專利名稱：共平面波導(dǎo)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的裝置，且特別涉及一種包含耦合共平面波導(dǎo) (coupled coplanar waveguide ；coupled CPW)結(jié)構(gòu)的裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷了快速的成長。IC材料和設(shè)計的技術(shù)進(jìn)步使得 IC的生產(chǎn)世代不停地推新，每個世代都較前個世代有更小及更復(fù)雜的電路。在IC革新的過 程中，功能密度(也即每個芯片區(qū)域上互連裝置的數(shù)量)已普遍地增加，然而幾何尺寸(也 即在工藝中所能創(chuàng)造的最小元件或線)也越來越小。這些尺寸的縮小也凸顯出管理IC中 射頻信號的傳輸?shù)闹匾?。通?？衫霉财矫娌▽?dǎo)(CPW)結(jié)構(gòu)來做這些傳輸，然而，當(dāng)傳 輸頻率增高時，傳統(tǒng)共平面波導(dǎo)(CPW)結(jié)構(gòu)的效能會衰退。特別地，當(dāng)電磁波波長增加時， 傳統(tǒng)共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的效能會低于所需。例如，在二氧化硅介電材料中50GHZ的電磁波波 長為3000μπι，其應(yīng)用于于四分之一波長長傳輸線的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(impedance matching networks)時會造成面積的消耗(area-consuming)。并且，傳統(tǒng)CPW結(jié)構(gòu)在信號線與其底 下基材之間沒有提供保護(hù)，且在硅基材上的低損耗CPW結(jié)構(gòu)使用厚介電層來做設(shè)計及最佳 化，因而與先進(jìn)的CMOS工藝沖突。因此，業(yè)界需要的是一種能解決上述問題的裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供一種共平面波導(dǎo)裝置，包含 一條或多條地線鄰近于一條或多條信號線，上述信號線及上述地線大致互相平行且實 質(zhì)上沿一第一方向延伸；以及一周期結(jié)構(gòu)，包含上述至少一信號線中含有多個交替區(qū)段 (alternating segments)；其中上述至少一交替區(qū)段延伸以一第二方向延伸，且該第二方 向橫斷第一方向。本發(fā)明也提供一種裝置，包含一基材；一位于該基材上的絕緣體；一位于該絕緣 體上的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其實質(zhì)上為沿著一第一方向延伸；以及一個或多個位于該共平面 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上方和/或下方的槽型(slot-type)浮動條，其沿第二方向延伸，第二方向橫斷第 一方向，其中上述槽型浮動條為沿著該第一方向周期性地設(shè)置。本發(fā)明可用于許多產(chǎn)品，包含(但不僅限于)像是集成電路、單晶微波集成電路、 射頻傳播器及接收器、射頻通信設(shè)備、天線、電路板、放大器、調(diào)頻器及解調(diào)器的物品。在此 揭示的裝置及結(jié)構(gòu)可使某些物品能夠被做的更小、更輕、更有效率、更強(qiáng)大、更靈敏、更少的 噪聲、更有選擇性、更快或更便宜。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施 例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖IA 圖IC各自為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實施例的立體圖、俯瞰圖及等效電路。
圖2為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的實施例的立體圖。圖3A-圖3D及圖4A-圖4C為依照各種實施例所示出的共平面波導(dǎo)的俯瞰圖。圖5A-圖5D為依照各種實施例所示出的含共平面波導(dǎo)的裝置的橫向剖面圖。圖6A-圖6C、圖7A-圖7D、圖8A-圖8F、圖9A-圖9D及圖IOA-圖IOF為依照各種 實施例所示出的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的立體圖。圖11-圖24為依照各種實施例所示出的含共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的裝置的立體圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下1、10、30、40、50、60、70、80、90、200、300、400、500、600、706、806、906、1006、1106、 1206、1306、1406、1506、1606、1706、1806、1906、2006 共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)2、12a、12b、32、42、52、62、72、82、92、202、302、402、502、602、707a、807a、907a、 1007a、1107a、1207a、1307a、1407a、1507a、1607a、1707a、1807a、1907a,2007a 信號線4、4a、4b、14、14a、14b、35、45、55a、55b、65、75、85、95、204、304、404、504、604、 707b、807b、907b、1007b、1107b、1207b、1307b、1407b、1507b、1607b、1707b、1807b、1907b、 2007b 地線5、16、33、43、53、63、73、83、93、203a 信號線的第一區(qū)段6、18、34、44、54、64、74、84、94、203b 信號線的第二區(qū)段56、76、86、96 地線的第一部分57、77、87、97 地線的第二部分66 地線的區(qū)段100、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、 2000 含共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的裝置102、702、802、902、1002、1102、1202、1302、1402、1502、1602、1702、1802、1902、 2002 下部基材104、704、804、904、1004、1104、1204、1304、1404、1504、1604、1704、1804、1904、 2004 上部基材106 低介電常數(shù)介電層108 共平面波導(dǎo)部分206、406、506、606 島狀區(qū)308、408、608 浮動條708、808、908、1008、1108、1208、1308、1408、1508、1608、1708、1808、1908、2008
屏障結(jié)構(gòu)709、809a、809b、909、1009、1209、1309、1409、1509、1609、1709、1809、1909、2009
槽型浮動條808a、1408a、1708a 屏障結(jié)構(gòu)的第一部分808b、1408b、1708b 屏障結(jié)構(gòu)的第二部分1109 槽型浮動屏障1210、1310、1410、1510、1610、1710 槽型接地條1512、1612、1712 延伸1810、1910、2010 槽型接地條延伸
具體實施例方式本發(fā)明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發(fā)明中不同的特征。各特定實 施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發(fā)明。這些為實施例并非用于限定本發(fā) 明。例如，一第一元件形成于一第二元件“上方”、“之上”、“之下”或“上”可包含實施例中 的該第一元件與第二元件直接接觸或該第一元件與第二元件之間更有其他額外元件使該 第一元件與第二元件無直接接觸。此外，在本說明書的各種例子中可能會出現(xiàn)重復(fù)的元件 符號以便簡化描述，但這不代表在各個實施例和/或圖示之間有何特定的關(guān)連。圖1示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1的一實施例的立體圖。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1包含一條 或多條導(dǎo)線2、4a、4b。在本實施例中，導(dǎo)線2為信號線(signal line)且其位于一條或多條 導(dǎo)線4a、4b之間。此一條或多條導(dǎo)線4a、4b為相對的靜態(tài)線(static lines)(集合起來通 稱為相對靜態(tài)線4)。信號線2可連接至波源(wave source)。此波源可為任何合適的頻率。 例如，此波源可包含射頻信號源和/或消耗機(jī)(signal source and/or consumer)，例如發(fā) 射器、接收器或天線。在某些實施例中，信號線2沿著其線長攜帶射頻信號。在某些實施例 中，可設(shè)計信號線2為在微波和/或毫米的范圍下攜帶射頻信號(例如，頻率約在300MHz 及300GHz之間)。在本實施例中，相對靜態(tài)線4可電性 接地，因此也可將相對靜態(tài)線4稱為 地線(ground lines)。在某些實施例中，一條或多條的相對靜態(tài)線4可連接至AC或DC電 壓源，包含參考電壓源。信號線2是由任何可傳送射頻信號的材料組成。地線4是由任何可作屏障的材料 組成。例如，信號線2和/或地線4可包含金屬，例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅 化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭(TaC)、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭(TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、氮鋁 化鈦(TiAlN)、金屬合金、其他合適材料或前述的組合?？芍氖切盘柧€2可包含使用與地 線4相同或不同的材料，及地線4a可包含使用與地線4b相同或不同的材料。在某些實施 例中，于信號線2與地線4之間的區(qū)域可包含介電質(zhì)或其他合適材料。信號線2及地線4彼此為大致平行地沿向一縱向方向排列。信號線2及地線4為 縱向地延伸大致相同的長度L，且信號線2/地線4具有大致相同的高度H。在某些實施例 中，信號線2/地線4可縱向地延伸不同的距離L，及信號線2/地線4可具有不同的高度H。 例如，在某些實施例中，信號線2可延伸第一距離及地線4可延伸第二距離。