專利名稱：電光學(xué)裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
以往，作為一種電光學(xué)裝置，已知有有機(jī)EL (Electro Luminescence) io裝置。另外，作為有機(jī)EL裝置，有通過由左右一對液晶元件交替遮蔽來 自有機(jī)EL元件的光，能夠顯示立體圖像的顯示裝置。(例如參照專利文 獻(xiàn)l)。
專利文獻(xiàn)1日本特開2001-318341號公報(bào)
在此，使用截面圖進(jìn)行說明，在具有有機(jī)EL元件和一對液晶元件的 15顯示裝置中，在兩個方向顯示各自不同的圖像的結(jié)構(gòu)。如圖27 (a)所示， 該顯示裝置600具有有機(jī)EL元件601和一對液晶元件603。 一對液晶元 件603與一個有機(jī)EL元件相對，具有第一液晶元件603a和第二液晶元件 603b。
在第二液晶元件603b為遮斷狀態(tài)時，來自有機(jī)EL元件601的光遍及 20第一范圍605。此時，如果在有機(jī)EL元件601上形成第一圖像，則能夠 從第一范圍605視覺確認(rèn)第一圖像。
另外，在第二液晶元件603a為遮斷狀態(tài)時，如圖27 (b)所示，來自 有機(jī)EL元件601的光遍及第二范圍607。此時，如果在有機(jī)EL元件601 上形成第二圖像，則能夠從第二范圍607視覺確認(rèn)第二圖像。 25 此外，在第一液晶元件603a和第二液晶元件603b之間交替切換遮斷
狀態(tài)，并且在有機(jī)EL元件601交替形成第一圖像和第二圖像，由此第一 圖像和第二圖像分別被視覺確認(rèn)為連續(xù)的圖像。
在此，第一范圍605和第二范圍607，如圖28 (a)所示，具有相互 重疊的范圍611。可以從該范圍611在第一圖像和第二圖像為重疊的狀態(tài) 30 下對它們進(jìn)行視覺確認(rèn)。從第一范圍605的除去范圍611的范圍613a，僅能夠視覺確認(rèn)第一圖 像。同樣地，從第二范圍607除去范圍611的范圍613b，僅能夠視覺確認(rèn) 第二圖像。范圍613a和范圍613b分別被叫做有效范圍(適視範(fàn)囲)613a 和有效范圍613b。
5 這些有效范圍613a和有效范圍613b，如圖28 (b)所示，能夠通過
縮短有機(jī)EL元件601和一對液晶元件603之間的距離L而得到擴(kuò)大。
然而，在上述專利文獻(xiàn)1所記載的顯示裝置中，在有機(jī)EL元件和液 晶元件之間有玻璃基板。因此，為了在該顯示裝置中縮短上述距離L，不 得不使玻璃基板變薄。但是，使玻璃基板變薄會引起基板強(qiáng)度的降低，會 io導(dǎo)致成品率降低、制造時間延長、品質(zhì)降低等很多弊病。
艮P，在現(xiàn)有的顯示裝置中，存在難以擴(kuò)大有效范圍這樣的未解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
15 本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的
方式或適用例而得到實(shí)現(xiàn)。
(適用例1) 一種電光學(xué)裝置，其包括第一基板；與所述第一基板 相對的第二基板；在所述第一基板和所述第二基板之間設(shè)置的發(fā)光層；和 在所述第二基板和所述發(fā)光層之間設(shè)置的遮光層，所述發(fā)光層在多個像素
20的每個所述像素中控制發(fā)光，所述多個像素至少包含形成第一圖像的第一 像素和形成第二圖像的第二像素，在所述遮光層設(shè)有開口部，所述開口部 中通過從所述第一像素的所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到達(dá)第一范圍的 光，并且通過從所述第二像素的所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到達(dá)第二范 圍的光。
25 該適用例的電光學(xué)裝置具有第一基板、第二基板、發(fā)光層和遮光層。
第二基板與第一基板相對。發(fā)光層設(shè)置在第一基板和第二基板之間，在多 個像素的每個像素中控制發(fā)光。多個像素至少包含形成第一圖像的第一像 素和形成第二圖像的第二像素。遮光層設(shè)置在第二基板和發(fā)光層之間。在 遮光層設(shè)有開口部。開口部通過從第一像素的發(fā)光層經(jīng)由第二基板到達(dá)第
30—范圍的光，并且通過從第二像素的發(fā)光層經(jīng)由第二基板到達(dá)第二范圍的光。
由此，能夠從第一范圍對由第一像素形成的第一圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)， 能夠從第二范圍對由第二像素形成的第二圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)。因此，在該 電光學(xué)裝置中，至少在兩個方向能夠進(jìn)行指向性顯示。 5 在此，遮光層設(shè)置在第二基板和發(fā)光層之間。即，遮光層介于第一基
板和第二基板之間。因此，與遮光層配置在第一基板和第二基板的外側(cè)的 情況相比，能夠縮短多個像素和遮光層之間的距離。因而，在該電光學(xué)裝 置中，能夠容易地?cái)U(kuò)大進(jìn)行指向性顯示的各方向的有效范圍。
(適用例2)上述的電光學(xué)裝置，其特征在于，包括第一電極，其 10 在所述第一基板和所述發(fā)光層之間與所述發(fā)光層相對設(shè)置；第二電極，其 在所述發(fā)光層和所述遮光層之間與所述發(fā)光層相對設(shè)置；和開關(guān)元件，其 與各所述像素對應(yīng)設(shè)置，對從所述第一電極和所述第二電極的一個經(jīng)由所 述發(fā)光層向所述第一電極和所述第二電極的另一個流動的電流的供給和 遮斷進(jìn)行切換，所述開關(guān)元件設(shè)置在所述第一基板和所述發(fā)光層之間。 15 該適用例的電光學(xué)裝置具有第一電極、第二電極和開關(guān)元件。第一電
極設(shè)置在第一基板和發(fā)光層之間。第二電極設(shè)置在發(fā)光層和遮光層之間。 第一電極和第二電極分別與發(fā)光層相對。開關(guān)元件與各像素對應(yīng)設(shè)置。開 關(guān)元件對從第一電極和第二電極的一個經(jīng)由發(fā)光層向第一電極和第二電 極的另一個流動的電流的供給和遮斷進(jìn)行切換。 20 而且，在該電光學(xué)裝置中，由于開關(guān)元件設(shè)置在第一基板和發(fā)光層之
間，所以從發(fā)光層朝向第二基板的光不會被開關(guān)元件遮擋。因而，能夠容 易地提高來自發(fā)光層的光的利用效率。
(適用例3)上述電光學(xué)裝置，其特征在于在所述發(fā)光層和所述遮 光層之間有樹脂層。
25 在該適用例中，在發(fā)光層和遮光層之間有樹脂層。利用樹脂層，例如
與玻璃基板等相比，能夠容易地調(diào)整厚度。因而，在該電光學(xué)裝置中，通 過調(diào)整樹脂層的厚度，能夠容易地調(diào)整有效范圍。
(適用例4) 一種電光學(xué)裝置，其包括第一基板；與所述第一基板 相對的第二基板；發(fā)光層，其設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間，
30在多個像素的每個所述像素中控制發(fā)光；遮光層，其設(shè)置在所述第二基板和所述發(fā)光層之間；第一電極，其在所述第一基板和所述發(fā)光層之間與所 述發(fā)光層相對設(shè)置；第二電極，其在所述發(fā)光層和所述遮光層之間與所述 發(fā)光層相對設(shè)置；晶體管，其與各所述像素對應(yīng)設(shè)置，對從所述第一電極 和所述第二電極的一個經(jīng)由所述發(fā)光層向所述第一 電極和所述第二電極 5的另一個流動的電流進(jìn)行控制；和電源線，其設(shè)置在所述另一個基板和所 述第一電極之間，向多個所述晶體管供給電力，所述多個像素至少包含形 成第一圖像的第一像素和形成第二圖像的第二像素，所述第一像素和所述 第二像素在俯視的情況下在第一方向交替排列，在所述遮光層設(shè)有開口 部，所述開口部中通過從所述第一像素的所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到
10達(dá)第一范圍的光，并且通過從所述第二像素的所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基 板到達(dá)第二范圍的光，所述電源線沿所述第一方向延伸。
該適用例的電光學(xué)裝置具有第一基板、第二基板、發(fā)光層、遮光層、 第一電極、第二電極、晶體管和電源線。第二基板與第一基板相對。發(fā)光 層設(shè)置在第一基板和第二基板之間，在多個像素的每個像素中控制發(fā)光。
15遮光層設(shè)置在第二基板和發(fā)光層之間。第一電極設(shè)置在第一基板和發(fā)光層 之間。第二基板設(shè)置在發(fā)光層和遮光層之間。第一電極和第二電極分別與 發(fā)光層相對。晶體管與各像素對應(yīng)設(shè)置。晶體管對從第一電極和第二電極 的一個經(jīng)由發(fā)光層向第一電極和第二電極的另一個流動的電流進(jìn)行控制。 電源線設(shè)置在第一基板和第二基板之間，向多個晶體管供給電力。
20 在該電光學(xué)裝置中，第一像素和第二像素在俯視的情況下在第一方向
交替排列。另外，在遮光層設(shè)有開口部，所述開口部中通過從第一像素的 發(fā)光層經(jīng)由第二基板到達(dá)第一范圍的光，并且通過從第二像素的發(fā)光層經(jīng) 由第二基板到達(dá)第二范圍的光。因此，從第一范圍，能視覺確認(rèn)由第一像 素形成的第一圖像，從第二范圍，能視覺確認(rèn)由第二像素形成的第二圖像。
25 因此，在該電光學(xué)裝置中，能至少在兩個方向進(jìn)行指向性顯示。
在該電光學(xué)裝置中，遮光層設(shè)置在第二基板和發(fā)光層之間。即，遮光 層介于第一基板和第二基板之間。因此，與遮光層配置在第一基板和第二 基板的外側(cè)的情況相比，能夠縮短多個像素和遮光層之間的距離。因而， 在該電光學(xué)裝置中，能夠容易地?cái)U(kuò)大進(jìn)行指向性顯示的各方向的有效范
30 圍。在該電光學(xué)裝置中，電源線在第一基板和第一電極之間沿第一方向延 伸。因此，例如與電源線沿著相鄰的像素彼此之間延伸的情況相比，能夠 容易地縮短像素彼此之間的間隔。由此，能夠容易地提高每單位面積的像 素的數(shù)量(以下叫做像素密度)。結(jié)果，能夠容易地實(shí)現(xiàn)指向性顯示中的 5 高精細(xì)化。
(實(shí)施例5)上述電光學(xué)裝置，其特征在于在上述發(fā)光層和上述遮 光層之間有樹脂層。
在該適用例中，在發(fā)光層和遮光層之間有樹脂層。利用樹脂層，例如 與玻璃基板等相比，能夠容易地調(diào)整厚度。因而，在該電光學(xué)裝置中，通 10 過調(diào)整樹脂層的厚度，能夠容易地調(diào)整有效范圍。
(適用例6)上述電光學(xué)裝置，其特征在于，包括多個控制線；多 個信號線；電容元件，其與各所述像素對應(yīng)設(shè)置，保持所述晶體管的柵極 的電位；和開關(guān)元件，其設(shè)置在所述多個信號線之中的一根所述信號線和 各所述電容元件之間，由向所述多個控制線之中的一根所述控制線供給的 15控制信號所控制，所述電容元件，其設(shè)置在所述第一基板和所述電源線之 間，并且在俯視的情況下與所述電源線重疊。
該適用例的電光學(xué)裝置具有多個控制線、多個信號線、電容元件和開 關(guān)元件。電容元件與各像素對應(yīng)設(shè)置。電容元件保持晶體管的柵極的電位。 開關(guān)元件設(shè)置在多個信號線之中的一個信號線和各電容元件之間。開關(guān)元 20件由向多個控制線之中的一根控制線供給的控制信號所控制。在該電光學(xué) 裝置中，由于電容元件設(shè)置在第一基板和電源線之間，并且在俯視的情況 下與電源線重疊，所以能夠容易地縮小各像素的區(qū)域。由此，能夠提高像 素密度，能夠?qū)崿F(xiàn)指向性顯示中的高精細(xì)化。
