專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜式天線(xiàn)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種天線(xiàn)，尤其是有關(guān)于一種薄膜式天線(xiàn)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)無(wú)線(xiàn)傳輸技術(shù)普遍發(fā)展于世界各地，而絕大部分的無(wú)線(xiàn)裝置，如移動(dòng)電話(huà)、 個(gè)人數(shù)字助理以及數(shù)字電視等，均需使用接收傳輸訊號(hào)的接收裝置。由于信息傳遞的數(shù)字 化，使得如聲音訊號(hào)、影像訊號(hào)等的各種信息得以輕易地由個(gè)人計(jì)算機(jī)、行動(dòng)裝置等處理， 而由聲音與影像編譯碼技術(shù)，更可增進(jìn)上述信息種類(lèi)的頻帶壓縮。而數(shù)字通訊與數(shù)字傳播 能制造容易且有效地傳遞此種信息至終端裝備的環(huán)境，例如將聲音影像數(shù)據(jù)(AV數(shù)據(jù))傳 遞至一可攜式電話(huà)。無(wú)線(xiàn)傳輸利用外部突出的天線(xiàn)進(jìn)行裝置間訊號(hào)交換。射頻電路、傳輸線(xiàn)與天線(xiàn)組 件通常制造在特別設(shè)計(jì)的基板上，針對(duì)這些電路的用途特殊，維持阻抗特性的控制不容忽 視，所以在這些電路中，傳輸線(xiàn)與發(fā)射天線(xiàn)的長(zhǎng)度便為關(guān)鍵的設(shè)計(jì)要素。兩個(gè)影響基底材料 效能的重要關(guān)鍵因素為介電常數(shù)(有時(shí)稱(chēng)作相對(duì)介電常數(shù))以及介電損失(有時(shí)稱(chēng)作散逸 系數(shù))，其中介電常數(shù)決定訊號(hào)于基底材料中的傳遞速度，以及傳輸線(xiàn)與其它施作在基板上 的零件的訊號(hào)收發(fā)相關(guān)長(zhǎng)度。而介電損失為訊號(hào)于基底材料中傳遞所造成的耗損，此耗損 會(huì)隨頻率的變大而增多。微帶(micro-strip)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)，將訊號(hào)線(xiàn)放置在板狀物表面并提供一導(dǎo)電層，此 導(dǎo)電層一般稱(chēng)為接地面。另一種為埋式微帶線(xiàn)(buried micro-strip)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)，除了其訊 號(hào)線(xiàn)被一介電基底材料覆蓋外，其余均與第一種結(jié)構(gòu)相似。第三種為帶狀線(xiàn)(strip-line) 結(jié)構(gòu)，其訊號(hào)線(xiàn)乃夾在兩導(dǎo)電(接地)面之間，并且天線(xiàn)配置在印刷電路板的主要平面 上。對(duì)于車(chē)輛的應(yīng)用，此類(lèi)系統(tǒng)絕大部分的解決方式均為將鞭狀天線(xiàn)安裝在車(chē)頂，而相對(duì) 于現(xiàn)今汽車(chē)設(shè)計(jì)的潮流，乃將這些天線(xiàn)嵌入車(chē)輛結(jié)構(gòu)中，以減少天線(xiàn)對(duì)于車(chē)輛美觀上與空 氣動(dòng)力上的影響。并且，將數(shù)種電信服務(wù)整合進(jìn)單一天線(xiàn)將可降低制造的成本。天線(xiàn)可 接收頻帶包含調(diào)頻(Frequency Modulation ;FM)、個(gè)人手機(jī)系統(tǒng)(Personal Handyphone System ；PHS) ,Wireless car aperture、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(System For Mobile ；GSM 900、 GSM 1800)、分碼多重存取(Code Division Multiple Access ;CDMA)、一般封包式無(wú)線(xiàn)服務(wù) (General Package Radio Service ；GPRS)(Bluetooth)各(Wireless Local Area Network ；WLAN)以及數(shù)字電視的頻帶。某些天線(xiàn)結(jié)構(gòu)僅能在預(yù)設(shè)的頻帶中運(yùn)作，是此頻率受限于天線(xiàn)的特性因而不適合 多頻運(yùn)作的緣故，并且天線(xiàn)的材質(zhì)不外乎金屬或合金，其若形成于玻璃之上將影響能見(jiàn)度。 