專利名稱：發(fā)光元件封裝用基板的制造方法及發(fā)光元件封裝體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在將LED芯片等發(fā)光元件封裝化時使用的發(fā)光元件封裝用基板的制造方法及使用了由該制造方法制造出的發(fā)光元件封裝用基板的發(fā)光元件封裝體。
背景技術：
近年來，發(fā)光二極管作為能夠輕量·減薄化及省電化的照明·發(fā)光裝置而受到關注。作為發(fā)光二極管的安裝方式已知有將發(fā)光二極管的裸芯片(LED芯片)直接安裝到配線基板上的方法；為了使LED芯片容易安裝到配線基板上而將LED芯片接合(bonding)到小型基板上并將其封裝化、然后將該LED封裝體安裝到配線基板上的方法。以往的LED封裝體構成為，將LED芯片小片接合(die bond)到小型基板上，通過引線接合(wire bond)等將LED芯片的電極部分與引線的電極部分之間連接，并由具有透光性的密封樹脂將其密封。另一方面，LED芯片具有以下性質，S卩，在作為照明器件的通常的使用溫度區(qū)域內， 溫度越低則發(fā)光效率越高，溫度越高則發(fā)光效率越下降。因此，在使用發(fā)光二極管的光源裝置中，對于提高LED芯片的發(fā)光效率而言，將LED芯片產生的熱量迅速地向外部散出而降低 LED芯片的溫度成為了非常重要的課題。此外，通過提高散熱特性能夠在LED芯片中通過大電流來進行使用，從而能夠增大LED芯片的光輸出。因此，已提出了多個取代以往的發(fā)光二極管而將LED芯片直接小片接合到導熱性的基板上以改善LED芯片的散熱特性的光源裝置。例如，已知有下述專利文獻1中的如下裝置，即，通過對鋁薄板構成的基板實施沖壓加工而形成凹部，在其表面上形成絕緣體薄膜后，隔著絕緣體薄膜在凹部的底面上小片接合LED芯片，使形成于絕緣體膜層上的配線圖案與LED芯片表面的電極之間經由接合引線而電連接，并在凹部內填充具有透光性的密封樹脂。然而，這種基板存在結構變得復雜而造成加工成本增加等問題。此外，在下述的專利文獻2中，作為發(fā)光元件搭載用基板公開有具備如下構件的結構，即，該結構具備金屬基板、通過蝕刻形成在該金屬基板的發(fā)光元件的搭載位置的金屬柱狀體(金屬凸部)、形成在該金屬柱狀體的周圍的絕緣層、在所述金屬柱狀體的附近形成的電極部。專利文獻1 日本特開2002-94122號公報專利文獻2 日本特開2005-167086號公報然而，根據本發(fā)明人等的研究發(fā)現(xiàn)，對于將LED芯片安裝到配線基板上的情況而言，雖然在其搭載位置設置金屬柱狀體是重要的，但是對于安裝LED封裝體而言，并非必須在配線基板上設置金屬柱狀體。即，發(fā)現(xiàn)如下情況在安裝LED封裝體時，通過使用含有高導熱性的無機填充物的樹脂作為搭載LED封裝體的基板的絕緣層的材料，從而能夠得到充分的散熱性?；谠撚^點考慮而參照專利文獻2可知，在該文獻所記載的發(fā)光元件搭載用基板中，在將LED芯片封裝化時，對于金屬柱狀體的貫通結構、用于供電的配線、絕緣層等還有進一步改良的余地。另外，作為金屬柱狀體的形成方法，從降低制造成本的觀點考慮，期望重新計劃制造工序數。另外，作為用于LED芯片的封裝化的小型基板，已知有絕緣層由陶瓷構成的情況， 但由于在制造時需要進行陶瓷的燒成等，因此不能說其在制造成本等方面是有利的，不適
