專利名稱：一種磁場激勵的led在線檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED在線檢測技術(shù)，更具體地說是涉及一種磁場激勵的LED在線檢測 方法。
背景技術(shù)：
LED (Light Emitting Diode)以其固有的特點，如省電、壽命長、耐震動，響應(yīng)速度快、 冷光源等特點，廣泛應(yīng)用于指示燈、信號燈、顯示屏、景觀照明等領(lǐng)域；但是由于技術(shù)及工 藝條件的各方面的原因，導(dǎo)致LED生產(chǎn)的過程中LED芯片的封裝成品率受到一定程度的影 響。因此，在LED芯片封裝及封裝前的對于芯片的檢測就顯得尤為重要。
目前已有的LED芯片檢測方法及設(shè)備土要用于LED芯片外延片檢測，芯片級檢測和成 品檢測。對于芯片級的檢測，主要有在芯片表面施加激光，使芯片有源區(qū)產(chǎn)生復(fù)合發(fā)光，從 而分析得到LED芯片的電致發(fā)光性能。但足該方法，需要檢測探針肓接接觸芯片，容易造成 芯片的污染甚至損壞，另外，測試探針在檢測的過程中也會有較大的損耗，導(dǎo)致上述技術(shù)難 以在工業(yè)化生產(chǎn)中推廣運用。
對于LED外延片的檢測，中國發(fā)明專利(專利號02123646.1)公丌了一種在外延片表 面安置兩個電極，將高壓恒流電源加在兩個電極之間，通過在外延片表面移動正極來檢測發(fā) 光片的質(zhì)量。另外，中國發(fā)明專利(專利號01112096.7)也提出-一種通過激光誘發(fā)半導(dǎo)體 基片的光致發(fā)光，將發(fā)光強度轉(zhuǎn)換為電信號，并由光致發(fā)光的衰減時間常數(shù)來評價半導(dǎo)體的 雜質(zhì)和缺陷。但上述兩個檢測方法都是針對LED外延片進(jìn)行檢測。
另外，屮國發(fā)明專利(專利號02265834.3)、中國發(fā)明專利(專利號02265834.3)和 中國發(fā)明專利(專利號02136269.6)分別公開了幾種針對LED成品的檢測方法。由于LED 芯片的封裝在整個LED芯片的生產(chǎn)過程中是極為關(guān)鍵的歩驟，因此對封裝前及封裝的過程中 LED芯片的檢測就顯得非常有必要。但是，目前在這一技術(shù)方向還沒有理想的檢測方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種磁場激勵的LED在線檢測方法，該方法用交變磁場穿過由LED芯片 與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路產(chǎn)生交變電流，通過檢測該交變電流激發(fā)LED芯片產(chǎn)生的發(fā)光 特性來實現(xiàn)對LED芯片的功能狀態(tài)、性能參數(shù)以及封裝過程中的電極引出的膠粘和焊接等工 藝程序的質(zhì)量問題的檢測。
所述的交變磁場垂直穿過由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路。 通過交變磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生交變磁場，將由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路置 于交變磁場中，LED芯片產(chǎn)生的光發(fā)射通過透鏡組會聚，發(fā)光特性檢測裝置采集透鏡組會聚 后的LED光發(fā)射送入信號處理系統(tǒng)分析處理，從而實現(xiàn)對LED芯片的功能狀態(tài)、性能參數(shù)以及封裝過程中的電極引出的膠粘和焊接等工藝程序的質(zhì)量問題的檢測。
所述的交變磁場產(chǎn)生裝置為磁芯纏繞線圈構(gòu)成，磁芯穿過由LED芯片與支架、焊線構(gòu) 成的閉合回路產(chǎn)生交變磁場。
本發(fā)明的有益技術(shù)效果是本發(fā)明方法克服了現(xiàn)有技術(shù)所存在的需要直接接觸芯片或僅 能針對LED外延片、芯片或者成品進(jìn)行檢測的技術(shù)弊端。能在LED芯片完成整個封裝過程 中，不接觸LED芯片本身而快速地檢測LED芯片的功能狀態(tài)和性能參數(shù)以及封裝過程中的 電極引出的膠粘和焊接等工藝程序的質(zhì)量問題。


圖1是磁場激勵的LED在線檢測方法的示意圖； 圖2是交變磁場產(chǎn)生單元的一種實現(xiàn)方式；
圖中，檢測控制和信號采集處理單元l、交變磁場產(chǎn)生裝置2、交變磁場3、焊線4、 LED 芯片5、支架6、光發(fā)射7、透鏡組8 、發(fā)光特性檢測裝置9、磁芯IO、線圈ll。
具體實施例方式
常規(guī)的LED芯片5在封裝時的結(jié)構(gòu)如下LED芯片5的PN結(jié)的陰極和陽極，通過膠粘、 焊接和支架6以及焊線4連接導(dǎo)通，PN結(jié)，支架6及焊線4形成一個LED芯片5閉合回路。
