專(zhuān)利名稱(chēng)：表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種波導(dǎo)分布反饋式染料摻雜固態(tài)激光器的制備，特別涉及表面起伏的波導(dǎo) 分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法。
背景技術(shù)：
商品化的染料激光器具有可調(diào)諧范圍寬和可見(jiàn)光波段效率高等優(yōu)點(diǎn)，但與固態(tài)激光器系 統(tǒng)相比，存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、運(yùn)轉(zhuǎn)可靠性差、維護(hù)麻煩等缺點(diǎn)。染料的更換程序煩瑣，且每次更 換都要產(chǎn)生大量有毒、易燃、易爆的廢液。染料激光增益介質(zhì)的固態(tài)化滿(mǎn)足了小型化、實(shí)用 化的要求，是可調(diào)諧染料激光器的一個(gè)重要發(fā)展方向。早期的工作大多采用高分子材料基質(zhì)， 但其激光破壞閾值較低，熱光穩(wěn)定性不好。迄今，國(guó)內(nèi)外有關(guān)有機(jī)無(wú)機(jī)雜化固態(tài)染料激光介 質(zhì)主要都是采用溶膠凝膠濕化學(xué)方法，通過(guò)摻雜激光染料分子的工藝制備的。
分布反饋式激光是上世紀(jì)70年代運(yùn)用電磁場(chǎng)的耦合波理論預(yù)測(cè)并以染料溶液為介質(zhì)實(shí) 現(xiàn)的，其特點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)緊湊、高效、短脈寬、窄線(xiàn)寬和可調(diào)諧，目前已廣泛應(yīng)用于光通信網(wǎng) 絡(luò)、集成光學(xué)和半導(dǎo)體激光器中。根據(jù)其提供反饋的光柵的存在形式，又可分為動(dòng)態(tài)分布反 饋與永久光柵分布反饋。通過(guò)預(yù)先在固態(tài)介質(zhì)中制備周期性可控的永久光柵，實(shí)現(xiàn)永久光柵 分布反饋激光輸出，可大幅簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)，提高實(shí)用性。然而，當(dāng)前獲得永久光柵分布反饋 的方法主要是通過(guò)直接使用全息光刻蝕、電子束刻蝕、納米壓印等技術(shù)獲得，設(shè)備昂貴、加 工成本高、生產(chǎn)周期長(zhǎng)且工藝復(fù)雜，并不適合于大批量的生產(chǎn)與制造。因此，探索新的波導(dǎo) 分布反饋光柵結(jié)構(gòu)的制備技術(shù)具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
軟刻蝕技術(shù)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種制作微細(xì)結(jié)構(gòu)的新方法，它利用彈性軟印章來(lái)制備 微圖案，所需環(huán)境及條件均極為簡(jiǎn)單，成本低廉，簡(jiǎn)便易行，而它所得到的微納米結(jié)構(gòu)圖案 卻質(zhì)量很好，而且可應(yīng)用于曲面及各種基質(zhì)表面。軟刻蝕的基本思想就是用軟性聚合物對(duì)微 圖形進(jìn)行簡(jiǎn)便又精確的復(fù)制。迄今，使用軟刻蝕技術(shù)獲得分布反饋激光增益單層聚合物、支 狀物、介孔材料介質(zhì)已有少量報(bào)道，如J. R. Lawrence等人發(fā)表在Applied Physics Letters, 2002， 81:1955-1957禾口 Applied Physics Letters, 2003, 82: 4023-4025和Advanced Materials, 2007， 19:3000-3003;及B. J. Scott等人發(fā)表在Advanced Materials, 2001, 13:1231-1233;及M. Gaal 等人發(fā)表在Japanese Journal of Applied Physics, 2009, 47: 304-306中均有說(shuō)明。用軟刻蝕技術(shù)制備此種表面起伏的分布反饋式結(jié)構(gòu)制備具有簡(jiǎn)單方便，不破壞母版表面起伏微圖案且軟印 章可重復(fù)使用的特點(diǎn)，大大節(jié)約了制作時(shí)間，因此尤其適合于大批量的生產(chǎn)與制造。但目前 使用軟刻蝕技術(shù)制備表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)未見(jiàn)報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有工藝簡(jiǎn)單、容易控制、成本低、效率高等優(yōu)點(diǎn)的表面起伏 的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法。 本發(fā)明包括以下步驟-
1 )制作具有表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版；
2) 利用表面復(fù)制的方法將母版表面起伏微圖案轉(zhuǎn)移到可固化的聚合物彈性體表面，得到 具有微圖案的軟印章；
