專(zhuān)利名稱(chēng)：芯片封裝結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)線架構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片封裝結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)線架構(gòu)，并且特別地，本發(fā)明涉及一種可保護(hù)導(dǎo)
線使其不至于因基板彎曲而在其分岔點(diǎn)斷裂的芯片封裝結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)線架構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)今電子產(chǎn)品不斷朝小型化、高速化以及高腳數(shù)等特性發(fā)展，集成電路(IC) 的封裝技術(shù)也朝此方向不斷演進(jìn)，液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)上的驅(qū)動(dòng)IC 也不例外。其中，覆晶薄膜封裝工藝可以提供上述功能并且可用于軟性電路板，適合使用于 液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)IC封裝。 覆晶封裝技術(shù)泛指將芯片翻轉(zhuǎn)后，以面朝下的方式通過(guò)金屬導(dǎo)體與基板進(jìn)行接 合。當(dāng)應(yīng)用于可撓性基板時(shí)，其芯片可固定于薄膜上，僅靠金屬導(dǎo)體與可撓性基板電性連 接，因此稱(chēng)為覆晶薄膜封裝(Chip On Film，COF)。 請(qǐng)參照

圖1A，圖1A示出了現(xiàn)有技術(shù)中覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)1的剖面圖。如圖IA所 示，覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)1的可撓性基板10上形成導(dǎo)線層12，并且導(dǎo)線層12上進(jìn)一步形成絕 緣層14。芯片16通過(guò)金屬凸塊18與導(dǎo)線層12電性連接。芯片16以及金屬凸塊18的周 圍填充絕緣材料19用于固定芯片16以及金屬凸塊18在可撓性基板10之上，并且，絕緣材 料19可進(jìn)一步地對(duì)固定芯片16以及金屬凸塊18絕緣。 此外，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，圖1B示出了圖1A的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)1與外部電路連接的部 分上視圖。如圖1B所示，導(dǎo)線層12的各導(dǎo)線120上分別包含分岔點(diǎn)1200，并且各導(dǎo)線120 分別自分岔點(diǎn)1200延伸出多個(gè)端子1202，其中，這些端子1202可與外部電路結(jié)構(gòu)電性連 接致使芯片能通過(guò)導(dǎo)線120及端子1202與外部電路結(jié)構(gòu)連通。覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)1可通 過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜(Anisotropic ConductiveFilm，ACF)與外部電路結(jié)構(gòu)接合，并且在接合 后，異方性導(dǎo)電膠膜的邊緣2位于絕緣層14之上并與各分岔點(diǎn)1200相近。請(qǐng)注意，為了圖 面簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，圖1B僅示出絕緣層14而未示出可撓性基板IO，關(guān)于可撓性基板10的位置請(qǐng) 參見(jiàn)圖1A所示。 然而，異方性導(dǎo)電膠膜可提供支撐作用至其覆蓋到的可撓性基板10上，因此，當(dāng) 可撓性基板10受力彎曲時(shí)，可撓性基板10被異方性導(dǎo)電膠膜覆蓋的部分形變量會(huì)小于未 被導(dǎo)電膠膜覆蓋的部分，連帶使導(dǎo)線120靠近異方性導(dǎo)電膠膜的邊緣2處產(chǎn)生應(yīng)力集中的 現(xiàn)象。此外，導(dǎo)線120的分岔點(diǎn)1200位于異方性導(dǎo)電膠膜的邊緣2附近，因此分岔點(diǎn)1200 上所承受的應(yīng)力集中現(xiàn)象將會(huì)更加劇烈。另一方面，各導(dǎo)線120的分岔點(diǎn)1200位于同一水 平線上也容易造成應(yīng)力集中。