專(zhuān)利名稱(chēng)：電極的制造方法、蓄電裝置及中間層疊材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有開(kāi)孔集電體的電極的制造方法、組裝有具 有開(kāi)孔集電體的電極的蓄電裝置、以及作為電極制造過(guò)程中的半成品 的中間層疊材料等。
背景技術(shù)：
在電動(dòng)車(chē)及混合動(dòng)力車(chē)輛等上，搭載有鋰離子蓄電池及鋰離子 電容器等蓄電裝置。在制造組裝在蓄電裝置中的電極時(shí)，將含有活性 物質(zhì)的電極漿料涂敷在金屬箔等集電體材料上。并且，通常通過(guò)一邊 在水平方向上運(yùn)送集電體材料， 一邊使其經(jīng)過(guò)千燥爐，干燥電極漿料 而形成電極復(fù)合層。
另外，為了提高蓄電裝置的能量密度，提出了使金屬鋰箔和負(fù) 極之間進(jìn)行電化學(xué)接觸的蓄電裝置的方案。在該蓄電裝置中，可以在 負(fù)極中預(yù)嵌入鋰離子。由此，可以在負(fù)極的電位降低的同時(shí)提高負(fù)極 的靜電容量，可以提高蓄電裝置的能量密度。另外，為了在所層疊的 多個(gè)負(fù)極中均勻地嵌入鋰離子，在各電極的集電體中形成用于使鋰離 子經(jīng)過(guò)的通孔(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。
但是，在將電極漿料涂敷在具有通孔的集電體材料上時(shí)，電極 漿料有可能經(jīng)過(guò)通孔而滲漏到集電體材料的背面?zhèn)?。這樣，電極漿料 滲漏到集電體材料的背面?zhèn)?，?huì)使電極漿料附著在支撐集電體材料的 導(dǎo)向輥上。因此，提出了一邊在垂直方向上抬起集電體材料， 一邊涂 敷電極漿料的制造方法的方案。根據(jù)該制造方法，由于在集電體材料 的抬起過(guò)程中不需要導(dǎo)向輥，因此可以防止電極槳料附著在導(dǎo)向輥 上。另外，還提出了通過(guò)在集電體材料中使通孔形成為較小，防止電 極漿料滲漏到集電體材料的背面?zhèn)鹊男铍娧b置的方案(例如，參照專(zhuān)
利文獻(xiàn)2)。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了將夾持粘結(jié)層或絕緣層而在兩側(cè) 設(shè)置的金屬箔，以規(guī)定圖案的阻蝕層進(jìn)行蝕刻處理而進(jìn)行開(kāi)孔的結(jié) 構(gòu)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:專(zhuān)利第3485935號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)2007-141897號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)3:專(zhuān)利3411514號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，由于將集電體材料向垂直方向抬起，會(huì)導(dǎo)致運(yùn)送速度的 下降，因此存在使電極的生產(chǎn)率下降的問(wèn)題。即，在集電體材料上涂 敷的電極漿料干燥之前，需要將集電體材料向垂直方向抬起。但是， 由于集電體材料有可能因自重而導(dǎo)致斷裂，因此集電體材料的抬起高 度受到限制。伴隨該抬起高度的限制，使對(duì)電極漿料進(jìn)行干燥的干燥 爐的高度尺寸也受到限制。為了利用上述較短的干燥爐干燥電極漿 料，需要降低集電體材料的運(yùn)送速度。這樣，將集電體材料向垂直方 向抬起，成為使電極的生產(chǎn)率下降，同時(shí)使電極的制造成本上升的主 要原因。
另外，在為使電極漿料不滲漏到集電體材料的背面?zhèn)?，而將?孔形成為較小的情況下，可以一邊將集電體材料水平運(yùn)送， 一邊涂敷 電極漿料。但是，與不具有通孔的集電體材料相比，具有通孔的集電 體材料的強(qiáng)度更低，因此具有通孔的集電體的運(yùn)送速度有下降的傾 向。這樣，即使可以利用通孔的小徑化進(jìn)行水平運(yùn)送，與不具有通孔 的集電體材料相比，也難以提高電極的生產(chǎn)率。并且，由于集電體的 通孔變小，在負(fù)極中嵌入鋰離子時(shí)還會(huì)使鋰離子的移動(dòng)速度下降。該 移動(dòng)速度的下降會(huì)導(dǎo)致在負(fù)極中進(jìn)行的鋰離子的嵌入作業(yè)長(zhǎng)期化。該 嵌入作業(yè)的長(zhǎng)期化，成為使蓄電裝置的生產(chǎn)率下降，同時(shí)使蓄電裝置 的制造成本上升的主要原因。
并且，作為在集電體材料上加工通孔的方法，存在沖壓等機(jī)械 加工以及作為化學(xué)處理的蝕刻加工方法，但從品質(zhì)方面考慮，優(yōu)選實(shí) 施蝕刻加工。但是，在進(jìn)行蝕刻加工時(shí)，通常在各個(gè)金屬箔的表面形成規(guī)定圖案的阻蝕層，在各個(gè)金屬箔的背面整體形成阻蝕層。這樣，
對(duì)每一枚金屬箔形成阻蝕層而實(shí)施蝕刻加工，成為使集電體的生產(chǎn)率
下降，同時(shí)使電極的生產(chǎn)率下降的主要原因。
本發(fā)明的目的在于，提高具有開(kāi)孔集電體的電極的生產(chǎn)率。 本發(fā)明的電極的制造方法中，該電極具有開(kāi)孔集電體，其特征
在于，具有如下工序集電體層疊工序，在該工序中，對(duì)多個(gè)集電體
材料進(jìn)行層疊，形成集電體層疊單元；保護(hù)層形成工序，在該工序中， 在所述集電體層疊單元的表面上形成規(guī)定圖案的保護(hù)層；蝕刻工序， 在該工序中，對(duì)形成有所述保護(hù)層的所述集電體層疊單元實(shí)施蝕刻處 理，在所述集電體材料上分別形成通孔；第1涂敷工序，在該工序中， 在形成有所述通孔的所述集電體層疊單元的表面涂敷電極漿料；集電 體剝離工序，在該工序中，將涂敷有所述電極漿料的所述集電體材料， 從所述集電體層疊單元進(jìn)行剝離；以及第2涂敷工序，在該工序中， 在從所述集電體層疊單元?jiǎng)冸x的所述集電體材料的未涂敷面上涂敷 電極漿料。
本發(fā)明的電極的制造方法的特征在于，在所述集電體層疊工序 中，在所述集電體材料之間設(shè)置隔斷層；在所述保護(hù)層形成工序中， 在所述集電體層疊單元的一個(gè)面和另一個(gè)面的兩面上形成規(guī)定圖案 的所述保護(hù)層；在所述蝕刻工序中，從所述集電體層疊單元的一個(gè)面 和另一個(gè)面的兩面，在所述集電體材料上分別形成所述通孔。
本發(fā)明的電極的制造方法的特征在于，在所述集電體層疊工序 中，直接層疊多個(gè)所述集電體材料；在所述保護(hù)層形成工序中，在所 述集電體層疊單元的整個(gè)一個(gè)面上形成隔斷層，另一方面，在所述集 電體層疊單元的另一個(gè)面上形成規(guī)定圖案的所述保護(hù)層；在所述蝕刻 工序中，從所述集電體層疊單元的另一個(gè)面，在所述集電體材料上分 別形成所述通孔。
本發(fā)明的電極的制造方法的特征在于，在層疊的所述多個(gè)集電 體材料上分別形成的通孔是彼此相對(duì)地設(shè)置的，且相對(duì)設(shè)置的通孔之 間的開(kāi)口面是彼此錯(cuò)開(kāi)的。
本發(fā)明的電極的制造方法的特征在于，在上述任意一種本發(fā)明的電極的制造方法中，在層疊的所述多個(gè)集電體材料上分別形成的通 孔中，所述通孔內(nèi)表面上設(shè)置有防止電極復(fù)合層脫落的防脫落單元。
本發(fā)明的電極的制造方法的特征在于，在上述本發(fā)明的電極的 制造方法中，所述防脫落單元是指，使從電極漿料的涂敷側(cè)朝向貫穿 方向的通孔端的開(kāi)口面比以平行于所述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的所述 通孔內(nèi)的其它開(kāi)口面更小。
本發(fā)明的電極的制造方法的特征在于，在所述本發(fā)明的電極的 制造方法中，所述防脫落單元是指，從所述通孔的電極漿料的涂敷側(cè) 的開(kāi)口面朝向所述通孔的另一端的開(kāi)口面而設(shè)置的前端細(xì)的錐部。
本發(fā)明的蓄電裝置是組裝有具有開(kāi)孔集電體的電極的蓄電裝 置，其特征在于，所述電極是利用技術(shù)方案1至7中的任意一項(xiàng)所述 的電極的制造方法而制造的。
本發(fā)明的蓄電裝置的特征在于，所述蓄電裝置是鋰離子電容器。 本發(fā)明的蓄電裝置的特征在于，所述蓄電裝置是鋰離子電池。 本發(fā)明的中間層疊材料是作為電極制造過(guò)程的半成品的中間層 疊材料，其特征在于，具有集電體材料，其具有多個(gè)通孔；隔斷層，
其設(shè)置在所述集電體材料的一面?zhèn)榷]塞所述通孔；以及電極復(fù)合 層，其設(shè)置在所述集電體材料的另一面?zhèn)取?br> 本發(fā)明的中間層疊材料的特征在于，在上述構(gòu)成的中間層疊材 料中，所述集電體材料層疊在所述隔斷層的兩面上。
本發(fā)明的中間層疊材料的特征在于，在所述構(gòu)成的中間層疊材 料中，所述集電體材料層疊在所述隔斷層的單面上。
本發(fā)明的中間層疊材料的特征在于，在所述記載的本發(fā)明的中 間層疊材料中，所述集電體材料隔著所述隔斷層而相對(duì)地設(shè)置多個(gè)， 在相對(duì)地設(shè)置的所述集電體材料上分別形成的通孔之間的面向所述 隔斷層的開(kāi)口面彼此錯(cuò)開(kāi)。
本發(fā)明的中間層疊材料的特征在于，在所述記載的本發(fā)明的中 間層疊材料中，在所述通孔的內(nèi)表面上設(shè)置有防止電極復(fù)合層脫落的 防脫落單元。
本發(fā)明的中間層疊材料的特征在于，在上述記載的本發(fā)明的中間層疊材料中，所述防脫落單元是指，使所述通孔的面向所述隔斷層 側(cè)的開(kāi)口面比以平行于所述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的其它開(kāi)口面更小。 本發(fā)明的中間層疊材料的特征在于，在所述記載的本發(fā)明的中 間層疊材料中，所述防脫落單元是指，在所述通孔中朝向所述隔斷層 而設(shè)置的前端細(xì)的錐部。
發(fā)明的效果
在本發(fā)明中，因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料實(shí)施蝕刻處理，所以可以 提高開(kāi)孔集電體的生產(chǎn)率，可以提高電極的生產(chǎn)率。另外，因?yàn)樵趯?疊多個(gè)集電體材料的集電體層疊單元中涂敷電極漿料，所以可以提高 涂敷電極漿料時(shí)的運(yùn)送速度，可以提高電極的生產(chǎn)率。


圖1是表示蓄電裝置的立體圖。
圖2是沿圖1的A-A線(xiàn)概略地示出蓄電裝置的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。
圖3是局部放大地示出蓄電裝置的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。 圖4是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電極的制造方法的流程圖。 圖5中(A) (D)是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概略圖。
圖6中(A) (D)是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概略圖。
圖7是表示涂敷干燥裝置的一個(gè)例子的概略圖。 圖8是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電極的制造方法的流程圖。 圖9中(A) (E)是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概略圖。
圖10中(A) (C)是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概 略圖。
圖11中(A) (C)是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概 略圖。圖12中(A) (E)是表示在集電體材料上形成通孔時(shí)各制造 工序的概略圖。.
圖13是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電極的制造方法的流程圖。
圖14是表示重合軋制裝置的一個(gè)例子的概略圖。
圖15中(A)是表示相對(duì)的開(kāi)口面一致的情況、(B)是表示
相對(duì)的開(kāi)口面錯(cuò)開(kāi)的情況的說(shuō)明圖。
圖16中(A)是表示開(kāi)口面的平面圖案，(B)是表示相對(duì)的
開(kāi)口面的位置錯(cuò)開(kāi)的狀態(tài)的說(shuō)明圖。
圖17是表示開(kāi)口面的重復(fù)率的說(shuō)明圖。
圖18是表示相對(duì)的開(kāi)口面一致的情況的說(shuō)明圖。
圖.]9中(A) (C)是表示相對(duì)的開(kāi)口面的位置錯(cuò)開(kāi)方式的
說(shuō)明圖。.
