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      一種改良型多芯片雙基島的sot封裝結構的制作方法

      文檔序號:6927912閱讀:216來源:國知局
      專利名稱:一種改良型多芯片雙基島的sot封裝結構的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及集成電路封裝技術領域,具體為一種改良型多芯片雙基島的 SOT封裝結構。
      (二)
      背景技術
      現有的SOT(小外形晶體管)封裝結構,見圖l,其在一個塑封體上有一個基 島,當其需要兩種芯片組合的時候,現有技術是將兩塊芯片分別封裝在兩個的 塑封體上,然后兩個塑封體通過外部連線連接,其性能穩(wěn)定性不強,制造成本 高,且不能滿足電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求。
      (三)

      發(fā)明內容
      針對上述問題,本發(fā)明提供了一種改良型多芯片雙基島的SOT封裝結構, 其性能穩(wěn)定性強,制造成本低,滿足電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求。
      一種改良型多芯片雙基島的SOT封裝結構,其技術方案是這樣的其包括 塑封體、外引腳、芯片、基島,其特征在于所述塑封體上有兩個基島,所述 芯片分別安裝于所述兩個基島上,所述兩個基島對應連接所述外引腳。
      本發(fā)明的上述結構中,由于所述塑封體上有兩個基島,所述芯片分別安裝 于所述兩個基島上,所述兩個基島對應連接所述外引腳,由于其將兩個相關聯(lián) 的芯片安裝在一個塑封體內部的兩個基島上,其性能的穩(wěn)定性得到增強,其由 原來的兩個塑封體縮減為一個塑封體,故其制造成本得到降低,且其滿足電子 行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求。
      (四)


      圖1為現有SOT封裝結構主視圖的示意圖; 圖2為本發(fā)明主視圖的左視圖。
      (五)
      具體實施例方式
      見圖2,其包括塑封體l、外引腳2、芯片3、基島4,塑封體l上有兩個基 島4、 5,芯片3、 6分別安裝于兩個基島4、 5上,兩個基島4、 5對應連接外引 腳2。
      權利要求
      1、一種改良型多芯片雙基島的SOT封裝結構,其包括塑封體、外引腳、芯片、基島,其特征在于所述塑封體上有兩個基島,所述芯片分別安裝于所述兩個基島上,所述兩個基島對應連接所述外引腳。
      全文摘要
      本發(fā)明為一種改良型多芯片雙基島的SOT封裝結構。其性能穩(wěn)定性強,制造成本低,且其能滿足電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求。其包括塑封體、外引腳、芯片、基島,其特征在于所述塑封體上有兩個基島,所述芯片分別安裝于所述兩個基島上,所述兩個基島對應連接所述外引腳。
      文檔編號H01L23/48GK101504941SQ20091002576
      公開日2009年8月12日 申請日期2009年3月9日 優(yōu)先權日2009年3月9日
      發(fā)明者董育智 申請人:無錫紅光微電子有限公司
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