專利名稱：具有波導的高頻構(gòu)件組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有波導的高頻構(gòu)件組件，其中扼流結(jié)構(gòu)布置在兩個彼此 附著的高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)的波導附近。
背景技術(shù)：
高頻器件具有彼此附著的一對高頻構(gòu)件，并且所述構(gòu)件各自具有作為 波導的彼此導通的波導部分。圖l是高頻器件的截面圖和器件的高頻構(gòu)件
的俯視圖，以示出在日本專利申請首次公布No. 2007-336299中公開的 波導的連接結(jié)構(gòu)。圖2是高頻器件的截面圖和器件的高頻構(gòu)件的俯視圖， 以示出在日本專利No. 3995929中公開的波導的連接結(jié)構(gòu)。
如圖1和圖2所示，高頻器件具有表面彼此附著的兩個高頻構(gòu)件101 和102 (或者101和103 )。所述構(gòu)件具有彼此導通的各自的波導部分104， 以形成單一的波導104。波導104在構(gòu)件的附著表面開口上。電磁波通過 波導104傳輸。為了防止電磁波從構(gòu)件的附著表面之間的附著區(qū)域泄露， 在構(gòu)件102中形成扼流槽105以通過構(gòu)件102的一部分包圍構(gòu)件102的波 導部分104 (見圖1),或者在構(gòu)件103中形成兩個扼流槽106以通過構(gòu)件 103的一部分朝向構(gòu)件102的波導部分104 (見圖2 )。每個扼流槽i更置為 從波導部分104的開口端部離開X74 U表示電磁波的真空波長)，并且深 度為亂
用此結(jié)構(gòu)，甚至當在構(gòu)件101和102 (或者101和103)的附著表面 之間形成開口空間時，包圍波導104的構(gòu)件102 (或者103)的內(nèi)壁也可 以^L視為是電短路點。因此，具有構(gòu)件101和102 (或者101和103 )的 高頻器件可以防止電磁波從構(gòu)件之間的開口空間泄露。特別地，與不完全 地包圍波導104的扼流槽106相比，在全部方向上包圍波導104的扼流槽 105可以可靠地防止波的泄露。
然而，當在高頻構(gòu)件中形成單一的扼流槽以包圍構(gòu)件的波導104的開 口端部時，形成具有被扼流槽包圍的波導104的高頻器件是很麻煩的。特別地，當在具有波導部分的板狀構(gòu)件中形成扼流槽時，首先沖壓所
述構(gòu)件以形成在構(gòu)件的厚度方向上穿透構(gòu)件的扼流孑L,接著扼流孔的 一個
開口端部被具有印刷的接地導線圖案的電介質(zhì)^i^i^蓋，以從扼流孔形成
扼流槽。
然而，因為扼流槽通過構(gòu)件的壁部分包圍波導部分，因此需要用支撐 構(gòu)件來支撐所述壁部分直到用電介質(zhì)^a蓋扼流孔。
因此，m^形成在彼此附著的高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)在全部方向 上包圍波導部分的扼流槽。即，高頻構(gòu)件的一部分不可避免地保留在扼流 槽的端部之間，因而電磁波從高頻構(gòu)件的所述部分泄露。在此情況下，波 導對電磁波的傳輸效率降低，并且第 一波導從與第 一波導相鄰的第二波導 的隔離效果變差。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到現(xiàn)有的高頻器件的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種高頻構(gòu)件組 件，其中可靠地布置扼流結(jié)構(gòu)以在彼此附著的高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi) 包圍波導。
根據(jù)本發(fā)明的 一個方面，通過提供一種包括具有第 一附著表面的第一 高頻構(gòu)件和具有第二附著表面的第二高頻構(gòu)件的高頻構(gòu)件組件實現(xiàn)該目 的。附著表面彼此附著以在組件的厚度方向上堆疊高頻構(gòu)件。第一高頻構(gòu) 件包括第 一波導孔和第 一扼流槽。第 一波導孔在厚度方向上延伸以具有在 第 一附著表面上開口的第 一端部。第 一扼流槽在第 一附著表面上開口并沿 第 一波導孔的第 一端部延伸以從第 一波導孔的第 一端部離開預定距離。第 二高頻構(gòu)件包括第二波導孔和第二扼流槽。第二波導孔在厚度方向上延伸 以具有在第二附著表面上開口的第二端部，并且與第 一 波導孔導通以從波 導孔形成波導。電磁波通過波導在厚度方向上傳輸。第二扼流槽在第二附 著表面上開口以與第一扼流槽導通，并且沿第二波導孔的第二端部延伸以 從第二波導孔的第二端部離開所述預定距離，并且用第一和第二扼流槽在 高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)大致地包圍波導。