此外，目前的天線(xiàn)大都采用電鍍制備工藝制作平面天線(xiàn)，而其中的電鍍液將對(duì)環(huán)境造成污 染，且金屬塊材原物料成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜式天線(xiàn)及其制作方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了有關(guān)于具有下列特性的薄膜天線(xiàn)。 本發(fā)明提出薄膜式天線(xiàn)制作方法，其主要步驟包含以轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置驅(qū)動(dòng)一基 材水平移動(dòng)，由物理性濺鍍(sputter)、沉積(exposition)或蒸鍍形成天線(xiàn)的材質(zhì)，以利于 形成薄膜于受該轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置所驅(qū)動(dòng)的基材上，隨后以機(jī)械力或蝕刻或激光施加于天 線(xiàn)薄膜以制作天線(xiàn)圖案。其中該天線(xiàn)材質(zhì)包含選自下列族群之一或其組合金、鋅、銀、鈀、 鉬、銠、釕、銅、鐵、鎳、鈷、錫、鈦、銦、鋁、鉭、鎵、鍺及銻。天線(xiàn)材質(zhì)亦可包含非金屬氧化物，例 如氧化銦錫或氧化鋅，亦可以為導(dǎo)電高分子。所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法包含對(duì)該天線(xiàn)薄 膜加熱或/及提升天線(xiàn)薄膜的表面能量。天線(xiàn)圖案包含單極、偶極、對(duì)數(shù)周期天線(xiàn)、雙螺線(xiàn)、 碎形或倒F天線(xiàn)圖案、矩形、峰形、直線(xiàn)、三角形、六邊形、圓形、梯形、梳子狀、城垛形或樹(shù)枝 狀。在其它實(shí)施例中，薄膜式天線(xiàn)制作方法特征包含提供具有天線(xiàn)薄膜附著于其上的 軟質(zhì)基材，該軟質(zhì)基材上天線(xiàn)薄膜是采用濺鍍、物理性沉積、蒸鍍、涂布、噴灑方式所制作； 以機(jī)械力或蝕刻或激光施加于該天線(xiàn)薄膜以制作天線(xiàn)圖案。為提升兩者間附著力或提升基 材平坦度，可以于基材與天線(xiàn)薄膜間制作一層緩沖層。其中上述天線(xiàn)薄膜以轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式 裝置驅(qū)動(dòng)基材水平移動(dòng)，使該天線(xiàn)薄膜形成于該軟質(zhì)基材上。本發(fā)明的薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其包含物理性濺鍍、沉積或蒸鍍能量源，以利于產(chǎn) 生濺鍍、沉積或蒸鍍粒子或氣體；轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置，以驅(qū)動(dòng)基材水平移動(dòng)，由物理性濺鍍、 沉積或蒸鍍天線(xiàn)薄膜于該基材上。所述的薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其中還包含加熱裝置、真空泵。


圖1為本發(fā)明的天線(xiàn)制作裝置。圖2為本發(fā)明的天線(xiàn)制作方法。圖3為本發(fā)明的天線(xiàn)制作裝置。圖4為本發(fā)明的天線(xiàn)制作方法。附圖中主要組件符號(hào)說(shuō)明100腔體；102靶材；102A溶液；104能量源；106轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置；108加熱器； 110基材；112粒子；114真空泵；116氣體排出口 ； 118氣體進(jìn)入口 ；200降低腔體氣壓；205 導(dǎo)入氣體；210啟動(dòng)物理氣相沉積程序；215沉積天線(xiàn)材質(zhì)于轉(zhuǎn)軸式基材上；220選擇性加 熱天線(xiàn)材質(zhì)；225提升天線(xiàn)材質(zhì)表面能量；230提升腔體氣壓；235移轉(zhuǎn)至緩沖腔體；240天 線(xiàn)圖案成形；400備置溶液；410啟動(dòng)噴涂程序；415涂布天線(xiàn)材質(zhì)于轉(zhuǎn)軸式基材上；420選 擇性加熱天線(xiàn)材質(zhì)；425提升天線(xiàn)材質(zhì)表面能量；430天線(xiàn)圖案成形。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種使用于車(chē)輛、電子裝置或可攜式裝置的薄膜天線(xiàn)。本天線(xiàn)是制作 于軟質(zhì)基材之上，有別于傳統(tǒng)天線(xiàn)基材。因此基材具備撓區(qū)性，有利于貼附于不規(guī)則表面或 不平的表面，且適合于本發(fā)明的轉(zhuǎn)軸式制備工藝。為提升兩者間附著力或提升基材平坦度， 可于基材與天線(xiàn)薄膜間制作一層緩沖層。其中上述天線(xiàn)薄膜以轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置驅(qū)動(dòng)基材 水平移動(dòng)，使該天線(xiàn)薄膜形成于軟質(zhì)基材上，且可以利用轉(zhuǎn)軸速度控制薄膜成長(zhǎng)厚度。上述天線(xiàn)可以采用物理性沉積濺鍍、蒸鍍、噴墨(inkjet)、涂布、噴灑。