3) 使用溶膠凝膠技術(shù)獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜；
4) 將具有微圖案的軟印章壓印在有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的表面，并經(jīng)過(guò)預(yù)熱處理、紫外光照 交聯(lián)、揭起印章、后熱處理的過(guò)程，獲得表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)。
在步驟1)中，所述制作具有表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版的方法 包括
(1) 用光刻方法制作表面起伏微結(jié)構(gòu)；
(2) 用干涉激光照射偶氮聚合物薄膜形成的光致表面起伏微結(jié)構(gòu)；
(3) 用微機(jī)械加工制作表面微結(jié)構(gòu)；
(4) 用激光刻蝕、離子刻蝕、電子束刻蝕或熱壓印刻蝕方法制作的表面起伏微結(jié)構(gòu)；或 用微噴墨方法制作表面起伏微結(jié)構(gòu)作為模板。
在歩驟2)中，所述聚合物彈性體可選自聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基 硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、甲基辛基硅氧烷、3-氯丙基甲基-二甲基聚硅氧烷、二甲基-甲基 辛基聚硅氧垸、聚烷氧基硅氧烷、甲基乙烯基硅橡膠、甲基苯基乙烯基硅橡膠、甲基雙苯基 室溫硫化硅橡膠、聚二甲基硅氧垸與聚氨酯共混材料、稀土改性的聚硅氧烷材料等中一種。
在步驟3)中，所述使用溶膠凝膠技術(shù)獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的具體步驟為
(1) 在5 90'C下，將至少2種金屬醇鹽作為有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的先驅(qū)體分別溶于有機(jī) 溶劑，并使用無(wú)機(jī)酸為水解催化劑，攪拌，得金屬醇鹽的先驅(qū)體水解液；
(2) 根據(jù)折射率的設(shè)計(jì)要求，將金屬醇鹽的先驅(qū)體水解液混合，并滴入去離子水，攪拌， 加入紫外光引發(fā)劑，繼續(xù)攪拌混合液，陳化后，旋涂或提拉于基質(zhì)表面，獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化 薄膜。在步驟(1)中，所述金屬醇鹽最好為含硅或鋯或鋁或鈦或錫或鉿的醇鹽，以及有機(jī)基團(tuán) 取代的含硅或鋯或鋁或鈦或錫或鉿的醇鹽；所述有機(jī)溶劑最好為甲醇或乙醇或正丙醇或異丙 醇或四氫呋喃或丙酮或甲苯或N,N-二甲基甲酰胺等；所述無(wú)機(jī)酸最好為鹽酸或硫酸或乙酸或 硝酸或氫氟酸；所述攪拌的時(shí)間最好為10 120min;
在步驟(2)中，所述攪拌的時(shí)間最好為10 120min;所述紫外光引發(fā)劑最好為Irgacure 819或Irgacurel84或Irgacurel800等；所述繼續(xù)攪拌最好避光繼續(xù)攪拌10 120min;所述陳 化的溫度最好為20 100°C，陳化的時(shí)間最好為0 48h;所述基質(zhì)最好為硅片或玻璃片或聚 甲基丙烯酸甲酯或聚氨酯基板等；在所述加入紫外光引發(fā)劑之前最好加入激光染料；所述激 光染料可選自羅丹明6G或羅丹明B或二萘嵌苯橙或二萘嵌苯紅或吡咯甲叉567或吡咯甲叉 556或香豆素440或香豆素460或香豆素480或香豆素500或香豆素540A等。
在步驟4)中，所述將具有微圖案的軟印章壓印在有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的表面，并經(jīng)過(guò)預(yù) 熱處理、紫外光照交聯(lián)、揭起印章、后熱處理的過(guò)程為
(1) 將軟印章直接壓印于旋涂或提拉獲得的薄膜表面；
(2) 放入烘箱40 90。C預(yù)熱處理1 30min;
(3) 對(duì)薄膜進(jìn)行紫外光照處理1 30min，并揭去軟印章；
(4) 最后在50 150'C下對(duì)薄膜進(jìn)行熱后處理10 120min。 是否加入激光染料是依據(jù)設(shè)計(jì)單層或多層波導(dǎo)分布反饋式染料摻雜固態(tài)激光器的不同，
決定是否需要獲得具有激光增益光學(xué)活性的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)。 上述各步驟采用的具體方法、工藝條件及參數(shù)均可采用本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。 由于本發(fā)明使用聚合物彈性體復(fù)制表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)微圖案作為軟印 章，使用溶膠凝膠技術(shù)獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜，在旋涂或提拉成膜后，立即將軟印章壓印于 尚未除去剩佘有機(jī)溶劑的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的表面，此時(shí)少量殘留于薄膜內(nèi)部的有機(jī)溶劑有 助于在一定程度上保持尚未完全固化的雜化介質(zhì)的流動(dòng)性，從而完成對(duì)軟印章微槽的填充， 制備得到表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)。