(適用例7)上述電光學(xué)裝置，其特征在于所述晶體管和所述開關(guān) 25元件，設(shè)置于在俯視的情況下與所述第一方向交叉的第二方向上夾持所述 電源線對峙的位置。
在該適用例中，由于晶體管和開關(guān)元件，設(shè)置于在俯視的情況下與第 一方向交叉的第二方向夾持電源線對峙的位置，所以能夠容易地在晶體管 和開關(guān)元件之間設(shè)置電容元件。 30 (適用例8)上述電光學(xué)裝置，其特征在于所述晶體管和所述開關(guān)元件，分別設(shè)置在所述第一基板和所述電源線之間，所述晶體管具有設(shè)置 有溝道區(qū)域和源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的第一半導(dǎo)體層，所述開關(guān)元件具有 設(shè)置有溝道區(qū)域和源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo) 體層中，所述溝道區(qū)域和所述源極區(qū)域以及所述漏極區(qū)域在所述第一方向 5排列，所述第二半導(dǎo)體層中，所述溝道區(qū)域和所述源極區(qū)域以及所述漏極 區(qū)域在所述第一方向排列。
在該適用例中，晶體管和開關(guān)元件分別設(shè)置在第一基板和電源線之 間。此外，晶體管具有第一半導(dǎo)體層，開關(guān)元件具有第二半導(dǎo)體層。第一 半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，溝道區(qū)域和源極區(qū)域和漏極區(qū)域分別在第一方
10向排列。因此，能夠容易地?cái)U(kuò)大晶體管和開關(guān)元件之間的區(qū)域。由此，能 夠更容易地在晶體管和開關(guān)元件之間設(shè)置電容元件。
(適用例9)上述電光學(xué)裝置，其特征在于所述晶體管具有在俯視 的情況下與所述第一半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)域重疊的島狀電極，所述第一 半導(dǎo)體層和所述島狀電極之中的至少一個， 一部分構(gòu)成所述電容元件的至
15 少一部分。
在該適用例中，晶體管具有島狀電極。島狀電極在俯視的情況下與第 一半導(dǎo)體層的溝道區(qū)域重疊。而且，第一半導(dǎo)體層和島狀電極之中的至少 一個， 一部分構(gòu)成電容元件的至少一部分。因此，能夠使第一半導(dǎo)體層和 島狀電極之中的至少一個構(gòu)成電容元件的至少一部分。 20 (適用例10)電光學(xué)裝置，其特征在于所述島狀電極和所述第一半
導(dǎo)體層具有在俯視的情況下在所述第二方向跨過所述電源線的長度，所述 島狀電極和所述第二半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域在俯視的情況下所述電源 線的外側(cè)電連接。
在該適用例中，島狀電極和第一半導(dǎo)體層具有在俯視的情況下在第二 25方向跨過電源線的長度。而且，島狀電極和第二半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域在俯 視的情況下在電源線的外側(cè)電連接。由此，能夠用電源線和島狀電極和第 一半導(dǎo)體層構(gòu)成電容元件。
(適用例11)上述電光學(xué)裝置，其特征在于所述第一半導(dǎo)體層的所 述漏極區(qū)域設(shè)置在俯視的情況下所述電源線的外側(cè)，所述第一半導(dǎo)體層的 30 所述漏極區(qū)域和所述第一電極在俯視的情況下所述電源線的外側(cè)電連接。
12在該適用例中，第一半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域設(shè)置在俯視情況下電源線的 外側(cè)。而且，第一半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域和第一電極在俯視的情況下在電源 線的外側(cè)電連接。因此，能夠在不受電源線阻礙的情況下，將第一半導(dǎo)體 層的漏極區(qū)域和第一電極電連接。 5 (適用例12)上述電光學(xué)裝置，其特征在于在所述第一方向相鄰的
所述像素彼此之間，所述第一半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域彼此位于在俯視的 情況下夾著所述電源線相互相反側(cè)。
在該適用例中，在第一方向相鄰的像素彼此之間，第一半導(dǎo)體層的漏 極區(qū)域彼此位于在俯視的情況下夾著電源線相互相反側(cè)。因此，在第一方 10向相鄰的像素彼此之間，能夠容易地使第一半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域彼此遠(yuǎn) 離。結(jié)果，能夠在第一方向相鄰的像素彼此之間不相互阻礙，能夠容易地 連接第一半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域和第一電極。
(適用例13)上述電光學(xué)裝置，其特征在于至少所述第一像素和所 述第二像素在所述第一方向相鄰，各所述控制線在所述第一方向延伸，并 15且至少與所述第一像素和所述第二像素的每一個對應(yīng)設(shè)置，各所述信號線 在所述第二方向延伸，并且至少與所述第一像素和所述第二像素的每一個 對應(yīng)設(shè)置。
在該適用例中，至少第一像素和第二像素在第一方向相鄰。各控制線 在第一方向延伸，并且至少與第一像素和第二像素的每一個對應(yīng)設(shè)置。各 20信號線在第二方向延伸，并且至少與第一像素和第二像素的每一個對應(yīng)設(shè) 置。
在該電光學(xué)裝置中，各控制線和各信號線至少與第一像素和第二像素 的每一個對應(yīng)設(shè)置。因此，能夠在第一方向相鄰的第一像素和第二像素之 間分別控制第一像素中的晶體管和第二像素中的晶體管。
25 (適用例14)上述電光學(xué)裝置，其特征在于在所述第一方向相鄰的
所述第一像素和所述第二像素之間，所述第一像素的所述晶體管和所述第 二像素的所述開關(guān)元件在所述第一方向相鄰，所述第一像素和所述第二像 素也在所述第二方向相鄰，在所述第二方向相鄰的所述第一像素和所述第 二像素之間，所述第一像素的所述晶體管和所述第二像素的所述開關(guān)元
30件，至少夾著一個所述控制線在所述第二方向相鄰。在該適用例中，在第一方向相鄰的第一像素和第二像素之間，第一像 素的晶體管和第二像素的開關(guān)元件在第一方向相鄰。此外，第一像素和第 二像素也在第二方向相鄰。而且，在第二方向相鄰的第一像素和第二像素 之間，第一像素的晶體管和第二像素的開關(guān)元件，夾著至少一個控制線在 5第二方向相鄰。由此，能夠容易地使由第一像素的晶體管和第二像素的開 關(guān)元件在第二方向夾持的控制線，共用于位于夾著該控制線而相互相反側(cè) 的第一像素彼此之間或者第二像素彼此之間。
(適用例15)上述電光學(xué)裝置，其特征在于在所述第一方向相鄰的 所述第一像素和所述第二像素中，所述第一像素中的所述晶體管和所述開 10關(guān)元件，以及所述第二像素中的所述晶體管和所述開關(guān)元件，在俯視的情 況下位于與所述第一像素對應(yīng)的所述信號線和與所述第二像素對應(yīng)的所 述信號線之間。
在該適用例中，在第一方向相鄰的第一像素和第二像素中，第一像
素中的晶體管和開關(guān)元件，以及第二像素中的晶體管和開關(guān)元件，在俯視 15的情況下位于與第一像素對應(yīng)的信號線和與第二像素對應(yīng)的信號線之間。
因此，能夠容易地縮短在第一方向相鄰的第一像素和第二像素的間隔。
(適用例16)上述電光學(xué)裝置，其特征在于所述多個像素被分成多
組像素群，所述多組像素群以至少包含在所述第一方向相鄰的所述第一像
素和所述第二像素的多個所述像素為一組像素群，多組所述像素群在所述 20第一方向排列，所述多個信號線設(shè)置在所述第一基板和所述電源線之間，
并且具有在所述第二方向跨過所述電源線的長度，所述電源線跨過在所述
第一方向相鄰的所述像素群彼此之間。
在該適用例中，多個像素被分成多組像素群。在一組像素群中含有至
少包含在第一方向相鄰的第一像素和第二像素的多個像素。多組像素群在 25第一方向排列。多個信號線設(shè)置在第一基板和電源線之間。多個信號線具
有在第二方向跨過電源線的長度。而且，電源線跨過在第一方向相鄰的像
素群彼此之間。
在該電光學(xué)裝置中，由于多組像素群在第一方向排列，所以在相鄰的 像素群彼此之間，至少兩根信號線相鄰排列。在此，在兩根信號線相鄰排 30 列的結(jié)構(gòu)中，存在在兩根信號線彼此之間產(chǎn)生寄生電容的情況。然而，在該適用例中，由于電源線跨過兩根信號線彼此之間，在電源線和兩根信號 線的每一個之間易于形成電容。因此，能夠容易地減少兩根數(shù)據(jù)線彼此之 伺的電干涉。
(適用例17)上述電光學(xué)裝置，其特征在于電連接所述第一半導(dǎo)體 5 層和所述電源線的連接部在俯視的情況下設(shè)置在所述信號線和所述島狀 電極之間的區(qū)域。
在該適用例中，由于電連接第一半導(dǎo)體層和電源線的連接部在俯視的 情況下設(shè)置在信號線和島狀電極之間的區(qū)域，所以能夠減少電容元件和信 號線之間的電干涉。
10 (適用例18)上述電光學(xué)裝置，其特征在于，包括第二連接部，其
電連接所述第一半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域和所述第一電極；和第二遮光 層，其至少分隔在所述第一方向相鄰的所述第一像素和所述第二像素之
間，所述第二遮光層設(shè)置在所述第一電極和所述遮光層之間，并且在俯視 的情況下重疊于與所述第一像素對應(yīng)的所述第二連接部和與所述第二像
15 素對應(yīng)的所述第二連接部。
該適用例的電光學(xué)裝置具有第二連接部和第二遮光層。第二連接部電 連接第一半導(dǎo)體層的漏極區(qū)域和第一電極。第二遮光層設(shè)置在第一電極和 遮光層之間，其至少分隔在第一方向相鄰的第一像素和第二像素之間。而 且，第二遮光層與第一像素所對應(yīng)的第二連接部和第二像素所對應(yīng)的第二
20 連接部在俯視的情況下重疊。因此，在俯視的情況下能夠容易地隱藏第二 連接部。
(適用例19)上述電光學(xué)裝置，其特征在于具有輔助布線，所述輔 助布線配置在所述第二電極和所述遮光層之間，與所述第二電極導(dǎo)通，所 述輔助布線在俯視的情況下與所述第二遮光層重疊。 25 該適用例的電光學(xué)裝置具有與第二電極導(dǎo)通的輔助布線。輔助布線設(shè)
置在第二電極和遮光層之間。而且，輔助布線在俯視的情況下與第二遮光 層重疊。因此，輔助布線難以堵塞像素。
(適用例20) —種電子設(shè)備，其特征在于具有上述電光學(xué)裝置作為 顯示部。
30 該適用例的電子設(shè)備，作為顯示部的電光學(xué)裝置具有第一基板、第二基板、發(fā)光層和遮光層。第二基板與第一基板相對。發(fā)光層設(shè)置在第一基 板和第二基板之間，在多個像素的每個像素中控制發(fā)光。多個像素至少包 含形成第一圖像的第一像素和形成第二圖像的第二像素。遮光層設(shè)置在第 二基板和發(fā)光層之間。在遮光層上設(shè)有開口部。開口部通過從第一像素的 5發(fā)光層經(jīng)由第二基板到達(dá)第一范圍的光，并且通過從第二像素的發(fā)光層經(jīng) 由第二基板到達(dá)第二范圍的光。
由此，能夠從第一范圍對由第一像素形成的第一圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)， 能夠從第二范圍對由第二像素形成的第二圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)。因此，在該 電光學(xué)裝置中，至少在兩個方向能夠進(jìn)行指向性顯示。
10 在此，遮光層設(shè)置在第二基板和發(fā)光層之間。即，遮光層介于第一基
板和第二基板之間。因此，與遮光層配置在第一基板和第二基板的外側(cè)的 情況相比，能夠縮短多個像素和遮光層之間的距離。因而，在該電光學(xué)裝 置中，能夠容易地?cái)U(kuò)大進(jìn)行指向性顯示的各方向的有效范圍。而且，由于 該適用例的電子設(shè)備具備能夠擴(kuò)大有效范圍的電光學(xué)裝置作為顯示部，所
