專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路基板上的半導(dǎo)體芯片被樹脂密封的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
提出了將電路基板上的半導(dǎo)體芯片被樹脂密封的半導(dǎo)體裝置以如下兩個(gè)工序進(jìn) 行制造的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1)用粘接劑將半導(dǎo)體芯片安裝在電路基板上(芯片安裝工序)， 接著用密封用的樹脂片覆蓋半導(dǎo)體芯片，利用具有剛性表面的輥式壓制機(jī)或不是通常的接 合器的高價(jià)的真空壓制機(jī)對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行密封(模塑工序)。專利文獻(xiàn)1 特開2006-344756號(hào)公報(bào)但是，在模塑工序中，必須對(duì)密封樹脂進(jìn)行加熱加壓，所以，在專利文獻(xiàn)1的方法 中，在由半導(dǎo)體芯片安裝工序所形成的電路基板和半導(dǎo)體芯片之間的連接部，再次施加模 塑工序時(shí)的熱和壓力，所以，在連接部產(chǎn)生剝離或偏移等的損傷，存在連接可靠性降低的危 險(xiǎn)。此外，使用真空壓制機(jī)等的高價(jià)的裝置會(huì)使半導(dǎo)體裝置的制造成本增大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，在制造電路基板上的半導(dǎo)體芯片被樹脂密封的半導(dǎo)體裝置 時(shí)，在電路基板和半導(dǎo)體芯片之間的連接部不產(chǎn)生由熱或壓力引起的損傷，能夠利用比較 簡易的方法進(jìn)行制造。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在利用一次熱壓接處理同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片向電路基板的 安裝和半導(dǎo)體芯片的密封從而能夠解決上述課題的假定下，為此，在電路基板上暫時(shí)粘接 半導(dǎo)體芯片之后，用預(yù)定厚度的密封樹脂膜覆蓋半導(dǎo)體芯片，一邊用具有預(yù)定范圍的橡膠 硬度的橡膠壓頭進(jìn)行加壓，一邊從相反側(cè)加熱，則能夠同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的安裝和密封， 完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供一種電路基板上的半導(dǎo)體芯片被樹脂密封的半導(dǎo)體裝置的制造方 法，其特征在于，隔著熱硬化型粘接膜將半導(dǎo)體芯片暫時(shí)固定在電路基板上，對(duì)暫時(shí)固定的半導(dǎo)體芯片配置具有剝離膜和在其上層疊的層厚為該半導(dǎo)體芯片 厚度的0. 5 2倍的熱硬化型密封樹脂層的密封樹脂膜，使得該熱硬化型密封樹脂層面向 半導(dǎo)體芯片側(cè)，一邊從剝離膜側(cè)用橡膠硬度為5 100的橡膠壓頭進(jìn)行加壓，一邊從電路基板側(cè) 進(jìn)行加熱，由此，將半導(dǎo)體芯片粘接固定在電路基板上，同時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行樹脂密封，將表面的剝離膜剝離。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，使用具有預(yù)定厚度的熱硬化型密封樹脂層 的密封樹脂膜，利用一次熱壓接處理，同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片向電路基板的安裝和半導(dǎo)體芯 片的密封，所以，在電路基板和半導(dǎo)體芯片之間所形成的連接部在連接后不會(huì)再次受到加 熱加壓。因此，不會(huì)在連接部產(chǎn)生剝離或偏移等的損傷。