舉一實(shí)施例而言，本發(fā)明薄膜式天線(xiàn)的制作裝置，其主要特征包含一腔體或制 備工藝室100，其中備置天線(xiàn)靶材(target) 102，能量源(power source) 104用以提供物理 性濺鍍(physical sputter)或物理性沉積的能量源，用以物理性撞擊靶材，以利于形成物 理性濺鍍(sputter)或物理性氣相沉積(physical vapor deposition ；PVD)。物理性氣 相沉積其方法可以包含電子槍、激光(激光)、等離子體源、物理性濺鍍可以采用射頻濺鍍 (RF-sputter)、直流濺鍍(DC-sputter)。亦可以采用蒸鍍制作薄膜，其包含一干鍋用以承載 待加熱材料，以利于形成氣體。一轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式(roll to roll)裝置106配置于腔體內(nèi)100 對(duì)應(yīng)于上述靶材位置或于其下側(cè)。轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置106由驅(qū)動(dòng)裝置，例如馬達(dá)等加以驅(qū) 動(dòng)使其依據(jù)一轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，而牽動(dòng)軟質(zhì)基材移動(dòng)，例示如圖中的旋轉(zhuǎn)箭頭方向旋轉(zhuǎn)，使得基材 110可由一端卷至另一端。為利于程序的進(jìn)行，可以備置成卷尚未鍍天線(xiàn)薄膜的軟質(zhì)基材， 卷于第一轉(zhuǎn)軸之上，軟質(zhì)基材一端則固定于第二轉(zhuǎn)軸上，由驅(qū)動(dòng)第二轉(zhuǎn)軸牽引軟質(zhì)基材，使 得基材水平移動(dòng)，且同時(shí)沉積天線(xiàn)薄膜于其上，而依程序的進(jìn)行，則將軟質(zhì)基材卷于第二轉(zhuǎn) 軸之上。于此過(guò)程中將帶動(dòng)基材110水平移動(dòng)(如圖示水平箭頭)，于沉積、蒸鍍或?yàn)R鍍過(guò) 程中，材料粒子(形成天線(xiàn)的材質(zhì))112將沉積或鍍于上述的水平移動(dòng)基材110之上。可以 控制轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速，利于控制水平移動(dòng)速率，進(jìn)而控制天線(xiàn)材料厚度。加熱裝置108對(duì)應(yīng)配置 于水平移動(dòng)材質(zhì)的下側(cè)，可以選擇性開(kāi)啟加熱裝置，提供形成天線(xiàn)薄膜所需熱源。為利于蒸 鍍、濺鍍或沉積程序的進(jìn)行，一真空泵114連接于腔體100，以利于將腔體內(nèi)的氣壓降低，以 達(dá)到適合的真空度，例如0. 0001-0. 1托耳(torr)。為利于氣體的導(dǎo)入與導(dǎo)出，所述的腔體 100亦配置氣體進(jìn)入口 118與排出口 116?；?10材質(zhì)以具有軟性或撓曲性為佳，可以為 PET、PC、PVC、PI、PMMA、高分子或軟性電路板。加熱裝置108可以為燈泡、電磁輻射或是紅 外線(xiàn)加熱器。靶材102可以選用，導(dǎo)電碳(conductive carbon)，其中該導(dǎo)電碳包含納米碳 管(carbon nano-tube ；CNT)；其亦可以選用包含選自下列族群之一或其組合金、鋅、銀、 鈀、鉬、銠、釕、銅、鐵、鎳、鈷、錫、鈦、銦、鋁、鉭、鎵、鍺及銻。亦可以選用銦錫氧化物或銦鋅氧 化物、導(dǎo)電高分子(conductive polymer)作為天線(xiàn)靶材的材質(zhì)。其中天線(xiàn)圖案包含單極、偶極、對(duì)數(shù)形天線(xiàn)或倒F天線(xiàn)圖案。其中該天線(xiàn)圖案包含 碎形、矩形、峰形、直線(xiàn)、三角形、六邊形、圓形、梯形、梳子狀、城垛形或樹(shù)枝狀。其中此碎形 組件為碎形基本圖案至少一次迭代的迭置。