用于大量生產。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種作為用于發(fā)光元件的封裝化的基板的、能夠獲得從發(fā)光元件充分散熱的效果且能夠實現(xiàn)大量生產、低成本化和小型化的發(fā)光元件封裝用基板、其制造方法及使用由上述涉及的制造方法制造出的發(fā)光元件封裝用基板的發(fā)光元件封裝體。上述目的可通過如下所述的本發(fā)明實現(xiàn)。本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件封裝用基板，具備形成在發(fā)光元件的安裝位置下方的金屬厚層部，其特征在于，在所述發(fā)光元件的安裝位置下方具備由含有導熱性填充物的樹脂構成的、具有1. Off/mK以上的導熱率的絕緣層；具有配置在所述絕緣層的內部的所述金屬厚層部的金屬層，在所述金屬厚層部的頂部設置有導熱性掩模部。根據該結構，由于配置成在導熱性良好的絕緣層的內部豎立設置有金屬厚層部， 且導熱性掩模部被外涂層(設置)在金屬厚層部的頂部，因此，例如在絕緣層的一面?zhèn)鹊陌惭b面上安裝有發(fā)光元件時，由發(fā)光元件產生的熱量能夠通過高導熱率的絕緣層、導熱性掩模部及金屬厚層部高效地傳遞。另外，在與金屬厚層部對置的金屬層表面?zhèn)劝惭b有發(fā)光元件時，由發(fā)光元件產生的熱量能夠通過導熱性掩模部及金屬厚層部高效地傳遞，并且該熱量進一步通過導熱率高的絕緣層高效地傳熱。如此，作為用于封裝化的基板能夠得到充分的散熱效果。導熱性掩模部優(yōu)選例如直接使用金屬厚層部的形成工序中的抗蝕劑。能夠省略抗蝕劑除去工序，從作業(yè)效率、制造成本等方面來看有較大的改善效果。另外，本發(fā)明的另一方案涉及一種發(fā)光元件封裝用基板的制造方法，該發(fā)光元件的封裝用基板具備形成在發(fā)光元件的安裝位置下方的金屬厚層部，其特征在于，所述制造方法具有層疊工序，在該層疊工序中，將具有絕緣粘接劑及金屬層構件的層疊體和具有金屬厚層部的金屬層構件層疊一體化，所述絕緣粘接劑由含有導熱性填充物的樹脂構成且具有1. Off/mK以上的導熱率，所述金屬厚層部設置有導熱性掩模部。根據該結構，能夠將具有導熱性良好的絕緣粘接劑及金屬層構件的層疊體與具有設置有導熱性掩模部的金屬厚層部的金屬層構件層疊一體化。通過預先制造層疊體，可使發(fā)光元件封裝用基板的制造容易，大量生產性優(yōu)良，且能夠實現(xiàn)低成本化、封裝體的小型化。并且，例如在絕緣層的一面?zhèn)鹊陌惭b面上安裝有發(fā)光元件時，由發(fā)光元件產生的熱量能夠通過高導熱率的絕緣層、導熱性掩模部及金屬厚層部高效地傳熱。另外，在與金屬厚層部對置的金屬層表面?zhèn)劝惭b有發(fā)光元件時，由發(fā)光元件產生的熱量能夠通過導熱性掩模部及金屬厚層部高效地傳遞，并且該熱量進一步通過導熱率高的絕緣層高效地傳遞。如此，作為用于封裝化的基板能夠得到充分的散熱效果。另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式的一例，優(yōu)選具有絕緣粘接劑及金屬層構件的層疊體和/或具有設置有導熱性掩模部的金屬厚層部的金屬層構件預先形成為卷筒狀。 根據該結構，與單葉生產相比，連續(xù)生產性及大量生產性優(yōu)良，材料利用率也高。另外，本發(fā)明的另一方案的發(fā)光元件封裝體使用上述的發(fā)光元件封裝用基板或由上述的制造方法制造的發(fā)光元件封裝用基板來構成。由此，能夠制造低成本且小型的發(fā)光元件封裝體。


圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板的一例的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板的另一例的剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板的制造方法的一例的圖。符號說明1絕緣層2金屬厚層部3表面電極部4發(fā)光元件7密封樹脂21金屬層22導熱性掩模部24層疊體25層疊體(基板構件)30a、30b 輥