用高頻構(gòu)件組件的這種結(jié)構(gòu)，波導的壁用作通過波導傳輸?shù)碾姶挪ǖ?電短路點。此外，第一和第二扼流槽形成的扼流結(jié)構(gòu)設(shè)置為從波導離開預 定距離，并M高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)大致地包圍波導。
因此，甚至當在高頻構(gòu)件之間形成開口空間時，組件也能夠防止電磁波從開口空間泄露。
此外，不是單一的扼流槽包圍波導，而是布置在各個構(gòu)件的第一和第 二扼流槽包圍波導。因此，每一個扼流槽能夠容易地在對應的構(gòu)件中形成。 因此，能夠容易地在組件中布置包圍波導的第一和第二扼流槽。
此外，能夠以更高的自由度設(shè)定對應的構(gòu)件中的每個扼流槽的外形。 因此，能夠可靠地在組件中布置包圍波導的第一和第二扼流槽。


圖l是高頻器件的截面圖和器件的高頻構(gòu)件的平面圖，以示出在曰本
專利申請首次^>布No. 2007 - 336299中7>開的波導的連接結(jié)構(gòu)；
圖2是高頻器件的截面圖和器件的高頻構(gòu)件的平面圖，以示出在日本 專利No. 3995929中>^開的波導的連接結(jié)構(gòu)；
圖3A是代表根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的具有波導的高頻構(gòu)件組件的 高頻器件的立體側(cè)視圖3B是圖3A所示的器件的分解圖3C是圖3A所示的器件的上層高頻構(gòu)件的立體側(cè)視圖4A是圖3A所示的器件的高頻構(gòu)件的俯視圖4B是大致沿圖4A的A-A線截取的截面圖5A是圖3A所示的器件的另一高頻構(gòu)件的仰視圖5B是大致沿圖5A的B-B線截取的截面圖6A是圖3A所示的器件中的波導和包圍波導的扼流槽的俯視圖6B是大致沿圖6A的C - C線截取的截面圖7是才艮據(jù)第一實施例的第一修改的高頻構(gòu)件組件中的各個構(gòu)件的 扼流槽之間的位置關(guān)系的示意圖8是根據(jù)第一實施例的第二修改的高頻構(gòu)件組件中的各個構(gòu)件的 扼流槽之間的位置關(guān)系的示意圖9A是根據(jù)第一實施例的第三修改的具有圓形波導的高頻構(gòu)件組件 的頂視圖9B是大致沿圖9A的D-D線截取的截面圖；圖9C是大致沿圖9A的E-E線截取的截面圖10A是代表根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的具有波導的高頻構(gòu)件組件 的高頻器件的立體側(cè)視圖IOB是圖IOA所示的器件的分解圖11A是代表根據(jù)第二實施例的修改的具有波導的高頻構(gòu)件組件的 高頻器件的立體側(cè)視圖；以及
圖IIB是圖IIA所示的器件的分解圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例，其中在整個說明書中除非特別 指出，類似的附圖標記代表類似的部件、構(gòu)件或者元件。
第一實施例
圖3A是代表根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的具有波導的高頻構(gòu)件組件的 高頻器件的立體側(cè)視圖。圖3B是器件的分解圖，而圖3C是器件的上層 高頻構(gòu)件的立體側(cè)視圖。圖3A所示的高頻器件1用于發(fā)送和接收諸如毫 米波、微波等電磁波的雷達iJUL機。
