專(zhuān)利名稱(chēng)：一種晶舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶舟。
背景技術(shù)：
目前，高溫氧化爐管運(yùn)送晶片的方式為批量進(jìn)行，每批150片，放置于垂直的晶舟1上，圖1所示為晶舟1的各視圖，其中圖1(a)是晶舟1的俯視圖，圖1(b)是沿圖中所示X 方向看到的晶舟1的側(cè)視圖；圖1(c)是沿圖中所示Y方向看到的晶舟1的側(cè)視圖；圖1(d) 是本晶舟1的后視圖，圖1(d)中的四個(gè)方塊31、32、33、34分別對(duì)應(yīng)圖1(a)中的四個(gè)圓形 31、32、33、34，表示的是晶舟的晶棒3。圖1 (a)中標(biāo)號(hào)2所示的是用于將晶片放置于晶舟中 所用的傳送裝置，其具體形狀如圖2所示，同時(shí)晶舟上設(shè)有插入口 9，以便傳送裝置能夠由 此插入晶舟1。圖1(c)中標(biāo)號(hào)4所示的是被運(yùn)送的晶片。將晶片4放置于晶舟1后，晶舟 1上升至反應(yīng)室5中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)室5如圖3所示。晶舟1上升至反應(yīng)室5的過(guò)程如圖4所示。由于承載晶片4的晶舟1在上升過(guò)程中受到溫度(反應(yīng)室內(nèi)外溫差)和上升速度的影響，使得晶片4產(chǎn)生一定的形變，從而與晶 舟1的晶棒3的接觸點(diǎn)產(chǎn)生位移，從而摩擦導(dǎo)致顆粒的產(chǎn)生。圖5所示是晶片發(fā)生形變和晶棒顆粒的原理圖，當(dāng)晶片4隨著晶舟1進(jìn)入到反應(yīng)室5中時(shí)，在靠近入口處，晶片4受到爐管內(nèi)的輻射熱的作用，如圖5(b)中箭頭所示，且輻 射熱射到下面的晶片4時(shí)，晶片4的表面會(huì)將熱量進(jìn)行反射，反射到上面的晶片4上，上面 的晶片4的下表面再次反射，如此反復(fù)，每個(gè)晶片4的上下表面都受到強(qiáng)熱輻射，使得晶片4 的中部向上彎曲變形；在進(jìn)入到爐管內(nèi)部時(shí)，上述輻射更加強(qiáng)烈，如圖5(c)所示，晶片4的 向上變形也更加明顯。因?yàn)榫?受熱變形，晶片4兩端與晶舟1上的晶棒3接觸的端部 將產(chǎn)生位移，此位移將導(dǎo)致晶片4產(chǎn)生顆粒。目前垂直高溫氧化爐管顆粒問(wèn)題主要是一種特殊形狀的顆粒，在晶舟固定位置(3 點(diǎn)/5點(diǎn)/7點(diǎn)/9點(diǎn)附近)出現(xiàn)聚積狀顆粒，稱(chēng)為“類(lèi)晶舟”顆粒，圖6所示是“類(lèi)晶舟”顆 粒的示意圖，經(jīng)統(tǒng)計(jì)知其發(fā)生率大概為1.88%。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述問(wèn)題，提供一種晶舟。本發(fā)明所述的一種晶舟包含頂板；底板；固定于上述頂板和底板之間的三個(gè)晶 棒，且上述三個(gè)晶棒的分布呈圓形；上述多個(gè)晶棒上形成有多個(gè)槽，且不同晶棒上的各槽的 高度分別對(duì)應(yīng)相等，形成用以水平支撐晶片的支撐部；以及插入口，通過(guò)上述插入口將晶片 送入上述晶舟內(nèi)，上述插入口與上述各支撐部位于同一高度。上述呈圓形地分布的三個(gè)晶棒分別是第一、第二和第三晶棒，其中第一、第二晶棒位于所在圓形的同一直徑上，第三晶棒位于與上述直徑的夾角為30 150度的直徑上。上述呈圓形地分布的晶棒是三個(gè)，其中第一、第二晶棒位于所在圓形的同一直徑上，第三晶棒位于垂直于上述直徑的直徑上。
上述插入口的中心位于上述第三晶棒所在直徑與上述圓形的另一交點(diǎn)處。上述晶棒的截面是圓形、半圓形、橢圓形、三角形中的一種。 上述晶棒的截面是圓形。本發(fā)明可以有效地改善“類(lèi)晶舟”顆粒，而且本發(fā)明通過(guò)減少晶棒的數(shù)目使得熱量 更能均勻的分布在晶片表面，從而間接地改善了晶片的受熱均勻度。


圖1 (a)是現(xiàn)有晶舟的俯視圖；圖1(b)是圖1(a)中的晶舟沿X向的側(cè)視圖；圖1(c)是圖1(a)中的晶舟沿Y向的側(cè)視圖；圖1(d)是圖1(a)中的晶舟的后視圖；圖2是晶片傳送裝置的示意圖；圖3是反應(yīng)室的示意圖；圖4是晶舟上升至反應(yīng)室的過(guò)程示意圖；圖5是晶片產(chǎn)生形變和晶棒顆粒的原理圖；圖6是“類(lèi)晶舟”顆粒的示意圖；圖7(a)是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的俯視圖；圖7(b)是圖7(a)中的晶舟沿Y向的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所述的一種晶舟作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的晶舟具有頂板7、底板8、以及固定于該頂板和底板之間的晶棒3，并在晶 棒上形成有多個(gè)槽，各晶棒上的槽的高度分別對(duì)應(yīng)相等，從而在各槽之間形成支撐部，用以 水平地支撐晶片4，其中，上述晶棒3具有兩個(gè)以上，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中是三個(gè)，且他 們呈圓筒狀地配置，如圖7中35、36、37所示，晶片4由傳送裝置2承載并通過(guò)插入口 9從 上述晶棒3的槽插入，通過(guò)呈圓形設(shè)置的各支撐部沿著支撐著。上述傳送裝置2的插入口 9與上述支撐部的位置位于同一高度。