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1、2是表示本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板的一例的剖視圖，其示出安裝發(fā)光元件并將其封裝化的狀態(tài)。如圖1所示，本發(fā)明的一例的發(fā)光元件封裝用基板具備由包含導熱性填充物lb、 Ic的樹脂Ia構成的絕緣層1、具有配置在絕緣層1的內部的該金屬厚層部2的金屬層21， 并且在金屬厚層部2的頂部設置有導熱性掩模部22。并且，在絕緣層1的安裝一側的表面上設置有發(fā)光元件4，另外，在絕緣層1的安裝一側的表面上設置有表面電極部3。此外，如圖2所示，另一發(fā)光元件封裝用基板具備由包含導熱性填充物lb、lc的樹脂Ia構成的絕緣層1 ；設置在發(fā)光元件4的安裝位置的下方且具有在其頂面設置有導熱性掩模部22的金屬厚層部2的金屬層21 ；形成在絕緣層1的安裝一側的表面上的表面電極部3。并且，在金屬層21的安裝面加上直接安裝發(fā)光元件4。金屬厚層部2從安裝面加朝向絕緣層1的背面?zhèn)刃纬珊駥樱漤敳總劝诮^緣層1的內部(埋入的狀態(tài))。如此，在形成為金屬厚層部2的頂部側未貫通絕緣層1這種結構的情況下，由于能夠通過使用后述的輥等進行的沖壓或間歇式沖壓來進行制造，因此能夠實現(xiàn)大量生產、低成本化和小型化。
本發(fā)明中的絕緣層1具有1. Off/mK以上的導熱率，優(yōu)選具有1. 2ff/mK以上的導熱率，更優(yōu)選具有1. 5ff/mK以上的導熱率。由此，能夠高效地將來自金屬厚層部2及導熱性掩模部22的熱量向封裝體整體散熱。在此，絕緣層1的導熱率通過選擇適當考慮了導熱性填充物的配合量及粒度分布的配合來決定，但若考慮硬化前的絕緣性粘接劑(例如，下述的熱硬化性樹脂等)的涂敷性，則通常優(yōu)選以10W/mK左右作為上限。絕緣層1優(yōu)選由作為金屬氧化物和/或金屬氮化物的導熱性填充物lb、lc和樹脂 Ia構成。金屬氧化物及金屬氮化物優(yōu)選導熱性優(yōu)良且具有電絕緣性的材料。作為金屬氧化物可以選擇氧化鋁、氧化硅、氧化鈹、氧化鎂，作為金屬氮化物可以選擇氮化硼、氮化硅、氮化鋁，也可以將它們單獨使用或兩種以上混合使用。尤其是，在所述金屬氧化物中，氧化鋁具有電絕緣性和導熱性，而且能夠容易獲得良好的絕緣粘接劑層，并且能夠以低價購得，因此優(yōu)選；此外，在所述金屬氮化物中，氮化硼的電絕緣性、導熱性優(yōu)良，而且其介電常數小， 因此優(yōu)選。作為導熱性填充物lb、lc優(yōu)選含有小徑填充物Ib和大徑填充物Ic的材料。通過如此使用兩種以上的大小不同的粒子(粒度分布不同的粒子)，能夠通過大徑填充物Ic自身的傳熱功能和由小徑填充物Ib提高大徑填充物Ic間的樹脂的傳熱性的功能，來提高絕緣層1的導熱率?；谶@樣的觀點來考慮，小徑填充物Ib的平均粒子徑優(yōu)選為0. 5 2 μ m， 更優(yōu)選為0. 5 1 μ m。此外，大徑填充物Ic的平均粒子徑優(yōu)選為10 40 μ my m，更優(yōu)選為 15 20 μ m。另外，金屬厚層部2及導熱性掩模部22進入絕緣層1內部，導熱性掩模部22與絕緣層1的填充物(lb、lc)接觸，由此提高由發(fā)光元件產生的熱量的散熱性。作為構成絕緣層1的樹脂la，選擇含有所述的金屬氧化物和/或金屬氮化物且在硬化狀態(tài)下與表面電極部3及金屬圖案5的接合力優(yōu)良而且耐電壓特性等不受損的材料。