專利名稱：半導體裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置及其制造方法。
背景技術：
為了增大半導體裝置的安裝密度，采用將稱作CSP(芯片級封裝Chip
Scale Package)的半導體構(gòu)成體設置在比該半導體構(gòu)成體平面尺寸更大的 底板上的方法。日本公開專利2004—71998號公報公開有這樣的半導體裝 置的結(jié)構(gòu)以及制造方法。在該現(xiàn)有技術公開的半導體裝置中，在半導體構(gòu) 成體的周圍的底板上設置有絕緣層。在半導體構(gòu)成體以及絕緣層上設置有 上層絕緣膜。上層絕緣膜上設置上層布線，該上層布線連接于半導體構(gòu)成 體的外部連接用電極(柱狀電極)。
在上述以往的半導體裝置的制造方法中，在其尺寸能夠形成多個完成 的半導體裝置的底板上配置多個半導體構(gòu)成體，形成絕緣層以及上層絕緣 膜，并在上層絕緣膜上形成上層布線。因此，在上層絕緣膜上形成上層布 線時，半導體構(gòu)成體已經(jīng)埋入上層絕緣膜下。
因此，在形成上層布線后，在進行上層布線的檢查的結(jié)果被判定為不 良的情況下，不得不廢棄優(yōu)良的、價格比較高的半導體構(gòu)成體，其已經(jīng)埋 入判定為上述不良的上層布線下的上層絕緣膜下。其結(jié)果是，如果考慮上 述結(jié)構(gòu)的半導體裝置的合格率，不得不使上層布線成型的合格率要求變得 極為嚴格。
例如，50 70um尺度下形成布線的合格率的現(xiàn)狀為80 85。/。，而從上 述結(jié)構(gòu)的半導體裝置的成本面來說，合格率要求為99.5%以上，該要求不能 被滿足。特別是，伴隨著布線的細微化的進行，正在尋求能夠適用于30 50ym尺度、15 25um尺度的方法
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種能夠提高整體合格率的半導體裝置的 制造方法。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種具有以下部分的半導體裝置半導體構(gòu)成體 (6)，具有半導體基板(8)、設置于上述半導體基板(8)上的外部連接用
電極(14a)、以及形成有使上述外部連接用電極(14a)的至少一部分露出 的第2開口部(17)的電極覆蓋層(7);絕緣層(34)，形成于上述半導體 構(gòu)成體(6)的周圍；布線(2)，橫跨上述半導體構(gòu)成體(6)下以及上述 絕緣層(34)下地形成，并具有連接墊片部(2a)，該連接墊片部(2a)形 成有與上述外部連接用電極(14a)對應的第1開口部(5);和連接導體(22)， 經(jīng)由上述第2開口部(17)以及上述第l開口部(5)將上述外部連接用電 極(14a)以及上述布線(2)電連接。
并且，本發(fā)明提供一種半導體裝置的制造方法，根據(jù)該制造方法，準 備半導體構(gòu)成體(6)的工序，該半導體構(gòu)成體(6)具有半導體基板(8)、 設置于上述半導體基板(8)上的外部連接用電極(14a)、以及覆蓋上述外 部連接用電極(14a)的電極覆蓋層(7);準備具有布線(2)的底板(52) 的工序，上述布線(2)具有形成有與外部連接用電極(14a)對應的第1 開口部(5)的連接墊片部(2a);將半導體構(gòu)成體(6)固定于上述底板(52) 上的工序；在上述半導體構(gòu)成體的周圍的上述底板(52 )上形成絕緣層(34) 的工序；除去上述底板(52)的工序；將到達上述外部連接用電極(14a) 的第2開口部(17)形成在與上述布線(2)的上述第1開口部(5)對應 的上述半導體構(gòu)成體(6)的上述電極覆蓋層(7)上的工序；和形成連接 導體(22)的工序，該連接導體(22)將上述布線(2)與上述外部連接用 電極(14a)電連接。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，在分別形成具有外部連接用電極的半導體構(gòu)成體以及布 線并將這兩者固定之后，進行外部連接用電極與布線的電連接，所以，在 搭載半導體構(gòu)成體前，能夠進行布線的檢查，由此，能夠提高整體的合格率。


6圖1是本發(fā)明的第1實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖2是圖1所示的半導體裝置的制造方法的一個例子，是最初準備的 裝置的截面圖。
圖3 (A)是圖2的后續(xù)工序的截面圖，圖3 (B)是其仰視圖。
圖4是圖3的后續(xù)工序的截面圖。
圖5是圖4的后續(xù)工序的截面圖。
圖6是圖5的后續(xù)工序的截面圖。
圖7是圖6的后續(xù)工序的截面圖。
圖8是圖7的后續(xù)工序的截面圖。
圖9是圖8的后續(xù)工序的截面圖。
圖10是圖9的后續(xù)工序的截面圖。
圖11是圖10的后續(xù)工序的截面圖。
圖12是圖11的后續(xù)工序的截面圖。
圖13是圖12的后續(xù)工序的截面圖。
圖14是圖13的后續(xù)工序的截面圖。
圖15是本發(fā)明的第2實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖16是圖15所示的半導體裝置的制造方法的一個例子，是最初準備 的裝置的截面圖。
圖17是圖16的后續(xù)工序的截面圖。
圖18是圖17的后續(xù)工序的截面圖。
圖19是圖18的后續(xù)工序的截面圖。
圖20是圖19的后續(xù)工序的截面圖。
圖21是圖20的后續(xù)工序的截面圖。
圖22是圖21的后續(xù)工序的截面圖。
圖23是本發(fā)明的第3實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖24是圖23所示的半導體裝置的制造方法的一個例子，是最初準備 的裝置的截面圖。
圖25是圖24的后續(xù)工序的截面圖。
圖26是圖25的后續(xù)工序的截面圖。
圖27是圖26的后續(xù)工序的截面圖。圖28是圖27的后續(xù)工序的截面圖。
圖29是圖28的后續(xù)工序的截面圖。
圖30是圖29的后續(xù)工序的截面圖。
圖31是圖30的后續(xù)工序的截面圖。
圖32是圖31的后續(xù)工序的截面圖。
圖33是圖32的后續(xù)工序的截面圖。
圖34是本發(fā)明的第4實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖35是本發(fā)明的第5實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖36是圖35所示的半導體裝置的制造方法的一個例子，是最初工序 的截面圖。
圖37是圖36的后續(xù)工序的截面圖。
圖38是圖37的后續(xù)工序的截面圖。
圖39是圖38的后續(xù)工序的截面圖。
圖40是圖39的后續(xù)工序的截面圖。
圖41是圖40的后續(xù)工序的截面圖。
圖42是本發(fā)明的第6實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖43是本發(fā)明的第7實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖44是圖43所示的半導體裝置的制造方法的一個例子，是規(guī)定工序 的截面圖。
圖45是圖44的后續(xù)工序的截面圖。
圖46是圖45的后續(xù)工序的截面圖。
圖47是圖46的后續(xù)工序的截面圖。
圖48是本發(fā)明的第8實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖49是圖48所示的半導體裝置的制造方法的一個例子，是規(guī)定工序 的截面圖。
圖50是圖49的后續(xù)工序的截面圖。
圖51是圖50的后續(xù)工序的截面圖。
圖52是圖51的后續(xù)工序的截面圖。
圖53是本發(fā)明的第9實施方式的半導體裝置的截面圖。
圖54是本發(fā)明的第10實施方式的半導體裝置的截面圖。
8圖55是本發(fā)明的第11實施方式的半導體裝置的截面圖。 圖56是本發(fā)明的第12實施方式的半導體裝置的截面圖。 圖57是本發(fā)明的第13實施方式的半導體裝置的截面圖。 圖58是本發(fā)明的第14實施方式的半導體裝置的截面圖。
附圖標記
1下層絕緣膜(絕緣膜)
2第l下層布線(布線)
5開口部(第l開口部)
6半導體構(gòu)成體
7粘結(jié)層(電極覆蓋層)
8硅基板
9連接墊片
10絕緣膜
12保護膜
14布線
17開口部(第2開口部)
21第2下層布線
22連接墊片部(連接導體)
28開口部(第3開口部)
31下層覆蓋涂層膜
33錫球
34絕緣層
35上層絕緣膜
36上層布線
39上層覆蓋涂層膜
41貫通孔
42上下導通部
51、 52底板
57副底板
9
具體實施例方式
(第1實施方式)
圖1表示作為本發(fā)明第1實施方式的半導體裝置的截面圖。該半導體 裝置具有環(huán)氧系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、以及由玻璃布基材環(huán)氧樹脂等構(gòu)
成的平面方形的絕緣膜1。第1下層布線(布線)2以其上表面與下層絕緣 膜1的上表面成為同一平面的方式埋入該下層絕緣膜(絕緣膜)1的上表面 側(cè)。第1下層布線2由兩層構(gòu)造構(gòu)成，兩層構(gòu)造是由鎳構(gòu)成的基底金屬層3 和設置于基底金屬層3的下表面的、由銅構(gòu)成的上部金屬層4。第1下層布 線2的一個連接墊片部2a成為具有平面形狀為圓形的開口部5的圓環(huán)形(參 照圖3 (B))，并配置于下層絕緣膜1的上表面中央部。
半導體構(gòu)成體6經(jīng)由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的粘結(jié)層(電極覆蓋層)7而搭 載于包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面中央部。半導體構(gòu)成體6 具有平面方形的硅基板(半導體基板)8。在硅基板8的下表面設置規(guī)定功 能的集成電路(沒有圖示)，在下表面周邊部，與集成電路相連接的、由鋁 系金屬等構(gòu)成的多個連接墊片9沿著各邊排列設置。氧化硅等構(gòu)成的絕緣 膜10設置于除連接墊片9的中央部之外的硅基板8的下表面，連接墊片9 的中央部經(jīng)由設置于絕緣膜10的開口部11而露出。
