯片310。第二電路部110-2，可以對應(yīng)各個(gè)第一電路部110-1至少各 設(shè)置一個(gè)。同時(shí)，第一電路部110-1也可以分別對應(yīng)各個(gè)第二電路部110-2至少各設(shè)置一 個(gè)。具體地說，第二電路部110-2，可以生成應(yīng)該提供給對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的信號 具有的邏輯圖形，并可將生成的信號提供給對應(yīng)的第一電路部110-1。此時(shí)，第二電路部 110-2，可以具有圖5中說明的圖形發(fā)生部122。同時(shí)，第一電路部110-1，可以按照來自對應(yīng)的第二電路部110-2的信號，分別形 成應(yīng)該施加到對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310的信號的波形。此時(shí)，第一電路部110-1，可以具有圖 5說明的波形形成部130。同時(shí)，第二電路部110-2，可以具有半導(dǎo)體芯片310測試用的電路中的半導(dǎo)體芯 片310的每個(gè)品種，或每次對半導(dǎo)體芯片310的測試中共同使用的電路部分。第一電路部 110-1，可以具有半導(dǎo)體芯片310測試用的電路中的半導(dǎo)體芯片310每個(gè)品種，或每次對半 導(dǎo)體芯片310的測試時(shí)應(yīng)該被更換的電路部分。根據(jù)這樣的構(gòu)成，可對半導(dǎo)體芯片310的 多個(gè)品種共同使用控制裝置側(cè)的探針晶片100-2，從而能降低測試成本。同時(shí)，第二電路部110-2，可以具有例如圖5所示的測試電路120的全部構(gòu)成要 素。在這種情況下，被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1，也可以不具有第一電路部110-1。例 如被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1，可作為電連接端子間隔不相同的控制裝置側(cè)探針晶片 100-2和半導(dǎo)體晶片300的間隔變換基板而發(fā)揮作用。此時(shí)，被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1，可以在與控制裝置側(cè)的探針晶片100-2相對的表面上，具有與控制裝置側(cè)的探針晶片100-2中的第二中間連接端115同樣的配置而 形成的第一中間連接端。同時(shí)，被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1，可以在與半導(dǎo)體晶片300 相對的面上具有與半導(dǎo)體晶片300的端312同樣配置而形成的晶片側(cè)連接端112。對應(yīng)的 第一中間連接端及晶片側(cè)連接端112，通過貫通第一晶片基板111-1而形成的通孔116來電 連接。根據(jù)這樣的構(gòu)成，即使是依次對端子312設(shè)置不同的多個(gè)品種的半導(dǎo)體晶片300 進(jìn)行測試，如果更換被測試晶片側(cè)的探針晶片100-1，仍可以共同使用控制裝置側(cè)的探針晶 片100-2。因此，能降低測試成本。同時(shí)，第一電路部110-1，也可以是一種配線電路。其可以決定連接每個(gè)第二電路 部110-2與哪個(gè)半導(dǎo)體芯片310連接?？傊?，測試系統(tǒng)400，通過更換被測試晶片側(cè)的探針 晶片100-1，可以通過轉(zhuǎn)換將各個(gè)第二電路部110-2分別連接到某個(gè)半導(dǎo)體芯片310。同時(shí)，第一電路部110-1，也可以是一種轉(zhuǎn)換電路，其通過轉(zhuǎn)換將各個(gè)第二電路部 110-2分別連接到某個(gè)半導(dǎo)體芯片310。在這種情況下，控制裝置10，通過分別控制各個(gè)第 一電路部110-1，來轉(zhuǎn)換第二電路部110-2與半導(dǎo)體芯片310的連接關(guān)系。 同時(shí)，第一電路部110-1可以是配線電路，用于決定將對應(yīng)的第二電路部110-2各 端子連接到對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310的某個(gè)端子。同時(shí)，第一電路部110-1可以是轉(zhuǎn)換電路， 通過轉(zhuǎn)換將第二電路部110-2各端子連接到對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片310的某個(gè)端子。如上所述，測試系統(tǒng)400具有的2個(gè)探針晶片100中的至少一個(gè)可更換。因此，測 試系統(tǒng)400能以低成本測試各種各樣的半導(dǎo)體晶片300。