作為這樣的樹脂，除了可以使用環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、聚酰亞胺樹脂以外，還可以單獨使用各種工程塑料或將各種工程塑料混合兩種以上進行使用，其中環(huán)氧樹脂因與金屬彼此的接合力優(yōu)良而優(yōu)選。特別是，在環(huán)氧樹脂中，更優(yōu)選流動性強、與所述金屬氧化物及金屬氮化物的混合性優(yōu)良的雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂，氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚F型環(huán)氧樹脂、在兩末端具有雙酚A型環(huán)氧樹脂結構的三嵌段共聚物、在兩末端具有雙酚F型環(huán)氧樹脂結構的三嵌段共聚物。本發(fā)明中的具有金屬厚層部2的金屬層21、表面電極部3及金屬圖案5可以使用各種金屬，但通常可以使用銅、鋁、鎳、鐵、錫、銀、鈦中的任一種或含有這些金屬的合金等， 尤其從導熱性和導電性的觀點考慮優(yōu)選銅。金屬厚層部2設置于金屬層21。優(yōu)選金屬厚層部2的厚度比金屬層21的厚度大?；趯碜园l(fā)光元件4的熱量充分地傳遞到絕緣層1的觀點考慮，作為金屬層21的厚度(hi 參照圖3)及金屬厚層部2及導熱性掩模部22的厚度(h2 參照圖3)優(yōu)選為31 275 μ m,更優(yōu)選為35 275 μ m。此外，基于同樣的理由考慮，金屬厚層部2及導熱性掩模部 22中的包含在絕緣層1內部的部分的厚度優(yōu)選為絕緣層1的厚度的30 100%，更優(yōu)選為 50 100%。此外，基于將來自發(fā)光元件4的熱量充分地傳遞到絕緣層1的觀點考慮，可適當選擇金屬厚層部2的俯視形狀，優(yōu)選為三角形或四邊形等多邊形、五角星或六角星等星形多邊形、將它們的角部以適當的圓弧形成為圓角的形狀、以及形成為從金屬厚層部2的加面朝向表面電極部3逐漸變化的形狀。此外，基于同樣的理由，金屬厚層部2在俯視下的最大寬度優(yōu)選為1 10mm，更優(yōu)選為1 5mm。在金屬層21上形成金屬厚層部2的方法可以采用公知的形成方法，例如，可以通過基于光刻法的蝕刻、沖壓、印刷、粘接、公知的凸出物形成法形成。另外，在通過蝕刻形成金屬厚層部2時，也可以為夾有保護金屬層的結構。作為保護金屬層例如可以使用金、銀、 鋅、鈀、釕、鎳、銠、鉛一錫系釬料合金或鎳一金合金等。設在金屬厚層部2的頂部的導熱性掩模部22具有1. Off/mK以上的導熱率，優(yōu)選具有1. 2ff/mK以上的導熱率，更優(yōu)選具有1. 5ff/mK以上的導熱率。尤其是，優(yōu)選具有與絕緣層 1同等以上的導熱率且熱容量小。另外，作為在金屬厚層部2的頂部形成導熱性掩模部22的方法例如可例示出印刷、粘接等。另外，在通過基于光刻法的蝕刻來形成金屬厚層部2時，優(yōu)選使用導熱性掩模部作為抗蝕劑，從而能夠省略除去該導熱性掩模部的工序。導熱性掩模部22的厚度為1 μ m以上，例如可例示為10 100 μ m。若過厚，則在與絕緣層1層疊時端部的形狀變化變大，所以不優(yōu)選，而若過薄，則導熱性下降，所以不優(yōu)選。作為導熱性掩模部22的材料例如可以例示出絕緣層1以外的層間絕緣材料、抗蝕劑、干膜抗蝕劑、釬料、釬料糊劑、導電性粘接劑、導熱性粘接劑或阻焊劑、焊劑(flux)等。 其中，優(yōu)選使用絕緣層1以外的層間絕緣材和抗蝕劑。表面電極部3的厚度優(yōu)選為例如25 70 μ m左右。此外，在設置金屬圖案如的情況下，金屬圖案如的厚度優(yōu)選為例如25 70 μ m左右。需要說明的是，金屬圖案fe可以覆蓋絕緣層1的背面整體，另外也可以與金屬層21同樣地具有金屬厚層部2。為了避免表面電極部3的短路，金屬圖案fe優(yōu)選至少兩側的表面電極部3的背面的金屬圖案如不導通。