專利名稱：加熱腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其涉及一種加熱腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，如PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、半 導(dǎo)體芯片制造、TFT(薄膜晶體管液晶顯示)面板制造等領(lǐng)域，基片需要在加熱腔室中加熱 到需要的溫度，之后進(jìn)行加工工藝。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，PECVD系統(tǒng)包括裝載臺(tái)、裝載腔和預(yù)熱模塊、工藝腔、卸 載腔和冷卻模塊、卸載臺(tái)等。在PECVD工藝過(guò)程中，基片在裝載臺(tái)被裝載到載板上，在裝載 腔中由預(yù)熱模塊進(jìn)行預(yù)熱處理，當(dāng)基片達(dá)到工藝溫度要求后被傳送至工藝腔進(jìn)行PECVD工 藝，最后由卸載腔傳出，在卸載臺(tái)卸載。其中，裝載腔同時(shí)起到加熱腔室的作用，通過(guò)內(nèi)部的加熱模塊對(duì)基片進(jìn)行加熱，使 基片的溫度在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到工藝所需的溫度。為使基片的溫度得到保持，需要對(duì)承載 基片的載板一并加熱并達(dá)到相同的溫度。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，一般采用紅外燈管2加熱的方式，因?yàn)榧t外加熱的速度 較快。而為提高加熱的速度和載板1上下溫度的均勻性，通常采用上下雙層紅外加熱的方 式。半導(dǎo)體加工工藝對(duì)溫度的要求一般很嚴(yán)格，在上述的工藝過(guò)程中，由于載板1是 從裝載臺(tái)運(yùn)動(dòng)進(jìn)入的裝載腔，加熱完畢后再運(yùn)動(dòng)到工藝腔，并沒(méi)有一個(gè)固定的平臺(tái)裝置，這 就給測(cè)溫的工作帶來(lái)了困難?，F(xiàn)有技術(shù)中的一種測(cè)溫的方法，是將熱電偶3探入到載板1附近，測(cè)量載板1周圍 的溫度。上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn)由于測(cè)量的不是載板1本身的溫度，周圍的溫度跟載板1的溫度會(huì)有誤差；另外， 熱電偶3被紅外燈管2直接照射到，也會(huì)對(duì)測(cè)量產(chǎn)生干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種測(cè)溫準(zhǔn)確的加熱腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的加熱腔室，包括能在加熱腔室中縱向移動(dòng)的載板，所述載板的側(cè)面設(shè)有 前后貫通的凹槽，該加熱腔室的側(cè)壁上設(shè)有熱電偶，所述熱電偶的前端伸入到所述凹槽中。本發(fā)明的半導(dǎo)體加工設(shè)備，該半導(dǎo)體加工設(shè)備包括上述的加熱腔室。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的加熱腔室及半導(dǎo)體加工設(shè) 備，由于載板的側(cè)面設(shè)有前后貫通的凹槽，熱電偶的前端伸入到凹槽中，使熱電偶可以緊密 的接觸載板，所測(cè)量的溫度就是載板的溫度，誤差較??；熱電偶藏于凹槽之中，還可以避免 加熱燈管的干擾，測(cè)溫準(zhǔn)確。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中PECVD系統(tǒng)的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中載板加熱及測(cè)溫示意圖；圖3為本發(fā)明中載板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明中載板測(cè)溫示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的加熱腔室，其較佳的具體實(shí)施方式
是，包括能在加熱腔室中縱向移動(dòng)的 載板。如圖3、圖4所示，在載板1前進(jìn)方向的側(cè)面挖下前后貫通的凹槽4，加熱腔室的側(cè) 壁上設(shè)有熱電偶3，熱電偶3的前端伸入到凹槽4中。熱電偶3可以通過(guò)彈性裝置5安裝在 加熱腔室的側(cè)壁上。當(dāng)載板1前進(jìn)到熱電偶3的位置時(shí)，熱電偶3就探入了凹槽4的位置 并與載板1緊密接觸，彈性裝置5將熱電偶3與凹槽4壓緊。彈性裝置5可以包括彈簧或氣缸等，也可以采用其它的彈性元件。凹槽4可以設(shè)在載板1的單側(cè)或雙側(cè)，凹槽4的形狀可以與熱電偶3的形狀吻合， 在彈性裝置5的彈力的作用下，二者密切貼合；同時(shí)，由于彈性裝置5的彈性，載板1的前進(jìn) 也不會(huì)受熱電偶3的干擾。為防止摩擦對(duì)熱電偶3的損害，可以在熱電偶3上套一層緊密接觸的金屬保護(hù)層。在加熱腔室中，一般設(shè)有紅外線加熱管，紅外線加熱管可以設(shè)于載板1的上方或 下方，或載板1的上方和下方均設(shè)有，熱電偶3與紅外線加熱管之間可以設(shè)有遮光板，可以 避免紅外線加熱管對(duì)熱電偶3的干擾。本發(fā)明的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其較佳的具體實(shí)施方式
