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      具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其基板的制作方法

      文檔序號:6934021閱讀:149來源:國知局
      專利名稱:具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其基板的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種半導體裝置,特別是涉及一種具有跳線連接結構的窗口型半導體 封裝構造及其基板。
      背景技術
      按,在電子系統(tǒng)產(chǎn)品中,印刷電路板(Printed Circuit Board ;簡稱PCB)常扮演 連接各類電子零組件、電氣導通及支撐的作用,也是各種電子設備最基本的組成部分。印刷 電路板具有適當布設的線路,可作為半導體封裝的基板,達到對外傳輸?shù)哪康?。運用于半導 體封裝的印刷電路板在線路設計可更高的要求,需要考慮內(nèi)部電子元件、金屬連線、導通孔 和外部連接的布局、電磁保護、熱耗散、串音等各種因素。線路設計的好壞對電路的干擾及 抗干擾能力影響很大,優(yōu)秀的線路設計可以節(jié)約生產(chǎn)成本,達到良好的電路性能和散熱性 能。在現(xiàn)有印刷電路板的制作中,基于電路布局的要求,往往需要使用到長繞線的設 計。特別是在窗口型半導體封裝產(chǎn)品中,當兩側(cè)信號連接點位置不同時,為使兩側(cè)不同位 置的相同信號定義的連接點得以電信連接,受限于中央槽孔、線距、布線面積,而需使用更 多層數(shù)的基板并將在基板一側(cè)的線路繞過中央槽孔的端部到在基板的另一側(cè),其兩端并以 鍍通孔或電性連接孔連接,以構成一長繞線設計,造成布線線路設計復雜、線距長且成本較 尚ο如圖1所示,為一種現(xiàn)有習知窗口型半導體封裝構造的截面示意圖,該窗口型半 導體封裝構造100包含一基板110、一晶片130、多個金屬線150以及一模封膠體160。該基 板110具有一上表面111、一下表面112以及一貫穿該上表面111與該下表面112的中央槽 孔113,為狹長狀貫穿槽。藉由該中央槽孔113以區(qū)分該基板110為一第一板部IlOA與一 第二板部110B。更具體地該基板110的該中央槽孔113定義有一虛擬的虛擬中心線114, 該虛擬中心線114將該基板110劃分為該第一板部IlOA與該第二板部110B。該基板110 作為晶片載體并具有多層線路結構?,F(xiàn)有習知地,該基板110的該上表面111供黏晶的用, 該基板110的該下表面112設有多個接指115與多個球墊116,該些接指115排列于該中央 槽孔113的兩對側(cè),可供該些金屬線150連接,該些球墊116用以設置多個外接端子180,例 如焊球,以對外連接。該晶片130設于該基板110的該上表面111并具有多個位于其主動面中央的焊墊 131??衫迷撔┙饘倬€150,例如焊線,通過該中央槽孔113電性連接該些焊墊131至該基 板110的該些接指115。該模封膠體160常見為環(huán)氧模封化合物(Epoxy Molding Compound, EMC),形成于該上表面111以及該中央槽孔113,以密封該晶片130與該些金屬線150。該 些外接端子180設于該下表面112的該些球墊116而位于該模封膠體160的底部,以作為 整體封裝構造對外的電性導接?,F(xiàn)有習知的基板結構中,如圖2與圖3所示,該基板110的該下表面112設有同一 線路層的一接指121、一轉(zhuǎn)接跡線123以及一長繞外接墊124,以供一內(nèi)層長繞跡線140的電性連接使用。再如圖2所示,該接指121位于該第一板部110A,該長繞外接墊124位于該 第二板部110B。該接指121與該長繞外接墊124的同一平面線路層間布滿線路。再如圖3 所示,為使相同信號定義的該接指121與該長繞外接墊124得以電信連接,在該基板110以 鉆孔技術鉆出多個導通孔117在該內(nèi)層長繞跡線140的兩端,該些導通孔117內(nèi)以電鍍法 將導電材質(zhì)電鍍在該些導通孔117中,以使該內(nèi)層長繞跡線14可連接該轉(zhuǎn)接跡線123至該 長繞外接墊124。