圖20中(A) (C)是表示相對(duì)的開(kāi)口面的位置錯(cuò)開(kāi)方式的 說(shuō)明圖。
圖21中(A) 、 (B)是表示相對(duì)的開(kāi)口面的位置錯(cuò)開(kāi)方式的 說(shuō)明圖。
圖22中(A) 、 (B)是表示相對(duì)的開(kāi)口面的位置錯(cuò)開(kāi)方式的 說(shuō)明圖。
圖23是表示相對(duì)的開(kāi)口面的位置錯(cuò)開(kāi)方式的說(shuō)明圖。
圖24中(A)是表示相對(duì)的開(kāi)口面一致的情況、(B)是表示
相對(duì)的開(kāi)口面錯(cuò)開(kāi)的情況的變形例的說(shuō)明圖。
圖25是表示在圖6中向通孔內(nèi)填充電極漿料的狀態(tài)的概略圖。 圖26是表示在圖IO中向通孔內(nèi)填充電極漿料的狀態(tài)的概略圖。 圖27是表示在圖11中向通孔內(nèi)填充電極漿料的狀態(tài)的概略圖。 圖28中(A) 、 (B)是表示電極復(fù)合層的易脫落通孔形狀的
剖面說(shuō)明圖。
圖29中(A) (C)是表示在通孔內(nèi)設(shè)置的防脫落單元及其 變形例的說(shuō)明圖。
圖30中(A) (D)是說(shuō)明防脫落單元的一個(gè)例子及其功能的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施方式1)
圖1是表示蓄電裝置IO的立體圖，圖2是沿圖1的A-A線(xiàn)概略 地示出蓄電裝置IO的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。如圖1及圖2所示，在作 為封裝容器的層壓薄膜11內(nèi)收容有電極層疊單元12。該電極層疊單 元12由交替層疊的正極(電極)13和負(fù)極(電極)14構(gòu)成。在正極 13和負(fù)極14之間設(shè)置有隔板15。另外，在電極層疊單元12的最外 部，鋰電極16與負(fù)極14相對(duì)地配置。在負(fù)極14和鋰電極16之間設(shè) 置有隔板15。三極層疊單元17由上述電極層疊單元12和鋰電極16 構(gòu)成。此外，在層壓薄膜11內(nèi)注入電解液。該電解液由含鋰鹽的非 質(zhì)子性有機(jī)溶劑構(gòu)成。
圖3是局部放大地示出蓄電裝置10的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。如圖 3所示，正極13具有設(shè)有大量通孔20a的正極集電體(開(kāi)孔集電體) 20。在該正極集電體20上涂敷有正極復(fù)合層21。另外，在正極集電 體20上設(shè)置有呈凸?fàn)钌斐龅亩俗雍附硬?0b。多枚端子焊接部20b 以重疊的狀態(tài)彼此接合。并且，在彼此接合的端子焊接部20b上接合 正極端子22。同樣地，負(fù)極14具有設(shè)有大量通孔23a的負(fù)極集電體 (開(kāi)孔集電體)23。在該負(fù)極集電體23上涂敷有負(fù)極復(fù)合層24。另 夕卜，在負(fù)極集電體23上設(shè)置有呈凸?fàn)钌斐龅亩俗雍附硬?3b。多枚 端子焊接部23b以重疊的狀態(tài)彼此接合。并且，在彼此接合的端子焊 接部23b上接合負(fù)極端子25。
在正極復(fù)合層21中，作為正極活性物質(zhì)而含有活性碳。在該活 性碳中，可以使鋰離子及陰離子可逆地進(jìn)行摻雜*脫附。另外，在負(fù) 極復(fù)合層24中，作為負(fù)極活性物質(zhì)而含有多并苯類(lèi)有機(jī)半導(dǎo)體 (PAS)。在該P(yáng)AS中，可以使鋰離子可逆地進(jìn)行摻雜 脫附。這 樣，通過(guò)采用活性碳作為正極活性物質(zhì)，采用PAS作為負(fù)極活性物 質(zhì)，使圖示的蓄電裝置IO作為鋰離子電容器起作用。此外，在本說(shuō) 明書(shū)中，摻雜(嵌入)是指吸收、承載、吸附、插入等。g卩，嵌入是指鋰離子等進(jìn)入正極活性物質(zhì)或負(fù)極活性物質(zhì)的狀態(tài)。另外，脫附(脫 嵌)是指放出、脫離等。即，脫嵌是指鋰離子等離開(kāi)正極活性物質(zhì)或 負(fù)極活性物質(zhì)的狀態(tài)。
如前所述，在蓄電裝置10內(nèi)插入有鋰電極16。該鋰電極16具
有與負(fù)極集電體23接合的鋰電極集電體26。另外，在鋰電極集電體 26上壓接有作為離子供給源的金屬鋰箔27。因此，金屬鋰箔27和負(fù) 極復(fù)合層24之間為隔著鋰電極集電體26及負(fù)極集電體23而連接的 狀態(tài)。這樣，負(fù)極14和鋰電極16之間具有電氣連接的構(gòu)造。因此， 通過(guò)在層壓薄膜11內(nèi)注入電解液，可以使鋰離子從鋰電極16向負(fù)極 14中嵌入(以下，稱(chēng)為"預(yù)嵌入")。
這樣，通過(guò)在負(fù)極14中預(yù)嵌入鋰離子，可以使負(fù)極電位降低。 由此，可.以提高蓄電裝置10的電池電壓。另外，通過(guò)降低負(fù)極電位 可以使正極.13深度放電，可以提高蓄電裝置IO訴電池容量(放電容 量)。并且，通過(guò)在負(fù)極14中預(yù)嵌入鋰離子，可以提高負(fù)極14的靜 電容量。由此，可以提高蓄電裝置10的靜電容量。這樣，由于可以 提高蓄電裝置10的電池電壓、電池容量、靜電容量，因此可以提高 蓄電裝置10的能量密度。此外，從實(shí)現(xiàn)蓄電裝置10的高容量化的角 度出發(fā)，優(yōu)選將金屬鋰箔27的量設(shè)定為，以使正極13和負(fù)極14之 間短路后的正極電位小于或等于2.0V (相對(duì)于Li/Li+)。
另外，在正極集電體20及負(fù)極集電體23中形成有通孔20a、23a。 因此，可以使從鋰電極16放出的鋰離子在層疊方向移動(dòng)。由此，可 以在層疊的所有負(fù)極14中順利地預(yù)嵌入鋰離子。
接著，說(shuō)明正極13及負(fù)極14的制造方法。以下，在制造方法 的說(shuō)明中，通過(guò)將正極13及負(fù)極14記載為電極，將正極13的制造 方法和負(fù)極14的制造方法結(jié)合起來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。此外，在制造方法的 說(shuō)明中，將正極復(fù)合層21及負(fù)極復(fù)合層24記載為電極復(fù)合層。圖4 是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電極的制造方法的流程圖。另外，圖 5及圖6是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概略圖。
如圖4所示，在步驟S101中實(shí)施形成集電體層疊單元30的集 電體層疊工序。在該集電體層疊工序中，如圖5 (A)所示，準(zhǔn)備有由金屬箔構(gòu)成的長(zhǎng)條狀集電體材料31、 32，并作為隔斷層而準(zhǔn)備有
長(zhǎng)條狀薄膜材料33。并且，通過(guò)由一對(duì)集電體材料31、 32夾入薄膜 材料33，形成由集電體材料31、 32及薄膜材料33構(gòu)成的集電體層 疊單元30。此外，在制造正極13時(shí)，作為集電體材料31、 32而使 用例如鋁箔。另一方面，在制造負(fù)極14時(shí)，作為集電體材料31、 32 而使用例如銅箔。另外，作為薄膜材料33，使用對(duì)后述的蝕刻液具 有耐受性的材料。并且，為了與后述集電體剝離工序相對(duì)應(yīng)，作為薄 膜材料33，優(yōu)選使用微粘接薄膜或可剝離薄膜。例如，作為通過(guò)加 熱而進(jìn)行剝離的薄膜，可以使用"y ^TW:7:r"(注冊(cè)商標(biāo)，"日 東電工株式會(huì)社")。另外，作為微粘接薄膜，可以使用"/、°于7°口 亍夕卜"(注冊(cè)商標(biāo)，"^于:y夕株式會(huì)社")。
如圖4所示，在接下來(lái)的步驟S102中實(shí)施在集電體層疊單元30 上形成作為保護(hù)層的阻蝕層34的阻蝕層印刷工序(保護(hù)層形成工 序)。在該阻蝕層印刷工序中，如圖5 (B)所示，在集電體層疊單 元30的一個(gè)面30a和另一個(gè)面30b的兩面上，以規(guī)定圖案印刷阻蝕 油墨。由此，在集電體層疊單元30的一個(gè)面30a和另一個(gè)面30b的 兩面上，會(huì)形成規(guī)定圖案的阻蝕層34。此外，在阻蝕層印刷工序中， 通過(guò)凹版印刷或網(wǎng)板印刷等印刷阻蝕油墨，但在作為隔斷層而存在薄 膜材料33的情況下，由于不需要使兩面的圖案一致，因而優(yōu)選。另 外，作為阻蝕油墨，只要是對(duì)后述的蝕刻液具有耐受性的材料即可， 可以使用通常的材料。并且，作為阻蝕油墨，優(yōu)選采用能夠利用堿性 溶劑等溶解去除的材料。
另外，在所述說(shuō)明中是使用液態(tài)阻蝕油墨而形成阻蝕層34，但 也可以粘貼預(yù)先薄膜化的干性薄膜阻蝕層。例如，作為干性薄膜阻蝕 層，可以使用"f 二求:/MRC K，^7^W厶株式會(huì)社"制造的FXR 或FX900等。此外，在使用干性薄膜阻蝕層的情況下，通過(guò)對(duì)所粘 貼的干性薄膜阻蝕層實(shí)施曝光處理及顯像處理，在集電體層疊單元 30上形成規(guī)定圖案的阻蝕層34。
如圖4所示，在接下來(lái)的步驟S103中實(shí)施在集電體層疊單元30 上形成通孔20a、 23a的蝕刻工序。在該蝕刻工序中，如圖5 (C)所示，通過(guò)將阻蝕層34作為掩模使用，在集電體層疊單元30上實(shí)施蝕
刻處理。由此，從集電體層疊單元30的一個(gè)面30a和另一個(gè)面30b 的兩側(cè)，對(duì)各個(gè)集電體材料31、 32形成大量的通孔20a、 23a。在該 蝕刻處理中使用的蝕刻液，是根據(jù)集電體材料31、 32的材質(zhì)適當(dāng)進(jìn) 行選擇的。如前所述，在作為集電體材料31、 32而使用鋁箔或銅箔 的情況下，作為蝕刻液可以使用三氯化鐵水溶液、苛性堿、鹽酸等。 如圖4所示，在接下來(lái)的步驟S104中實(shí)施從集電體層疊單元30 去除阻蝕層34的阻蝕層去除工序。在該阻蝕層去除工序中，如圖5 (D)所示，對(duì)除了通孔20a、 23a以外的非蝕刻部進(jìn)行保護(hù)的阻蝕 層34從集電體層疊單元30被去除。在使用堿性溶解型阻蝕油墨的情 況下，可以利用鹽酸等進(jìn)行蝕刻處理，在進(jìn)行洗滌后利用氫氧化鈉水 溶液去除阻蝕層。并且，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行洗滌、中和處理、洗滌并使其 干燥，以?shī)A入薄膜材料33的狀態(tài)形成具有通孔20a、 23a的集電體材 料31、 32。
這樣，因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料31、 32同時(shí)實(shí)施蝕刻處理，所以 可以大幅度降低具有通孔20a、 23a的正極集電體20及負(fù)極集電體 23的制造成本。另外，通過(guò)在集電體材料31、 32之間插入隔浙蝕刻 液的薄膜材料33，使得可以從單面?zhèn)葘?duì)各個(gè)集電體材料31、 32實(shí)施 蝕刻處理。由此，由于不需要對(duì)形成在集電體層疊單元30的兩面上 的阻蝕層34的圖案進(jìn)行整合，因此可以降低正極集電體20及負(fù)極集 電體23的制造成本。
然后，如圖4所示，在步驟S105中，對(duì)由一個(gè)集電體材料31 構(gòu)成的電極A實(shí)施用于形成第1電極復(fù)合層35的第1漿料涂敷工序
(第1涂敷工序)。在該第1漿料涂敷工序中，如圖6 (A)所示， 在集電體層疊單元30的一個(gè)面(表面)30a上涂敷電極漿料。此外， 也可以以在通孔20a、 23a的內(nèi)部填充電極漿料的方式進(jìn)行涂敷。并 且，通過(guò)干燥該電極漿料，在集電體層疊單元30的表面30a上形成 電極復(fù)合層35。這樣，在電極的制造過(guò)程中，形成作為半成品的中 間層疊材料41，其具有閉塞通孔20a、 23a的薄膜材料33。該中間層 疊材料41具有集電體材料31，其具有通孔20a、 23a;薄膜材料33，其設(shè)置在集電體材料31的一面?zhèn)?；以及電極復(fù)合層35，其設(shè)置
在集電體材料31的另一面?zhèn)?。在這里，圖7是表示涂敷干燥裝置100 的一個(gè)例子的概略圖。如圖7所示，從輥101輸出的蝕刻后的集電體 層疊單元30被引導(dǎo)至金屬型涂敷機(jī)等涂敷部102。該涂敷部102將 電極漿料涂敷在集電體層疊單元30上。并且，為了使涂敷的電極槳 料干燥，集電體層疊單元30—邊向水平方向運(yùn)送， 一邊經(jīng)過(guò)干燥爐 103。
如前所述，在集電體材料31、 32之間設(shè)置有薄膜材料33。因此， 即使在具有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32上涂敷電極漿料，也 不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔20a、 23a而滲漏到集電體層疊單元30的背 面?zhèn)?。因此，不?huì)使電極漿料附著在導(dǎo)向輥104等上，可以向水平方 向運(yùn)送集電體層疊單元30。因此，與在垂直方向抬起集電體材料的 涂敷方法相比，可以將干燥爐103設(shè)定為較長(zhǎng)。因此，可以提高集電 體材料31、 32的運(yùn)送速度，可以提高電極的生產(chǎn)率。并且，具有通 孔20a、 23a的集電體材料31、 32，與不具有通孔的集電體材料相比， 強(qiáng)度更低。因此，難以提高具有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32 的運(yùn)送速度。對(duì)此，通過(guò)隔著薄膜材料33使集電體材料31、 32重合， 可以提高其強(qiáng)度。由此，可以提高集電體材料31、 32的運(yùn)送速度， 可以提高電極的生產(chǎn)率。
