專利名稱：形成雙向二極管的方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及電子學(xué)，尤其是涉及形成半導(dǎo)體器件的方法和結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
過去，半導(dǎo)體工業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)來為諸如靜電放電(ESD) 保護(hù)的應(yīng)用形成雙通(bi-lateral)或雙向(bi-directional) 二極管結(jié) 構(gòu)。二極管通常形成為齊納二極管。通常，期望二極管結(jié)構(gòu)具有對(duì)稱 的電流-電壓特征曲線并且還有電流-電壓特征曲線的銳利拐點(diǎn)(sharp knee)。然而，獲得電流-電壓特征曲線的銳利拐點(diǎn)并獲得對(duì)稱的電流 -電壓特征曲線很難。因此，期望有一種雙向二極管結(jié)構(gòu)，其具有基本上對(duì)稱的電流-電壓特征曲線，并具有電流-電壓特征曲線的銳利拐點(diǎn)。


圖1簡要示出根據(jù)本發(fā)明的雙向器件的一部分的實(shí)施方式； 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的圖l的雙向器件的優(yōu)選實(shí)施方式的放大橫 截面部分；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的圖2的雙向器件的一部分的放大平面圖；以及圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的圖1和圖2的雙向器件的電流-電壓特 征曲線的曲線圖。為了說明的簡潔和清楚，附圖中的元件不一定按比例繪制，且不 同圖中相同的參考數(shù)字表示相同的元件。此外，為了描述的簡單而省 略了公知的步驟和元件的說明與詳述。這里所使用的載流電極表示器件的元件，例如MOS晶體管的源極或漏極、或雙極晶體管的集電極 或發(fā)射極、或二極管的陰極或陽極，其承栽通過該器件的電流；而控 制電極表示器件的元件，例如MOS晶體管的柵極或雙極晶體管的基 極，其控制通過該器件的電流。雖然這些器件在這里被解釋為某個(gè)N 溝道或P溝道器件、或某個(gè)N型或P型摻雜區(qū)，但本領(lǐng)域中的普通 技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，依照本發(fā)明，互補(bǔ)器件也是可能的。詞"大約，， 或"基本上"的使用意指元件的值具有預(yù)期非常接近于規(guī)定值或位置 的參數(shù)。然而，正如在本領(lǐng)域中所公知的，總是存在阻止值或位置確 切地如規(guī)定的微小變化。本領(lǐng)域中完全確認(rèn)，直到至少10%(且對(duì)于 半導(dǎo)體摻雜濃度，直到20%)的變化是偏離確切地如所述的理想目標(biāo) 的合理變化。為了附圖的清楚，器件結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)被示為通常具有直 線的邊緣和精確角度的拐角。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，由于摻 雜物的擴(kuò)散和活化，摻雜區(qū)的邊緣通?？赡懿皇侵本€且拐角可能不是 精確的角度。
具體實(shí)施方式
圖1簡要示出具有基本上對(duì)稱的電流-電壓特征曲線的雙向器件 10的一部分的實(shí)施方式。器件10包括齊納二極管14、齊納二極管15、 第一端子11和第二端子12。電流-電壓特征曲線的基本上對(duì)稱的形狀 意味著二極管14和15每個(gè)都具有相對(duì)于其它二極管變化不大于約 30%的齊納電壓。齊納二極管14的陽極連4妾到端子11,而齊納二極 管15的陽極連接到端子12。給定二極管14和15背靠背配置，二極 管14的陰極連接到二極管15的陰極。端子11或12中的任一個(gè)可為 輸入端子，而另一個(gè)端子為輸出端子。例如，端子11可具有相對(duì)于 施加到端子12的電壓的正電壓。如果電壓大于二極管14的正向電壓 加上二極管15的齊納電壓，則器件10兩端的電壓將使二極管14正 向偏壓并使二極管15反向偏壓，且使電流II從端子11通過二極管 14和15流到端子12。