在某些實施例 中，地線4a可延伸第一距離及地線4b可延伸第二距離。前述的例子也可同樣應(yīng)用于信號線 2及地線4的高度H。每條地線的寬度為Wg，其可與地線4具有相同或不同的寬度。例如， 地線4a、4b可具有相同的寬度(也即地線4a寬度等于地線4b的寬度)。地線4的寬度可 大于其自己的高度(也即Wg > H)，或高度可大于其自己的寬度(也即Wg < H)，或相等(Wg =H)或前述的組合。如圖1所示，信號線2的尺寸為沿著縱軸(在本實施例中為ζ軸)變化。信號線 2的尺寸變化形成了在信號線2中的周期性結(jié)構(gòu)。更詳細(xì)的說，信號線2中包含交替區(qū)段， 第一區(qū)段5及第二區(qū)段6，其形成了周期性結(jié)構(gòu)。第一區(qū)段5包含寬度W及長度Ds。第二 區(qū)段6為向外延伸，水平地從信號線2的兩側(cè)朝向地線4，使第二區(qū)段6較第一區(qū)段5寬。 向外延伸的第二區(qū)段6，可形成矩形、橢圓形、半圓形、三角形、其他合適形狀和/或前述的 組合。在本實施例中，第二區(qū)段6形成長度為1\及寬度為0 的矩形?？芍氖?，第二區(qū)段6可具有不同的尺寸。更可知于某些實施例中，第二區(qū)段6可延伸向內(nèi)，從信號線2的兩側(cè) 朝向信號線2的中心。在某些實施例中，第二區(qū)段6可僅從信號線2的一側(cè)延伸。在信號線2中的周期性結(jié)構(gòu)為由交替的第一區(qū)段5及第二區(qū)段6以Ds+隊為單位 周期作重復(fù)所形成。在其他實施例中，信號線2可具有非周期性結(jié)構(gòu)，或具有更多或更少的 區(qū)段。可選擇共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1的尺寸以提供所需的信號特性(signal characteristic)， 例如，如以下所討論的所需的相速(phase velocity)。在某些實施例中，尺寸W、DS、隊及Dw 皆約為在0. 1 μ m至8 μ m之間。接下來將討論圖1中共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1的電性及射頻特性，并參考圖IB及圖IC進(jìn) 行說明。依據(jù)分布電路理論(distributed circuit theory)，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1可被一系 列的等效電路模型化。對于每個不同的單位長度dz，可視為由等效電路構(gòu)成共平面波導(dǎo)結(jié) 構(gòu)1，例如圖IC中顯示的等效電路。等效電路具有電感單位長度L及電容單位長度C。等 效電路中也具有電阻單位長度R及電導(dǎo)單位長度G。因此，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1可使用以電路 學(xué)概念為基礎(chǔ)的線路參數(shù)(line parameters)來描述。L、R、C及G的數(shù)值可由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1的物理特性來決定，包含其物理尺寸及 材料組成。沿著信號線傳播的波的相速Vp可表示為Ι* =志其中c表示為光速，ε r為相對介電常數(shù)(relative permittivity)，μ r為相對磁 導(dǎo)率(relative permability)。因此，要設(shè)計具有所需相速的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，共平面波導(dǎo) 需選用適當(dāng)?shù)牟牧弦蕴峁┧璧南鄬殡姵?shù)及磁導(dǎo)率?；蛘撸烧{(diào)整共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的 尺寸以提供在此使用的結(jié)構(gòu)所需的電感及電容。在本實施例中，此周期性結(jié)構(gòu)，包含交替區(qū)段5、6，提供各自交替地高及低的阻抗 (impedance)區(qū)段，如圖IC中所顯示的等效電路。如果交替地高及低阻抗區(qū)段短于波長，且 此交替區(qū)段彼此串連在一起，電感將由高阻抗區(qū)段來控制，且電容是由低阻抗區(qū)段控制。例 如，如果波長在頻率約為50GHz時為近似于3000 μ m,且此周期性結(jié)構(gòu)包含約數(shù)個微米的周 期(也即周期相對于波長較短)，在本實施例提供了相對于傳統(tǒng)共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)具有較高 的介電常數(shù)\及較低的相速VP。在信號線2中的周期性結(jié)構(gòu)基本上提供具有提高介電常 數(shù)及調(diào)整波長的能力。如此一來，可在不同的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中變換介電常數(shù)ε ρ例如在 此所表示的各種實施例。這些介電常數(shù)較高的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可并入至微波及毫米波集成 電路，例如電路阻抗搭配四分之一波長長傳輸線的電路、GPS衛(wèi)星系統(tǒng)、大于2GHz的PDA手 機(jī)及UWB無線通信。接下來的討論提供各種提供較高介電常數(shù)ε r及可調(diào)整波長的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。 圖2示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)10的一實施例的立體圖。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)10包含一個或多個 導(dǎo)線12a、12b、14a、14b。在本實施例中，一條或多條導(dǎo)線12a、12b為信號線(集合起來通稱 為信號線12)。信號線12位于一條或多條導(dǎo)線14a、14b之間。此一條或多條導(dǎo)線14a、14b 為相對靜態(tài)線(集合起來通稱為相對靜態(tài)線14)。信號線12可連接至波源。波源可為任何合適的頻率。例如，波源可包含射頻信號 源和/或消耗機(jī)(signal source and/or consumer)，例如發(fā)射器、接收器或天線。在某些實施例中，信號線12沿著其線長攜帶射頻信號。在某些實施例中，可設(shè)計信號線12為在微 波和/或毫米的范圍下攜帶射頻信號(例如，頻率約在300MHz及300GHz之間)。在本實施 例中，相對靜態(tài)線14可電性接地，及因此也可將相對靜態(tài)線14稱為地線(ground lines)。 在某些實施例中，一條或多條的相對靜態(tài)線14可連接至AC或DC電壓源，包含參考電壓源。
信號線12是由任何可傳送射頻信號的材料組成。地線14是由任何可作屏障的材 料組成。例如，信號線12和/或地線14可包含金屬，例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、 硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭(TaC)、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭(TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、氮 鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金、其他合適材料或前述的組合。可知的是信號線12可包含使用與 地線14相同或不同的材料，及地線14a可包含使用與地線14b相同或不同的材料。于信號 線12與地線14之間的區(qū)域可為絕緣區(qū)、低介電常數(shù)介電區(qū)、高介電常數(shù)介電區(qū)、其他合適 區(qū)域和/或前述的組合。在某些實施例中，信號線12與地線14之間的區(qū)域可包含介電質(zhì) 或其他合適材料。在某些實施例中，信號線12與地線14之間的區(qū)域可包含不同的材料和 /或組成。信號線12及地線14約為彼此平行地沿向縱向方向。信號線12及地線14為沿著 縱向延伸大致相同的長度L，及信號線12/地線14具有大致相同的高度H。在某些實施例 中，信號線12/地線14可縱向地延伸不同的距離L，及信號線12/地線14可具有不同的高 度H。例如，在某些實施例中，信號線12a可延伸第一距離及信號線12b可延伸第二距離。 前述的例子可同樣應(yīng)用于信號線12及地線14的高度H。此外，每條信號線12a、12b與地線 14a、14b的距離為S。距離S可為任何適當(dāng)距離。每條地線的寬度為Wg，其可與地線14具 有相同或不同的寬度。例如，地線14a、14b可具有相同的寬度(也即地線14a的寬度Wg = 14b的寬度Wg)。地線的寬度可大于高度(也即Wg > H)或高度大于寬度(也即Wg < H)或 前述的組合。信號線12的尺寸為沿著縱軸作變化(在此表示為ζ軸)。信號線12的尺寸變化 形成了在信號線12中的周期性結(jié)構(gòu)。特別的是，信號線12包含交替的區(qū)段，第一區(qū)段16 及第二區(qū)段18，其形成了周期性結(jié)構(gòu)。第一區(qū)段16包含寬度W及長度Ds，其寬度W可與信 號線12相同或不同。例如，信號線12a、12b的第一區(qū)段16可具有相同的寬度(也即信號 線12a的寬度W =信號線12b的寬度W)。第二區(qū)段18向外延伸，水平地由信號線12的兩 側(cè)朝向地線14，使第二區(qū)段18寬于第一區(qū)段16。向外延伸的第二區(qū)段18，可形成矩形、橢 圓形、半圓形、三角形、其他合適形狀和/或前述的組合。在本實施例中，第二區(qū)段18形成 長度為隊及寬度為0 的矩形。可知的是第二區(qū)段18可具有不同的尺寸。更可知的是，在 某些實施例中，第二區(qū)段18可向內(nèi)延伸，水平地由信號線12的兩側(cè)延伸向信號線12的中 心。在某些實施例中，第一區(qū)段16可較第二區(qū)段18寬。在信號線12中的周期性結(jié)構(gòu)，由第一區(qū)段16及第二區(qū)段18重復(fù)交替的Ds+隊周 期形成。在其他實施例中，信號線12可具有非周期性結(jié)構(gòu)，或其中可具有更多或更少的區(qū) 段。如上所述，信號線12中的周期性結(jié)構(gòu)提供了較高的介電常數(shù)及造成可調(diào)整波長的結(jié) 果。因此，可選擇共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)10的尺寸來提供所需的信號特性，例如，如上所描述的所 需的相速。在某些實施例中，尺寸W、Ds、隊及Dw皆約為在0. Iym至8μπι之間。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)10的信號線12及地線14可包含任何合適的組成，其中該組成為 提供周期性結(jié)構(gòu)。