15 以能夠?qū)崿F(xiàn)有效范圍的擴(kuò)大。


圖1是表示本實(shí)施方式中的顯示裝置的平面圖。
圖2是圖1中的A-A線的截面圖。
20 圖3是表示本實(shí)施方式中的多個像素的一部分的平面圖。
圖4是表示本實(shí)施方式中的多個像素的一部分的平面圖。
圖5是說明本實(shí)施方式中的多組像素群的排列的平面圖。
圖6是表示本實(shí)施方式中的顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是圖4中的C-C線的截面圖。 25 圖8是表示本實(shí)施方式中的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的平面圖。
圖9是表示本實(shí)施方式中的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、島狀電極、 掃描線和數(shù)據(jù)線的平面圖。
圖IO是表示本實(shí)施方式中的島狀電極、掃描線和數(shù)據(jù)線的平面圖。
圖11是表示本實(shí)施方式中的接觸孔的平面圖。 30 圖12是表示本實(shí)施方式中的選擇晶體管、驅(qū)動晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線、漏極電極和中繼電極的平面圖。 圖13是圖12中的E-E線的截面圖。
圖14是圖7中的F部的放大圖。 圖15是表示本實(shí)施方式中的像素電極的平面圖。 5 圖16是表示本實(shí)施方式中的圍堰(bank)的一部分的平面圖。
圖17是表示本實(shí)施方式中的遮光膜和像素群的平面圖。 圖18是本實(shí)施方式中的供給到各掃描線的控制信號的時間圖。 圖19是示意性表示本實(shí)施方式中的多組像素群和遮光膜的截面圖。 圖20是表示本實(shí)施方式中的顯示裝置的另一例子的主要結(jié)構(gòu)的分解 io 立體圖。
圖21是表示本實(shí)施方式中的顯示裝置的再一例子的主要結(jié)構(gòu)的分解 立體圖。
圖22是表示本實(shí)施方式中的多組像素群的排列的另一例子的平面圖。 圖23是表示本實(shí)施方式中的遮光膜的另一例子的平面圖。 15 圖24是表示本實(shí)施方式中的顯示裝置的另一例子的電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖25是表示本實(shí)施方式中的顯示裝置的再一例子的截面圖。 圖26是應(yīng)用本實(shí)施方式中的顯示裝置的電子設(shè)備的立體圖。 圖27是說明現(xiàn)有技術(shù)的截面圖。 圖28是說明現(xiàn)有技術(shù)的截面圖。 20 符號說明
1、 10、 100 —顯示裝置，3 —顯示面，5、 5r、 5g、 5b —像素，5，一第 一像素，52 —第二像素，7 —顯示區(qū)域，11、 20 —元件基板，13 —密封基板， 25 —像素群，27 —選擇晶體管，29 —驅(qū)動晶體管，31 —電容元件，33 —像 素電極，35 —有機(jī)層，37—公用電極，39 —輔助布線，41一第一基板，51 25 —第一半導(dǎo)體層，51a—源極電極，51b —溝道區(qū)域，51c —漏極區(qū)域，51d 一電極部，53 —第二半導(dǎo)體層，53a—源極區(qū)域，53b —溝道區(qū)域，53c — 漏極區(qū)域，55 —島狀電極，55a—柵電極部，55b—電極部，57—柵電極部， 59 —漏電極，65 —源電極部，67 —連接部，69 —連接部，71 —圍堰，71a 一圍堰，71b—圍堰，77—發(fā)光層，81—第二基板，83 —遮光膜，85 —開 30口部，87、 87r、 87g、 87b —彩色濾光器，93 —樹脂層，95a、 95b —棱鏡部，97 —粘接劑，113 —第一范圍，115 —第二范圍，117 —范圍，119a、 119b 一有效范圍，131—第一電極，133—第二電極，141一透鏡部，500—電子 設(shè)備，510 —顯示部，CH1 CH8 —接觸孔，M—矩陣，GT,、 G丁2 —掃描 線，SI、 SI,、 SI2 —數(shù)據(jù)線，PW—電源線。
具體實(shí)施例方式
以利用有機(jī)EL裝置作為電光學(xué)裝置的顯示裝置為例，參照附圖對實(shí) 施方式進(jìn)行說明。
如圖1所示，實(shí)施方式1中的顯示裝置具有顯示面3。 io 在此，在顯示裝置1中設(shè)定有多個像素5。多個像素5在顯示區(qū)域7
內(nèi)在圖中的X方向和Y方向排列，構(gòu)成將X方向設(shè)為行方向、將Y方向 設(shè)為列方向的矩陣M。在顯示裝置l中，多個像素5構(gòu)成m (m為1以上 的整數(shù))行、且2Xn (n為1以上的整數(shù))列的矩陣M。顯示裝置1，通 過從多個像素5選擇性地經(jīng)由顯示面3向顯示裝置1外射出光，能夠在顯 15 示面3顯示圖像。另外，顯示區(qū)域7是能夠顯示圖像的區(qū)域。在圖1中， 為了易于理解結(jié)構(gòu)，夸大像素5。
如圖1中的A-A線中的截面2所示，顯示裝置1具有像素基板 11和密封基板13。
在像素基板11上，在顯示面3側(cè)即密封基板13側(cè)，分別與多個像素 205對應(yīng)，設(shè)置有后述的開關(guān)元件等。
在比元件基板11更靠近顯示面3側(cè)以與元件基板11相對的狀態(tài)設(shè)置 密封基板13。在密封基板13上，在與顯示裝置1中的顯示面3的背面相 當(dāng)?shù)拿婕吹酌?5側(cè)，也就是元件基板ll側(cè)，設(shè)置有后述的遮光膜等。 在元件基板11和密封基板13之間，通過在比顯示裝置1的周邊更靠 25近內(nèi)側(cè)處包圍顯示區(qū)域7的密封件17進(jìn)行密封。
在此，如圖3所示，在顯示裝置1中設(shè)定的多個像素5，從顯示面3 射出的光的顏色分別被設(shè)定為紅系(R)、綠系(G)和藍(lán)系(B)中的一 個。即，構(gòu)成矩陣M的多個像素5包含射出R光的像素5r、射出G光的 像素5g、和射出B光的像素5b。 30 在此，R色并不限定于純粹的紅的色相，包括橙色等。G色并不限定于純粹的綠的色相，包括藍(lán)綠色、黃綠色。B色并不限定于純粹的藍(lán)的色 相，包括藍(lán)紫色、藍(lán)綠色等。從其它的觀點(diǎn)來看，呈R色的光被定義為是
光波長的峰值在可見光區(qū)域內(nèi)位于570nm以上的范圍的光。此外，呈G 色的光被定義為光波長的峰值位于500nm 565nm的范圍的光。呈B色的 5光被定義為光波長的峰值位于415nm 495nm的范圍的光。
在矩陣M中，沿Y方向排列的多個像素5構(gòu)成一個像素列21。此外， 沿X方向排列的多個像素5構(gòu)成一個像素行23。 一個像素列21內(nèi)的各像 素5的光的顏色被設(shè)定為R、 G和B中的一個。g卩，矩陣M具有在Y方 向配列有多個像素5r的像素列21r、在Y方向配列有多個像素5g的像素 io 列21 g、在Y方向配列有多個像素5b的像素列21b。而且，在顯示裝置1 中，像素列21r、像素列21g和像素列21b分別按該順序兩列兩列地沿X 方向反復(fù)排列。
此外，在顯示裝置l中，構(gòu)成矩陣M的多個像素5，如圖4所示，被 分成多個第一像素5,和多個第二像素52。顯示裝置1通過從多個第一像素
15 5,選擇性地經(jīng)由顯示面3向顯示裝置l外射出光，能夠在顯示面3中顯示 第一圖像。此外，顯示裝置1通過從多個第二像素52選擇性地經(jīng)由顯示面 3向顯示裝置1外射出光，能夠在顯示面3中顯示第二圖像。
另外，第一圖像和第二圖像不論是互不相同的圖像，還是相互相同的 圖像都沒有關(guān)系。此外，以下適當(dāng)分別使用圖5的標(biāo)記，像素5r、 5g和
205b的標(biāo)記，第一像素5,和第二像素52的標(biāo)記。此外，在對于第一像素5， 和第二像素52的每一個來識別R、 G和B的情況下，使用第一像素5r,、 5g,和5b,的標(biāo)記，以及第二像素5r2、 5g2和5b2的標(biāo)記。
在顯示裝置l中，第一像素5,和第二像素52在X方向交替排列。一 個像素列21由多個第一像素5,或多個第二像素52構(gòu)成。目卩，矩陣M具
25有沿Y方向排列有多個第一像素5,的像素列21,、和沿Y方向排列有多個 第二像素52的像素列212。另外，以下適當(dāng)分別使用像素列21的標(biāo)記，像 素列21r、像素列21g和像素列21b的標(biāo)記，像素列21,和像素列2l2的標(biāo) 記。此外，在對于像素列21,和像素列2l2的每一個識別R、 G和B的情 況下，使用像素列21r"21g,和21b,的標(biāo)記，以及像素列21r2、21g2和21b2
30 的標(biāo)記。在顯示裝置l中，構(gòu)成矩陣M的多個像素5，被分成以在X方向相
鄰的第一像素5,和第二像素52的兩個像素5為一組的多組像素群25。在 各像素群25中的第一像素5,和第二像素52的排列順序在多組像素群25 之間統(tǒng)一。在顯示裝置1中，看圖4可知，第一像素5,和第二像素52在X 5方向從左側(cè)向右側(cè)按該順序排列。另外，如果第一像素5,和第二像素52 的排列順序在多組像素群25之間統(tǒng)一，則哪個在左哪個在右都可以。
此外，在顯示裝置l中，構(gòu)成各像素群25的第一像素5,和第二像素 52的射出光的顏色被設(shè)定為R、 G和B中的一個。gp，第一像素5r,和第 二像素5r2構(gòu)成一組像素群25，第一像素5g,和第二像素5g2構(gòu)成一組像素 io 群25，第一像素5b,和第二像素5b2構(gòu)成一組像素群25。另外，以下在對 于多組像素群25的各個識別R、 G和B的情況下，使用像素群25r、像素 群25g和像素群25b的標(biāo)記。
在矩陣M中，如圖5所示，多組像素群25在X方向和Y方向的各個 方向排列。g卩，多組像素群25排列成矩陣狀。 15 另外，在顯示裝置l中，如上所述，多個像素5構(gòu)成m行且2Xn列
的矩陣M。因此，多組像素群25構(gòu)成m行且n列的矩陣M。
顯示裝置l，如作為表示電路結(jié)構(gòu)的圖的圖6所示，在每個像素5中， 具有選擇晶體管27、驅(qū)動晶體管29、電容元件31、像素電極33、有機(jī)層 35和共用電極37。選擇晶體管27和驅(qū)動晶體管29分別由TFT(ThinFilm 20 Transistor)元件構(gòu)成，具有作為開關(guān)元件的功能。另外，在顯示裝置1中， 作為選擇晶體管27釆用N溝道型的TFT元件，作為驅(qū)動晶體管29采用P 溝道型的TFT元件。
此外，顯示裝置1具有m根掃描線GT,、 m根掃描線GT2、 n根數(shù)據(jù) 線SI,、 n根數(shù)據(jù)線Sl2和m根電源線PW。 25 另外，以下在分別識別m根掃描線GT,的情況下，使用掃描線GT,
(h)這種標(biāo)記(h是1 m的整數(shù))。同樣地，在分別識別m根掃描線 G丁2和m根電源線PW的情況下，使用掃描線GT2 (h)這種標(biāo)記和電源 線PW (h)這種標(biāo)記。
此外，在分別識別n根數(shù)據(jù)線SI,、 n根數(shù)據(jù)線Sl2的情況下，使用數(shù) 30據(jù)線SI, (j)這種標(biāo)記和數(shù)據(jù)線Sl2 (j)這種標(biāo)記(j是l n的整數(shù))。m根掃描線GT,和掃描線GT2在Y方向相互隔開間隔的狀態(tài)下，沿 著X方向延伸。n根數(shù)據(jù)線SI,和n根數(shù)據(jù)線Sl2在X方向相互隔開間隔 的狀態(tài)下，沿著Y方向延伸。m根掃描線GTi和n根數(shù)據(jù)線SI,按格子狀 布線。各第一像素5,與各掃描線GT,和各數(shù)據(jù)線SI,的交叉對應(yīng)設(shè)定。 5 同樣地，m根掃描線GL和n根數(shù)據(jù)線Sl2按格子狀布線。各第二像
素52與各掃描線GT2和各數(shù)據(jù)線SI2的交叉對應(yīng)設(shè)定。
各掃描線GT,和各掃描線GT2與各像素行23 (圖3)對應(yīng)。在各像素 行23中，如圖6所示，掃描線GT,與n個第一像素5,對應(yīng)。此外，在像 素行23中，掃描線GT2與n個第二像素52對應(yīng)。 io 各數(shù)據(jù)線SI,和各數(shù)據(jù)線Sl2與各像素列21 (圖3)對應(yīng)。在各像素列