如圖4所示,繪示該內(nèi)層長繞跡線140的線路連接情形,由該基板110的 該下表面112的該接指121形成一段轉(zhuǎn)接跡線123連接至特定的導通孔117,穿過該基板 110以電性連接至該上表面111,該內(nèi)層長繞跡線140經(jīng)過一段長距離的延伸至在該第二板 部IlOB特定的導通孔117,再穿過該基板110回到該下表面111而與該長繞外接墊124達 到電性連接。其中,如圖3與圖4所示,該內(nèi)層長繞跡線140繞過該中央槽孔113的一端, 即穿過該虛擬中心線114,而完成一長距離的繞線設計,布線線路設計復雜、線距長以及需 雙面布線,而造成成本提高。此外,當由于上下表面的線路需經(jīng)由該些導通孔117來電信相 連,鉆孔密度過高會造成線路布局的困難度的增加,甚至因此必須使用成本較高的增層式 (Build-Up Layer)線路載板,或是更多層數(shù)的迭層式線路載板。由此可見,上述現(xiàn)有的封裝構造在結構與使用上,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟 待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題,相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道, 但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品又沒有適切結構能夠解決上述問 題,此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設一種新型的具有跳線連接結構的 窗口型半導體封裝構造及其基板,實屬當前重要研發(fā)課題之一,亦成為當前業(yè)界極需改進 的目標。有鑒于上述現(xiàn)有的封裝構造存在的缺陷,本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設計制造多 年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識,并配合學理的運用,積極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設一種新型 的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其基板,能夠改進一般現(xiàn)有的封裝構造, 使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設計,并經(jīng)過反復試作樣品及改進后,終于創(chuàng)設出確 具實用價值的本發(fā)明。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的主要目的在于,克服現(xiàn)有的封裝構造存在的缺陷,而提供一種新型的具 有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,所要解決的技術問題是使其無須使用現(xiàn)有習知 位于基板上表面或內(nèi)層的內(nèi)層長繞跡線與其兩端連接的導通孔,而具有較短的線距與減少 線路阻抗,非常適于實用。本發(fā)明的另一目的在于,提供一種新型的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝 構造及其基板,所要解決的技術問題是使其能在同一打線步驟中完成跳線連接結構,不需 繁復的封裝制程,從而更加適于實用。本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其包括一基板,具有一上表面、一下 表面以及一中央槽孔,藉由該中央槽孔區(qū)分該基板為一第一板部與一第二板部,該基板的 該下表面設有在同一線路層的一第一跳接接指、一第二跳接接指及一跳接痕跡線,該第一 跳接接指位于該第一板部并鄰近該中央槽孔,該第二跳接接指位于該第二板部并鄰近該中央槽孔,該跳接痕跡線連接該第二跳接接指并完全形成于該第二板部內(nèi);一晶片,設置于該 基板的該上表面,并具有多個焊墊,其對準于該中央槽孔內(nèi);一金屬跳線,跨過該中央槽孔 以連接該第一跳接接指與該第二跳接接指;多個第一金屬線,經(jīng)過該中央槽孔以連接該晶 片的該些焊墊至該基板的多個接指;以及一模封膠體,至少形成于該中央槽孔內(nèi),以密封該 些第一金屬線與該金屬跳線。本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其中所述的基板的該下表面 設有一跳接外接墊,其位于該第二板部并與該跳接痕跡線相連接。