接著，如圖4所示，在步驟S106中，對(duì)由另一個(gè)集電體材料32 構(gòu)成的電極B實(shí)施用于形成第1電極復(fù)合層36的第1漿料涂敷工序。 在該第1槳料涂敷工序中，如圖6 (B)所示，在上下翻轉(zhuǎn)的集電體 層疊單元30的另一個(gè)面(表面)30b上涂敷電極漿料。此外，也可 以以在通孔20a、 23a的內(nèi)部填充電極漿料的方式進(jìn)行涂敷。并且， 通過(guò)干燥該電極漿料，在集電體層疊單元30的表面30b上形成電極 復(fù)合層36。這樣，在電極的制造過(guò)程中，形成作為半成品的中間層 疊材料42，其具有閉塞通孔20a、 23a的薄膜材料33。該中間層疊材 料42具有設(shè)有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32。在集電體材料 31的一面?zhèn)仍O(shè)置薄膜材料33，在集電體材料31的另一面?zhèn)仍O(shè)置電極 復(fù)合層35。另外，在集電體材料32的一面?zhèn)仍O(shè)置薄膜材料33，在集電體材料32的另一面?zhèn)仍O(shè)置電極復(fù)合層36。由于在該第1漿料涂敷
工序中，在集電體層疊單元30上設(shè)置有薄膜材料33及電極復(fù)合層 35，因此不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔20a、 23a而滲漏到背面?zhèn)?。因此?可以一邊向水平方向運(yùn)送集電體層疊單元30， 一邊高效地形成電極 復(fù)合層36。
如圖4所示，在接下來(lái)的步驟S107中實(shí)施將集電體材料31、 32 從集電體層疊單元30剝離的集電體剝離工序。如圖6(C)所示，在 集電體剝離工序中，具有電極復(fù)合層35、 36的集電體材料31、 32 分別從薄膜材料33剝離。此外，在作為薄膜材料33而使用熱剝離薄 膜的情況下，由于伴隨著經(jīng)過(guò)干燥爐103，熱剝離薄膜的粘接力下降， 因此可以容易地剝離集電體材料31、 32。
如圖4所示，在接下來(lái)的步驟S108中實(shí)施在剝離的集電體材料 31的未涂敷面37上形成第2電極復(fù)合層39的第2槳料涂敷工序(第 2涂敷工序)。同樣地，在步驟S109中實(shí)施在剝離的集電體材料32 的未涂敷面38上形成第2電極復(fù)合層40的第2漿料涂敷工序。在這 些第2漿料涂敷工序中，如圖6(D)所示，在將電極復(fù)合層35、 36 配置在下側(cè)的狀態(tài)下，使電極漿料涂敷在集電體材料31、 32的未涂 敷面37、 38上。并且，通過(guò)干燥該電極漿料，在集電體材料31、 32 的未涂敷面37、 38上形成電極復(fù)合層39、 40。在該第2漿料涂敷工 序中，由于在集電體材料31、 32上設(shè)置有電極復(fù)合層35、 36，因此 不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔20a、 23a而滲漏到集電體材料31、 32的背 面?zhèn)取Ｒ虼?，可以一邊向水平方向運(yùn)送集電體材料31、 32，一邊高 效地形成電極復(fù)合層39、 40。
如以上說(shuō)明所述，因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料31、 32同時(shí)實(shí)施蝕刻 處理，所以可以降低具有通孔20a、 23a的正極集電體20及負(fù)極集電 體23的制造成本。另外，因?yàn)樵诩婓w材料31、 32之間夾入薄膜材 料33，所以可以防止所涂敷的電極漿料從通孔20a、 23a滲漏。由此， 因?yàn)榭梢砸贿呄蛩椒较蜻\(yùn)送集電體材料31、 32， 一邊涂敷電極漿 料，所以可以提高電極的生產(chǎn)率并降低制造成本。此外，作為隔斷層 而設(shè)置了薄膜材料33,但并不限定于此。例如，也可以通過(guò)在集電體材料31、 32之間涂敷阻蝕油墨，在集電體材料31、 32之間設(shè)置作
為隔斷層的阻蝕層。
接著，說(shuō)明作為本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電極的制造方法。圖8
是表示作為本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電極的制造方法的流程圖。圖
9 11是表示各制造工序中的電極的狀態(tài)的概略圖。此外，對(duì)于與圖 5及圖6所示部件相同的部件，標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)而省略其說(shuō)明。另外， 作為阻蝕油墨及蝕刻液，使用與所述阻蝕油墨及蝕刻液相同的材料。
如圖8所示，在步驟S201中實(shí)施形成集電體層疊單元50的集 電體層疊工序。在該集電體層疊工序中，如圖9 (A)所示，通過(guò)直 接層疊一對(duì)集電體材料31、 32，形成集電體層疊單元50。然后，如 圖8所示，在步驟S202中實(shí)施在集電體層疊單元50上粘貼作為隔 斷層的薄膜材料33的薄膜粘貼工序。在該薄膜粘貼工序中，如圖9 (B)所示，在集電體層疊單元50的整個(gè)一個(gè)面50a上粘貼薄膜材 料33。另外，在步驟S203中實(shí)施在集電體層疊單元50上形成作為 保護(hù)層的阻蝕層51的組蝕層印刷工序。在該阻蝕層印刷工序中，如 圖9 (C)所示，在集電體層疊單元50的另一個(gè)面50b上形成規(guī)定圖 案的阻蝕層51。這樣，通過(guò)薄膜粘貼工序及阻蝕層印刷工序，實(shí)施 保護(hù)層形成工序。
如圖8所示，在接下來(lái)的步驟S204中實(shí)施在集電體層疊單元50 上形成通孔20a、 23a的蝕刻工序。在該蝕刻工序中，如圖9 (D)所 示，通過(guò)將薄膜材料33及阻蝕層51用作掩模，對(duì)集電體層疊單元 50實(shí)施蝕刻處理。由此，從集電體層疊單元50的另一個(gè)面50b，對(duì) 各個(gè)集電體材料31、 32形成大量的通孔20a、 23a。然后，如圖8所 示，在步驟S205中實(shí)施將阻蝕層51從集電體層疊單元50去除的阻 蝕層去除工序。在該阻蝕層去除工序中，如圖9 (E)所示，在集電 體層疊單元50的另一個(gè)面50b上設(shè)置的規(guī)定圖案的阻蝕層51被去 除。由此，成為在形成通孔20a、 23a的集電體材料31、 32上設(shè)置有 閉塞通孔20a、 23a的薄膜材料33的狀態(tài)。
這樣，因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料31、 32同時(shí)實(shí)施蝕刻處理，所以 可以大幅度降低具有通孔20a、 23a的正極集電體20及負(fù)極集電體23的制造成本。另外，通過(guò)在集電體層疊單元50上粘貼薄膜材料33， 使得可以從單面?zhèn)葘?duì)各個(gè)集電體材料31、 32實(shí)施蝕刻處理。由此， 由于不需要高精度地對(duì)形成在集電體層疊單元50上的阻蝕層51的圖 案進(jìn)行定位，因此可以降低正極集電體20及負(fù)極集電體23的制造成 本。然后，如圖8所示，在步驟S206中，對(duì)由一個(gè)集電體材料31 構(gòu)成的電極A實(shí)施用于形成第1電極復(fù)合層35的第1漿料涂敷工序 (第1涂敷工序)。在該第1漿料涂敷工序中，如圖10 (A)所示， 在集電體層疊單元50的另一個(gè)面(表面)50b上涂敷電極漿料。此 外，也可以以在通孔20a、 23a的內(nèi)部填充電極槳料的方式進(jìn)行涂敷。 并且，通過(guò)干燥該電極漿料，在集電體層疊單元50的表面50b上形 成電極復(fù)合層35。這樣，在電極的制造過(guò)程中，形成作為半成品的 中間層疊材料.52，其具有閉塞通孔20a、 23a的薄聘材料33。該中間 層疊材料52具有集電體材料31、 32，它們具有通孔20a、 23a;薄 膜材料33，其設(shè)置在集電體材料31、 32的一面?zhèn)?；以及電極復(fù)合層 35，其設(shè)置在集電體材料31、 32的另一面?zhèn)取Ｈ缜八?，在集電體層疊單元50的整個(gè)面上粘貼有薄膜材料 33。因此，即使在具有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32上涂敷電 極漿料，也不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔20a、 23a而滲漏到集電體層疊 單元50的背面?zhèn)?。因此，不?huì)使電極漿料附著在導(dǎo)向輥104等上， 可以向水平方向運(yùn)送集電體層疊單元50。因此，與垂直方向抬起集 電體材料的涂敷方法相比，可以將干燥爐103設(shè)定為較長(zhǎng)。因此，可 以提高集電體材料31、 32的運(yùn)送速度，可以提高電極的生產(chǎn)率。并 且，具有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32，與不具有通孔的集電 體材料相比，強(qiáng)度更低。因此，難以提高具有通孔20a、 23a的集電 體材料31、 32的運(yùn)送速度。對(duì)此，通過(guò)重疊集電體材料31、 32，同 時(shí)粘貼薄膜材料33，可以提高其強(qiáng)度。由此，可以提高集電體材料 31、 32的運(yùn)送速度，可以提高電極的生產(chǎn)率。然后，如圖8所示，在步驟S207中實(shí)施將集電體材料31從集 電體層疊單元50剝離的集電體剝離工序。如圖10 (B)所示，在集電體剝離工序中，具有電極復(fù)合層35的集電體材料31，從具有薄膜材料33的集電體材料32剝離。接著，如圖8所示，在步驟S208中 實(shí)施在剝離的集電體材料31的未涂敷面53上形成第2電極復(fù)合層 54的第2漿料涂敷工序(第2涂敷工序)。在該第2漿料涂敷工序 中，如圖10 (C)所示，在將電極復(fù)合層35配置在下側(cè)的狀態(tài)下， 將電極槳料涂敷在集電體材料31的未涂敷面53上。此外，也可以以 在通孔20a、 23a的內(nèi)部填充電極漿料的方式進(jìn)行涂敷。并且，通過(guò) 干燥該電極漿料，在集電體材料31的未涂敷面53上形成電極復(fù)合層 54。由于在該第2漿料涂敷工序中，在集電體材料31上也已經(jīng)設(shè)置 電極復(fù)合層35，因此不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔20a、 23a而滲漏到集 電體材料31的背面?zhèn)?。由此，可以一邊向水平方向運(yùn)送集電體材料 31， 一邊高效地形成電極復(fù)合層54。如圖8所示，在接下來(lái)的步驟S209中，對(duì)由另一個(gè)集.電體材料 32構(gòu)成的電極B實(shí)施用于形成第1電極復(fù)合層55的第l漿料涂敷工 序。在該第1漿料涂敷工序中，如圖11 (A)所示，在將薄膜材料 33配置在下側(cè)的狀態(tài)下，使電極漿料涂敷在集電體材料32的表面32a 上。此外，也可以以在通孔20a、 23a的內(nèi)部填充電極漿料的方式進(jìn) 行涂敷。并且，通過(guò)干燥電極漿料，在集電體材料32上形成電極復(fù) 合層55。由于在該第1漿料涂敷工序中，在集電體材料32上也形成 有閉塞通孔20a、 23a的薄膜材料33，因此不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔 20a、 23a而滲漏到集電體材料32的背面?zhèn)?。因此，可以一邊向水?方向運(yùn)送集電體材料32， 一邊高效地形成電極復(fù)合層55。如圖8所示，在接下來(lái)的步驟S210中實(shí)施將薄膜材料33從集 電體材料32去除的薄膜剝離工序。在該薄膜剝離工序中，如圖1KB) 所示，殘留在集電體材料32上的薄膜材料33被去除。然后，如圖8 所示，在步驟S211中實(shí)施在集電體材料32上形成第2電極復(fù)合層 56的第2漿料涂敷工序。在該第2漿料涂敷工序中，如圖11 (C) 所示，在將電極復(fù)合層55配置在下側(cè)的狀態(tài)下，將電極漿料涂敷在 集電體材料32的未涂敷面57上。此外，也可以以在通孔20a、 23a 的內(nèi)部填充電極漿料的方式進(jìn)行涂敷。并且，通過(guò)干燥該電極漿料，在集電體材料32的未涂敷面57上形成電極復(fù)合層56。由于該第2 漿料涂敷工序中，在集電體材料32上也已經(jīng)設(shè)置電極復(fù)合層55，因 此不會(huì)使電極漿料經(jīng)過(guò)通孔20a、 23a而滲漏到集電體材料32的背面 側(cè)。由此，可以一邊向水平方向運(yùn)送集電體材料32， 一邊高效地形 成電極復(fù)合層56。如以上說(shuō)明所述，因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料31、 32同時(shí)實(shí)施蝕刻 處理，所以可以降低具有通孔20a、 23a的正極集電體20及負(fù)極集電 體23的制造成本。另外，因?yàn)樵诩婓w層疊單元50上設(shè)置薄膜材料 33，所以可以防止所涂敷的電極漿料從通孔20a、 23a滲漏。由此， 因?yàn)榭梢砸贿呄蛩椒较蜻\(yùn)送集電體材料31、 32， 一邊涂敷電極漿 料，所以可以提高電極的生產(chǎn)率并降低制造成本。