21中，如圖6所示，數(shù)據(jù)線SI,與m個第一像素5,即一個像素列21,(圖 4)對應(yīng)。此外，在各像素列21中，數(shù)據(jù)線Sl2與m個第二像素52即一個 像素列212 (圖4)對應(yīng)。
如圖6所示，m根電源線PW在Y方向相互隔開間隔的狀態(tài)下，沿著 15X方向延伸。各電源線PW與各像素行23 (圖3)對應(yīng)。
圖6所示的各選擇晶體管27的柵極電極與對應(yīng)的各掃描線GT,和GT2 電連接。各選擇晶體管27的源極電極與對應(yīng)的各數(shù)據(jù)線SI,和SI2電連接。 選擇晶體管27的漏極電極與對應(yīng)的驅(qū)動晶體管29的柵極電極和電容元件 31的一個電極電連接。 20 電容元件31的另一個電極和驅(qū)動晶體管29的源極電極分別與對應(yīng)的
各電源線PW電連接。
各驅(qū)動晶體管29的漏極電極與各像素電極33電連接。各像素電極33 和共同電極37構(gòu)成以像素電極33為陽極、以共同電極37為陰極的一對 電極。
25 在此，共同電極37在跨過構(gòu)成矩陣M的多個像素5之間連續(xù)的狀態(tài)
下設(shè)置，跨過多個像素5之間共同起作用。
在各像素電極33和共同電極37之間的有機(jī)層35由有機(jī)材料構(gòu)成， 具有包含了發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。
選擇晶體管27，當(dāng)向與該選擇晶體管27連接的掃描線GT^和GT2供 30給掃描信號時，處于ON狀態(tài)。此時，從與該選擇晶體管27連接的數(shù)據(jù)
21線SIi和Sl2供給數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動晶體管29處于ON狀態(tài)。通過將數(shù)據(jù)信
號的電位在電容元件31中保持一定期間，將驅(qū)動晶體管29的柵極電位保 持一定期間。由此，將驅(qū)動晶體管29的ON狀態(tài)保持一定期間。
在保持驅(qū)動晶體管29的ON狀態(tài)時，與驅(qū)動晶體管29的柵極電位對 5 應(yīng)的電流，從電源線PW經(jīng)由像素電極33和有機(jī)層35向共同電極37流 動。然后，包含在有機(jī)層中的發(fā)光層，以與在有機(jī)層35中流動的電流量 對應(yīng)的亮度發(fā)光。顯示裝置l，是在有機(jī)層35中包含的發(fā)光層發(fā)光，來自 發(fā)光層的光通過密封基板13從顯示面3射出的頂部發(fā)光(Top Emission) 型有機(jī)EL裝置的一個。 io 在此，對元件基板11和密封基板13的各自的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。
如作為圖4中的C-C線的截面圖的圖7所示，元件基板ll具有第一 基板41。
第一基板41由例如玻璃、石英等的具有透光性的材料構(gòu)成，其具有 朝向顯示面3側(cè)的第一面42a、和朝向底面15側(cè)的第二面42b。 15 在第一基板41的第一面42a上設(shè)有柵絕緣膜43。在柵絕緣膜43的顯
示面3側(cè)設(shè)有絕緣膜45。在絕緣膜45的顯示面3側(cè)設(shè)有絕緣膜47。在絕 緣膜47的顯示面3側(cè)設(shè)有絕緣膜49。
此外，在第一基板41的第一面42a上設(shè)有與各像素5的驅(qū)動晶體管 29對應(yīng)的第一半導(dǎo)體層51和與各像素5的選擇晶體管27對應(yīng)的第二半導(dǎo) 20 體層53。
如平面圖的圖8所示，第一半導(dǎo)體層51和第二半導(dǎo)體層53分別與各 像素5對應(yīng)設(shè)置。另外，圖7所示的截面與圖8中的D-D線的截面相當(dāng)。
第一半導(dǎo)體層51和第二半導(dǎo)體層53在Y方向隔開間隔的狀態(tài)下在Y 方向相鄰。
25 第一半導(dǎo)體層51具有源極區(qū)域51a、溝道區(qū)域51b、漏極區(qū)域51c和
電極部51d。源極區(qū)域51a、溝道區(qū)域51b和漏極區(qū)域51c在X方向排列。 電極部51d與溝道區(qū)域51b和漏極區(qū)域51c，在Y方向隔開間隔的狀態(tài)下 在Y方向相鄰。此外，電極部51d與源極區(qū)域51a在連接的狀態(tài)下在X 方向相鄰。
30 第二半導(dǎo)體層53具有源極區(qū)域53a、溝道區(qū)域53b和漏極區(qū)域53c。源極區(qū)域53a、溝道區(qū)域53b和漏極區(qū)域53c在X方向排列。
在各像素群25中的第一像素5,和第二像素52之間，第一半導(dǎo)體層51 彼此以及第二半導(dǎo)體層53彼此在俯視的情況下的輪廓存在旋轉(zhuǎn)對稱的關(guān) 系。
5 如圖7所示，第一半導(dǎo)體層51和第二半導(dǎo)體層53通過柵極絕緣膜43
從顯示面3側(cè)覆蓋。另外，作為柵極絕緣膜43的材料能夠采用例如氧化 硅等的材料。
如平面圖的圖9所示，在柵極絕緣膜43的顯示面3側(cè)設(shè)有與第一半 導(dǎo)體層重疊的島狀電極55、掃描線GT,和GT2、數(shù)據(jù)線SI,和Sl2。 io 如平面圖的圖10所示，島狀電極55具有柵電極部55a、電極部55b。
柵電極部55a和電極部55b在連接的狀態(tài)下在Y方向相鄰。
柵電極部55a與圖8所示的第一半導(dǎo)體層51的溝道區(qū)域51b重疊。 電極部55b與第一半導(dǎo)體層51的電極部51d重疊。電極部51d和電極部 55b構(gòu)成電容元件31的一部分。 15 在各個掃描線GT,和GT2上，按每個對應(yīng)的像素5，分別設(shè)有朝向各
像素5在Y方向分支的兩個柵電極部57。各柵電極部57與圖8所示的第 二半導(dǎo)體層53的溝道區(qū)域53b重疊。
與各像素5對應(yīng)的島狀電極55和與該像素5對應(yīng)的數(shù)據(jù)線SI,(SI2)， 在X方向相鄰。在顯示裝置l中，通過分別與像素群25中的第一像素5, 20和第二像素52對應(yīng)的數(shù)據(jù)線SI,和數(shù)據(jù)線SI2在X方向夾持各像素群25中 的兩個島狀電極55。
此外，通過分別與像素群25中的第一像素5,和第二像素52對應(yīng)的掃 描線GT,和掃描線GT2在Y方向夾持各像素群25中的兩個島狀電極55。
作為島狀電極55、掃描線GT,和GT2、以及數(shù)據(jù)線SI,和Sl2的材料， 25例如能夠釆用鋁、銅、鉬、鎢、鉻等金屬，或包含它們的合金等。如圖7 所示，柵電極部55a (島狀電極55)、柵電極部57 (掃描線GT,和掃描線 GT2)以及數(shù)據(jù)線SI,和Sl2通過絕緣膜45從顯示面3側(cè)覆蓋。
如作為平面圖的圖ll所示，在絕緣膜45上與各像素5對應(yīng)設(shè)有接觸 孑LCH1、 CH2、 CH3、 CH4、 CH5、 CH6禾B CH7。
3o 各接觸孔chi與各數(shù)據(jù)線si,禾n si2對應(yīng)，設(shè)置在與各數(shù)據(jù)線si,和
23Sl2重疊的部位。各接觸孔CH1設(shè)置在與第二半導(dǎo)體層53的源極區(qū)域53a 在X方向?qū)χ诺牟课?。各接觸孔CH1到達(dá)對應(yīng)的各數(shù)據(jù)線SI,和SI2。
各接觸孔CH2與各源極區(qū)域53a對應(yīng)，設(shè)置在與各源極區(qū)域53a重疊 的部位。各接觸孔CH2設(shè)置在與各接觸孔CH1在X方向?qū)χ诺牟课弧８?5接觸孔CH2到達(dá)第二半導(dǎo)體層53的源極區(qū)域53a。
各接觸孔CH3與各漏極區(qū)域53c對應(yīng)，設(shè)置在與各漏極區(qū)域53c重疊 的部位。各接觸孔CH3到達(dá)第二半導(dǎo)體層53的源極區(qū)域53c。
各接觸孔CH4與各電極部55b對應(yīng)，設(shè)置在與各電極部55b重疊的 部位。各接觸孔CH4設(shè)置在與各接觸孔CH3在Y方向?qū)χ诺牟课?。各?io觸孔CH4到達(dá)各電極部55b。
接觸孔CH5與各第一半導(dǎo)體層51的各漏極區(qū)域51c對應(yīng)，在與各漏 極區(qū)域51c重疊的部位上各設(shè)置兩個。各接觸孔CH5到達(dá)第一半導(dǎo)體層 51的漏極區(qū)域51c。
各接觸孔CH6與各數(shù)據(jù)線SI,和Sl2對應(yīng)，設(shè)置在與各數(shù)據(jù)線SI,和 15Sl2重疊的部位。各接觸孔CH6設(shè)置于在X方向夾持源極區(qū)域51a且與柵 電極部55a對峙的部位。各接觸孔CH6到達(dá)對應(yīng)的各數(shù)據(jù)線SI,和SI2。
接觸孔CH7與各源極區(qū)域51a對應(yīng)，在與各源極區(qū)域51a重疊的部位 上各設(shè)置兩個。在俯視的情況下，各接觸孔CH7設(shè)置于在與各像素5對 應(yīng)的各數(shù)據(jù)線SI,和SI2以及島狀電極55的電極部55b之間，與電極部55b 20在X方向?qū)χ诺牟课弧８鹘佑|孔CH7到達(dá)第一半導(dǎo)體層51的源極區(qū)域 51a。
如作為平面圖的圖12所示，在設(shè)置有接觸孔CH1 CH7的絕緣膜45 的顯示面3側(cè)，設(shè)有電源線PW、漏電極59、中繼電極62、中繼電極63。 各電源線PW在遍及在X方向跨過各像素行23 (圖3)的長度連續(xù)的 25狀態(tài)下設(shè)置。如圖12所示，各電源線PW的Y方向的寬度尺寸被設(shè)定為 跨過在Y方向排列的兩個接觸孔CH7的長度。各電源線PW覆蓋各像素 行23中的多個接觸孔CH7。
在各像素5中，電源線PW在俯視的情況下位于選擇晶體管27和驅(qū) 動晶體管29之間。換言之，選擇晶體管27和驅(qū)動晶體管29夾持電源線 30 PW在Y方向?qū)χ?。此外，選擇晶體管27的源極區(qū)域53a、溝道區(qū)域53b(圖8)以及漏極區(qū)域53C在俯視的情況下位于電源線PW的外側(cè)。驅(qū)動
晶體管29的源極區(qū)域51a的一部分、溝道區(qū)域51b (圖8)和漏極區(qū)域51c在俯視的情況下位于電源線PW的外側(cè)。
此外，在一組的像素群25中的第一像素5,和第二像素52之間，如圖5 12所示， 一個選擇晶體管27與另一個驅(qū)動晶體管29在X方向相鄰。在一組的像素群25中的第一像素5i和第二像素52之間，選擇晶體管27彼此位于在Y方向夾持電源線PW的相互相反側(cè)。同樣地，在一組的像素群25中的第一像素5,和第二像素52之間，驅(qū)動晶體管29彼此位于在Y方向夾持電源線PW的相互相反側(cè)。io 如作為圖12中的E-E線的截面圖的圖13所示，各電源線PW通過接
觸孔CH7到達(dá)第一半導(dǎo)體層51的源極區(qū)域51a。另外，在顯示裝置1中，從各電源線PW通過接觸孔CH7到達(dá)源極區(qū)域51a的部位，被稱作源電極部65。
如上所述，各接觸孔CH7在俯視的情況下被設(shè)置在與各像素5對應(yīng)15的各數(shù)據(jù)線SI,和Sl2以及島狀電極55的電極部55b之間。因此，各源電極65在俯視的情況下位于與各像素5對應(yīng)的各數(shù)據(jù)線SI,和SI2以及島狀電極55的電極部55b之間。
在此，在俯視的情況下在電源線PW和島狀電極55的電極部55b和第一半導(dǎo)體層51的電極部51d重疊的區(qū)域形成有電容元件31。因此，電20容元件31可看作設(shè)置在第一基板41和電源線PW之間。電極部55b、電極部51d和電源線PW構(gòu)成電容元件31的一部分。
如圖12所示，漏電極59與各像素5對應(yīng)設(shè)置，覆蓋接觸孔CH5。如作為圖7中的F部的放大圖的圖14所示，各漏電極59通過接觸孔CH5到達(dá)第一半導(dǎo)體層51的漏極區(qū)域51c。在顯示裝置l中，從漏電極59通25過接觸孔CH5到達(dá)漏極區(qū)域51c的部位被稱作連接部67。
