專利名稱：交流發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種交流發(fā)光二極管裝置，尤指一種可降低其總體發(fā)光瓦數(shù)至一事先 設計范圍內并可提升其整體發(fā)光效率的交流發(fā)光二極管裝置。
背景技術：
如圖1所示，現(xiàn)有的交流發(fā)光二極管裝置，包括一承載板11、多個發(fā)光二極管芯 片121、122、123、124、以及多個導線部131、132、133、134、135。其中，承載板11具有一承 載面111以及兩分別位于承載面111邊緣的支架部112、113，前述的多個發(fā)光二極管芯片
121、122、123、124則分別設置于承載面111。此外，前述的導線部132、133、134分別設置于 前述的多個發(fā)光二極管芯片121、122、123、124之間，導線部131設置于發(fā)光二極管芯片121 與支架部112之間，導線部135則設置于發(fā)光二極管芯片124與支架部113之間。除此之 夕卜，現(xiàn)有的交流發(fā)光二極管裝置可更包括一封裝部(圖中未示)，其設置于承載板11上并 覆蓋承載板11、前述的多個發(fā)光二極管芯片121、122、123、124以及前述的多個導線部131、 132、133、134、135。如圖1所示，在現(xiàn)有的交流發(fā)光二極管裝置中，承載板11為一絕緣基板，多個發(fā)光 二極管芯片121、122、123、124均為交流發(fā)光二極管芯片，且它們的數(shù)量為4個。此外，這些 發(fā)光二極管芯片121、122、123、124先以串聯(lián)的方式互相電性連接(通過多個導線部132、 133,134)。最后，前述的封裝部(圖中未示)為一具有透鏡功能的透明膠材，且具有多個透鏡 部(圖中未示)。這些透鏡部(圖中未示)分別對應于前述的多個發(fā)光二極管芯片121、
122、123、124，以對這些發(fā)光二極管芯片121、122、123、124發(fā)出的光線進行光學調制。但是，由于以目前交流發(fā)光二極管芯片的制程而言，仍無法精確地控制每一批產 出的交流發(fā)光二極管芯片的發(fā)光瓦數(shù)分布落點。也因此，每一批分別具有多個交流發(fā)光二 極管芯片的交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)也無法精確地控制，且目前常發(fā)生的情況 是制作完成的交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)超過設計值。為了解決此項問題，業(yè)界目前是以外接適當數(shù)值的外部線路電阻阻抗以將購買所 得的交流發(fā)光二極管裝置的發(fā)光功率降低至事先設計的范圍的方式克服。但是，如前所述， 由于每一批交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)偏高的數(shù)值并不穩(wěn)定，所以購買這些交流 發(fā)光二極管裝置的客戶還是必須一批一批地測試并選擇適當數(shù)值的外部線路電阻阻抗，使 得制造程序相當麻煩，而且更被迫增加了不少額外成本。因此，業(yè)界需要一種可降低其總體發(fā)光瓦數(shù)至一事先設計范圍內，且能提升其整 體發(fā)光效率的交流發(fā)光二極管裝置。
發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種交流發(fā)光二極管裝置，便能降低其總體發(fā)光瓦數(shù) 至一事先設計范圍內。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種交流發(fā)光二極管裝置，便能提升其整體發(fā)光效
率。為達成上述目的，本發(fā)明的交流發(fā)光二極管裝置，包括一承載板，具有一承載面 以及兩分別位于此承載面邊緣的支架部；多個發(fā)光二極管芯片，分別設置于此承載面；一 第一芯片電阻單元，設置于兩支架部其中之一；以及多個導線部，分別設置于多個發(fā)光二極 管芯片之間以及多個發(fā)光二極管芯片其中之一與此第一芯片電阻單元之間。因此，通過挑選具有適當電阻值的芯片電阻單元并將此芯片電阻單元與多個發(fā)光 二極管芯片電性連接的方式(此芯片電阻單元結合于承載板的一支架部)，本發(fā)明的交流 發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)范圍便不會受到每批發(fā)光二極管芯片的質量的影響(分 別具有不同的發(fā)光瓦數(shù)落點)而有所變動，大幅減低購買此交流發(fā)光二極管裝置的客戶于 設置相關的驅動電路時的困擾。況且，由于本發(fā)明的交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù) 范圍可降低至一事先設計范圍內，客戶也無須自行添加不同數(shù)值的外部線路電阻阻抗以降 低交流發(fā)光二極管裝置的發(fā)光功率至所需求的范圍，大幅減輕客戶應用此交流發(fā)光二極管 裝置的負擔。