綜上所述，當(dāng)可撓性基板10彎曲時(shí)，分岔點(diǎn)1200將會(huì)承受較 大且集中的應(yīng)力，因此導(dǎo)線120可能會(huì)在分岔點(diǎn)1200處破損或斷裂，造成覆晶薄膜封裝結(jié) 構(gòu)1良率不佳甚至失效。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一方面在于提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其可降低可撓性基板彎曲時(shí)導(dǎo)線所受到的應(yīng)力集中現(xiàn)象以避免導(dǎo)線斷裂。 根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)包含可撓性基板、導(dǎo)線以及保護(hù)層。
導(dǎo)線設(shè)置于可撓性基板上并且其包含至少一個(gè)分岔點(diǎn)，此外，導(dǎo)線自分岔點(diǎn)分岔并延伸出
可撓性基板而形成端子。保護(hù)層可形成于可撓性基板上，并覆蓋于導(dǎo)線以及端子的一部分
之上。保護(hù)層上可定義預(yù)估線段，并且，導(dǎo)線的分岔點(diǎn)與預(yù)估線段間至少相隔安全距離。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，該至少一個(gè)分岔點(diǎn)呈錯(cuò)位排列。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，預(yù)估線段根據(jù)芯片封裝結(jié)構(gòu)與電路結(jié)構(gòu)通過(guò)
異方性導(dǎo)電膠膜接合時(shí)異方性導(dǎo)電膠膜在所述保護(hù)層上形成的邊緣定義而成。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，該至少一個(gè)分岔點(diǎn)位于預(yù)估線段與可撓性基
板的邊緣之間。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，該至少一條導(dǎo)線分別具有轉(zhuǎn)折點(diǎn)。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，轉(zhuǎn)折點(diǎn)位于預(yù)估線段與可撓性基板的邊緣之間。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，該至少一個(gè)分岔點(diǎn)位于預(yù)估線段與可撓性基 板的中心之間。 根據(jù)本發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中，端子包含寬度改變點(diǎn)位于預(yù)估線段與可撓性 基板的邊緣之間，寬度改變點(diǎn)與預(yù)估線段相隔至少第二安全距離。 在本具體實(shí)施例中，芯片封裝結(jié)構(gòu)可通過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜與外部電路結(jié)構(gòu)接合，
并且，上述預(yù)估線段根據(jù)接合后的異方性導(dǎo)電膠膜在保護(hù)層上所形成的邊緣定義而成。由
于導(dǎo)線的分岔點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜在保護(hù)層上所形成的邊緣相隔安全距離，因此當(dāng)可撓性
基板彎曲時(shí)，導(dǎo)線的分岔點(diǎn)所受到的應(yīng)力集中現(xiàn)象可被降低而避免導(dǎo)線斷裂。 本發(fā)明的另一方面在于提供一種設(shè)置于可撓性基板上的導(dǎo)線架構(gòu)，其可降低可撓
性基板彎曲時(shí)導(dǎo)線所受到的應(yīng)力集中現(xiàn)象以避免導(dǎo)線斷裂。 根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)設(shè)置于可撓性基板上而形成芯片封裝結(jié) 構(gòu)。該芯片封裝結(jié)構(gòu)可通過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜與外部電路結(jié)構(gòu)接合，并且異方性導(dǎo)電膠膜的 邊緣位于該芯片封裝結(jié)構(gòu)上。 在本具體實(shí)施例中，導(dǎo)線架構(gòu)進(jìn)一步包含至少一條導(dǎo)線于可撓性基板上，其中，導(dǎo)
線上具有至少一個(gè)分岔點(diǎn)，并且導(dǎo)線自分岔點(diǎn)分岔延伸出可撓性基板而形成多個(gè)端子以電
連接外部電路結(jié)構(gòu)。各分岔點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜的邊緣相隔安全距離，因此，當(dāng)芯片封裝結(jié)