如圖3A、圖3B和圖3C所示，代表高頻構(gòu)件組件的器件1具有沿器 件1的厚度方向堆疊的一對高頻構(gòu)件2和3。構(gòu)件2的表面2a和構(gòu)件3 的表面3a在附著區(qū)域內(nèi)用螺絲等彼此附著，以形成高頻構(gòu)件組件。每個 構(gòu)件由例如金屬的導電材料制成的波導板形成。器件1具有內(nèi)壁以形成多 個矩形的波導4 (在本實施例中為3個波導4a、 4b和4c )。每個波導4在 厚度方向上穿透構(gòu)件2和3，并且形成為在與厚度方向正交的平面具有矩 形形狀。在所述平面，波導4的面積例如;1相同的。真空波長(或者有效 波長)為X的電磁波在厚度方向上通過每一個波導4傳輸。構(gòu)件2和3的 每一個的厚度設(shè)定為大于四分之一波長(即)。
構(gòu)件2具有內(nèi)壁以形成3個波導孔21 (即21a、 21b和21c)。每個波 導孔21在厚度方向上穿透構(gòu)件2。構(gòu)件3具有內(nèi)壁以形成3個波導孔31 (即31a、 31b和31c)。每個波導孔31在厚度方向上穿透構(gòu)件3，并且與 相應的波導孔21導通。彼此導通的孔21a和31a的組合形成波導4a。彼 此導通的孔21b和31b的組合形成波導4b。彼此導通的孔21c和31c的 組合形成波導4c。孔21和31的每一個在表面2a或者3a上具有矩形的開口端部，開口 端部具有兩個長邊和兩個短邊。即，每個波導4在表面2a和3a上具有矩 形的開口端部。例如，孔21a、 21c、 31a和31c的開口端部中的每個長邊 在與厚度方向正交的寬度方向上延伸，而孔21b和31b的開口端部中的每 個長邊在與厚度方向和寬度方向正交的長度方向上延伸。
構(gòu)件2具有內(nèi)壁以形成3對扼流槽23 (即23a、 23b和23c),構(gòu)件3 具有內(nèi)壁以形成3對扼流槽33 (33a、 33b和33c )。每個槽23在表面2a 上開口以具有開口端部，以及每個槽33在表面3a上開口以具有開口端部。 扼流槽在厚度方向上均不穿透對應的構(gòu)件。每對扼流槽23布置為使得在 槽23之間設(shè)置一個對應的波導孔21。即，波導孔21a設(shè)置在槽23a之間， 波導孔21b設(shè)置在槽23b之間，以及波導孔21c設(shè)置在槽23c之間。每對 扼流槽33布置為使得在槽33之間設(shè)置一個對應的波導孔31。即，波導 孔31a設(shè)置在槽33a之間，波導孔31b設(shè)置在槽33b之間，以及波導孔 31c設(shè)置在槽33c之間。
與一個波導4對應的扼流槽23中的每一個在第一方向上延伸，而與 波導4對應的扼流槽33中的每一個在與第一方向正交的第二方向上延伸。 更具體地，與一個波導4的一個波導孔21對應的扼流槽23中的每一個沿 波導孔21的開口端部的短邊直線延伸，而與一個波導4的一個波導孔31 對應的扼流槽33中的每一個沿波導孔31的開口端部的長邊直線延伸。例 如，扼流槽23延伸以與波導孔21的開口端部的各個短邊平行，而扼流槽 33延伸以與波導孔31的開口端部的各個長邊平行。
此外，每個扼流槽23或者33在其延伸方向上的長度設(shè)定為使對應于 一個波導4的每一對扼流槽23在厚度方向上與對應于該波導4的一對扼 流槽33交疊，以與一對扼流槽33導通。更具體地，扼流槽23a在厚度方 向上與扼流槽33a交疊以與槽33a導通，扼流槽23b在厚度方向上與扼流 槽33b交疊以與槽33b導通，以及扼流槽23c在厚度方向上與扼流槽33c 交疊以與槽33c導通。
即，彼此交疊的一對扼流槽23和一對扼流槽33不設(shè)置在與厚度方向 正交的同一平面內(nèi)。然而，當沿厚度方向觀^&流槽23和33時，每個波 導4在與厚度方向正交的平面內(nèi)在全部方向上被彼此導通的一對扼流槽 23和一對扼流槽33包圍。因此，對于防止電磁波從構(gòu)件2和3之間的開 口空間泄露，設(shè)置由彼此導通的一對扼流槽23和一對扼流槽33形成的扼 流結(jié)構(gòu)，以在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基本上包圍對應的波導。例由扼流槽23a和33a形成的扼流結(jié)構(gòu)在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基本 上包圍波導4a，由扼流槽23b和33b形成的扼流結(jié)構(gòu)在構(gòu)件2和3之間 的附著區(qū)域內(nèi)基本上包圍波導4b,以及由扼流槽23c和33c形成的扼流 結(jié)構(gòu)在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基本上包圍波導4c。
