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      絞線的制作方法

      文檔序號:6926533閱讀:472來源:國知局
      專利名稱:絞線的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種絞線,尤其涉及一種基于碳納米管的絞線。
      背景技術(shù)
      碳納米管是一種由石墨烯片巻成的中空管狀物,其具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)及電學(xué)性質(zhì)。碳納米管應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊,例如,它可用于制作場效應(yīng)晶體管、原子力顯微鏡針尖、場發(fā)射電子槍、納米模板等等。但是,目前基本上都是在微觀尺度下應(yīng)用碳納米管,操作較困難。所以,將碳納米管組裝成宏觀尺度的結(jié)構(gòu)對于碳納米管的宏觀應(yīng)用具有重要意義。
      范守善等人在Nature, 2002, 419:801, Spinning Continuous CNT Yarns —文中揭露了從一超順排碳納米管陣列中可以拉出 一根連續(xù)的純碳納米管線,
      .汜傻平刀"用卜— 自厄和橫旳碳納米管片段,每個碳納米管片段具有大致相等的長度,且每個碳納米管片段由多個相互平行的碳納米管構(gòu)成。然而,由于上述碳納米管片段通過相互搭接來形成一連續(xù)的碳納米管線,導(dǎo)致接觸點處的電阻較高,進而導(dǎo)致上述碳納米管線的電導(dǎo)率較低,無法代替金屬導(dǎo)線,用于信號傳輸及電氣傳輸領(lǐng)域。

      發(fā)明內(nèi)容
      有鑒于此,確有必要提供一種絞線及其制備方法,該絞線具有良好的導(dǎo)電性能、較強的機械性能、較輕的質(zhì)量及較小的直徑,并且易于制造,適于低成本大量生產(chǎn)。
      一種絞線,包括多個碳納米管,該多個碳納米管通過范德華力首尾相連,其中,該碳納米管絞線進一步包括導(dǎo)電材料包覆于碳納米管表面。一種多股絞線,包括多個絞線相互平行排列或相互扭轉(zhuǎn)排列。與現(xiàn)有技術(shù)比較,本發(fā)明中的絞線具有以下優(yōu)點其一,采用導(dǎo)電材料包覆的碳納米管形成的絞線比采用純碳納米管形成的碳納米管線具有更好的導(dǎo)電性。其二,由于碳納米管為中空的管狀結(jié)構(gòu),且形成于碳納米管表面
      4的導(dǎo)電層厚度一般只有幾個納米,因此,電流在通過金屬導(dǎo)電材料層時基本不會產(chǎn)生趨膚效應(yīng),從而避免了信號在絞線傳輸過程中的衰減。其三,由于碳納米管具有優(yōu)異的力學(xué)性能及較輕的質(zhì)量,因此,該絞線比純金屬導(dǎo)線具有更高的機械強度及更輕的質(zhì)量,適合特殊領(lǐng)域,如航天領(lǐng)域及空間設(shè)備的應(yīng)用。


      圖1是本發(fā)明實施例絞線中包覆有導(dǎo)電材料的單根碳納米管的結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2是本發(fā)明實施例絞線的制造方法的流程圖。圖3是本發(fā)明實施例絞線的制造裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明實施例碳納米管膜的掃描電鏡照片。圖5是本發(fā)明實施例沉積導(dǎo)電層后的碳納米管膜的掃描電鏡照片。圖6是本發(fā)明實施例沉積導(dǎo)電層后的碳納米管膜中的碳納米管的透射電鏡照片。
      圖7是本發(fā)明實施例絞線的掃描電鏡照片。
      圖8是圖7中的絞線中沉積導(dǎo)電材料后的碳納米管的掃描電鏡照片。
      具體實施例方式