在所述說(shuō)明中，在集電體層疊單元50的整個(gè)一個(gè)面50a上粘貼 了薄膜材料33.，但從對(duì)多個(gè)集電體材料同時(shí)實(shí)施蝕刻處理的角度出 發(fā)，也可以在集電體層疊單元50的整個(gè)一個(gè)面50a上設(shè)置阻蝕層。 在這里，圖12 (A) (E)是表示在集電體材料上形成通孔時(shí)的各 制造工序的概略圖。此外，對(duì)于與圖9所示部件相同的部件，標(biāo)注相 同標(biāo)號(hào)而省略其說(shuō)明。另外，作為阻蝕油墨及蝕刻液，可以使用與所 述阻蝕油墨及蝕刻液相同的材料。如圖12 (A)所示，通過(guò)直接層疊一對(duì)集電體材料31、 32，形 成集電體層疊單元50。另外，如圖12 (B)所示，在集電體層疊單 元50的整個(gè)一個(gè)面50a上印刷阻蝕油墨。并且，如圖12(C)所示， 在集電體層疊單元50的另一個(gè)面50b上以規(guī)定圖案印刷阻蝕油墨。 由此，在集電體層疊單元50的整個(gè)一個(gè)面50a上形成阻蝕層58。另 一方面，在集電體層疊單元50的另一個(gè)面50b上形成規(guī)定圖案的阻 蝕層51。然后，如圖12(D)所示，通過(guò)將阻蝕層51、 58用作掩模，對(duì) 集電體層疊單元50實(shí)施蝕刻處理。由此，從集電體層疊單元50的另 一個(gè)面50b，對(duì)各個(gè)集電體材料31、 32形成大量的通孔20a、 23a。 然后，如圖12 (E)所示，在集電體層疊單元50的一個(gè)面50a上設(shè) 置的整體涂敷的阻蝕層58被去除。并且，在集電體層疊單元50的另一個(gè)面50b上設(shè)置的規(guī)定圖案的阻蝕層51被去除。由此，可以得到具有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32。這樣，因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料31、 32同時(shí)實(shí)施蝕刻處理，所以 可以大幅度降低具有通孔20a、 23a的正極集電體20及負(fù)極集電體 23的制造成本。另外，通過(guò)在集電體層疊單元50上設(shè)置整體涂敷的 阻蝕層58，使得可以從單面?zhèn)葘?duì)各個(gè)集電體材料31、 32實(shí)施蝕刻處 理。由此，由于不需要高精度地對(duì)形成在集電體層疊單元50上的阻 蝕層51的圖案進(jìn)行定位，因此可以降低正極集電體20及負(fù)極集電體 23的制造成本。'接著，說(shuō)明作為本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電極的制造方法。圖 13是表示作為本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電極的制造方法的流程圖。 此外，對(duì)于與圖8所示工序相同的工序，標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)而省略其說(shuō)明。如圖13所示，在步驟S301中實(shí)施形成集電體層疊單元50的重 合軋制工序(集電體層疊工序)。在這里，圖14是表示重合軋制裝 置110的一個(gè)例子的概略圖。如圖14所示，在重合軋制裝置110中， 設(shè)置有輸出金屬箔材料111、 112的兩個(gè)輥113、 114。另外，在重合 軋制裝置IIO中，設(shè)置有軋制金屬箔材料111、112的一對(duì)軋制輥115。 從各個(gè)輥113、 114輸出的金屬箔材料111、 112以重疊的狀態(tài)被引導(dǎo) 至軋制輥115。并且，通過(guò)軋制輥115對(duì)一對(duì)金屬箔材料111、 112 進(jìn)行重合軋制，由金屬箔材料lll、 112形成集電體材料31、 32，同 時(shí)形成將集電體材料31、 32直接層疊而成的集電體層疊單元50。并 且，通過(guò)對(duì)利用重合軋制所得到的集電體層疊單元50實(shí)施所述阻蝕 層印刷工序、蝕刻工序、阻蝕層去除工序，可以得到具有通孔20a、 23a的集電體材料31、 32。這樣，通過(guò)將重合軋制而成的集電體材料31、 32直接用作集電 體層疊單元50，可以大幅度降低具有通孔20a、 23a的正極集電體20 及負(fù)極集電體23的制造成本。g卩，可以合并進(jìn)行在制造集電體材料 31、 32時(shí)所需的重合軋制工序、和形成集電體層疊單元50的集電體 層疊工序。因此，可以大幅度削減制造具有通孔20a、 23a的正極集 電體20及負(fù)極集電體23時(shí)的制造工序數(shù)。以下，對(duì)所述蓄電裝置的構(gòu)成要素，按如下順序進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 [A]正極、[B]負(fù)極、[C]正極集電體及負(fù)極集電體、[D]鋰電極、[E]隔板、[F]電解液、[G]封裝容器。 [A]正極正極具有正極集電體和與其形成一體的正極復(fù)合層。在使蓄電 裝置作為鋰離子電容器起作用的情況下，作為正極復(fù)合層中含有的正 極活性物質(zhì)，采用可以使鋰離子及/或陰離子可逆地嵌入 脫嵌的物 質(zhì)。即只要是可以使鋰離子和陰離子中的至少某一種可逆地嵌入*脫 嵌的物質(zhì)，就不特別限定。例如可以使用活性碳、過(guò)渡金屬氧化物、 導(dǎo)電性高分子、多并苯類(lèi)物質(zhì)等。例如，活性碳優(yōu)選由經(jīng)過(guò)堿性活化處理、且比表面積大于或等 于600m2/g的活性碳顆粒形成。作為活性碳的原料，使用酚醛樹(shù)脂、 石油瀝青、石油焦炭、椰炭、煤炭類(lèi)焦炭等。酚醛樹(shù)脂及煤炭類(lèi)焦炭 可以提高比表面積，因而優(yōu)選。在上述活性碳的堿性活化處理中使用 的堿性活化劑，優(yōu)選為鋰、鈉、鉀等金屬離子的鹽類(lèi)或氫氧化物。其 中，優(yōu)選氫氧化鉀。堿性活化的方法可以舉出，例如，通過(guò)將碳化物 和活性劑混合后，在惰性氣體的氣流中加熱而進(jìn)行活化的方法。另外， 可以舉出通過(guò)使活性碳原材料預(yù)先承載活性劑后加熱而進(jìn)行碳化以 及活化工序的方法。另外，還可以舉出將碳化物用水蒸氣等的氣體活 化法活化后，利用堿性活化劑進(jìn)行表面處理的方法。將經(jīng)過(guò)這樣的堿 性活化處理后的活性碳，使用球磨機(jī)等已知的粉碎機(jī)進(jìn)行粉碎。作為 活性碳粒度，可以使用通常使用的較寬范圍內(nèi)的粒度。例如，D50 大于或等于2nm，優(yōu)選為2 50pm，特別優(yōu)選為2 20pm。另外， 優(yōu)選平均細(xì)孔直徑小于或等于10nm，比表面積為600 3000m2/g的 活性碳。其中，優(yōu)選大于或等于800m2/g，特別優(yōu)選1300 2500m2/g。另外，在使蓄電裝置作為鋰離子蓄電池(鋰離子電池)起作用 的情況下，作為正極復(fù)合層中含有的正極活性物質(zhì)，可以采用聚胺等 導(dǎo)電性高分子、及可以使鋰離子可逆地嵌入'脫嵌的物質(zhì)。例如，可 以使用五氧化二釩(V205)或鈷酸鋰(LiCo02)作為正極活性物質(zhì)。 此外，還可以使用LixCo02、 LixNi02、 LixMn02、 LixFe02等以L(fǎng)ixMyOz(x、 y、 z為正數(shù)，M為金屬，可以是大于或等于2種金屬)這一通式表示的含鋰的金屬氧化物，或者也可以使用鈷、錳、釩、鈦、鎳等 過(guò)渡金屬氧化物或硫化物。特別地，在需要高電壓的情況下，優(yōu)選使用相對(duì)于金屬鋰的電位大于或等于4V的含鋰氧化物。特別優(yōu)選例如 含鋰的鈷氧化物、含鋰的鎳氧化物、或者含鋰的鈷一鎳復(fù)合氧化物。所述活性碳等正極活性物質(zhì)形成為粉末狀、顆粒狀、短纖維狀 等。將該正極活性物質(zhì)與粘結(jié)劑混合后形成電極漿料。接下來(lái)，通過(guò) 將含有正極活性物質(zhì)的電極漿料涂敷在正極集電體上并干燥，從而在 正極集電體上形成芷極復(fù)合層。此外，作為與正極活性物質(zhì)混合的粘 結(jié)劑，可以使用例如SBR等橡膠類(lèi)粘結(jié)劑，聚四氟乙烯、聚偏氟乙 烯等含氟類(lèi)樹(shù)脂，聚丙烯、聚乙烯、聚丙烯酸酯等熱塑性樹(shù)脂。另外， 正極復(fù)合層中還可以適當(dāng)添加乙炔黑、石墨、金屬粉末等導(dǎo)鬼性材料。[B負(fù)極負(fù)極具有負(fù)極集電體和與其形成一體的負(fù)極復(fù)合層。作為負(fù)極 復(fù)合層中含有的負(fù)極活性物質(zhì)，只要是可以使鋰離子可逆地嵌入*脫 嵌的物質(zhì)，就不特別限定。例如可以使用石墨、各種碳材料、多并苯 類(lèi)物質(zhì)、錫氧化物、硅氧化物等。由于石墨(graphite)及難石墨化 碳(hardcarbon)可以實(shí)現(xiàn)高容量化，所以?xún)?yōu)選作為負(fù)極活性物質(zhì)。 另外，由于作為芳香族縮聚物的熱處理物的多并苯類(lèi)有機(jī)半導(dǎo)體(PAS)可以實(shí)現(xiàn)高容量化，所以?xún)?yōu)選作為負(fù)極活性物質(zhì)。該P(yáng)AS 具有多并苯類(lèi)骨架構(gòu)造。優(yōu)選該P(yáng)AS的氫原子/碳原子的原子數(shù)比(H/C)落入大于或等于0.05且小于或等于0.50的范圍內(nèi)。由于在 PAS的H/C大于0.50的情況下，芳香族類(lèi)多環(huán)構(gòu)造不能充分形成， 所以不能使鋰離子順利地嵌入，脫嵌，有可能會(huì)使蓄電裝置的充放電 效率降低。在PAS的H/C小于0.05的情況下，可能導(dǎo)致蓄電裝置的容量降低。所述PAS等負(fù)極活性物質(zhì)形成為粉末狀、顆粒狀、短纖維狀等。 將該負(fù)極活性物質(zhì)與粘結(jié)劑混合后形成電極漿料。然后，通過(guò)將含有 負(fù)極活性物質(zhì)的電極漿料涂敷在負(fù)極集電體上并干燥，從而在負(fù)極集 電體上形成負(fù)極復(fù)合層。此外，作為與負(fù)極活性物質(zhì)混合的粘結(jié)劑，可以使用例如聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等含氟類(lèi)樹(shù)脂，聚丙烯、聚乙 烯、聚丙烯酸酯等熱塑性樹(shù)脂，以及丁苯橡膠(SBR)等橡膠類(lèi)粘結(jié) 劑。其中優(yōu)選使用氟類(lèi)粘結(jié)劑。作為該氟類(lèi)粘合劑，例如可以舉出聚 偏氟乙烯、偏氟乙烯-3氟化乙烯共聚物、乙烯-4氟化乙烯共聚物、丙稀-4氟化乙烯共聚物等。另外，負(fù)極復(fù)合層中還可以適當(dāng)添加乙炔黑、石墨、金屬粉末等導(dǎo)電性材料。[c]正極集電體及負(fù)極集電體作為正極集電體及負(fù)極集電體的材料，可以使用通常用于電池 或電容器中的各種材料。例如，作為正極集電體的材料，可以使用鋁、 不銹鋼等。作為負(fù)極集電體的材料，可以使用不銹鋼、銅、鎳等。另 外，對(duì)于在所述正極集電體或負(fù)極集電體上形成的通孔的開(kāi)口率，不特別限定，通常是40 60%。另外，只要不阻礙鋰離子的移動(dòng)，對(duì) 于通孔的大小及個(gè)數(shù)等，不特別限定。另外，作為在正極集電體及負(fù) 極集電體上形成的通孔的形狀，可以是圓形、橢圓形、矩形、菱形、 狹縫形等任何形狀。
[D] 鋰電極作為鋰電極集電體的材料，可以使用通常用于電池或電容器中 的集電體的各種材料。作為上述材料，可以使用不銹鋼、銅、鎳等。 另外，作為鋰電極集電體，還可以使用膨脹金屬、沖壓金屬、蝕刻箔、 網(wǎng)、發(fā)泡體等具有貫穿其正反表面的通孔的材料。另外，也可以使用 能夠放出鋰離子的鋰一鋁合金等，而取代粘貼在鋰電極集電體上的金 屬鋰箔。[E] 隔板作為隔板，可以使用相對(duì)于電解液、正極活性物質(zhì)、負(fù)極活性 物質(zhì)等具有耐久性，并具有連通氣孔且無(wú)導(dǎo)電性的多孔體等。通常， 使用由紙(纖維素)、玻璃纖維、聚乙烯或聚丙烯等制成的布、無(wú)紡 布或多孔體。隔板的厚度可以考慮電解液的保持量及隔板強(qiáng)度等進(jìn)行 適當(dāng)設(shè)定。此外，優(yōu)選隔板的厚度較薄，以減小蓄電裝置的內(nèi)部電阻。[F] 電解液作為電解液，從即使在高電壓下也不會(huì)引起電解、鋰離子能夠穩(wěn)定存在的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，優(yōu)選使用含有鋰鹽的非質(zhì)子性有機(jī)溶劑。作為非 質(zhì)子性有機(jī)溶劑，例如，可以舉出由碳酸乙二酯、碳酸丙烯酯、碳酸 二甲酯、碳酸二乙酯、？丁內(nèi)酯、乙腈、二甲氧乙烷、四氫呋喃、二 氧戊環(huán)、二氯甲垸、環(huán)丁砜等單獨(dú)或混合而形成的溶劑。另外，作為鋰鹽可以舉出，例如LiC104、 LiAsF6、 LiBF4、 LiPF6、 LiN (C2F5S02) 2等。另外，為了降低由于電解液造成的內(nèi)部電阻，優(yōu)選電解液中的 電解質(zhì)濃度至少大于或等于O.lmol/L。特別優(yōu)選落在0.5~1.5mol/L范圍內(nèi)。另外，也可以使用離子性液體(離子液體)而代替有機(jī)溶劑。 對(duì)于離子性液體，提出了各種陽(yáng)離子種和陰離子種的組合。作為陽(yáng)離 子種可以舉出，例如N-甲基-N-丙基哌啶(PP13) 、 l-乙基-3-甲基咪 唑(EMI) 、 二乙基-2-甲氧乙基銨(DEME)等。另夕卜，作為陰離子 種可以舉出雙(氟磺酰)亞胺鹽(FSI)、雙(三氟甲基磺酰.)