例如，圖3Α-圖3D及圖4Α-圖4C示出為包含周期性結(jié)構(gòu)的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的各種實施例。例如，圖3A示出包含與前述信號線12相類似的信號線32的共平面波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)30。信號線32包含交替的區(qū)段，第一區(qū)段33及第二區(qū)段34。第二區(qū)段34較第一 區(qū)段33寬且以半圓形向外延伸朝向地線35。如上所述，在信號線中也可由其他形狀的第一 區(qū)段及第二區(qū)段形成周期性結(jié)構(gòu)。例如，圖3B示出為另一實施例，共平面波導(dǎo)40包含信號 線42，其含有第一區(qū)段43及第二區(qū)段44。第二區(qū)段44向外延伸朝向地線45，且其通常為 三角形的延伸。在某些實施例中，地線可包含周期性結(jié)構(gòu)或其他不規(guī)則形狀的結(jié)構(gòu)。例如，圖3C示出為包含與前述信號線12相類似的信號線52的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)50。信號線52包含交 替性的區(qū)段，第一區(qū)段53及第二區(qū)段54，向外延伸朝向地線55a、55b以形成矩形的延伸。 第二區(qū)段54寬于第一區(qū)段53。地線55a、55b的寬度為大致相同。地線55a、55b包含第一 部分56，其在信號線52及地線55a、55b之間的距離相對較小，及包含第二部分，其在信號 線52及地線55a、55b之間的距離相對較大。雖然在信號線52與地線55a、55b之間的具有 會有所不同，信號線52與地線55a、55b皆為沿向同一方向并大致上呈平行。圖3C示出為 地線55a、55b的第一部分會在共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)50的縱長上呈相對一致的位置。地線55a、 55b的第二部分顯示為具有相對一致的位置。也就是，地線55a約為地線55b對將信號線沿 縱向分成兩半的平面作反射所得的鏡像。然而，在其他實施例中，地線55a的第一部分可與 地線55b的第二部分的位置相對一致。也就是，地線55a為地線55b的縱向偏移鏡像。在 其他實施例中，地線55a的形式可與地線55b的形式無關(guān)。此外，雖然圖3C所示出的地線 55a、55b具有曲線的側(cè)面，地線55a、55b也可為方形、有角的側(cè)面，或其他合適形狀或各種 形狀的組合。在另一實施例中，圖3D示出為包含與前述的信號線12相類似的信號線62的共平 面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)60。信號線62包含交替地區(qū)段，第一區(qū)段63及第二區(qū)段64，其以半圓形向外 延伸朝向地線65。第二區(qū)段64較第一區(qū)段63寬。地線65包含一個或多個具有大致相似 的剖面形狀的區(qū)段66。在本實施例中，一個或多個區(qū)段66為經(jīng)由在相同或不同層的內(nèi)連 線來連接彼此，其中該內(nèi)連線可為金屬內(nèi)連線。此一個或多個區(qū)段可包含任何合適的材料。 例如，在某些實施例中，區(qū)段66可包含兩種或多種不同的材料，像是一個或多個區(qū)段66包 含導(dǎo)電材料及一個或多個區(qū)段66包含非導(dǎo)電材料。在某些實施例中，此區(qū)段可由與信號線 62相同的材料組成?？芍氖?，在此描述的各種共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可結(jié)合為單一的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。例 如，圖4A-圖4C顯示為包含一條或多條信號線72、82、92及一條或多條具有與前述的信號 和地線相類似的周期性結(jié)構(gòu)的地線75、85、95的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)70、80、90。參見圖4A，信號 線72包含交替的區(qū)段，第一區(qū)段73及第二區(qū)段74。第二區(qū)段74寬于第一區(qū)段73并以半 圓形向外延伸朝向地線75。地線75同樣也具有交替的區(qū)段，第一區(qū)段76及第二區(qū)段77。 第二區(qū)段77寬于第一區(qū)段76并以半圓形向外延伸。參見圖4B，信號線82及地線85包含 交替的區(qū)段，第一區(qū)段83、86及第二區(qū)段84、87。第二區(qū)段84、87較第一區(qū)段83、86寬并以 三角形向外延伸。參見圖4C，信號線92及地線95包含交替的區(qū)段，第一區(qū)段93、96及第二 區(qū)段94、97。第二區(qū)段94、97較第一區(qū)段93、96寬。信號線92的第二區(qū)段94以半圓形向 外延伸，及地線95的第二區(qū)段97以三角形向外延伸。參見圖5A-圖5D，其為依照一實施例示出的含共平面波導(dǎo)的裝置100的橫向剖面圖。裝置100包含下部基材102及含有一個或多個低介電常數(shù)介電層106及共平面波導(dǎo)部 分108的上部基材104。下部基材102可包含任何合適的材料及可為任何合適的厚度。在本實施例中， 下部基材102包含半導(dǎo)體基材，例如硅基材。下部基材102可包含含有結(jié)晶、多晶或無結(jié) 晶相結(jié)構(gòu)的硅或鍺的元素半導(dǎo)體、含有碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦及銻化銦的 化合物半導(dǎo)體、含有 SiGe、GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP 及 GaInAsP 的合金半導(dǎo) 體、任何其他合適的材料和/或前述的組合。在一實施例中，合金半導(dǎo)體基材可具有梯度 組成的鍺化硅(SiGe)，在其中硅與鍺的成分從某一處的比例至另一處的比例會隨之改變。 在另一實施例中，合金鍺化硅可形成在硅基材上。在另一實施例中，硅化鍺基材可作應(yīng)變 (strained)。此外，基材可為絕緣體上覆半導(dǎo)體(SOI)或薄膜晶體管(TFT)。在某些實施例 中，半導(dǎo)體基材可包含摻雜外延層或埋入層。在其他實施例中，化合物半導(dǎo)體基材可包含多 層結(jié)構(gòu)，或硅基材可包含多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在某些實施例中，下部基材102可包含玻下部基材102可包含多個含相同或不同的材料的膜層。下部基材102更可包含依 公知技術(shù)設(shè)計需求的各種摻雜結(jié)構(gòu)(也即P型基材區(qū)域或N型基材區(qū)域)。在某些實施例 中，下部基材102可包含摻雜區(qū)域。可知的是，下部基材102可包含已制造的完成或部分完 成的裝置、結(jié)構(gòu)、或元件，包含(但不僅限于)柵極結(jié)構(gòu)、源/漏極區(qū)、輕摻雜區(qū)域、淺溝槽隔 離、晶體管、二極管、通孔、溝槽、接觸點(diǎn)/通孔及多層內(nèi)連線元件(例如金屬層及層間介電 層)、其他元件和/或前述的組合。上部基材104可包含任何合適的材料及可為任何合適厚度。上部基材104可包含 一個或多個絕緣層。在本實施例中，上部基材104包含介電材料，例如TEOS氧化物、氧化 硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋁、氧化鉿-鋁(HfO2-Al2O3)合金、PSG、BPSG、 其他合適材料和/或前述的組合。在某些實施例中，上部基材104可包含高介電常數(shù)介電 材料，其可包含金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、 過渡金屬硅化物、金屬氮氧化物、金屬鋁酸鹽(metal aluminates)、鋯硅酸鹽(zirconium silicate)、鋯鋁酸鹽(zirconium aluminates)、HfO2, HfSiO、HfSiON、HfTaO, HfTaTiO, HfTi0、HfZr0、HfA10N或其他合適高介電常數(shù)材料和/或前述的組合。在某些實施例中，上 部基材104可包含低介電常數(shù)材料，例如氟摻雜玻璃(FSG)、碳摻雜氧化硅(carbon doped silicon oxide) ΛBlack Diamond (Applied Materials of Santa Clara，California)、 凝膠(Xerogel)、溶膠(Aerogel)、非結(jié)晶氟化碳、聚對二甲苯(Parylene)、雙苯環(huán)丁烯 (bis-benzocyclobutenes ；BCB)、SiLK(Dow Chemical, Midland, Michigan)、聚亞酰胺、其他 合適的多孔性聚合材料和/或前述的組合?？芍氖牵喜炕?04可包含多層結(jié)構(gòu)，其中每層包含相同或不同的材料，例如 各種介電質(zhì)及金屬材料。更可知的是，可額外形成添加層于上部基材104上和/或于其下。 在本實施例中，上部基材104包含一個或多個低介電常數(shù)介電層106及共平面波導(dǎo)部分 108。此一個或多個低介電常數(shù)介電層106可包含任何合適的介電材料，例如上述的材料和 /或介電常數(shù)約小于3. 9的介電材料。此一個或多個低介電常數(shù)介電層可為任何合適的厚 度。此一個或多個低介電常數(shù)介電層106及共平面波導(dǎo)108可被包含于上部基材104中的 任何位置。例如，低介電常數(shù)介電層106可形成在共平面波導(dǎo)部分108之下，如圖5A所示出；低介電常數(shù)介電層106也可形成在共平面波導(dǎo)部分108之上，如圖5B所示出；一個或多 個低介電常數(shù)介電層106可形成在共平面波導(dǎo)部分108之上及之下，如圖5C所示出；或共 平面波導(dǎo)部分108可形成在低介電常數(shù)介電層108之中，如圖5D所示出。類似地，共平面 波導(dǎo)部分108可包含任何其他上述未提及的位置，及那些不限于圖5A-圖5D中的位置。共平面波導(dǎo)部分108可集合通稱為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。此共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可近似于前述的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。例如，共平面波導(dǎo)部分108可包含信號線及地線。在本實施例中， 部分的上部基材104位于共平面波導(dǎo)部分108之間，然而，可知的是，在另一實施例中，其他 合適的區(qū)域也可位于共平面波導(dǎo)部分之間，例如，絕緣區(qū)、低介電常數(shù)介電區(qū)、高介電常數(shù) 介電區(qū)、其他合適的介電區(qū)和/或前述的組合。