如圖12所示，中繼電極61與各像素5對應(yīng)設(shè)置。各中繼電極61，在Y方向相鄰的兩個像素5之間，跨過與一個像素5對應(yīng)的接觸孔CH1和與另一個像素5對應(yīng)的接觸孔CH6。此外，在各像素5中，各中繼電極61跨過接觸孔CH1和接觸孔CH2之間。30 各中繼電極61覆蓋與在Y方向相鄰的兩個像素5中的一個對應(yīng)的接觸孔CH1以及CH2、和與兩個像素5中的另一個對應(yīng)的接觸孔CH6。由此，在Y方向相鄰的兩個數(shù)據(jù)線SI,彼此通過中繼電極61電連接。此外，在Y方向相鄰的兩個數(shù)據(jù)線Sl2彼此也通過中繼電極61電連接。
進(jìn)而，數(shù)據(jù)線SI,和與其對應(yīng)的第二半導(dǎo)體層53的源極區(qū)域53a通過5中繼電極61電連接。此外，數(shù)據(jù)線Sl2和與其對應(yīng)的第二半導(dǎo)體層53的源極區(qū)域53a通過中繼電極61電連接。
中繼電極63與各像素5對應(yīng)設(shè)置，跨過與各像素5對應(yīng)的接觸孔CH3和接觸孔CH4之間。各中繼電極63，在比電源線PW的輪廓更靠近外側(cè)處，覆蓋這些接觸孔CH3和接觸孔CH4。由此，在各像素5中，第二半io 導(dǎo)體層53的漏極區(qū)域53c和島狀電極55的電極部55b，在比電源線PW的輪廓更靠近外側(cè)處，通過中繼電極63電連接。
作為電源線PW、漏電極59、中繼電極61和中繼電極63的材料，例如能夠采用鋁、銅、鉬、鎢、鉻等金屬，或包含它們的合金等。如圖7所示，漏電極59、中繼電極61和中繼電極63通過絕緣膜47從顯示面3側(cè)15覆蓋。另外，電源線PW也通過絕緣膜47從顯示面3側(cè)覆蓋。
絕緣膜47通過絕緣膜49從顯示面3側(cè)覆蓋。
在絕緣膜47和絕緣膜49上設(shè)有接觸孔CH8。
如圖12所示，各接觸孔CH8與各像素5對應(yīng)設(shè)置。各接觸孔CH8設(shè)置在與漏電極59重疊的區(qū)域，到達(dá)漏電極59。20 另外，各漏電極59在X方向向與柵電極部55a相反一側(cè)延伸。而且，
各接觸孔CH8在俯視的情況下與漏電極59的延長的部位重疊。由此，在俯視的情況下接觸孔CH5與接觸孔CH8不重疊。在此，接觸孔CH5與接觸孔CH8也可以重疊。
在設(shè)有接觸孔CH8的絕緣膜49的顯示面3側(cè)，如圖7所示，對每個25 像素5設(shè)有像素電極33。
如作為平面圖的圖15所示，各像素電極33在Y方向跨過掃描線GT,和掃描線GT2，在X方向跨過接觸孔CH8、和與各像素5對應(yīng)的數(shù)據(jù)線SI,或數(shù)據(jù)線Sl2。各像素電極33覆蓋接觸孔CH8。
另外，在顯示裝置l中，如圖14所示，從各像素電極33通過接觸孔30CH8到達(dá)漏電極59的部位被稱作連接部69。作為像素電極33的材料，能夠采用銀、鋁、銅等具有光反射性的金屬、或包含它們的合金等。在使像素電極33作為陽極起作用的情況下，
優(yōu)選使用銀、鉑等的功函數(shù)比較高的材料。此外，作為像素電極33也可以使用ITO (Indium Tin Oxide)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide)等，5采用在像素電極33和第一基板41之間設(shè)有具有光反射性的部件的結(jié)構(gòu)。
此外，作為絕緣膜47和49的材料例如能夠采用氧化硅、氮化硅、丙烯酸類樹脂等的材料。
如圖7所示，在相鄰的像素電極33彼此之間，劃分各像素5的有效區(qū)域的圍堰71跨過區(qū)域72而設(shè)置。圍堰71在相鄰的像素電極33彼此之io間到達(dá)絕緣膜49。圍堰71例如由具有碳黑或鉻等的光吸收性高的材料的丙烯酸類樹脂或聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成，如作為平面圖的圖16所示，設(shè)置成格子狀。
圍堰71跨過顯示區(qū)域7而設(shè)置。因此，顯示區(qū)域7通過圍堰71劃分成多個像素5的有效區(qū)域。另外，如圖16所示，各像素電極33在俯視的15情況下其周邊部與圍堰71重疊。
在此，在圍堰71中包含作為在X方向相鄰的像素群25彼此之間的部位的圍堰71a、和作為一組像素群25的第一像素5,和第二像素52之間的部位的圍堰71b。圍堰71b的X方向的寬度尺寸被設(shè)定為比圍堰71a的X方向的寬度尺寸長。
20 而且，如圖14和圖16所示，在各像素5中，像素電極33的連接部
69和接觸孔CH8在俯視的情況下與圍堰71b重疊。即，連接部69和接觸
孔CH8在俯視的情況下隱藏于圍堰71b。
如圖7所示，在像素電極33的顯示面3側(cè)，在圍堰71所包圍的區(qū)域
內(nèi)，設(shè)有有機(jī)層35。25 有機(jī)層35與各像素5對應(yīng)設(shè)置，具有空穴注入層73、空穴輸送層75
和發(fā)光層77。
空穴注入層73由有機(jī)材料構(gòu)成，在俯視的情況下在由圍堰71所包圍的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置在像素電極33的顯示面3側(cè)?？昭ㄗ⑷雽?3能夠通過涂敷液狀的有機(jī)材料而設(shè)置得到。30 作為空穴注入層73的材料，能夠釆用3， 4-聚乙撐二氧噻吩(PEDOT)等的聚噻吩電介質(zhì)、和聚苯乙烯磺酸(PSS)等的混合物。作為空穴注入層73的材料，也能夠采用聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或它們的電介質(zhì)等。
空穴輸送層75由有機(jī)材料構(gòu)成，在俯視的情況下在由圍堰71所包圍的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置在空穴注入層73的顯示面3側(cè)?？昭ㄗ⑷雽?5能夠通過涂敷液狀的有機(jī)材料而設(shè)置得到。
作為空穴輸送層75的材料，例如能夠采用包含下述化合物所所示的TFB等的三苯胺類聚合物的結(jié)構(gòu)。
io 發(fā)光層77由有機(jī)材料構(gòu)成，在俯視的情況下在由圍堰71所包圍的區(qū)
域內(nèi)，設(shè)置在空穴輸送層75的顯示面3側(cè)。發(fā)光層77能夠通過涂敷液狀的有機(jī)材料而設(shè)置得到。
作為與R的像素5r對應(yīng)的發(fā)光層77的材料，例如能夠采用下述化合物所示的CN-PPV。
作為與G的像素5g對應(yīng)的發(fā)光層77的材料，例如能采用將下述化合物3所示的F8BT和上述化合物1所示的TFB以1: 1混合的物質(zhì)。
PC6H3化合物3
作為與B的像素5b對應(yīng)的發(fā)光層77的材料，例如能夠釆用下述化合 物4所示的F8 (聚二辛基芴PFO)。
化合物4
5 如圖7所示，在有機(jī)層35的顯示面3側(cè)設(shè)有共同電極37。共同電極
37例如由ITO和銦鋅氧化物等的具有光透過性的材料、使鎂銀等薄膜化 而賦予光透過性的材料等構(gòu)成，從顯示面3側(cè)跨過多個像素5之間覆蓋有 機(jī)層35和圍堰71。
另外，在顯示裝置l中，在各像素5中發(fā)光的區(qū)域被定義為在俯視的 io情況下在由圍堰71包圍的區(qū)域內(nèi)像素電極33和有機(jī)層35和共同電極37 重疊的區(qū)域。
在共同電極37的顯示面3側(cè)設(shè)有輔助布線39。輔助布線39被設(shè)置在 比共同電極37更靠近顯示面3側(cè)在俯視的情況下與圍堰71b重疊的區(qū)域。 作為輔助布線39例如能夠采用鋁、銅、金、銀、鉬、鎢、鉻等的金屬、 15 或包含它們的合金等。
該輔助布線39與共同電極37導(dǎo)通，具有輔助共同電極37的電傳導(dǎo) 的功能。
密封基板13具有第二基板81。第二基板81例如由玻璃或石英等的具 有光透過性的材料構(gòu)成，其具有朝向顯示面3側(cè)的外向面82a、和朝向底 20 面15側(cè)的對置面82b。
在第二基板81的對置面82b上設(shè)有遮光膜83。遮光膜83例如由含有 碳黑等的樹脂、絡(luò)等的光吸收性高的材料構(gòu)成。遮光膜83跨過構(gòu)成矩陣 M的多個像素5之間而設(shè)置。即，遮光膜83設(shè)置在在俯視的情況下與構(gòu) 成矩陣M的多個像素5重疊的區(qū)域。在遮光膜83上設(shè)有在俯視的情況下與構(gòu)成各像素群25的第一像素5
和第二像素52重疊的開口部85。
如作為遮光膜83和像素群25的平面圖的圖17所示，各開口部85與 各像素群25對應(yīng)設(shè)置。另外，在該圖17中，為了易于理解結(jié)構(gòu)，對遮光 5 膜83實(shí)施陰影。
此外，如圖7所示，在第二基板81的對置面82b設(shè)有從底面15側(cè)覆 蓋開口部85內(nèi)的區(qū)域的彩色濾光器87。按每個開口部85來設(shè)置彩色濾光 器87。
在此，彩色濾光器87能夠使入射的光之中規(guī)定波長區(qū)域的光通過。 io彩色濾光器87由以每個像素群25r、像素群25g和像素群25b不同顏色著 色的樹脂等構(gòu)成。
與像素群25r對應(yīng)的彩色濾光器87能夠使R的光通過。與像素群25g 對應(yīng)的彩色濾光器87能夠使G的光通過。與像素群25b對應(yīng)的彩色濾光 器87能夠使B的光通過。另外，以下在對于各彩色濾光器識別R、 G和B 15的情況下，使用彩色濾光器87r、 87g和87b這種標(biāo)記。
在此，在顯示裝置l中，像素5r的發(fā)光層77射出R的光。從像素5r 的發(fā)光層77射出的R的光透過彩色濾光器87r，由此R的色純度被提高。 此外，從像素5g的發(fā)光層77射出的G的光透過彩色濾光器87g，由此G 的色純度被提高，從像素5b的發(fā)光層77射出的B的光透過彩色濾光器 2087b，由此B的色純度被提高。
在遮光膜83和彩色濾光器87的底面15側(cè)設(shè)有保護(hù)層(overcoat layer) 89。保護(hù)層89由具有光透過性的樹脂等構(gòu)成，從底面15側(cè)覆蓋遮光膜83 和彩色濾光器87。
在保護(hù)層89的底面15側(cè)設(shè)有樹脂層93。樹脂層93例如由丙烯酸類 25樹脂或環(huán)氧類樹脂等的具有光透過性的材料構(gòu)成，與各像素5對應(yīng)形成棱 鏡部95a和95b。在顯示裝置l中，棱鏡部95a與第一像素5,對應(yīng)，棱鏡 部95b與第二像素52對應(yīng)。
具有上述結(jié)構(gòu)的密封基板13和元件基板11，在樹脂層93的棱鏡部 95a和95b側(cè)與共同電極37側(cè)相對的狀態(tài)下，通過粘接劑97粘接樹脂層 30 93和共同電極37而成。在顯示裝置l中，圖2所示的密封件17被圖7所示的第一基板41的
第一面42a和第二基板81的對置面82b夾持。g卩，在顯示裝置l中，粘 接劑97通過第一基板41和第二基板81以及密封件17被密封。另外，密 封件17也可以設(shè)置在樹脂層93和共同電極37之間。在這種情況下，可 5認(rèn)為粘接劑97通過元件基板11和密封基板13以及密封件17密封。
另外，粘接劑97到達(dá)樹脂層93的棱鏡部95a和95b內(nèi)。此外，作為 粘接劑97的材料，能夠采用光透過性且折射率與樹脂層93的折射率不同 的材料。由此，能夠使從各像素5的發(fā)光層77到達(dá)對應(yīng)的棱鏡部95a和 95b的光分別通過棱鏡部95a和95b而發(fā)生折射。 io 在顯示裝置1中，樹脂層93的折射率被設(shè)定為比粘接劑97的折射率
高。而且，各棱鏡部95a和95b被設(shè)定為使從對應(yīng)的各像素5的發(fā)光層77 的光向開口部85折射那樣的形狀。
在具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置1中，通過按照每個像素5使發(fā)光層77 發(fā)光，由此控制顯示。通過各驅(qū)動晶體管29控制在各有機(jī)層35流動的電 15流，能使發(fā)光層77的發(fā)光狀態(tài)在每個像素5中發(fā)生變化。
如圖6所示，向各掃描線GT, (h)供給控制信號CS, (h)。同樣地， 向各掃描線G丁2 (h)供給控制信號CS2 (h)。控制信號CS, (h)和控制 信號CS2 (h)被交替供給。S卩，在向掃描線GT, (1)供給控制信號CS, (1)之后，向掃描線GT2 (1)供給控制信號CS2 (1)。 20 將圖像信號DSi (j)作為并行信號向各數(shù)據(jù)線(j)供給。同樣地，