聚酰亞胺系樹脂等構(gòu)成的保護膜12設置于絕緣膜10的下表面。開口 部13設置于與絕緣膜10的開口部11相對應的部分的保護膜12。保護膜 12的下表面設置有布線14。布線14由2層構(gòu)造形成，2層構(gòu)造是設置于保 護膜12的下表面的、由鎳構(gòu)成的基底金屬層15和設置于基底金屬層15的 下表面的、由銅構(gòu)成的上部金屬層16。布線14的一端部經(jīng)由絕緣膜10和 保護膜12的開口部11、 13而連接于連接墊片9。布線14在附圖中僅圖示 2根，實際上，具有與沿著平面方形的硅基板8的各邊排列的連接墊片9 相對應的根數(shù)，上述連接墊片9作為后述連接墊片部14a的各其它端部， 在保護膜12上排列成矩陣狀。
而且，通過包含其布線14的保護膜12的下表面經(jīng)由由環(huán)氧系樹脂等 構(gòu)成的粘結(jié)層7而粘結(jié)于包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面中 央部，半導體構(gòu)成體6搭載于包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面中央部。圓形的開口部17設置在與半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊 片部(外部連接用電極)14a的下表面中央部所對應的部分的粘結(jié)層7上。 粘結(jié)層7的開口部17與第1下層布線2的一個連接墊片部2a的開口部5
連通o
下層絕緣膜1的下表面設置有第2下層布線21和連接墊片部(連接導 體)22。第2下層布線21以及連接墊片部22由兩層構(gòu)造構(gòu)成，兩層構(gòu)造 是設置于下層絕緣膜1的下表面的、由鎳構(gòu)成的基底金屬層23、 24和設置 于基底金屬層23、 24下表面的、由銅構(gòu)成的上部金屬層25、 26。第2下層 布線21的一端部，經(jīng)由設置于下層絕緣膜1的圓形的開口部27而與第1 下層布線2的另一個連接墊片部連接。
連接墊片部22經(jīng)由設置于下層絕緣膜1的圓形開口部28而與第1下 層布線2的一個連接墊片部2a連接，并且，經(jīng)由第1下層布線2的一個連 接墊片部2a的開口部5以及粘結(jié)層7的開口部17而與半導體構(gòu)成體6的 布線14的連接墊片部14a連接。換言之，連接墊片部22是用于將第1下 層布線2的一個連接墊片部2a和半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部 14a連接的裝置。
由阻焊劑等構(gòu)成的下層覆蓋涂層(overcoat)膜31設置于第2下層布 線21、連接墊片部22、以及下層絕緣膜1的下表面。在與第2下層布線21 的連接墊片部相對應的部分的下層覆蓋涂層膜31上設置有開口部32。錫球 33與第2下層布線21的連接墊片部連接并設置于下層覆蓋涂層膜31的開 口部32內(nèi)以及其下方。
在半導體構(gòu)成體6和粘結(jié)層7的周圍，在第1下層布線2的上表面和 下層絕緣膜1的上表面設置有絕緣層34。絕緣層34由環(huán)氧系樹脂、聚酰亞 胺系樹脂、以及玻璃布基材環(huán)氧樹脂等構(gòu)成。在半導體構(gòu)成體6和絕緣層 34的上表面，設置有上層絕緣膜35，該上層絕緣膜35由與下層絕緣膜l 相同的材料構(gòu)成。
上層絕緣膜35的上表面設置有上層布線36。上層布線36由兩層構(gòu)造 構(gòu)成，兩層構(gòu)造是設置于上層絕緣膜35的上表面的、由鎳構(gòu)成的基底金屬 層37和設置于基底金屬層37上表面的、由銅構(gòu)成的上部金屬層38。在包 含上層布線36的上層絕緣膜35的上表面設置有由阻焊劑等構(gòu)成的上層覆蓋涂層膜39。在與上層布線36的連接墊片部相對應的部分的上層覆蓋涂層 膜39設置有開口部40。
第2下層布線21和上層布線36經(jīng)由設置于貫通孔41的內(nèi)壁面的上下 導通部42而連接，上述貫通孔41設置于下層絕緣膜1、絕緣層34、以及 上層絕緣膜35的規(guī)定位置。上下導通部42由2層構(gòu)造構(gòu)成，該2層構(gòu)造 是設置于貫通孔41的內(nèi)壁面的、由鎳構(gòu)成的基底金屬層43和設置于基底 金屬層43的內(nèi)面的、由銅構(gòu)成的上部金屬層44。上下導通部42內(nèi)填充有 阻焊劑等構(gòu)成的填充材料45。
接下來，對該半導體裝置的制造方法的一個例子進行說明。首先，如 圖2所示，首先準備在由銅箔構(gòu)成的底板51的下表面形成由無電解鍍鎳構(gòu) 成的第1下層布線用基底金屬層形成用層3a以及由電解鍍銅構(gòu)成的第1下 層布線用上部金屬層形成用層4a的裝置。該情況下，該準備的裝置的尺寸 成為能夠形成多個如圖1所示的完成的半導體裝置的尺寸。
接下來，當通過光刻法使第1下層布線用上部金屬層形成用層4a和 第1下層布線用基底金屬層形成用層3a形成圖形時，如圖3 (A)和圖3 (A) 的仰視圖3 (B)所示，在底板51的下表面，形成由基底金屬層3以及上部 金屬層4構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的第1下層布線2。在該狀態(tài)下，開口部5形成于 第1下層布線2的一個連接墊片部2a的中央部。
另外，第1下層布線2的形成方法也可以如下所述。即，首先，準備 在圖2的底板51的下表面僅有第1下層布線用基底金屬層形成用層3a，而 沒有第1下層布線用上部金屬層形成用層4a的裝置。而且，在第1下層布 線用基底金屬層形成用層3a的下表面設置電鍍抗蝕層膜，使除去了包含連 接墊片部2a的第1下層布線2所對應的區(qū)域的電鍍抗蝕層膜形成圖形。
接下來，通過將第1下層布線用基底金屬層形成用層3a作為電鍍電 流通路的銅電解電鍍，從而在第1下層布線用基底金屬層形成用層3a的下 表面形成具有開口部5的上部金屬層4。接下來，剝離電鍍抗蝕層膜，再接 下來，將上部金屬層4作為掩膜，蝕刻并除去第1下層布線用基底金屬層 形成用層3a的不需要的部分，形成在上部金屬層4的上表面具有開口部5 的基底金屬層3。這樣一來，形成第1下層布線2。另外，以下將這樣的形 成方法稱為圖形電鍍法。
12接下來，進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z査。通過該檢査，
在底板51下的多個半導體裝置形成區(qū)域中，在第1下層布線2如所期望的 那樣形成的情況下，判定為良，在第1下層布線2沒有如所期望的那樣形 成的情況下，判定為不良。而且，判定為良的半導體裝置形成區(qū)域作為優(yōu) 良半導體裝置形成區(qū)域，判定為不良的半導體裝置形成區(qū)域作為不良半導 體裝置形成區(qū)域而識別。
接下來，如圖4所示，在由銅箔構(gòu)成的其它的底板52的上表面配置 由環(huán)氧系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、以及玻璃布基材環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的下層 絕緣膜形成用薄膜la。在該情況下，下層絕緣膜形成用薄膜la中的環(huán)氧系 樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂變?yōu)榘胗不癄顟B(tài)。接下來，在下層絕緣膜形成 用薄膜la的上表面，配置圖3 (A)、圖3 (B)所示的裝置，S卩，在底板51 的下表面形成了第1下層布線2的裝置。
接下來，如圖5所示，使用一對加熱加壓板53、 54從上下對下層絕 緣膜形成用薄膜(絕緣膜形成用薄膜)la進行加熱加壓。通過該加熱加壓， 下層絕緣膜形成用薄膜la中的熱硬化性樹脂流動，并通過之后的冷卻而固 化，兩底板51、 52之間形成下層絕緣膜1，并且，第1下層布線2埋入于 下層絕緣膜l的上表面?zhèn)取＿@樣，在本實施方式中，由于第1下層布線2 埋入于下層絕緣膜l的上表面?zhèn)?，具有使完成的半導體裝置的厚度變薄的 效果。
接下來，當通過蝕刻而除去上側(cè)底板51時，如圖6所示，使包含第l 下層布線2的下層絕緣膜1的上表面露出。在該狀態(tài)下，第1下層布線2 的上表面與下層絕緣膜1的上表面成為同一平面。并且，第1下層布線2 的一個連接墊片部2a的開口部5內(nèi)填充有下層絕緣膜l。另外，也可以在 該時點進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z査。
接下來，如圖7所示，準備半導體構(gòu)成體6。該半導體構(gòu)成體6通過 以下方式獲得，即，在晶片狀態(tài)的硅基板8下形成了集成電路(沒有圖示)、 鋁系金屬等構(gòu)成的連接墊片9、氧化硅等構(gòu)成的絕緣膜10、聚酰亞胺系樹 脂等構(gòu)成的保護膜12以及布線14 (由鎳構(gòu)成的基底金屬層15以及由銅構(gòu) 成的上部金屬層16)，之后，通過切片而單片化。
接下來，經(jīng)由由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的粘結(jié)層7，將包含半導體構(gòu)成體
136的布線14的保護膜12的下表面粘結(jié)于包含第1下層布線2的下層絕緣膜 1的上表面的半導體構(gòu)成體搭載區(qū)域，由此，搭載半導體構(gòu)成體6。在該情 況下，使用印刷法和調(diào)合器等而將稱為NCP (非導電性粘膠劑)的膠，或者 將稱作NCF (非導電性薄膜)的粘結(jié)片，供給到第1下層布線2以及下層絕 緣膜1的上表面的半導體構(gòu)成體搭載區(qū)域，通過加熱壓接而將半導體構(gòu)成 體6固定在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面。
這里，如上所述，進行第1下層布線2的外觀檢查或?qū)z査，由于 將包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面的多個半導體裝置形成區(qū) 域識別為優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域和不良半導體裝置形成區(qū)域，所以，僅 在優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6，而不在不良半導體裝置形 成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6。
接下來，如圖8所示，使用銷等在定位的同時將格子狀的絕緣層形成 用片34a配置在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面，上述第1 下層布線2位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。絕緣層形成用片 34a是如下裝置，gp，例如，該裝置使由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂 浸透玻璃布等構(gòu)成的基材，使熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)并成為片狀，通 過沖孔等形成多個方形的開口部55。絕緣層形成用片34a的開口部55的尺 寸比半導體構(gòu)成體6的尺寸稍大。因此，在絕緣層形成用片34a和半導體 構(gòu)成體6之間形成間隙56。