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其中所述的第一跳接接指與 該第二跳接接指為對向排列于該中央槽孔的兩側(cè)。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其中所述的基板的該下表面 更設有多個球墊。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其另包含有多個外接端子, 設置于該些球墊。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其中所述的該模封膠體更形 成于該基板的該上表面,以密封該晶片。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其中所述的另包含一第二金 屬線,其經(jīng)過該中央槽孔以連接該晶片的該些焊墊的其中的一至該基板的該第一跳接接指 或該第二跳接接指。前述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其中所述的第二金屬線與該 金屬跳線為打線形成的一體連接。本發(fā)明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種具有跳線連接結構的基板,其具有一上表面、一下表面以及一中央槽孔,藉由該中央槽 孔以區(qū)分該基板為一第一板部與一第二板部,該基板的該下表面設有在同一線路層的一第 一跳接接指、一第二跳接接指及一跳接痕跡線,該第一跳接接指位于該第一板部并鄰近該 中央槽孔,該第二跳接接指位于該第二板部并鄰近該中央槽孔,該跳接痕跡線連接該第二 跳接接指并完全形成于該第二板部內(nèi)。本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。前述的具有跳線連接結構的基板,其中所述的基板的該下表面設有一跳接外接 墊,其位于該第二板部并與該跳接痕跡線相連接。前述的具有跳線連接結構的基板,其中所述的第一跳接接指與該第二跳接接指為 對向排列于該中央槽孔的兩側(cè)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知,為達到上述目 的,本發(fā)明提供了一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其揭示一種具有跳線 連接結構的窗口型半導體封裝構造,主要包含一基板、一晶片、一金屬跳線、多個第一金屬 線以及一模封膠體。該基板具有一上表面、一下表面以及一中央槽孔,藉由該中央槽孔區(qū)分 該基板為一第一板部與一第二板部,該基板的該下表面設有在同一線路層的一第一跳接接 指、一第二跳接接指及一跳接痕跡線,該第一跳接接指位于該第一板部并鄰近該中央槽孔, 該第二跳接接指位于該第二板部并鄰近該中央槽孔,該跳接痕跡線連接該第二跳接接指并完全形成于該第二板部內(nèi)。該晶片設置于該基板的該上表面,并具有多個焊墊,其對準于該 中央槽孔內(nèi)。該金屬跳線跨過該中央槽孔以連接該第一跳接接指與該第二跳接接指。該些 第一金屬線經(jīng)過該中央槽孔以連接該晶片的該些焊墊至該基板的多個接指。該模封膠體至 少形成于該中央槽孔內(nèi),以密封該些第一金屬線與該金屬跳線。此外,另揭示上述半導體封 裝構造所使用的基板。本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該基板的該下表面可設有一跳接外接墊,其 位于該第二板部并與該跳接痕跡線相連接。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該第一跳接接指與該第二跳接接指可為對向 排列于該中央槽孔的兩側(cè)。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該基板可為一印刷電路板。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該基板可為一電路薄膜。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該基板的該下表面可更設有多個球墊。在前述的窗口型半導體封裝構造中,可另包含有多個外接端子,設置于該些球墊 與該跳接外接墊。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該些外接端子可包含多個焊球。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該模封膠體可更形成于該基板的該上表面, 以密封該晶片。