亞胺 鹽(TFSI) 、 PF6—、 BF4—等。[G]封裝容器作為封裝容器，可以使用通常在電池中使用的各種材質(zhì)?？梢?使用例如鐵或鋁等金屬材料。另外，也可以使用樹(shù)脂等薄膜材料。另 外，對(duì)于封裝容器的形狀也不特別限定。可以根據(jù)用途適當(dāng)選擇圓筒 型或方型等。從蓄電裝置的小型化及輕量化的角度出發(fā)，優(yōu)選使用由 鋁層壓薄膜制成的薄膜型封裝容器。通常，使用3層層壓薄膜，其外 側(cè)具有尼龍薄膜，中心具有鋁箔，內(nèi)側(cè)具有改性聚丙烯等粘結(jié)層。(實(shí)施方式2)所述實(shí)施方式1的說(shuō)明是涉及對(duì)多個(gè)集電體材料進(jìn)行層疊的集 電體層疊單元的說(shuō)明。正如所述實(shí)施方式1的記載，該集電體層疊單元的實(shí)施方式之 一是，隔著例如薄膜材料(隔斷層)使集電體材料重合而層疊的結(jié)構(gòu)。 上述構(gòu)成的集電體層疊單元與不插入薄膜材料而運(yùn)送開(kāi)孔集電體材 料的情況相比，可以提高運(yùn)送速度。例如，可以更快地進(jìn)行水平運(yùn)送。 即，通過(guò)使集電體材料以一定程度的粘接力層疊在薄膜材料的兩面，在運(yùn)送所層疊的開(kāi)設(shè)孔的集電體材料時(shí)，由薄膜材料實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度加強(qiáng)。上述將開(kāi)設(shè)孔的集電體材料層疊在薄膜材料的兩面的結(jié)構(gòu)中， 拉伸力等力作用于薄膜材料的兩面上。上述拉伸力等力強(qiáng)烈作用于與 層疊在薄膜材料的兩面的集電體材料的孔部分接觸的部位。如果作用 于上述薄膜材料的兩面上的作用力，與所產(chǎn)生的抵抗力相比過(guò)大，則 會(huì)破壞薄膜材料。因此，對(duì)于作用于薄膜材料上的作用力，與使其高 度集中于特定區(qū)域相比，優(yōu)選使其分散。艮P，對(duì)于設(shè)置在層疊的集電體材料上的孔位置，優(yōu)選使將薄膜 材料夾持在中間而相對(duì)的通孔的位置相互錯(cuò)開(kāi)。具體地說(shuō)，如所述實(shí) 施方式1的圖5 (D)等所示，優(yōu)選使隔著薄膜材料33而設(shè)置的集電體材料31、 32上開(kāi)設(shè)的通孔的位置相互錯(cuò)開(kāi)。圖15 (A)中圖示了隔著作為隔斷層的薄膜材料33而設(shè)置的各 個(gè)集電體材料31、 32上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a的孔位置彼此一致的情 況。即，在集電體材料31上設(shè)置的通孔20a、 23a的、面向薄膜材料 33側(cè)的開(kāi)口面a，與在集電體材料32上設(shè)置的通孔20a、 23a的、面 向薄膜材料33側(cè)的開(kāi)口面(3的位置一致。上述相對(duì)設(shè)置而一致的狀 況，是通過(guò)在薄膜材料33上以虛線(xiàn)連結(jié)兩側(cè)的集電體材料31、 32 上設(shè)置的通孔而示出的。另一方面，圖15 (B)中圖示了將隔著作為隔斷層的薄膜材料 33而設(shè)置的各個(gè)集電體材料31、 32上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a的孔位 置相互錯(cuò)開(kāi)的情況。S卩，在集電體材料31上設(shè)置的通孔20a、 23a 的薄膜材料33側(cè)的開(kāi)口面a，與在集電體材料32上設(shè)置的通孔20a、 23a的薄膜材料33側(cè)的開(kāi)口面(3的位置彼此錯(cuò)開(kāi)。這樣使各個(gè)集電體材料31、 32上設(shè)置的通孔20a、 23a彼此的 薄膜材料33側(cè)的開(kāi)口面a、P的位置人為地錯(cuò)開(kāi)，對(duì)于薄膜材料來(lái)說(shuō)， 在強(qiáng)度方面是優(yōu)選的。上述通孔20a、 23a的孔，如實(shí)施方式l的圖 5 (C)中也示意性地圖示，是與阻蝕層34的規(guī)定圖案的孔配置對(duì)應(yīng) 地通過(guò)蝕刻等而形成的。該阻蝕層34是利用形成開(kāi)孔排列圖案的掩 模，通過(guò)包括曝光、顯像等方法在內(nèi)的圖案形成方法而形成的。這樣隔著阻蝕層34而形成的孔的平面形狀，可以采用包括圓形在內(nèi)的多角形、不規(guī)則形等各種形狀。即，在集電體材料上形成的通 孔的、面向薄膜材料的開(kāi)口面的平面形狀，可以如上所述采用各種形 狀。此外，對(duì)于形狀在后面進(jìn)行描述，而在各種形狀之中，有時(shí)也存 在比正圓形更優(yōu)選具有角度的形狀等的情況。例如，從防止通孔20a、23a中填充的電極材料脫落的角度出發(fā)，有時(shí)存在優(yōu)選具有角度的形 狀的情況。例如，在通孔20a、 23a的面向薄膜材料側(cè)的開(kāi)口面的平面形狀 為正圓形的情況下，可以舉出如圖16(A)所示的孔圖案。該孔圖案， 是通過(guò)例如在縱向、'橫向上，使具有相同的開(kāi)口面形狀的通孔20a、 23a以一定間距整齊地排列為鋸齒狀而形成的。此外，如圖16(A) 所示的情況是表示將以規(guī)定寬度形成為長(zhǎng)條帶狀的集電體材料31的 一部分進(jìn)行切斷的情況下的平面狀況。例如一，以圖16 (A)所示結(jié)構(gòu)的孔圖案，在集電體材料31側(cè)形 成通孔20a、 23a。另一方面，雖未圖示，但在集電體材料32側(cè)也以 相同的孔圖案形成通孔20a、 23a。上面以這樣的情況為例進(jìn)行了說(shuō) 明，即，在薄膜材料33的兩面上設(shè)置的集電體材料31、 32上開(kāi)設(shè)通 孔時(shí)，使用具有相同的孔開(kāi)口面排列的孔圖案。但是，集電體材料 31、 32中使用的孔圖案也可以是分別不同的圖案。此外，如上所述，所謂與集電體材料上開(kāi)設(shè)的通孔的孔圖案相 同，可以定義為是開(kāi)口面的形狀、開(kāi)口面的面積、開(kāi)口率相同的情況。 在此，所謂開(kāi)口率，可以定義為集電體上的開(kāi)口面的面積比例。艮口， 嚴(yán)格地說(shuō)，是集電體的開(kāi)口面的總面積相對(duì)于集電體金屬部的面積的 比例。集電體可以通過(guò)對(duì)切斷集電體材料進(jìn)行單體化而制造。通過(guò)驗(yàn) 證該制造出的集電體，可以進(jìn)行開(kāi)口率的測(cè)量。簡(jiǎn)單地說(shuō)，利用集電 體材料上設(shè)定的每單位面積的開(kāi)口面的總面積的比例，也可以計(jì)算出 開(kāi)口率。在圖16 (B)中示意地表示了從集電體材料31側(cè)，觀察隔著薄 膜材料33而相對(duì)地設(shè)置的集電體材料32側(cè)的狀態(tài)。實(shí)線(xiàn)的圓形是在 集電體材料31上設(shè)置的通孔20a、 23a的開(kāi)口面a。雙點(diǎn)劃線(xiàn)的圓形 表示集電體材料32上設(shè)置的通孔20a、 23a的開(kāi)口面f3。為了便于理解，在附圖中省略了夾持在中間的薄膜材料33。以下，在說(shuō)明通孔 的重合狀況的附圖中，同樣省略了薄膜材料33。在該圖16 (B)中，在集電體材料31上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a 的開(kāi)口面a的位置，與在集電體材料32上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a的開(kāi) 口面j3的位置是錯(cuò)開(kāi)的。為了將在集電體材料31、 32上形成的通孔 20a、 23a的開(kāi)口面a、 |3的位置人為地錯(cuò)開(kāi)，只要使設(shè)置在集電體材 料31、 32面上的阻蝕層的孔圖案的位置錯(cuò)開(kāi)，然后形成通孔即可。原則上，只要相對(duì)的孔的開(kāi)口面a、 J3如圖16 (B)所示彼此錯(cuò) 開(kāi)一點(diǎn)點(diǎn)，嚴(yán)格意義上說(shuō)就可以比一致的情況提高強(qiáng)度。但是，作為 能夠?qū)嵸|(zhì)性地感受到強(qiáng)度效果明顯的情況，只要使如圖17所示的開(kāi) 口面a、 p的重合部分(圖中，以斜線(xiàn)部分表示)的面積相對(duì)于開(kāi)口 面ct(或開(kāi)口面.卩)的面積的比例小于或等于規(guī)定數(shù)值即可。即，只 要開(kāi)口面ot與幵口面p之間的重合部分的比例(以下，有時(shí)也稱(chēng)為"重 復(fù)率")小于或等于50%即可優(yōu)選。當(dāng)然，重復(fù)率也可以為0%。其 中，小于或等于50%的依據(jù)是為了與集電體材料31、 32的開(kāi)口率取-得平衡。重復(fù)率越低，集電體材料31、 32的開(kāi)口率也越低。更優(yōu)選為，大于或等于10%且小于或等于30%。在小于10%時(shí)， 認(rèn)為集電體材料31、 32的開(kāi)口率存在問(wèn)題。在大于30%的情況下， 認(rèn)為開(kāi)口部的支撐體的強(qiáng)度存在問(wèn)題。在大于或等于10%且小于或 等于30%的范圍內(nèi)，在目前的實(shí)驗(yàn)中還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)之前說(shuō)明的由于薄 膜材料的強(qiáng)度下降而導(dǎo)致的問(wèn)題。此外，重復(fù)率(％)在上述說(shuō)明中是以開(kāi)口面a、 p具有相同面積的情況為前提進(jìn)行說(shuō)明的，對(duì)于不同的面積的情況，只要以相對(duì)于較大的面積的開(kāi)口面的比例，定義重復(fù)率即可。另外，在集電體材料上設(shè)置通孔時(shí)，假想有如下工序，即，利 用印刷等在集電體材料面上設(shè)置形成有孔排列圖案的阻蝕層，然后，重新巻繞成滾筒狀。在巻繞成滾筒狀的集電體層疊單元中，嚴(yán)格地說(shuō)， 有可能由于在輥的內(nèi)側(cè)和外側(cè)作用大小不同的拉伸力等，而產(chǎn)生阻蝕 層的位置錯(cuò)開(kāi)。因此，與設(shè)定為某一特定的值相比，更優(yōu)選將重復(fù)率 預(yù)先設(shè)定在某一特定范圍內(nèi)。艮P，只要將該重復(fù)率預(yù)先設(shè)定在特定范圍內(nèi)，那么即使是在集 電體材料面上形成阻蝕層的情況下，也可以使集電體材料31、 32側(cè) 的彼此的阻蝕層的孔圖案容易錯(cuò)開(kāi)。如果錯(cuò)開(kāi)位置被設(shè)定為特定的 值，則為了使開(kāi)口面的位置完全一致，會(huì)在位置對(duì)準(zhǔn)的設(shè)定中耗費(fèi)工 時(shí)。在批量生產(chǎn)趨勢(shì)下，降低位置對(duì)準(zhǔn)中所耗費(fèi)的工時(shí)也極為重要。 這是由于，其與提高生產(chǎn)率緊密相連。另外，顯然可以相應(yīng)地實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)成本的降低。另外，通過(guò)這樣將夾持薄膜材料而在兩面設(shè)置的集電體材料的 通孔的開(kāi)口面之間相對(duì)的孔位置錯(cuò)開(kāi)，可以使集電體層疊單元較薄。 在使相對(duì)的孔位置一致的構(gòu)成中，例如在利用相同組成的薄膜材料的 情況下，如圖18所示為了確保其強(qiáng)度而可以想到加大薄膜材料的厚度D的結(jié)構(gòu)。在圖18所示的情況下，薄膜材料33的厚度D.'形成得 較厚，例如是圖15 (B)所示厚度d的2倍左右。但是，利甩使孔位 置錯(cuò)開(kāi)的結(jié)構(gòu)，例如圖15 (B)所示可以使薄膜材料33的厚度d較 薄。所述通孔20a、 23a的重復(fù)率，還會(huì)受到集電體材料31、 32的 開(kāi)孔程度的影響。開(kāi)孔程度可以由例如開(kāi)口率進(jìn)行把握。在孔與相鄰 的孔之間形成相同間距的情況下，將開(kāi)口率大于50%的相同孔圖案 用于集電體材料31、 32時(shí)，重復(fù)率不可能為0%。 B卩，無(wú)法實(shí)現(xiàn)孔 的開(kāi)口面a和開(kāi)口面p完全不重復(fù)的結(jié)構(gòu)。此外，重復(fù)率為0%是表示開(kāi)口面a和開(kāi)口面p完全不重合的情 況。另外，重復(fù)率為100%是表示開(kāi)口面(1和開(kāi)口面(3完全一致的情 況。該重復(fù)率例如可以通過(guò)將透過(guò)在集電體層疊單元的集電體材料 之間夾持的薄膜的光，從一個(gè)集電體材料側(cè)照射至另一個(gè)集電體材料 側(cè)等而進(jìn)行確認(rèn)。只要照射對(duì)于集電體材料、薄膜材料來(lái)講透過(guò)度不 同的光即可。例如，利用具有雖不透過(guò)集電體材料但透過(guò)薄膜材料等 的性質(zhì)的光即可。可以利用其透過(guò)量、透過(guò)面積等透過(guò)度進(jìn)行判別。在上述判別中，在集電體材料上形成的孔是規(guī)則配置的情況下， 可以根據(jù)每單位面積的上述透過(guò)度而容易地進(jìn)行驗(yàn)證。例如，在形成的通孔的開(kāi)口面的平面形狀一定、并且與相鄰的開(kāi)口面之間的間距一 定的規(guī)則配置的孔圖案等中，可以以適當(dāng)設(shè)定的每單位面積的上述透 過(guò)度等確定孔的重復(fù)率。