尤其是，在金屬圖案fe上具有金屬厚層部2時，在下述的層疊一體化的工序中，需要注意避免產生位置偏移。另外，金屬圖案fe優(yōu)選在絕緣粘接劑的B階段狀態(tài)中預先形成。為了提高反射效率，優(yōu)選在金屬厚層部2、金屬層21和表面電極部3上進行基于銀、金、鎳等貴金屬的鍍敷。此外，也可以與以往的配線基板同樣地形成阻焊膜或局部地進行釬料鍍敷。(制造方法)接下來，利用圖3說明以上這樣的本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板的優(yōu)選的制造方法。如圖3所示，準備將形成有金屬厚層部2的長條狀的金屬層21卷繞而形成的金屬層卷筒體211，其中該金屬厚層部2在頂部設置有導熱性掩模部22。適當設定寬度方向尺寸、金屬厚層部2的配置等。通過基于光刻法的蝕刻形成金屬厚層部2，導熱性掩模部22是作為抗蝕劑使用的材料本身。另外，準備將長條狀的B階段狀態(tài)的絕緣層1和長條狀的金屬層5的層疊體對卷繞而形成的絕緣層卷筒體Ml。適當設定寬度方向尺寸，優(yōu)選與金屬層卷筒體211的寬度方向尺寸為相同程度。在長條狀的絕緣層1的表面設置有剝離保護層。這種情況下，在與金屬層21層疊時剝離剝離保護層。如圖3所示，用于層疊的輥由一對輥(30a、30b)構成。另外，輥對(30a、30b)也可以由多個輥對構成。另外，輥對(30a、30b)可構成為經由板狀體(一側或兩側未圖示)來沖壓金屬層21及層疊體M。另外，也可以使用將輥對與夾有板狀體輥對組合的結構。輥材料和輥的尺寸等是根據將金屬層21與層疊體M層疊一體化形成的層疊體25 (基板構件) 的規(guī)格而適當設定的。作為板狀體可例示出平面性良好的硬質金屬板、硬質樹脂板。另外， 也可以使用帶沖壓。而且，也可以使用通過步進式地引出金屬層21及層疊體M的間歇式沖壓機。輥對(30a、30b)間距離構成為可調節(jié)。根據層疊金屬層21及層疊體M得到的層疊體25的厚度、金屬厚層部2中的包含在絕緣層1內部的部分的厚度及層疊工序運轉條件 (輸送速度等)等條件來設定該距離。輥對(30a、30b)的沖壓力是根據金屬層21、構成層疊體對的絕緣層1、將它們層疊得到的層疊體25的各自的規(guī)格來設定的。另外，輥對(30a、 30b)間距離在形成層疊體25時可以固定也可以構成為可沿相對于層疊體25垂直的方向變動。在構成為可沿垂直方向變動時可適用公知的機構，可例示出例如彈簧、油壓缸、彈性構件等。以下，對圖3所示的制造方法進行說明。首先，從金屬層卷筒體211引出長條狀的金屬層21并向輥對(30a、30b)側送出。與此同時，從B階段狀態(tài)下的絕緣層1與金屬層5 的層疊體M的卷筒體241引出長條狀的層疊體M并向輥對(30a、30b)側送出。接下來， 將它們輸送到輥對(30a、30b)之間，對金屬層21和層疊體M施加基于輥對(30a、30b)的沖壓作用，由此金屬層21與層疊體M層疊并一體化從而形成層疊體25。在圖3中，以導熱性掩模部22及金屬厚層部2成為埋入層疊體M的絕緣層1的內部的狀態(tài)的方式形成層疊體25。另外，也可以構成為對輥自身進行加熱并在使該熱量進行作用的同時進行沖壓 (同時加熱沖壓)。在加熱絕緣層1的情況下，在提高與金屬層21的接合性方面是有效的。 而且，也可以構成為在輥對(30a、30b)的上游側和/或下游側設置加熱裝置，由此能夠高效地進行絕緣層1與金屬層21的接合。另外，也可以構成在金屬層21和/或絕緣層1的層疊面?zhèn)韧糠笳辰觿?，由此加強接合力。另外，為了厚度保?穩(wěn)定化，也可以構成為在輥對(30a、30b)的下游側設置多個輥對(按壓輥對)和/或平面板部對，由此，能夠提高層疊體25的厚度精度。另外，為了進行冷卻，也可以在輥對(30a、30b)的下游側具備冷卻輥、冷卻裝置等。