圖IA是本發(fā)明的制造方法的工序的--部分的說明圖。
圖IB是本發(fā)明的制造方法的工序的--部分的說明圖。
圖IC是本發(fā)明的制造方法的工序的--部分的說明圖。
圖ID是本發(fā)明的制造方法的工序的--部分的說明圖。
附圖標(biāo)記說明
1電路基板
2熱硬化型粘接膜
3半導(dǎo)體芯片
4剝離膜
5熱硬化型密封樹脂層
6密封樹脂膜
7橡膠壓頭(rubberhead)
8加熱臺(tái)
具體實(shí)施例方式本發(fā)明是電路基板上的半導(dǎo)體芯片被樹脂密封的半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)圖 IA 圖ID對(duì)該制造方法的各工序進(jìn)行說明。首先，如圖IA所示，在電路基板1上隔著熱硬化型粘接膜2暫時(shí)固定半導(dǎo)體芯片 3。具體地說，利用熱硬化型粘接膜2的粘接力暫時(shí)帖在電路基板1上，進(jìn)一步在其上暫時(shí) 固定半導(dǎo)體芯片3。作為電路基板1，能夠利用廣泛用于半導(dǎo)體裝置的玻璃環(huán)氧樹脂電路基板、玻璃電 路基板、撓性電路基板等。此外，作為熱硬化型粘接膜2，能夠利用通用于電子部件的固定的絕緣性的熱硬化 型粘接膜，優(yōu)選能夠使用以環(huán)氧樹脂或丙烯樹脂為主體的熱硬化型粘接膜。在熱硬化型粘 接膜2中，優(yōu)選以固態(tài)換算摻合20 50質(zhì)量％的咪唑類潛在性硬化劑。此外，能夠在熱 硬化型粘接膜2中摻合公知的添加劑，特別是，為了控制其線膨脹系數(shù)，優(yōu)選以固態(tài)換算摻 合10 60質(zhì)量％的硅石微粒。并且，此外，作為熱硬化型粘接膜2的厚度，通常是40 50 μ m0作為半導(dǎo)體芯片3，使用具有與半導(dǎo)體裝置的用途對(duì)應(yīng)的性能的半導(dǎo)體芯片。例 如，根據(jù)CPU、ROM、RAM、LED等的用途適當(dāng)選擇。此外，作為半導(dǎo)體芯片3和電路基板1的 電連接的方式，能夠舉出利用形成在半導(dǎo)體芯片3的背面的突起的覆晶接合(Flip-Chip Bonding)、在半導(dǎo)體芯片3和電路基板1的連接端子之間隔著焊料球進(jìn)行的覆晶接合等。然后，如圖IB所示，對(duì)暫時(shí)固定的半導(dǎo)體芯片3配置具有剝離膜4和在其上層疊 的熱硬化型密封樹脂層5的密封樹脂膜6，使得熱硬化型密封樹脂層5面對(duì)半導(dǎo)體芯片3。作為構(gòu)成密封樹脂膜6的剝離膜4，能夠使用進(jìn)行剝離表面處理后的聚對(duì)苯二甲 酸乙二醇酯(PET)膜等公知的剝離膜。作為剝離膜4的厚度，沒有特別限制，但是，通常是 40 60 μ m。此外，作為熱硬化型密封樹脂層5，能夠使用公知的熱硬化型密封用樹脂，優(yōu)選以環(huán)氧樹脂或丙烯樹脂為主體的熱硬化型密封用樹脂。優(yōu)選熱硬化型密封用樹脂含有 20 50質(zhì)量％的咪唑類潛在性硬化劑。此外，能夠在熱硬化型密封樹脂層5中摻合公知的 添加劑，特別是，為了控制其線膨脹系數(shù)，優(yōu)選以固態(tài)換算摻合10 60質(zhì)量％的硅石微粒。并且，作為熱硬化型密封樹脂層5的厚度，通常是50 500 μ m，但是，當(dāng)與半導(dǎo)體 芯片3的厚度相比過薄時(shí)，不能夠充分地密封半導(dǎo)體芯片3，存在露出的情況，當(dāng)過厚時(shí)，不 能夠進(jìn)行充分的按壓，連接可靠性不充分，所以，在本發(fā)明中是應(yīng)該進(jìn)行密封的半導(dǎo)體芯片 3的厚度的0. 3 2倍的厚度，優(yōu)選為1 2倍的厚度。并且，關(guān)于密封樹脂膜6的熱硬化型密封樹脂層5，將線膨脹系數(shù)設(shè)為Ae，將彈性 模量設(shè)為Am，關(guān)于熱硬化型粘接膜2，將其線膨脹系數(shù)設(shè)為Be，將彈性模量設(shè)為Bm時(shí)，優(yōu)選 滿足以下的式(1) (2)。0 < Be/Ae 彡 2. 25(1)0 < Am/Bm ^ 3. 