下面參考圖4A和4B描述每對扼流槽23和布置在槽23之間的波導 孔21之間的位置關(guān)系。圖4A是構(gòu)件2的俯視圖，圖4B是大致地沿圖 4A的A - A線截取的截面圖。
如圖4A和4B所示，每個扼流槽23從波導孔21的短邊離開約四分 之一波長V4。扼流槽23在與厚度方向和扼流槽23的延伸方向均正交的 方向上的寬度約等于V4。扼流槽23在厚度方向上的深度約等于V4。此 夕卜，扼流槽23在孔21的短邊的延伸方向上的每個端部在延伸方向上從孔 21伸出約二分之一波長X/2。因此，扼流槽23在延伸方向上的長度比孔 21的短邊的長度長約一個波長X。
下面參考圖5A和5B描述每對扼流槽33和布置在槽33之間的波導 孔31之間的位置關(guān)系。圖5A是構(gòu)件3的仰視圖，圖5B是大致地沿圖 5A的B - B線截取的截面圖。
如圖5A和5B所示，每個扼流槽33從波導孔31的長邊離開約四分 之一波長X/4。扼流槽33在與孔31的長邊正交并且沿著其扼流槽33從波 導孔31的長邊離開的方向上寬度約等于V4。扼流槽33在厚度方向上的 深度約等于V4。此外，扼流槽33在孔31的長邊的延伸方向上的每個端 部在延伸方向上從孔31伸出約二分之一波長(即X/2 )。因此，扼流槽33 在延伸方向上的長度比孔31的長邊的長度長約一個波長3u
圖6A是圖3A所示的器件中的波導和包圍波導的扼流槽的俯視圖， 圖6B是大致沿圖6A的C-C線截取的截面圖。
如圖6A和圖6B所示，在具有彼此附著的構(gòu)件2和3的器件1中， 沿每一個波導4的開口端部的邊延伸的一對扼流槽23和一對扼流槽33 在厚度方向上在槽23和33的端部彼此交疊。該交疊區(qū)域形成具有相同長 度V4的4個邊的正方形形狀。因此，器件1的每一個波導4被一對扼流 槽23和一對扼流槽33形成的扼流結(jié)構(gòu)在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基 本上包圍。
用器件1的這種結(jié)構(gòu)，具有通信信號的電磁波通過每個波導4在與厚 度方向平行的傳播方向上傳輸。所述波具有真空波長l。接著，具有該信號的波從器件l發(fā)射。
器件1的每個波導4被一對扼流槽23和一對扼流槽33形成的扼流結(jié) 構(gòu)在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基本上包圍。每個扼流槽距離波導4 約X/4,并且深度為V4。因此，甚至當在構(gòu)件2和3的表面2a和3a之間 形成小的開口時，器件l也能夠防止電磁波從開口泄露。
因此，代表高頻構(gòu)件組件的器件1能夠有效地傳輸具有信號的波。例 如，具有器件1的雷達M機能夠向目標有效地發(fā)送具有搜索信號的波， 并且能夠有效地接收目標Jl射的具有響應信號的波，以確定目標相對于器 件1的位置。
此外，在截面上具有矩形形狀的每一個扼流槽23或者33形成為直線。 因此，扼流槽具有最簡單的形狀。因此，能夠容易地生產(chǎn)具有扼流槽23 和33的器件1。
另夕卜，能夠容易地設(shè)定每一個扼流槽23或者33的長度，使與一個波 導4對應的每對扼流槽23和每對扼流槽33彼此交疊。因此，每一個波導 4能夠在與厚度方向正交的平面內(nèi)的全部方向上在構(gòu)件2和3之間的附著 區(qū)域內(nèi)被一對扼流槽23和一對扼流槽33形成的扼流結(jié)構(gòu)可靠地包圍。
在本實施例中，任何一對扼流槽23的端部沿設(shè)置在槽23之間的波導 孔21的短邊直線延伸，而任何一對扼流槽33的端部沿設(shè)置在槽33之間 的波導孔31的長邊直線延伸。然而， 一對扼流槽23的端部可以沿i殳置在 槽23之間的波導孔21的長邊直線延伸，而與該對扼流槽23交疊的一對 扼流槽33的端部沿與波導孔21導通的波導孔31的短邊直線延伸。
此外，在本實施例中，構(gòu)件2和3的每一個用導電材料制成。然而， 至少一個高頻構(gòu)件可以由樹脂制成，而包圍波導孔和扼流槽的構(gòu)件的內(nèi)壁 涂有或者鍍有導電材料。在此情況下，包圍每個波導孔的內(nèi)壁的電勢能夠 被設(shè)定為相同電平，包圍每個扼流槽的內(nèi)壁的電勢也能夠被設(shè)定為相同電 平。
第一實施例的修改
在第一實施例中，每一個波導4由朝向波導的開口端部的各個短邊的 兩個直線扼流槽和朝向波導的開口端部的各個長邊的另外兩個直線扼流 槽包圍。然而，至少一個扼流槽可以朝向波導的開口端部的多個邊。