圖10表示具有2個(gè)探針晶片100的探針裝置200的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本例用探 針裝置200各構(gòu)成要素相互分開的圖進(jìn)行說明，但探針裝置200的各構(gòu)成要素，在圖10的 上下方向上，相鄰的構(gòu)成要素是互相接觸設(shè)置的。探針裝置200，具有晶片托盤210、晶片側(cè)膜片220、晶片側(cè)PCR230、探針晶片100、 裝置側(cè)PCR240、裝置側(cè)膜片250、中間PCR270、中間膜片280及裝置基板260。晶片托盤210 保持半導(dǎo)體晶片300。晶片托盤210、晶片側(cè)膜片220及晶片側(cè)PCR230，可以具有在圖3中說明的晶片托 盤210、晶片側(cè)膜片220及晶片側(cè)PCR230相同的功能及構(gòu)造。再者，晶片側(cè)PCR230設(shè)置在 晶片側(cè)膜片220和半導(dǎo)體晶片側(cè)的探針晶片100-1之間，使晶片側(cè)膜片220的凸塊222和 半導(dǎo)體晶片側(cè)的探針晶片100-1的晶片側(cè)連接端112形成電連接。同時(shí)，半導(dǎo)體晶片側(cè)的探針晶片100-1在與中間PCR270相對的面上具有多個(gè)第一 中間連接端113。各個(gè)第一中間連接端113，可以是與圖2中的裝置側(cè)連接端114同樣地借 助通孔116與對應(yīng)的晶片側(cè)連接端112電連接。同時(shí)，多個(gè)第一中間連接端113與后述的 第二中間連接端115具有相同的配置。同時(shí)，第一中間連接端113可以與晶片側(cè)連接端112 具有不同的配置。中間PCR270設(shè)置在半導(dǎo)體晶片側(cè)的探針晶片100_1和中間膜片280之間，使探針 晶片100-1的第一中間連接端113和中間膜片280的凸塊282電連接。中間PCR270可以 是由各向異性導(dǎo)電膜形成的薄片，該中間PCR270通過第一中間連接端113與凸塊282的相 互擠壓而使彼此形成電連接。中間膜片280設(shè)置在中間PCR270和控制裝置側(cè)的探針晶片100_2之間，使中間
13PCR270和探針晶片100-2電連接。中間膜片280設(shè)置有能貫通用絕緣材料形成的薄片的表 面和背面的多個(gè)導(dǎo)電體的凸塊282。凸塊282與探針晶片100-2的第二中間連接端115形 成電連接。凸塊282，可以與探針晶片100-2的第二中間連接端115以相同的配置而設(shè)置。同時(shí)，控制裝置側(cè)的探針晶片100-2，在與第二晶片基板111-2中的中間膜片280 對應(yīng)的面上，具有與多個(gè)第一中間連接端113—一對應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第二中間連接端115。各 個(gè)第二中間連接端115，可以通過貫通第二晶片基板111-2而形成的通孔與對應(yīng)的裝置側(cè) 連接端114電連接。第二中間連接端115，可以與裝置側(cè)連接端114具有相同的配置。裝置側(cè)PCR240、裝置側(cè)膜片250、裝置基板260可以具有與圖3中說明的裝置側(cè) PCR240、裝置側(cè)膜片250及裝置基板260相同的功能及構(gòu)造。再者，裝置側(cè)PCR240設(shè)置在 控制裝置側(cè)的探針晶片100-2和裝置側(cè)膜片250之間，電連接探針晶片100-2和裝置側(cè)膜 片250。根據(jù)這樣的構(gòu)成，能用2個(gè)探針晶片100測試半導(dǎo)體晶片300。另外，如圖3所說明的，在本例的探針裝置200中也可以省略任何一個(gè)膜片。例 如，與圖3說明的例子同樣地，探針裝置200可以不具有裝置側(cè)膜片250。同時(shí)，因?yàn)樘结樉?片100的端子面積大且容易以電鍍等方式形成，所以探針裝置200，也可以不具有中間膜片 280。以上用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍不限定于上述實(shí)施方式記載 的范圍。該領(lǐng)域人員清楚，可以對上述實(shí)施方式進(jìn)行多種多樣的變更與改良。從權(quán)利要求 的記載可以明確，這樣的變更或改良方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍中。
權(quán)利要求
