專利名稱：一種芯片裝配方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造中的芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種芯片裝配方法。
背景技術(shù)：
硅片的集成電路制造工藝完成后，通過電測(cè)試的硅片進(jìn)入集成電路制造過程的后 道工序——單個(gè)芯片的裝配和封裝?，F(xiàn)有技術(shù)中，經(jīng)過了電測(cè)試和揀選的硅片通常會(huì)在其 背面，在對(duì)應(yīng)于每個(gè)芯片的位置，利用激光將代表每個(gè)芯片功能、型號(hào)的標(biāo)識(shí)數(shù)碼刻印到硅 片背面淀積的金屬膜上。此后，進(jìn)入到將硅片劃片的程序。在劃片前，將硅片從片架上取出 并按正確的方向放到固定在剛性框架的粘膜上。該粘膜的功用為在硅片被分片為小塊的芯 片時(shí)仍能保持整個(gè)硅片的完整性。劃片后，由于粘膜的粘附作用，硅片仍能夠被完整地轉(zhuǎn)移 進(jìn)行裝架操作。裝架時(shí)，每個(gè)通過了電測(cè)試的合格的芯片被挑選出來，與粘膜剝離，最終被 粘貼到底座或者引線框架上。但在上述將芯片與粘膜剝離時(shí)，由于粘膜的粘附力量較強(qiáng)，通 常會(huì)使芯片背面淀積的金屬膜的邊緣部分脫離，甚至可能會(huì)導(dǎo)致激光在該金屬膜上刻印好 的表明芯片功能、型號(hào)的標(biāo)識(shí)數(shù)碼脫落。請(qǐng)參看圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中芯片與粘膜剝離時(shí) 芯片背面的金屬膜脫落情況的示意圖，由圖1中可見，圖中芯片與粘膜的剝離導(dǎo)致了該芯 片下方兩個(gè)角上較大面積的金屬膜的脫落(如圖中圓圈所標(biāo)示)，且金屬膜脫落的形狀、大 小完全不可控制，使得激光刻印的標(biāo)識(shí)數(shù)碼也有一部分脫落。這樣，金屬膜的過多脫落不但 影響了芯片到底座的導(dǎo)電率，也影響了芯片標(biāo)識(shí)數(shù)碼的完整性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種芯片裝配方法，以解決硅片被劃片后，在裝 架時(shí)，將芯片從粘膜剝離時(shí)芯片背面的金屬膜由于粘膜的粘附力而過多的脫落的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種芯片裝配方法，包括步驟一，在硅片背面對(duì)應(yīng)于每個(gè)芯片的位置做標(biāo)記，并采用凹陷的邊界框標(biāo)出每 一個(gè)芯片的邊界；步驟二，對(duì)硅片進(jìn)行劃片，分離出單個(gè)芯片；最后，裝配所述芯片?？蛇x的，所述步驟一中使用激光在硅片背面淀積的金屬膜上做標(biāo)記。可選的，所述標(biāo)記是用于標(biāo)識(shí)每個(gè)芯片功能、型號(hào)的標(biāo)識(shí)數(shù)碼?？蛇x的，所述步驟一中使用激光在硅片背面淀積的金屬膜上刻印出所述凹陷的邊 界框。可選的，所述步驟二之前還包括將硅片從片架上取出并按正確的方向放到固定 在剛性框架上的粘膜上?？蛇x的，所述步驟二中分離出單個(gè)芯片的步驟具體包括利用粘膜將硅片完整地 轉(zhuǎn)移裝架，每個(gè)通過了電測(cè)試的合格的芯片被挑選出來，與粘膜剝離。可選的，所述粘膜為藍(lán)膜或UV膜。
可選的，裝配所述芯片的步驟包括將分離出的芯片粘貼到底座或者引線框架上。可選的，根據(jù)對(duì)硅片測(cè)試后得出的成品率的高低選擇對(duì)硅片上所有芯片實(shí)施步驟 一或只對(duì)成品芯片實(shí)施步驟一。