將圖像信號DS2 (p作為并行信號向各數(shù)據(jù)線SI2 (j)供給。圖像信號DS, (j)和圖像信號DS2 (j)被交替供給。g卩，在將圖像信號DS, (1) DS
(n)向數(shù)據(jù)線SI, (1) ~SI, (n)供給之后，將圖像信號DS2 (1) DS2 (n)向數(shù)據(jù)線Sl2 (1) ~SI2 (n)供給。 25 如圖18所示，控制信號CS, (h)和控制信號CS2 (h)分別在一幀期
間內(nèi)僅一次，經(jīng)過比一幀期間短的期間tl而維持Hi電平的選擇電位。在 某一時刻變成選擇電位僅是控制信號CS， (h)和控制信號CS2 (h)之中 的一個。
若掃描線GT, (h)變?yōu)檫x擇電位，則與該掃描線GT, (h)對應(yīng)的多 30個第一像素5,的選擇晶體管27處于ON狀態(tài)。此時，向數(shù)據(jù)線SI, (1) SI! (n)的圖像信號DS, (1) DS, (n)，通過選擇晶體管27，供給到 驅(qū)動晶體管29的柵電極部55a和電極部55b (圖12) 。 g卩，在第一像素 5,中，柵電極部55a和電極部55b成為與圖像信號DS, (j)對應(yīng)的電位。 同樣地，當(dāng)掃描線GT2 (h)為選擇電位，與該掃描線GT2 (h)對應(yīng) 5的多個第二像素52的選擇晶體管27處于ON狀態(tài)。此時，向數(shù)據(jù)線SI2 (1) SI2 (n)供給的圖像信號DS2 (1) DS2 (n)，通過選擇晶體管 27，供給到驅(qū)動晶體管29的柵電極部55a和電極部55b (圖12)。艮卩， 在第二像素52中，柵電極部55a和電極部55b成為與圖像信號DS2 (j)的 電位對應(yīng)的電位。
io 此時，與驅(qū)動晶體管29的柵電極部55a的電位對應(yīng)的電流，從電源
線PW (h)通過源極區(qū)域51a和溝道區(qū)域51b向漏極區(qū)域51c流動。
然后，來自電源線PW (h)的電流經(jīng)由漏極電極59和像素電極33 在有機(jī)層35 (圖7)流動。
另一方面，由于在電極部55b和電源線PW (h)之間(圖13)、電 15極部55b和電極部51d之間，蓄積有電荷，所以驅(qū)動晶體管29的柵電極 部55a的電位被保持一定期間。結(jié)果，在保持柵電極部55a的電位的期間， 電流繼續(xù)在有機(jī)層35流動。
這樣，在顯示裝置1中，由于與圖像信號DS, (j)、圖像信號DS2 (j) 的電位對應(yīng)的電流在有機(jī)層35流動，所以能夠?qū)凑彰總€像素5從發(fā)光 20層77發(fā)出的光控制在與圖像信號DS, (j)的電位對應(yīng)的亮度。由此，在 顯示裝置1中，能夠進(jìn)行灰度等級顯示。
此外，在顯示裝置l中，能夠在不同的時刻向每個第一像素5,和第二 像素52供給圖像信號DS, (j)和圖像信號DS2 (j)。因此，能夠?qū)⑴c第 一圖像對應(yīng)的圖像信號DS, (j)和與第二圖像對應(yīng)的圖像信號DS2 (j)分 25開進(jìn)行處理。結(jié)果，能夠省略將與第一圖像對應(yīng)的圖像信號DS, (j)和與 第二圖像對應(yīng)的圖像信號DS2 (j)合成并以同一時刻進(jìn)行供給的處理。
在此，如上所述，顯示裝置1具有按每個像素群25設(shè)置有開口部85 的遮光膜83。來自各第一像素5,的發(fā)光層77的光通過開口部85朝向顯 示面3射出。
30 此時，從各第一像素5,朝向顯示面3射出的光llla，如作為示意性膜83的截面圖的圖19所示，通過各開口部85 到達(dá)第一范圍113。
此外，從各第二像素52朝向顯示面3射出的光lllb，通過各開口部 85到達(dá)第二范圍115。另外，圖19所示的截面與圖1中的A-A線中的截 5 面相當(dāng)。
從第一范圍113通過開口部85能夠?qū)碜缘谝幌袼?,的光11 la進(jìn)行 視覺確認(rèn)。從第二范圍115通過開口部85能夠?qū)碜缘诙袼?2的光llb 進(jìn)行視覺確認(rèn)。只要在第一范圍113內(nèi)存在視點(diǎn)，就能夠?qū)τ蓙碜远鄠€第 一像素5,的光llla形成的第一圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)。只要在第二范圍115 io內(nèi)存在視點(diǎn)，就能夠?qū)τ蓙碜远鄠€第二像素52的光lllb形成的第二圖像 進(jìn)行視覺確認(rèn)。S卩，在顯示裝置l中，能夠進(jìn)行在第一范圍113顯示第一 圖像、在與第一范圍113不同的第二范圍115顯示第二圖像的所謂指向性 顯示。
第一范圍113和第二范圍115具有相互重復(fù)的范圍117。能夠在第一 15圖像和第二圖像重疊的狀態(tài)下從該范圍117對它們進(jìn)行視覺確認(rèn)。能夠從 范圍113除去范圍117的范圍119a (以下稱作有效范圍119a)僅對第一 圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)。此外，能夠從范圍115除去范圍117的范圍119b (以 下稱作有效范圍119b)僅對第二圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)。
顯示裝置1構(gòu)成為從多個第一像素5,射出的光llla分別在第一范圍 20113的兩端交叉，從多個第二像素52射出的光lllb分別在第二范圍115 的兩端交叉。這可以通過將在X方向相鄰的開口部85彼此之間的間隔Pa 設(shè)定為比在X方向相鄰的像素群25彼此之間的間隔Pb短而得以實(shí)現(xiàn)。
由此，能夠使從位于有效范圍119a內(nèi)的任意視點(diǎn)視覺確認(rèn)到的光量 在多個第一像素5,之間相等。同樣地，能夠使從位于有效范圍119b內(nèi)的 25任意視點(diǎn)視覺確認(rèn)到的光量在多個第二像素52之間相等。
在顯示裝置l中，遮光膜83與遮光層對應(yīng)，像素電極33與第一電極 對應(yīng)，共同電極37與第二電極對應(yīng)，驅(qū)動晶體管29與晶體管對應(yīng)，選擇 晶體管27與開關(guān)元件對應(yīng)。此外，掃描線GT,和掃描線GT2與控制線對 應(yīng)，—數(shù)據(jù)線SI,以及數(shù)據(jù)線Sl2與信號線對應(yīng)，源電極部65和接觸孔CH7 30與連接部對應(yīng)，連接部69和接觸孔CH8與第二連接部對應(yīng)。此外，圍堰71b與第二遮光層對應(yīng)，X方向與第一方向?qū)?yīng)，Y方向與第二方向?qū)?yīng)。
在顯示裝置1中，遮光膜83被設(shè)置于第二基板81。 g卩，遮光膜83 位于第一基板41和第二基板81之間。因此，與遮光膜83配置在元件基 板11和密封基板13的外側(cè)的情況相比，能夠縮短多個像素5和遮光膜83 5之間的距離。因而，能夠容易地?cái)U(kuò)大指向性顯示中的有效范圍119a和有 效范圍119b。
此外，在顯示裝置l中，電源線PW在X方向延伸。因此，例如與電 源線PW沿著在X方向相鄰的像素5彼此之間在Y方向延伸的情況相比， 能夠容易地縮短X方向中的像素5彼此之間的間隔。由此，能夠容易地提 io 高X方向中的像素密度。結(jié)果，能夠容易地實(shí)現(xiàn)指向性顯示中的高精細(xì)化。 此外，在顯示裝置1中，能夠采用來自發(fā)光層77的光通過密封基板 13從顯示面3射出的頂部發(fā)光型有機(jī)EL裝置。
在此，在采用來自發(fā)光層77的光經(jīng)由元件基板11的第一基板41射 出的底部發(fā)光型的情況下，第一基板41位于發(fā)光層77和遮光膜83之間。 15因此，在底部發(fā)光型中，難以縮短發(fā)光層77和遮光膜83之間的距離。
然而，在顯示裝置l中，由于采用頂部發(fā)光型，所以能夠容易地縮短 發(fā)光層77和遮光膜83之間的距離。
此外，在顯示裝置l中，選擇晶體管27、驅(qū)動晶體管29設(shè)置在比發(fā) 光層77更靠近底面15側(cè)處。另一方面，來自發(fā)光層77的光，通過密封 20 基板13從顯示面3射出。g口，選擇晶體管27、驅(qū)動晶體管29不妨礙從發(fā) 光層77朝向顯示面3側(cè)的光的行進(jìn)。因而，能夠容易地提高來自發(fā)光層 77的光的利用效率。另一方面，能夠容易地提高選擇晶體管27、驅(qū)動晶 體管29等的在俯視的情況下的配置位置的自由度。
此外，在顯示裝置1中，樹脂層93位于發(fā)光層77和遮光膜83之間。 25在樹脂層93中，與玻璃、石英等的脆性材料相比能夠容易地調(diào)整厚度。 因此，在顯示裝置1中，通過調(diào)整樹脂層93的厚度，能夠容易地調(diào)整有 效范圍119a和有效范圍119b。
此外，在顯示裝置l中，在樹脂層93上設(shè)置有棱鏡部95a和95b。因 此，能夠容易地將來自發(fā)光層77的光引導(dǎo)至各開口部85。由此，能夠易 30于進(jìn)一步提高光的利用效率。此外，在顯示裝置1中，多個發(fā)光層77按照每個像素5被分成發(fā)出R
的光的發(fā)光層77、發(fā)出G的光的發(fā)光層77和發(fā)出B的光的發(fā)光層77。 因此，能夠在指向性顯示中進(jìn)行彩色顯示。
此外，在顯示裝置1中，對應(yīng)每個開口部85設(shè)有彩色濾光器87。各 5開口部85與各像素群25對應(yīng)。因此，能夠使構(gòu)成各像素群25的第一像 素5,和第二像素52共用一個彩色濾光器87。
此外，由于各彩色濾光器87設(shè)在各開口部85內(nèi)，所以能夠容易地降 低顯示裝置l的厚度。
此外，在顯示裝置l中，由于電容元件31設(shè)置在第一基板41和電源 io線PW之間，且在俯視的情況下與電源線PW重疊，所以能夠容易地縮小 各像素5的區(qū)域。由此，能夠易于進(jìn)一步提高像素密度，能夠易于進(jìn)一步 實(shí)現(xiàn)指向性顯示中的高精細(xì)化。
此外，在顯示裝置1中，在各像素5中選擇晶體管27和驅(qū)動晶體管 29設(shè)置在在俯視的情況下在Y方向夾持電源線PW而對峙的位置。因此， 15能夠易于在選擇晶體管27和驅(qū)動晶體管29之間設(shè)置電容元件31。結(jié)果， 能夠易于縮小各像素5的區(qū)域。
此外，在顯示裝置1中，驅(qū)動晶體管29的源極區(qū)域51a、溝道區(qū)域 51b和漏極區(qū)域51c在X方向排列。而且，選擇晶體管27的源極區(qū)域53a、 溝道區(qū)域53b和漏極區(qū)域53c在X方向排列。因此，能夠易于擴(kuò)張選擇晶 20體管27和驅(qū)動晶體管29之間的區(qū)域。由此，能夠更容易地在選擇晶體管 27和驅(qū)動晶體管29之間設(shè)置電容元件31。
此外，在顯示裝置l中，在驅(qū)動晶體管29，島狀電極55具有柵電極 部55a和電極部55b，第一半導(dǎo)體層51具有電極部51d。電極部55b和電 極部55d相互對置，并且在俯視的情況下與電源線PW重疊。而且，電極 25 部55b與選擇晶體管27的漏極區(qū)域53c電連接，電極部51d與電源線PW 電連接。因此，能夠使電極部55b、電極部51d和電源線PW構(gòu)成電容元 件31的一部分。
另一方面，島狀電極55的柵電極部55a、第一半導(dǎo)體層51的源極區(qū) 域51a、溝道區(qū)域51b和漏極區(qū)域51c構(gòu)成驅(qū)動晶體管29。即，在顯示裝 30置1中，能夠共用驅(qū)動晶體管29和電容元件31。結(jié)果，能夠更容易地縮小各像素5的區(qū)域，能夠易于進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)指向性顯示中的高精細(xì)化。
此外，在顯示裝置1中，第一半導(dǎo)體層51的漏極區(qū)域51c在俯視的 情況下設(shè)置在電源線PW的外側(cè)。而且，第一半導(dǎo)體層51的漏極區(qū)域51c 和各像素電極33在俯視的情況下在電源線PW的外側(cè)電連接。因此，在 5不會受電源線PW阻礙的情況下，各驅(qū)動晶體管29和各像素電極33能夠 電連接。
此外，在顯示裝置l中，在一組像素群25中的第一像素5,和第二像 素52之間，第一半導(dǎo)體層51的漏極區(qū)域51c彼此在俯視的情況下位于夾 持電源線PW而相互相反側(cè)。因此，在這些第一像素5,和第二像素52之