      以下將結(jié)合附圖詳細說明本發(fā)明實施例絞線的結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明實施例提供一種絞線,該絞線由碳納米管和導(dǎo)電材料構(gòu)成。該絞線為一線狀結(jié)構(gòu),線狀結(jié)構(gòu)為長徑比較大的結(jié)構(gòu)。具體地,該絞線包括多個碳納米管,并且,每個碳納米管表面均包覆至少一層導(dǎo)電材料。其中,每個碳納米管具有大致相等的長度,并且,多個碳納米管通過范德華力首尾相連形成一絞線。在該絞線中,碳納米管繞絞錢結(jié)構(gòu)的軸向螺旋狀旋轉(zhuǎn)排列。該絞線的直徑可以為4.5納米 100微米,優(yōu)選地,該絞線的直徑為10~30微米。請參見圖1,該絞線中每一根碳納米管111表面均包覆至少一層導(dǎo)電材料。具體地,該至少一層導(dǎo)電材料包括與碳納米管111表面直接結(jié)合的潤濕層112、設(shè)置在潤濕層外的過渡層113、設(shè)置在過渡層113外的導(dǎo)電層114以及設(shè)置在導(dǎo)電層114外的抗氧化層115。由于碳納米管111與大多數(shù)金屬之間的潤濕性不好,因此,上述潤濕層
      112的作用為使導(dǎo)電層114與碳納米管111更好的結(jié)合。形成該潤濕層112的材料可以為鐵、鈷、鎳、鈀或鈦等與碳納米管111潤濕性好的金屬或它們的合金,該潤濕層112的厚度為1~10納米。本實施例中,該潤濕層112的材料為鎳,厚度約為2納米??梢岳斫猓摑櫇駥訛榭蛇x擇結(jié)構(gòu)。
      上述過渡層113的作用為使?jié)櫇駥?12與導(dǎo)電層114更好的結(jié)合。形成該過渡層113的材料可以為與潤濕層112材料及導(dǎo)電層114材料均能較好結(jié)合的材料,該過渡層113的厚度為1~10納米。本實施例中,該過渡層113的材料為銅,厚度為2納米。可以理解,該過渡層113為可選擇結(jié)構(gòu)。
      上述導(dǎo)電層114的作用為使絞線具有較好的導(dǎo)電性能。形成該導(dǎo)電層114的材料可以為銅、銀或金等導(dǎo)電性好的金屬或它們的合金,該導(dǎo)電層114的厚度為1~20納米。本實施例中,該導(dǎo)電層114的材料為銀,厚度約為10納米。
      上述抗氧化層115的作用為防止在絞線的制造過程中導(dǎo)電層114在空氣中被氧化,從而使絞線的導(dǎo)電性能下降。形成該抗氧化層115的材料可以為金或鉑等在空氣中不易氧化的穩(wěn)定金屬或它們的合金,該抗氧化層115的厚度為1~10納米。本實施例中,該抗氧化層115的材料為鉑,厚度為2納米。可以理解,該抗氧化層115為可選擇結(jié)構(gòu)。
      進一步地,為提高絞線的強度,可在該抗氧化層115外進一步設(shè)置一強化層116。形成該強化層116的材料可以為聚乙烯醇(PVA)、聚苯撐苯并二。惡唑(PBO)、聚乙烯(PE)或聚氯乙烯(PVC)等強度較高的聚合物,該強化層116的厚度為0.1-1微米。本實施例中,該強化層116的材料為聚乙烯醇(PVA),厚度為0.5微米??梢岳斫?,該強化層116為可選擇結(jié)構(gòu)。
      請參閱圖2及圖3,本發(fā)明實施例中絞線的制備方法主要包括以下步驟
      步驟一提供一碳納米管結(jié)構(gòu)214。
      該碳納米管結(jié)構(gòu)214可以為一個碳納米管膜或多個層疊設(shè)置的碳納米管膜,所述碳納米管膜包括多個碳納米管,相鄰的碳納米管之間有間隙,且該碳納米管平行于所述碳納米管膜的表面。所述碳納米管膜可具有自支撐結(jié)構(gòu)。所謂自支撐結(jié)構(gòu)即碳納米管膜中的多個碳納米管間通過范德華力相互吸引,從而使碳納米管膜具有特定的形狀。所述碳納米管膜的制備方法可包括以下步驟
      首先,提供一碳納米管陣列216,優(yōu)選地,該陣列為超順排碳納米管陣列。