通過使利用輥將金屬層21與層疊體M層疊得到的層疊體25導入并通過條件適當的加熱裝置的內部，由此使B階段狀態(tài)下的絕緣層1硬化成C階段狀態(tài)。接下來，通過利用切塊機、剖刨機(router)、直線切斷機(line cutter)、剪切機等切斷裝置將其切斷成規(guī)定的尺寸。需要說明的是，層疊體25的硬化也可以在切斷后進行，另外，也可以在切斷前進行硬化反應并且在切斷后進一步進行后固化。這種情況下，可以在切斷前設置在線 (in-line)的加熱裝置，也可以在卷繞成卷筒狀后以離線(off-line)的方式通過加熱裝置進行硬化反應。接下來，層疊體25通過基于光刻法的蝕刻等在兩面上進行圖案形成，由此形成表面電極部3及金屬圖案5a，由此能夠得到本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板。另外，例如，如圖 1所示，可以構成為金屬層21的一部分被除去而剩余部分形成金屬圖案5a，金屬層5的一部分被除去而剩余部分形成表面電極部3。另外，如圖2所示，也可以構成為金屬層21的一部分被除去而剩余部分形成表面電極部3，金屬層5的一部分被除去而剩余部分形成金屬圖案fe。如圖1、2所示，本發(fā)明的發(fā)光元件封裝用基板可以是安裝單個發(fā)光元件的類型， 也可以是安裝多個發(fā)光元件的類型。尤其是后者的情況下，優(yōu)選具有在表面電極部3之間配線的配線圖案。另外，例如，如圖2所示，對于發(fā)光元件封裝用基板而言，在發(fā)光元件封裝用基板的金屬厚層部2的上方的金屬層21安裝發(fā)光元件4并利用密封樹脂7密封該發(fā)光元件4 而進行使用。S卩，發(fā)光元件封裝體具備發(fā)光元件封裝用基板、安裝在金屬厚層部2的上方的發(fā)光元件4、密封該發(fā)光元件4的密封樹脂7，其中，所述發(fā)光元件封裝用基板具備由含有導熱性填充物lb、lc的樹脂Ia構成的絕緣層1、形成在發(fā)光元件4的安裝位置的下方的設置有金屬厚層部2的金屬層21、形成在絕緣層1的安裝一側的表面上的表面電極部3。作為安裝的發(fā)光元件4，可以列舉出LED芯片和半導體激光芯片等。在LED芯片中， 除了包括兩電極存在于上表面的面朝上O^ce-up)型以外，還包括基于背面的電極的陰極型、陽極型、面朝下(Face-down)型(倒裝芯片型)等。在本發(fā)明中使用面朝上型是因為其在散熱性方面優(yōu)良。發(fā)光元件4向金屬層21的安裝面搭載的搭載方法可以是使用導電性糊劑、雙面帶、基于釬焊的接合、散熱片(優(yōu)選硅酮系散熱片)、硅酮系或環(huán)氧系樹脂材料的方法等中的任一種接合方法，但從散熱性方面考慮優(yōu)選基于金屬的接合。另外，發(fā)光元件4與兩側的表面電極部3導電連接。該導電連接可以通過利用基于金屬細線8的引線接合等將發(fā)光元件4的上部電極與各表面電極部3結線而實現(xiàn)。作為引線接合，可以使用超聲波或并用超聲波及加熱等的方法。本實施方式的發(fā)光元件封裝體示出了設置有接合密封樹脂7時的壩部6的示例， 但也可以省略壩部6。作為形成壩部6的方法，可以列舉出粘接環(huán)狀構件的方法、利用配送器將紫外線硬化樹脂等立體且呈環(huán)狀地涂布并使其硬化的方法等。作為接合用的樹脂可以適當使用硅酮系樹脂、環(huán)氧系樹脂等。從賦予凸透鏡功能的觀點考慮，關于密封樹脂7的接合，優(yōu)選將上表面形成凸狀，但也可以將上表面形成平面狀或凹狀。關于接合后的密封樹脂7的上表面形狀，可以通過使用的材料的粘度、涂敷方法、與涂敷表面的親和性等進行控制。在本發(fā)明中，也可以在密封樹脂7的上方具備凸面的透明樹脂透鏡。通過使透明樹脂透鏡具有凸面，能夠高效地從基板向上方發(fā)射光。作為具有凸面的透鏡可以列舉出俯視形狀為圓形、橢圓形的構件等。另外，透明樹脂和透明樹脂透鏡也可以含有著色的物質或熒光物質。尤其是在含有黃色系熒光物質時，可以使用藍色發(fā)光二極管產生白色光。[其他實施方式](1)在上述的實施方式中示出了搭載面朝上型的發(fā)光元件的示例，在本發(fā)明中也可以搭載在底面具備一對電極的面朝下型的發(fā)光元件。此時，有時可以通過進行焊接接合等而無需引線接合等。此外，當在發(fā)光元件的表面和背面具有電極時，能夠以一根引線進行引線接合等。