io間，能夠易于使第一半導(dǎo)體層51的漏極區(qū)域51c彼此之間遠(yuǎn)離。因而， 在這些第一像素5,和第二像素52之間，能夠易于使各接觸孔CH8彼此之 間遠(yuǎn)離。由此，在這些第一像素5,和第二像素52中，能夠易于擴(kuò)大各接 觸孔CH8的在俯視下的區(qū)域。結(jié)果，能夠易于擴(kuò)大各連接部69的在俯視 的情況下的區(qū)域，能夠易于使各連接部69中的導(dǎo)電性提高。
15 此外，在顯示裝置1中，掃描線GT,與第一像素5,對應(yīng)設(shè)置，掃描線
G丁2與第二像素52對應(yīng)設(shè)置。因此，能夠在每個第一像素5,和第二像素 52以不同的時刻使多個選擇晶體管27處于ON狀態(tài)。由此，能夠在不同 的時刻向每個第一像素5,和第二像素52供給圖像信號DS, (j)和圖像信 號DS2 (j)。結(jié)果，能夠?qū)⑴c第一圖像對應(yīng)的圖像信號DS, (j)和與第二
20圖像對應(yīng)的圖像信號DS2 (j)分開進(jìn)行處理。
此外，在顯示裝置l中，在一組像素群25中的第一像素5'和第二像 素52中，各選擇晶體管27和各驅(qū)動晶體管29位于與這些第一像素5,和 第二像素52對應(yīng)的數(shù)據(jù)線SI,和數(shù)據(jù)線Sl2之間。因此，能夠易于縮短這 些第一像素5,和第二像素52的X方向的間隔。
25 此外，在顯示裝置l中，電源線PW跨過在X方向相鄰的像素群25
彼此之間。在X方向相鄰的像素群25彼此之間，兩個數(shù)據(jù)線SI,和Sl2在 Y方向延伸。電源線PW在X方向跨過這些數(shù)據(jù)線SI,和SI2。
在此，在兩個數(shù)據(jù)線SI,和Sl2之間，易于形成寄生電容。然而，在顯 示裝置1中，由于電源線PW跨過這些數(shù)據(jù)線SI,和SI2，所以在電源線
30PW和數(shù)據(jù)線SI,之間、以及電源線PW和數(shù)據(jù)線Sl2之間易于形成電容。因此，能夠易于減少兩個數(shù)據(jù)線SI,和Sl2之間的電干涉，實(shí)現(xiàn)顯示品質(zhì)的 提高。
此外，在顯示裝置l中，接觸孔CH7和源電極部65在俯視的情況下 設(shè)置在與各像素5對應(yīng)的各數(shù)據(jù)線SI,和Sl2、和島狀電極55的電極部55b
5 之間。因此，能夠易于減少電容元件31和各數(shù)據(jù)線SI,和Sl2之間的電干
涉，實(shí)現(xiàn)顯示品質(zhì)的提高。
此外，在顯示裝置1中，像素電極33的連接部69和接觸孔CH8在 俯視的情況下與圍堰71b重疊。因此，在俯視的情況下能夠易于用圍堰71b 隱藏連接部69和接觸孔CH8。
io 此外，在顯示裝置1中，在俯視的情況下輔助布線39和圍堰71重疊。
因此，輔助布線39不會妨礙從各發(fā)光層77朝向顯示面3側(cè)的光的行進(jìn)。 因而，輔助布線39能夠采用具有遮光性的材料。此外，能夠增加輔助布 線39的厚度。因此，能夠使輔助布線39的導(dǎo)電性提高。
此外，在顯示裝置1中，圍堰71b的X方向的寬度尺寸比圍堰71a的
15 X方向的寬度尺寸長。圍堰71b位于一組像素群25中的第一像素5,和第 二像素52之間。g卩，圍堰71b在俯視的情況下與各開口部85重疊。
在此，如果增長圍堰71b的X方向的寬度尺寸，則能夠在指向性顯示 中使第一圖像和第二圖像重疊的范圍117變窄。因而，在顯示裝置l中， 能夠易于擴(kuò)大指向性顯示中的有效范圍119a和有效范圍11%。
20 此外，在顯示裝置1中，輔助布線39在俯視的情況下設(shè)置在與圍堰
71b重疊的區(qū)域。因此，與在俯視的情況下將輔助布線39設(shè)置在與圍堰 71a重疊的區(qū)域的結(jié)構(gòu)相比，能夠擴(kuò)大輔助布線39的X方向的寬度尺寸。 結(jié)果，能夠進(jìn)一步提高輔助布線39的導(dǎo)電性。
另外，在顯示裝置l中，作為選擇晶體管27釆用N溝道型的TFT元
25 件，作為驅(qū)動晶體管29采用P溝道型的TFT元件。但是，選擇晶體管27 并不限定于N溝道型的TFT元件，也能夠采用P溝道型的TFT元件。此 夕卜，驅(qū)動晶體管29并不限定于P溝道型的TFT元件，也能夠采用N溝道 型的TFT元件。
此外，在顯示裝置1中，雖然采用將選擇晶體管27的漏極區(qū)域53c 30和驅(qū)動晶體管29的電極部55b電連接的結(jié)構(gòu)，但是選擇晶體管27和驅(qū)動晶體管29之間的結(jié)構(gòu)并不限定于此。也可以采用在選擇晶體管27的漏極
區(qū)域53c和驅(qū)動晶體管29的電極部55b插入新的電容元件的結(jié)構(gòu)。
此外，在顯示裝置l中，雖然以通過涂敷液狀的有機(jī)材料來設(shè)置有機(jī) 層35的所謂涂敷法的情況為例進(jìn)行了說明，但有機(jī)層35的形成并不限定 5于涂敷法，例如也可以采用活用了蒸鍍技術(shù)的蒸鍍法。
此外，在顯示裝置1中，雖然以按照每個像素5設(shè)置選擇晶體管27 或驅(qū)動晶體管29的所謂有源矩陣型為例進(jìn)行了說明，但是顯示裝置1并 不限定于此，也可以采用無源矩陣型。在采用無源矩陣型的顯示裝置10 中，如圖20所示，元件基板20具有第一基板41、多個第一電極131、有 io 機(jī)層35、圍堰71和多個第二電極133。另外，顯示裝置10除了元件基板 20以外具有與顯示裝置1同樣的結(jié)構(gòu)。因而，以下對與顯示裝置1的結(jié)構(gòu) 對應(yīng)的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號，并省略詳細(xì)的說明。
各第一電極131，在第一基板41和有機(jī)層35之間，分別在Y方向帶 狀延伸。多個第一電極131，相互隔開間隔在X方向排列。 15 各第二電極133，在有機(jī)層35和密封基板13之間，分別在X方向帶
狀延伸。多個第二電極133，相互隔開間隔在X方向排列。
各第一電極131和各第二電極133夾著有機(jī)層35相互交叉。而且， 在顯示裝置10中，各像素5的區(qū)域被定義為在俯視的情況下圍堰71所包 圍的區(qū)域、各第一電極131和各第二電極133重疊的區(qū)域。 20 此外，在顯示裝置1和顯示裝置10中，雖然采用對應(yīng)每個開口部85
設(shè)有彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)，但是并不限定于此，也可以采用省略彩色濾 光器87的結(jié)構(gòu)。在顯示裝置1和顯示裝置10中，由于將多個發(fā)光層77 按每個像素5分成發(fā)出R的光的發(fā)光層77、發(fā)出G的光的發(fā)光層77和發(fā) 出B的光的發(fā)光層77，所以即使省略彩色濾光器87，也能夠進(jìn)行彩色顯
此外，在顯示裝置1和顯示裝置10中，雖然以將多個發(fā)光層77按每 個像素分成5發(fā)出R的光的發(fā)光層77、發(fā)出G的光的發(fā)光層77和發(fā)出B 的光的發(fā)光層77的情況為例進(jìn)行了說明，但是顯示裝置1的結(jié)構(gòu)并不限 定于此。作為顯示裝置l，能夠采用取代發(fā)出R、 G和B的各光的發(fā)光層 3077，而具有發(fā)出白色光的發(fā)光層77的結(jié)構(gòu)。由于在顯示裝置1中，按每個開口部85設(shè)有不同的彩色濾光器87r、 87g和87b，所以即使來自所有 的發(fā)光層77的光是白色，也能夠進(jìn)行彩色顯示。
在這種情況下，在顯示裝置1和顯示裝置10中，有機(jī)層35在跨過多 個像素5之間連續(xù)的狀態(tài)下被設(shè)置。在有機(jī)層35在跨過多個像素5之間 5連續(xù)的狀態(tài)下被設(shè)置的情況下，在顯示裝置1中，各像素5的區(qū)域被定義 為在俯視的情況下像素電極33和共同電極37重疊的區(qū)域。
另外，在圖20和圖21中，為了易于理解結(jié)構(gòu)，對各像素5的區(qū)域?qū)?施陰影。
在顯示裝置1和顯示裝置10中，如圖5所示，雖然以多組像素群25 io 沿著X方向和Y方向的各方向矩陣狀配列的情況為例進(jìn)行了說明，但是 多組像素群25的配列并不限定于此。如圖22所示，多組像素群25的配 列也能夠采用例如在Y方向之字形排列的配列。在圖22所示的配列的情 況下，圖4所示的第一像素5,和第二像素52在X方向交替排列，并且在 Y方向也交替排列。
15 在這種情況下，在顯示裝置1和顯示裝置10中，如圖23所示，在每
個像素群25設(shè)有遮光膜83的各開口部85。因而，在多組像素群25在Y 方向以之字形排列的結(jié)構(gòu)中，多個開口部85也在Y方向以之字形排列。 因此，與多組像素群25沿著X方向和Y方向的各自的方向矩陣狀配列的 情況相比，能夠縮短傾斜地相鄰的開口部85彼此之間的距離。結(jié)果，能
20夠容易地提高第一圖像和第二圖像的各自顯示中的傾斜方向的析像度，能 夠易于進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)指向性顯示中的高精細(xì)化。
此外，在對于顯示裝置1適用了多組像素群25在Y方向以之字形排 列的結(jié)構(gòu)的顯示裝置IOO中，如圖24所示，在相對于Y方向傾斜地相鄰 的像素群25彼此之間，能夠共用掃描線GT,和掃描線GT2。
25 在顯示裝置1中，在每個像素行23設(shè)置掃描線GT,和掃描線GT2。
相對于此，在顯示裝置100中，能夠使在Y方向相鄰的像素行23彼此共 用一個掃描線GT,和掃描線GT2。因此，在顯示裝置100中，與顯示裝置 1相比，能夠減少掃描線GT,和掃描線GT2的數(shù)量。
此外，在顯示裝置100中，在一個像素列21 (圖3)中包含第一像素
305,和第二像素52。因此，與各像素列21對應(yīng)設(shè)置的各數(shù)據(jù)線SI，不與第一像素5,和第二像素52的各自對應(yīng)。BP,各數(shù)據(jù)線SI由第一像素5,和第
二像素52所共用。
另外，即使在顯示裝置100中，也能采用省略彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)。 即使在顯示裝置100采用省略彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)，也與顯示裝置1和 5同樣，能夠進(jìn)行彩色顯示。
在顯示裝置100中省略彩色濾光器87的情況下，圖3所示的像素列 21r、像素列21g和像素列21b按該順序沿X方向一列一列反復(fù)排列，在 能夠減少向各數(shù)據(jù)線SI,和Sl2供給的數(shù)據(jù)配列的交換的方面是優(yōu)選的。
另外，在顯示裝置l、 10和100、以及從它們省略彩色濾光器87的結(jié)
io 構(gòu)中，分別以在各樹脂層93設(shè)有棱鏡部95a和95b的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了說 明，但樹脂層93的結(jié)構(gòu)并不限定于此。如圖25所示，樹脂層93也能夠 采用設(shè)有透鏡部141的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，作為粘接劑97的材料，采 用折射率比樹脂層93的折射率大的材料。
上述顯示裝置l、 IO和IOO、以及從它們省略彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)，
15分別能適用于例如圖26所示的電子設(shè)備500的顯示部510。該電子設(shè)備 500是車輛導(dǎo)航系統(tǒng)用的顯示設(shè)備。在電子設(shè)備500中，通過利用了顯示 裝置l、 10或100，或者從它們省略彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)的顯示部510， 例如能從駕駛員座側(cè)對作為第一圖像的地圖等圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)，能從副 駕駛員座側(cè)對作為第二圖像的影像等圖像進(jìn)行視覺確認(rèn)。
