專利名稱：Mos晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及MOS晶體管的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工業(yè)朝更小、速度更快的器件發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征橫向尺寸和深 度逐漸減小，對(duì)器件性能要求越來越高。在專利號(hào)為US6512273的美國專利中公開了一種MOS晶體管的制作方法，通過對(duì) N溝道的晶體管形成多晶硅側(cè)墻，對(duì)ρ溝道的晶體管形成氮化硅側(cè)墻，從而優(yōu)化每種器件的 驅(qū)動(dòng)電流以提高η溝道器件的熱載流子壽命。在專利號(hào)為US5869379的美國專利中公開了一種MOS晶體管的制作方法，通過在 多晶硅柵電極兩側(cè)形成空氣側(cè)墻，來降低相鄰柵電極之間的橫向耦合電容，同時(shí)降低柵電 極和源極/漏極之間的耦合電容。因此，可以看出，現(xiàn)有技術(shù)作出了各種努力，以獲得高性能的MOS晶體管。然而隨著MOS晶體管的尺寸的持續(xù)縮小，柵介質(zhì)層的厚度和電壓源電壓并沒有按 比例縮小，這使得難以抑制短溝道(SCE)效應(yīng)所引起的器件性能的退化。因此，需要制備超 淺結(jié)(USJ)來抑制短溝道效應(yīng)，然而，這會(huì)增加降低漏極結(jié)電容和結(jié)漏電流的困難，尤其對(duì) 于nMOS晶體管來說，由于電壓源電壓并沒有按比例縮小，在漏極/暈環(huán)(Halo)之間結(jié)區(qū)具 有較高電場，尤其當(dāng)采用較高摻雜濃度的暈環(huán)注入的時(shí)候。專利號(hào)為6624014的美國專利公開了一種形成MOS晶體管的方法，該方法中為了 形成P+/N型和N+/P型超淺結(jié)，通過在具有柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底上沉積一層氮化硅層作 為一個(gè)緩沖層，然后再向半導(dǎo)體襯底中的摻雜阱內(nèi)進(jìn)行離子注入，可以克服現(xiàn)有技術(shù)的低 能注入的困難。現(xiàn)有技術(shù)還公開了一種形成MOS晶體管的方法，請(qǐng)參照?qǐng)D1，包括步驟S101，提供 半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)將半導(dǎo)體襯底分為不同的有源 區(qū)，在所述有源區(qū)內(nèi)形成摻雜阱，在摻雜阱內(nèi)進(jìn)行調(diào)整閾值電壓注入；S103，在半導(dǎo)體襯底 上形成柵極結(jié)構(gòu)；步驟S105，進(jìn)行低摻雜漏極(LDD)注入和暈環(huán)注入；步驟S107，進(jìn)行第一 退火；步驟S109，形成側(cè)墻；步驟S111，進(jìn)行重?fù)诫s源/漏極注入；進(jìn)行第二退火。當(dāng)然現(xiàn)有的形成MOS晶體管的工藝中還包括更多的步驟，此處沒有一一列舉。在上述形成MOS晶體管的方法中，為了防止源極和漏極之間出現(xiàn)穿通(overrun) 和抑制短溝道效應(yīng)，將形成源/漏極的注入分成兩個(gè)步驟，即低摻雜漏極注入和重?fù)诫s源/ 漏極注入，然而在上述方法中，對(duì)于低摻雜漏極注入所形成的注入?yún)^(qū)需要經(jīng)歷至少兩次的 退火，而每多一次退火，將增加注入的離子的擴(kuò)散區(qū)域，將難以形成超淺結(jié)且不易控制橫向 擴(kuò)散。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種MOS晶體管的制作方法，以形成具有超淺結(jié)的MOS晶體管。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種MOS晶體管的制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯 底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層和多晶硅層；利用輔助掩膜版對(duì)第一介質(zhì)層和多 晶硅層進(jìn)行第一刻蝕，形成輔助硬掩膜層；對(duì)輔助硬掩膜層中的多晶硅層進(jìn)行氧化，在多晶 硅層外圍形成第一氧化層；進(jìn)行第一注入，形成重?fù)诫s源/漏極；進(jìn)行第一退火；去除第一 氧化層；刻蝕輔助硬掩膜層，形成多晶硅柵電極和柵介質(zhì)層；對(duì)多晶硅柵電極進(jìn)行第二氧 化，形成第二氧化層；在半導(dǎo)體襯底上、多晶硅柵電極兩側(cè)形成第一側(cè)墻；進(jìn)行第二注入， 形成低摻雜源/漏極；進(jìn)行第二退火。