5 (2)在式⑴中，當(dāng)“Be/Ae”的數(shù)值過小時(shí)，初始導(dǎo)通不良，當(dāng)過大時(shí)，在可靠性方面成 為導(dǎo)通不良，所以，優(yōu)選大于0且2. 25以下，更優(yōu)選為0.3以上且2以下。在式(2)中，當(dāng)“Am/Bm”的數(shù)值過小時(shí)，初始導(dǎo)通不良，當(dāng)過大時(shí)，在可靠性方面成 為導(dǎo)通不良，所以，優(yōu)選大于0且3. 5以下，更優(yōu)選為0. 2以上且1以下。并且，在對(duì)熱硬化型密封樹脂層5和熱硬化型粘接膜2的各自的線膨脹系數(shù)和彈 性模量進(jìn)行對(duì)比的情況下，應(yīng)該首先對(duì)各自的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度以下的溫度下的這些數(shù)值進(jìn) 行比較。這是因?yàn)椋ǔＫ褂玫沫h(huán)境是室溫范圍。在該情況下，將超過玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的 溫度下的這些數(shù)值進(jìn)行對(duì)比，其結(jié)果是，也優(yōu)選滿足式(1) (2)的關(guān)系。這是因?yàn)椋谶M(jìn) 行部件的后加工的情況下，施加受熱歷程。然后，如圖IC所示，一邊以橡膠壓頭7從剝離膜4側(cè)加壓，一邊從電路基板1側(cè)以 加熱臺(tái)8進(jìn)行加熱。由此，能夠在將半導(dǎo)體芯片3粘接固定在電路基板1上的同時(shí)，對(duì)半導(dǎo) 體芯片3進(jìn)行樹脂密封。橡膠壓頭7需要由與對(duì)象物接觸的部分跟隨應(yīng)該按壓的對(duì)象物的復(fù)雜的表面凹 凸進(jìn)行按壓的橡膠構(gòu)成。具體地說，優(yōu)選由橡膠硬度(JISS6050)為5 100的樹脂構(gòu)成， 更優(yōu)選由40 80的樹脂構(gòu)成。作為這樣的橡膠硬度為優(yōu)選的樹脂，從耐熱性這一點(diǎn)來看， 能夠舉出硅樹脂或者氟類樹脂。作為按壓力，通常為1 3MPa。優(yōu)選加熱臺(tái)8通常由能夠加熱到300°C的不銹鋼或陶瓷等的熱傳導(dǎo)性良好的材料 構(gòu)成。加熱臺(tái)8的溫度是熱硬化型粘接膜2和密封樹脂膜6通常被加熱到160 200°C這 樣的溫度。然后，如圖ID所示，提拉橡膠壓頭7，并且，將剝離膜4剝離。由此，能夠同時(shí)進(jìn)行 半導(dǎo)體芯片3向電路基板1的固定和半導(dǎo)體芯片3的密封。由此，能夠取得與電路基板1 連接的半導(dǎo)體芯片3被樹脂密封而成的半導(dǎo)體裝置。并且，在圖IC以及圖ID中，應(yīng)該留意 熱硬化型密封樹脂層5和熱硬化型粘接膜2已經(jīng)成為硬化物。實(shí)施例以下，根據(jù)實(shí)施例具體地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。并且，在以下的實(shí)施例或者比較例中 所使用的評(píng)價(jià)用的電路基板是在表面形成有實(shí)施了鎳/金鍍的厚度為12 μ m的銅布線的 0. 3mmX38mmX38mm尺寸的玻璃環(huán)氧樹脂電路基板。此外，評(píng)價(jià)用的半導(dǎo)體芯片是設(shè)置有金柱形突起(160引腳)的200μπιΧ6. 3mmX6. 3mm尺寸的硅芯片。參考例1<熱硬化型粘接膜A的制作>將環(huán)氧樹脂(jER828JapanEpoxy Resins Co.，Ltd. ) 50 質(zhì)量部、潛在性硬化 劑(HX3941HP、Asahi Kasei Chemicals Corporation) 100 質(zhì)量部、硅石微粒(Tatsumori Ltd. )50質(zhì)量部的混合物以固態(tài)為50質(zhì)量％的方式溶解分散到甲苯中而成的熱硬化型粘 接組成物，涂敷在剝離處理后的50μπι厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Tohcello Co.