圖7是根據(jù)第 一實施例的第 一修改的各個構(gòu)件2和3的扼流槽之間的 位置關(guān)系的示意圖。如圖7所示， 一個矩形的波導4穿透具有彼此附著的高頻構(gòu)件2和3 的高頻構(gòu)件組件，并且真空波長為X的電磁波通過波導4傳輸。構(gòu)件3具 有在構(gòu)件3的表面3a上開口的扼流槽34。扼流槽34以L形延伸并且朝 向在構(gòu)件2和3之間開口的波導4的端部的一對長邊和短邊。構(gòu)件2具有 在構(gòu)件2的表面2a上開口的扼流槽24。扼流槽24以L形延伸并且朝向 在構(gòu)件2和3之間開口的波導4的端部的另一對長邊和短邊。槽24和34 的每一個設(shè)置為距波導4的距離為X/4。槽24的端部在厚度方向上與槽 34的端部交疊。
用組件的這種結(jié)構(gòu)，對于防止電磁波從構(gòu)件2和3之間的開口空間泄 露，由槽24和34形成的扼流結(jié)構(gòu)在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基本上 包圍波導4。
因此，以與第一實施例類似的方式，該組件能夠有效地防止電磁波從 構(gòu)件2和3之間的開口空間泄露，并且能夠容易地形成組件的槽24和34。
圖8是根據(jù)第一實施例的第二修改的各個構(gòu)件2和3的扼流槽之間的 位置關(guān)系的示意圖。
如圖8所示，高頻構(gòu)件組件的構(gòu)件3具有在構(gòu)件3的表面3a上開口 的扼流槽35。扼流槽35以大約U形延伸并且朝向波導4的一個長邊和兩 個短邊。構(gòu)件2具有直線延伸并且朝向波導4的另一長邊的一個扼流槽 23。槽23和35的每一個設(shè)置為距波導4的距離為X/4。槽23的端部與槽 25的端部在厚度方向上交疊。
用組件的這種結(jié)構(gòu)，對于防止電磁波從構(gòu)件2和3之間的開口空間泄 露，由槽23和35形成的扼流結(jié)構(gòu)在構(gòu)件2和3之間的附著區(qū)域內(nèi)基本上 包圍波導4。
因此，以與第一實施例類似的方式，該組件能夠有效地防止電磁波從 構(gòu)件2和3之間的開口空間泄露，并且能夠容易地形成組件的槽24和35。
在第一實施例中，器件1具有矩形的波導4。然而，器件l可以具有 圓形波導、橢圓形波導等。
圖9A是根據(jù)第一實施例的第三修改的具有圓形波導的高頻構(gòu)件組件 的頂視圖。圖9B是大致沿圖9A的D - D線截取的截面圖，圖9C是大致 沿圖9A的E-E線截取的截面圖。
如圖9A、圖9B和圖9C所示，代表高頻構(gòu)件組件的高頻器件11具 有在厚度方向上彼此堆疊的高頻構(gòu)件2和3。構(gòu)件2具有內(nèi)壁以形成在厚200910006548.6
說明書第9/12頁
度方向上穿透構(gòu)件2的圃形波導孔12a、以及在構(gòu)件2的上表面上開口的 扇形扼流槽13。構(gòu)件3具有內(nèi)壁以形成在厚度方向上穿透構(gòu)件3的圓形 波導孔12b、以及在構(gòu)件3的下表面上開口的扇形扼流槽14。波導孔12a 和12b設(shè)置在與厚度方向正交的同一平面內(nèi)以形成圓形波導12。電磁波 通過波導孔12傳輸。槽13沿在構(gòu)件2的上表面上開口的波導孔12a的端 部的圓形邊延伸，以從孔12a的端部離開四分之一波長(即X/4)。槽14 沿在構(gòu)件3的下表面上開口的波導孔12b的端部的圓形邊延伸，以從孔 12b的端部離開四分之一波長(即V4)。槽13的端部在厚度方向上與槽 14的各個端部交疊。
因此，以與具有圖3A所示的矩形的波導4的器件1類似的方式，由 槽13和14組成的扼流結(jié)構(gòu)能夠可靠地布置在器件11中以在構(gòu)件2和3 之間的附著區(qū)域內(nèi)包圍波導12。
第二實施例
圖10A是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的代表具有波導高頻構(gòu)件組件的 高頻器件的立體側(cè)視圖。圖IOB是圖IOA所示的器件的分解圖。圖10A 所示的高頻器件5用于雷達^ML機。