一種探針晶片，其與具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片電連接，其特征在于所述探針晶片包括晶片基板，以及多個(gè)晶片側(cè)連接端，其在上述晶片基板上形成，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，與對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的探針晶片，其特征在于還包括多個(gè)電路部，其在上述晶片基板上形成，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，通過 上述晶片側(cè)連接端與所對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片之間交接信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2記載的探針晶片，其特征在于每個(gè)上述電路部具有相同的構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2記載的探針晶片，其特征在于每個(gè)上述電路部生成提供給對應(yīng)的上 述半導(dǎo)體芯片的信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4記載的探針晶片，其特征在于每個(gè)上述電路部生成用于測試上述半 導(dǎo)體芯片的測試信號，并分別提供給對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5記載的探針晶片，其特征在于每個(gè)上述電路部，根據(jù)對應(yīng)的上述半 導(dǎo)體芯片按照上述測試信號輸出的響應(yīng)信號，判定對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的好壞。
7.根據(jù)權(quán)利要求6記載的探針晶片，其特征在于上述電路部分別具有生成上述測試信號的邏輯圖形的圖形發(fā)生部；基于上述邏輯圖形形成上述測試信號的波形并輸出的波形形成部；測量上述響應(yīng)信號的比較器；以及基于上述比較器中的測量結(jié)果，判定上述半導(dǎo)體芯片好壞的判定部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7記載的探針晶片，其特征在于上述晶片基板具有具有上述晶片側(cè)連接端的晶片連接面；在上述晶片連接面背面形成的裝置連接面；上述探針晶片，還具有裝置側(cè)連接端，所述裝置側(cè)連接端在上述晶片基板的上述裝置 連接面上形成，對外部的裝置輸出上述電路部中的好壞判斷結(jié)果。
9.根據(jù)權(quán)利要求8記載的探針晶片，其特征在于上述晶片基板，用與上述半導(dǎo)體晶片 的基板相同的半導(dǎo)體材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8記載的探針晶片，其特征在于上述晶片基板的上述晶片連接面與 上述半導(dǎo)體晶片的形成有上述半導(dǎo)體芯片的面具有大體上相同的形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求8記載的探針晶片，其特征在于上述晶片基板的上述晶片連接面及 上述裝置連接面，通過各向異性導(dǎo)電膜與上述半導(dǎo)體晶片及上述外部的裝置接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1記載的探針晶片，其特征在于包括多個(gè)電路部，其在上述晶片基板上形成，在每一規(guī)定個(gè)數(shù)的上述半導(dǎo)體芯片上各設(shè)置 一個(gè)，生成提供給對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的信號；以及開關(guān)，通過轉(zhuǎn)換將每個(gè)上述電路部分別連接到某個(gè)上述半導(dǎo)體芯片上。
13.一種探針裝置，其與具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體晶片電連接，所述探針裝置具有與所述半導(dǎo)體晶片電連接的第一探針晶片，以及與所述第一探針晶片電連接的第二探 針晶片；所述第一探針晶片包括第一晶片基板；多個(gè)晶片側(cè)連接端，其形成在所述第一晶片基板上，對每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè) 置一個(gè)，與對應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接；多個(gè)第一中間連接端，與上述多個(gè)晶片側(cè)連接端電連接，以及 多個(gè)第一電路部，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，輸出與來自上述第二探針 晶片的信號對應(yīng)的信號； 上述第二探針晶片包括第二晶片基板，其與上述第一晶片基板的形成有上述多個(gè)第一中間連接端的面相對設(shè)置，多個(gè)第二中間連接端，其在上述第二晶片基板上形成，與上述多個(gè)第一中間連接端 一一對應(yīng)設(shè)置，與對應(yīng)的上述第一中間連接端形成電連接，以及多個(gè)第二電路部，對每個(gè)上述第一電路部至少各設(shè)置一個(gè)，生成應(yīng)該施加給對應(yīng)的上 