在上述說(shuō)明的構(gòu)成中，孔的開(kāi)口面的錯(cuò)開(kāi)方式可以考慮各種方法。例如，可以舉出在集電體材料31、 32上設(shè)置開(kāi)口面a、 P為圓形 的兩個(gè)孔的情況的例子。如圖19 (A)所示，作為使開(kāi)口面a、 p的 位置錯(cuò)開(kāi)的方向，通常可以假想例如相互正交的x、 y軸方向。在圖 19 (B)中，示出了在x軸方向上錯(cuò)開(kāi)的情況。在圖19 (B)中，開(kāi) 口面a、 (3是一部分重合地錯(cuò)開(kāi)的。圖19 (C)所示的情況中示出使 在x軸方向上不發(fā)生重合地、即重復(fù)率為0%地錯(cuò)開(kāi)的情況。另外，如圖20 (A)所示，也可以假想在y軸方向上一部分重 合地錯(cuò)開(kāi)。圖20. (B)所示的情況是在y軸方向上以重復(fù)率為0%地 錯(cuò)開(kāi)的情況。并且，.如圖20(C)所示，也可以在x軸和y軸兩個(gè)方 向上使開(kāi)口面a、 (3錯(cuò)開(kāi)。另外，雖未圖示，但是在相鄰的開(kāi)口面a 的間距比開(kāi)口面P的直徑小的情況下，在x軸、或y軸方向上錯(cuò)開(kāi)時(shí)， 開(kāi)口面(3可能會(huì)與相鄰的開(kāi)口面a都重合。圖21 (A)中是在集電體材料31上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a的開(kāi) 口面a的排列圖案與圖16 (A)不同的情況。在該孔圖案中，圓形開(kāi) 口面a在縱向、橫向上以相同間距排列。此外，與16 (A)同樣地， 圖21 (A)也是表示將形成為長(zhǎng)條狀的開(kāi)孔集電體材料31的一部分 進(jìn)行切斷后的狀況。另外，雖未圖示，但同樣地在集電體材料32上 也以相同的孔圖案設(shè)置有通孔20a、 23a。圖21 (B)中示出，將上述構(gòu)成的設(shè)置有通孔的集電體材料31、 32這兩者隔著薄膜材料33而相對(duì)地配置的情況。在圖21 (B)中是 從集電體材料31側(cè)觀察集電體材料32側(cè)的圖。與所述圖16(B)的 說(shuō)明同樣地，實(shí)線(xiàn)為開(kāi)口面a，雙點(diǎn)劃線(xiàn)為開(kāi)口面J3，在圖示中省略 了它們之間夾持的薄膜材料33。如圖21 (B)所示，在集電體材料31上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a 的開(kāi)口面a的位置、與在集電體材料32上開(kāi)設(shè)的通孔20a、 23a的開(kāi) 口面(3的位置，是在x軸方向上錯(cuò)開(kāi)的。因此，如上所述，在夾持在中間的薄膜材料33的兩面上，拉伸力等力不會(huì)作用于相同部位，而 是被分散。其與相對(duì)的孔的開(kāi)口面的位置一致的情況相比，更可靠地確保薄膜材料的強(qiáng)度。在圖22(A)中示出了在y軸方向上錯(cuò)開(kāi)的情 況。在圖22(B)中示出了在x軸方向上和在y軸方向上均錯(cuò)開(kāi)的情 況。在圖23中示出了重復(fù)率為0%的情況。在上述說(shuō)明中，與實(shí)施方式l同樣地，示出了通孔20a、 23a剖 面形成為直筒狀的情況。即，如圖15 (A) 、 (B)所示，在集電體 材料31、 32的薄膜材料33偵"與其接觸地設(shè)置有開(kāi)口面a、卩。在 集電體材料31、 32的表面30a、 30b側(cè)，設(shè)置有開(kāi)口面al、卩l(xiāng)。上 述開(kāi)口面a、 al和p、 pi是大小相同的情況。實(shí)際上，在形成通孔 20a、 23a的情況下，通過(guò)在貫穿方向上具有各向異性，在集電體材 料上呈直筒狀地實(shí)施蝕刻等開(kāi)孔處理。 .但是，.在沒(méi)有意識(shí)到各向異性而利用蝕刻等開(kāi)孔處理形成通孔 20a、 23a的情況下，通孔20a、 23a的形狀會(huì)成為前端細(xì)的形狀。艮卩， 與薄膜材料33接觸的開(kāi)口面a、 J3相比，在集電體材料31、 32的表 面30a、 30b側(cè)的開(kāi)口面al、 pi更大。圖24 (A)所示的情況是，在隔著薄膜材料33而相對(duì)的集電體 材料31、 32上設(shè)置的通孔20a、 23a的開(kāi)口面a、 (3的位置彼此一致 的情況。圖24 (B)所示的情況是，在隔著薄膜材料33而相對(duì)的集 電體材料31、 32上設(shè)置的通孔20a、 23a的開(kāi)口面a、 (3的位置彼此 錯(cuò)開(kāi)的情況。即使是在上述非直筒狀地貫穿的孔形狀中，也優(yōu)選如圖 16 (B)、圖21 (B)、圖22、 23等所示地使面向薄膜材料33側(cè)的 開(kāi)口面ct、 P的孔圖案錯(cuò)開(kāi)。如果這樣錯(cuò)開(kāi)，則與一致的情況相比，可以使集電體層疊單元 30的強(qiáng)度整體性得到強(qiáng)化。其結(jié)果，與開(kāi)口面a、 P—致的情況相比， 可以使水平運(yùn)送更快。另外，還可以使夾持在中間的作為隔斷層的薄 膜材料33的厚度較薄。為了使以上說(shuō)明的隔著薄膜材料(隔斷層)層疊的多個(gè)集電體 材料上形成的通孔的開(kāi)口面的位置彼此錯(cuò)開(kāi)，只要使各個(gè)集電體材料 的表面上設(shè)置的用于蝕刻的阻蝕層的孔圖案彼此錯(cuò)開(kāi)即可。如果這樣設(shè)定，就可以使與阻蝕層的圖案對(duì)應(yīng)地形成的通孔的開(kāi)口面的相對(duì)的 位置，包括重復(fù)率為0在內(nèi)地錯(cuò)開(kāi)。
艮P，通過(guò)有意識(shí)地使在兩個(gè)集電體材料31、 32上設(shè)置的阻蝕層
圖案錯(cuò)開(kāi)，使進(jìn)行蝕刻處理而開(kāi)設(shè)的孔的開(kāi)口面a和開(kāi)口面|3錯(cuò)開(kāi)。 錯(cuò)開(kāi)的程度只要設(shè)定為，例如使開(kāi)口面a、 (3的重復(fù)率為包括0%在 內(nèi)、小于或等于50%即可。并且，還可以設(shè)定為重復(fù)率大于或等于 10%且小于或等于30%。
如上述說(shuō)明，從強(qiáng)度的角度出發(fā)，隔著薄膜等隔斷層而在兩側(cè) 相對(duì)地設(shè)置的集電體材料的通孔的開(kāi)口面的位置，優(yōu)選彼此錯(cuò)開(kāi)。即， 如所述實(shí)施方式1的圖5 (C)的蝕刻工序的說(shuō)明圖所示，在位于薄 膜材料33的兩側(cè)的集電體材料31、 32的孔的位置，其相對(duì)位置優(yōu)選 錯(cuò)開(kāi)。
對(duì)位于隔著薄膜材料而相對(duì)的位置上的集電體材料進(jìn)行的開(kāi) 孔，例如在利用蝕刻的情況下，是由阻蝕層的開(kāi)孔用圖案決定的。這 樣設(shè)置的孔的開(kāi)口面極其小。因此，難以使開(kāi)口面一致，且耗費(fèi)工時(shí)， 使生產(chǎn)成本提高。
上述這一點(diǎn)，可以通過(guò)例如使相對(duì)的開(kāi)口面的位置在某一特定 范圍內(nèi)錯(cuò)開(kāi)這樣的極其簡(jiǎn)單的方法加以解決，同時(shí)還可以提高集電體 層疊單元的強(qiáng)度。對(duì)于位置對(duì)準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，由于省去在嚴(yán)密的位置對(duì)準(zhǔn)上 耗費(fèi)的工時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)粗略的位置對(duì)準(zhǔn)，因此可以降低集電體材料、 集電體的生產(chǎn)成本。最終，可以實(shí)現(xiàn)使用集電體的電極的生產(chǎn)成本的 降低，還可以實(shí)現(xiàn)使用該電極的電池、電容器等蓄電體的生產(chǎn)成本的 降低。
另外，從集電體層疊單元的強(qiáng)度的角度看，在相對(duì)的開(kāi)口面的 孔位置彼此一致的情況下，在洗滌蝕刻液等時(shí)，兩側(cè)由開(kāi)口面a、 p 夾持的薄膜材料部分容易破裂。或者在阻蝕層的剝離工序、電極材料 的涂敷工序、作為隔斷層的薄膜材料的每個(gè)單面的剝離工序、以及兩 面剝離工程等中，薄膜材料容易破損。即使不至于破損，也會(huì)出現(xiàn)產(chǎn) 生褶皺等問(wèn)題。
但是，通過(guò)采用使上述相對(duì)的開(kāi)口面的孔位置錯(cuò)開(kāi)的結(jié)構(gòu)，可以事先防止上述薄膜材料的破損、褶皺的產(chǎn)生等。因此，還可以提高 作為集電體層疊單元整體的強(qiáng)度。其結(jié)果，與孔位置沒(méi)有錯(cuò)開(kāi)的情況 相比，能夠使蝕刻處理后的工序中的水平運(yùn)送速度設(shè)定為更快。
在上述說(shuō)明中，舉出隔著薄膜材料而設(shè)置的集電體材料的通孔 的開(kāi)口面的孔圖案為相同圖案的情況的例子進(jìn)行了說(shuō)明。但是，在各 個(gè)薄膜材料上層疊的集電體材料上開(kāi)設(shè)的孔圖案也可以不相同。在使 用相同電極來(lái)生產(chǎn)相同蓄電體為前提的情況下，使用相同的孔圖案。 但是，為了生產(chǎn)開(kāi)口率不同的集電體，也可以對(duì)不同集電體材料進(jìn)行 層疊而形成集電體層疊單元。
特別是，如果孔圖案的開(kāi)口率不同，則即使在一個(gè)集電體材料
的開(kāi)口率超過(guò)50%的情況下，另一個(gè)也可以使用開(kāi)口率比50%小的
集電體材料。這種情況下，可以將重復(fù)率設(shè)定為o、或接近于.o,因
而優(yōu)選。
對(duì)于以上說(shuō)明的構(gòu)成，例如可以記載為如下的技術(shù)范圍。艮口， 作為技術(shù)范圍l，例如可以記載為， 一種集電體的制造方法，該集電 體通過(guò)是對(duì)集電體材料進(jìn)行單體化而制造的，其特征在于，使相對(duì)地 設(shè)置的集電體材料中分別開(kāi)設(shè)的通孔的開(kāi)口面彼此錯(cuò)開(kāi)。作為技術(shù)范
圍2,例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍1所述的集電體的制造方法， 其特征在于，所謂使所述通孔的開(kāi)口面彼此錯(cuò)開(kāi)，是指以相對(duì)的開(kāi)口 面不重復(fù)的方式錯(cuò)開(kāi)。作為技術(shù)范圍3，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù) 范圍1所述的集電體的制造方法，其特征在于，所謂使所述通孔的開(kāi) 口面彼此錯(cuò)開(kāi)，是指以使相對(duì)的開(kāi)口面一部分重合的方式錯(cuò)開(kāi)。作為 技術(shù)范圍4，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍3所述的集電體的制造 方法，其特征在于，所謂以使所述開(kāi)口面的一部分重合的方式錯(cuò)幵， 是指使開(kāi)口面之間以重復(fù)率大于或等于10%且小于或等于30%的范 圍重合的方式錯(cuò)開(kāi)。作為技術(shù)范圍5，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范 圍l至4中的任意一項(xiàng)所述的集電體的制造方法，其特征在于，在所 述相對(duì)地設(shè)置的集電體材料上開(kāi)口面的形狀、開(kāi)口面的孔排列相同的 通孔，設(shè)置為使開(kāi)口面的位置相互錯(cuò)開(kāi)。作為技術(shù)范圍6，例如可以 記載為，根據(jù)技術(shù)范圍1至4中的任意一項(xiàng)所述的集電體的制造方法，其特征在于，在所述相對(duì)地設(shè)置的集電體材料上設(shè)置有開(kāi)口率不同的 通孔。作為技術(shù)范圍7，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍1至6中的 任意一項(xiàng)所述的集電體的制造方法，其特征在于，所謂將所述集電體 材料相對(duì)地設(shè)置，是指在中間隔著薄膜材料等隔斷層而設(shè)置。作為技 術(shù)范圍8，例如可以記載為， 一種電極，其具有設(shè)置通孔的集電體， 其特征在于，所述集電體是利用所述技術(shù)范圍1至7中的任意一項(xiàng)所
述的集電體的制造方法制造的。作為技術(shù)范圍9，例如可以記載為，
一種蓄電裝置，其具有設(shè)置集電體的電極，其特征在于，所述集電體
是利用所述技術(shù)范圍l至7中的任意一項(xiàng)所述的集電體的制造方法制'造的。
(實(shí)施方式3)
在所述實(shí)施方式.l、 2中說(shuō)明的集電體層疊單元中，在隔著隔斷 層進(jìn)行層疊的多個(gè)集電體材料上開(kāi)設(shè)有貫穿集電體材料的孔。在該通 孔中，如在所述實(shí)施方式1中記載，通過(guò)涂敷電極漿料，然后進(jìn)行干 燥而形成電極復(fù)合層。在該電極復(fù)合層的形成中，根據(jù)情況不同而在 通孔中填充電極復(fù)合層。此外，在所述實(shí)施方式1的圖6、 10、 11 的記載中例示了通孔中沒(méi)有填充電極漿料的結(jié)構(gòu)，但也可以例如如圖 25、 26、 27所示進(jìn)行填充。由于具有作為隔斷層的薄膜材料，所以 通知對(duì)這樣填充的電極漿料進(jìn)行干燥而形成的電極復(fù)合層不會(huì)脫落， 而是留存在通孔中。但是，在形成電極復(fù)合層之后，如所述實(shí)施方式 l中也說(shuō)明的那樣，作為隔斷層的薄膜材料被剝離。