所述輔助硬掩膜層的在溝道長度方向上的大小為待形成的MOS晶體管的重?fù)诫s 源/漏極之間的距離。所述第一退火為尖峰退火，退火的溫度范圍為900至1030攝氏度，溫度上升速率 為250至300攝氏度每秒、下降速率為250至300攝氏度每秒。所述第二退火為尖峰退火，退火的溫度范圍為950至1070攝氏度，溫度上升速率 為180至250攝氏度每秒，下降速率為180至250攝氏度每秒。所述第一退火采用激光退火，退火的溫度范圍為1200至1300攝氏度，退火時(shí)間 10 60毫秒。所述退火時(shí)通入的氣體為惰性氣體或者氮?dú)?。通入所述惰性氣體的流量為0. 3至9升每分鐘。通入氮?dú)獾牧髁繛?. 3至9升每分鐘。通入氮?dú)獾牧髁繛?. 3至5升每分鐘。還包括在半導(dǎo)體襯底上形成第二介質(zhì)層步驟，所述形成第二介質(zhì)層步驟在第一注 入之后、第一退火之前進(jìn)行。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)通過調(diào)整MOS晶體管的工藝，先形成 重?fù)诫s源/漏極，再形成低摻雜源/漏極，由于低摻雜源/漏極形成在后，其注入?yún)^(qū)僅經(jīng)歷 一次退火，不會(huì)由于經(jīng)過過長時(shí)間的退火引起擴(kuò)散面積過大，有利于形成超淺結(jié)；通過對(duì)第一退火和第二退火工藝進(jìn)行改進(jìn)，總體上降低了器件的熱預(yù)算，而且能 夠足夠滿足激活離子并使其擴(kuò)散均勻的目的。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的形成CMOS器件的流程示意圖；圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成CMOS器件的流程示意圖；圖3至圖12是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的形成nMOS晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是現(xiàn)有技術(shù)、和本發(fā)明的優(yōu)化的LDD注入?yún)^(qū)的分布輪廓(profile)；圖14是現(xiàn)有技術(shù)、本發(fā)明的MOS晶體管的關(guān)閉電流(Ioff)與漏極飽和電流 (Idsat)之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式如前所述，基于上述實(shí)驗(yàn)研究和理論推導(dǎo)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的LDD 注入?yún)^(qū)需要經(jīng)歷至少兩次退火，難以形成超淺結(jié)并且難以進(jìn)行橫向擴(kuò)散控制?；谏鲜霭l(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的發(fā)明人通過改變工藝將LDD注入?yún)^(qū)僅進(jìn)行一次退火，并且對(duì)退火工藝進(jìn)行了 改進(jìn)，以降低LDD注入離子的深度方向的擴(kuò)散，在該技術(shù)方案下，并沒有象以往技術(shù)那樣 降低LDD注入的劑量或者能量來形成淺結(jié)，因此可以防止LDD注入?yún)^(qū)的離子擴(kuò)散面積過 大，有利于形成超淺結(jié)；同時(shí)由于沒有降低注入能量和劑量，可以保持LDD注入?yún)^(qū)的較低電 阻，較高的漏極飽和電流，從而抑制短溝道效應(yīng)；而且采用該方案可以克服源/漏極的穿通 (overrun)，這樣可以增加源/漏極的注入窗口以降低有源區(qū)電阻、增加漏極飽和電流，而 不會(huì)出現(xiàn)穿通問題并引起器件性能的退化。