上述的迭代是將碎形基本圖案以下列方法之一 或其組合來(lái)放置于基底圖案上(1)旋轉(zhuǎn)，(2)伸長(zhǎng)，以及(3)平移。其可配置于手持裝置、 移動(dòng)電話(huà)、筆記型計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、可攜式裝置、交通載具、NFC應(yīng)用。上述的具天線(xiàn)裝 置，其中天線(xiàn)可制作于一裝置殼體的外表面或內(nèi)表面，其特征包含一屏蔽結(jié)構(gòu)配置于該天 線(xiàn)與電路板之間。而某些以此方法制成的導(dǎo)電材質(zhì)為透明，且假使此天線(xiàn)附著于玻璃或窗 戶(hù)上，其將具有視覺(jué)穿透力。此天線(xiàn)亦可附著于車(chē)輛中燈泡的外殼上，由于此外殼的透明度 低于窗戶(hù)，所以本發(fā)明可形成在車(chē)輛中燈泡的外殼上?；蛘?，此天線(xiàn)可形成在筆記型計(jì)算機(jī) 或移動(dòng)電話(huà)等等的外殼或屏幕上可避免屏蔽效應(yīng)。在此情形下，導(dǎo)電層通常以具有金屬的 氧化物所構(gòu)成，其中該金屬最好為一個(gè)或以上選自金、鋅、銀、鈀、鉬、銠、釕、銅、鐵、鎳、鈷、 錫、鈦、銦、鋁、鉭、鎵、鍺以及銻的金屬。上述透明天線(xiàn)材料如銦錫氧化物或銦鋅氧化物可以 摻雜氧化鋁(Al2O3)。饋入結(jié)構(gòu)可由一電容耦合來(lái)達(dá)成，此饋入機(jī)制為本領(lǐng)域的公知技術(shù)， 并可由使用空間變異(space-diversity)或極化變異技術(shù)來(lái)改進(jìn)接收系統(tǒng)。在此亦可采用兩個(gè)或數(shù)個(gè)的多頻天線(xiàn)或一天線(xiàn)數(shù)組，而使用本發(fā)明所述的技術(shù)其優(yōu)點(diǎn)在于復(fù)數(shù)個(gè)附著于 同一透明窗戶(hù)的天線(xiàn)可以低成本來(lái)含括不同的結(jié)構(gòu)。此饋入結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域公知的技術(shù)，其 它多頻天線(xiàn)的結(jié)構(gòu)亦可應(yīng)用于本發(fā)明相同的領(lǐng)域與精神中。天線(xiàn)以不同的結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)(如數(shù) 組具不同轉(zhuǎn)向方位)。當(dāng)利用極化變異來(lái)補(bǔ)償因快速變換傳輸環(huán)境所造成的訊號(hào)衰減時(shí)， 可選擇多角形為基底的結(jié)構(gòu)作為替代的形狀。銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)與銦 錫氧化物(indium tin oxide, ITO)等類(lèi)透明導(dǎo)電薄膜材料可利用束離子輔助(ion-beam assisted)濺鍍系統(tǒng)，可安裝高能離子源，使鍍膜過(guò)程中達(dá)到基板清潔與改質(zhì)，獲得較佳薄 膜附著力。此離子輔助機(jī)制亦可作為輔助能量，提高鍍膜原子動(dòng)能，使得沉積薄膜形成高致 密性、高均勻性和連續(xù)性微觀組織的膜層結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明形成透明天線(xiàn)的制備工藝可以在低溫下形成薄膜結(jié)構(gòu)，舉例來(lái)說(shuō)，薄膜可 在室溫下形成而其透光度可高于82 %。制備工藝溫度可以控制室溫至200攝氏度之間，若 選用PET做為軟質(zhì)基材，則可以在室溫下制作，減省制備工藝熱成本。圖2所示為本發(fā)明的 制作流程，首先將靶材102配置于腔體內(nèi)100，將腔體氣壓以真空泵114抽氣將氣壓降低至 一預(yù)設(shè)真空度，利于減少雜質(zhì)，步驟200。隨之，若有需求則步驟205導(dǎo)入所需氣體，隨后啟 動(dòng)物理氣相沉積、濺鍍或蒸鍍程序210，以產(chǎn)生形成天線(xiàn)的粒子或氣體于腔體內(nèi)，利用轉(zhuǎn)軸 至轉(zhuǎn)軸式裝置106牽動(dòng)基材水平移動(dòng)，利用控制轉(zhuǎn)軸速度可以控制基材移動(dòng)速度，天線(xiàn)材 質(zhì)將沉積或布于基材表面，步驟215。故本發(fā)明可以采大量沉積、蒸鍍或?yàn)R鍍方式將天線(xiàn)材 料沉積于受到轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置106驅(qū)動(dòng)的水平移動(dòng)基材的上面。隨著制備工藝的進(jìn)展， 基材由未沉積的一端移轉(zhuǎn)至另一端，此時(shí)已完成天線(xiàn)材質(zhì)的沉積或?yàn)R鍍的基材將被卷至此 端?