      本發(fā)明實施例提供的碳納米管陣列216為單壁碳納米管陣列,雙壁碳納米管陣列,及多壁碳納米管陣列中的一種或多種。本實施例中,該超順排碳納米管陣列的制備方法釆用化學(xué)氣相沉積法,其具體步驟包括(a)提供一平整基底,該基底可選用P型或N型硅基底,或選用形成有氧化層的硅基底,本實施例優(yōu)選為采用4英寸的硅基底;(b)在基底表面均勻形成一催化劑層,該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其任意組合的合金之一;(c)將上述形成有催化劑層的基底在700~900°C的空氣中退火約30分鐘 90分鐘;(d)將處理過的基底置于反應(yīng)爐中,在保護氣體環(huán)境下加熱到500~740°C,然后通入碳源氣體反應(yīng)約5 30分鐘,生長得到超順排碳納米管陣列,其高度為200-400微米。該超順排碳納米管陣列為多個彼此平行且垂直于基底生長的碳納米管形成的純碳納米管陣列。通過上述控制生長條件,該超順排碳納米管陣列中基本不含有雜質(zhì),如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。該超順排碳納米管陣列中的碳納米管彼此通過范德華力緊密接觸形成陣列。該超順排碳納米管陣列與上述基底面積基本相同。
      本實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學(xué)性質(zhì)較活潑的碳氫化合物,本實施例優(yōu)選的碳源氣為乙炔;保護氣體為氮氣或惰性氣體,本實施例優(yōu)選的保護氣體為氬氣。
      其次,采用一拉伸工具從所述碳納米管陣列216中拉取獲得一碳納米管膜。
      所述碳納米管膜的制備方法包括以下步驟采用一拉伸工具從碳納米管陣列216中拉取獲得一碳納米管膜。其具體包括以下步驟(a)從一碳納米管陣列中選定一個或具有一定寬度的多個碳納米管,本實施例優(yōu)選為采用具有一定寬度的膠帶、鑷子或夾子接觸碳納米管陣列216以選定一個或具有一定寬度的多個碳納米管;(b)以一定速度拉伸該選定的碳納米管,從而形成首尾相連的多個碳納米管片段,進而形成一連續(xù)的碳納米管膜。該拉取方向沿基本垂直于碳納米管陣列216的生長方向。
      在上述拉伸過程中,該多個碳納米管片段在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離基底的同時,由于范德華力作用,該選定的多個碳納米管片段分別與其它碳納米管片段首尾相連地連續(xù)地被拉出,從而形成一連續(xù)、均勻且具有一定寬度的碳納米管膜。該碳納米管膜包括多個首尾相連的碳納米管,該碳納
      米管基本沿拉伸方向排列。請參閱圖4,該碳納米管膜包括多個擇優(yōu)取向排列的碳納米管。進一步地,所述碳納米管膜包括多個首尾相連且定向排列的碳納米管片段,碳納米管片段兩端通過范德華力相互連接。該碳納米管片段包括多個相互平行排列的碳納米管。
      所述碳納米管膜的長度及寬度與該碳納米管陣列216的尺寸及步驟(a)中選定的多個碳納米管的寬度有關(guān),所述碳納米管膜的寬度最大不超過該碳納米管陣列216的直徑,所述碳納米管膜的長度可達100米以上。
      該直接拉伸獲得的擇優(yōu)取向的碳納米管膜比無序的碳納米管膜具有更好的均勻性及導(dǎo)電性能。同時該直接拉伸獲得碳納米管膜的方法簡單快速,適宜進4亍工業(yè)4匕應(yīng)用。
      步驟二形成導(dǎo)電材料附著于所述碳納米管結(jié)構(gòu)214表面。
      所述形成導(dǎo)電材料附著于所述碳納米管結(jié)構(gòu)214表面的方法可采用物理方法,如物理氣相沉積法(PVD)包括真空蒸鍍或離子濺射等,也可采用化學(xué)方法,如電鍍或化學(xué)鍍等。優(yōu)選地,本實施例采用物理方法中的真空蒸鍍法形成所述導(dǎo)電材料附著于所述碳納米管結(jié)構(gòu)214表面。本實施例中,所述碳納米管結(jié)構(gòu)214為單層碳納米管膜。
      所述采用真空蒸鍍法形成導(dǎo)電材料于所述碳納米管結(jié)構(gòu)214表面的方法包括以下步驟首先,提供一真空容器210,該真空容器210具有一沉積區(qū)間,該沉積區(qū)間底部和頂部分別力文置至少一個蒸發(fā)源212,該至少一個蒸發(fā)源212按形成導(dǎo)電材料的先后順序依次沿碳納米管結(jié)構(gòu)214的拉伸方向設(shè)置,且每個蒸發(fā)源212均可通過一個加熱裝置(圖未示)加熱。上述碳納米管結(jié)構(gòu)214設(shè)置于上下蒸發(fā)源212中間并間隔一定距離,其中碳納米管結(jié)構(gòu)214正對上下蒸發(fā)源212設(shè)置。