是，該半導(dǎo)體加工設(shè)備包括上 述的加熱腔室。該半導(dǎo)體加工設(shè)備可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè) 備、半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備或薄膜晶體管液晶顯示面板制造設(shè)備等一種或多種設(shè)備，也可以 是其它的半導(dǎo)體加工設(shè)備。本發(fā)明中，熱電偶的前端伸入到凹槽中，熱電偶可以緊密的接觸載板，所測(cè)量的溫 度就是載板的溫度，誤差較??；熱電偶藏于凹槽之中，可以避免被加熱燈管干擾，測(cè)溫準(zhǔn)確。 在工藝過(guò)程中，因?yàn)檩d板1在加熱腔的加熱位置會(huì)停靠幾分鐘，足夠熱電偶3的反應(yīng)速度， 因此不需要擔(dān)心熱電偶3測(cè)溫的升溫速度。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種加熱腔室，包括能在加熱腔室中縱向移動(dòng)的載板，其特征在于，所述載板的側(cè)面設(shè)有前后貫通的凹槽，該加熱腔室的側(cè)壁上設(shè)有熱電偶，所述熱電偶的前端伸入到所述凹槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱腔室，其特征在于，所述凹槽的內(nèi)壁形狀與所述熱電偶 的前端形狀相吻合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱腔室，其特征在于，所述熱電偶連接有彈性裝置，所述彈 性裝置將所述熱電偶與所述凹槽壓緊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱腔室，其特征在于，所述彈性裝置包括彈簧或氣缸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的加熱腔室，其特征在于，所述凹槽設(shè)在所述載板的 單側(cè)或雙側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的加熱腔室，其特征在于，該加熱腔室中設(shè)有紅外線 加熱管，所述熱電偶與紅外線加熱管之間設(shè)有遮光板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的加熱腔室，其特征在于，所述紅外線加熱管設(shè)于所述載板的 上方和/或下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的加熱腔室，其特征在于，所述熱電偶的前端設(shè)有金 屬保護(hù)層。
9.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，該半導(dǎo)體加工設(shè)備包括權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所 述的加熱腔室。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，該半導(dǎo)體加工設(shè)備包括以下 至少一種設(shè)備等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備、半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備、薄膜晶 體管液晶顯示面板制造設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種加熱腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，加熱腔室中設(shè)有能縱向移動(dòng)的載板，用于承載被加工基片，載板的側(cè)面設(shè)有前后貫通的凹槽，加熱腔室的側(cè)壁上設(shè)有熱電偶，熱電偶的前端伸入到凹槽中，并通過(guò)彈性裝置壓緊，使熱電偶可以緊密的接觸載板，所測(cè)量的溫度就是載板的溫度，誤差較??；熱電偶藏于凹槽之中，還可以避免加熱燈管的干擾，測(cè)溫準(zhǔn)確?？梢詰?yīng)用在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備、半導(dǎo)體芯片制造設(shè)備、薄膜晶體管液晶顯示面板制造設(shè)備等半導(dǎo)體加工設(shè)備中。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101853774SQ20091008105
公開(kāi)日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者蒲春 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司