；谒苫木哂袚锨?，故可以將其卷曲于另一端。若有必要，則可以開(kāi)啟加熱裝置 提供天線(xiàn)薄膜所需熱能，步驟220或提升天線(xiàn)薄膜表面能量(surface energy) 205 0隨后可 將此具有天線(xiàn)薄膜的基材移轉(zhuǎn)至緩沖腔體后再將其氣壓提升至常壓取出(步驟235)或直 接提升至常壓取出(步驟230)。此時(shí)，成卷的天線(xiàn)薄膜已完成制作，隨后依據(jù)需求可將此成 卷的天線(xiàn)薄膜展開(kāi)利用機(jī)器加壓以制具裁切或壓印出所需天線(xiàn)圖案，亦可以蝕刻或激光切 割形成天線(xiàn)圖案，步驟240。若有需要，則可以于軟質(zhì)基材上涂布緩沖層。本發(fā)明可以采用非金屬材質(zhì)作為天線(xiàn)。利用非金屬材質(zhì)將使裝置更輕、更小、降低 成本以及大量成批制備工藝。非金屬天線(xiàn)在此指的是天線(xiàn)主體不采用金屬原物料，非不含 金屬添加物、或顆粒。利用可撓曲式基材，使得材質(zhì)得通過(guò)本發(fā)明的轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置，可 以大量制作天線(xiàn)薄膜，無(wú)需電鍍液，制備工藝不會(huì)污染環(huán)境。且利用驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)軸的速度控制薄 膜成長(zhǎng)厚度，且薄膜式天線(xiàn)的期才具撓曲性，使其可以附著于不規(guī)則或不平表面。此外，手 持裝置的傳統(tǒng)天線(xiàn)均配置于印刷電路板上，故極易與電子組件間造成干擾。但是依據(jù)本發(fā) 明可以將天線(xiàn)自電路板上移走。若其為透明，則可以貼附于銀幕或玻璃或外表面。天線(xiàn)附 著于手持裝置殼體的內(nèi)表面或外表面，一屏蔽結(jié)構(gòu)可配制于天線(xiàn)與電路板間以避免天線(xiàn)與 電路板組件間的相互干擾。天線(xiàn)可以利用導(dǎo)電高分子或納米碳管制作。導(dǎo)電高分子可以選自thiophenes、 selenophenes，tellurophenes、pyrroles，anilines、polycyclic aromatics，以此制作 高分子可包含但不限于 poIythiophenes、poly (selenophenes)、poly (tellurophenes)、 polypyrroles、polyanilines、polycyclic aromatic polymers 等。美國(guó)專(zhuān)利 US. Patent Application 20080017852to Huh ；Dal Ho et al.，發(fā)明名稱(chēng)為 “Conductive PolymerComposition Comprising Organic Ionic Salt and Optoelectronic Device Using the Same”公開(kāi)制作導(dǎo)電高分子的方法可做參考。再另一實(shí)施例中，導(dǎo)電高分子為有機(jī)高分子 半導(dǎo)體(organic polymer semiconductor)或有機(jī)半導(dǎo)體(organic semiconductor)。 導(dǎo)電 polyacetylenes 型態(tài)包含 polyacetylene、polypyrrole、polyaniline 及其衍生物 (derivatives)。導(dǎo)電有機(jī)高分子通常具有extended delocalized bonds，此造成導(dǎo)帶結(jié) 豐勾(band structure)，類(lèi)似于娃但是具有 localized states。此零能隙(zero-band gap) 導(dǎo)電高分子具有類(lèi)金屬行為。碳管可以包含多層復(fù)壁碳管、單層碳管；其可以參考文獻(xiàn) Young' s modulus in the low TPa range and tensile strengths in excess of 37GPa, please refer to the Articles Yakobson et al. ,Phys. Rev. Lett. 1996,76,2411 ；Lourie et al. ,J. Mater. Res. 1998,13,2418 ；lijima et al.，J. Chem. Phys. 1996，104，2089。通常 CNT包含交錯(cuò)的納米纖維而形成納米碳管(mutually entangled carbon nanotubes)，形成 上述納米碳管的方法之一為infusion有機(jī)分子穿透tangled CNTs，因此造成納米網(wǎng)狀結(jié) 構(gòu)(nanotube networks)。