類似地，端子12可接收相對(duì)于施加到端子11 的電壓為正的電壓。如果器件10兩端的電壓大于二極管15的正向電壓加上二極管14的齊納電壓，則該電壓將使二極管15正向偏壓并使 二極管14反向偏壓，使電流12從端子12流過二極管15和14并流到 端子11。圖2示出器件10的優(yōu)選實(shí)施方式的放大橫截面部分。 圖3示出在形成圖2所示的導(dǎo)體32和33以及介質(zhì)區(qū)30之前， 器件10的一部分的放大平面圖。圖2的橫截面是沿圖3的橫截面線 2-2截取的。該描述參考圖1到圖3。器件IO在優(yōu)選地具有P型導(dǎo)電 性的體半導(dǎo)體基底21上形成。形成半導(dǎo)體區(qū)域22以覆蓋基底21的 一部分，并優(yōu)選地形成具有N型導(dǎo)電性。區(qū)域22優(yōu)選地在體半導(dǎo)體 基底21的表面38或頂表面上形成為N型外延層，其中基底21和外 延層形成具有半導(dǎo)體區(qū)域22的半導(dǎo)體基底20。區(qū)域22可選地可通過 用與基底21的摻雜物相反的摻雜物系列來摻雜基底21的一部分而形 成。 一般形成隔離區(qū)29以圍繞區(qū)域22的一部分，在該部分中將形成 二極管14和15。區(qū)域29在基底20的表面上形成，并通過區(qū)域22延 伸到體半導(dǎo)體基底21中，以便隔離區(qū)域22的該部分與區(qū)域22的其 它部分。對(duì)于區(qū)域22形成為基底21的摻雜區(qū)的情況，隔離區(qū)29 — 般鄰接該區(qū)域22，以確保它與體半導(dǎo)體基底21的其它相鄰部分分離。 隔離區(qū)29可由各種技術(shù)形成，包括用與基底21相同并與區(qū)域22相 反的導(dǎo)電性來摻雜基底20的一部分。區(qū)域29還便于從基底20的表 面形成與基底21的電接觸。為了便于形成二極管14，摻雜區(qū)26通常在基底20的表面上和 區(qū)域22內(nèi)形成，以延伸到基底20內(nèi)一段深度，該深度小于區(qū)域22 的深度。因此，區(qū)域22的一部分在區(qū)域26之下并具有厚度或距離25。 另一摻雜區(qū)24用于幫助形成二極管15。區(qū)域24優(yōu)選地在基底20的 表面上和區(qū)域22內(nèi)形成，以延伸到基底22中。區(qū)域24通常延伸到 區(qū)域22中大約與區(qū)域26相同的距離。因此，區(qū)域22的另一部分在 區(qū)域26之下。正如可在圖3中看到的，區(qū)域24優(yōu)選地形成為具有圍 繞區(qū)域26的內(nèi)部開口的多連接結(jié)構(gòu)，例如矩形。區(qū)域24的內(nèi)周邊優(yōu) 選地與區(qū)域26的周邊并置(juxtapose)，并與區(qū)域26分離一段距離28。介質(zhì)層通常在基底20的表面上形成，并被圖案化以形成具有開口的 介質(zhì)層30，該開口暴露隔離區(qū)29、區(qū)域24和區(qū)域26的部分。導(dǎo)體 材料應(yīng)用到器件10上并被圖案化，以形成導(dǎo)體32和33。形成導(dǎo)體 33以電接觸區(qū)域26的被暴露部分，并形成與其的歐姆接觸。形成導(dǎo) 體32以電接觸區(qū)域24和區(qū)域29，并形成與其的歐姆接觸。另一導(dǎo)體 34在基底20的表面39上形成，該表面39與表面38相對(duì)。在器件 IO裝配到半導(dǎo)體封裝中之后，導(dǎo)體33連接到半導(dǎo)體封裝的端子11, 而導(dǎo)體34連接到半導(dǎo)體封裝的端子12。在其它實(shí)施方式中，端子ll 和12與導(dǎo)體33和34的關(guān)系可顛倒。參考圖3和圖2，器件10的優(yōu)選實(shí)施方式包括形成區(qū)域24和26， 以具有基本上相同的平面面積例如在基底20的表面處的面積和基本 上相等的摻雜濃度。該優(yōu)選配置幫助形成器件10的基本上對(duì)稱的電 流-電壓特征曲線，并幫助形成二極管14和15的基本上相等的電容。 此外，區(qū)域24和26的摻雜濃度優(yōu)選地形成為小于區(qū)域22的摻雜濃 度。通常，形成器件IO，以具有區(qū)域22相對(duì)于區(qū)域24和26的第一 微分摻雜濃度，該摻雜濃度大于基底21相對(duì)于區(qū)域22的第二微分摻 雜濃度，并大于區(qū)域29相對(duì)于區(qū)域22的第三微分摻雜濃度。