，Ltd.)上，使得干燥厚度為45μπι，在80°C下進(jìn)行干燥，由此，制作熱硬化型粘接膜A。彈 性模量Bm是5GPa。此外，小于玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度(20 40°C范圍)下的線膨脹系數(shù)Bel是 30ppm。超過玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的溫度(160 190°C的范圍)下的線膨脹系數(shù)是llOppm。參考例2<熱硬化型粘接膜B的制作>將硅石微粒的摻合量從50質(zhì)量部代換為30質(zhì)量部，除此以外與參考例1同樣地 制作熱硬化型粘接膜B。彈性模量Bm是3. 5GPa。此外，小于玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度(20 40°C范 圍)下的線膨脹系數(shù)Bel為52ppm。超過玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的溫度(160 190°C的范圍)下 的線膨脹系數(shù)Be2為145ppm。參考例3<熱硬化型粘接膜C的制作>將硅石微粒的摻合量從50質(zhì)量部代換為0質(zhì)量部，除此以外與參考例1同樣地制 作熱硬化型粘接膜C。彈性模量Bm為1.6GPa。此外，小于玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度(20 40°C范 圍)下的線膨脹系數(shù)Bel為66ppm。超過玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的溫度(160 190°C的范圍)下 的線膨脹系數(shù)Be2為187ppm。參考例4<熱硬化型粘接膜D的制作>將硅石微粒的摻合量從50質(zhì)量部代換為80質(zhì)量部，除此以外與參考例1同樣地 制作熱硬化型粘接膜D。彈性模量Bm為8GPa。此外，小于玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度(20 40°C范 圍)下的線膨脹系數(shù)Bel為22ppm。超過玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的溫度(160 190°C的范圍)下 的線膨脹系數(shù)Be2為69ppm。參考例5<熱硬化型密封樹脂膜1的制作>將環(huán)氧樹脂(jER828JapanEpoxy Resins Co.，Ltd. ) 50 質(zhì)量部、潛在性硬化 劑(HX3941HP、Asahi Kasei Chemicals Corporation) 100 質(zhì)量部、硅石微粒(Tatsumori Ltd. )50質(zhì)量部的混合物以固態(tài)為50質(zhì)量％的方式溶解分散到甲苯中而成的熱硬化型粘 接組成物，涂敷在剝離處理后的50μπι厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(Tohcello Co.，Ltd.)上，使得干燥厚度為50 μ m，在80°C下進(jìn)行干燥，由此，制作熱硬化型密封樹脂膜 1。彈性模量Am是5GPa。此外，小于玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度(20 40°C范圍)下的線膨脹系數(shù) Ael是30ppm。超過玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度的溫度(160 190°C的范圍)下的線膨脹系數(shù)Ae2是 IlOppm0參考例6<熱硬化型密封樹脂膜2的制作>將熱硬化型粘接組成物以干燥厚度為100 μ m的方式進(jìn)行涂敷，除此以外與參考 例5同樣地制作熱硬化型密封樹脂膜2。彈性模量Am、線膨脹系數(shù)Ael、線膨脹系數(shù)Ae2與 參考例5的熱硬化型密封樹脂膜1相同。