如圖IOA、圖10B所示，4戈表高頻構(gòu)件組件的器件5具有沿器件5 的厚度方向堆疊的一對高頻構(gòu)件6和7。構(gòu)件6的表面6f和構(gòu)件7的表面 7f在附著區(qū)域內(nèi)用螺絲等彼此附著，以形成高頻構(gòu)件組件。構(gòu)件6由例如 金屬的導電材料制成的波導板6a、附著到板6a的前表面的外圍部分的第 一J4！ 6b、以及附著到板6a的后表面的第二基敗6c組成?；?amp; 6b和6c 的每一個用電介質(zhì)材料制成。板6a具有設(shè)置在板6a的前表面的中部的附 著表面6f。前表面的外圍部分包圍附著表面6f。構(gòu)件7由例如金屬的導 電材料制成的波導板7a和附著到板7a的前表面的第三基& 7b組成。基 板7b用電介質(zhì)材料制成。板7a具有與板7a的前表面相對的附著表面7f。 基板6b以矩形框形狀形成，以在與厚度方向正交的平面內(nèi)包圍板7a。
器件5具有內(nèi)壁以形成多個矩形的波導4 (在本實施例中為3個波導 4a、 4b和4c )。每個波導4在厚度方向上穿透板6a和7a并且以矩形形狀 在與厚度方向正交的平面形成。在與厚度方向正交的平面中的波導4的面 積例如是相同的。真空波長為X的電磁波通過每個波導4在厚度方向上傳 輸。板6a和7a的每一個的厚度設(shè)定為約>74。
板6a具有內(nèi)壁以形成3個波導孔61 (即61a、 61b和61c)。每個波導孔61在厚度方向上穿透板6a。板7a具有內(nèi)壁以形成3個波導孔71(即 71a、 71b和71c)。每個波導孔71在厚度方向上穿透板7a并且與一個波 導孔61導通。彼此導通的波導孔61a和71a形成波導4a。彼此導通的孔 61b和71b形成波導4b。彼此導通的波導孔61c和71c形成波導4c。
板6a具有內(nèi)壁以形成3對扼流孔63 (即63a、 63b和63c )。每個扼 流孔63在厚度方向上穿透板6a。板7a具有內(nèi)壁以形成3對扼流孔(未 示出)。板7a的每個扼流孔在厚度方向上穿透板7a。
在與厚度方向正交的平面內(nèi)的孔61和71的每一個的形狀和大小與圖 3A、圖3B和圖3C所示的孔21和31相同。在與厚度方向正交的平面內(nèi) 的板6a和7a的扼流孔的每一個的形狀和大小與圖3A、圖3B和圖3C所 示的槽23和33相同。此外，板6a和7a的扼流孔對和波導孔61和71之 間的位置關(guān)系與圖3A、圖3B和圖3C所示的扼流槽對23和33和波導孔 21和31之間的位置關(guān)系相同。
在與附著到板7a的第三基敗7b的后表面相對的前表面上形成高頻電 路。該電路具有用于生成作為高頻信號的電磁波的振蕩器、用于將該電磁 波引導到在板7a的前表面上開口的每一個波導4的端部的波導通道、用 于連接每一個波導通道和對應的波導4以向波導4發(fā)送電磁波的變換器。
在與附著到板6a的第一基fe!6b的后表面相對的前表面上形成基帶電 路(未示出)。該電路用通信信號調(diào)制振蕩器的電磁波以產(chǎn)生設(shè)定到基帶 頻率范圍內(nèi)的調(diào)制信號。該調(diào)制信號代表疊加到電磁波上的通信信號。調(diào) 制信號通過波導通道、轉(zhuǎn)換器以及波導4傳遞。
在與附著到板6a的第三基fel 6c的前表面相對的后表面上形成天線 (未示出)。該天線向目標發(fā)射傳過波導4的調(diào)制信號，并且接收通過目 標>^射調(diào)制信號所獲得的響應信號。
在板6a的后表面上開口的每個扼流孔63的端部用基fcl 6c的一部分 覆蓋。因此，孔63具有由基板6c的覆蓋部分所形成的底壁。此外，由銅 薄膜形成的接地導線圖案布置在基仗6c的該覆蓋部分的前表面上。因此， 扼流孔63被導電材料制成的板6a的側(cè)壁以及底壁的接地導線圖案包圍。 即，這些壁的電勢保持在同一值，使得通過用導電材料制成的側(cè)壁以及底 壁包圍的孔63形成深度為的扼流槽63。
板7a的在板7a的前表面上開口的每一個扼流孔的端部^^L 7b的 一部分覆蓋，而由銅薄膜形成的另一接地導線圖案布置在基板7b的該覆
14蓋部分的前表面上。因此，通過用導電材料制成的側(cè)壁以及底壁包圍的扼
流孔形成板7a的深度為X/4的扼流槽。
因此，以與第一實施例相同的方式，因為器件5的每個波導4基本上 被一對扼流槽63和板7a的一對扼流槽形成的扼流結(jié)構(gòu)在構(gòu)件6和7之間 的附著區(qū)域內(nèi)包圍，器件5能夠防止調(diào)制信號從構(gòu)件6和7之間的開口空 間泄露。因此，代表高頻構(gòu)件組件的器件5能夠有效地輸出調(diào)制信號。
此外，通過沖壓加工在板6a或者7a中形成通孔，每個扼流槽能夠容 易地形成。因此，能夠簡化器件5的生產(chǎn)工藝。