接下來，在絕緣層形成用片34a的上表面配置如下裝置，g卩，該裝置 在由銅箔構(gòu)成的副底板57的下表面形成有上層絕緣膜形成用層35a。上層 絕緣膜形成用層35a由與下層絕緣膜1相同的材料構(gòu)成，其中的由環(huán)氧系 樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)。
接下來，如圖9所示，使用一對加熱加壓板53、 54從上下對絕緣層 形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a進行加熱加壓。通過該加熱加壓， 絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a中的熱硬化性樹脂流動并 填充圖8所示的間隙56，通過之后的冷卻而固化，在包含第1下層布線2 的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣層34，該第1下層布線2位于包含粘結(jié) 層7的半導體構(gòu)成體6的周圍，并且，在半導體構(gòu)成體6和絕緣層34的上 表面形成上層絕緣膜35。這里，如圖8所示，由于在絕緣層形成用片34a的下表面配置有下層 絕緣膜1和底板52，在絕緣層形成用片34a的上表面配置有上層絕緣膜形 成用層35a以及副底板57，該上層絕緣膜形成用層35a由與下層絕緣膜1 相同的材料構(gòu)成，上述副底板57由與底板52相同的材料構(gòu)成，所以，絕 緣層形成用片34a的部分的厚度方向的材料結(jié)構(gòu)對稱。其結(jié)果是，通過加 熱加壓，絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a在厚度方向?qū)ΨQ 地硬化收縮，進而作為整體難以產(chǎn)生彎曲，能夠使向這之后的工序的搬送 或這之后的工序中的加工精度不容易出現(xiàn)問題。
該情況下，下層絕緣膜l由于其中的熱硬化性樹脂預先硬化，所以即 使加熱加壓也基本不變形。并且，通過副底板57，能夠防止上層絕緣膜形 成用層35a中的硬化性樹脂不必要地附著于上側(cè)的加熱加壓板53的下表面 的情況。其結(jié)果是，上側(cè)的加熱加壓板53能夠直接再利用。
接下來，當通過蝕刻而除去底板52以及副底板57時，如圖10所示， 下層絕緣膜l的下表面露出，并且，上層絕緣膜35的上表面露出。在該狀 態(tài)下，即使除去底板52和副底板57，通過下層絕緣膜l、絕緣層34以及 上層絕緣膜35的存在，能夠充分地確保強度。這樣，在本實施方式中，由 于通過蝕刻而除去制造工序中必要的底板52和副底板57，所以，具有能夠
使完成的半導體裝置的厚度變薄的效果。
接下來，如圖11所示，通過由激光束照射而進行的激光加工，開口 部28、 27形成于第1下層布線2的一個連接墊片部2a和另一個連接墊片 部的各下表面中央部所對應的部分的下層絕緣膜1，并且，在除去第1下層 布線2的一個連接墊片部2a的開口部5內(nèi)的下層絕緣膜1的同時，開口部 17形成于半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的下表面中央部所對 應的部分的粘結(jié)層7。并且，通過使用機械鉆孔或通過由激光束照射而進行 的激光加工，貫通孔41形成于下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜 35的規(guī)定位置。
對照射激光束并形成開口部27、 28以及17的情況進行說明。當將激 光束照射于下層絕緣膜1時，形成與該激光束直徑相對應的直徑的大小的 開口部27、 28。這里，半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑 比第1下層布線2的一個連接墊片部2a的外徑小，比內(nèi)徑(開口部5的直徑)大。因此，當激光束的束徑在半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部 14a的直徑以上并不足第1下層布線2的一個連接墊片部2a的外徑時，由 于通過連接墊片部2a而遮斷照射于連接墊片部2a的開口部5的外部的激 光束，所以，形成于粘結(jié)層7的開口部17的直徑為與第1下層布線2的一 個連接墊片部2a的開口部5的直徑相對應的大小。
艮P，第1下層布線2的一個連接墊片部2a，通過在其中央部具有開口 部5，從而作為通過由激光束的照射進行的激光加工而在粘結(jié)層7形成開口 部17時的掩膜而發(fā)揮作用，并被連接墊片部2的開口部5自定位于粘結(jié)層 7，并形成與連接墊片部2的開口部5相同直徑的開口部17。
其結(jié)果是，能夠使形成于粘結(jié)層7的開口部17的直徑盡可能的小， 并且，半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a對于第1下層布線2的 一個連接墊片部2a的對位變得比較容易，進而，能夠使半導體構(gòu)成體6的 布線14的連接墊片部14a的直徑盡可能的小，并且能夠?qū)崿F(xiàn)半導體構(gòu)成體 6的微小化。
例如，在目前狀況下，激光束的束徑最小為50um左右，形成于下層 絕緣膜1的開口部27、 28的直徑為70um左右。因此，當全部接受照射的 激光束時，如果考慮激光加工精度，以目前狀況下的方法，半導體構(gòu)成體6 的布線14的連接墊片部14a的直徑必須為100 120um。
與此相對，在將第1下層布線2的連接墊片部2a作為激光束的掩膜 的本實施方式的方法中，由于能夠使通過光刻法而形成的第1下層布線2 的一個連接墊片部2a的開口部5的直徑為20 50Pm，特別是為20 30" m，所以，能夠使半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑為50 80 ii m，特別是為50 60 u m，并且能夠?qū)崿F(xiàn)半導體構(gòu)成體6的微小化。
接下來，如圖12所示，在經(jīng)由下層絕緣膜l的開口部27、 28而露出 的第1下層布線2的兩連接墊片部下表面、以及經(jīng)由第1下層布線2的一 個連接墊片部2a的開口部5和粘結(jié)層7的開口部17而露出半導體構(gòu)成體6 的布線14的連接墊片部14a下表面、以及下層絕緣膜1的下表面整體、上 層絕緣膜35的上表面整體、以及貫通孔41的內(nèi)壁面，通過銅的無電解電 鍍，形成基底金屬層58、 37、 43。接下來，通過進行將基底金屬層58、 37、 43作為電流通路的銅電解，在基底金屬層58、 37、 43的表面形成上部金屬層59、 38、 44。
接下來，當使用相同的掩膜并通過光刻法使上部金屬層59、 38以及 基底金屬層58、 37形成圖形時，成為圖13所示那樣。即，在下層絕緣膜l 的下表面，形成由基底金屬層23、 24和上部金屬層25、 26構(gòu)成的2層結(jié) 構(gòu)的第2下層布線21以及連接墊片部22。并且，在上層絕緣膜35的上表 面，形成由基底金屬層37以及上部金屬層38構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的上層布線 36。另外，在貫通孔41的內(nèi)壁面，形成由基底金屬層43以及上部金屬層 44構(gòu)成2層結(jié)構(gòu)的上下導通部42。另外，第2下層布線21、連接墊片部 22、上層布線36、以及上下導通部42也可以通過圖形電鍍法而形成，圖形 電鍍法是在基底金屬層58、 37上形成除去了上部金屬層形成區(qū)域的電鍍抗 蝕層膜之后，通過電解電鍍而形成上部金屬層59、 38、 44。
接下來，如圖14所示，在第2下層布線21、連接墊片部22以及下層 絕緣膜l的下表面，通過網(wǎng)板印刷法、旋涂法等，形成由阻焊劑等構(gòu)成的 下層覆蓋涂層膜31。并且，在上層布線36以及上層絕緣膜35的上表面， 通過網(wǎng)板印刷法、旋涂法等，形成由阻焊劑等構(gòu)成的上層覆蓋涂層膜39。 在該狀態(tài)下，上下導通部42內(nèi)填充有由阻焊劑等構(gòu)成的填充材料45。
接下來，通過由激光照射而進行的激光加工，開口部32形成于第2 下層布線21的連接墊片部所對應的部分的下層覆蓋涂層膜31。并且，通過 由激光照射而進行的激光加工，開口部40形成于上層布線36的連接墊片 部所對應的部分的上層覆蓋涂層膜39。
接下來，使錫球33與第2下層布線21的連接墊片部連接并形成于下 層覆蓋涂層膜31的開口部32內(nèi)以及其下方。接下來，在相互鄰接的半導 體構(gòu)成體6之間，當切斷下層覆蓋涂層膜31、下層絕緣膜l、絕緣層34、 上層絕緣膜35、以及上層覆蓋涂層膜39時，得到多個圖1所示的半導體裝 置。該情況下，如上所述，由于半導體構(gòu)成體6不搭載于不良半導體裝置 形成區(qū)域，所以，除了得到具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置之外，還得 到不具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置。
如上所述，在該半導體裝置的制造方法中，在搭載半導體構(gòu)成體6之 前，進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z查，識別優(yōu)良半導體裝置形 成區(qū)域和不良半導體裝置形成區(qū)域，由于僅在優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域搭
17載半導體構(gòu)成體6，所以除了得到具有如圖1所示的半導體構(gòu)成體6的半導 體裝置之外，還得到不具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置。
其結(jié)果是，即使第1下層布線2的形成合格率低的情況下，也能夠提 高具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置的合格率，并能夠有效地使用昂貴的 半導體構(gòu)成體6。并且，如果從第1下層布線2來看，即使作為30 50 u m 尺度、15 25um尺度，也能夠提高合格率。