圖1為現(xiàn)有的交流發(fā)光二極管裝置的側視圖。圖2為本發(fā)明一實施例的交流發(fā)光二極管裝置的側視圖。圖3為本發(fā)明另一實施例的交流發(fā)光二極管裝置的側視圖。主要元件符號說明11、21、31 承載板23、33第一芯片電阻單元34第二芯片電阻單元111、211、311 承載面112、113、212、213、312、313 支架部121、122、123、124、221、222、223、224、321、322、323、324 發(fā)光二極管芯片131、132、133、134、135、241、242、243、244、245、351、352、353、354、355 導線部
具體實施例方式如圖2所示，本發(fā)明一實施例的交流發(fā)光二極管裝置，包括一承載板21、多個發(fā) 光二極管芯片221、222、223、224、一第一芯片電阻單元23以及多個導線部241、242、243、 244、245。其中，承載板21具有一承載面211以及兩分別位于承載面211邊緣的支架部212、 213，前述的多個發(fā)光二極管芯片221、222、223、224則分別設置于承載面211。此外，第一芯 片電阻單元23設置于前述的兩支架部212、213其中之一。另一方面，前述的導線部242、 243、244分別設置于前述的多個發(fā)光二極管芯片221、222、223、224之間，導線部241設置于 發(fā)光二極管芯片221與第一芯片電阻單元23之間，導線部245設置于發(fā)光二極管芯片224 與支架部213之間。除此之外，本發(fā)明一實施例的交流發(fā)光二極管裝置可還包括一封裝部(圖中未 示)，其設置于承載板21上并覆蓋承載板21、前述的多個發(fā)光二極管芯片221、222、223、224、第一芯片電阻單元23以及前述的多個導線部241、242、243、244、245。在本發(fā)明_實施例的交流發(fā)光二極管裝置中，承載板21為一絕緣基板，多個發(fā)光 二極管芯片221、222、223、224均為交流發(fā)光二極管芯片，且它們的數(shù)量為4個。此外，在本 實施例中，這些發(fā)光二極管芯片221、222、223、224先以串聯(lián)的方式互相電性連接(通過多 個導線部242、243、244)，再與第一芯片電阻單元23電性連接。除此之外，在本實施例中，第一芯片電阻單元23為一硅芯片電阻，且其電阻值為 400ohm。前述的多個導線部241、242、243、244、245則為多條金線。最后，在本實施例中，封 裝部(圖中未示)為一具有透鏡功能的透明膠材，其可具有多個透鏡部(圖中未示)。此 夕卜，這些透鏡部(圖中未示)分別對應于前述的多個發(fā)光二極管芯片221、222、223、224，以 對這些發(fā)光二極管芯片221、222、223、224發(fā)出的光線進行光學調制。因此，當從芯片廠商處拿到發(fā)光二極管芯片時，便先使用一芯片點測機一一測試 每個發(fā)光二極管芯片的發(fā)光瓦數(shù)并一一記錄下來。接著，依據記錄選擇適當?shù)亩鄠€發(fā)光二 極管芯片，將它們分別結合在一承載板上。然后，再依據記錄挑選具有適當電阻值的硅芯片 電阻并將此硅芯片電阻結合于此承載板的一支架部。如此，制作出來的交流發(fā)光二極管裝 置的總體發(fā)光瓦數(shù)范圍便不會受到每批發(fā)光二極管芯片的質量的影響而有所變動，而造成 購買此交流發(fā)光二極管裝置的客戶于設置相關的驅動電路時的困擾。況且，由于本發(fā)明的 交流發(fā)光 二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)范圍可降低至一事先設計范圍內，客戶也無須自行添 加不同數(shù)值的外部線路電阻阻抗以降低交流發(fā)光二極管裝置的發(fā)光功率至所需求的范圍， 大幅減輕客戶應用此交流發(fā)光二極管裝置的負擔。