專利名稱：像素單元、共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及像素單元、共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置及制造 方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著對(duì)移動(dòng)信息介質(zhì)需求的增加，正在積極地研究能替代現(xiàn)有陰極射線 管(CRT)的輕薄便于攜帶的液晶顯示器(LCD)。最常用的是扭曲向列(TN)液晶顯示模式， 給其通電后，液晶分子在電場的作用下發(fā)生扭曲，即通過控制液晶分子的排列控制光的通 過。該TN LCD顯示裝置的缺點(diǎn)是視角非常狹窄，這是由液晶分子的各向異性引起的，雖然 通過光學(xué)補(bǔ)償方式可以彌補(bǔ)視角狹窄的缺陷，但必須耗費(fèi)一定的成本。鑒于此提出了一種 廣視角顯示模式的共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置(IPS，In Plane Switching)。例如美國專利申請(qǐng)US2006290286就提供了一種共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置。該共 面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的一個(gè)像素單元，參照?qǐng)D1所示，所述像素單元包括柵極掃描線 112 ；數(shù)據(jù)線115，目的是給像素電極提供電壓；像素電極117，采用例如IT0等透明材料，相 對(duì)于其他不透明金屬電極可以增加開口率或者孔徑比；薄膜晶體管開關(guān)，其包括與柵極掃 描線112相連的柵電極、柵電極上的柵絕緣層以及柵絕緣層上的半導(dǎo)體層114，其源極115a 位于半導(dǎo)體層114上，與數(shù)據(jù)線115相連，其漏極115b通過接觸孔181與像素電極117相 連。所述像素單元還包括公共電極線124、125，公共電極線125和柵極掃描線112為同一種 材料，公共電極線124與像素電極117為同一種材料，公共電極線124通過接觸孔182與公 共電極線125相連。上述像素單元中用來保存電荷的存儲(chǔ)電容為單層結(jié)構(gòu)，其在11-11’方向上的剖面 結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D2所示，所述存儲(chǔ)電容包括下電極190、上電極191以及上下電極間的絕緣層 116。其中，公共電極線125位于襯底111上，其上覆蓋柵絕緣層113，公共電極線125與公 共電極線124如上所述通過接觸孔相連，存儲(chǔ)電容的上電極191位于公共電極線124所在 層，而存儲(chǔ)電容的下電極190位于漏極115b所在層，漏極115b如上所述通過接觸孔與像素 電極117相連。然而，上述像素單元及其存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn)上述像素單元中的像素電極117為透明材料，例如IT0，相對(duì)于其他不透明金屬電 極雖然可以增加開口率或者孔徑比，但當(dāng)液晶顯示裝置工作在常黑模式或黑色畫面時(shí)，不 能顯示完全的黑，原因是在像素電極117和公共電極線124上加電壓時(shí)，像素電極117正上 方未能形成水平電場，造成正上方的液晶分子不能旋轉(zhuǎn)，因而屏幕的對(duì)比度差，影響顯示的品質(zhì)。上述存儲(chǔ)電容為單層結(jié)構(gòu)，若要增加存儲(chǔ)電容的值，需要增加存儲(chǔ)電容區(qū)域的面 積，即增大存儲(chǔ)電容的上下電極的面積。但是增大存儲(chǔ)電容的上下電極的面積會(huì)造成開口 率的減小，因此該存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)對(duì)于需較大存儲(chǔ)電容的場合，其增加開口率的空間很小，也 就是說開口率不能進(jìn)一步的提高。