參照圖6進行說明，考慮在形成于底板52的上表面的下層絕緣膜1 的上表面，形成由無電解鍍錫構(gòu)成的第1下層布線用基底金屬層形成用層 以及由電解銅電鍍構(gòu)成的第1下層布線用上部金屬層形成用層，通過形成 圖形，形成由基底金屬層3和上部金屬層4構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的第1下層布 線2。在該情況下，為了使第1下層布線2和下層絕緣膜1的密接性良好， 必須通過預先實施表面粗化處理而使下層絕緣膜1的上表面成為粗化面(凹 凸面)。但是，當下層絕緣膜1的上表面凹凸時，在其上形成第1下層布線 2的微小化中存在限制，難以成為40nm尺度以下。
與之相對，在上述半導體裝置的制造方法中，如圖2所示，在底板51 的下表面形成由無電解鍍鎳構(gòu)成的第1下層布線用基底金屬層形成用層3a 以及由電解銅電鍍構(gòu)成的第1下層布線用上部金屬形成用層4a，通過形成 圖形，如圖2所示，形成由基底金屬層3和上部金屬層4構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu) 的第1下層布線2，在經(jīng)過圖4以及圖5所示的工序之后，如圖6所示，第 1下層布線2埋入在其它的底板52的上表面形成的下層絕緣膜2的上表面
該情況下，如圖2所示，由于在由銅箔構(gòu)成的底板51的下表面形成 由無電解鎳電鍍構(gòu)成的第l下層布線用基底金屬層形成用層3a，所以，即 使底板51的下表面平坦，也能夠使第1下層布線用基底金屬層形成用層3a 和底板51的密接性良好。其結(jié)果是，能夠促進形成于底板51平坦的下表 面的第1下層布線2的微小化，并能夠成為40um尺度以下。 (第2實施方式)
圖15是表示本發(fā)明的第2實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的不同點在于，第1下層布線2為 僅由銅層構(gòu)成的l層結(jié)構(gòu)，并且，該第1下層布線2設置在下層絕緣膜1
18的上表面。
接下來，對該半導體裝置的制造方法的一個例子進行說明。首先，如
圖16所示，準備在由銅箔構(gòu)成的底板51的上表面形成由環(huán)氧系樹脂、聚
酰亞胺系樹脂、玻璃布基材環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的下層絕緣膜i以及由銅箔
構(gòu)成的第1下層布線形成用層2b的裝置。在該情況下，該準備的裝置的尺 寸也成為能夠形成多個如圖l所示的完成的半導體裝置的尺寸。下層絕緣 膜1中的環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂己經(jīng)硬化。
接下來，當通過光刻法使第l下層布線形成用層2b形成圖形時，如 圖17所示，在下層絕緣膜1的上表面形成僅由銅層構(gòu)成的第1下層布線2。 在該狀態(tài)下，圓孔5形成于第1下層布線2的一個連接墊片部2a的中央部。
接下來，進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z查。通過該檢查， 在底板52上的多個半導體裝置形成區(qū)域中，在第1下層布線2如所期望的 那樣形成的情況下，判定為良，在第1下層布線2沒有如所期望的那樣形 成的情況下，判定為不良。而且，判定為良的半導體裝置形成區(qū)域作為優(yōu) 良半導體裝置形成區(qū)域，判定為不良的半導體裝置形成區(qū)域作為不良半導 體裝置形成區(qū)域而識別。
接下來，如圖18所示，經(jīng)由由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的粘結(jié)層7，將包含 半導體構(gòu)成體6的布線14的保護膜12的下表面粘結(jié)于包含第1下層布線2 的下層絕緣膜1的上表面的半導體構(gòu)成體搭載區(qū)域。在該情況下，將稱為 NCP的粘結(jié)材或者稱作NCF的粘結(jié)片,預先供給到包含第1下層布線2的下 層絕緣膜1的上表面的半導體構(gòu)成體搭載區(qū)域，通過加熱壓接而將半導體 構(gòu)成體6固定在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面。在該狀態(tài) 下，在第1下層布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)填充有粘結(jié)層7。
在該情況下，如上所述，進行第1下層布線2的外觀檢查或?qū)z查， 由于將包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面的多個半導體裝置形 成區(qū)域識別為優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域和不良半導體裝置形成區(qū)域，所以， 僅在優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6，而不在不良半導體裝置 形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6。
接下來，如圖19所示，使用銷等在定位的同時將格子狀的絕緣層形 成用片34a配置在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面，上述第1下層布線2位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。在該情況下，絕緣層形成用片34a是如下裝置，g卩，例如，該裝置使由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂浸透玻璃布等構(gòu)成的基材，使熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)
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的開口部55的尺寸比半導體構(gòu)成體6的尺寸稍大。因此，在絕緣層形成用片34a和半導體構(gòu)成體6之間形成間隙56。
接下來，在絕緣層形成用片34a的上表面配置如下裝置，目卩，該裝置在由銅箔構(gòu)成的副底板57的下表面形成上層絕緣膜形成用層35a。在該情況下，上層絕緣膜形成用層35a由與下層絕緣膜l相同的材料構(gòu)成，其中
的由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)。
接下來，如圖20所示，使用一對加熱加壓板53、 54從上下對絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a進行加熱加壓。通過該加熱加壓，絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a中的熱硬化性樹脂流動并填充圖19所示的間隙56，通過之后的冷卻而固化，在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣層34，該第1下層布線2位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍，并且，在半導體構(gòu)成體6和絕緣層34的上表面形成上層絕緣膜35。
接下來，當通過蝕刻而除去底板52以及副底板57時，如圖21所示，下層絕緣膜l的下表面露出，并且，上層絕緣膜35的上表面露出。在該狀態(tài)下，即使除去底板52和副底板57，通過下層絕緣膜l、絕緣層34以及上層絕緣膜35的存在，能夠充分地確保強度。
接下來，如圖22所示，通過由激光束照射而進行的激光加工，開口部28、 27形成于第1下層布線2的一個連接墊片部2a和另一個連接墊片
部的各下表面中央部所對應的部分的下層絕緣膜1，并且，在除去第1下層布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)的粘結(jié)層7的同時，開口部17形成于半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的下表面中央部所對應的部分的粘結(jié)層7。并且，通過使用機械鉆孔或通過由激光束照射而進行的激光加工，貫通孔41形成于下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜35的規(guī)定位置。
在該情況下，半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑比第1下層布線2的一個連接墊片部2a的外徑小，比內(nèi)徑(圓孔5的直徑)大，因此，與上述第l實施方式的情況相同，能夠使半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑盡可能的小，并且能夠?qū)崿F(xiàn)半導體構(gòu)成體6
之后，經(jīng)過與上述第l實施方式的情況相同的工序，得到多個圖15所示的半導體裝置。在該情況下，如上所述，由于在不良半導體裝置形成區(qū)域不搭載半導體構(gòu)成體6，所以如圖15所示，除了具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置之外，還能得到不具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置，所以，
與上述第l實施方式的情況相同，能夠提高合格率。(第3實施方式)
圖23是表示本發(fā)明的第3實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的不同點在于，將第1下層布線2埋入下層絕緣膜l的下表面?zhèn)?，并且，將?下層布線2連接于上下導通部42。該情況下，第1下層布線2的包含一個連接墊片部2a的兩端部成為在基底金屬層3的上表面設置有上部金屬層4的2層結(jié)構(gòu)，并且端部之間僅由上部金屬層4構(gòu)成。
設置于第1下層布線2的一個連接墊片部2a的下表面的連接墊片部22，經(jīng)由第1下層布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5和設置于下層絕緣膜1以及粘結(jié)層7的開口部17，與半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a連接。第2下層布線21僅由形成于上下導通部42的下部的部分構(gòu)成。錫球33與設置于第1下層布線2的中途的連接墊片部連接，而設置于下層覆蓋涂層膜31的開口部32內(nèi)以及其下方。
接下來，對該半導體裝置的制造方法的一個例子進行說明。首先，如圖24所示，準備在由銅箔構(gòu)成的底板52的上表面形成由無電解鎳電鍍構(gòu)成的第1下層布線用基底金屬層形成用層3a以及由電解銅電鍍構(gòu)成的第1下層布線用上部金屬層形成用層4a的裝置。在該情況下，該準備的裝置的尺寸也成為能夠形成多個如圖23所示的完成的半導體裝置的尺寸。