在線檢測的設(shè)備主要包括交變磁場產(chǎn)生裝置2、透鏡組8、光譜檢測裝置9、檢測控制 和信號采集處理單元1等幾個單元。
其工作原理為在檢測操作中，檢測控制和信號采集處理單元1控制交變磁場產(chǎn)生裝置 2產(chǎn)生交變磁場3，例如，我們可以用磁芯IO纏繞線圈11構(gòu)成交變磁場產(chǎn)生裝置2，將磁芯 10置于LED芯片5閉合回路中，磁芯10插入閉合回路后，山于交變磁場3的變化，則LED 芯片5閉合回路中會產(chǎn)生交變電流;LED芯片5是電流型器件，根據(jù)LED芯片5的發(fā)光機理， 當(dāng)電流流過PN結(jié)時，PN結(jié)就會發(fā)光；而LED芯片5的發(fā)光特性中蘊含了 LED芯片5材料 以及結(jié)構(gòu)的各種信息，通過檢測該光發(fā)射特性即可發(fā)現(xiàn)LED芯片5的質(zhì)量是否存在問題。
其檢測過程為發(fā)光特性檢測裝置9通過透鏡組8采集LED芯片5的光發(fā)射7，輸入到 檢測控制和信號采集處理^元1中進(jìn)行實時處理，通過對LED芯片5的光發(fā)射7的參數(shù)(包 括發(fā)光強度，峰值波H，半高寬)與LED芯片5器件本身材料及結(jié)構(gòu)參數(shù)的相關(guān)性的分析， 得到LED芯片5的功能狀態(tài)和性能參數(shù)。
本發(fā)明除了能在線檢測LED芯片5的功能狀態(tài)和性能參數(shù)外，還能對LED芯片5與引 出管腳的連接質(zhì)量進(jìn)行檢測；因為閉合回路產(chǎn)生交變電流，如果電流足夠大，PN結(jié)的功能正 常，且電極和管腳支架連接正常，則LED芯片5會產(chǎn)生光發(fā)射7，否則無法得到光發(fā)射7。
權(quán)利要求
1、一種磁場激勵的LED在線檢測方法，其特征在于用交變磁場穿過由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路產(chǎn)生交變電流，通過檢測該交變電流激發(fā)LED芯片產(chǎn)生的發(fā)光特性來實現(xiàn)對LED芯片的功能狀態(tài)、性能參數(shù)以及封裝過程中的電極引出的膠粘和焊接等工藝程序的質(zhì)量問題的檢測。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場激勵的LED在線檢測方法，其特征在于所述的交變磁場垂直穿過由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場激勵的LED在線檢測方法，其特征在于通過交變磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生交變磁場，將由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路置于交變磁場中，LED芯片產(chǎn)生的發(fā)光通過透鏡組會聚，發(fā)光特性檢測裝置采集透鏡組會聚后的LED光發(fā)射并送入信號處理系統(tǒng)分析處理，從而實現(xiàn)對LED芯片的功能狀態(tài)、性能參數(shù)以及封裝過程中的電極引出的膠粘和焊接等工藝程序的質(zhì)量問題的檢測。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場激勵的LED在線檢測方法，其特征在于所述的交變磁場產(chǎn)生裝置為磁芯纏繞線圈構(gòu)成，磁芯穿過由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路產(chǎn)生交變磁場。
全文摘要
本發(fā)明公開一種磁場激勵的LED在線檢測方法，用交變磁場穿過由LED芯片與支架、焊線構(gòu)成的閉合回路產(chǎn)生交變電流，通過檢測該交變電流激發(fā)LED芯片產(chǎn)生的發(fā)光特性來實現(xiàn)對LED芯片的功能狀態(tài)、性能參數(shù)以及封裝過程中的電極引出的膠粘和焊接等工藝程序的質(zhì)量問題的檢測。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是克服了以往的檢測技術(shù)所存在的需要直接接觸LED芯片或僅能針對成品進(jìn)行檢測的技術(shù)弊端。能在LED芯片完成整個封裝過程中，不接觸LED芯片本身而快速地檢測LED芯片的功能狀態(tài)和性能參數(shù)以及封裝過程中的電極引出的膠粘和焊接等工藝程序的質(zhì)量問題。
文檔編號H01L21/66GK101552313SQ20091010391
公開日2009年10月7日 申請日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者文玉梅, 平 李, 戀 李 申請人:重慶大學(xué)