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而且，由于公共電極線125與上一行像素的掃描線為同一層金屬層，在進(jìn)行蝕刻 的時(shí)候，考慮蝕刻偏差，要防止沿掃描線方向的公共電極線125與上一行像素的掃描線之 間短路，二者之間必須保持4-6um的空間距離，這樣就會(huì)不利于開口率的提高，從而影響顯 示的亮度，使顯示品質(zhì)下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置存在對(duì)比度差以及開口率小的問 題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種像素單元，由配置于襯底上的，彼此交叉的相鄰 掃描線和數(shù)據(jù)線所定義，所述像素單元包括配置于所述襯底上的晶體管，所述晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述晶體管 的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述晶體管的漏極與像素電極連接；以及存儲(chǔ)電容，其中，所述存儲(chǔ)電容由下電極、中間電極、上電極以及各電極間的介質(zhì)層構(gòu)成，所述存儲(chǔ) 電容的下電極、中間電極、上電極分別位于第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層?？蛇x地，還包括擋光條，其位于第一導(dǎo)電層，且與所述像素電極的圖形部分重疊。 且所述擋光條與下電極電性連接?？蛇x地，還包括擋光條，其位于第二導(dǎo)電層，且與所述像素電極的圖形部分重疊。 且所述擋光條與中間電極電性連接。本發(fā)明還提供一種包括上述像素單元的共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置。本發(fā)明還提供一種像素單元的制造方法，包括在襯底上形成第一導(dǎo)電層，并在第一導(dǎo)電層中形成掃描線；在所述第一導(dǎo)電層上形成第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層，并在第二導(dǎo)電層中形成數(shù)據(jù)線；
在所述第二導(dǎo)電層上形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電層，并在第三導(dǎo)電層中形成像素電極，其中，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、及第三導(dǎo)電層的共同對(duì)應(yīng)面分別構(gòu)成存儲(chǔ)電容的 下電極、中間電極以及上電極?？蛇x地，還包括在第一導(dǎo)電層中形成掃描線時(shí)，還形成擋光條，所述擋光條與所 述像素電極的圖形部分重疊。且將所述擋光條與下電極電性連接?？蛇x地，還包括在第二導(dǎo)電層中形成數(shù)據(jù)線時(shí)，還形成擋光條，所述擋光條與所 述像素電極的圖形部分重疊。且將所述擋光條與中間電極電性連接。本發(fā)明還提供一種包括上述像素單元的制造方法的共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置的 制造方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述像素單元、共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置及制造方法具有以下 優(yōu)點(diǎn)通過所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、及第三導(dǎo)電層的共同對(duì)應(yīng)面構(gòu)成存儲(chǔ)電容，在保 持設(shè)計(jì)所需電容值的情況下，減小了存儲(chǔ)電容的面積，從而提高開口率，提高了顯示品質(zhì)。另外，通過設(shè)置擋光條遮擋投射光線，改善了現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝 置工作在常黑模式或黑色畫面時(shí)，不能顯示完全的黑的情況，從而提高了共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置的對(duì)比度。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元的一種實(shí)例示意圖；圖2是圖1所示像素單元在11-11’方向上的剖面示意圖；圖3是本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元的一種實(shí)施例示意圖；圖3a是圖3所示像素單元中數(shù)據(jù)線、遮光條、公共電極、像素電極以及擋光條的一 種形狀示意圖；圖4是圖3所示像素單元在A1-A2方向上的剖面示意圖；圖5是本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元的另一種實(shí)施例示意圖；圖6a是圖5所示像素單元在B1-B2方向上的局部剖面的一種實(shí)例示意圖；圖6b是圖5所示像素單元在B1-B2方向上的局部剖面的另一種實(shí)例示意圖；圖7是圖5所示像素單元中的等效電路示意圖；圖8是本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元制造方法的一種實(shí)施方式 的流程示意圖；圖9a至圖9g是圖8所示制造方法的實(shí)例示意圖。