構(gòu)與外部電路結(jié)構(gòu)通過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜接合并且可撓性基板彎曲時(shí)，該導(dǎo)電線路架構(gòu)可降
低導(dǎo)線于分岔點(diǎn)所受到的應(yīng)力集中現(xiàn)象以避免導(dǎo)線斷裂。 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)，其中，相鄰的至少一個(gè)分岔點(diǎn)呈錯(cuò)位排列。 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)，其中，該至少一個(gè)分岔點(diǎn)位于第一邊緣與可撓性基板的
邊緣之間。 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)，其中，該至少一條導(dǎo)線分別具有轉(zhuǎn)折點(diǎn)。 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)，其中，該轉(zhuǎn)折點(diǎn)位于第一邊緣與可撓性基板的邊緣之間。 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)，其中，該至少一個(gè)分岔點(diǎn)位于第一邊緣與可撓性基板的
中心之間。 根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線架構(gòu)，其中，該端子包含寬度改變點(diǎn)位于第一邊緣與可撓性基板的邊緣之間，寬度改變點(diǎn)與第一邊緣相隔至少一第二安全距離。 關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下的具體實(shí)施方式
及附圖得到進(jìn)一步的了解。 圖1A示出了現(xiàn)有技術(shù)中覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖IB示出了圖1A的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)與外部電路連接的部分上視圖。
圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖。 「m.w， 圖2B示出了圖2A的部分上視圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的部分上視圖c 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的部分上視圖c L0033」圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的部分上視圖c
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)的部分上視圖c


具體實(shí)施例方式
請(qǐng)一并參照?qǐng)D2A以及圖2B，圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的芯片封 裝結(jié)構(gòu)3的剖面圖，圖2B則示出圖2A的部分上視圖。如圖2A所示，芯片封裝結(jié)構(gòu)3包含 可撓性基板30、導(dǎo)線架構(gòu)32以及保護(hù)層34。可撓性基板30用于承載芯片36。導(dǎo)線架構(gòu)32 設(shè)置于可撓性基板30之上并電性連接芯片36。保護(hù)層34設(shè)置于導(dǎo)線架構(gòu)32之上。此外， 如圖2B所示，導(dǎo)線架構(gòu)32分別具有多條導(dǎo)線320，請(qǐng)注意，在實(shí)踐中，導(dǎo)線架構(gòu)32所具有的 導(dǎo)線320的數(shù)量根據(jù)使用者或設(shè)計(jì)者需求而定，并不限于本發(fā)明所列舉的具體實(shí)施例。此 外，為了圖面簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，圖2B中并未示出可撓性基板30，關(guān)于可撓性基板30的位置請(qǐng)參見(jiàn) 圖2A。 如圖2B所示，在本具體實(shí)施例中，導(dǎo)線320具有分岔點(diǎn)322，并且導(dǎo)線320自分岔 點(diǎn)322分岔并延伸出可撓性基板30而形成端子324。請(qǐng)注意，每一條導(dǎo)線320所具有的分 岔點(diǎn)數(shù)量可具有差異，其根據(jù)實(shí)際需求而定，并非限定于固定值。在實(shí)踐中，端子324可電 連接外部電路架構(gòu)以供芯片與外部電路架構(gòu)互相連通。 