接下來，當通過光刻法使第1下層布線用上部金屬層形成用層4a以及第l下層布線用基底金屬層形成用層3a形成圖形時，如圖25所示，在底板51的上表面，形成由基底金屬層3和上部金屬層4構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的第1下層布線2。在該狀態(tài)下，圓孔5形成于第1下層布線2的一個連接墊片部2a的中央部。
接下來，進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z查。通過該檢查，在底板52上的多個半導體裝置形成區(qū)域中，在第1下層布線2如所期望的那樣形成的情況下，判定為良，在第1下層布線2沒有如所期望的那樣形成的情況下，判定為不良。而且，判定為良的半導體裝置形成區(qū)域作為優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域，判定為不良的半導體裝置形成區(qū)域作為不良半導體裝置形成區(qū)域而識別。
接下來，如圖26所示，在包含第1下層布線2的底板52的上表面，
形成由環(huán)氧系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、玻璃布基材環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的下層絕緣膜l。在該狀態(tài)下，在第l下層布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)填充有下層絕緣膜1。并且，由該下層絕緣膜1中的環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化樹脂已經(jīng)硬化。
接下來，如圖27所示，經(jīng)由由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的粘結(jié)層7，將包含半導體構(gòu)成體6的布線14的保護膜12的下表面粘結(jié)于下層絕緣膜1的上表面的半導體裝置形成區(qū)域，由此，搭載半導體構(gòu)成體6。在該情況下，將稱為NCP的粘結(jié)材或者稱作NCF的粘結(jié)片，預先供給到下層絕緣膜1的上表面的半導體裝置形成區(qū)域，通過加熱壓接而將半導體構(gòu)成體6固定在下層絕緣膜l的上表面。
在該情況下，如上所述，進行第1下層布線2的外觀檢查或?qū)z查，由于將包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面的多個半導體裝置形成區(qū)域識別為優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域和不良半導體裝置形成區(qū)域，所以，僅在優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6，而不在不良半導體裝置形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6。
接下來，如圖28所示，使用銷等在定位的同時將格子狀的絕緣層形成用片34a配置在下層絕緣膜1的上表面，上述下層絕緣膜1位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。在該情況下，絕緣層形成用片34a是如下裝置，即，例如，該裝置使由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂浸透玻璃布等構(gòu)成的基材，使熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)并成為片狀，通過沖孔等形成多個方形的開口部55。絕緣層形成用片34a的開口部55的尺寸比半導體構(gòu)成體6的尺寸稍大。因此，在絕緣層形成用片34a和半導體構(gòu)成體6之間形成間隙56。
接下來，在絕緣層形成用片34a的上表面配置如下裝置，S卩，該裝置
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tt出tiRjy日T厶JP乂口、J甶'J/w^iR cu 口、j r衣LEj乂i^/j乂 j丄乂石-ti^;j夭/i^P乂/ti/z^ 口、j衣置。在該情況下，上層絕緣膜形成用層35a由與下層絕緣膜l相同的材料構(gòu)成，其中的由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)。
接下來，如圖29所示，使用一對加熱加壓板53、 54從上下對絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a進行加熱加壓。通過該加熱加壓，絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a中的熱硬化性樹脂流動并填充圖28所示的間隙56，通過之后的冷卻而固化，在包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6周圍的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣層34，并且，在半導體構(gòu)成體6和絕緣層34的上表面形成上層絕緣膜35。
接下來，當通過蝕刻而除去底板52以及副底板57時，如圖30所示，包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的下表面露出，并且，上層絕緣膜35的上表面露出。在該狀態(tài)下，即使除去底板52和副底板57，通過下層絕緣膜l、絕緣層34以及上層絕緣膜35的存在，能夠充分地確保強度。并且，第1下層布線2的基底金屬層3的下表面與下層絕緣膜1的下表面成為同一平面。
接下來，如圖31所示，通過由激光束照射而進行的激光加工，在除去第1下層布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)的下層絕緣膜1的同時，開口部17形成于半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的下表面中央部所對應的部分的下層絕緣膜1和粘結(jié)層7。并且，通過使用機械鉆孔或通過由激光束照射而進行的激光加工，貫通孔41形成于含有第1下層布線2的下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜35的規(guī)定位置。
在該情況下，半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑比第1下層布線2的一個連接墊片部2a的外徑小，比內(nèi)徑(圓孔5的直徑)大，因此，與上述第l實施方式的情況相同，能夠使半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑盡可能的小，并且能夠?qū)崿F(xiàn)半導體構(gòu)成體6的微小化。
接下來，如圖32所示，在半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a
23下表面，以及包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的下表面整體、上層絕
緣膜35的上表面整體以及貫通孔41的內(nèi)壁面，通過鎳的無電解電鍍，形 成基底金屬層58、 37、 43，上述連接墊片部14a經(jīng)由第l下層布線2的一 個連接墊片部2a的圓孔5和下層絕緣膜1及粘結(jié)層7的開口部17而露出。 接下來，通過進行將基底金屬層58、 37、 43作為電鍍電流通路的銅的電解， 在基底金屬層58、 37、 43的表面形成上部金屬層59、 38、 44。
接下來，當使用相同的掩膜并通過光刻法使上部金屬層59、 38，基底 金屬層58、 37，和第1下層布線2的基底金屬層3形成圖形時，成為圖33 所示那樣。即，在下層絕緣膜l的下表面，形成由基底金屬層23、 24和上 部金屬層25、 26構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的第2下層布線21以及連接墊片部22。 并且，在上層絕緣膜35的上表面，形成由基底金屬層37以及上部金屬層 38構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的上層布線36。另外，在貫通孔41的內(nèi)壁面，形成由 基底金屬層43以及上部金屬層44構(gòu)成2層結(jié)構(gòu)的上下導通部42。
另外，除去第1下層布線2的除了包含一個連接墊片部2a的兩端部 以外區(qū)域的基底金屬層3，該區(qū)域的上部金屬層4的下表面露出。另外，第 2下層布線21、連接墊片部22、上層布線36、以及上下導通部42也可以 通過圖形電鍍法而形成。在該情況下也同樣，除去第1下層布線2的除了 包含一個連接墊片部2a的兩端部以外區(qū)域的基底金屬層3，該區(qū)域的上部 金屬層4的下表面露出。
之后，經(jīng)過與上述第l實施方式的情況相同的工序，得到多個圖23 所示的半導體裝置。在該情況下，如上所述，由于在不良半導體裝置形成 區(qū)域不搭載半導體構(gòu)成體6，所以如圖23所示，除了具有半導體構(gòu)成體6 的半導體裝置之外，還能得到不具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置，所以， 與上述第l實施方式的情況相同，能夠提高合格率。 (第4實施方式)
圖34是表示本發(fā)明的第4實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖23所示的半導體裝置的不同點在于，在僅由第l下層布 線2的上部金屬層4構(gòu)成的部分的中途設置的連接墊片部下表面，將由鎳 層、鎳層以及銅層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)的連接墊片部60設置成島狀，將錫球設 置于其中的銅層表面下。該情況下，下層覆蓋涂層膜31的開口部22的大
24小比錫球33的大小大。
在該半導體裝置的制造方法中，在圖33所示工序中，在僅由第l下 層布線2的上部金屬層4構(gòu)成的部分的中途設置的連接墊片部下表面，使 由鎳層、鎳層以及銅層構(gòu)成的3層結(jié)構(gòu)的連接墊片部60形成島狀即可。在 這樣的情況下，由于使錫球33形成于3層結(jié)構(gòu)的連接墊片部60中的最下 層的銅層表面下，所以能夠提高其接合強度。 (第5實施方式)