具體實(shí)施例方式基于現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元在像素電極 處設(shè)置擋光條遮擋投射光線，并通過對(duì)已有像素單元結(jié)構(gòu)的合理調(diào)整，構(gòu)成多層的存儲(chǔ)電 容結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元的一種實(shí)施例包 括襯底(圖未示)；配置于襯底上的掃描線101、數(shù)據(jù)線102、公共電極104以及像素電極 105 ；配置于襯底上的薄膜晶體管107，其柵極與所述掃描線101相連，漏極與像素電極105 相連，源極與數(shù)據(jù)線102相連；遮光條103，所述遮光條103沿?cái)?shù)據(jù)線102方向且靠近數(shù)據(jù)線 102配置于襯底上；以及擋光條108，所述擋光條108沿像素電極105方向配置于襯底上，且 與像素電極105的圖形部分重疊。其中，所述掃描線101位于襯底上的第一導(dǎo)電層，例如所述第一導(dǎo)電層的材料可 以為金屬鋁或者鋁釹合金。所述數(shù)據(jù)線102位于襯底上的第二導(dǎo)電層，例如所述第二導(dǎo)電 層的材料可以為金屬鉬。所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間具有第一介質(zhì)層，所述第一介 質(zhì)層可以包括柵絕緣層和半導(dǎo)體層。所述像素電極105位于第三導(dǎo)電層，其材料可以采用 例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)或氧化銦鎵(IGO)中的一種或組合。所述第二導(dǎo)電 層和第三導(dǎo)電層之間具有第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層可以為保護(hù)絕緣層。所述公共電極 104的材料可以采用例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)或氧化銦鎵(IGO)中的一種或 組合。所述公共電極104選擇透明材料時(shí)，例如氧化銦錫，其與掃描線在不同金屬層中形 成，將有利于開口率的提高，也能改善現(xiàn)有技術(shù)中，需考慮公共電極和上一行像素單元掃描 線在同一蝕刻工藝中的對(duì)位偏差，而使開口率較小的問題。其中，所述擋光條108可以位于第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層，與所述掃描線101或所 述數(shù)據(jù)線102在同一工藝中形成。由于擋光條108的存在，擋光條108處光線不能透過，所
6以可以解決當(dāng)像素電極105和公共電極104加電壓時(shí)，像素電極105正上方未能形成水平 電場，使得正上方的液晶分子不能旋轉(zhuǎn)，當(dāng)液晶顯示裝置工作在常黑模式或黑色畫面時(shí)，不 能顯示完全的黑，屏幕的對(duì)比度差的問題。其中，所述擋光條108還可以與所述像素電極105在靠近薄膜晶體管107的一側(cè) 通過接觸孔連接，這樣可以防止像素電極105斷開導(dǎo)致的缺陷。其中，所述像素電極105沿所述數(shù)據(jù)線102方向的部分，可以用所述擋光條108代 替，所述擋光條108與所述公共電極104沿所述掃描線101方向的部分通過接觸連接。貝1J， 所述擋光條108即擋光又作為像素電極。其中，所述遮光條103也可以位于第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層，與所述掃描線101或 所述數(shù)據(jù)線102第一導(dǎo)電層第二導(dǎo)電層在同一工藝中形成。所述遮光條的存在可以進(jìn)一步 增大開口率。優(yōu)選的，所述遮光條103位于所述第一導(dǎo)電層，與所述掃描線101在同一工藝 中形成；這樣可以使遮光條103與所述數(shù)據(jù)線102靠得很近，甚至有部分重疊，而且，一定程 度的克服蝕刻工藝中的對(duì)位偏差問題。其中，所述遮光條103與所述公共電極104的位置關(guān)系可以是有部分重疊、全部 重疊、完全不重疊。