以下通過附圖詳細(xì)地描述具體實(shí)施例，上述的目的和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將更加清楚本發(fā)明首先提供一種MOS晶體管的制作方法，具體請(qǐng)參照?qǐng)D2，包括執(zhí)行步驟 S101，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層和多晶硅層；執(zhí)行步驟S103， 利用輔助掩膜版對(duì)第一介質(zhì)層和多晶硅層進(jìn)行第一刻蝕，形成輔助硬掩膜層；執(zhí)行步驟 S105，對(duì)輔助硬掩膜層中的多晶硅層進(jìn)行氧化，在多晶硅層的外圍形成第一氧化層；執(zhí)行 步驟S107，進(jìn)行第一注入，形成重?fù)诫s源/漏極；執(zhí)行步驟S109，進(jìn)行第一退火；執(zhí)行步驟 S111，去除第一氧化層；執(zhí)行步驟S113，刻蝕輔助硬掩膜層，形成多晶硅柵電極和柵介質(zhì) 層；執(zhí)行步驟Sl 15，對(duì)多晶硅柵電極進(jìn)行第二氧化，在多晶硅柵電極的外圍形成第二氧化 層；執(zhí)行步驟S117，在半導(dǎo)體襯底上的多晶硅柵電極兩側(cè)形成第一側(cè)墻；執(zhí)行步驟S119，進(jìn) 行第二注入，形成低摻雜源/漏極；執(zhí)行步驟S121，進(jìn)行第二退火。下面結(jié)合圖3至圖13詳細(xì)描述本發(fā)明的形成MOS晶體管工藝，本實(shí)施例中，以 nMOS晶體管的形成工藝為例加以說明。首先參照?qǐng)D3，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)101， 所述隔離結(jié)構(gòu)101將半導(dǎo)體襯底100分為待形成MOS晶體管的不同有源區(qū)(未標(biāo)記)。所 述半導(dǎo)體襯底100的導(dǎo)電類型可以為η型或者P型，通常采用P型。所述半導(dǎo)體襯底100上還形成有墊氧化層103，用于后續(xù)在注入離子形成摻雜阱 工藝中保護(hù)注入的離子，防止注入離子溢出。在半導(dǎo)體襯底100的有源區(qū)內(nèi)引入第一離子，形成摻雜阱102。所述第一離子與該 有源區(qū)待形成的MOS晶體管的種類有關(guān)，若待形成的MOS晶體管的溝道導(dǎo)電類型為η型，則 第一離子為P型，比如通常為硼離子；若待形成的MOS晶體管的溝道導(dǎo)電類型為ρ型，則第 一離子為η型，比如通常為磷離子。本實(shí)施例中的MOS晶體管為η型，故摻雜阱的導(dǎo)電類型 應(yīng)為P型。同時(shí)，摻雜阱102的結(jié)構(gòu)還可以包括多種，不限于本實(shí)施例中圖示單一的摻雜阱 102結(jié)構(gòu)，可以為三阱結(jié)構(gòu)，比如若半導(dǎo)體襯底為ρ型，則可以注入η型離子形成第一摻雜 阱，該第一摻雜阱內(nèi)可以形成P型MOS晶體管，然后在第一摻雜阱內(nèi)的nMOS晶體管區(qū)域注 入P型離子，形成第二摻雜阱，然后在該第二摻雜阱內(nèi)形成η型MOS晶體管。接著，參照?qǐng)D4，在半導(dǎo)體襯底100的摻雜阱102內(nèi)引入第二離子，以調(diào)整待形成的 MOS晶體管的閾值電壓。通常，在有源區(qū)引入第二離子通過注入形成。注入第二離子之后，在隔離阱102內(nèi)的MOS晶體管的溝道區(qū)內(nèi)形成第二離子區(qū) 104。同時(shí)，該第二離子區(qū)104還延伸到溝道兩側(cè)的低摻雜源/漏極內(nèi)。同樣在該步驟中，實(shí)際上可以直接采用形成隔離阱的掩膜版，即起調(diào)整閾值電壓 作用的注入的第二離子可以不限于僅注入在待形成的MOS晶體管的溝道區(qū)域，即使注入至溝道兩側(cè)的低摻雜源/漏極同樣不會(huì)帶來不良效果。所述第二離子根據(jù)待形成的M0S晶體管種類不同而不同，若待形成的M0S晶體管 的溝道導(dǎo)電類型為n型，則第二離子為P型，比如可以為硼離子或者銦離子；若待形成的 M0S晶體管的溝道導(dǎo)電類型為p型，則第二離子為n型，比如可以為磷離子或者砷離子。通常在形成摻雜阱102和第二離子區(qū)104的之后，需要對(duì)注入的離子進(jìn)行退火，以 使其擴(kuò)散均勻，該技術(shù)為本領(lǐng)域公知技術(shù)，在此不再詳述。