另外，不是單一的扼流槽包圍對應的波導4，而是布置在各個構(gòu)件6 和7上的扼流槽包圍對應的波導。因此，能夠容易地形成穿透板6a或者 7a的每個扼流槽而無需支撐構(gòu)件。因此，能夠容易地生產(chǎn)器件5。
第一實施例的第一修改能夠應用于根據(jù)第二實施例的器件5。更具體 地，圖10A和10B所示的器件5可以具有扼流槽24和34來代替板6a和 7a的扼流孑L。
第一實施例的第二^^改能夠應用于才艮據(jù)第二實施例的器件5。更具體 地，圖10A和10B所示的器件5可以具有扼流槽23和35來代替板6a和 7a的扼流孑L
第二實施例的修改
在笫二實施例中，每個扼流孔63的開口端部用在第二基敗6c中形成 的接地導線圖案^A，以從孔63形成扼流槽63。然而，每個扼流孔63 的開口端部可以用波導M蓋，同時對應的波導4穿透波導板。
圖11A是代表根據(jù)第二實施例的修改的具有波導的高頻構(gòu)件組件的 高頻器件10的立體側(cè)視圖，圖11B是圖11A所示的器件的分解圖。
如圖11A和11B所示，高頻器件10與圖10A和圖10B所示的器件5 不同之處在于高頻構(gòu)件6具有代替基板6c的波導板6d。板6d由例如金 屬的導電材料制成。板6d具有在厚度方向上穿透板6d的3個波導孔65 (即65a、 65b和65c )。每個孔65與對應的孔61和71導通，以形成一 個波導4。
因此，每個扼流孔63的在板6a的后表面上開口的端部用板6d覆蓋， 以從孔63形成一個扼流槽63。
用此結(jié)構(gòu)，通過每個波導4傳輸?shù)碾姶挪軌驈钠骷?0經(jīng)由一個導孔65輸出，并且電磁波能夠經(jīng)由一個波導孔65 i^每個波導4。此夕卜， 每個波導4在全部方向上能夠^L板6a和7a的扼流槽在構(gòu)件6和7之間的 附著區(qū)域內(nèi)基本上包圍。
在此修改中，在器件10中布置代替基板6c的波導板6d。然而，可 以在器件10中布置具有3個通孔的金屬波導板代替基fcl 7b來覆蓋在板 7a的前表面上開口的板7a的扼流孔的端部。每個波導4穿透通過金屬波 導板的孔。
在第一和第二實施例中，每個波導4和扼流槽23、 33、 63或者板7a 的扼流槽之間的距離的范圍可以是從0.8x1/4到1.2x^4，每個扼流槽23、 33、 63或者板7a的扼流槽的深度和寬度的范圍可以是從0.8xV4到 1.2x^/4，另外每個扼流槽23、 33、 63或者板7a的扼流槽從對應的波導4 伸出的長度的范圍可以是從0.8xX/2到1.2xV2。
此外，器件1和5的每一個可以具有在高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)被 多個扼流槽基本上包圍的單一的波導。
權(quán)利要求
1、一種高頻構(gòu)件組件，包括第一高頻構(gòu)件，具有第一附著表面；以及第二高頻構(gòu)件，具有附著到第一高頻構(gòu)件的第一附著表面的第二附著表面，以在所述組件的厚度方向上堆疊高頻構(gòu)件，其中第一高頻構(gòu)件包括第一波導孔，在厚度方向上延伸以具有在第一附著表面上開口的第一端部；以及第一扼流槽，在第一附著表面上開口并且沿第一波導孔的第一端部延伸以距離第一波導孔的第一端部預定距離，以及第二高頻構(gòu)件包括第二波導孔，在厚度方向上延伸以具有在第二附著表面上開口的第二端部，并且與第一波導孔導通以從波導孔形成波導，電磁波在厚度方向上通過所述波導傳輸；以及第二扼流槽，在第二附著表面上開口以與第一扼流槽導通，并且沿第二波導孔的第二端部延伸以距離第二波導孔的第二端部所述預定距離，用第一和第二扼流槽在高頻構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)大致地包圍所述波導。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述預定距離大致等于電磁波 的真空波長的四分之一 ，每個扼流槽在厚度方向上的深度大致等于四分之 一波長，每個扼流槽在與所述厚度方向和扼流槽的延伸方向均正交的方向 上的寬度大致等于四分之一波長。