此共平面波導(dǎo)部分108可包含金屬，例如 鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭 (TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、氮鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金和/或前述的組合。圖6A-圖6C示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)200的各種實施例的立體圖，其中共平面波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)200包含一個或多個島狀區(qū)(islands)。導(dǎo)入一個或多個島狀區(qū)進(jìn)入共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 200中可增加介電常數(shù)ε及造成可調(diào)整的波長。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)200包含一條或多條信號 線202、一條或多條地線204及一個或多個島狀區(qū)206。信號線202及地線204近似于如前 述討論的信號線及地線。特別地，信號線202包含周期性結(jié)構(gòu)。其包含第一區(qū)段203a及第 二區(qū)段203b，其中第二區(qū)段203a可形成矩形的延伸。然而，可知的是，信號線202可包含 任何合適的周期性結(jié)構(gòu)、及每條信號線202可包含相同的周期性結(jié)構(gòu)、不同的周期性結(jié)構(gòu)、 或非周期性結(jié)構(gòu)。參見圖6A，信號線202為配置于地線204之間，及一個或多個島狀區(qū)206 為配置在每條信號線202及每條地線204之間。此島狀區(qū)206大致對應(yīng)于信號線202中的 周期性結(jié)構(gòu)的第二區(qū)段203b。也就是，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)200中的島狀區(qū)206為沿著其縱長 具有周期性的間隔，信號線202中的第二區(qū)段203b沿著其縱長也具有周期性的間隔(如同 前述中更詳細(xì)的討論)，及島狀區(qū)206與信號線202島中的周期性結(jié)構(gòu)的第二區(qū)段203b具 有相同的周期間隔。在某些實施例中，島狀區(qū)206與信號線202中的周期性結(jié)構(gòu)中的第一 區(qū)段203a具有相同的周期間隔。在其他實施例中，島狀區(qū)206的間隔可不與信號線202中 的周期性結(jié)構(gòu)相對應(yīng)。圖6B近似于圖6A，且其額外包含一個或多個島狀區(qū)206配置于沿著 共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)200的縱長具有周期間隔的信號線202之間。圖6C近似于圖6A，且包含一 條或多條地線配置于信號線202之間。可知的是，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)200不僅限于圖6A-圖 6C，且其可包含任何信號線202、地線204及島狀區(qū)206的組合及組態(tài)。此一個或多個島狀區(qū)206可彼此電性連接和/或電性隔離、電性連接至一條或多 條信號線、一條或多條地線和/或參考電極或信號、完全地電性隔離和/或前述的組合。當(dāng) 一個或多個島狀區(qū)206為電性連接時，其為通過內(nèi)連線或通孔作電性連接。此外，信號線 202、地線204及島狀區(qū)206彼此之間可為任何合適的距離。例如，島狀區(qū)206可較地線204 靠近信號線202、較信號線202靠近地線204或與最靠近的信號線202及最靠近的地線204 之間有相等的距離。在某些實施例中，某些島狀區(qū)206可較其他某些島狀區(qū)206靠近信號 線202。也就是，在信號線202及島狀區(qū)206之間的距離會隨共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)200的縱長變 化。在本實施例中，島狀區(qū)206可稱為導(dǎo)電柱(conductive pillars)。島狀區(qū)206可包 含任何合適的形狀，例如矩形、圓形、橢圓形、三角形、其他合適形狀和/或前述的組合。在某些實施例中，島狀區(qū)206包含四邊形平截頭體(quadrilateral)、矩形角住(rectangular prisms)、橢圓圓柱(elliptic cylinders)、圓柱(circular cylinders)或前述的組合。此 夕卜，島狀區(qū)206可在形式及尺寸上大致相同或可在形式和/或尺寸上作各種變化。島狀區(qū) 206可具有相同或不同的成分。島狀區(qū)206可包含任何材料，例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、 氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭(TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、 氮鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金和/或前述的組合。在其他實施例中，某些或全部的島狀區(qū)206 可包含介電材料?？芍氖牵粋€或多個中的每個島狀區(qū)206可包含相同或不同的材料。此 夕卜，島狀區(qū)206可由與信號線202和/或地線204相同或不同的材料組成。在某些實施例 中，全部島狀區(qū)206皆由與信號線202相同的材料組成。圖7A-圖7D示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300的各種實施例的立體圖，其中共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300包含一個或多個浮動條(floating strips)于具有周期性結(jié)構(gòu)的信號線/地線之 上和/或之下。結(jié)合一條或多條浮動條及一條或多條信號線可增加介電常數(shù)ε及造成可 調(diào)整的波長。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300包含含有一條或多條信號線302及一條或多條地線304 的第一層及含有一條或多條浮動條308的第二層。信號線302及地線304與圖2所述的信 號線12及地線14相類似。特別是一條或多條信號線302中的至少其一包含周期性結(jié)構(gòu)。 在某些實施例中，一條或多條地線304中的至少其一包含周期性結(jié)構(gòu)。第一層可與第二層 為通過介電層或其他合適材料來分離。此第二層包含一條或多條浮動條，其可位于含有信 號線302/地線304的第一層之下，如圖7Α、圖7Β所示；或可位于含有信號線302/地線304 的第一層之上，如圖7C、圖7D所示。在某些實施例中，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300可包含兩層個含 有一條或多條浮動條308的第二層，一層位于第一層之上及另一層位于第一層之下。在某 些實施例中，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300可包含一條或多條浮動條308位于第一層之上和/或之 下。在共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的各膜層及元件之間的區(qū)域可為絕緣區(qū)、低介電常數(shù)介電區(qū)、高介 電常數(shù)介電區(qū)、其他合適的介電區(qū)和/或前述的組合。在某些實施例中，在各膜層與元件之 間的區(qū)域可包含各種材料和/或組成。浮動條308可延伸橫跨共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300的全部或部分的寬度。此外，浮動 條308可沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)300的縱長有周期性的間隔。當(dāng)在這些周期性的間隔中，浮 動條308可以任何合適的周期配置。浮動條308可包含任何合適的材料。在本實施例中， 浮動條308包含導(dǎo)電材料，例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化 鉭、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭(TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、氮鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金和/ 或前述的組合。在某些實施例中，浮動條308可包含一層或多層。在某些實施例中，浮動 條 308 可近似于 Ham et al.于美國專利 NO. 7，242，272 (標(biāo)題Methods and Apparatus Based on Coplanar Striplines)和 / 或 Cheung et al.于美國專利 NO. 6，950，590 (標(biāo)題 Transmission Lines and Components with Wavelength Reduction and Shielding)所描 述的導(dǎo)電條帶，其在此皆作為參考資料。此外，一條或多條浮動條308可彼此電性連接和/ 或電性隔離、電性連接至一條或多條信號線302、一條或多條地線304和/或參考電極或信 號、完全電性隔離和/或前述的組合。當(dāng)一條或多條浮動條為電性連接時，其為通過內(nèi)連線 或通孔作電性連接。圖8A-圖8F示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)400的各種實施例的立體圖，其中共平面波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)400包含一條或多條位于含周期性結(jié)構(gòu)及島狀區(qū)的信號線/地線之上或之下的浮動條。結(jié)合一條或多條浮動條與含周期性結(jié)構(gòu)及島狀區(qū)的信號線可增加介電常數(shù)及造成可調(diào) 整的波長。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)400包含含一條或多條信號線402、一條或多條地線404、一個 或多個島狀區(qū)406的第一層及含一條或多條浮動條408的第二層。