例如，在制作一設計發(fā)光瓦數(shù)為5W的交流發(fā)光二極管裝置時，雖然從芯片廠商那 里得到的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光瓦數(shù)落在1. 7W至1. 9W的范圍，即若未加入硅芯片電阻于 交流發(fā)光二極管裝置時，完成的交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)肯定會超過原設計值 5ff(l. 7X4 = 6. 8 > 5)。如此，由于總體發(fā)光瓦數(shù)超過原先設計值，此交流發(fā)光二極管裝置 不僅需要額外設置散熱裝置以排放多余的熱能，也使得此交流發(fā)光二極管裝置的塑料結構 容易脆化，進而縮短此交流發(fā)光二極管裝置的使用壽命。所以，在加入400ohm硅芯片電阻于此交流發(fā)光二極管裝置的驅動電路后，此交流 發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)便會降至5. 2W至5. 5W的范圍中，其發(fā)光亮度也從原先的 2201m至2401m的范圍(未加入硅芯片電阻)降為2001m至2201m的范圍(加入硅芯片電 阻)。況且，此交流發(fā)光二極管裝置的整體發(fā)光效率也從原先的32. 351m/ff(未加入硅芯片 電阻)提升為38. 461m/ff(加入硅芯片電阻)，明顯大幅提升。如圖3所示，本發(fā)明另一實施例的交流發(fā)光二極管裝置，包括一承載板31、多個 發(fā)光二極管芯片321、322、323、324、一第一芯片電阻單元33、一第二芯片電阻單元34以及 多個導線部351、352、353、354、355。其中，承載板31具有一承載面311以及兩分別位于承 載面311邊緣的支架部312、313，前述的多個發(fā)光二極管芯片321、322、323、324則分別設置 于承載面311。此外，第一芯片電阻單元33設置于前述的支架部312，第二芯片電阻單元34 則設置于前述的支架部313。另一方面，前述的導線部352、353、354分別設置于前述的多個 發(fā)光二極管芯片321、322、323、324之間，導線部351設置于發(fā)光二極管芯片321與第一芯 片電阻單元33之間，導線部355設置于發(fā)光二極管芯片324與第二芯片電阻單元34之間。除此之外，本發(fā)明另一實施例的交流發(fā)光二極管裝置可還包括一封裝部(圖中未示)，其設置于承載板31上并覆蓋承載板31、前述的多個發(fā)光二極管芯片321、322、323、 324、第一芯片電阻單元33、第二芯片電阻單元34以及前述的多個導線部351、352、353、 354,355ο在本發(fā)明另一實施例的交流發(fā)光二極管裝置中，承載板31為一絕緣基板，多個發(fā)光二極管芯片331、322、323、324均為交流發(fā)光二極管芯片，且它們的數(shù)量為4個。此外，在 本實施例中，這些發(fā)光二極管芯片321、322、323、324先以串聯(lián)的方式互相電性連接(由多 個導線部352、353、354)，再分別與第一芯片電阻單元33以及第二芯片電阻單元34電性連接。除此之外，在本實施例中，第一芯片電阻單元33為一硅芯片電阻，且其電阻值為 200ohm,第二芯片電阻單元34亦為一硅芯片電阻，且其電阻值亦為200ohm。需注意的是， 第一芯片電阻單元33與第二第二芯片電阻單元34可分別具有不同數(shù)值的電阻值。例如， 在本實施中，第一芯片電阻單元33的電阻值可為IOOohm，第二芯片電阻單元34的電阻值 可為300ohm，而所達成的功效(降低本實施例的交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)的程 度)也與前述的電阻值分布(兩個200ohm的硅芯片電阻)相同。最后，前述的多個導線部351、352、353、354、355則為多條金線，且封裝部(圖中未 示)為一具有透鏡功能的透明膠材，其可具有多個透鏡部(圖中未示)。這些透鏡部(圖中 未示)分別對應于前述的多個發(fā)光二極管芯片321、322、323、324，以對這些發(fā)光二極管芯 片321、322、323、324發(fā)出的光線進行光學調制。綜上所述，通過挑選具有適當電阻值的芯片電阻單元并將此芯片電阻單元與多個 發(fā)光二極管芯片電性連接的方式(此芯片電阻單元結合于承載板的一支架部)，本發(fā)明的 交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)范圍便不會受到每批發(fā)光二極管芯片的質量的影響 (分別具有不同的發(fā)光瓦數(shù)落點)而有所變動，大幅減低購買此交流發(fā)光二極管裝置的客 戶于設置相關的驅動電路時的困擾。