在本具體實(shí)施例中，芯片封裝結(jié)構(gòu)3可通過(guò)導(dǎo)電膠膜與外部電路架構(gòu)相接合，其 中，導(dǎo)電膠膜的邊緣于接合后位于保護(hù)層34上，因此，保護(hù)層34上可根據(jù)導(dǎo)電膠膜的邊緣 定義預(yù)估線段340。在實(shí)踐中，導(dǎo)電膠膜可為，但不受限于，異方性導(dǎo)電膠膜。本具體實(shí)施 例的導(dǎo)線320上的分岔點(diǎn)322與預(yù)估線段340相隔第一安全距離Dl，因此當(dāng)芯片封裝結(jié)構(gòu) 3通過(guò)導(dǎo)電膠膜與外部電路架構(gòu)接合并且可撓性基板30彎曲時(shí)，分岔點(diǎn)322將會(huì)遠(yuǎn)離導(dǎo)電 膠膜的邊緣以降低導(dǎo)電膠膜對(duì)導(dǎo)線320所造成的應(yīng)力集中現(xiàn)象，進(jìn)而降低導(dǎo)線320于分岔 點(diǎn)322處斷裂的機(jī)率。請(qǐng)注意，在實(shí)踐中，第一安全距離Dl根據(jù)設(shè)計(jì)者評(píng)估可撓性基板30 彎曲時(shí)分岔點(diǎn)322可能受到的應(yīng)力大小而定，并不受限于定值。 在本具體實(shí)施例中，分岔點(diǎn)322位于預(yù)估線段340以及可撓性基板30的邊緣間， 然而在實(shí)踐中，分岔點(diǎn)322也可位于預(yù)估線段340以及可撓性基板30的中心之間，依使用 者或設(shè)計(jì)者需求而定。 此外，導(dǎo)線320上可設(shè)計(jì)具有彈簧功能的結(jié)構(gòu)以緩沖導(dǎo)電膠膜對(duì)導(dǎo)線320所造成的應(yīng)力集中現(xiàn)象。請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)3 的部分上視圖。如圖3所示，本具體實(shí)施例與上述具體實(shí)施例的不同之處，在于本具體實(shí)施 例的導(dǎo)線320進(jìn)一步具有轉(zhuǎn)折點(diǎn)326于預(yù)估線段340與可撓性基板30的邊緣之間。在本 具體實(shí)施例中，導(dǎo)線320斜向通過(guò)預(yù)估線段340，因此當(dāng)芯片封裝結(jié)構(gòu)3接合外部電路結(jié)構(gòu) 并且可撓性基板30彎曲時(shí)，導(dǎo)線320的斜向通過(guò)預(yù)估線段340的部分可具有彈簧功能而降 低應(yīng)力集中現(xiàn)象，以避免導(dǎo)線320于接近導(dǎo)電膠膜的邊緣處斷裂。 請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)3的部分上 視圖。如圖4所示，本具體實(shí)施例與上述具體實(shí)施例的不同之處，在于本具體實(shí)施例的各相 鄰分岔點(diǎn)322間呈現(xiàn)錯(cuò)位排列，也即，各分岔點(diǎn)322并不會(huì)位于同一水平線上。因此，當(dāng)芯 片封裝結(jié)構(gòu)3接合外部電路結(jié)構(gòu)并且可撓性基板30彎曲時(shí)，各分岔點(diǎn)322上的應(yīng)力集中現(xiàn) 象將會(huì)被降低而避免導(dǎo)線320于分岔點(diǎn)322處斷裂。 上述導(dǎo)線也可不具分岔點(diǎn)而直接延伸出可撓性基板以形成端子，此時(shí)可利用導(dǎo)線 較寬的部分通過(guò)預(yù)估線段。由于較寬的結(jié)構(gòu)能承受較大的應(yīng)力，因此導(dǎo)線在接近導(dǎo)電膠膜 的邊緣處較不易斷裂。舉例而言，請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的 芯片封裝結(jié)構(gòu)4的部分上視圖。在本具體實(shí)施例中，芯片封裝結(jié)構(gòu)4包含可撓性基板、導(dǎo)線 架構(gòu)以及保護(hù)層44，其中，導(dǎo)線架構(gòu)設(shè)置于可撓性基板之上并且其包含導(dǎo)線420，保護(hù)層44 則覆蓋于可撓性基板以及導(dǎo)線架構(gòu)之上，其結(jié)構(gòu)如圖2A所示。如圖5所示，導(dǎo)線420上進(jìn) 一步包含寬度改變點(diǎn)422以改變導(dǎo)線420的寬度而形成端子424。請(qǐng)注意，本具體實(shí)施例 的芯片封裝結(jié)構(gòu)4的其他單元與上述具體實(shí)施例的對(duì)應(yīng)單元大體上相同，因而此處不再贅 述。 在本具體實(shí)施例中，寬度改變點(diǎn)422位于保護(hù)層44的預(yù)估線段440與可撓性基 板的邊緣之間，并且與預(yù)估線段440相隔第二安全距離D2。