述第一電路部的信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求13記載的探針裝置，其特征在于上述第一電路部及上述第二電路 部，生成用于測試所對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求14記載的探針裝置，其特征在于上述第一晶片基板及上述第二晶片 基板，用與上述半導(dǎo)體晶片的基板相同的半導(dǎo)體材料形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14記載的探針裝置，其特征在于上述第一晶片基板及上述第二晶片 基板分別具有與形成了與上述半導(dǎo)體晶片的形成了上述半導(dǎo)體芯片的面大體上相同的形 狀的面。
17.—種測試系統(tǒng)，是測試在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的測試系統(tǒng)，其 特征在于所述測試系統(tǒng)具有晶片基板；多個(gè)晶片側(cè)連接端，在上述晶片基板上形成，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)， 與所對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接；多個(gè)電路部，在上述晶片基板上形成，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，生成用 于測試所對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的測試信號，分別提供給所對應(yīng)的每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片， 以測試每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片；以及控制裝置，生成用于控制上述多個(gè)電路部的控制信號。
18.—種測試系統(tǒng)，是用于測試在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的測試系 統(tǒng)，其特征在于所述測試系統(tǒng)具有與上述半導(dǎo)體晶片電連接的第一探針晶片； 與上述第一探針晶片電連接的第二探針晶片； 生成控制信號的控制裝置； 上述第一探針晶片包括 第一晶片基板、多個(gè)晶片側(cè)連接端，在上述第一晶片基板上形成，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置 一個(gè)，與對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接；多個(gè)第一中間連接端，與上述多個(gè)晶片側(cè)連接端電連接；多個(gè)第一電路部，對每個(gè)上述半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，并基于上述第二探針晶片 施加的信號，輸出與所對應(yīng)的上述半導(dǎo)體芯片對應(yīng)的信號； 上述第二探針晶片包括第二晶片基板，與上述第一晶片基板的形成有上述第一中間連接端的面相對設(shè)置； 多個(gè)第二中間連接端，在上述第二晶片基板上形成，與所述多個(gè)第一中間連接端一對 一對應(yīng)設(shè)置，并與對應(yīng)的所述第一中間連接端電連接；以及多個(gè)第二電路部，對每個(gè)上述第一電路部至少各設(shè)置一個(gè)，生成應(yīng)該施加給對應(yīng)的上 述第一電路部的信號。
全文摘要
本發(fā)明提供一種測試系統(tǒng)，用于測試在一個(gè)半導(dǎo)體晶片上形成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，該測試系統(tǒng)具有晶片基板；和在晶片基板上形成，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，與對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的輸入輸出端電連接的多個(gè)晶片側(cè)連接端；以及在晶片基板上形成，對各個(gè)半導(dǎo)體芯片至少各設(shè)置一個(gè)，生成用于所對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的測試的測試信號，分別提供給對應(yīng)的各個(gè)半導(dǎo)體芯片，以測試各個(gè)上述半導(dǎo)體芯片的多個(gè)電路部；生成用于控制多個(gè)電路部的控制信號的控制裝置。
文檔編號H01L21/66GK101978485SQ20088012822
公開日2011年2月16日 申請日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者梅村芳春, 甲元芳雄 申請人:愛德萬測試株式會社