該真空容器210可通過外接一真空泵(圖未示)抽氣達到預(yù)定的真空度。所述蒸發(fā)源212材料為待沉積的導(dǎo)電材料。其次,通過加熱所述蒸發(fā)源212,使其熔融后蒸發(fā)或升華形成導(dǎo)電材料蒸汽,該導(dǎo)電材料蒸汽遇到冷的碳納米管結(jié)構(gòu)214后,在碳納米管結(jié)構(gòu)214上下表面凝聚,形成導(dǎo)電材料附著于所述碳納米管結(jié)構(gòu)214表面。由于碳納米管結(jié)構(gòu)214中的碳納米管之間存在間隙,并且碳納米管結(jié)構(gòu)214的厚度較薄,導(dǎo) 電材料可以滲透進入所述碳納米管結(jié)構(gòu)214中,從而沉積在每根碳納米管表 面。沉積導(dǎo)電材料層后的碳納米管結(jié)構(gòu)214的微觀結(jié)構(gòu)照片請參閱圖5和圖 6??梢岳斫?,通過調(diào)節(jié)碳納米管結(jié)構(gòu)214和每個蒸發(fā)源212的距離以及蒸 發(fā)源212之間的距離,可使每個蒸發(fā)源212具有一個沉積區(qū)。當(dāng)需要沉積多 層導(dǎo)電材料時,可將多個蒸發(fā)源212同時加熱,使碳納米管結(jié)構(gòu)214連續(xù)通 過多個蒸發(fā)源的沉積區(qū),從而實現(xiàn)沉積多層導(dǎo)電材料。
      為提高導(dǎo)電材料蒸汽密度并且防止導(dǎo)電材料被氧化,真空容器210內(nèi)真 空度應(yīng)達到1帕(Pa)以上。本發(fā)明實施例中,所述真空容器210中的真空 度為4x 10-4Pa。
      可以理解,也可將步驟一中的碳納米管陣列216直接放入上述真空容器 210中。首先,在真空容器210中采用一拉伸工具從所述碳納米管陣列216 中拉取獲得一定寬度的碳納米管膜。然后,加熱上述至少一個蒸發(fā)源212, 沉積導(dǎo)電材料于所述碳納米管膜表面。以一定速度不斷地從所述碳納米管陣 列216中拉取碳納米管膜,且使所述碳納米管膜連續(xù)地通過上述蒸發(fā)源212 的沉積區(qū),進而實現(xiàn)從碳納米管陣列216中拉取碳納米管膜及形成導(dǎo)電材料 于所述碳納米管膜表面的連續(xù)生產(chǎn)。
      本發(fā)明實施例中,所述采用真空蒸鍍法形成導(dǎo)電材料的步驟具體包括以 下步驟形成一層潤濕層于所述碳納米管膜表面;形成一層過渡層于所述潤 濕層的外表面;形成一層導(dǎo)電層于所述過渡層的外表面;形成一層抗氧化層 于所述導(dǎo)電層的外表面。其中,上述形成潤濕層、過渡層及抗氧化層的步驟 均為可選擇的步驟。具體地,可將上述碳納米管膜連續(xù)地通過上述各層材料 所形成的蒸發(fā)源的沉積區(qū),進而形成所述導(dǎo)電材料附著于所述碳納米管膜表 面。故,所述真空容器210可實現(xiàn)碳納米管表面具有至少一層導(dǎo)電材料的碳 納米管膜的連續(xù)生產(chǎn)。
      另外,在所述形成導(dǎo)電材料于所述碳納米管膜的表面之后,可進一步包 括在所述碳納米管膜表面形成強化層的步驟。所述形成強化層的步驟包括以 下步驟將形成有導(dǎo)電材料的碳納米管膜通過一裝有聚合物溶液的裝置220, 使聚合物溶液浸潤整個碳納米管膜,該聚合物溶液通過分子間作用力粘附于 所述導(dǎo)電材料的外表面;以及固化聚合物溶液,形成一強化層。結(jié)構(gòu)214,形成一絞線。
      所述扭轉(zhuǎn)上述沉積有導(dǎo)電材料的碳納米管結(jié)構(gòu)214形成一絞線222的步 驟可通過多種方式實現(xiàn),本實施例可采用下述兩種方式形成所述絞線222: 其一,通過將粘附于上述碳納米管膜一端的拉伸工具固定于一旋轉(zhuǎn)電機上; 扭轉(zhuǎn)該碳納米管膜,從而形成一絞線222。其二,提供一個尾部可以粘住碳 納米管膜的紡紗軸,將該紡紗軸的尾部與碳納米管膜結(jié)合后,將該紡紗軸以 旋轉(zhuǎn)的方式扭轉(zhuǎn)該碳納米管膜,形成一絞線222??梢岳斫猓鲜黾徏嗇S的 旋轉(zhuǎn)方式不限,可以正轉(zhuǎn),可以反轉(zhuǎn),或者正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)相結(jié)合。優(yōu)選地,上 述扭轉(zhuǎn)碳納米管膜可沿碳納米管膜的拉伸方向以螺旋方式扭轉(zhuǎn)。所形成的絞 線222的掃描電鏡照片請參見圖7及圖8。