參照?qǐng)D5，去除墊氧化層103 ；在半導(dǎo)體襯底100上形成介第一質(zhì)層106和多晶硅 層 107。所述第一介質(zhì)層106可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他高k材料，所述第一 介質(zhì)層106的厚度范圍主要根據(jù)器件的應(yīng)用電壓范圍確定。參照?qǐng)D6，利用輔助掩膜版對(duì)第一介質(zhì)層106和多晶硅層107進(jìn)行第一刻蝕，形成 輔助硬掩膜層。所述輔助硬掩膜層的在溝道長度方向上的大小為待形成的M0S晶體管的重?fù)诫s 源/漏極之間的距離。此處對(duì)第一介質(zhì)層106和多晶硅層107進(jìn)行第一刻蝕的步驟與現(xiàn)有技術(shù)的直接刻 蝕形成柵極結(jié)構(gòu)不同，而是比實(shí)際需要的柵極結(jié)構(gòu)尺寸要稍微大一些，具體的相當(dāng)于待形 成的M0S晶體管的重?fù)诫s源/漏極之間的距離，因此包含刻蝕后的多晶硅層107和第一介 質(zhì)層106的輔助硬掩膜層的作用主要是用于掩膜。參照?qǐng)D7，對(duì)輔助硬掩膜層中的多晶硅層107進(jìn)行氧化，在多晶硅層107的外圍形 成第一氧化層108。形成第一氧化層108的目的為對(duì)多晶硅層進(jìn)行保護(hù)。在對(duì)多晶硅層107氧化的同時(shí)，半導(dǎo)體襯底100也被氧化，因此在其上也形成有第 一氧化層108。參照?qǐng)D8，進(jìn)行第一注入，形成重?fù)诫s源/漏極109。接著，對(duì)第一注入后形成的重?fù)诫s源/漏極109進(jìn)行第一退火，以使重?fù)诫s源/漏 極109內(nèi)的離子擴(kuò)散均勻。所述第一退火為尖峰退火，退火的溫度范圍為900至1030攝氏度，溫度上升速率 為250至300攝氏度每秒，下降的速率為250至300攝氏度每秒。所述退火時(shí)通入的氣體 為惰性氣體或者氮?dú)?，通入所述惰性氣體的流量為0. 3至9升每分鐘，若通入氣體為氮?dú)猓?氮?dú)獾牧髁繛?. 3至9升每分鐘，但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，若通入的氮?dú)膺^多，可能將氮離子引入 器件，影響器件的性能，因此進(jìn)一步優(yōu)化地，所述氮?dú)獾牧髁繛?. 3至5升每分鐘。所述第一退火還可以采用激光退火，退火的溫度范圍為1200至1300攝氏度，退火 時(shí)間10 60毫秒。進(jìn)一步優(yōu)化地，所述退火溫度范圍為1250至1280攝氏度，退火時(shí)間 30 50毫秒，可以更好地激活注入離子的同時(shí)防止擴(kuò)散面積過大。參照?qǐng)D9，去除第一氧化層108。所述去除第一氧化層108可以采用干法或者濕法 刻蝕，在此不加詳述。參照?qǐng)D10，刻蝕輔助硬掩膜層，形成柵介質(zhì)層110和多晶硅柵電極111。在該步驟中形成的柵介質(zhì)層110和多晶硅柵電極111沿M0S晶體管的溝道長度方 向的尺寸相當(dāng)于溝道長度尺寸。
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參照?qǐng)D11，對(duì)多晶硅柵電極111進(jìn)行第二氧化，在多晶硅柵電極111的外圍形成第 二氧化層112。形成第二氧化層112的目的為對(duì)多晶硅層進(jìn)行保護(hù)。在對(duì)多晶硅柵電極111氧化 的同時(shí)，半導(dǎo)體襯底100也被氧化，因此在其上也形成有第二氧化層112。接著，在半導(dǎo)體襯底100上、多晶硅柵電極111的兩側(cè)形成第一側(cè)墻113，所述第一 側(cè)墻113可以為氧化硅或者氮化硅，通常采用氧化硅。參照?qǐng)D12，在半導(dǎo)體襯底100內(nèi)進(jìn)行第二注入，形成低摻雜源/漏極114。 通常，在形成低摻雜源/漏極114之前或者之后還進(jìn)行暈環(huán)注入(Halo)，所述暈環(huán) 注入步驟在第二注入之前或者之后進(jìn)行。進(jìn)行暈環(huán)注入為本技術(shù)領(lǐng)域人員公知技術(shù)，在此 不再詳述。然后，對(duì)低摻雜源/漏極114進(jìn)行第二退火。