參考例7<熱硬化型密封樹脂膜3的制作>將熱硬化型粘接組成物以干燥厚度為200 μ m的方式進(jìn)行涂敷，除此以外與參考例5同樣地制作熱硬化型密封樹脂膜3。彈性模量Am、線膨脹系數(shù)Ael、線膨脹系數(shù)Ae2與 參考例5的熱硬化型密封樹脂膜1相同。參考例8<熱硬化型密封樹脂膜4的制作>將熱硬化型粘接組成物以干燥厚度為300 μ m的方式進(jìn)行涂敷，除此以外與參考 例5同樣地制作熱硬化型密封樹脂膜4。彈性模量Am、線膨脹系數(shù)Ael、線膨脹系數(shù)Ae2與 參考例5的熱硬化型密封樹脂膜1相同。參考例9<熱硬化型密封樹脂膜5的制作>將熱硬化型粘接組成物以干燥厚度為500 μ m的方式進(jìn)行涂敷，除此以外與參考 例5同樣地制作熱硬化型密封樹脂膜5。彈性模量Am、線膨脹系數(shù)Ael、線膨脹系數(shù)Ae2與 參考例5的熱硬化型密封樹脂膜1相同。參考例10<熱硬化型密封樹脂膜6的制作>將硅石微粒的摻合量從50質(zhì)量部代換為0質(zhì)量部，除此以外與參考例7同樣地制 作熱硬化型密封樹脂膜6。彈性模量Am為1.6GPa、線膨脹系數(shù)Ael為66ppm、線膨脹系數(shù) Ae2 為 187ppm。實(shí)施例1將參考例1的熱硬化型粘接膜A貼附在評(píng)價(jià)用的電路基板上，將剝離膜剝離，在其 上對(duì)評(píng)價(jià)用的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行對(duì)位并暫時(shí)固定，并且，覆蓋參考例6的熱硬化型密封樹脂 膜2，一邊從下方進(jìn)行加熱，一邊用硅橡膠壓頭進(jìn)行加壓沖壓，由此，同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片向 電路基板的安裝和密封。最后，將表面的剝離膜剝離，由此，得到實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置。并 且，沖壓條件是1800C >20秒、2. 5MPa。實(shí)施例2代替參考例6的熱硬化型密封樹脂膜2，使用參考例8的熱硬化型密封樹脂膜4， 除此以外與實(shí)施例1同樣地得到實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例3代替參考例1的熱硬化型粘接膜A，使用參考例2的熱硬化型粘接膜B，并且，代替 參考例6的熱硬化型密封樹脂膜2，使用參考例7的熱硬化型密封樹脂膜3，除此以外與實(shí) 施例1同樣地得到實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例4代替參考例1的熱硬化型粘接膜A，使用參考例3的熱硬化型粘接膜C，除此以外 與實(shí)施例3同樣地得到實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例5代替參考例1的熱硬化型粘接膜A，使用參考例4的熱硬化型粘接膜D，并且，代替 參考例6的熱硬化型密封樹脂膜2，使用參考例10的熱硬化型密封樹脂膜6，除此以外與實(shí) 施例1同樣地得到實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置。比較例1將參考例1的熱硬化型粘接膜A貼附在評(píng)價(jià)用的電路基板上，將剝離膜剝離，在該 狀態(tài)下以180°C、20秒、2. 5MPa的條件進(jìn)行加熱、加壓，由此，將半導(dǎo)體芯片安裝接合在電路 基板上。之后，使用密封用液狀樹脂(Panasonic Electric Works Co.，Ltd)對(duì)半導(dǎo)體芯片 進(jìn)行澆注密封，在加熱循環(huán)式爐中在150°C下加熱3小時(shí)，由此，得到比較例1的半導(dǎo)體裝置。比較例2代替參考例6的熱硬化型密封樹脂膜2，使用參考例5的熱硬化型密封樹脂膜1， 除此以外與實(shí)施例1同樣地得到比較例2的半導(dǎo)體裝置。比較例3代替參考例6的熱硬化型密封樹脂膜2，使用參考例9的熱硬化型密封樹脂膜5， 除此以外與實(shí)施例1同樣地得到比較例3的半導(dǎo)體裝置。