本發(fā)明的制備方法具有工藝簡(jiǎn)單、容易控制、成本低、效率高等特點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1 步驟1:
以?xún)墒窀缮娴?88 nm Ar+激光照射商業(yè)化的光刻膠板如Chp-C， HPR光刻膠15號(hào) (聚乙烯醇肉桂酸酯15號(hào))、光刻膠16號(hào)(聚乙烯醇氧乙醛肉桂酸酯16號(hào))、光刻膠BP218(300) ， AZ4110等。曝光時(shí)間10 150s，然后將曝光后的光刻板浸泡在濃度為0.1 10wt% 的NaOH水溶液中，顯影時(shí)間為l 15s，烘在經(jīng)過(guò)烘干步驟，得到具有表面起伏的一維光子 晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版。
步驟2:
表面具有微圖案的軟印章的制備是將聚二甲基硅氧烷(PDMS，購(gòu)于Dow Coming公司) 的預(yù)聚體與配套的交聯(lián)劑按照質(zhì)量比20 : 1 5 : 1的比例混合均勻，真空脫氣10 60min后 澆鑄到裝有表面起伏的一維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版的模具內(nèi)，50 90'C加熱固化l 10h， 冷卻后將固化好的聚合物薄膜從玻璃片或光刻膠板上小心揭下，從而得到表面具有微圖案的 軟印章。模板的厚度為50fim 2mm。
步驟3:
5 90'C，在6 24mmo1的硅醇鹽3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基異丁烯酸(MAPTMS)中 緩慢加入4.5 18mmo1的0.01~0.1N的鹽酸水溶液，攪拌10 120min至澄清，得到溶液①， 同時(shí)取2.4 9.6mmo1的四丙氧基鋯Zr(OPr)4溶解于3 24ml正丙醇，加入2.4 9.6mmo1的 螯合劑甲基丙烯酸，攪拌10 120min，得到溶液②。將溶液①緩慢滴入溶液②，攪拌10 120min后加入7.5 60mmo1的去離子水，繼續(xù)攪拌10 120min后，加入0.048 0.192mmo1 的激光染料羅丹明6G粉末和60 240mg的紫外光引發(fā)劑Irgacure819，避光攪拌10 120min。 在10 4(TC陳化1 96h后用0.2 0.5nm針頭過(guò)濾器過(guò)濾，以2000 5000rpm/min的速度旋 涂5 120s成膠于硅片或玻璃片或聚甲基丙烯酸甲酯或聚氨酯基板表面，即可得到有機(jī)無(wú)機(jī) 雜化薄膜。
步驟4:
直接將上述步驟2制備所得的軟印章壓印于尚未完全除去殘留溶劑的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜 的表面，然后放入烘箱40 90'C預(yù)熱處理1 30min，并在中心波長(zhǎng)為365nm、功率密度為5 100mw/cm2的紫外光燈下照射1 20min后揭去軟印章，再將樣品放入烘箱在100 150'C后 熱處理1 5h。即可得到表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)。
實(shí)施例2
與實(shí)施例1的不同之處，只是將實(shí)施例1的步驟1中的光刻膠板換成偶氮類(lèi)聚合物薄膜。 具體工藝步驟如下
將偶氮類(lèi)聚合物如文獻(xiàn)Polymer 43 (2002) 7325—7333中所報(bào)道的BP-AZ-CA分子0.05 lg溶于lml的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中，溶液用0.2pm針頭過(guò)濾器過(guò)濾，然后將過(guò)濾 后的溶液在玻璃片上旋涂成膜，40 8(TC干燥2 48h，可得到表面光潔的偶氮聚合物薄膜；以?xún)墒窀缮娴?88nmAr+激光照射偶氮聚合物薄膜，時(shí)間5 60min，得到具有表面起伏的一維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版。實(shí)施例3
與實(shí)施例1的不同之處，只是將實(shí)施例1的步驟1中的光刻膠獲得的表面起伏的一維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版換成用微機(jī)械加工制造的具有表面起伏微結(jié)構(gòu)的母版。即使用專(zhuān)門(mén)
的光柵刻劃?rùn)C(jī)，用機(jī)械刻劃的方法直接在基板(硅片或玻璃片或聚甲基丙烯酸甲酯片或聚氨酯片等)。實(shí)施例4