接著polymerization以及熱處理有機(jī)分子以產(chǎn)生交錯(cuò)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 或 CNT 纖維(nanofibers)。 基于成本于制造的考慮，本實(shí)施例中形成如銦錫氧化物的天線(xiàn)薄膜的方法可在室 溫下潮濕的空氣中形成。在此薄膜形成或圖樣化后，以50攝氏度至220攝氏度間的溫度 進(jìn)行熱處理來(lái)降低薄膜的電阻并增進(jìn)其透光度。此實(shí)施例參照?qǐng)D3與圖4，首先備置氧化 銦錫或氧化鋅溶液400，可以將材質(zhì)粉末由酒精/水混合溶劑中稀釋而得，而加熱處理的溫 度高于100攝氏度，實(shí)施熱處理。其中在稀釋過(guò)程可以加入稀釋劑，如ferrous sulfate、 trisodium citrate>tartaric acid>sodium boron hydride。] ；實(shí)Hi歹Ij白勺_置與圖 1 禾口圖 2類(lèi)似，不同之處為本實(shí)施例采用涂布、噴灑或噴墨(inkjet print)，將溶液涂布于所欲的 軟質(zhì)基板上。備置溶液后，則啟動(dòng)噴墨、噴灑、印刷或涂布程序410將材質(zhì)分布于軟質(zhì)基材 之上415，若利用噴墨打印式則可以將天線(xiàn)圖案直接噴涂于軟質(zhì)基板上。其余步驟類(lèi)似上實(shí) 施例，包含選擇性加熱420、提升表面能量425，之后裁切制作天線(xiàn)單元。導(dǎo)電薄膜可由將上 述的液體施加于基板上而得，并使其干躁以得到一透明薄膜。金屬溶液得混合分散劑來(lái)配 置。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明雖以較佳實(shí)例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā) 明的精神。在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改與類(lèi)似的配置，均應(yīng)包含在申請(qǐng)的 權(quán)利要求范圍內(nèi)，此范圍應(yīng)覆蓋所有類(lèi)似修改與類(lèi)似結(jié)構(gòu)，且應(yīng)做最寬廣的詮釋。
權(quán)利要求
一種薄膜式天線(xiàn)制作方法，其包含以轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置驅(qū)動(dòng)基材移動(dòng)，由蒸鍍、物理性濺鍍或沉積法形成天線(xiàn)薄膜于受驅(qū)動(dòng)的該基材上；以機(jī)械力、蝕刻或激光施加于該天線(xiàn)薄膜以制作天線(xiàn)圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)薄膜包含選自下列族群之 一或其組合金、鋅、銀、鈀、鉬、銠、釕、銅、鐵、鎳、鈷、錫、鈦、銦、鋁、鉭、鎵、鍺及銻。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)薄膜包含銦錫氧化物或銦 鋅氧化物。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)薄膜包含導(dǎo)電高分子或納 米碳管。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，包含對(duì)該基材包含PET、PC、PVC、 PI 或 PMMA。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，包含形成緩沖層于該基材與該天 線(xiàn)薄膜之間。
7.一種薄膜式天線(xiàn)制作方法，其包含提供具有天線(xiàn)薄膜附著于其上的軟質(zhì)基材，該軟質(zhì)基材上天線(xiàn)薄膜采用蒸鍍、濺鍍、沉 積、噴墨、涂布或噴灑方式所制作；及以機(jī)械力、蝕刻或激光施加于該天線(xiàn)薄膜以制作天線(xiàn)圖案。
8.權(quán)利要求7所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，所述天線(xiàn)薄膜以轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置 驅(qū)動(dòng)該軟質(zhì)基材水平移動(dòng)，使該天線(xiàn)薄膜形成于該軟質(zhì)基材上。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)薄膜包含選自下列族群之 一或其組合金、鋅、銀、鈀、鉬、銠、釕、銅、鐵、鎳、鈷、錫、鈦、銦、鋁、鉭、鎵、鍺及銻。