圖35是表示本發(fā)明的第5實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖15所示的半導體裝置的較大不同點在于，將激光掩膜層 71埋入并設置于第2下層布線21上的下層絕緣膜1的下面?zhèn)?。該情況下， 激光掩膜層71成為基底金屬層72和設置于其上的上部金屬層73的2層結(jié) 構(gòu)。
在激光掩膜層71的一端部設置有具有圓孔74的環(huán)狀部71a。激光掩 膜層71的另一端部連接于上下導通部42。開口部27設置于激光掩膜層71 的環(huán)狀部71a的圓孔74所對應的部分的下層絕緣膜31 。第2下層布線21 的一端部，經(jīng)由激光掩膜層71的環(huán)狀部71a的圓孔74以及下層絕緣膜31 的開口部27，而連接于第1下層布線2的另一個連接墊片部。
接下來，對該半導體裝置的制造方法的一個例子進行說明。首先，如 圖36所示，在由銅箔構(gòu)成的底板52的上表面，使由基底金屬層72以及上 部金屬層73構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的激光掩膜層71形成圖形，上述基底金屬層 72由無電解鎳電鍍構(gòu)成，上述上部金屬層73由電解銅電鍍構(gòu)成。在該狀態(tài) 下，在激光掩膜層71的一端部形成具有圓孔74的環(huán)狀部71a。
接下來，在包含激光掩膜層71的底板52的上表面形成下層絕緣膜1， 該下層絕緣膜1由環(huán)氧系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、以及玻璃布基材環(huán)氧樹 脂等構(gòu)成。在該情況下，由下層絕緣膜l中的環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化 性樹脂已經(jīng)硬化。接下來，在下層絕緣膜1的上表面，使由銅箔構(gòu)成的第1 下層布線2形成圖形。在該狀態(tài)下，圓孔5形成于第1下層布線2的一個 連接墊片部2a的中央部。
接下來，進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z査。通過該檢査， 在底板52上的多個半導體裝置形成區(qū)域中，在第1下層布線2如所期望的那樣形成的情況下，判定為良，在第1下層布線2沒有如所期望的那樣形 成的情況下，判定為不良。而且，判定為良的半導體裝置形成區(qū)域作為優(yōu) 良半導體裝置形成區(qū)域，判定為不良的半導體裝置形成區(qū)域作為不良半導 體裝置形成區(qū)域而識別。
接下來，如圖37所示，經(jīng)由由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的粘結(jié)層7，將包含 半導體構(gòu)成體6的布線14的保護膜12的下表面粘結(jié)于包含第1下層布線2 的下層絕緣膜1的上表面的半導體裝置形成區(qū)域，由此，搭載半導體構(gòu)成 體6。在該情況下，將稱為NCP的粘結(jié)材或者稱作NCF的粘結(jié)片，預先供給 到包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面的半導體裝置形成區(qū)域， 通過加熱壓接而將半導體構(gòu)成體6固定在包含第1下層布線2的下層絕緣 膜1的上表面。在該狀態(tài)下，在第1下層布線2的一個連接墊片部2a的圓 孔5內(nèi)填充有粘結(jié)層7。
在該情況下，如上所述，進行第1下層布線2的外觀檢査或?qū)z査， 由于將包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面的多個半導體裝置形 成區(qū)域識別為優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域和不良半導體裝置形成區(qū)域，所以， 僅在優(yōu)良半導體裝置形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6，而不在不良半導體裝置 形成區(qū)域搭載半導體構(gòu)成體6。
接下來，如圖38所示，使用銷等在定位的同時將格子狀的絕緣層形 成用片34a配置在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面，上述下 層絕緣膜1位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。在該情況下，絕 緣層形成用片34a是如下裝置，S口，例如，該裝置為使由環(huán)氧系樹脂等構(gòu) 成的熱硬化性樹脂浸透玻璃布等構(gòu)成的基材，使熱硬化性樹脂為半硬化狀 態(tài)并成為片狀，通過沖孔等形成多個方形的開口部55。絕緣層形成用片34a 的開口部55的尺寸比半導體構(gòu)成體6的尺寸稍大。因此，在絕緣層形成用 片34a和半導體構(gòu)成體6之間形成間隙56。
接下來，在絕緣層形成用片34a的上表面配置如下裝置，即，該裝置 在由銅箔構(gòu)成的副底板57的下表面形成上層絕緣膜形成用層35a。在該情 況下，上層絕緣膜形成用層35a由與下層絕緣膜l相同的材料構(gòu)成，其中
的由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂為半硬化狀態(tài)。
接下來，如圖39所示，使用一對加熱加壓板53、 54從上下對絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a進行加熱加壓。通過該加熱加壓， 絕緣層形成用片34a和上層絕緣膜形成用層35a中的熱硬化性樹脂流動并 填充圖19所示的間隙56，通過之后的冷卻而固化，在包含粘結(jié)層7的半導 體構(gòu)成體6周圍的包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣 層34，并且，在半導體構(gòu)成體6和絕緣層34的上表面形成上層絕緣膜35。
接下來，當通過蝕刻而除去底板52以及副底板57時，如圖40所示， 包含激光掩膜層71的下層絕緣膜1的下表面露出，并且，上層絕緣膜35 的上表面露出。在該狀態(tài)下，即使除去底板52和副底板57，通過下層絕緣 膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜35的存在，能夠充分地確保強度。
接下來，如圖41所示，通過由激光束照射而進行的激光加工，開口 部28形成于下層絕緣膜1,該下層絕緣膜1位于第1下層布線2的一個連 接墊片部2a的下表面中央部所對應的部分，并且，在除去第1下層布線2 的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)的粘結(jié)層7的同時，開口部17形成于半 導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的下表面中央部所對應的部分的 粘結(jié)層7。并且，在除去激光掩膜層71的環(huán)狀部71a的圓孔74內(nèi)的下層絕 緣膜1的同時，開口部27形成于下層絕緣膜1，該下層絕緣膜l位于第l 下層布線2的其它的連接墊片部的下表面中央部所對應的部分。另外，通 過使用機械鉆孔或通過由激光束照射而進行的激光加工，貫通孔41形成于 包含激光掩膜層71的下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜35的規(guī)定 位置。
在該情況下，半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的直徑比 第1下層布線2的一個連接墊片部2a的外徑小，比內(nèi)徑(圓孔5的直徑) 大，因此，與上述第l實施方式的情況相同，能夠使半導體構(gòu)成體6的布 線14的連接墊片部14a的直徑盡可能的小，并且能夠?qū)崿F(xiàn)半導體構(gòu)成體6 的微小化。并且，第1下層布線2的另一連接墊片部的直徑比激光掩膜層 71的環(huán)狀部71a的外徑小，比內(nèi)徑(圓孔74的直徑)大，因此，與上述相 同，能夠使第1下層布線2的另一連接墊片部的直徑盡可能的小，并且能 夠?qū)崿F(xiàn)第1下層布線2的微小化
之后，經(jīng)過與上述第l實施方式的情況相同的工序，得到多個圖35 所示的半導體裝置。在該情況下，如上所述，由于在不良半導體裝置形成
27區(qū)域不搭載半導體構(gòu)成體6，所以如圖35所示，除了具有半導體構(gòu)成體6 的半導體裝置之外，還能得到不具有半導體構(gòu)成體6的半導體裝置，所以, 與上述第l實施方式的情況相同，能夠提高合格率。另外，激光掩膜層71
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kA1乂TF乂、J共fl図fL a tfJM、仏部/丄a。 (第6實施方式)
圖42是表示本發(fā)明的第6實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半
導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的較大不同點在于，通過積層
(build-up)方法，使下層布線為2層布線結(jié)構(gòu)，使上層布線為3層布線 結(jié)構(gòu)。S卩，在包含第2下層布線21A的第1下層絕緣膜1A的下表面，設置 有第2下層絕緣膜1B，該下層絕緣膜1B由與第1下層絕緣膜1A相同的材 料構(gòu)成。
設置于第2下層絕緣膜1B的下表面的第3下層布線21B的一端部， 經(jīng)由設置于第2下層絕緣膜1B的開口部75而連接于第2下層布線21A的 連接墊片部。在包含第3下層布線21B的第2下層絕緣膜1B的下表面，設 置有下層覆蓋涂層膜31。錫球33連接于第3下層布線21B的連接墊片部并 設置于下層覆蓋涂層膜31的開口部32內(nèi)以及其下方。
在包含第1上層布線36A的第1上層絕緣膜35A的上表面，設置有第 2上層絕緣膜35B，該上層絕緣膜35B由與第1上層絕緣膜35A相同的材料 構(gòu)成。設置于第2上層絕緣膜35B的上表面的第2上層布線36B的一端部， 經(jīng)由設置于第2上層絕緣膜35B的開口部76，而連接于第1上層布線36A 的連接墊片部。在包含第2上層布線36B的第2上層絕緣膜35B的上表面， 設置有上層覆蓋涂層膜39。開口部40設置于第2上層布線36B的連接墊片 部所對應的部分的上層覆蓋涂層膜39。另外，下層布線可以是4層以上的 布線結(jié)構(gòu)，并且上層布線也可以是3層以上的布線結(jié)構(gòu)。 (第7實施方式)