優(yōu)選的，所述遮光條103與所述公共電極104有部分重疊，且公共電極 104未重疊部分位于遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線102的一側(cè)；這樣所述遮光條103還可以起到提高開 口率和對(duì)比度的作用。其中，所述遮光條103還可以與所述公共電極104通過接觸孔連接，可以防止公共 電極線斷開導(dǎo)致的缺陷。其中，所述公共電極104沿所述數(shù)據(jù)線102方向的部分的可以用所述遮光條103 代替，所述遮光條103與所述公共電極104沿所述掃描線101方向的部分通過接觸孔連接。 則，所述遮光條103即擋光又作為公共電極。其中，參照?qǐng)D3a所示，所述數(shù)據(jù)線102、遮光條103、公共電極104、像素電極105以 及擋光條108的形狀均可以為人字形。另外，其形狀也可以是波浪形。當(dāng)上述圖形為人字 形或波浪形時(shí)，可以使液晶盒中的液晶分子處于多疇排列，這有利于液晶顯示裝置視角的提尚。以下通過圖4所示的圖3中像素單元在A1-A2方向上的剖面示意圖，對(duì)所述像素 單元中的存儲(chǔ)電容區(qū)域106進(jìn)行進(jìn)一步說明。結(jié)合圖3和圖4所示，該存儲(chǔ)電容設(shè)計(jì)成三 明治結(jié)構(gòu)，由第一導(dǎo)電層201、第二導(dǎo)電層202、及像素電極105的共同對(duì)應(yīng)面分別構(gòu)成存儲(chǔ) 電容的下電極110、中間電極114以及上電極115。具體地說，上電極115由像素電極105中與第二導(dǎo)電層202的共同對(duì)應(yīng)面構(gòu)成，而 所述像素電極105通過接觸孔109-2與薄膜晶體管107的漏極111電性連接，故上電極115 上的電壓為漏極電壓。中間電極114，由第二導(dǎo)電層202中與像素電極105的共同對(duì)應(yīng)面構(gòu)成，其通過接 觸孔109-3與公共電極104電性連接，故中間電極114上的電壓為公共電極電壓。當(dāng)所述遮光條103位于第二導(dǎo)電層時(shí)，所述遮光條103可以和中間電極114為一 連接的整體，即在工藝中一體形成或具有電性連接。下電極110，由第一導(dǎo)電層201中與第二導(dǎo)電層202的共同對(duì)應(yīng)面構(gòu)成，其通過接 觸孔109-1與像素電極105電性連接，由于像素電極105與薄膜晶體管107的漏極電性連接，故下電極上的電壓為漏極電壓。可選的，所述下電極110也可以與薄膜晶體管107的漏極111通過接觸孔電性連 接，也可以使所述下電極110上的電壓為漏極電壓；這樣就不需要設(shè)置所述接觸孔109-1以 連接下電極110與像素電極105 了。該存儲(chǔ)電容中，上電極115和中間電極114構(gòu)成存儲(chǔ)電容Csl，二者之間為保護(hù)絕 緣層113，所述保護(hù)絕緣層113可以由氮化硅等絕緣材料構(gòu)成。中間電極114和下電極110 構(gòu)成存儲(chǔ)電容Cs2，二者之間為柵絕緣層112，所述柵極絕緣層112可以由氮化硅等絕緣材 料構(gòu)成?？蛇x的，所述中間電極114和所述下電極110之間還可以包括半導(dǎo)體層。存儲(chǔ)電 容Csl、Cs2是并聯(lián)關(guān)系。所以共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置的存儲(chǔ)電容值為Csl、Cs2 二者之 和。因此，從該存儲(chǔ)電容的說明可以看到，在保持存儲(chǔ)電容值不變的基礎(chǔ)上，該存儲(chǔ)電 容結(jié)構(gòu)可以通過減小存儲(chǔ)電容的面積來增加開口率。圖5所示為本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置中的像素單元的另一種實(shí)施例示意 圖。該實(shí)施例的像素單元與圖3所示的像素單元的結(jié)構(gòu)區(qū)別在于，擋光條108與存儲(chǔ)電容 區(qū)域106的中間電極114電性連接，采用本連接方式，所述擋光條108在起到擋光作用的同 時(shí)，進(jìn)一步增大存儲(chǔ)電容值，也進(jìn)一步增加開口率。當(dāng)然，也可以所述擋光條108與所述存儲(chǔ)電容區(qū)域106的下電極110連接，采用這 種連接方式，還可以將中間電極114延伸，與所述擋光條108全部或部分重疊，也可以使所 述擋光條108起到擋光作用的同時(shí)，進(jìn)一步增大存儲(chǔ)電容值，也進(jìn)一步增加開口率。圖6a和圖6b分別為圖5所示像素單元在B1-B2方向上的局部剖面的實(shí)例示意圖， 圖6a對(duì)應(yīng)擋光條108與所述中間電極114的電性連接、圖6b對(duì)應(yīng)擋光條108與所述下電 極110的電性連接。