20 此外，由于作為顯示部510能夠適用顯示裝置1、 10或100，或者從
它們省略彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)，所以能夠容易地?cái)U(kuò)大指向性顯示中的有 效范圍119a和有效范圍119b。
進(jìn)而，在電子設(shè)備500中，在顯示裝置l、 10或100，或者從它們省 略彩色濾光器87的結(jié)構(gòu)中，由于能夠容易地提高X方向的像素密度，所
25 以能夠?qū)崿F(xiàn)指向性顯示中的高精細(xì)化。
另外，作為電子設(shè)備500，并不限定于車輛導(dǎo)航系統(tǒng)，可以列舉移動 電話機(jī)、移動式計(jì)算機(jī)、數(shù)字靜像攝影機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、車載設(shè)備和音響 設(shè)備等各種電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1. 一種電光學(xué)裝置，其包括第一基板；與所述第一基板相對的第二基板；在所述第一基板和所述第二基板之間設(shè)置的發(fā)光層；和在所述第二基板和所述發(fā)光層之間設(shè)置的遮光層，所述發(fā)光層在多個像素的每個所述像素中控制發(fā)光，所述多個像素至少包含形成第一圖像的第一像素和形成第二圖像的第二像素，在所述遮光層設(shè)有開口部，所述開口部中通過從所述第一像素的所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到達(dá)第一范圍的光，并且通過從所述第二像素的所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到達(dá)第二范圍的光。
2. 如權(quán)利要求l所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，包括 第一電極，其在所述第一基板和所述發(fā)光層之間與所述發(fā)光層相對設(shè)置；第二電極，其在所述發(fā)光層和所述遮光層之間與所述發(fā)光層相對設(shè) 置；禾口開關(guān)元件，其與各所述像素對應(yīng)設(shè)置，對從所述第一電極和所述第二 20 電極中的一個經(jīng)由所述發(fā)光層向所述第一電極和所述第二電極中的另一 個流動的電流的供給和遮斷進(jìn)行切換，所述開關(guān)元件設(shè)置在所述第一基板和所述發(fā)光層之間。
3. 如權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 在所述發(fā)光層和所述遮光層之間有樹脂層。
4. —種電光學(xué)裝置，其包括第一基板；與所述第一基板相對的第二基板；發(fā)光層，其設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間，在多個像素的 每個所述像素中控制發(fā)光； 30 遮光層，其設(shè)置在所述第二基板和所述發(fā)光層之間；第一電極，其在所述第一基板和所述發(fā)光層之間與所述發(fā)光層相對設(shè)置；第二電極，其在所述發(fā)光層和所述遮光層之間與所述發(fā)光層相對設(shè)置； 晶體管，其與各所述像素對應(yīng)設(shè)置，對從所述第一電極和所述第二電極中的一個經(jīng)由所述發(fā)光層向所述第一電極和所述第二電極中的另一個流動的電流進(jìn)行控制；和電源線，其設(shè)置在所述另一個基板和所述第一電極之間，向多個所述 晶體管供給電力，0 所述多個像素至少包含形成第一圖像的第一像素和形成第二圖像的 第二像素，所述第一像素和所述第二像素在俯視的情況下在第一方向交替排列， 在所述遮光層設(shè)有開口部，所述開口部中通過從所述第一像素的所述 發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到達(dá)第一范圍的光，并且通過從所述第二像素的 15所述發(fā)光層經(jīng)由所述第二基板到達(dá)第二范圍的光， 所述電源線沿所述第一方向延伸。
5. 如權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于在所述發(fā)光層和所述遮光層之間有樹脂層。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，包括 20 多個控制線；多個信號線；電容元件，其與各所述像素對應(yīng)設(shè)置，保持所述晶體管的柵極的電位；和開關(guān)元件，其設(shè)置在所述多個信號線之中的一根所述信號線和各所述 25電容元件之間，由向所述多個控制線之中的一根所述控制線供給的控制信 號所控制，所述電容元件，其設(shè)置在所述第一基板和所述電源線之間，并且在俯 視的情況下與所述電源線重疊。
7. 如權(quán)利要求6所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述晶體管和所述開關(guān)元件，設(shè)置于在俯視的情況下與所述第一方向交叉的第二方向上夾持所述電源線對峙的位置。
8. 如權(quán)利要求7所述的電光學(xué)裝置，其特征在于所述晶體管和所述開關(guān)元件，分別設(shè)置在所述第一基板和所述電源線 之間， 所述晶體管具有設(shè)置有溝道區(qū)域和源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的第一半 導(dǎo)體層，所述開關(guān)元件具有設(shè)置有溝道區(qū)域和源極區(qū)域以及漏極區(qū)域的第二 半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層中，所述溝道區(qū)域和所述源極區(qū)域以及所述漏極區(qū) 10 域在所述第一方向排列，所述第二半導(dǎo)體層中，所述溝道區(qū)域和所述源極區(qū)域以及所述漏極區(qū) 域在所述第一方向排列。
9. 如權(quán)利要求8所述的電光學(xué)裝置，其特征在于所述晶體管具有在俯視的情況下與所述第一半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū) 15 域重疊的島狀電極，所述第一半導(dǎo)體層和所述島狀電極之中的至少一個， 一部分構(gòu)成所述 電容元件的至少一部分。
10. 如權(quán)利要求9所述的電光學(xué)裝置，其特征在于所述島狀電極和所述第一半導(dǎo)體層具有在俯視的情況下在所述第二 20 方向跨過所述電源線的長度，所述島狀電極和所述第二半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域在俯視的情況下 所述電源線的外側(cè)電連接。
11. 如權(quán)利要求8 10中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 所述第一半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域設(shè)置于在俯視的情況下所述電源 線的外側(cè)，所述第一半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域和所述第一電極在俯視的情況下 所述電源線的外側(cè)電連接。
12. 如權(quán)利要求ll所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 在所述第一方向相鄰的所述像素彼此之間，所述第一半導(dǎo)體層的所述 漏極區(qū)域彼此位于在俯視的情況下夾著所述電源線相互相反側(cè)。
13. 如權(quán)利要求12所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 至少所述第一像素和所述第二像素在所述第一方向相鄰， 各所述控制線在所述第一方向延伸，并且至少與所述第一像素和所述第二像素的每一個對應(yīng)設(shè)置， 5 各所述信號線在所述第二方向延伸，并且至少與所述第一像素和所述第二像素的每一個對應(yīng)設(shè)置。
14. 如權(quán)利要求13所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 在所述第一方向相鄰的所述第一像素和所述第二像素之間，所述第一像素的所述晶體管和所述第二像素的所述開關(guān)元件在所述第一方向相鄰， 10 所述第一像素和所述第二像素也在所述第二方向相鄰，在所述第二方向相鄰的所述第一像素和所述第二像素之間，所述第一 像素的所述晶體管和所述第二像素的所述開關(guān)元件，至少夾著一個所述控 制線在所述第二方向相鄰。
15. 如權(quán)利要求13或14所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 15 在所述第一方向相鄰的所述第一像素和所述第二像素中，所述第一像素中的所述晶體管和所述開關(guān)元件，以及所述第二像素中 的所述晶體管和所述開關(guān)元件，在俯視的情況下位于與所述第一像素對應(yīng) 的所述信號線和與所述第二像素對應(yīng)的所述信號線之間。
16. 如權(quán)利要求15所述的電光學(xué)裝置，其特征在于20 所述多個像素被分成多組像素群，所述多組像素群以至少包含在所述第一方向相鄰的所述第一像素和所述第二像素的多個所述像素為一組像 素群，多組所述像素群在所述第一方向排列，所述多個信號線設(shè)置在所述第一基板和所述電源線之間，并且具有在 25 所述第二方向跨過所述電源線的長度，所述電源線跨過在所述第一方向相鄰的所述像素群彼此之間。
17. 如權(quán)利要求16所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 電連接所述第一半導(dǎo)體層和所述電源線的連接部在俯視的情況下設(shè)置在所述信號線和所述島狀電極之間的區(qū)域。
18.如權(quán)利要求13 17中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，包括第二連接部，其電連接所述第一半導(dǎo)體層的所述漏極區(qū)域和所述第一 電極；禾口第二遮光層，其至少分隔在所述第一方向相鄰的所述第一像素和所述 5 第二像素之間，所述第二遮光層設(shè)置在所述第一電極和所述遮光層之間，并且在俯視 的情況下重疊于與所述第一像素對應(yīng)的所述第二連接部和與所述第二像 素對應(yīng)的所述第二連接部。
19. 如權(quán)利要求18所述的電光學(xué)裝置，其特征在于 具有輔助布線，所述輔助布線配置在所述第二電極和所述遮光層之間，與所述第二電極導(dǎo)通，所述輔助布線在俯視的情況下與所述第二遮光層重疊。
20. —種電子設(shè)備，其具有權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的電光學(xué)裝 置作為顯示部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。在現(xiàn)有的顯示裝置中，難以擴(kuò)大有效范圍。顯示裝置(1)具有第一基板(41)、第二基板(81)、設(shè)置在第一基板(41)和第二基板(81)之間的發(fā)光層(77)、和設(shè)置在第二基板(81)和發(fā)光層(77)之間的遮光膜(83)，發(fā)光層(77)在多個像素的每個上述像素中控制發(fā)光，上述多個像素至少包含形成第一圖像的第一像素(51)和形成第二圖像的第二像素(52)，在遮光膜(83)設(shè)有開口部(85)，該開口部(85)通過從第一像素(51)的發(fā)光層(77)經(jīng)由第二基板(81)到達(dá)第一范圍的光，并且通過從第二像素(52)的發(fā)光層(77)經(jīng)由第二基板(81)到達(dá)第二范圍的光。
文檔編號H01L27/32GK101483187SQ20091000265
公開日2009年7月15日 申請日期2009年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月9日
發(fā)明者野澤陵一 申請人:精工愛普生株式會社