艮P，從層疊在薄膜材料上的集電體材料剝離薄膜材料。在進(jìn)行 上述剝離時(shí)，所填充的電極復(fù)合層可能會(huì)出現(xiàn)脫落的情況。在集電體 材料上設(shè)置的通孔中的電極復(fù)合層的脫落，如果是發(fā)生在所有的通孔 中暫且不說(shuō)，通常是在一部分通孔中發(fā)生的。對(duì)這樣構(gòu)成的集電體材 料進(jìn)行切斷而單體化制造的集電體的通孔，其離子通過(guò)率是不均勻 的。通孔的離子通過(guò)率在集電體的各個(gè)部分不同。
因此，利用該集電體，組裝成電極層疊單元時(shí)，經(jīng)過(guò)通孔的鋰 離子等離子的通過(guò)率會(huì)產(chǎn)生顯著差異。由此，例如有可能使規(guī)定時(shí)間內(nèi)的離子嵌入均勻性受到破壞?；蛘撸?guī)定時(shí)間內(nèi)的離子嵌入量發(fā)生 較大波動(dòng)等。
因此，在本實(shí)施方式中，在剝離作為隔斷層的薄膜材料時(shí)，考 慮了對(duì)于填充在通孔內(nèi)的電極復(fù)合層的防脫落對(duì)策。作為防脫落對(duì) 策，可以想出各種對(duì)策。例如可以考慮，將通孔的孔形狀變更為使電 極復(fù)合層難以脫落的適當(dāng)?shù)男螤畹葘?duì)策。作為孔形狀的變更，例如可 以考慮沿貫穿方向使孔剖面形狀變更?；蛘撸部梢钥紤]對(duì)作為面向 薄膜材料的開(kāi)口面?zhèn)鹊钠矫婵仔螤钸M(jìn)行變更。
對(duì)于對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的通孔來(lái)說(shuō)，例如在濕式蝕刻等中，注重了 使孔剖面形狀盡可能成為直筒狀。即，實(shí)施了在蝕刻液的組成方面的 對(duì)策、阻蝕層的圖案形成時(shí)的掩模對(duì)策等各種對(duì)策。因此，增加了在 集電體材料上設(shè)置通孔時(shí)的生產(chǎn)成本。
如在所述實(shí)施方式1中所說(shuō)明，在集電體層疊單元的構(gòu)成中， 是在通孔中填充電極復(fù)合層之后剝離隔斷層。例如，如所述實(shí)施方式
1的圖4的步驟S107、圖6(C)等中所示的剝離薄膜材料等隔斷層。 在進(jìn)行上述剝離時(shí)，發(fā)生了使通孔內(nèi)填充的電極復(fù)合層脫落的問(wèn)題。
圖28(A) 、 (B)中示出了在剝離作為隔斷層的薄膜材料之后， 電極復(fù)合層脫落的狀況。例如，如圖28 (A)所示，在集電體材料 31上形成有貫穿方向的剖面形狀為筆直的直筒狀的通孔20a、 23a。 在該通孔20a、 23a中，填充有電極復(fù)合層35。但是，填充的電極復(fù) 合層35，如圖28 (A)所示容易從通孔20a、 23a中脫落。
通孔20a、 23a內(nèi)填充的電極復(fù)合層部分35a (35)容易脫落， 是由于通孔20a、 23a的內(nèi)壁面朝向貫穿方向形成為直筒狀而導(dǎo)致的。 這是因?yàn)?，填充的電極復(fù)合層部分35a發(fā)生脫落的脫落側(cè)開(kāi)口面e，
和與脫落側(cè)開(kāi)口面e平行地切斷的填充側(cè)開(kāi)口面ei，是以相同方式 形成的。并且，脫落側(cè)開(kāi)口面e和填充側(cè)開(kāi)口面ei的側(cè)面是以直線(xiàn) 狀連結(jié)的。即，認(rèn)為該脫落的原因是，在貫穿方向的內(nèi)部沒(méi)有阻止電
極復(fù)合層部分35a脫落的任何卡止部分。
此外，所謂脫落側(cè)開(kāi)口面e是指，在薄膜材料上層疊的集電體
材料上設(shè)置的通孔中，面向作為隔斷層的薄膜材料的通孔開(kāi)口面。換句話(huà)說(shuō)，上述脫落側(cè)開(kāi)口面e是在從電極漿料的涂敷側(cè)開(kāi)口面朝向通
孔的貫穿方向的另一端側(cè)的通孔端部上形成的開(kāi)口面。另外，所謂填 充側(cè)開(kāi)口面ei是指，在集電體材料的涂敷有電極漿料的面?zhèn)人_(kāi)設(shè)
的開(kāi)口面。從該填充側(cè)開(kāi)口面ei涂敷電極漿料，并使其填充于通孔 內(nèi)部。
另一方面，圖28 (B)所示情況也與圖28 (A)同樣地，電極 復(fù)合層部分35a極其容易脫落。在圖28 (B)所示構(gòu)成中，脫落側(cè)開(kāi)
口面e比填充側(cè)開(kāi)口面ei開(kāi)口更大。并且，將脫落側(cè)開(kāi)口面e和填 充側(cè)開(kāi)口面ei連結(jié)的側(cè)面形成直線(xiàn)狀的錐部。通孔內(nèi)是極其容易使
電極復(fù)合層部分35a脫落的結(jié)構(gòu)。
因此，本發(fā)明者認(rèn)為，只要在沿貫穿方向的通孔內(nèi)部形成阻止
電極復(fù)合層部分35a脫落的某種卡止部即可?？ㄖ共康囊环N結(jié)構(gòu)是， 在通孔的內(nèi)側(cè)側(cè)面部分設(shè)置凹凸部。作為上述凹凸部，只要在例如利 用蝕刻開(kāi)設(shè)通孔時(shí)，使通孔內(nèi)側(cè)面的粗糙度變大即可。例如，可以通 過(guò)選擇適當(dāng)?shù)奈g刻液、蝕刻速度等而進(jìn)行處理。盡量不要使側(cè)面的表 面?zhèn)裙饣匦纬?，而是人為地形成為粗糙的表面。該粗糙的通孔的?nèi) 側(cè)面，可以作為電極復(fù)合層的卡止部分起作用，并成為防脫落單元。 或者，如圖29 (A)所示，在通孔20a、 23a中改變脫落側(cè)開(kāi)口 面e、和與脫落側(cè)開(kāi)口面e不同的非脫落側(cè)開(kāi)口面02的大小。艮P，
使在貫穿方向的任意位置以平行于脫落側(cè)開(kāi)口面e的面切斷的非脫 落側(cè)開(kāi)口面e2的剖面形狀，與脫落側(cè)開(kāi)口面e相比更大。只要以上
述構(gòu)造形成通孔20a、 23a，則如圖29 (B)所示，不會(huì)使通孔內(nèi)的 電極復(fù)合層部分35a脫落。電極復(fù)合層部分35a在非脫落側(cè)開(kāi)口面e2
部分被周?chē)耐變?nèi)表面Y卡止而防止脫落。
以這樣的方式，在作為隔斷層的薄膜材料33上層疊的集電體材 料31上形成通孔20a、 23a。雖省略了圖示，但在薄膜材料33上， 與集電體材料31相對(duì)地設(shè)置有集電體材料32。在該集電體対料32 上也同樣地形成通孔20a、 23a。
作為有效地防止上述脫落的剖面形狀，例如還有如圖29 (C) 所示的通孔20a、 23a的剖面構(gòu)造。圖29 (C)所示的情況是沿貫穿方向具有直筒狀側(cè)面和前端細(xì)(前端縮小型)側(cè)面的構(gòu)造。直筒狀側(cè) 面和前端細(xì)側(cè)面相交的非脫落側(cè)開(kāi)口面62比脫落側(cè)開(kāi)口面0更大。
因此，在這里使電極復(fù)合層部分35a卡止在通孔內(nèi)側(cè)面上，防止脫落。 上述剖面構(gòu)造的通孔20a、23a可以通過(guò)例如多次蝕刻處理進(jìn)行制造。
圖29 (C)的通孔20a、 23a的直筒狀部分，是利用現(xiàn)有技術(shù)中 用于形成直筒狀通孔20a、 23a的各向異性蝕刻處理而形成的。然后， 前端細(xì)部分是通過(guò)各向同性蝕刻處理而形成的。這樣通過(guò)多階段的蝕 刻處理，可以形成圖29 (C)所示的通孔20a、 23a。
另一方面，也可以不進(jìn)行多次蝕刻處理，而在通孔20a、 23a內(nèi) 形成電極復(fù)合層部分35a的卡止部位。例如可以完全不使用目前用于 形成直筒狀的方法而進(jìn)行蝕刻處理。這種情況下，由于與蝕刻液接觸 的時(shí)間越長(zhǎng)的部分被蝕刻地越深，因此自然地形成如圖30 (A)所示 的前端細(xì)的剖面孔形狀。在作為隔斷層的薄膜材料33上層疊的集電 體材料31上，設(shè)置上述形狀的通孔20a、 23a。
在設(shè)置有上述構(gòu)成的集龜體材料31的薄膜材料33上，如圖30 (A)所示，設(shè)置集電體材料32，從而構(gòu)成集電體層疊單元30。在 該集電體材料32上，也形成與集電體材料31同樣的前端細(xì)形狀的通 孔20a、 23a。此外，在集電體材料31、 32上形成的、夾持薄膜材料 33而相對(duì)的通孔20a、 23a，如在所述實(shí)施方式2中說(shuō)明那樣開(kāi)口面 的位置相互錯(cuò)開(kāi)。如果不是為了提高集電體層疊單元的強(qiáng)度，通孔 20a、 23a的開(kāi)口面的位置也可以不錯(cuò)開(kāi)。
圖30 (B)中僅圖示了在作為隔斷層的薄膜材料33上層疊的集 電體材料31側(cè)，而對(duì)于集電體材料32側(cè)省略了圖示。如果如上所述 完全不使用用于形成直筒狀的方法而對(duì)集電體材料31實(shí)施蝕刻處 理，則可以進(jìn)行各同向性蝕刻。在上述蝕刻中，面向薄膜材料33的 脫落側(cè)開(kāi)口面e形成得比填充側(cè)開(kāi)口面ei更小。在上述孔構(gòu)造中，
其周?chē)膫?cè)面從脫落側(cè)開(kāi)口面e至填充側(cè)開(kāi)口面ei的開(kāi)口面，形成
以直線(xiàn)狀的錐部連結(jié)的剖面形狀。在這樣形成的通孔20a、 23a內(nèi)涂 敷并填充電極漿料，然后通過(guò)進(jìn)行干燥而填充電極復(fù)合層部分35a。 這樣，在通孔20a、 23a內(nèi)填充了電極復(fù)合層部分35a之后，如圖30 (C)所示，使作為隔斷層的薄膜材料33剝離。但是，電極復(fù)
合層部分35a的周面?zhèn)瓤ㄖ乖谕?0a、 23a的通孔內(nèi)表面Y的側(cè)面 部分，不會(huì)從脫落側(cè)開(kāi)口面e側(cè)脫落。即使薄膜材料33被剝離，雖 然在薄膜材料33側(cè)多少被拉伸，但可以防止從脫落側(cè)開(kāi)口面e側(cè)脫 落。g卩，即使周?chē)膫?cè)面形成為直線(xiàn)狀，也由于在通孔內(nèi)部脫落側(cè)開(kāi) 口面e是最小的，因此在通孔20a、 23a內(nèi)填充的電極復(fù)合層部分35a 被卡止在側(cè)面上而可以防止脫落。即，在上述構(gòu)成的情況下，朝向脫
落側(cè)開(kāi)口面e而形成為前端細(xì)的側(cè)面，會(huì)作為卡止單元起作用而成為
有效的防脫落單元。
上述防脫落單元也可以說(shuō)是，使貫穿方向朝向薄膜材料33側(cè)，
形成為前端細(xì)的錐部的單元?；蛘呖梢哉f(shuō)是，從填充側(cè)開(kāi)口面ei即 一個(gè)開(kāi)口面，朝向脫落側(cè)開(kāi)口面e即另一個(gè)開(kāi)口面，設(shè)置前端細(xì)的錐 部的結(jié)構(gòu)，其中，用于涂敷的電極漿料是從填充側(cè)開(kāi)口面ei填充到
通孔內(nèi)的。此外，上述前端細(xì)錐部可以設(shè)置在通孔內(nèi)表面的整個(gè)周?chē)?或部分周?chē)嫔?。并且，可以設(shè)置在貫穿方向的所有方向上或部分方 向上。
這樣，如圖30 (D)所示，即使將薄膜材料33完全剝離之后， 電極復(fù)合層部分35a也留存在通孔20a、 23a內(nèi)。S口 ，看不到電極復(fù) 合層部分35a的脫落。因此，在通過(guò)對(duì)具有上述構(gòu)成的通孔的集電體 材料進(jìn)行單體化而制造的集電體中，經(jīng)由該孔的離子通過(guò)特性可以維 持在均勻狀態(tài)。因此，利用上述集電體構(gòu)成電極，電極的嵌入功能也 可以維持在均勻狀態(tài)。
此外，以上的說(shuō)明是以在所述實(shí)施方式1說(shuō)明的多個(gè)集電體材 料隔著作為隔斷層的薄膜材料進(jìn)行層疊的情況為前提進(jìn)行的說(shuō)明。但
是，也可以適用于單獨(dú)的集電體材料層疊在薄膜材料等上的結(jié)構(gòu)中。
對(duì)于以上說(shuō)明的結(jié)構(gòu)，例如可以記載為如下的技術(shù)范圍。艮P， 作為技術(shù)范圍l，例如可以記載為， 一種集電體，其在電極中使用并 且具有通孔，其特征在于，所述通孔設(shè)置有防止填充在所述通孔內(nèi)表 面的電極復(fù)合層脫落的防脫落單元。作為技術(shù)范圍2，例如可以記載 為，根據(jù)技術(shù)范圍l所述的集電體中，其特征在于，所謂所述防脫落單元是指，從電極漿料的涂敷側(cè)朝向貫穿方向的通孔端的開(kāi)口面，比 以平行于所述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的所述通孔內(nèi)的其它開(kāi)口面更小。 作為技術(shù)范圍3，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍1所述的集電體， 其特征在于，所謂所述防脫落單元是指，從所述通孔的電極漿料的涂 敷側(cè)的開(kāi)口面朝向所述通孔的另一端的開(kāi)口面而設(shè)置的前端細(xì)的錐 部。作為技術(shù)范圍4，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍1至3中的任 意一項(xiàng)所述的集電體，其特征在于，所述集電體是利用設(shè)置所述通孔 的層疊的集電體材料制造的。作為技術(shù)范圍5，例如可以記載為，一 種集電體的制造方法，該集電體在電極中使用并且具有通孔，該集電 體的制造方法的特征在于，對(duì)集電體材料進(jìn)行單體化而制造所述集電 體，所述通孔設(shè)有防止填充在在所述通孔內(nèi)表面的電極復(fù)合層脫落的