具體地說，結(jié)合圖5和圖6a所示，擋光條108可以位于第二導(dǎo)電層，且與存儲(chǔ)電容 區(qū)域106的中間電極114電性連接。所述擋光條108與像素電極105的共同對(duì)應(yīng)面構(gòu)成存 儲(chǔ)電容Cs3。存儲(chǔ)電容Cs3和存儲(chǔ)電容Csl、Cs2也是并聯(lián)關(guān)系。具體地說，結(jié)合圖5和圖6b所示，擋光條108可以位于第一導(dǎo)電層，且與存儲(chǔ)電容 區(qū)域106的下電極110電性連接。所述擋光條108與中間電極114的延伸部分構(gòu)成存儲(chǔ) 電容Cs3a，所述中間電極114的延伸部分與像素電極105構(gòu)成存儲(chǔ)電容Cs3b，定義Cs3 = Cs3a+Cs3b。存儲(chǔ)電容Cs3和存儲(chǔ)電容Csl、Cs2也是并聯(lián)關(guān)系。圖7為圖5所示像素單元中的等效電路示意圖。對(duì)于上述兩種擋光條108的不同 連接結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D7所示，圖5所示像素單元的電容值都是Clc+Csl+Cs2+Cs3，其中Clc為像 素單元中的液晶電容。因此，在保持存儲(chǔ)電容值不變的基礎(chǔ)上，該存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)相對(duì)于圖3 所示像素單元的存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步減小存儲(chǔ)電容的面積，相應(yīng)也增加了開口率。參照?qǐng)D8所示，本發(fā)明共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置的像素單元制造方法的一種實(shí)施 方式包括步驟sl，在襯底上形成第一導(dǎo)電層，并在第一導(dǎo)電層中形成掃描線；步驟s2，在所述第一導(dǎo)電層上形成第一介質(zhì)層；步驟S3，在所述第一介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層，并在第二導(dǎo)電層中形成數(shù)據(jù)線；步驟s4，在所述第二導(dǎo)電層上形成第二介質(zhì)層；
步驟s5，在所述第二介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電層，并在第三導(dǎo)電層中形成像素電極， 其中，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、及第三導(dǎo)電層的共同對(duì)應(yīng)面分別構(gòu)成存儲(chǔ)電容的 下電極、中間電極以及上電極。通過上述制造方法獲得的像素單元，其存儲(chǔ)電容通過下電極、中間電極以及上電 極的結(jié)構(gòu)，使得總電容值為下電極與中間電極構(gòu)成的存儲(chǔ)電容、中間電極與上電極構(gòu)成的 存儲(chǔ)電容之和。從而在保持存儲(chǔ)電容值不變的基礎(chǔ)上，該存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)可以通過減小存儲(chǔ) 電容的面積來增加開口率。其中，在上述制造方法中還可以包括在第一導(dǎo)電層中形成掃描線時(shí)，還形成擋光 條，所述擋光條與所述像素電極的圖形部分重疊。且將所述擋光條與下電極電性連接。其中，在上述制造方法中還可以包括在第一導(dǎo)電層中形成掃描線時(shí)，還形成遮光 條，所述遮光條與所述像素電極的圖形部分重疊。且將所述遮光條與下電極電性連接。其中，在上述制造方法中還可以包括在第二導(dǎo)電層中形成數(shù)據(jù)線時(shí)，還形成擋光 條，所述擋光條與所述像素電極的圖形部分重疊。且將所述擋光條與中間電極電性連接。其中，在上述制造方法中還可以包括在第二導(dǎo)電層中形成數(shù)據(jù)線時(shí)，還形成遮光 條，所述遮光條與所述像素電極層的圖形部分重疊。且將所述遮光條與中間電極電性連接。上述制造方法中形成的擋光條，在起到擋光作用的同時(shí)，還能進(jìn)一步增大存儲(chǔ)電 容值，也進(jìn)一步增加開口率。以下通過實(shí)例對(duì)上述制造方法的過程進(jìn)行進(jìn)一步說明。結(jié)合圖8和圖9a所示，在玻璃基板或者柔性材料構(gòu)成的襯底11上沉積第一導(dǎo)電 層101，所述第一導(dǎo)電層的材料可以為金屬鋁或者鋁釹合金。