所述第二退火為尖峰退火，退火的溫 度范圍為950至1070攝氏度，溫度上升速率為180至250攝氏度每秒，溫度下降速率為180 至250攝氏度每秒。所述退火時(shí)通入的氣體為惰性氣體或者氮?dú)?，通入所述惰性氣體的流 量為0. 3至9升每分鐘，若通入氣體為氮?dú)?，氮?dú)獾牧髁繛?. 3至9升每分鐘，進(jìn)一步優(yōu)化， 氮?dú)獾牧髁繛?. 3至5升每分鐘。通常，在進(jìn)行第二退火之后還包括在半導(dǎo)體襯底100上、多晶硅柵電極111兩側(cè)的 第一側(cè)墻上形成第二側(cè)墻步驟以及形成硅化物步驟。形成第二側(cè)墻和形成硅化物為本技術(shù) 領(lǐng)域人員公知技術(shù)，在此不再詳述。上述實(shí)施例中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明先進(jìn)行重?fù)诫s源/漏極離子注入、然后再 進(jìn)行低摻雜源/漏極離子注入，由于低摻雜源/漏極注入的離子只經(jīng)過最后一次退火工藝， 降低了工藝控制和器件性能調(diào)制的難度，避免了現(xiàn)有技術(shù)中必須經(jīng)過重?fù)诫s源/漏極注入 的退火所導(dǎo)致的雜質(zhì)再分布，從而使得器件短溝到效應(yīng)可得到明顯改善。而且，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明對(duì)先進(jìn)行重?fù)诫s源/漏極離子注入采用低溫尖峰 退火或激光退火激活雜質(zhì)，消除了由于重?fù)诫s源/漏極離子注入產(chǎn)生的晶體缺陷所引起的 瞬時(shí)增強(qiáng)擴(kuò)散，改善了器件電容特性和截至工作頻率；然后再對(duì)低摻雜源/漏極離子注入 進(jìn)行退火并優(yōu)化了退火工藝，來達(dá)到激活低摻雜源/漏極離子和控制結(jié)深特性，由于低摻 雜源/漏極只經(jīng)過最后一次退火工藝，這樣進(jìn)一步降低了工藝控制和器件性能調(diào)制的難 度，避免了現(xiàn)有技術(shù)中必須經(jīng)過重?fù)诫s源/漏極退火所導(dǎo)致的雜質(zhì)再分布，從而使得器件 短溝到效應(yīng)可得到明顯改善。上述實(shí)施例僅給出形成M0S晶體管的主要工藝，可能還包括其他工藝，比如在半 導(dǎo)體襯底上形成第二介質(zhì)層(SAB)步驟，所述形成第二介質(zhì)層步驟在第一注入之后、第一 退火之前進(jìn)行，形成第二介質(zhì)層目的為防止后續(xù)退火工藝中，注入在半導(dǎo)體襯底100內(nèi)的 離子逸出，或者在半導(dǎo)體襯底100內(nèi)引入雜質(zhì)。所述第二介質(zhì)層可以為氧化硅、氮化硅等材 料，通常采用氧化硅。本發(fā)明通過調(diào)整M0S晶體管的工藝，先形成重?fù)诫s源/漏極109，再形成低摻雜源 /漏極114，并且對(duì)第一退火和第二退火工藝進(jìn)行了改進(jìn)，總體上降低了器件的熱預(yù)算，而 且能夠足夠滿足激活離子并使其擴(kuò)散均勻的目的；而且由于低摻雜源/漏極114形成在后， 其注入?yún)^(qū)僅經(jīng)歷一次退火，不會(huì)由于經(jīng)過過長時(shí)間的退火引起擴(kuò)散面積過大，有利于形成 超淺結(jié)。
采用美國斯諾費(fèi)斯(Synopsys)公司的TCAD模擬軟件中的TSUPREM4和MEDICI環(huán) 境下分別對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件進(jìn)行模擬。模擬的工藝條件為65nm，半導(dǎo)體襯底為硅。圖13給出現(xiàn)有技術(shù)(曲線I)、和本發(fā)明的優(yōu)化的(曲線II)LDD注入?yún)^(qū)的分布輪 廓(profile)。橫坐標(biāo)d(i!m)表示沿半導(dǎo)體襯底表面向內(nèi)的深度，縱坐標(biāo)為注入的離子濃 度A(此實(shí)施例中為As)的對(duì)數(shù)(cm—3)。可以看出本發(fā)明的優(yōu)化后的工藝注入的As離子的 擴(kuò)散深度較小。參照?qǐng)D14給出現(xiàn)有技術(shù)(曲線I)、本發(fā)明(曲線II)形成的M0S晶體管的關(guān)閉電 流(Ioff)與漏極飽和電流(Idsat)之間的關(guān)系?？