本發(fā)明提供的芯片裝配方法，由于在硅片測(cè)試后利用激光在每個(gè)芯片背面的金屬 膜上刻印芯片標(biāo)識(shí)數(shù)碼時(shí)，也利用激光在芯片背部的金屬膜上刻印了一個(gè)包含了芯片標(biāo)識(shí) 數(shù)碼的凹下的邊界框，使得硅片被劃片后，其上的各芯片被剝離粘膜時(shí)，芯片背面凹下的邊 界框內(nèi)的金屬膜不會(huì)脫落，這樣有效減少并可控制金屬膜的脫落面積，可保證芯片到底座 的導(dǎo)電率，同時(shí)也很好的保護(hù)了芯片背面標(biāo)識(shí)數(shù)碼的完整性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中芯片與粘膜剝離時(shí)芯片背面的金屬膜脫落情況的示意圖；圖2a 圖2b是本發(fā)明的芯片裝配方法中的激光刻印方法示意圖；圖3a 圖3e是本發(fā)明的芯片裝配方法過程示意圖；圖4是采用本發(fā)明所述芯片裝配方法后芯片與粘膜剝離時(shí)芯片背面的金屬膜脫 落情況的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。本發(fā)明的芯片裝配方法可被廣泛地應(yīng)用到許多工藝中，下面是通過較佳的實(shí)施例 來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一 般的替換無疑地涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說 明，示意圖不依一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定。為清楚說明本發(fā)明的實(shí)施及利用方法，以下將結(jié)合圖2a 圖2b和圖3a 圖3e 共同對(duì)本發(fā)明予以說明。請(qǐng)參看圖3a 圖3e，圖3a 圖3e是本發(fā)明的芯片裝配方法過程示意圖。如圖3a所示，完成了集成電路制造工藝的硅片1，進(jìn)入到了單個(gè)芯片的裝配工序。 圖3a所示的硅片1為已經(jīng)經(jīng)過了電測(cè)試和揀選的硅片。此后，如圖3b所示，在硅片1背面 對(duì)應(yīng)于每個(gè)芯片的位置做標(biāo)記，并采用凹陷的邊界框標(biāo)出每一個(gè)芯片的邊界。作為本發(fā)明 方法的一種實(shí)施例，采用激光5對(duì)硅片1上每個(gè)芯片的背面進(jìn)行標(biāo)記及邊界框的刻印。請(qǐng)參 看圖2a 圖2b，圖2a 圖2b是本發(fā)明的芯片裝配方法中的激光刻印方法示意圖。首先， 為清楚區(qū)分識(shí)別該硅片1上所有芯片的功能、型號(hào)，利用激光5將硅片1上每個(gè)芯片的標(biāo)記 刻印到硅片1背面對(duì)應(yīng)于每個(gè)芯片位置的金屬膜上。硅片1上單個(gè)芯片4背面被激光刻印 好的標(biāo)記如圖2a所示?，F(xiàn)有技術(shù)中，在每個(gè)芯片背面的激光刻印僅限于刻印芯片標(biāo)記，本 發(fā)明的激光刻印方法中，如圖2b所示，利用激光5在每一個(gè)單個(gè)芯片4背部的金屬膜上還 刻印了一個(gè)包含了芯片標(biāo)記的凹陷的邊界框6以標(biāo)出每一個(gè)芯片的邊界。所述邊界框6不 能超過單個(gè)芯片4的邊界，優(yōu)選略小于單個(gè)芯片4的邊界，這樣在其后芯片與粘膜剝離的過 程中可最大程度的保護(hù)芯片背面的金屬膜，減少其脫落面積。
完成了激光刻印之后，硅片1進(jìn)入到劃片的程序，分離出單個(gè)芯片。在劃片前，如 圖3c所示，將硅片1從片架上取出并按正確的方向放到固定在剛性框架2上的粘膜3上。 粘膜3可為藍(lán)膜或UV膜，所述粘膜3具有極強(qiáng)的粘附力，將硅片1固定于剛性框架2上。經(jīng) 劃片后的硅片1如圖3d所示，劃片時(shí)，硅片1雖被分切為單個(gè)的芯片，但由于粘膜3并未被 完全切割，所以由于粘膜3的粘附作用，硅片1在被分片為小塊的芯片后仍能保持整個(gè)硅片 的完整性。因而，劃片后，利用粘膜3，硅片1仍能夠被完整地轉(zhuǎn)移進(jìn)行裝架操作。如圖3e 所示，裝架時(shí)，每個(gè)通過了電測(cè)試的合格的單個(gè)芯片4被挑選出來，與粘膜3剝離，最終被粘 貼到底座或者引線框架上，完成對(duì)分離出的單個(gè)芯片4的裝配。