防脫落單元。作為技術(shù)范圍6，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍5.所
述的集電體的制造方法，其特征在于，所謂所述防脫落單元是指，使 從電極漿料的涂敷側(cè)朝向貫穿方向的通孔端的開(kāi)口面比以平行于所 述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的所述通孔內(nèi)的其它開(kāi)口面更小。作為技術(shù)范
圍7，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍5所述的集電體，其特征在于， 所謂所述防脫落單元是，從所述通孔的電極漿料的涂敷側(cè)的開(kāi)口面朝 向所述通孔的另一端的開(kāi)口面而設(shè)置的前端細(xì)的錐部。作為技術(shù)范圍 8，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍5至7中的任意一項(xiàng)所述的集電 體的制造方法，所述集電體材料，在使多個(gè)所述集電體材料層疊的狀 態(tài)下，形成所述通孔。作為技術(shù)范圍9，例如可以記載為， 一種電極， 其使用具有通孔的集電體，其特征在于，該電極使用根據(jù)所述技術(shù)范 圍1至4中的任意一項(xiàng)所述的集電體、或者所述技術(shù)范圍5至8中的 任意一項(xiàng)所述的集電體的制造方法制造的集電體。作為技術(shù)范圍10， 例如可以記載為， 一種蓄電裝置，其具有電極，其特征在于，所述電 極使用根據(jù)所述技術(shù)范圍1至4中的任意一項(xiàng)所述的集電體、或者所 述技術(shù)范圍5至8中的任意一項(xiàng)所述的集電體的制造方法制造的集電 體。作為技術(shù)范圍11，例如可以記載為， 一種防止電極復(fù)合層從設(shè) 置在集電體上的通孔中脫落的構(gòu)造，其特征在于，在所述通孔的內(nèi)表 面設(shè)置阻止所述通孔中填充的電極復(fù)合層脫落的所述電極復(fù)合層卡止部。作為技術(shù)范圍12，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍ll所述的 防止電極復(fù)合層從通孔脫落的構(gòu)造，其特征在于，所謂所述卡止部是， 比從電極漿料的涂敷側(cè)朝向貫穿方向的通孔端的開(kāi)口面更大的、以平 行于所述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的所述通孔內(nèi)的其它開(kāi)口面。作為技術(shù) 范圍13，例如可以記載為，根據(jù)技術(shù)范圍11所述的在電極復(fù)合層的 通孔中的防脫落構(gòu)造，其特征在于，所謂所述卡止部是，從所述通孔 的電極漿料的涂敷側(cè)的開(kāi)口面朝向所述通孔的另一端的開(kāi)口面而設(shè) 置的前端細(xì)的錐部。
(實(shí)施方式4)
在本實(shí)施方式中，對(duì)作為通孔的開(kāi)口面的平面形狀進(jìn)行了說(shuō)明。 對(duì)于防脫落單元來(lái)說(shuō)，通孔的開(kāi)口面的平面形狀也很重要。即，嚴(yán)格 地說(shuō)，在剝離薄膜材料等隔斷層時(shí)，幾乎不會(huì)相對(duì)于集電體材料從垂 直下方進(jìn)行剝離。假想在具有某種方向性的狀態(tài)下進(jìn)行剝離處理。例 如，對(duì)于長(zhǎng)條狀的集電體材料，從長(zhǎng)條方向的一端側(cè)剝離薄膜材料的 情況下，可以規(guī)定長(zhǎng)條方向?yàn)閯冸x方向。在這種情況下，形成在集電 體材料上的通孔的面向薄膜材料側(cè)的開(kāi)口面的平面形狀，優(yōu)選形成為 考慮其剝離方向的形狀。與在360度范圍內(nèi)具有各向同性的平面形狀 相比，優(yōu)選具有各向異性的平面形狀。
例如，可以在剝離方向和與該方向正交的方向上，使其形狀不 同。即，與正方形、圓形、正多角形不同，優(yōu)選長(zhǎng)方形、橢圓形等形 狀。如果優(yōu)先考慮易剝離性，則優(yōu)選剝離方向的長(zhǎng)度比與之正交的寬 度方向更短。相反，如果優(yōu)先考慮通孔內(nèi)的電極復(fù)合層的難脫落性， 則優(yōu)選剝離方向的長(zhǎng)度比與之正交的寬度方向更長(zhǎng)的形狀。即，只要 形成為縱橫的長(zhǎng)度不同的平面形狀，使該縱橫的長(zhǎng)度方向與集電體材 料的運(yùn)送方向、或剝離方向?qū)?yīng)即可。根據(jù)情況不同，還可以考慮使 縱橫的長(zhǎng)度方向相對(duì)于剝離方向都傾斜交叉的方向。
另外，具有角部的形狀比正圓形更容易地卡止通孔內(nèi)填充的電
極復(fù)合層，而使其難以脫落。為了防止電極復(fù)合層的脫落，該角部?jī)?yōu) 選為更銳角狀的角部。例如，在防脫落中，正多角形比正圓形有效，在正多角形之中正方形有效，而正三角形比正方形更有效。如果按照 上述形狀的順序，引入所述縱橫比的長(zhǎng)度的概念，則可以得到更好的 形狀。即，只要將正多角形、正方形、正三角形等對(duì)稱(chēng)性高的形狀變 形為對(duì)稱(chēng)性低的形狀即可。例如，如果變形為橢圓形、長(zhǎng)方形、等腰 三角形等，則可以得到更好的效果。
本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，可以在不脫離其主旨的范圍內(nèi) 進(jìn)行各種變更。例如，根據(jù)上述實(shí)施方式1中說(shuō)明的本發(fā)明的制造方 法所得到的電極，不僅可以用于鋰離子蓄電池及鋰離子電容器，還可 以用于各種形式的蓄電池及電容器。
另外，在圖5 (A)及圖9 (A)所示情況中，是利用2枚集電 體材料31、 32形成集電體層疊單元30、 50的，但也可以將大于或等 于3枚的集電體材料進(jìn)行層疊而形成集電體層疊單元。例如，也可以 在圖5 (A)所示集電體層疊單元30的表面上層疊新的集電體材料。 另外，也可以在圖9 (A)所示集電體層疊單元50的表面上層疊新的 集電體材料。
此外，在上述說(shuō)明中，設(shè)置了去除阻蝕層34、 51、 58的阻蝕層 去除工序，但如果阻蝕層34、 51、 58具有導(dǎo)電性，不影響活性物質(zhì) 及電解液等，則也可以省略阻蝕層去除工序。
權(quán)利要求
1. 一種電極的制造方法，該電極具有開(kāi)孔集電體，其特征在于，具有如下工序集電體層疊工序，在該工序中，對(duì)多個(gè)集電體材料進(jìn)行層疊，形成集電體層疊單元；保護(hù)層形成工序，在該工序中，在所述集電體層疊單元的表面上形成規(guī)定圖案的保護(hù)層；蝕刻工序，在該工序中，對(duì)形成有所述保護(hù)層的所述集電體層疊單元實(shí)施蝕刻處理，在所述集電體材料上分別形成通孔；第1涂敷工序，在該工序中，在形成有所述通孔的所述集電體層疊單元的表面涂敷電極漿料；集電體剝離工序，在該工序中，將涂敷有所述電極漿料的所述集電體材料，從所述集電體層疊單元進(jìn)行剝離；以及第2涂敷工序，在該工序中，在從所述集電體層疊單元?jiǎng)冸x的所述集電體材料的未涂敷面上涂敷電極漿料。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極的制造方法，其特征在于， 在所述集電體層疊工序中，在所述集電體材料之間設(shè)置隔斷層； 在所述保護(hù)層形成工序中，在所述集電體層疊單元的一個(gè)面和另一個(gè)面的兩面上形成規(guī)定圖案的所述保護(hù)層；在所述蝕刻工序中，從所述集電體層疊單元的一個(gè)面和另一個(gè) 面的兩面，在所述集電體材料上分別形成所述通孔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極的制造方法，其特征在于， 在所述集電體層疊工序中，直接層疊多個(gè)所述集電體材料； 在所述保護(hù)層形成工序中，在所述集電體層疊單元的整個(gè)一個(gè)面上形成隔斷層，另一方面，在所述集電體層疊單元的另一個(gè)面上形 成規(guī)定圖案的所述保護(hù)層；在所述蝕刻工序中，從所述集電體層疊單元的另一個(gè)面，在所述集電體材料上分別形成所述通孔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的電極的制造方法， 其特征在于，在層疊的所述多個(gè)集電體材料上分別形成的通孔是彼此相對(duì)地 設(shè)置的，相對(duì)設(shè)置的通孔之間的開(kāi)口面是彼此錯(cuò)開(kāi)的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項(xiàng)所述的電極的制造方法，其特征在于，在層疊的所述多個(gè)集電體材料上分別形成的通孔中，所述通孔 內(nèi)表面上設(shè)置有防止電極復(fù)合層脫落的防脫落單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極的制造方法，其特征在于， 所述防脫落單元是指，使從電極漿料的涂敷側(cè)朝向貫穿方向的通孔端的開(kāi)口面比以平行于所述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的所述通孔內(nèi) 的其它開(kāi)口面更小。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極的制造方法，其特征在于， 所述防脫落單元是指，從所述通孔的電極漿料的涂敷側(cè)的開(kāi)口面朝向所述通孔的另一端的開(kāi)口面而設(shè)置的前端細(xì)的錐部。
8. —種蓄電裝置，其組裝有具有開(kāi)孔集電體的電極，其特征在于，所述電極是利用權(quán)利要求1至7中的任意一項(xiàng)所述的電極的制 造方法而制造的。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的蓄電裝置，其特征在于， 所述蓄電裝置是鋰離子電容器。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的蓄電裝置，其特征在于， 所述蓄電裝置是鋰離子電池。
11. 一種中間層疊材料，其是電極制造過(guò)程中的半成品，其特征 在于，具有集電體材料，其具有多個(gè)通孔；隔斷層，其設(shè)置在所述集電體材料的一面?zhèn)榷]塞所述通孔；以及電極復(fù)合層，其設(shè)置在所述集電體材料的另一面?zhèn)取?br> 12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的中間層疊材料，其特征在于， 所述集電體材料層疊在所述隔斷層的兩面上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的中間層疊材料，其特征在于， 所述集電體材料層疊在所述隔斷層的單面上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的中間層疊材料，其特征在于， 所述集電體材料隔著所述隔斷層而相對(duì)地設(shè)置多個(gè)， 在相對(duì)地設(shè)置的所述集電體材料上分別形成的通孔之間的面向所述隔斷層的開(kāi)口面彼此錯(cuò)開(kāi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11至14中的任意一項(xiàng)所述的中間層疊材料， 其特征在于，在所述通孔的內(nèi)表面上設(shè)置有防止電極復(fù)合層脫落的防脫落單元。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的中間層疊材料，其特征在于， 所述防脫落單元是指，使所述通孔的面向所述隔斷層側(cè)的開(kāi)口面比以平行于所述開(kāi)口面的面進(jìn)行切斷的其它開(kāi)口面更小。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的中間層疊材料，其特征在于， 所述防脫落單元是指，在所述通孔中朝向所述隔斷層而設(shè)置的 前端細(xì)的錐部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電極的制造方法、蓄電裝置及中間層疊材料，用于提高具有開(kāi)孔集電體的電極的生產(chǎn)率。在集電體層疊工序中，形成集電體層疊單元(30)，其由集電體材料(31、32)以及薄膜材料(33)構(gòu)成。另外，在阻蝕層印刷工序中，在集電體層疊單元的兩面上形成規(guī)定圖案的阻蝕層(34)。在蝕刻工序中，將阻蝕層(34)用作掩模而實(shí)施蝕刻處理，在各集電體材料上形成通孔(20a、23a)。在阻蝕層去除工序中，使阻蝕層從集電體層疊單元去除。因?yàn)閷?duì)多個(gè)集電體材料實(shí)施蝕刻處理，所以可以提高電極的生產(chǎn)率。另外，在涂敷漿料時(shí)，由于能夠利用薄膜材料防止電極漿料的脫落，因此可以在水平方向上運(yùn)送集電體層疊單元，可以提高電極的生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)H01G9/04GK101546649SQ200910132340
公開(kāi)日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2009年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月28日
發(fā)明者佐藤豐, 宇都宮隆, 安東信雄, 永井滿(mǎn), 馬場(chǎng)健 申請(qǐng)人:富士重工業(yè)株式會(huì)社