與實(shí)施例1的不同之處，只是將實(shí)施例1中的步驟1中的光刻膠獲得的表面起伏的一維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版換成用激光刻蝕、離子刻蝕、電子束刻蝕或熱壓印刻蝕方法或用微噴墨方法制作表面起伏微結(jié)構(gòu)作為模板。這些方法運(yùn)用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和控制系統(tǒng)，可以
按照預(yù)先設(shè)計(jì)的微圖案用特定的方式在硅片或玻璃片或聚甲基丙烯酸甲酯片或聚氨酯片的表面獲得具有表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版。
實(shí)施例5 9
與實(shí)施例1的不同之處在于，只是將上述各實(shí)施例中的步驟2中的軟印章材料聚二甲基硅氧烷改為甲基乙烯基硅橡膠，甲苯基乙烯基硅橡膠，甲基雙苯基室溫硫化硅橡膠等橡膠類(lèi)彈性體，或改為聚二甲基硅氧垸與聚氨酯共混材料，稀土等材料改性的聚硅氧垸材料，其他條件相同。
實(shí)施例10 14
與實(shí)施例1 9的不同之處在于，只是將上述各實(shí)施例中的步驟3中的硅醇鹽3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基異丁烯酸(MAPTMS)改為含有乙烯基、丙烯酸酯基、環(huán)氧基、苯乙烯基及乙烯基醚基自由基光固化基團(tuán)或陽(yáng)離子光固化基團(tuán)的硅氧垸先驅(qū)體之一，其他條件相同。
實(shí)施例15 21
與實(shí)施例1 9的不同之處在于，只是將上述各實(shí)施例中的步驟3中的四丙氧基鋯Zr(0Pr)4改為鈦酸丁酯、四乙氧基硅垸、四甲氧基硅烷、二苯二乙氧基硅烷或苯基、甲基、乙基硅氧垸先驅(qū)體之一，根據(jù)先驅(qū)體的反應(yīng)活性，選擇不加入螯合劑，或者將螯合劑甲基丙烯酸改為乙酸或乙酰丙酮之一，其他條件相同。其他條件相同。
實(shí)施例22 23
與實(shí)施例1 9的不同之處在于，只是將上述各實(shí)施例中的步驟3中的紫外光引發(fā)劑改為Irgacure 184或Irgacure 1800之一 ，其他條件相同。實(shí)施例24 33
與實(shí)施例1 9的不同之處在于，只是在上述各實(shí)施例中的步驟3中的不加入激光染料，或?qū)⒓す馊玖狭_丹明6G改為羅丹明B、 二萘嵌苯橙、二萘嵌苯紅、吡咯甲叉567、吡咯甲叉556、香豆素440、香豆素460、香豆素480、香豆素500、香豆素540A之一，其他條件相同。
用原子力顯微鏡、掃描電鏡觀察將上述各實(shí)施例制作而成的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)薄膜，可以發(fā)現(xiàn)薄膜具有和微圖案母版周期相同的表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)。使用不同的納秒脈沖激光對(duì)摻雜有不同染料、不同基質(zhì)組成的、不同周期的一維或二維分布反饋式激光增益單層雜化介質(zhì)進(jìn)行激發(fā)，可以觀察到該單層雜化介質(zhì)具有可調(diào)諧范圍寬、激光閾值低等特點(diǎn)。這是一種獲得波導(dǎo)分布反饋式染料摻雜固態(tài)激光器的新方法。
權(quán)利要求
1.表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于包括以下步驟1)制作具有表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版；2)利用表面復(fù)制的方法將母版表面起伏微圖案轉(zhuǎn)移到可固化的聚合物彈性體表面，得到具有微圖案的軟印章；3)使用溶膠凝膠技術(shù)獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜；4)將具有微圖案的軟印章壓印在有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的表面，并經(jīng)過(guò)預(yù)熱處理、紫外光照交聯(lián)、揭起印章、后熱處理的過(guò)程，獲得表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)。
2. 如權(quán)利要求1所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟l)中，所述制作具有表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版的方法包括(1) 用光刻方法制作表面起伏微結(jié)構(gòu)；(2) 用干涉激光照射偶氮聚合物薄膜形成的光致表面起伏微結(jié)構(gòu)；(3) 用微機(jī)械加工制作表面微結(jié)構(gòu)；(4) 用激光刻蝕、離子刻蝕、電子束刻蝕或熱壓印刻蝕方法制作的表面起伏微結(jié)構(gòu)；或 用微噴墨方法制作表面起伏微結(jié)構(gòu)作為模板。
3. 如權(quán)利要求1所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟2)中，所述聚合物彈性體選自聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧垸、聚二苯基硅氧烷、 甲基苯基聚硅氧烷、甲基辛基硅氧烷、3-氯丙基甲基-二甲基聚硅氧烷、二甲基-甲基辛基聚硅 氧烷、聚烷氧基硅氧垸、甲基乙烯基硅橡膠、甲基苯基乙烯基硅橡膠、甲基雙苯基室溫硫化 硅橡膠、聚二甲基硅氧烷與聚氨酯共混材料、稀土改性的聚硅氧垸材料中一種。