當(dāng)芯片封裝結(jié)構(gòu)4通過(guò)導(dǎo)電膠 膜接合外部電路結(jié)構(gòu)并且可撓性基板彎曲時(shí)，較寬的導(dǎo)線420可承受較大的應(yīng)力而不易斷 裂。 請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的芯片封裝結(jié)構(gòu)5的部分上 視圖。如圖6所示，芯片封裝結(jié)構(gòu)5包含可撓性基板、導(dǎo)線架構(gòu)以及保護(hù)層54，其中，導(dǎo)線架 構(gòu)設(shè)置于可撓性基板之上并且其包含導(dǎo)線520，保護(hù)層54則覆蓋于可撓性基板以及導(dǎo)線架 構(gòu)之上，其結(jié)構(gòu)如圖2A所示。如圖6所示，導(dǎo)線520上進(jìn)一步包含分岔點(diǎn)522而分岔延伸 出可撓性基板以形成端子524。分岔點(diǎn)522位于保護(hù)層54的預(yù)估線段540與可撓性基板的 中心之間并與預(yù)估線段540相隔第一安全距離D3。此外，端子524上具有寬度改變點(diǎn)526。 寬度改變點(diǎn)526位于預(yù)估線段540以及可撓性基板的邊緣之間并與預(yù)估線段540相隔第二 安全距離D4。 在本具體實(shí)施例中，由于分岔點(diǎn)522與預(yù)估線段540相隔第一安全距離D3并且寬 度改變點(diǎn)526與預(yù)估線段相隔第二安全距離D4，因此當(dāng)芯片封裝結(jié)構(gòu)5通過(guò)導(dǎo)電膠膜與外 部電路結(jié)構(gòu)接合并且可撓性基板彎曲時(shí)，導(dǎo)線520上接近導(dǎo)電膠膜的邊緣的部分不至于因 應(yīng)力集中現(xiàn)象而容易產(chǎn)生破損或斷裂。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的導(dǎo)線架構(gòu)以及芯片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線分岔點(diǎn)遠(yuǎn)離 導(dǎo)電膠膜位于可撓性基板上的邊緣，因此當(dāng)芯片封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)導(dǎo)電膠膜與外部電路結(jié)構(gòu)接 合并且可撓性基板彎曲時(shí)，導(dǎo)線上的分岔點(diǎn)不至于因應(yīng)力集中現(xiàn)象而容易產(chǎn)生破損或斷
6裂，進(jìn)而影響芯片封裝結(jié)構(gòu)的良率。此外，相鄰的分岔點(diǎn)可呈現(xiàn)錯(cuò)位排列而不位于同一水平 線上以避免應(yīng)力集中的現(xiàn)象。此外，導(dǎo)線于接近導(dǎo)電膠膜的邊緣處可被設(shè)計(jì)為能承受較大 應(yīng)力的結(jié)構(gòu)，例如斜向通過(guò)導(dǎo)電膠膜的邊緣的結(jié)構(gòu)或是較寬結(jié)構(gòu)，以降低導(dǎo)線破損或斷裂 的機(jī)率。 通過(guò)以上對(duì)優(yōu)選具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神， 而并非以上述所披露的優(yōu)選具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范圍加以限制。相反地，其目的是希 望能涵蓋各種改變及等同性安排于本發(fā)明權(quán)利要求的范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明權(quán)利要求的范 圍應(yīng)該根據(jù)上述說(shuō)明作最寬廣的解釋?zhuān)允蛊浜w所有可能的改變以及等同性安排。符號(hào)說(shuō)明1 :覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)10 :可撓性基板12:導(dǎo)線層14 :色緣層16:芯片18:金屬凸塊19 :色緣材料120 :導(dǎo)線1200 :分岔點(diǎn)1202 :端子2 :邊緣3、4、5 :芯片封裝結(jié)構(gòu)30 :可撓性基板32 :導(dǎo)線架構(gòu)34、44、54 :保護(hù)層36 :芯片320、420、520 :導(dǎo)線322、522 :分岔點(diǎn)324、424、524 :端子340 、440 、540 :預(yù)估線段326 :轉(zhuǎn)折點(diǎn)422、526 :寬度改變點(diǎn)D1、D3 :第一安全距離D2、D4 :第二安全距離。
權(quán)利要求