信號線402、地線404、 島狀區(qū)406及浮動條408皆與之前于各種實施例描述的信號線、地線、島狀區(qū)及浮動條相類 似。特別地，一條或多條信號線402中的至少其一包含周期性結(jié)構(gòu)。在某些實施例中，一條 或多條地線404中的至少其一包含周期性結(jié)構(gòu)。島狀區(qū)406及浮動條408可沿著共平面波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)的縱長具有周期性的間隔，且浮動條408的間隔周期可與島狀區(qū)406具有相同或不 同的間隔周期。第一層及第二層之間為通過介電層作隔離。含一條或多條浮動條的第二層 可位于含信號線402/地線404/島狀區(qū)406的第一層之下(如圖8A、圖8B、圖8C所示)或 之上(如圖8D、圖8E、圖8F所示)。在某些實施例中，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)400可包含兩層含一 條或多條含浮動條408的第二層，一層位于第一層之上，另一層位于第一層之下。在某些實 施例中，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)400可包含多個含一或多條浮動條408的第二層位于第一層之上 及之下。在共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的各膜層與元件之間的區(qū)域可為絕緣區(qū)、低介電常數(shù)介電區(qū)、 高介電常數(shù)介電區(qū)、其他合適的介電區(qū)和/或前述的組合。在某些實施例中，各膜層與元件 之間的區(qū)域可包含各種材料和/或組成。圖9A-圖9D示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)500的各種實施例的立體圖，其中共平面波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)500包含一條或多條信號線、一條或多條地線及一個或多個島狀區(qū)。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 500包含一條或多條信號線502、一條或多條地線504及一個或多個島狀區(qū)506。此一條或 多條信號線502、一條或多條地線504及一個或多個島狀區(qū)506與之前于各種實施例所述 的信號線、地線、島狀區(qū)及浮動條相類似。在圖9A-圖9D中，信號線502及地線504不包含 周期性結(jié)構(gòu)，僅導(dǎo)入島狀區(qū)506至共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中以增加介電常數(shù)ε及造成可調(diào)整的波 長。島狀區(qū)506可照周期間隔配置。參見圖9Α，信號線502為配置在地線504之間，及一個 或多個島狀區(qū)506為配置在每條信號線502與每條地線504之間。圖9Β與圖9Α相類似， 且其額外包含一個或多個島狀區(qū)506配置在信號線502之間。圖9C近似于圖9Α，且其額 外包含一條或多條地線506于信號線502之間。圖9D與圖9Α相類似，且其額外包含一個 或多個島狀區(qū)配置在每條信號線502及每條地線504的兩側(cè)?？芍氖牵财矫娌▽?dǎo)結(jié)構(gòu) 500不僅限于圖9Α-圖9D，且可包含任何信號線502、地線504及島狀區(qū)506的任何組合組 成。圖IOA-圖IOF示出為共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)600的各種實施例的立體圖，其中共平面波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)600包含一條或多條信號線、一條或多條地線及一個或多個島狀區(qū)。將一條或多條 浮動條與一個或多個信號線(甚至在不具有周期性結(jié)構(gòu)的情況下)及島狀區(qū)作結(jié)合可增加 介電常數(shù)及造成可調(diào)整的波長。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)600包含含有一條或多條信號線602、一 條或多條地線604及一個或多個島狀區(qū)606的第一層及含有一條或多條浮動條608的第二 層。信號線602、地線604、島狀區(qū)606及浮動條608與于前述各種實施例所述的信號線、地 線、島狀區(qū)及浮動條相類似。特別地，島狀區(qū)606及浮動條608可沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)600 的縱長具有周期性結(jié)構(gòu)，且浮動條606可與島狀區(qū)608具有相同或不同的周期。第一層與 第二層之間為通過介電層作隔離。含一或多條浮動條608的第二層可位于含信號線602/ 地線604/島狀區(qū)606第一層之下(如圖10Α、圖10Β、圖IOC所示)或之上(如圖10Ε、圖 10F、圖IOG所示)。在某些實施例中，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)600可包含兩層含一條或多條含浮動條608的第二層，一層位于第一層之上，另一層位于第一層之下。在某些實施例中，共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)600可包含多個含一條或多條浮動條608的第二層位于第一層之上和/或之下。在某些實施例中，如以下更詳盡的討論，其為通過在共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中加入屏障 結(jié)構(gòu)(shielding structures)(也即金屬條帶屏障)以達(dá)到了在傳輸線中減短波長的特 性。周期性屏障結(jié)構(gòu)可導(dǎo)致傳播速度降低。這些在導(dǎo)引介質(zhì)(guided medium)中減速的傳 波速度稱為緩波(slow-wave)。也可因此形成增加緩波的特征及減少電場連接至基材的裝 置。因此，在以下的實施例中，包含結(jié)合各種屏障結(jié)構(gòu)的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可通稱為緩波共平 面波導(dǎo)(CPW)傳輸線。此緩波共平面波導(dǎo)傳輸線可增加相對的介電常數(shù)及同時減少信號衰 減損失(attenuation loss)。此外，在某些實施例中，地線最終可被浮動屏障結(jié)構(gòu)取代，如以下所討論，特別是 在高頻裝置中。AC源會造成地電位(ground potential)的極性在于完整的射頻周期(RF cycle)中作正負(fù)之間轉(zhuǎn)換，導(dǎo)致能量會傳至導(dǎo)電的基材。由于在本實施例中的屏障結(jié)構(gòu)可 為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)體，且也可作隔離，因此在此屏障結(jié)構(gòu)上無凈電荷存在。因此，在屏障結(jié)構(gòu)之下 沒有電磁通量(electromagnetic flux)存在，且屏障結(jié)構(gòu)對正或負(fù)電位的波動具抵抗性， 其可僅讓最小能量能傳至基材。圖11為一橫向剖面圖，其示出包含下部基材702、上部基材704、含一條或多條導(dǎo) 線707a、707b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706及含一條或多條槽型浮動條(slot-type floating strips) 709的屏障結(jié)構(gòu)708的裝置700。下部基材702可包含任何合適的材料及可為任何合適厚度。在本實施例中，下 部基材702包含半導(dǎo)體基材，例如硅基材。下部基材702可包含含結(jié)晶、多晶或無結(jié)晶性 的硅或鍺的元素半導(dǎo)體、含碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦及銻化銦的化合物半導(dǎo) 體、含有 SiGe、GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP 及 GaInAsP 的合金半導(dǎo)體、任何其他 合適的材料和/或前述的組合。在一實施例中，合金半導(dǎo)體基材可具有梯度組成的鍺化硅 (SiGe)，在其中硅與鍺的成分從某一處的比例至另一處的比例會隨之改變。在另一實施例 中，合金鍺化硅可形成在硅基材上。在另一實施例中，硅化鍺基材可作應(yīng)變(strained)。此 夕卜，基材可為絕緣體上覆半島體(SOI)或薄膜晶體管(TFT)。在某些實施例中，半導(dǎo)體基材 可包含摻雜外延層或埋入層。在其他實施例中，化合物半導(dǎo)體基材可包含多層結(jié)構(gòu)，或硅基 材可包含多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在某些實施例中，下部基材702可包含玻璃。下部基材702可包含多個含相同或不同的材料的膜層。下部基材702更可包含依 公知技術(shù)設(shè)計需求的各種摻雜結(jié)構(gòu)(也即P型基材區(qū)域或N型基材區(qū)域)。在某些實施例 中，下部基材702可包含摻雜區(qū)域?？芍氖?，下部基材702可包含制造的全部完成或部分 完成的裝置、結(jié)構(gòu)、或元件，包含(但不僅限于)柵極結(jié)構(gòu)、源/漏極區(qū)、輕摻雜區(qū)域、淺溝槽 隔離、晶體管、二極管、通孔、溝槽、接觸點(diǎn)/通孔及多層內(nèi)連線元件(例如金屬層及層間介 電層)、其他元件和/或前述的組合。上部基材704為形成在下部基材702上。上部基材704可包含任何合適的材料及 可為任何合適厚度。在本實施例中，上部基材704包含介電材料，例如TEOS氧化物、氧化 硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦、氧化鋁、氧化鉿-鋁(HfO2-Al2O3)合金、PSG、BPSG、 其他合適材料和/或前述的組合。在某些實施例中，上部基材704可包含高介電常數(shù)材 料，其可包含金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硅化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬硅化物、金屬氮氧化物、金屬鋁酸鹽(metal aluminates)、鋯硅酸鹽(zirconium silicate)、鋯鋁酸鹽(zirconium aluminates)、HfO2, HfSiO、HfSiON、HfTaO, HfTaTiO, HfTi0、HfZr0、HfA10N或其他合適高介電常數(shù)材料和/或前述的組合。