在將單個(gè)芯片4與粘膜3剝離時(shí)，由于粘膜3的粘附力量較強(qiáng)，通常會(huì)使單個(gè)芯片 4背面淀積的金屬膜的邊緣部分脫離，但由于圖2b中所示的利用激光刻印的凹下的邊界框 6的存在，金屬膜的脫離將不可能逾越凹下的邊界框6，這樣很好的保護(hù)了單個(gè)芯片4背面 標(biāo)識(shí)數(shù)碼的完整性，并可有效減少并控制金屬膜的脫落面積，因而也保證了單個(gè)芯片4到 底座的導(dǎo)電率。本發(fā)明所述的芯片裝配方法中，可以根據(jù)對(duì)硅片測(cè)試后得出的成品率的高低選擇 對(duì)硅片上所有芯片的背面作標(biāo)記并采用凹陷的邊界框標(biāo)出每一個(gè)芯片的邊界或只對(duì)成品 芯片的背面作標(biāo)記并采用凹陷的邊界框標(biāo)出每一個(gè)芯片的邊界。圖4為實(shí)際操作中采用本發(fā)明所述芯片裝配方法后芯片與粘膜剝離時(shí)芯片背面 的金屬膜脫落情況的示意圖。從圖4中可看出，該芯片與粘膜剝離后的標(biāo)識(shí)數(shù)碼非常完整， 芯片背面金屬膜的脫落面積非常小且所脫落之處均在激光刻印的凹下的邊界框之外。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
一種芯片裝配方法，包括步驟一，在硅片背面對(duì)應(yīng)于每個(gè)芯片的位置做標(biāo)記，并采用凹陷的邊界框標(biāo)出每一個(gè)芯片的邊界；步驟二，對(duì)硅片進(jìn)行劃片，分離出單個(gè)芯片；最后，裝配所述芯片。
2.如權(quán)利要求1所述芯片裝配方法，其特征在于，所述步驟一中使用激光在硅片背面 淀積的金屬膜上做標(biāo)記。
3.如權(quán)利要求1或2所述芯片裝配方法，其特征在于，所述標(biāo)記是用于標(biāo)識(shí)每個(gè)芯片功 能、型號(hào)的標(biāo)識(shí)數(shù)碼。
4.如權(quán)利要求1所述芯片裝配方法，其特征在于，所述步驟一中使用激光在硅片背面 淀積的金屬膜上刻印出所述凹陷的邊界框。
5.如權(quán)利要求1所述芯片裝配方法，其特征在于，所述步驟二之前還包括將硅片從片 架上取出并按正確的方向放到固定在剛性框架上的粘膜上。
6.如權(quán)利要求5所述芯片裝配方法，其特征在于，所述步驟二中分離出單個(gè)芯片的步 驟具體包括利用粘膜將硅片完整地轉(zhuǎn)移裝架，每個(gè)通過了電測(cè)試的合格的芯片被挑選出 來，與粘膜剝離。
7.如權(quán)利要求5所述芯片裝配方法，其特征在于，所述粘膜為藍(lán)膜或UV膜。
8.如權(quán)利要求1所述芯片裝配方法，其特征在于，裝配所述芯片的步驟包括將分離出 的芯片粘貼到底座或者引線框架上。
9.如權(quán)利要求1所述芯片裝配方法，其特征在于，根據(jù)對(duì)硅片測(cè)試后得出的成品率的 高低選擇對(duì)硅片上所有芯片實(shí)施步驟一或只對(duì)成品芯片實(shí)施步驟一。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種芯片裝配方法，在硅片測(cè)試后利用激光在每個(gè)芯片背面的金屬膜上刻印芯片標(biāo)識(shí)數(shù)碼時(shí)，也利用激光在芯片背部的金屬膜上刻印了一個(gè)包含了芯片標(biāo)識(shí)數(shù)碼的凹下的邊界框，使得硅片被劃片后，其上的各芯片被剝離粘膜時(shí)，芯片背面邊界框內(nèi)的金屬膜不會(huì)脫離，這樣有效減少并可控制金屬膜的脫離面積，可保證芯片到底座的導(dǎo)電率，同時(shí)也很好的保護(hù)了芯片背面標(biāo)識(shí)數(shù)碼的完整性。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101894763SQ20091005155
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2009年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月19日
發(fā)明者李德君 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司