在前述的窗口型半導體封裝構造中,可另包含一第二金屬線,其經(jīng)過該中央槽孔 以連接該晶片的該些焊墊的其中的一至該基板的該第一跳接接指或該第二跳接接指。在前述的窗口型半導體封裝構造中,該第二金屬線與該金屬跳線可為打線形成的 一體連接。借由上述技術方案,本發(fā)明具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其基板 至少具有下列優(yōu)點及有益效果1、利用金屬跳線跨過中央槽孔以連接兩對邊的接指作為其中的一技術手段,使得 具有相同訊號定義的接指與外接墊能達成電性連接,無須使用現(xiàn)有習知位于基板上表面或 內(nèi)層的內(nèi)層長繞跡線與其兩端連接的導通孔,而具有較短的線距與減少線路阻抗。2、利用金屬跳線與金屬線為同一打線步驟中形成作為其中的一技術手段,不需繁 復的封裝制程。綜上所述,本發(fā)明是有關于一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其 基板,藉由基板的中央槽孔以區(qū)分基板為一第一板部與一第二板部,跳線連接結構包含設 在基板的下表面且為同一線路層的一第一跳接接指、一第二跳接接指及一連接第二跳接接 指的跳接痕跡線。第一跳接接指與第二跳接接指分別位于第一與第二板部并對向排列于中 央槽孔的兩側(cè),跳接痕跡線位于第二板部。金屬跳線跨過中央槽孔以連接第一跳接接指與 第二跳接接指,藉以縮短跳線線路的長度并且無須以導通孔連接,以減少線路阻抗與密度。本發(fā)明在技術上有顯著的進步,并具有明顯的積極效果,誠為一新穎、進步、實用 的新設計。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段, 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明如下。
      圖9為本發(fā)明的一具體實施例的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造于 -般接指的截面示意圖。


      圖1為現(xiàn)有習知窗口型半導體封裝構造的截面示意圖。圖2為現(xiàn)有習知窗口型半導體封裝構造在基板下表面的線路層的局部示意圖。圖3為現(xiàn)有習知窗口型半導體封裝構造在基板上表面的線路層的局部示意圖。圖4為現(xiàn)有習知窗口型半導體封裝構造的長繞線結構的截面示意圖。圖5為本發(fā)明的一具體實施例的一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構 造的截面示意圖。圖6為本發(fā)明的一具體實施例的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造在 基板下表面的線路層的局部示意圖。圖7為本發(fā)明的一具體實施例的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造在 基板上表面的線路層的局部示意圖。圖8為依據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的窗口型半導體封裝構造的跳線連接結構的 截面示意圖。
      剖切-

      100:窗口型半導體封裝構造
      110 基板
      IlOB 第二板部
      112 下表面
      114 虛擬中心線
      116 球墊117導通孔
      121 接指
      124 長繞外接墊
      130 晶片
      140:內(nèi)層長繞跡線 150 金屬線 180 外接端子 210 基板 210B 第二板部 212 下表面 214 虛擬中心線 216 球墊217導通孔 221 第一跳接接指 223 跳接痕跡線 230 晶片 240 金屬跳線 260 模封膠體
      IlOA 第一板部 111 上表面 113 中央槽孔 115:接指
      123 轉(zhuǎn)接跡線
      131 焊墊
      160 模封膠體
      200:窗口型半導體封裝構造
      210A 第一板部
      211 上表面
      213 中央槽孔
      215 接指
      222 第二跳接接指 224 跳接外接墊 231 焊墊 250 第一金屬線 270 第二金屬線
      280 外接端子