10.如權(quán)利要求7所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)薄膜銦錫氧化物或銦鋅氧 化物。
11.如權(quán)利要求7所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)薄膜包含導(dǎo)電高分子或納 米碳管。
12.如權(quán)利要求7所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該軟質(zhì)基材包含PET、PC、PVC、PI 或 PMMA。
13.如權(quán)利要求7所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，包含形成緩沖層于該軟質(zhì)基材與 該天線(xiàn)薄膜之間。
14.一種薄膜式天線(xiàn)制作方法，其包含以轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置驅(qū)動(dòng)基材移動(dòng)，由涂布、噴墨或噴灑天線(xiàn)溶液于受轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式 裝置所驅(qū)動(dòng)的基材上；以機(jī)械力、蝕刻或激光施加于該天線(xiàn)薄膜以制作天線(xiàn)圖案。
15.如權(quán)利要求14所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)圖案包含選自下列族群 之一或其組合金、鋅、銀、鈀、鉬、銠、釕、銅、鐵、鎳、鈷、錫、鈦、銦、鋁、鉭、鎵、鍺及銻。
16.如權(quán)利要求14所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)圖案包含銦錫氧化物或 銦鋅氧化物。
17.如權(quán)利要求14所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該天線(xiàn)圖案包含導(dǎo)電高分子或 納米碳管。
18.如權(quán)利要求14所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，該基材包含PET、PC、PVC、PI或PMMA0
19.如權(quán)利要求14所述的薄膜式天線(xiàn)制作方法，其中，包含形成緩沖層于該基材與該 天線(xiàn)薄膜之間。
20.一種薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其包含物理性濺鍍、沉積或蒸鍍能量源，以利于產(chǎn)生濺鍍、沉積或蒸鍍粒子或氣體； 轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置，以驅(qū)動(dòng)基材水平移動(dòng)，藉由物理性濺鍍、沉積或蒸鍍天線(xiàn)薄膜于該 基材上。
21.如權(quán)利要求20所述的薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其中，包含加熱裝置。
22.如權(quán)利要求20所述的薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其中，包含真空泵。
23.一種薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其包含薄膜溶液源，由噴灑、涂布或噴墨天線(xiàn)溶液以形成薄膜于基材上；轉(zhuǎn)軸至轉(zhuǎn)軸式裝置，以驅(qū)動(dòng)該基材移動(dòng)，以利于該天線(xiàn)溶液形成薄膜于該基材上。
24.如權(quán)利要求23所述的薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其中，包含加熱裝置。
25.如權(quán)利要求23所述的薄膜式天線(xiàn)制作裝置，其中，包含真空泵。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜天線(xiàn)，其特征在于采用物理氣相沉積-滾軸式制備工藝，天線(xiàn)材質(zhì)包含金屬氧化物、導(dǎo)電高分子、導(dǎo)電膠體或是導(dǎo)電碳管。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK101847774SQ20091012968
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月26日
發(fā)明者卿輝東, 江國(guó)慶 申請(qǐng)人:江國(guó)慶;卿輝東