該微分 摻雜濃度形成區(qū)域22與區(qū)域24和26之間的兩個(gè)P-N結(jié)的擊穿電壓， 該擊穿電壓小于區(qū)域22和基底21之間的P-N結(jié)的擊穿電壓并小于區(qū) 域22與區(qū)域29之間的P-N結(jié)的擊穿電壓。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到， 微分摻雜濃度(differential doping concentration )是兩個(gè)摻雜區(qū)的摻 雜濃度之間的差異。因此，區(qū)域22相對(duì)于區(qū)域24的微分摻雜濃度是 區(qū)域22的濃度減去區(qū)域24的濃度。大的微分摻雜濃度幫助將二極管 14和15之間的載流子傳導(dǎo)限制在區(qū)域22內(nèi)，正如在下文中將進(jìn)一步 看到的。在優(yōu)選實(shí)施方式中，區(qū)域24和26的摻雜濃度為大約4E15 原子/立方厘米，區(qū)域22的摻雜濃度為大約2E18原子/立方厘米，區(qū) 域29的摻雜濃度為大約2E16原子/立方厘米，以及基底21的摻雜濃 度為大約1E19原子/立方厘米。圖4是示出器件10的基本上對(duì)稱的電流-電壓特征曲線的曲線圖。橫坐標(biāo)表示端子ll相對(duì)于端子12的電壓，而縱坐標(biāo)表示從端子 11通過器件10流到端子12的電流的值。曲線40示出對(duì)于在器件10 兩端的不同的被施加的電壓值的器件10的電流-電壓特征曲線，這些 電壓從零伏一直到至少為正向激活電壓和反向激活電壓的電壓。當(dāng)端子11在一個(gè)值處相對(duì)于端子12被正偏壓時(shí)，正向激活電壓(Vf)出 現(xiàn)，所述值足以使得在其齊納電壓(Vz)處二極管14被正向偏壓而 二極管15被反向偏壓。類似地，當(dāng)端子ll在一個(gè)值處相對(duì)于端子12 被負(fù)偏壓時(shí)，反向激活電壓(-Vr)出現(xiàn)，所迷值足以使得在其齊納 電壓(Vz)處二極管15被正向偏壓而二極管14被反向偏壓。曲線 42作為虛線示出了沒有出現(xiàn)在器件10的電流-電壓特征曲線中的不希 望有的回跳(snap-back)特征。該描述參考圖1、圖2和圖4。當(dāng)正向激活電壓(Vf)施加到器件10時(shí)，端子11相對(duì)于端子 12^皮正偏壓，且電流I1從端子11流過區(qū)域26和22之間的正向偏壓 的P-N結(jié)并流入由區(qū)域22形成的漂移區(qū)中。電流I1通過區(qū)域22橫 向流到區(qū)域22和24之間的反向偏壓的結(jié)，通過導(dǎo)體32流到區(qū)域29， 通過區(qū)域29流到基底21，并流到端子12。因?yàn)槎俗?1比端子12更 為正向性，基底21和區(qū)域22之間的P-N結(jié),皮反向偏壓。由于區(qū)域 24和26之間的對(duì)于區(qū)域22的摻雜濃度，那些相應(yīng)的P-N結(jié)具有比 區(qū)域22對(duì)于基底21的P-N結(jié)更低的擊穿電壓，因此，電流I1被限 制為流經(jīng)區(qū)域22?？梢钥吹?，導(dǎo)體32形成允許電流從二極管15通過 區(qū)域29和基底21流到端子12的傳導(dǎo)路徑。當(dāng)端子ll相對(duì)于端子12被負(fù)偏壓時(shí)，電流I2從端子12通過基 底21流動(dòng)，通過區(qū)域29和導(dǎo)體32進(jìn)入?yún)^(qū)域24中，越過區(qū)域24和 22之間的正向偏壓的P-N結(jié)，橫向通過由區(qū)域22形成的漂移區(qū)到達(dá) 區(qū)域22和26之間的反向偏壓的P-N結(jié)，從而到達(dá)端子11。因?yàn)榛?底21和區(qū)域22之間的P-N結(jié),皮正向偏壓，基底21以及區(qū)域22和26 形成PNP晶體管。因此，從端子12到端子11的另一可能的傳導(dǎo)路 徑將通過基底21以及區(qū)域22和26的PNP晶體管。為了容易以低成 本形成區(qū)域29,區(qū)域26延伸到區(qū)域22中，使得區(qū)域22的厚度/距離25使區(qū)域26的底部與區(qū)域22的底部分離。當(dāng)端子ll相對(duì)于端子12 被負(fù)偏壓時(shí)，區(qū)域26和基底21之間的這個(gè)小的距離(還有區(qū)域22 的摻雜濃度)可使PNP晶體管被啟動(dòng)并傳導(dǎo)電流。