圖7(a)是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的俯視圖，圖7(b)是圖7(a)中的晶舟沿Y向的側(cè) 視圖，在該實(shí)施例中，晶棒一共有3個(gè)，分別為35、36、37，當(dāng)然在其他實(shí)施例中還可以是兩 個(gè)，且如上所述，在本實(shí)施例中三個(gè)晶棒呈圓形地設(shè)置，晶棒35和37位于上述圓形的同一 直徑上，晶棒36所在直徑與晶棒35和37所在直徑呈一定夾角、例如是30 150度，優(yōu)選 為90度，也即在優(yōu)選實(shí)施例中，晶棒35和37分別對(duì)稱(chēng)設(shè)置在晶棒36的兩側(cè)。且由圖可 知，在本實(shí)施例中該晶棒35、36、37的截面是圓形，當(dāng)然在其他實(shí)施例中其截面也可以是其 他形狀，不限于此。在上述晶棒36所在的直徑的另一端還具有用于傳送裝置2插入的插入 口 9，插入口 9的中心所在位置與晶棒35、晶棒37之間的夾角都是90度，上述傳送裝置2 已經(jīng)在圖2中示出。 由于現(xiàn)有晶舟的晶棒是4個(gè)，其與晶片4的接觸點(diǎn)有4個(gè)，必須4個(gè)點(diǎn)完全接觸才 能保證晶片在晶舟內(nèi)平穩(wěn)放置，當(dāng)晶片有輕微變形時(shí)，有可能其中一個(gè)晶棒沒(méi)有完全接觸， 使得晶片接觸受力不均勻，從而使得晶片在晶舟進(jìn)出反應(yīng)室時(shí)更易受到溫度以及上升速度的影響，而產(chǎn)生一定的震動(dòng)及位移，從而導(dǎo)致顆粒的產(chǎn)生，而采用本發(fā)明的3個(gè)晶棒，只有3 個(gè)接觸點(diǎn)，更利于晶片的平穩(wěn)放置和受力均勻，可以有效改善由此類(lèi)原因產(chǎn)生的顆粒問(wèn)題。在其他實(shí)施例中，上述晶棒是三個(gè)，且上述晶棒的截面形狀是半圓形、橢圓形、三 角形等任何合適的形狀，只要能夠形成用以支撐晶片的槽即可，不影響上述效果。在另一實(shí)施例中，上述晶棒是兩個(gè)，這兩個(gè)晶棒的排列方式 相當(dāng)于第一實(shí)施例中 去掉晶棒36，即只具有晶棒35、37，且他們位于所在圓形的同一直徑上，傳送裝置2的插入 口 9的中心位于垂直于晶棒35和37所在直徑的直徑與上述圓形的交點(diǎn)處。也能達(dá)到上述 相同的效果。綜上可知，本發(fā)明可以有效地改善“類(lèi)晶舟”顆粒，而且本發(fā)明通過(guò)減少晶棒的數(shù) 目使得熱量更能均勻的分布在晶片表面，從而間接地改善了晶片的受熱均勻度。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；如果不脫 離本發(fā)明的精神和范圍，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換的，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要 求的保護(hù)范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
一種晶舟，其特征在于包含頂板；底板；固定于上述頂板和底板之間的三個(gè)晶棒，且上述三個(gè)晶棒的分布呈圓形；上述多個(gè)晶棒上形成有多個(gè)槽，且不同晶棒上的各槽的高度分別對(duì)應(yīng)相等，形成用以水平支撐晶片的支撐部；以及插入口，通過(guò)上述插入口將晶片送入上述晶舟內(nèi)，上述插入口與上述各支撐部位于同一高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶舟，其特征在于上述呈圓形地分布的三個(gè)晶棒分別是第 一、第二和第三晶棒，其中第一、第二晶棒位于所在圓形的同一直徑上，第三晶棒位于與上 述直徑的夾角為30 150度的直徑上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶舟，其特征在于上述呈圓形地分布的晶棒是三個(gè)，其中第 一、第二晶棒位于所在圓形的同一直徑上，第三晶棒位于垂直于上述直徑的直徑上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶舟，其特征在于上述插入口的中心位于上述第三晶棒所在 直徑與上述圓形的另一交點(diǎn)處。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶舟，其特征在于上述晶棒的截面是圓形、半圓形、橢圓形、 三角形中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶舟，其特征在于上述晶棒的截面是圓形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶舟，該晶舟包含頂板；底板；固定于上述頂板和底板之間的三個(gè)晶棒，且上述三個(gè)晶棒的分布呈圓形；上述多個(gè)晶棒上形成有多個(gè)槽，且不同晶棒上的各槽的高度分別對(duì)應(yīng)相等，形成用以水平支撐晶片的支撐部；以及插入口，通過(guò)上述插入口將晶片送入上述晶舟內(nèi)，上述插入口與上述各支撐部位于同一高度。本發(fā)明可以有效地改善“類(lèi)晶舟”顆粒，而且本發(fā)明通過(guò)減少晶棒的數(shù)目使得熱量更能均勻的分布在晶片表面，從而間接地改善了晶片的受熱均勻度。
文檔編號(hào)H01L21/324GK101800185SQ20091000559
公開(kāi)日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2009年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者王愛(ài)進(jìn) 申請(qǐng)人:和艦科技(蘇州)有限公司