一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包含可撓性基板；至少一條導(dǎo)線，設(shè)置于所述可撓性基板上，所述至少一條導(dǎo)線分別包含至少一個(gè)分岔點(diǎn)，并自所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)分岔形成多個(gè)端子延伸出所述可撓性基板；以及保護(hù)層，形成于所述可撓性基板上并覆蓋所述至少一條導(dǎo)線以及部分所述多個(gè)端子，所述保護(hù)層上定義預(yù)估線段；其中，所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)與所述預(yù)估線段至少相隔第一安全距離范圍。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)呈錯(cuò)位排列。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述預(yù)估線段根據(jù)所述芯片封裝結(jié)構(gòu)與 電路結(jié)構(gòu)通過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜接合時(shí)所述異方性導(dǎo)電膠膜在所述保護(hù)層上形成的邊緣定 義而成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)位于所述預(yù)估線段 與所述可撓性基板的邊緣之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少一條導(dǎo)線分別具有轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述轉(zhuǎn)折點(diǎn)位于所述預(yù)估線段與所述可 撓性基板的邊緣之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)位于所述預(yù)估線段 與所述可撓性基板的中心之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中所述端子包含寬度改變點(diǎn)位于所述預(yù)估 線段與所述可撓性基板的邊緣之間，所述寬度改變點(diǎn)與所述預(yù)估線段相隔至少第二安全距 離。
9. 一種導(dǎo)線架構(gòu)，設(shè)置于可撓性基板上以形成芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)能與 電路結(jié)構(gòu)通過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜接合，所述導(dǎo)線架構(gòu)包含至少一條導(dǎo)線，設(shè)置于所述可撓性基板上，所述至少一條導(dǎo)線分別包含至少一個(gè)分岔 點(diǎn)并自所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)分岔形成多個(gè)端子延伸出所述可撓性基板，所述至少一個(gè)分岔 點(diǎn)與所述異方性導(dǎo)電膠膜位于所述芯片封裝結(jié)構(gòu)上的第一邊緣相隔至少第一安全距離。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)線架構(gòu)，其中相鄰的所述至少一個(gè)分岔點(diǎn)呈錯(cuò)位排列。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)以及導(dǎo)線架構(gòu)，該芯片封裝結(jié)構(gòu)包含可撓性基板、至少一條導(dǎo)線以及保護(hù)層。該至少一條導(dǎo)線設(shè)置于可撓性基板上，并分別包含至少一個(gè)分岔點(diǎn)而分岔形成多個(gè)端子。該保護(hù)層形成于可撓性基板上，并且其覆蓋該至少一條導(dǎo)線以及部分該多個(gè)端子。預(yù)估線段根據(jù)芯片封裝結(jié)構(gòu)與外部電路結(jié)構(gòu)通過(guò)異方性導(dǎo)電膠膜接合時(shí)異方性導(dǎo)電膠膜在保護(hù)層上所形成的邊緣而定義于該保護(hù)層上。該至少一個(gè)分岔點(diǎn)與預(yù)估線段相隔至少安全距離。由此，可保護(hù)該至少一條導(dǎo)線在可撓性基板彎曲時(shí)不至于因該至少一個(gè)分岔點(diǎn)處應(yīng)力集中而斷裂。
文檔編號(hào)H01L23/495GK101777524SQ20091000017
公開(kāi)日2010年7月14日 申請(qǐng)日期2009年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月14日
發(fā)明者陳進(jìn)勇 申請(qǐng)人:瑞鼎科技股份有限公司