如果PNP晶體管 被啟動(dòng)，則器件10兩端的電壓將從反向激活電壓(-Vr)降低到回跳 電壓(-Vs)，如圖4中虛線所示。這通常稱為器件10的電流-電壓特 征曲線中的回跳效應(yīng)，其中電壓降低同時(shí)電流增加。本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)認(rèn)識(shí)到，回跳效應(yīng)出現(xiàn)在器件10的運(yùn)行期間，與在短路條件下器 件出故障的情況不同，使得電流增加，且電壓降低到大約零。為了防止這種回跳，區(qū)域22內(nèi)載流子復(fù)合(recombination)壽命 被調(diào)節(jié)到較低的值，使得在區(qū)域26和22之間的P-N結(jié)處形成的載流 子快速復(fù)合且沒有足夠的壽命來橫跨厚度/距離25進(jìn)入基底21中。在 優(yōu)選實(shí)施方式中，區(qū)域22內(nèi)的載流子復(fù)合壽命通過用電子束轟擊或 輻射器件10來調(diào)節(jié)。電子束輻射在基底21的晶格結(jié)構(gòu)內(nèi)產(chǎn)生散射位 置，從而產(chǎn)生減小載流子流動(dòng)性的復(fù)合位置，因而減小了區(qū)域22內(nèi) 的栽流子復(fù)合壽命。在優(yōu)選實(shí)施方式中，器件10被暴露給電子束輻 射，能量10Mev以及劑量32KGy。優(yōu)選地，器件10在這些條件下被 輻射分開的四次。然而，可以認(rèn)為，可完全橫穿過器件10的任何劑 量的粒子可降低栽流子復(fù)合壽命。區(qū)域22內(nèi)的栽流子復(fù)合壽命優(yōu)選 地減小大約20%到80%。減小載流子復(fù)合壽命基本上消除了回跳效 應(yīng)并形成具有基本上對(duì)稱的形狀的電流-電壓特征曲線。輻射器件10 也減小了在器件10的所有摻雜區(qū)內(nèi)的載流子復(fù)合壽命。因?yàn)槠骷?0 不用于提供電流增益或電壓增益，減小這些區(qū)域內(nèi)的載流子復(fù)合壽命 不影響器件10的工作。此外，減小區(qū)域22內(nèi)的載流子復(fù)合壽命形成 電流-電壓特征曲線，來增加器件10兩端的電壓降，以增加流經(jīng)器件 IO的電流的值，而沒有回跳效應(yīng)，其中電壓降低同時(shí)電流增加。區(qū)域22與區(qū)域24和26之間的P-N結(jié)的擊穿以及相關(guān)的回跳通 常不出現(xiàn)。然而，如果距離28變得小于約25微米，則沒有在區(qū)域24 和26之間可出現(xiàn)擊穿的可能性。然而，減小區(qū)域22內(nèi)的載流子復(fù)合 壽命也抑制該擊穿，即使距離28小于25微米。在一個(gè)實(shí)施方式中，厚度/距離25大約為8微米，且在器件的工作期間減小的載流子復(fù)合 壽命阻止回跳。器件10可用在各種應(yīng)用中，并通常連接在一件電子裝置的兩個(gè) 端子之間，以保護(hù)該裝置不受到過電壓情況例如靜電放電事件的損 害。例如，器件10可連接在通信系統(tǒng)的兩條導(dǎo)線之間，以便防止靜 電放電通過導(dǎo)線傳播至連接到導(dǎo)線的一件裝置。對(duì)于這樣的應(yīng)用，重 要的是，當(dāng)器件10不傳導(dǎo)電流時(shí)，器件10有非常低的電容，而當(dāng)器 件IO傳導(dǎo)由靜電放電事件產(chǎn)生的電流時(shí)，器件IO優(yōu)選地具有甚至更 低的電容。當(dāng)器件10不傳導(dǎo)時(shí)，低電容允許快速的數(shù)據(jù)傳輸，而器 件10的電容不干擾該數(shù)據(jù)傳輸。減小區(qū)域22內(nèi)的載流子復(fù)合壽命也 減小區(qū)域22與區(qū)域24和26之間的電容，從而在器件10不傳導(dǎo)時(shí)以 及當(dāng)器件IO傳導(dǎo)電流時(shí)都減小器件10的電容。鑒于上述全部內(nèi)容，顯然公開的是一種新的器件和方法。所包括 的以及其它的特征是減小二極管結(jié)構(gòu)的漂移區(qū)內(nèi)的載流子復(fù)合壽命。 當(dāng)施加在二極管結(jié)構(gòu)兩端的電壓大于結(jié)的擊穿電壓時(shí)，減小載流子復(fù) 合壽命防止漂移區(qū)和相鄰的半導(dǎo)體材料之間的P-N結(jié)擊穿。