      具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效,以下結合 附圖及較佳實施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其 基板其具體實施方式
      、結構、特征及其功效,詳細說明如后。有關本發(fā)明的前述及其他技術內(nèi)容、特點及功效,在以下配合參考圖式的較佳實 施例的詳細說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明,在以下的實施例中,相同的元件以相同 的編號表示。以下將配合所附圖示詳細說明本發(fā)明的實施例,然應注意的是,該些圖示均為簡 化的示意圖,僅以示意方法來說明本發(fā)明的基本架構或?qū)嵤┓椒?,故僅顯示與本案有關的 元件與組合關系,圖中所顯示的元件并非以實際實施的數(shù)目、形狀、尺寸做等比例繪制,某 些尺寸比例與其他相關尺寸比例或已夸張或是簡化處理,以提供更清楚的描述。實際實施 的數(shù)目、形狀及尺寸比例為一種選置性的設計,詳細的元件布局可能更為復雜。請參閱圖5、圖6所示,依據(jù)本發(fā)明的一具體實施例,一種具有跳線連接結構的窗 口型半導體封裝構造說明于圖5的截面示意圖與圖6基板下表面的線路層的局部示意圖。 該窗口型半導體封裝構造200主要包含一基板210、一晶片230、一金屬跳線240、多個第一 金屬線250以及一模封膠體260。如圖5所示,該基板210具有一上表面211、一下表面212以及一貫穿該上表面211 與該下表面212的中央槽孔213,如狹長貫穿槽。藉由該中央槽孔213以區(qū)分該基板210 為一第一板部210A與一第二板部210B。更具體地,該基板210的該中央槽孔213定義有 一虛擬中心線214,該虛擬中心線214將該基板210劃分為該第一板部210A與該第二板部 210B。具體而言,該基板210可為一具有單層線路或多層線路的印刷電路板為較佳,然亦可 為陶瓷基板、玻璃基板、或是薄膜基板。在本實施例中,該基板210具有雙層線路,可利用防 焊層配置在表層線路層上,并暴露出信號輸入/輸出端子。請參閱圖6、圖7所示,該基板210的該下表面212 (如圖6所示)與該上表面 211(如圖7所示)的線路透過多個導通孔(via hole)217而電性連接。該些導通孔217 可利用填充灌注或電鍍等方法形成,用以連接該上表面211與該下表面212的線路。較佳 地,在另一實施例中,該基板210可選用一種可降低成本制作的僅有單面線路層的基板,可 省去電性布局的復雜度與制程困擾,提高訊號處理高速化,并降低基板的制作成本并提供 適當?shù)妮d體剛性。或者,在不同實施例中,該基板210可具有可撓曲性,具有可任意撓屈 (warp)配線、輕薄、高密度配線、產(chǎn)品穩(wěn)定度高等優(yōu)點,有助于產(chǎn)品構裝設計輕薄的電子相 關產(chǎn)品使用。請參閱圖5、圖6所示,該基板210的該下表面212設有在同一線路層的一第一跳 接接指221、一第二跳接接指222及一跳接痕跡線223。該第一跳接接指221位于該第一板 部210A并鄰近該中央槽孔213,該第二跳接接指222位于該第二板部210B并鄰近該中央 槽孔213。較佳地,該第一跳接接指221與該第二跳接接指222可為對向排列于該中央槽 孔213的兩側(cè),以達二者距離的最小化,可縮短打線距離并避免打線交叉。該跳接痕跡線 223連接該第二跳接接指222并完全形成于該第二板部210B內(nèi)而不延伸超過該虛擬中心線214,故不同于現(xiàn)有習知的內(nèi)層長繞跡線需由基板的第一板部延伸跨越至另一第二板部, 而節(jié)省了線距與減少線路阻抗。詳細而言,如圖6與圖8所示,該基板210的該下表面212 設有一跳接外接墊224,其位于該第二板部210B并與該跳接痕跡線223相連接?;蛘?,該跳 接痕跡線223的另一端可連接該跳接外接墊224或是經(jīng)由一導通孔連接至接地/電源層。 該跳接痕跡線223可為銅線路,但并不以此為限,可依封裝需求使用一些導電性良好的金 屬層,例如金或銀等。在該基板210制作中,該跳接痕跡線223與該下表面212的該些線路 可在同一制程中由一銅箔經(jīng)曝光(exposing)、顯影(developing)、蝕刻(etching)等制程 而圖案化(patterning)以形成。詳細而言,該跳接痕跡線223形成在該第二板部210B的 該下表面212并避開線路不與的重迭,可增加線路密集度。較佳地,該跳接痕跡線223可取 由該第二跳接接指222到該跳接外接墊224的最短路徑,以達最小的線距。