圖43是表示本發(fā)明的第7實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的較大不同點在于，在上層絕緣膜 35的下表面設置有其它的上層布線77。在該情況下，半導體構(gòu)成體6的硅 基板8的上表面經(jīng)由粘結(jié)層78而連接于包含第2上層布線77的上層絕緣 膜35的下表面。上層布線36的一端部經(jīng)由設置于上層絕緣膜35的開口部
2879而連接于其它的上層布線77的連接墊片部。
接下來，對該半導體裝置的制造方法的一個例子進行說明。該情況下， 在如圖8所示的工序中，如圖44所示，使用調(diào)合器等在半導體構(gòu)成體6的 硅基板8的上表面涂布包含硅連接劑的環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的液狀的粘結(jié)材 78a。接下來，使用銷等在定位的同時將在上層絕緣膜35的下表面形成由 銅箔構(gòu)成的其它的上層布線77的裝置配置于絕緣層形成用片34a的上表 面，該上層絕緣膜35形成在副底板57的下表面。在該情況下，上層絕緣 膜35中的由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂已經(jīng)硬化。
接下來，如圖45所示，當使用一對加熱加壓板53、 54從上下進行加 熱加壓時，在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣層34， 上述第1下層布線2位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍，半導體 構(gòu)成體6的硅基板8的上表面經(jīng)由粘結(jié)層78而粘結(jié)于包含其它上層布線77 的上層絕緣膜35的下表面，包含其它上層布線77的上層絕緣膜35的下表 面固接于絕緣層34的上表面。接下來，當通過蝕刻而除去底板52以及副 底板57時，如圖46所示，下層絕緣膜l的下表面露出，并且，上層絕緣 膜35的上表面露出。
接下來，如圖47所示，通過由激光束照射而進行的激光加工，開口 部28、 27形成于第1下層布線2的一個連接墊片部2a和另一個連接墊片 部的各下表面中央部所對應的部分的下層絕緣膜1，并且，在除去第1下層 布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)的粘結(jié)層7的同時，開口部17形 成于半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的下表面中央部所對應的 部分的粘結(jié)層7。
并且，通過由激光束照射而進行的激光加工，開口部79形成于其它 的上層布線77的連接墊片部所對應的部分的上層絕緣膜35。另外，通過使 用機械鉆孔或通過由激光束照射而進行的激光加工，貫通孔41形成于下層 絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜35的規(guī)定位置。之后，經(jīng)過與上述第 1實施方式的情況相同的工序，得到多個圖43所示的半導體裝置。
這樣得到的半導體裝置中，與圖42所示的半導體裝置相比較，由于 使上層布線為2層布線結(jié)構(gòu)，而上層絕緣膜為l層，所以，能夠薄型化。 另外，在使用一對加熱加壓板的加熱加壓工序中，如果絕緣層形成用片34a中的流動化的熱硬化性樹脂充分地蔓延進半導體構(gòu)成體6的硅基板8的上
表面，省略粘結(jié)層78也可。 (第8實施方式)
圖48是表示本發(fā)明的第8實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的較大不同點在于，不具有上下導 通部42，作為其替代，在半導體構(gòu)成體6的周圍的絕緣層34中，以方形框 狀埋入地配置有兩面布線結(jié)構(gòu)的電路基板81。
該情況下，電路基板81具有由玻璃布基材環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的方形框 狀的基板82。由銅箔構(gòu)成的第3下層布線21B設置于基板82的下表面，由 銅箔構(gòu)成的第2上層布線36B設置于上表面。第3下層布線21B和第2上 層布線36B經(jīng)由上下導通部83而連接，上述上下導通部83由設置于基板 82內(nèi)部的導電性糊劑等構(gòu)成。
設置于下層絕緣膜1的下表面的第2下層布線21A，經(jīng)由設置于下層 絕緣膜1以及絕緣層34的開口部84而連接于第3下層布線21B的連接墊 片部。設置于上層絕緣膜35的上表面的第1上層布線36A經(jīng)由設置于上層 絕緣膜35以及絕緣層34的開口部85而連接于第2上層布線36B的連接墊 片部。
接下來，對該半導體裝置的制造方法的一個例子進行說明。在該情況 下，在如圖8所示的工序中，如圖49所示，使用銷等在定位的同時將格子 狀的絕緣層形成用片34a、格子狀的電路基板81、以及格子狀的絕緣層形 成用片34a配置在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面，上述第1 下層布線2位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。接下來，在上側(cè) 的絕緣層形成用片34a的上表面配置如下裝置，即，該裝置在副底板57的 下表面形成上層絕緣膜形成用層35a。
接下來，如圖50所示，當使用一對加熱加壓板53、 54從上下加熱加 壓時，在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣層34，上 述第1下層布線2位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍，并且，電 路基板81埋入絕緣層34中，上層絕緣膜35形成于半導體構(gòu)成體6以及絕 緣層34的上表面。接下來，當通過蝕刻而除去底板52以及副底板57時， 如圖51所示，下層絕緣膜l的下表面露出，并且，上層絕緣膜35的上表面露出。
接下來，如圖52所示，通過由激光束照慰時進行的激光加工，開口
部28、 27形成于第1下層布線2的一個連接墊片部2a和另一個連接墊片
Ai7 AA X ~r- =H r+i i+i At7 ETC nU> rr!": AAi At7 / 乂 AAi F=!力Zt A4l 口tt i □ + tTA +祖1 "T"^
罰Jtr、j倉1、衣Lflj卞;x部r乂i,、j/^trj部77trj 1、,云-巴沐膚丄，開±1， i土H^^:鄰丄|、7石 布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5內(nèi)的粘結(jié)層7的同時，開口部17形 成于半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a的下表面中央部所對應的 部分的粘結(jié)層7。
并且，通過由激光束照射而進行的激光加工，開口部84、 85形成于 電路基板81的第3下層布線21B以及第2上層布線36B的各連接墊片部所 對應的部分的下層絕緣膜1以及上層絕緣膜35。之后，經(jīng)過與上述第1實 施方式的情況相同的工序后，得到多個圖48所示的半導體裝置。
這樣得到的半導體裝置中，與圖42所示的半導體裝置相比較，由于 下層布線為3層結(jié)構(gòu)，上層布線為2層布線結(jié)構(gòu)，下層絕緣膜以及上層絕 緣膜為1層，所以，能夠薄型化。并且，由于不具有上下導通部42，所以 不需要通過機械沖孔而形成貫通孔41。 (第9實施方式)
圖53是表示本發(fā)明的第9實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的不同點在于，在包含半導體構(gòu)成 體6的布線14的保護膜12的下表面，設置由聚酰亞胺系樹脂、環(huán)氧樹脂 等絕緣材料構(gòu)成的防靜電用保護膜86。
因此，在該情況下，半導體構(gòu)成體6的防靜電用保護膜86的下表面 經(jīng)由粘結(jié)層7而連接于包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面中央 部。連接墊片部22，經(jīng)由下層絕緣膜1的開口部27、第1下層布線2的一 個連接墊片部2a的圓孔5、粘結(jié)層7以及保護膜86的開口部17，而連接 于半導體構(gòu)成體6的布線14的連接墊片部14a。
在將半導體構(gòu)成體6搭載于下層絕緣膜1上之前，保護膜86上不形 成開口部17。而且，不具有開口部17的保護膜86是如下裝置，g卩，該裝 置為從形成于其自身為晶片狀態(tài)的硅基板8下的時點開始，到半導體構(gòu)成 體6搭載于下層絕緣膜1上的時點為止，保護形成于硅基板8下的集成電 路不受靜電影響。(第IO實施方式)
圖54是表示本發(fā)明的第10實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的不同點在于，在包含半導體構(gòu)成 體6的布線14的連接墊片部14a下表面設置有由電解銅電鍍構(gòu)成的保護層 87。在該情況下，保護層87是在激光束照射時保護布線14的連接墊片部 14a的裝置。g卩，布線14形成5 10um的厚度，預計通過激光束而蝕刻的 量，僅在該布線14的連接墊片部14a上形成數(shù)um厚度的保護層87時，能 夠?qū)崿F(xiàn)半導體構(gòu)成體6的薄型化。另外，在圖54中，為了明確化，沒有圖 示保護層87，而在激光束照射后，希望該保護層87的厚度實質(zhì)上接近于0。 (第ll實施方式)
圖55是表示本發(fā)明的第11實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的不同點在于，將由電解銅電鍍構(gòu) 成的柱狀電極(外部連接用電極)88設置于半導體構(gòu)成體6的布線14的連 接墊片部14a下表面中央部，以使由環(huán)氧系樹脂等構(gòu)成的密封膜89的下表 面與柱狀電極88的下表面成為同一平面的方式，將該密封膜89設置于包 含布線14的保護膜12的下表面。
因此，在該情況下，包含柱狀電極88的密封膜89的下表面經(jīng)由粘結(jié) 層7而粘結(jié)于下層絕緣膜1的上表面中央部。連接墊片部22，經(jīng)由下層絕 緣膜1的開口部27、第1下層布線2的一個連接墊片部2a的圓孔5、以及 粘結(jié)層7的開口部17，而連接于半導體構(gòu)成體6的柱狀電極88。 (第12實施方式)
圖56是表示本發(fā)明的第12實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖l所示的半導體裝置的不同點在于，在包含半導體構(gòu)成 體6和第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面，僅設置由環(huán)氧系樹脂等 構(gòu)成密封膜(絕緣層)91。在該情況下，密封膜91通過傳遞模塑法等模塑 方法而形成。