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述波導以矩形形狀在高頻構(gòu) 件之間的附著區(qū)域形成，以在波導孔的每個端部形成兩個長邊和兩個短 邊，第一高頻構(gòu)件具有在第一附著表面上開口的兩個第一扼流槽以將第一 波導孔設(shè)置在第一扼流槽之間，每個第一扼流槽沿第一波導孔的一個長邊 延伸，第二高頻構(gòu)件具有在第二附著表面上開口的兩個第二扼流槽以將第二波導孔設(shè)置在第二扼流槽之間，每個第二扼流槽沿第二波導孔的一個短 邊延伸。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述波導以矩形形狀在高頻構(gòu) 件之間的附著區(qū)域形成，以具有高頻構(gòu)件之間的開口端部的兩個長邊和兩個短邊，第一扼流槽沿波導的一個長邊和一個短ii^伸，第二扼流槽沿波 導的另 一個長邊和另 一個短邊延伸。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述波導以矩形形狀在高頻構(gòu) 件之間的附著區(qū)域形成，以具有高頻構(gòu)件之間的開口端部的兩個長邊和兩 個短邊，第一扼流槽沿所述波導的四個邊中的三個邊延伸，第二扼流槽沿 所述波導的剩余ii^伸。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的組件，其中每個高頻構(gòu)件包括波導板，用導電材料制成，并且具有對應的附著表面，對應的每一個 波導孔和對應的每一個扼流槽穿透波導板；以及電介質(zhì)基板，附著到波導板的與所述附著表面相對的第二表面，并且 在覆蓋開口于波導板的第二表面上的扼流槽的端部的部分具有接地導線 圖案，以形成扼流槽的底壁。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的組件，其中每個高頻構(gòu)件包括第一波導板，用導電材料制成，并且具有對應的附著表面，具有從附 著表面穿透到第一波導板的與附著表面相對的第二表面的對應的扼流槽、 以及作為對應的波導孔的一部分的從附著表面穿透到第二表面的第一通 孔；以及第二波導板，用導電材料制成，附著到第一波導板的第二表面并且具有作為波導孔的剩余部分的與第一通孔導通的第二通孔，第二波導M蓋 開口于第一波導板的第二表面上的扼流槽的端部。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的組件，其中 第一高頻構(gòu)件包括第一波導板，用導電材料制成，并且具有第一附著表面，第一波導孔 和第一扼流槽的每一個穿透第一波導板；以及電介質(zhì)基敗，附著到第一波導板的與第一附著表面相對的第二表面， 并且在覆蓋開口于第一波導板的第二表面上的第一扼流槽的端部的部分 具有接地導線圖案，以形成第一扼流槽的底壁，以及第二高頻構(gòu)件包括第二波導板，用導電材料制成，并且具有第二附著表面，具有從第二 附著表面穿透到第二波導板的與第二附著表面相對的第三表面的第二扼流槽、以及作為第二波導孔的一部分的從第二附著表面穿透到第三表面的第一通孔；以及第三波導板，用導電材料制成，附著到第二波導板的第三表面，并且 具有作為第二波導孔的剩余部分的與第二波導板的第一通孔導通的第二 通孔，第三波導板菱蓋開口于第二波導板的第三表面上的第二扼流槽的端部。
9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中第一扼流槽在第一延伸方向上 沿第一波導孔的第 一端部延伸，第二扼流槽在第二延伸方向上沿第二波導 孔的第二端部延伸，并且第一扼流槽的第一延伸方向上的各端部與第二扼 流槽的第二延伸方向上的相應端部在厚度方向上交疊。
全文摘要
本發(fā)明公開一種高頻構(gòu)件組件。所述高頻構(gòu)件組件具有表面彼此附著的兩個高頻構(gòu)件。每個構(gòu)件具有穿透所述構(gòu)件的矩形波導孔和在附著表面上開口的兩個扼流槽。所述波導孔彼此導通以形成矩形波導。電磁波通過所述波導傳輸。每個扼流槽沿在附著表面上開口的波導孔的端部的一側(cè)直線延伸，以從波導孔的端部離開波的四分之一波長。每個扼流槽的深度等于四分之一波長。一個構(gòu)件的扼流槽與另一個構(gòu)件的扼流槽導通，以用扼流槽在構(gòu)件之間的附著區(qū)域內(nèi)大致地包圍所述波導。
文檔編號H01P3/00GK101515659SQ200910006548
公開日2009年8月26日 申請日期2009年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月19日
發(fā)明者藤田晶久 申請人:株式會社電裝