再如圖5所示,該晶片230設置于該基板210的該上表面211,并具有多個設于主 動面的焊墊231,該些焊墊231對準于該中央槽孔213內(nèi)。該晶片230可利用一黏晶層,例 如膠帶、B階黏膠(B-stage adhesive)或是晶片貼附物質(zhì)(Die Attach Material,DAM),以 黏接該晶片230的該主動面至該基板210的該上表面211。該晶片230可為微處理晶片、圖 形顯示晶片或各種記憶體晶片。在本實施例中,該些焊墊231分布排列于該晶片230的主 動面的中央,即中央焊墊(central pad)。請參閱圖6、圖8所示,該金屬跳線240跨過該中央槽孔213以連接該第一跳接接 指221與該第二跳接接指222,使得具有相同訊號定義的該第一跳接接指221與該跳接外接 墊224能透過該金屬跳線240與該跳接痕跡線223而達成電性連接,不需要現(xiàn)有習知兩端 連接有導通孔的內(nèi)層長繞跡線,而具有較短的線距與減少線路阻抗。并且增加了電路布局 的彈性,減少該些導電孔217所占用的空間,進而增加該基板210的布線密度并降低成本。請參閱圖6、圖9所示,該些第一金屬線250經(jīng)過該中央槽孔213以連接該晶片230 的該些焊墊231至該基板210的多個接指215。該些第一金屬線250可為打線形成的焊線 (bonding wires),一般為金(Au)線、或是采用類似的高導電性的金屬材料(例如鋁或銅)。請再參閱圖5、圖6所示,該窗口型半導體封裝構造200可另包含一第二金屬線 270,其經(jīng)過該中央槽孔213以連接該晶片230的該些焊墊231的其中的一至該基板210的 該第一跳接接指221或該第二跳接接指222。該第二金屬線270與該金屬跳線240可為打 線形成的一體連接??衫靡缓缸?圖未繪出)先將該第二金屬線270的球接合端由該些 焊墊231的其中的一接合的后再接合至該第一跳接接指221,的后將線折返跨越該中央槽 孔213而接合至對面的該第二跳接接指222。即訊號可以由該第二金屬線270經(jīng)由該些焊 墊231傳遞至該第一跳接接指221或該第二跳接接指222,再經(jīng)由該跳接痕跡線223傳遞 至該跳接外接墊224而將訊號傳遞至外部電路。具體而言,該金屬跳線270、該第二金屬線 270可與該些第一金屬線250具有相同的材質(zhì),并可在打線連接步驟中同步完成,不需繁復 的封裝制程。請參閱圖5、圖9所示,該模封膠體260至少形成于該中央槽孔213內(nèi),以密封該 些第一金屬線250與該金屬跳線240。該模封膠體260可更形成于該基板210的該上表面 211,以密封該晶片230。詳細而言,該模封膠體260可利用轉(zhuǎn)移成型(transfer molding) 或稱壓模的技術加以形成,提供適當?shù)姆庋b保護以防止電性短路與塵埃污染。請參閱圖6所示,詳細而言,該基板210的該下表面212可更設有多個球墊216,例如圓形的接球墊,該些球墊216可呈多排排列或是格狀陣列型態(tài)。此外,如圖6與圖8所 示,該窗口型半導體封裝構造200可另包含有多個外接端子280,設置于該些球墊216與該 跳接外接墊224。該些外接端子280可包含多個焊球、錫膏、接觸墊或接觸針,以作為整體封 裝構造對外的電性導接。在本實施例中,該些外接端子280為焊球,該窗口型半導體封裝構 造200為球格陣列封裝。因此,本發(fā)明所提供一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及基板,利 用金屬跳線跨過中央槽孔以連接兩對邊的接指,使得具有相同訊號定義的接指與外接墊能 達成電性連接,無須使用現(xiàn)有習知位于基板上表面或內(nèi)層的內(nèi)層長繞跡線與其兩端連接的 導通孔,而具有較短的線距與減少線路阻抗。并且增加了電路布局的彈性,可減少導電孔所 占用的空間,進而增加基板的布線密度并降低成本。以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術人 員,在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi),當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾 為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì) 對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