在某些實施例中，上 部基材704可包含低介電常數(shù)材料，例如氟摻雜玻璃(FSG)、碳摻雜氧化硅(carbon doped silicon oxide) >Black Diamond (Applied Materials of Santa Clara, California) > 凝膠(Xerogel)、溶膠(Aerogel)、非結(jié)晶氟化碳、聚對二甲苯(Parylene)、雙苯環(huán)丁烯 (bis-benzocyclobutenes ；BCB)、SiLK(Dow Chemical, Midland, Michigan)、聚亞酰胺、其他 合適的多孔性聚合材料和/或前述的組合。可知的是，上部基材704可包含多層結(jié)構(gòu)，其中 每層皆可包含相同或不同的材料，例如不同的介電質(zhì)及金屬材料。此外，其可額外形成添加 層(additional layer)于上部基材704之上和/或之下。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706及屏障結(jié)構(gòu)708可形成于上部基材704之上、之下和/或于其 中。共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706包含一條或多條導(dǎo)線707a、707b。此一條或多條導(dǎo)線707a、707b 可近似于在此所述的導(dǎo)線、信號線及地線。例如，一條或多條導(dǎo)線707a包含信號線或一條 或多條導(dǎo)線707b包含地線。類似于如上描述的信號線/地線，在某些實施例中，一條或多 條信號線707a/地線707b中的至少其一可包含周期性結(jié)構(gòu)。并且，信號線707a/地線707b 可包含任何合適的材料及可為任何合適的厚度。例如，信號線707a/地線707b可包含金屬， 例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳 化鉭(TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、氮鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金和/或前述的組合。在某些實施 例中，信號線707a/地線707b可包含相同或不同的材料。在一條或多條導(dǎo)線707a、707b之 間的區(qū)域可為絕緣區(qū)、低介電常數(shù)介電區(qū)、高介電常數(shù)介電區(qū)、其他合適的介電區(qū)和/或前 述的組合。在本實施例中，屏障結(jié)構(gòu)708包含一條或多條形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706之上的 槽型浮動條709。在某些實施例中，屏障結(jié)構(gòu)708可包含一條或多條形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 706之下的槽型浮動條709。槽型浮動條709可橫向延伸至共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706及更可延伸 跨越共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706的約全部或部分的寬度。槽型浮動條709近似于前述的浮動條， 包含條帶長度SL，其可為任何合適的長度。槽型浮動條709彼此之間的間隔可為任何合適 的距離SS。在某些實施例中，每條槽型浮動條之間的間隔距離可為相同或是可不同的。槽 型浮動條709可沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的縱長具有周期間隔。如在周期間隔中時，槽型浮動 條709可以任何合適的周期配置。槽型浮動條709包含任何合適的材料。例如，槽型浮動條 709包含導(dǎo)電材料，例如鋁、銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭、氮硅 化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭(TaCN)、鋁化鈦(TiAl)、氮鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金和/或前述的 組合。在某些實施例中，槽型浮動條709可包含相同或不同的材料。此外，一條或多條槽型 浮動條709可彼此電性連接和/或電性隔離、電性連接至一條或多條導(dǎo)線707a、707b和/ 或參考電壓及信號、完全電性隔離和/或前述的組合。當(dāng)一條或多條槽型浮動條709為電 性連接時，其為通過內(nèi)連線或通孔作電性連接。在槽型浮動條709彼此之間的區(qū)域及共平 面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)706及屏障結(jié)構(gòu)708之間的區(qū)域可為上部基材704中的部分區(qū)域、絕緣區(qū)、低介 電常數(shù)介電區(qū)、高介電常數(shù)介電區(qū)、其他合適的介電區(qū)和/或前述的組合。圖12為一橫向剖面圖，其示出為包含下部基材802、上部基材804、含一或多條導(dǎo) 線807a、807b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806及含第一部分808a及第二部分808b (集合通稱為屏障結(jié)構(gòu)808)的屏障結(jié)構(gòu)的裝置800，其中該第一部分808a及第二部分808b包含一條或多 條槽型浮動條809a、809b。下部基材802、上部基材804及含一條或多條導(dǎo)線807a、807b的 共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806與前述圖11中的下部基材、上部基材及含一條或多條導(dǎo)線的共平面波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類似。然而，在本實施例中，含具有一條或多條槽型浮動條809a的第一部分808a 的屏障結(jié)構(gòu)808為形成在共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806之上；含具有一條或多條槽型浮動條809b的 第二部分808b的屏障結(jié)構(gòu)808為形成在共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806之下。槽型浮動條809a、809b 近似于圖11中的槽型浮動條709。槽型浮動條809可橫向延伸至共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806及 更可延伸跨越共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806的約全部或部分的寬度。槽型浮動條809a、809b彼此之 間可間隔為任何合適的距離。在某些實施例中，每條槽型浮動條之間的間隔距離可為相同 或是不同的。槽型浮動條809a、809b可沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)806的縱長具有周期間隔。如 當(dāng)有周期間隔時，槽型浮動條709可以任何合適的周期配置?？芍氖?，含一條或多條槽型 浮動條809a的第一部分808a及一條或多 條槽型浮動條809b的第二部分808b可為相同或 不同的形式、物質(zhì)和/或尺寸。例如，第一部分808a可包含含第一材料的槽型浮動條809a 和/或以第一周期間隔配置；第二部分808b可包含含第二材料的槽型浮動條809b和/或 以第二周期間隔配置。圖13及圖14示出為含有一條或多條具有延伸的槽型浮動條的屏障結(jié)構(gòu)。裝置 900包含下部基材902、上部基材904、含一條或多條導(dǎo)線907a、907b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)906 及含具有一個或多個延伸的一條或多條槽型浮動條909的屏障結(jié)構(gòu)908。裝置1000包含下 部基材1002、上部基材1004、含一條或多條導(dǎo)線1007a、1007b的波導(dǎo)共平面結(jié)構(gòu)及含具有 一個或多個延伸的一條或多條槽型浮動條1009的屏障結(jié)構(gòu)1008。下部基材902與1002、 上部基材904與1004及包含一條或多條導(dǎo)線907a、907b、1007a、1007b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 906、1006與前述的下部基材、上部基材及包含一條或多條導(dǎo)線的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類似。含一條或多條條槽型浮動條909、1009的屏障結(jié)構(gòu)908、1008也近似于前述的屏 障結(jié)構(gòu)，除了含一條或多條槽型浮動條909、1009的屏障結(jié)構(gòu)具有延伸?？芍氖牵搜由?可為槽型浮動條909、1009的整體部分，或在某些實施例中，此延伸可為屏障結(jié)構(gòu)908、1008 的分離元件，連接(coupled to and/or connected with)至槽型浮動條909、1009。參見 圖13，屏障結(jié)構(gòu)908形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)906之下，且槽型浮動條909也包含一部分的 延伸由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)906下方延伸至其上方(或同高)(也即由下部基材1002上部基材 1004延伸向上)。參見圖14，屏障結(jié)構(gòu)1008形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1006之上，且槽型浮動 條1009包含一部分的延伸由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1006上方延伸至其下方(或同高)(也即朝 向下部基材1002上部基材1004延伸向下)。部分的槽型浮動條909、1009可沿著共平面 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)906、1006的高(height)完全或部分的延伸。在本實施例中，部分的槽型浮動條 909、1009可垂直延伸形成矩形的延伸。也可知槽型浮動條909、1009可包含其他形狀的延 伸，例如圓形、橢圓形、三角形、其他合適形狀和/或前述的組合。圖15示出為含下部基材1102、上部基材1104、含一條或多條導(dǎo)線1107a、1107b的 共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1106及含一個或多個槽型浮動屏障1109的屏障結(jié)構(gòu)1108的裝置1100的 橫向剖面圖。下部基材1102、上部基材1104及含一條或多條導(dǎo)線1107a、1107b的共平面波 導(dǎo)結(jié)構(gòu)1106與前述的下部基材、上部基材及包含一條或多條導(dǎo)線的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類 似。在本實施例中，槽型浮動屏障1109為矩形，環(huán)繞共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1106?？芍氖?，槽型浮動屏障1109可包含任何合適形狀，例如，以圓形的槽型浮動屏障環(huán)繞共平面波導(dǎo)。槽 型浮動屏障1109可沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1106的縱長具有任何合適的周期間隔。并且，槽 型浮動屏障1109可近似于如上各種型態(tài)的槽型浮動條及含有延伸的槽型浮動條。此外，一 個或多個槽型浮動屏障1109可彼此電性連接和/或電性隔離、電性連接至一條或多條導(dǎo)線 1107a、1007b和/或參考電極或信號、完全電性隔離和/或前述的組合。當(dāng)一個或多個槽型 浮動屏障1109為電性連接時，其為通過內(nèi)連線或通孔作電性連接。