結(jié)合圖8和圖9b所示，蝕刻第一導(dǎo)電層201形成所需的掃描線圖形。所述蝕刻可 以為濕法蝕刻。結(jié)合圖8和圖9c所示，在已形成掃描線圖形的第一導(dǎo)電層101上依次沉積柵絕緣 層112、非晶硅層12以及摻雜的非晶硅層13。所述柵絕緣層112的材料可以為氮化硅等絕 緣材料。結(jié)合圖8和圖9d所示，通過干法蝕刻對(duì)非晶硅層12以及摻雜的非晶硅層13進(jìn)行 蝕刻形成所需圖形。結(jié)合圖8和圖9e所示，在圖9d所示結(jié)構(gòu)上沉積第二導(dǎo)電層202。所述第二導(dǎo)電層 的材料可以為金屬鉬。結(jié)合圖8和圖9f所示，通過濕法蝕刻形成數(shù)據(jù)線圖形，以及薄膜晶體管的源漏極 部分，以及存儲(chǔ)電容的中間電極114。結(jié)合圖8和圖9g所示，在圖9f所示結(jié)構(gòu)上沉積保護(hù)絕緣層113，接著蝕刻所述保 護(hù)絕緣層113形成接觸孔，然后沉積第三導(dǎo)電層，并經(jīng)過和蝕刻工藝以形成像素電極105 以及公共電極104，所述像素電極105和所述公共電極104的材料可以采用例如氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)或氧化銦鎵(IGO)中的一種或組合。至此，結(jié)合圖9g和圖4所示，通過所述制造方法獲得的像素單元，其存儲(chǔ)電容區(qū)域 106就形成了由上電極115、中間電極114以及下電極110構(gòu)成的存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明的上述實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層的材料只是舉例說明，只要能起到導(dǎo)電作用，也可以是其它的導(dǎo)電層，如可以導(dǎo)電的金屬氧化物、有機(jī)物等。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種像素單元，由配置于襯底上的，彼此交叉的相鄰掃描線和數(shù)據(jù)線所定義，所述像素單元包括配置于所述襯底上的晶體管，所述晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述晶體管的漏極與像素電極連接；以及存儲(chǔ)電容，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容由下電極、中間電極、上電極以及各電極間的介質(zhì)層構(gòu)成，所述存儲(chǔ)電容的下電極、中間電極、上電極分別位于第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括擋光條，所述擋光條位于所述第 一導(dǎo)電層，且與所述像素電極的圖形部分重疊。
3.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述擋光條與所述下電極電性連接。
4.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，還包括公共電極，所述擋光條與所述公 共電極通過接觸孔連接。
5.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括擋光條，所述擋光條位于所述第 二導(dǎo)電層，且與所述像素電極的圖形部分重疊。
6.如權(quán)利要求5所述的像素單元，其特征在于，所述擋光條與所述中間電極電性連接。
7.如權(quán)利要求5所述的像素單元，其特征在于，還包括公共電極，所述擋光條與所述公 共電極通過接觸孔連接。
8.如權(quán)利要求2或5所述的像素單元，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、像素電極以及擋光條 的形狀為波浪形或人字形。
9.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括遮光條，所述遮光條位于所述第 一導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求9所述的像素單元，其特征在于，所述遮光條與所述數(shù)據(jù)線和所述公共 電極的圖形均有重疊。
11.如權(quán)利要求9所述的像素單元，其特征在于，所述遮光條與所述像素電極通過接觸 孔連接。
12.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括遮光條，所述遮光條位于所述第二導(dǎo)電層。
13.如權(quán)利要求12所述的像素單元，其特征在于，所述遮光條與所述公共電極的圖形有重疊。