      進一步地,多個絞線222可平行設(shè)置組成一束狀結(jié)構(gòu)的多股絞線或相互 扭轉(zhuǎn)形成一絞線結(jié)構(gòu)的多股絞線。該束狀結(jié)構(gòu)或絞線結(jié)構(gòu)的多股絞線相比單 個絞線222具有較大的直徑。另外,也可將沉積有導(dǎo)電材料的碳納米管結(jié)構(gòu) 214重疊設(shè)置并扭轉(zhuǎn)形成一絞線222。所制備的絞線222的直徑可不受碳納 米管結(jié)構(gòu)214的尺寸的限制,可根據(jù)需要制備具有任意尺寸的直徑的絞線 222。本實施例中,大約500層沉積有導(dǎo)電材料的碳納米管結(jié)構(gòu)214重疊設(shè) 置并扭轉(zhuǎn)后形成一絞線222,該絞線222的直徑可達到3-5毫米。
      可以理解,本發(fā)明并不限于上述方法獲得絞線222,只要能使所述碳納 米管結(jié)構(gòu)214形成絞線222的方法都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
      所制得的絞線222可進一步收集在巻筒224上。收集方式為將絞線222 纏繞在巻筒224上。
      可選擇地,上述碳納米管結(jié)構(gòu)214的形成步驟、形成導(dǎo)電材料的步驟、 沉積有導(dǎo)電材料的碳納米管結(jié)構(gòu)214的扭轉(zhuǎn)步驟及絞線222的收集步驟均可 在上述真空容器210中進行,進而實現(xiàn)絞線222的連續(xù)生產(chǎn)。
      經(jīng)實驗測試可知,采用上述方法得到的絞線222的電阻率比直接將未包 覆導(dǎo)電材料的碳納米管結(jié)構(gòu)214扭轉(zhuǎn)獲得的純碳納米管線的電阻率有所降 低。該絞線的電阻率可達到10xl0-s歐姆 米(Q.m) ~500xl(T8Q.m。而純 碳納米管線的電阻率則為lxl(T5Q.m 2xl(T5Q.m。本實施例中,純碳納米管 線電阻率為1.91xl(T5Q.m,絞線222的電阻率為360xlO_8Q'm。
      本發(fā)明實施例提供的采用導(dǎo)電材料包覆碳納米管所制造的絞線及其制
      10備方法具有以下優(yōu)點其一,采用導(dǎo)電材料包覆的碳納米管形成的絞線比純 碳納米管線具有更好的導(dǎo)電性。其二,絞線中包含多個通過范德華力首尾相 連的碳納米管片段,且每個碳納米管表面均形成有至少一層導(dǎo)電材料,其中, 碳納米管片段起導(dǎo)電及支撐作用,在碳納米管上沉積至少一層導(dǎo)電材料后所 形成的絞線比采用現(xiàn)有技術(shù)中的金屬拉絲方法得到的金屬導(dǎo)電絲更細,適合 制作超細微線纜。其三,由于碳納米管為中空的管狀結(jié)構(gòu),且形成于碳納米 管外表面的金屬導(dǎo)電層厚度只有幾個納米,因此,電流在通過金屬導(dǎo)電層時 基本不會產(chǎn)生趨膚效應(yīng),從而避免了信號在絞線傳輸過程中的衰減。其四,
      由于碳納米管具有優(yōu)異的力學(xué)性能,且具有中空的管狀結(jié)構(gòu),因此,該絞線 比純金屬導(dǎo)線具有更高的機械強度及更輕的質(zhì)量,適合特殊領(lǐng)域,如航天領(lǐng) 域及空間設(shè)備的應(yīng)用。其五,所述絞線是通過對所述碳納米管線或碳納米管 膜進行拉取而制造,制造方法簡單方便、成本較低。其六,所述從碳納米管 陣列直接拉伸獲得碳納米管膜或碳納米管線的步驟及形成至少一層導(dǎo)電材 料的步驟均可在一真空容器中進行,有利于絞線的規(guī)?;a(chǎn)。
      另外,本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)作其它變化,當(dāng)然這些依據(jù) 本發(fā)明精神所作的變化,都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍內(nèi)。