況且，由于本發(fā)明的交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光 瓦數(shù)范圍可降低至一事先設計范圍內，客戶也無須自行添加不同數(shù)值的外部線路電阻阻抗 以降低交流發(fā)光二極管裝置的發(fā)光功率至所需求的范圍，大幅減輕客戶應用此交流發(fā)光二 極管裝置的負擔。上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權利范圍自應以權利要 求所述為準，而非僅限于上述實施例。
權利要求
一種交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，包括一承載板，具有一承載面以及兩分別位于該承載面邊緣的支架部；多個發(fā)光二極管芯片，分別設置于該承載面；一第一芯片電阻單元，設置于該兩支架部其中之一；以及多個導線部，分別設置于該多個發(fā)光二極管芯片之間以及該多個發(fā)光二極管芯片其中之一與該第一芯片電阻單元之間。
2.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，還包括一封裝部，設置于該 承載板上并覆蓋該承載板、該多個發(fā)光二極管芯片、該第一芯片電阻單元以及該多個導線 部。
3.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該承載板為一絕緣基板。
4.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該多個發(fā)光二極管芯片為 多個交流發(fā)光二極管芯片。
5.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該多個發(fā)光二極管芯片為 先以串聯(lián)的方式互相電性連接，再與該第一芯片電阻單元電性連接。
6.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該多個發(fā)光二極管芯片的 數(shù)目為4。
7.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該第一芯片電阻單元為一 硅芯片電阻。
8.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該多個導線部為多條金線。
9.如權利要求1所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，還包括一第二芯片電阻單 元，且該第二芯片電阻單元與該第一芯片電阻單元分別設置于不同的該多個支架部。
10.如權利要求9所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該第二芯片電阻單元為一 硅芯片電阻。
11.如權利要求9所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該多個發(fā)光二極管芯片為 先以串聯(lián)的方式互相電性連接，位于兩端的該多個發(fā)光二極管芯片再分別再與該第一芯片 電阻單元以及該第二芯片電阻單元電性連接。
12.如權利要求2所述的交流發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該封裝部為具有透鏡功能 的透明膠材。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種交流發(fā)光二極管裝置，其包括一具有一承載面以及兩分別位于此承載面邊緣的支架部的承載板；多個分別設置于此承載面的發(fā)光二極管芯片；一設置于所述兩支架部其中之一的第一芯片電阻單元；以及多個分別設置于多個發(fā)光二極管芯片之間以及多個發(fā)光二極管芯片其中之一與此第一芯片電阻單元之間的導線部。因此，通過挑選具有適當電阻值的芯片電阻單元并將此芯片電阻單元與多個發(fā)光二極管芯片電性連接的方式，本發(fā)明交流發(fā)光二極管裝置的總體發(fā)光瓦數(shù)便可降低至一事先設計范圍內，其整體發(fā)光效率亦可進一步提升。
文檔編號H01L33/00GK101834172SQ20091012651
公開日2010年9月15日 申請日期2009年3月10日 優(yōu)先權日2009年3月10日
發(fā)明者楊仁華, 藍培軒, 藍鈺邴, 陳瑞鴻 申請人:福華電子股份有限公司