圖16、圖17、圖18為依照各種實施例所示出的含槽型浮動屏障的裝置1200、1300 及1400的橫向剖面圖。裝置1200包含下部基材1202、上部基材1204、含一條或多條導(dǎo)線 1207a、1207b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1206及含一個或多個槽型浮動條1209及一條或多條槽型 接地條1210的屏障結(jié)構(gòu)1208。裝置1300包含下部基材1302、上部基材1304、含一條或多 條導(dǎo)線1307a、1307b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1306及含一個或多個槽型浮動條1309及一條或多 條槽型接地條1310的屏障結(jié)構(gòu)1308。裝置1400包含下部基材1402、上部基材1404、含一 條或多條導(dǎo)線1407a、1407b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1406及含第一部分1408a及第二部分1408b 的屏障結(jié)構(gòu)(集合通稱為屏障結(jié)構(gòu)1408)，其中第一部分1408a及第二部分1408b包含一個 或多個槽型浮動條1409及一條或多條槽型接地條1410。下部基材1202、1302、1402、上部 基材 1204、1304、1404 及含一條或多條導(dǎo)線 1207a、1207b、1307a、1307b、1407a、1407b 的共 平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1206、1306、1406與前述的下部基材、上部基材及包含一條或多條導(dǎo)線的共 平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類似。屏障結(jié)構(gòu)1208、1308、1408近似于前述的屏障結(jié)構(gòu)，特別地，槽型浮動條1209、
1309、1409近似于前述的槽型浮動條。然而，在本實施例中，包含一條或多條槽型接地條 1210、1310、1410 的屏障結(jié)構(gòu) 1208、1308、1408 連接至(coupled to and/or connected to) 槽型浮動條1209、1309、1409。例如，參見圖16，屏障結(jié)構(gòu)1209形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1206 之上，且槽型浮動條1209連接至一條或多條槽型接地條1210。參見圖17，屏障結(jié)構(gòu)1308 形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1306之下，且槽型浮動條1309連接至一條或多條槽型接地條1310。 參見圖18，屏障結(jié)構(gòu)1408包含形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1406之上的第一部分1408a及形成 于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1406之下的第二部分1408b，且槽型浮動條1409連接至一條或多條槽型 接地條1410。一條或多條槽型接地條1210、1310、1410可部分或完全的沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 1206、1306、1406的縱長延伸。槽型接地條1210、1310、1410大致具有相同的長度、高度及 寬度，且約為互相平行?？芍氖?，在另一實施例中，槽型接地條1210、1310、1410可包含不 同的長度、高度和/或?qū)挾?。在本實施例中，屏障結(jié)構(gòu)包含兩條約相同且平行的槽型接地條 1210、1310、1410連接至槽型浮動條1209。槽型接地條1210、1310、1410近似于槽型浮動條 1209。槽型接地條1210、1310、1410包含任何合適的材料，例如導(dǎo)電材料，像是鋁、銅、鎢、 鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、硅化鎳、硅化鈷、銀、碳化鉭、氮硅化鉭(TaSiN)、氮碳化鉭(TaCN)、 鋁化鈦(TiAl)、氮鋁化鈦(TiAlN)、金屬合金和/或前述的組合。在某些實施例中，一條或 多條的槽型接地條每條1210、1310、1410可包含相同或不同的材料。在槽型接地條1210、
1310、1410和/或槽型浮動條1208、1308、1408與共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1206、1306、1406及屏障 結(jié)構(gòu)1208、1308、1408之間的區(qū)域可為上部基材1204、1304、1404的部分區(qū)域、絕緣區(qū)、低介 電常數(shù)介電區(qū)、高介電常數(shù)介電區(qū)、其他合適的介電區(qū)和/或前述的組合。
槽型接地條1210、1310、1410可為于任何合適的位置。調(diào)整槽型接地條1210、 1310、1410 的位置可讓裝置 1200、1300、1400 的特性阻抗(characteristic impedance)作 變化及調(diào)控。高性能需求的地方，像是高品質(zhì)短電感(stub inductor)、四分之一波長長 #ft^ W PliilEK N(impedance matching networks of quarter-wavelength-long transmission line)、共振器(reasonator)、震蕩器(oscillator)、信號分離器(signal splitter)、結(jié)合器(combiner)、放大器(amplifier)及過濾器(filter)，極需要此種可調(diào) 控的特性。在某些實施例中，每條槽型接地條1210、1310、1410可以相等或不同的距離作間 隔。在某些實施例中，槽型接地條1210、1310、1410可沿著具有任何合適周期的共平面波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)1206、1306、1406的橫寬具有周期間隔。此外，一條或多條槽型接地條1210、1310、1410 彼此可電性連接/或電性隔離、電性連接至一條或多條導(dǎo)線1207a、1207b、1307a、1307b、 1407a、1407b和/或參考電極或信號、完全電性隔離 和/或前述的組合。當(dāng)一條或多條槽型 接地條1210、1310、1410為電性連接時，其為通過內(nèi)連線或通孔作電性連接。圖19、圖20及圖21為依照各種實施例所示出的包含屏障結(jié)構(gòu)的裝置1500、1600 及1700的橫向剖面圖。裝置1500包含下部基材1502、上部基材1504、含一條或多條導(dǎo)線 1507a、1507b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1506及含一個或多個槽型浮動條1509、一條或多條槽型接 地條1510及一個或多個延伸1512的屏障結(jié)構(gòu)1508。裝置1600包含下部基材1602、上部 基材1604、含一條或多條導(dǎo)線1607a、1607b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1606及含一個或多個槽型 浮動條1609、一條或多條槽型接地條1610及一個或多個延伸1612的屏障結(jié)構(gòu)1608。裝置 1700包含下部基材1702、上部基材1704、含一條或多條導(dǎo)線1707a、1707b的共平面波導(dǎo)結(jié) 構(gòu)1706及含第一部分1708a及第二部分1708b的屏障結(jié)構(gòu)(集合通稱為屏障結(jié)構(gòu)1408)， 其中第一部分1708a及第二部分1708b包含一個或多個槽型浮動條1709及一條或多條槽 型接地條1710及延伸1712。下部基材1502、1602、1702、上部基材1504、1604、1704及含 一條或多條導(dǎo)線 1507a、1507b、1607a、1607b、1707a、1707b 的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu) 1506、1606、 1706與前述的下部基材、上部基材及包含一條或多條導(dǎo)線的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類似。包含槽型浮動條1509、1609、1709及槽型接地條1510、1610、1710的屏障結(jié)構(gòu) 1508、1608、1708也近似前述的屏障結(jié)構(gòu)，特別地，槽型浮動條1209、1309、1409近似于前述 的包含槽型浮動條及槽型接地條的槽型浮動條，除了屏障結(jié)構(gòu)1508、1608、1708包含一個 或多個延伸1512、1612、1712。例如，參見圖19，屏障結(jié)構(gòu)1508的槽型浮動條1509及槽型 接地條1510為形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1506之上，且延伸1512由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1506之 上延伸至共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1506之下(或同高)(也即朝向下部基材1502及上部基材1504 向下延伸)。