      ii
      權(quán)利要求
      1. 一種絞線,包括多個碳納米管,該多個碳納米管通過范德華力首尾相連,其特征在于,該絞線進一步包括導(dǎo)電材料,該導(dǎo)電材料包覆于碳納米管表面。
      2. 如權(quán)利要求l所述的絞線,其特征在于,所述多個碳納米管具有相等的長度。
      3. 如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述導(dǎo)電材料包覆于每一碳納米管 表面。
      4. 如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述碳納米管繞該絞線的軸向螺旋 狀旋轉(zhuǎn)排列。
      5. 如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,該絞線的直徑為4.5納米 100微米。
      6. 如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述碳納米管包括單壁碳納米管, 雙壁碳納米管或多壁碳納米管,所述單壁碳納米管的直徑為0.5納米 50納米, 雙壁碳納米管的直徑為1納米~50納米,多壁碳納米管的直徑為1.5納米 50納 米。
      7. 如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述絞線的電阻率為10xl0-s歐姆 米 500xl(y8歐姆 米。
      8. 如權(quán)利要求1所述的絞線,其特征在于,所述每一碳納米管表面設(shè)置有一導(dǎo) 電層。
      9. 如權(quán)利要求8所述的絞線,其特征在于,所述導(dǎo)電層的材料為銅、銀、金或 其合金,所述導(dǎo)電層的厚度為1~20納米。
      10. 如權(quán)利要求8所述的絞線,其特征在于,該絞線進一步包括一潤濕層設(shè)置于 所述導(dǎo)電層與碳納米管表面之間。
      11. 如權(quán)利要求IO所述的絞線,其特征在于,所述潤濕層的材料為鐵、鈷、鎳、 鈀、鈥或其合金,所述潤濕層的厚度為1~10納米。
      12. 如權(quán)利要求10所述的絞線,其特征在于,該絞線進一步包括一過渡層設(shè)置 于所述導(dǎo)電層與潤濕層之間。
      13. 如權(quán)利要求12所述的絞線,其特征在于,所述過渡層的材料為銅、銀或其 合金,所述過渡層的厚度為l-10納米。
      14. 如權(quán)利要求8所述的絞線,其特征在于,該絞線進一步包括一抗氧化層設(shè)置 于所述導(dǎo)電層外表面,所述抗氧化層的材料為金、鉑或其合金,所述抗氧化層的厚度為1 10納米。
      15. 如權(quán)利要求8所述的絞線,其特征在于,該絞線進一步包括一強化層設(shè)置于 所述導(dǎo)電層外表面,所述強化層的材料為聚乙烯醇、聚苯撐苯并二惡唑、聚乙 烯或聚氯乙烯,所述強化層的厚度為0.1-1微米。
      16. —種多股絞線,包括多個如權(quán)利要求1所述的絞線相互平行排列或相互扭轉(zhuǎn) 排列。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種絞線,包括多個碳納米管,該多個碳納米管通過范德華力首尾相連,其中,該絞線進一步包括導(dǎo)電材料包覆于碳納米管表面。
      文檔編號H01B1/04GK101499328SQ20091000244
      公開日2009年8月5日 申請日期2009年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月1日
      發(fā)明者亮 劉, 鍇 劉, 姜開利, 翟永超, 范守善, 趙清宇 申請人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司
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