(評(píng)價(jià))關(guān)于在各實(shí)施例以及比較例中得到的半導(dǎo)體裝置，利用4端子法(40溝道/樣品) 在吸濕、回流之前(初始)和之后(在85°C -85% RH中放置24小時(shí)后，在265°C (MXA)的 焊料回流中一次)測定電路基板和半導(dǎo)體芯片之間的導(dǎo)通電阻值(πιΩ)，確認(rèn)了電氣接合。 此外，利用雛菊鏈法在吸濕、回流之前(初始)和之后(85°C -85% RH中放置24小時(shí)后， 2650C (MXA)的焊料回流中一次)測定絕緣電阻值(Ω)，確認(rèn)了絕緣性。將所得到的結(jié)果示 出在表1中。此外，目視觀察了吸濕、回流后的外觀。將所得到的結(jié)果示出在表1中。表 權(quán)利要求
一種電路基板上的半導(dǎo)體芯片被樹脂密封的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，隔著熱硬化型粘接膜將半導(dǎo)體芯片暫時(shí)固定在電路基板上，對(duì)暫時(shí)固定的半導(dǎo)體芯片配置具有剝離膜和在其上層疊的層厚為該半導(dǎo)體芯片厚度的0.3～2倍的熱硬化型密封樹脂層的密封樹脂膜，使得該熱硬化型密封樹脂層面向半導(dǎo)體芯片側(cè)，一邊從剝離膜側(cè)用橡膠硬度為5～100的橡膠壓頭進(jìn)行加壓，一邊從電路基板側(cè)進(jìn)行加熱，由此，將半導(dǎo)體芯片粘接固定在電路基板上，同時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行樹脂密封，將表面的剝離膜剝離。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，對(duì)于密封樹脂膜的熱硬化型密封樹脂層，將線膨脹系數(shù)設(shè)為Ae、將彈性模量設(shè)為Am， 對(duì)于熱硬化型粘接膜，將線膨脹系數(shù)設(shè)為Be、將彈性模量設(shè)為Bm時(shí)，滿足下式(1) (2)， 0 < Be/Ae 彡 2. 25 (1) 0 < Am/Bm 彡 3. 5 (2)。
3.如權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，密封樹脂膜的熱硬化型密封樹脂層以及粘接膜由環(huán)氧樹脂或者丙烯樹脂構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1 3任意一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 該橡膠壓頭由硅樹脂構(gòu)成。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 利用權(quán)利要求1的制造方法制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的特征在于對(duì)隔著熱硬化型粘接膜(2)暫時(shí)固定在電路基板(1)上的半導(dǎo)體芯片(3)配置具有剝離膜(4)和在其上層疊的層厚為該半導(dǎo)體芯片(3)厚度的0.5～2倍的熱硬化型密封樹脂層(5)的密封樹脂膜(6)，使得該熱硬化型密封樹脂層(5)面向半導(dǎo)體芯片(3)，一邊從剝離膜(4)側(cè)用橡膠硬度為5～100的橡膠壓頭(7)進(jìn)行按壓，一邊從電路基板(1)側(cè)進(jìn)行加熱，由此，將半導(dǎo)體芯片(3)粘接固定在電路基板(1)上，同時(shí)，將半導(dǎo)體芯片(3)樹脂密封后，將剝離膜(4)剝離。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101983419SQ20088012846
公開日2011年3月2日 申請(qǐng)日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月4日
發(fā)明者濱崎和典, 須賀保博 申請(qǐng)人:索尼化學(xué)&信息部件株式會(huì)社