梢钥闯?，本發(fā)明形成的M0S晶體管的關(guān) 閉電流比現(xiàn)有技術(shù)的降低了 30%。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種MOS晶體管的制作方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層和多晶硅層；利用輔助掩膜版對(duì)第一介質(zhì)層和多晶硅層進(jìn)行第一刻蝕，形成輔助硬掩膜層；對(duì)輔助硬掩膜層中的多晶硅層進(jìn)行氧化，在多晶硅層外圍形成第一氧化層；進(jìn)行第一注入，形成重?fù)诫s源/漏極；進(jìn)行第一退火；去除第一氧化層；刻蝕輔助硬掩膜層，形成多晶硅柵電極和柵介質(zhì)層；對(duì)多晶硅柵電極進(jìn)行第二氧化，形成第二氧化層；在半導(dǎo)體襯底上、多晶硅柵電極兩側(cè)形成第一側(cè)墻；進(jìn)行第二注入，形成低摻雜源/漏極；進(jìn)行第二退火。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助硬掩膜層的在 溝道長度方向上的大小為待形成的M0S晶體管的重?fù)诫s源/漏極之間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一退火為尖峰退 火，退火的溫度范圍為900至1030攝氏度，溫度上升速率為250至300攝氏度每秒、下降速 率為250至300攝氏度每秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一退火采用激光 退火，退火的溫度范圍為1200至1300攝氏度，退火時(shí)間10 60毫秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二退火為尖峰退 火，退火的溫度范圍為950至1070攝氏度，溫度上升速率為180至250攝氏度每秒，下降速 率為180至250攝氏度每秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火時(shí)通入的 氣體為惰性氣體或者氮?dú)狻?br> 7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，通入所述惰性氣體的流 量為0.3至9升每分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，通入氮?dú)獾牧髁繛?.3 至9升每分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，通入氮?dú)獾牧髁繛?.3 至5升每分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的M0S晶體管的制作方法，其特征在于，還包括在半導(dǎo)體襯底 上形成第二介質(zhì)層步驟，所述形成第二介質(zhì)層步驟在第一注入之后、第一退火之前進(jìn)行。
全文摘要
一種MOS晶體管的制作方法，包括對(duì)第一介質(zhì)層和多晶硅層進(jìn)行第一刻蝕，形成輔助硬掩膜層；對(duì)輔助硬掩膜層中的多晶硅層進(jìn)行氧化，形成第一氧化層；進(jìn)行第一注入，形成重?fù)诫s源/漏極；進(jìn)行第一退火；去除第一氧化層；刻蝕輔助硬掩膜層，形成多晶硅柵電極和柵介質(zhì)層；對(duì)多晶硅柵電極進(jìn)行第二氧化，形成第二氧化層；在半導(dǎo)體襯底上、多晶硅柵電極兩側(cè)形成第一側(cè)墻；進(jìn)行第二注入，形成低摻雜源/漏極；進(jìn)行第二退火。本發(fā)明通過調(diào)整MOS晶體管的工藝，先形成重?fù)诫s源/漏極，再形成低摻雜源/漏極，由于低摻雜源/漏極形成在后，其注入?yún)^(qū)僅經(jīng)歷一次退火，不會(huì)由于經(jīng)過過長時(shí)間的退火引起擴(kuò)散面積過大，有利于形成超淺結(jié)。
文檔編號(hào)H01L21/28GK101930924SQ200910054100
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月26日
發(fā)明者趙猛 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司