14.如權(quán)利要求12所述的像素單元，其特征在于，所述遮光條與所述像素電極通過接 觸孔連接。
15.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述下電極與中間電極間的介質(zhì)層包 括柵絕緣層與半導(dǎo)體層。
16.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述中間電極與上電極間的介質(zhì)層為 保護(hù)絕緣層。
17.—種包括權(quán)利要求1至7、9至16任一項(xiàng)所述的像素單元的共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置。
18.一種像素單元的制造方法，其特征在于，包括在襯底上形成第一導(dǎo)電層，并在第一導(dǎo)電層中形成掃描線；在所述第一導(dǎo)電層上形成第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層，并在第二導(dǎo)電層中形成數(shù)據(jù)線；在所述第二導(dǎo)電層上形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層上形成第三導(dǎo)電層，并在第三導(dǎo)電層中形成像素電極，其中，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、及第三導(dǎo)電層的共同對(duì)應(yīng)面分別構(gòu)成存儲(chǔ)電容的下電 極、中間電極以及上電極。
19.如權(quán)利要求18所述的像素單元的制造方法，其特征在于，還包括在第一導(dǎo)電層中 形成掃描線時(shí)，還形成擋光條，所述擋光條與所述像素電極的圖形部分重疊。
20.如權(quán)利要求19所述的像素單元的制造方法，其特征在于，還包括將所述擋光條與 所述下電極電性連接。
21.如權(quán)利要求18所述的像素單元的制造方法，其特征在于，還包括在第二導(dǎo)電層中 形成數(shù)據(jù)線時(shí)，還形成擋光條，所述擋光條與所述像素電極的圖形部分重疊。
22.如權(quán)利要求21所述的像素單元的制造方法，其特征在于，還包括將所述擋光條與 所述中間電極電性連接。
23.如權(quán)利要求18或21所述的像素單元的制造方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、像素電 極以及擋光條的形狀為波浪形或人字形。
24.如權(quán)利要求18所述的像素單元的制造方法，其特征在于，還包括在第一導(dǎo)電層中 形成掃描線時(shí)，還形成遮光條，在形成所述像素電極時(shí)，還形成公共電極，所述遮光條與所 述公共電極的圖形有重疊。
25.—種包括權(quán)利要求18至22、24任一項(xiàng)所述的像素單元的制造方法的共面轉(zhuǎn)換型液 晶顯示裝置的制造方法。
全文摘要
一種像素單元、共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置及制造方法。所述像素單元由配置于襯底上的，彼此交叉的相鄰掃描線和數(shù)據(jù)線所定義，其包括配置于所述襯底上的晶體管，所述晶體管的柵極與所述掃描線連接，所述晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述晶體管的漏極與像素電極連接；以及存儲(chǔ)電容，由下電極、中間電極、上電極以及各電極間的介質(zhì)層構(gòu)成，所述存儲(chǔ)電容的下電極、中間電極、上電極分別位于第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層。所述像素單元還包括位于第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層，且與所述像素電極的圖形部分重疊的擋光條。所述像素單元及共面轉(zhuǎn)換型液晶顯示裝置減小了存儲(chǔ)電容的面積，從而提高開口率，提高了顯示品質(zhì)，提高了對(duì)比度。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101872770SQ20091005046
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2009年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月27日
發(fā)明者袁劍峰, 黃賢軍 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司