本領(lǐng)域技 術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到，由于與漂移區(qū)相鄰的半導(dǎo)體區(qū)域的低摻雜，減小低 摻雜區(qū)內(nèi)的載流子復(fù)合壽命減小了在其中的界面處形成的二極管的 結(jié)電容。雖然本發(fā)明的主題是用具體的優(yōu)選實(shí)施方式來描述的，但顯然， 對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，許多替換和變化是明顯的。例如，各種各樣的方法可用于減小漂移區(qū)的載流子復(fù)合壽命。雖然本發(fā)明的主 題是用優(yōu)選實(shí)施方式來描述的，但其它摻雜濃度可用于形成器件。在 其它實(shí)施方式中，尤其是當(dāng)基本上相等的電容不是必要的時(shí)，平面面 積可以不大致相等。此外，可改變形成二極管14和15的P-N結(jié)的結(jié) 構(gòu)和相對(duì)定位，只要該結(jié)構(gòu)形成背靠背二極管。另外，除了齊納二極 管，二極管還可為其它類型的二極管。此外，為描述清楚而始終使用 "連接(connect)"這個(gè)詞，但是，其被規(guī)定為與詞"耦合(couple)"具有 相同的含義。相應(yīng)地，"連接"應(yīng)被解釋為包括直接連接或間接連接。
權(quán)利要求
1.一種雙向二極管結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電類型的基底，所述基底具有表面；第一二極管，其包括在所述基底的所述表面上形成的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)具有邊緣，所述邊緣遠(yuǎn)離所述基底的所述表面；第二二極管，其包括在所述基底的所述表面上并在所述第一摻雜區(qū)內(nèi)形成的第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，其中所述第二摻雜區(qū)具有周邊；以及所述第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)在所述基底的所述表面上并在所述第一摻雜區(qū)內(nèi)形成，所述第三摻雜區(qū)具有與所述第二摻雜區(qū)的所述周邊的一部分間隔開第一距離的側(cè)面，并具有設(shè)置在離所述第一摻雜區(qū)的所述邊緣不大于約25微米的所述第三摻雜區(qū)的底部邊緣，其中所述雙向二極管結(jié)構(gòu)的電流-電壓特征曲線對(duì)于通過所述雙向二極管結(jié)構(gòu)在兩個(gè)方向上流動(dòng)的電流是基本上對(duì)稱的，而沒有回跳，其中所述電流增加，但所述雙向二極管結(jié)構(gòu)兩端的電壓降減小。
2. 如權(quán)利要求1所述的雙向二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第三摻雜區(qū) 的所述側(cè)面離所述第二摻雜區(qū)的所述周邊的所述一部分不大于約25 微米。
3. 如權(quán)利要求1所述的雙向二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第一摻雜區(qū) 和第二摻雜區(qū)之間的微分摻雜濃度大于所述第一摻雜區(qū)和所迷基底 之間的微分摻雜濃度。
4. 如權(quán)利要求1所述的雙向二極管結(jié)構(gòu)，其中所述第一摻雜區(qū) 中的載流子復(fù)合壽命通過輻射所述雙向二極管結(jié)構(gòu)來減小。
5. 如權(quán)利要求4所述的雙向二極管結(jié)構(gòu)，其中所述載流子復(fù)合 壽命在所述雙向二極管結(jié)構(gòu)的形成期間從第一值調(diào)節(jié)到笫二值。
6. —種形成雙向二極管的方法，包括以下步驟形成覆蓋半導(dǎo)體區(qū)域的第 一摻雜區(qū)，所述半導(dǎo)體區(qū)域具有第 一導(dǎo) 電類型和第一摻雜濃度，其中所述第一摻雜區(qū)具有第二導(dǎo)電類型并具有第二摻雜濃度；在所述第一摻雜區(qū)內(nèi)形成所述第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)； 在所述第一摻雜區(qū)內(nèi)形成所述第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，所述 第三摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)間隔開第 一距離并具有第三摻雜濃度， 其中所述第一摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)之間的微分摻雜濃度大于所 述第一摻雜區(qū)和所述半導(dǎo)體區(qū)域之間的微分摻雜濃度；以及在形成所述第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)之后，減小所述第一摻雜區(qū) 內(nèi)的載流子復(fù)合壽命。