(2)在上述的實施方式中示出了對配線層為單層的配線基板搭載發(fā)光元件的示例，但在本發(fā)明中，也可以對配線層為兩層以上的多層配線基板搭載發(fā)光元件。這種情況的導電連接結構的形成方法的詳細情況在國際公開公報W000/5^77號中有所記述，可以使用其中的任一種。(3)另外，作為其他實施方式，存在層疊體M未構成卷筒狀的情況。此時，在引出卷筒狀的金屬層5的同時在表面連續(xù)涂敷絕緣粘接劑，由此構成層疊體M。對該層疊體M 使用上述的工藝，連續(xù)層疊金屬層21從而得到層疊體25。此時，在與金屬層21層疊前，可以使層疊體M的絕緣粘接劑半硬化至B階段狀態(tài)。(4)作為其他實施方式，引出金屬層21的基體金屬，使用上述工藝連續(xù)地形成金屬厚層部，由此得到金屬層21。對該金屬層21使用上述的工藝而連續(xù)地層疊層疊體24，由此得到層疊體25。
權利要求
1.一種發(fā)光元件封裝用基板，具備形成在發(fā)光元件的安裝位置下方的金屬厚層部，其中，在所述發(fā)光元件的安裝位置下方具備由含有導熱性填充物的樹脂構成的、具有1. Off/mK以上的導熱率的絕緣層； 具有配置在所述絕緣層的內部的所述金屬厚層部的金屬層， 在所述金屬厚層部的頂部設置有導熱性掩模部。
2.一種發(fā)光元件封裝用基板的制造方法，該發(fā)光元件的封裝用基板具備形成在發(fā)光元件的安裝位置下方的金屬厚層部，其中，所述制造方法具有層疊工序，在該層疊工序中，將具有絕緣粘接劑及金屬層構件的層疊體和具有金屬厚層部的金屬層構件層疊一體化，所述絕緣粘接劑由含有導熱性填充物的樹脂構成且具有1. Off/mK以上的導熱率，所述金屬厚層部設置有導熱性掩模部。
3.根據權利要求2所述的發(fā)光元件封裝用基板的制造方法，其中，具有所述絕緣粘接劑及金屬層構件的層疊體和/或具有設置有導熱性掩模部的金屬厚層部的金屬層構件預先形成為卷筒狀。
4.一種發(fā)光元件封裝體，其使用權利要求1的所述發(fā)光元件封裝用基板。
5.一種發(fā)光元件封裝體，其使用由權利要求2或3所制造的所述發(fā)光元件封裝用基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種作為用于發(fā)光元件的封裝化的基板的、能夠獲得從發(fā)光元件充分散熱的效果且能夠實現(xiàn)大量生產、低成本化和小型化的發(fā)光元件封裝用基板、其制造方法及使用由上述涉及的發(fā)光元件封裝用基板的發(fā)光元件封裝體。在具備形成在發(fā)光元件(4)的安裝位置下方的金屬厚層部(2)的發(fā)光元件封裝用基板中，在發(fā)光元件的安裝位置下方具備由含有導熱性填充物的樹脂構成的、具有1.0W/mK以上的導熱率的絕緣層(1)；具有配置在絕緣層(1)的內部的該金屬厚層部(2)的金屬層(21)，在金屬厚層部(2)的頂部設置有導熱性掩模部(22)。
文檔編號H01L33/00GK102224604SQ20088013207
公開日2011年10月19日 申請日期2008年11月25日 優(yōu)先權日2008年11月25日
發(fā)明者岡島芳彥, 前田哲郎, 吉村榮二, 米村直己, 鈴木元裕 申請人:電氣化學工業(yè)株式會社