4. 如權(quán)利要求1所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟3)中，所述使用溶膠凝膠技術(shù)獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的具體步驟為(1) 在5 90'C下，將至少2種金屬醇鹽作為有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的先驅(qū)體分別溶于有機(jī) 溶劑，并使用無(wú)機(jī)酸為水解催化劑，攪拌，得金屬醇鹽的先驅(qū)體水解液；(2) 根據(jù)折射率的設(shè)計(jì)要求，將金屬醇鹽的先驅(qū)體水解液混合，并滴入去離子水，攪拌， 加入紫外光引發(fā)劑，繼續(xù)攪拌混合液，陳化后，旋涂或提拉于基質(zhì)表面，獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化 薄膜。
5. 如權(quán)利要求4所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟(1)中，所述金屬醇鹽為含硅或鋯或鋁或鈦或錫或鉿的醇鹽，以及有機(jī)基團(tuán)取代的含硅或鋯或鋁或鈦或錫或鉿的醇鹽。
6. 如權(quán)利要求4所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于在步驟(1)中，所述有機(jī)溶劑為甲醇或乙醇或正丙醇或異丙醇或四氫呋喃或丙酮或甲苯或N,N-二甲基甲酰胺;所述無(wú)機(jī)酸為鹽酸或硫酸或乙酸或硝酸或氫氟酸;所述攪拌的時(shí)間為10 120min 。
7. 如權(quán)利要求4所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟(2)中，所述攪拌的時(shí)間為10 120min;所述紫外光引發(fā)劑為Irgacure 819或Irgacure184 或lrgacurel800;所述繼續(xù)攪拌避光繼續(xù)攪拌10 120min;所述陳化的溫度為20 100°C ，陳 化的時(shí)間為0 48h。
8. 如權(quán)利要求4所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟(2)中，所述基質(zhì)為硅片或玻璃片或聚甲基丙烯酸甲酯或聚氨酯基板。
9. 如權(quán)利要求4所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在于 在步驟(2)中，在所述加入紫外光引發(fā)劑之前加入激光染料；所述激光染料選自羅丹明6G 或羅丹明B或二萘嵌苯橙或二萘嵌苯紅或吡咯甲叉567或吡咯甲叉556或香豆素440或香豆 素460或香豆素480或香豆素500或香豆素540A。
10. 如權(quán)利要求1所述的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，其特征在 于在步驟4)中，所述將具有微圖案的軟印章壓印在有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的表面，并經(jīng)過(guò)預(yù)熱 處理、紫外光照交聯(lián)、揭起印章、后熱處理的過(guò)程為(1) 將軟印章直接壓印于旋涂或提拉獲得的薄膜表面；(2) 放入烘箱40 9(TC預(yù)熱處理l 30min;(3) 對(duì)薄膜進(jìn)行紫外光照處理1 30min，并揭去軟印章；(4) 最后在50 15(TC下對(duì)薄膜進(jìn)行熱后處理10 120min。
全文摘要
表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法，涉及一種波導(dǎo)分布反饋式染料摻雜固態(tài)激光器的制備。提供一種具有工藝簡(jiǎn)單、容易控制、成本低、效率高等優(yōu)點(diǎn)的表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)的制備方法。制作具有表面起伏的一維或二維光子晶體結(jié)構(gòu)的微圖案母版；利用表面復(fù)制的方法將母版表面起伏微圖案轉(zhuǎn)移到可固化的聚合物彈性體表面，得到具有微圖案的軟印章；使用溶膠凝膠技術(shù)獲得有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜；將具有微圖案的軟印章壓印在有機(jī)無(wú)機(jī)雜化薄膜的表面，并經(jīng)過(guò)預(yù)熱處理、紫外光照交聯(lián)、揭起印章、后熱處理的過(guò)程，獲得表面起伏的波導(dǎo)分布反饋結(jié)構(gòu)雜化介質(zhì)。
文檔編號(hào)H01S3/10GK101593929SQ200910112130
公開(kāi)日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月3日
發(fā)明者瓊 周, 李森森, 蔡志平, 陳鷺劍 申請(qǐng)人:廈門(mén)大學(xué)