      權利要求
      一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其包括一基板,具有一上表面、一下表面以及一中央槽孔,藉由該中央槽孔區(qū)分該基板為一第一板部與一第二板部,該基板的該下表面設有在同一線路層的一第一跳接接指、一第二跳接接指及一跳接痕跡線,該第一跳接接指位于該第一板部并鄰近該中央槽孔,該第二跳接接指位于該第二板部并鄰近該中央槽孔,該跳接痕跡線連接該第二跳接接指并完全形成于該第二板部內(nèi);一晶片,設置于該基板的該上表面,并具有多個焊墊,其對準于該中央槽孔內(nèi);一金屬跳線,跨過該中央槽孔以連接該第一跳接接指與該第二跳接接指;多個第一金屬線,經(jīng)過該中央槽孔以連接該晶片的該些焊墊至該基板的多個接指;以及一模封膠體,至少形成于該中央槽孔內(nèi),以密封該些第一金屬線與該金屬跳線。
      2.根據(jù)權利要求1所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于 其中所述的基板的該下表面設有一跳接外接墊,其位于該第二板部并與該跳接痕跡線相連 接。
      3.根據(jù)權利要求1所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其 中所述的第一跳接接指與該第二跳接接指為對向排列于該中央槽孔的兩側(cè)。
      4.根據(jù)權利要求1所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其 中所述的基板的該下表面更設有多個球墊。
      5.根據(jù)權利要求4所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其 另包含有多個外接端子,設置于該些球墊。
      6.根據(jù)權利要求1所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其 中所述的該模封膠體更形成于該基板的該上表面,以密封該晶片。
      7.根據(jù)權利要求1所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其 另包含一第二金屬線,其經(jīng)過該中央槽孔以連接該晶片的該些焊墊的其中的一至該基板的 該第一跳接接指或該第二跳接接指。
      8.根據(jù)權利要求7所述的具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造,其特征在于其 中所述的第二金屬線與該金屬跳線為打線形成的一體連接。
      9.一種具有跳線連接結構的基板,其特征在于其具有一上表面、一下表面以及一中央 槽孔,藉由該中央槽孔以區(qū)分該基板為一第一板部與一第二板部,該基板的該下表面設有 在同一線路層的一第一跳接接指、一第二跳接接指及一跳接痕跡線,該第一跳接接指位于 該第一板部并鄰近該中央槽孔,該第二跳接接指位于該第二板部并鄰近該中央槽孔,該跳 接痕跡線連接該第二跳接接指并完全形成于該第二板部內(nèi)。
      10.根據(jù)權利要求9所述的具有跳線連接結構的基板,其特征在于其中所述的基板的 該下表面設有一跳接外接墊,其位于該第二板部并與該跳接痕跡線相連接。
      11.根據(jù)權利要求9所述的具有跳線連接結構的基板,其特征在于其中所述的第一跳 接接指與該第二跳接接指為對向排列于該中央槽孔的兩側(cè)。
      全文摘要
      本發(fā)明是有關于一種具有跳線連接結構的窗口型半導體封裝構造及其基板,藉由基板的中央槽孔以區(qū)分基板為一第一板部與一第二板部,跳線連接結構包含設在基板的下表面且為同一線路層的一第一跳接接指、一第二跳接接指及一連接第二跳接接指的跳接痕跡線。第一跳接接指與第二跳接接指分別位于第一與第二板部并對向排列于中央槽孔的兩側(cè),跳接痕跡線位于第二板部。金屬跳線跨過中央槽孔以連接第一跳接接指與第二跳接接指,藉以縮短跳線線路的長度并且無須以導通孔連接,以減少線路阻抗與密度。
      文檔編號H01L23/49GK101872755SQ20091013722
      公開日2010年10月27日 申請日期2009年4月24日 優(yōu)先權日2009年4月24日
      發(fā)明者李國源, 邱文俊, 陳永祥 申請人:華東科技股份有限公司
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