(第13實施方式)
圖57是表示本發(fā)明的第13實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖56所示的半導體裝置的不同點在于，在埋入下層絕緣膜 1的上表面?zhèn)鹊牡?下層布線2的上表面，搭載有電阻或電容器等構(gòu)成的芯片部件92，上述下層絕緣膜1位于包含粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。 在該情況下，芯片部件92的兩電極93經(jīng)由焊錫94而連接于第1下層布線 2。包含焊錫94的芯片部件92通過密封膜91覆蓋。 (第14實施方式)
圖58是表示本發(fā)明的第14實施方式的半導體裝置的截面圖。在該半 導體裝置中，與圖57所示的半導體裝置的較大不同點在于，經(jīng)由粘結(jié)層7a 而將芯片部件92粘結(jié)在包含第1下層布線2的下層絕緣膜1的上表面，上 述粘結(jié)層7a由與粘結(jié)層7相同的材料構(gòu)成，上述第1下層布線2位于包含 粘結(jié)層7的半導體構(gòu)成體6的周圍。
在該情況下，芯片部件92的兩電極93由銅形成，而且，設置于下層 絕緣膜1的下表面的連接墊片部22a經(jīng)由下層絕緣膜1的開口部27a而連 接于第l下層布線2的另一個連接墊片部2c，并且，經(jīng)由第1下層布線2 的另一連接墊片部2c的圓孔5c以及粘結(jié)層7a的開口部17a而連接于芯片 部件92的電極93。
另外，在上述各實施方式中，第1下層布線2的連接墊片部2a的開 口部5、形成于粘結(jié)層7的開口部17等的平面形狀為圓形，但是本發(fā)明并 不僅限定于此，可以為任意的平面形狀，例如多邊形。并且，半導體構(gòu)成 體6上，形成有連接于連接墊片9的布線14，但是本發(fā)明還能夠適用于僅 形成有不具有布線敷設部的外部連接用電極的半導體構(gòu)成體。除此之外， 按照本發(fā)明的主旨，能夠進行各種變形并使用。
3權(quán)利要求
1、一種半導體裝置，其特征在于，具有半導體構(gòu)成體(6)，具有半導體基板(8)、設置于上述半導體基板(8)上的外部連接用電極(14a)、以及形成有使上述外部連接用電極(14a)的至少一部分露出的第2開口部(17)的電極覆蓋層(7)；絕緣層(34)，形成于上述半導體構(gòu)成體(6)的周圍；布線(2)，橫跨上述半導體構(gòu)成體(6)下以及上述絕緣層(34)下地形成，并具有連接墊片部(2a)，該連接墊片部(2a)形成有與上述外部連接用電極(14a)對應的第1開口部(5)；和連接導體(22)，經(jīng)由上述第2開口部(17)以及上述第1開口部(5)將上述外部連接用電極(14a)以及上述布線(2)電連接。
2、 如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述半導體基板(8) 上形成保護膜(12)，上述外部連接用電極(14a)構(gòu)成為上述保護膜(12) 上所形成的布線(14)的一部分。
3、 如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，具有覆蓋上述布線 (2)的絕緣膜(1)。
4、 如權(quán)利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，在上述絕緣膜(l) 上形成與上述第1開口部(5)對應的第3開口部(28)，上述連接導體(22) 經(jīng)由上述第3開口部(28)而被導出于上述絕緣膜(1)上。
5、 如權(quán)利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，上述布線(2)從 上述絕緣膜(1)的上表面突出地形成，并在上述半導體構(gòu)成體(6)的上 述電極覆蓋層(7)以及上述絕緣層(34)的厚度方向上凹陷。
6、 如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，具有絕緣膜(1)， 該絕緣膜(1)形成在上述半導體構(gòu)成體(6)的上述電極覆蓋層(7)與上 述布線(2)之間以及上述絕緣層(34)與上述布線(2)之間。
7、 如權(quán)利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，上述布線(2)凹 陷入上述絕緣膜(1)內(nèi)地形成。
8、 如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，電路基板(81)埋 入上述絕緣層(34)內(nèi)。
9、 如權(quán)利要求l所述的半導體裝置，其特征在于，具有覆蓋上述外部 連接用電極(14a)的表面的金屬保護層(87)。
10、 如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述半導體構(gòu)成 體(6)具有形成于上述半導體基板(8)上的保護膜(12)以及形成于上 述保護膜(12)上的布線(14)，上述外部連接用電極(14a)是形成于上 述布線(14)上的柱狀電極(88)。
11、 如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述絕緣層(91) 具有覆蓋上述半導體基板(8)的背面的部分。
12、 一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有 準備半導體構(gòu)成體(6)的工序，該半導體構(gòu)成體(6)具有半導體基板(8)、設置于上述半導體基板(8)上的外部連接用電極(14a)、以及覆蓋上述外部連接用電極(14a)的電極覆蓋層(7);準備具有布線(2)的底板(52)的工序，上述布線(2)具有形成有與外部連接用電極(14a)對應的第l開口部(5)的連接墊片部(2a); 將半導體構(gòu)成體(6)固定于上述底板(52)上的工序； 在上述半導體構(gòu)成體的周圍的上述底板(52)上形成絕緣層(34)的工序；除去上述底板(52)的工序；將到達上述外部連接用電極(14a)的第2開口部(17)形成在與上述 布線(2)的上述第1開口部(5)對應的上述半導體構(gòu)成體(6)的上述電 極覆蓋層(7)上的工序；和形成連接導體(22)的工序，該連接導體(22)將上述布線(2)與上 述外部連接用電極(14a)電連接。
13、 如權(quán)利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述 準備具有第l布線(2)的底板(52)的工序包含在上述底板(52)與上 述布線(2)之間形成絕緣膜(1)的工序，上述第l布線(2)形成有與上 述外部連接用電極(14a)對應的第l開口部(5)。
14、 如權(quán)利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上 述底板(52)與上述布線(2)之間形成絕緣膜(1)的工序包含將上述 布線(2)形成于金屬底板(51)的工序、將上述金屬底板(51)的上述布線(2)固定在上述底板(52)的上述絕緣膜(1)上的工序、和除去上述 金屬底板的工序。
15、 如權(quán)利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，將上 述金屬底板(51)的上述布線(2)固定在上述底板(52)的上述絕緣膜(1) 上的工序，包含將上述布線(2)埋入上述絕緣膜(1)的上表面?zhèn)鹊墓ば颉?br> 16、 如權(quán)利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包含 在形成上述絕緣膜(1)之后，除去上述底板(52)，在與上述第1開口部(5)對應的上述絕緣膜(1)的部分上形成第3開口部(28)，經(jīng)由上述第 3開口部形成上述連接導體(22)的工序。
17、 如權(quán)利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上 述底板(52)與上述布線(2)之間形成絕緣膜(1)的工序包含在上述 底板(52)上形成上述絕緣膜(1)的工序、和在上述絕緣膜(1)上形成 上述布線(2)的工序，另外包含在除去上述底板(52)之后，在與上述 第l開口部(5)對應的上述絕緣膜(1)的部分上形成第3開口部(28)， 經(jīng)由上述第3開口部而形成上述連接導體(22)的工序。
18、 如權(quán)利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述 準備具有布線(2)的底板(52)的工序包含在上述底板(52)上和上述 布線(2)上形成上述絕緣膜(1)的工序，上述布線(2)形成有與上述外 部連接用電極(14a)對應的第l開口部(5)。
19、 如權(quán)利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，將到 達上述外部連接用電極(14a)的第2開口部(17)形成在與上述布線(2) 的上述第1開口部(5)對應的上述半導體構(gòu)成體(6)的上述電極覆蓋層(7)上的工序包含通過以上述布線(2)的上述連接墊片部(2a)作為 掩膜并將激光束照射于與第1開口部(5)對應的部分的上述電極覆蓋層(7)， 而形成上述第2開口部(17)的工序，
20、 如權(quán)利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，準備 半導體構(gòu)成體(6)的工序包含在上述外部連接用電極(14a)上形成由 金屬構(gòu)成的保護層(87)的工序，該半導體構(gòu)成體(6)具有上述半導體基 板(8)、設置于上述半導體基板(8)上的外部連接用電極(14a)、以及覆 蓋上述外部連接用電極(14a)的電極覆蓋層(7)。
全文摘要
一種半導體裝置及該半導體裝置的制造方法，其中，準備具有半導體基板(8)、外部連接用電極(14a)、以及覆蓋上述外部連接用電極(14a)的電極覆蓋層(7)的半導體構(gòu)成體(6)，并且，準備具有形成有與外部連接用電極(14a)對應的第1開口部(5)的布線(2)的底板(52)。將半導體構(gòu)成體(6)固定在上述底板(52)上之后，除去底板(52)，在布線(2)的第1開口部(5)所對應的電極覆蓋層(7)上形成到達外部連接用電極(14a)的第2開口部(17)。之后，形成將布線(2)和外部連接用電極(14a)電連接的連接導體(22)。
文檔編號H01L21/60GK101499448SQ20091000337
公開日2009年8月5日 申請日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者定別當?？?申請人:卡西歐計算機株式會社