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述第一摻雜區(qū)的步驟 包括形成所述第一摻雜濃度和所述第二摻雜濃度，以具有小于所述第 二摻雜濃度和第三摻雜濃度之間的微分摻雜濃度的微分摻雜濃度。
8. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中減小所述第一摻雜區(qū)內(nèi)的載流子復(fù)合壽命的步驟包括在將所述雙向二極管裝配到半導(dǎo)體封裝中之前用粒子轟擊、電子束、質(zhì)子束、中子束或Y粒子中的一個(gè)來輻射 所述雙向二極管。
9. 一種形成二極管的方法，包括以下步驟 提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底具有第一導(dǎo)電類型和第一摻雜濃度并具有表面；形成覆蓋所述半導(dǎo)體基底的至少一部分的半導(dǎo)體區(qū)域，其中所述 半導(dǎo)體區(qū)域具有第二導(dǎo)電類型和小于所述第一摻雜濃度的第二摻雜 濃度；在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)形成第一二極管；以及 減小所述半導(dǎo)體區(qū)域的第一部分內(nèi)的載流子復(fù)合壽命。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體區(qū) 域內(nèi)并與所述第一二極管間隔開第一距離的第二二極管的步驟，其中 所述半導(dǎo)體區(qū)域的第一部分為在所述第一二極管和所述第二二極管 之間流動(dòng)的電流形成漂移區(qū)；以及其中形成所述第一二極管和形成所述第二二極管的步驟包括形成在所述第一二極管之下并具有不大于約25微米的厚度的所述半導(dǎo)體區(qū)域的第二部分，以及形成在所述第 一二極管之下并具有不大于約25微米的厚度的所述半導(dǎo)體區(qū)域的第 三部分。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體區(qū) 域內(nèi)并與所述第一二極管間隔開第 一距離的第二二極管的步驟，其中 所述半導(dǎo)體區(qū)域的第一部分為在所述第一二極管和所述第二二極管 之間流動(dòng)的電流形成漂移區(qū)；以及其中形成所述第一二極管和形成所 述第二二極管的步驟包括形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)并具有所述第一導(dǎo)電類型和小于所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度的第一摻雜區(qū)，以 及形成在所述半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)并具有所述第一導(dǎo)電類型和所述第三摻 雜濃度的第二摻雜區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種形成雙向二極管的方法及其結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施方式中，雙向二極管結(jié)構(gòu)形成為具有基本上對(duì)稱的電流-電壓特征曲線。
文檔編號(hào)H01L27/082GK101599489SQ20091012990
公開日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2009年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者A·薩利赫, M·杜斯金, S·P·羅 申請(qǐng)人:半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司