參見圖20，屏障結(jié)構(gòu)1608的槽型浮動條1609及槽型接地條1610為形成于共 平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1606之下，且延伸1612系由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1606之下延伸至共平面波導(dǎo)結(jié) 構(gòu)1606之上(或同高)(也即遠(yuǎn)離下部基材1602及上部基材1604向上延伸)。參見圖21， 屏障結(jié)構(gòu)1708的槽型浮動條1709及槽型接地條1710為形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1706之上 及之下，且延伸1712自于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1706之上的槽型浮動/接地條1709/1710延伸 至于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1706之下的槽型浮動/接地條1709/1710。延伸1512、1612、1712可 連接至(coupled to and/or connected with)槽型浮動條 1509、1609、1709 及槽型接地條 1510、1610、1710。延伸1512、1612、1712可沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1506、1606、1706的部分或 完全的高作延伸和/或部分或完全的在位于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1706之上的槽型浮動/接地條1709/1710與位于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1706之下的槽型浮動/接地條1709/1710之間。在本 實施例中，延伸1512、1612、1712可為矩形。也可知延伸1512、1612、1712可包含其他形狀 的延伸，例如圓形、橢圓形、三角形或其他合適的形狀和/或前述的組合。并且，類似于前述 的裝置，槽型浮動條1509、1609、1709為沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1506、1606、1706的橫向?？?知的是，槽型浮動條1509、1609、1709在其他實施例中也可沿向其他方向。圖22、圖23及圖24為依照各種實施例所示出的包含屏障結(jié)構(gòu)的裝置1800、1900 及2000的橫向剖面圖。裝置1800包含下部基材1802、上部基材1804、含一條或多條導(dǎo)線 1807a、1807b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1806及含一個或多個槽型浮動條1809、一條或多條槽型接 地條延伸1810的屏障結(jié)構(gòu)1808。裝置1906包含下部基材1902、上部基材1904、含一條或 多條導(dǎo)線1907a、1907b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1906及含一個或多個槽型浮動條1909、一條或多 條槽型接地條延伸1910的屏障結(jié)構(gòu)1908。裝置2000包含下部基材2002、上部基材2004、 含一條或多條導(dǎo)線2007a、2007b的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)2006及含一個或多個槽型浮動條2009、 一條或多條槽型接地條延伸2010的屏障結(jié)構(gòu)1908。下部基材1802、1902、2002、上部基材 1804,1904,2004 及含一條或多條導(dǎo)線 1807a、1807b、1907a、1907b、2007a、2007b 的共平面 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1806、1906、2006與前述的下部基材、上部基材及包含一條或多條導(dǎo)線的共平面 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相類似。包含槽型浮動條1809、1909、2009的屏障結(jié)構(gòu)1808、1908、2008也近似前述的屏 障結(jié)構(gòu)，除了屏障結(jié)構(gòu) 1808、1908、2008 為連接(coupled to and/or connected to)至槽 型接地條延伸1810、1910、2010。例如 ，參見圖22，屏障結(jié)構(gòu)1808的槽型浮動條1809為形 成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1806之上，且槽型接地條延伸1810由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1806之上延伸 至共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1806之下(或?qū)R)(也即朝向下部基材1802及上部基材1804向下延 伸)。參見圖23，屏障結(jié)構(gòu)1908的槽型浮動條1909為形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1906之下，且 槽型接地條延伸1910由共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1906之下延伸至共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1906之上(或同 高)(也即遠(yuǎn)離下部基材1902及上部基材1904向上延伸)。參見圖24，屏障結(jié)構(gòu)2008的 槽型浮動條2009為形成于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)2006之上及之下，且槽型接地條延伸2010自于 共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)2006之上的槽型浮動條2009延伸至于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)2006之下的槽型 浮動條 2009。槽型接地條延伸 1810、1910、2010 可連接至(coupled to and/or connected with)槽型浮動條1809、1909、2009。槽型接地條延伸1812、1912、2012可沿著共平面波導(dǎo) 結(jié)構(gòu)1806、1906、2006的部分或完全的高作延伸和/或部分或完全的在位于共平面波導(dǎo)結(jié) 構(gòu)2006之上的槽型浮動條2009與位于共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)2006之下的槽型浮動條2009之間。 在本實施例中，槽型接地條延伸可為矩形。也可知槽型接地條1810、1910、2010可包含其他 形狀的延伸，例如圓形、橢圓形、三角形或其他合適的形狀和/或前述的組合。并且，類似于 前述的裝置，槽型浮動條1809、1909、2009為沿著共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)1806、1906、2006的橫向。 可知的是，槽型浮動條1809、1909、2009在其他實施例中也可沿向其他方向。在此所揭示的裝置及結(jié)構(gòu)為使用公知的工藝所形成。此外，在此所揭示的裝置及 結(jié)構(gòu)可用于許多產(chǎn)品，包含(但不僅限于)像是集成電路、單晶微波集成電路(monolithic microwave integrated circuits)、射頻傳播器及接收器、射頻通信設(shè)備、天線、電路板、放 大器、調(diào)頻器及解調(diào)器的物品。這些或其他物品可用于在此揭示的一個或多個裝置及結(jié)構(gòu)。 例如，在此揭示的裝置及結(jié)構(gòu)可使某些物品能夠被做的更小、更輕、更有效率、更強(qiáng)大、更靈敏、更少的噪聲、更有選擇性、更快或更便宜。綜上所述，本發(fā)明提供了一種沿著單一線路傳播射頻信號的裝置。此裝置包含沿 著主軸延伸的單一線路。此單一線路的一端為第一介電質(zhì)，另一端為第二介電質(zhì)。鄰近于 此第一介電質(zhì)為第一地線，鄰近于第二介電質(zhì)為第二地線。此第一地線與第二地線為接近 平行為信號線。此裝置具有沿著主軸不同的橫向剖面。雖然本發(fā)明已以數(shù)條較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動與潤飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界 定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種共平面波導(dǎo)裝置，包含一條或多條地線鄰近于一條或多條信號線，上述信號線及上述地線大致互相平行且實質(zhì)上沿一第一方向延伸；以及一周期結(jié)構(gòu)，包含上述至少一信號線中含有多個交替區(qū)段；其中至少一上述交替區(qū)段延伸以一第二方向延伸，且該第二方向橫斷第一方向。
2.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，其中至少一條上述地線包含一含交替區(qū)段的 周期結(jié)構(gòu)，其中至少一上述交替區(qū)段以一第二方向延伸，且該第二方向橫斷該第一方向。
3.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，其中該交替區(qū)段包含一第一區(qū)段及一第二區(qū) 段作周期性地交替，該第二區(qū)段較該第一區(qū)段寬。
4.如權(quán)利要求3所述的共平面波導(dǎo)裝置，其中該第二區(qū)段包含一含矩形、圓形、三角形 或其他合適形狀的延伸。
5.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，其中上述延伸為向外延伸或向內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，其中至少一條上述信號線中的一橫向剖面區(qū) 段包含一周期性結(jié)構(gòu)，其依該共平面波導(dǎo)裝置的縱長作周期性變化。
7.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，還包含一個或多個島狀區(qū)鄰近于一條或多條 信號線及一條或多條地線。
8.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，還包含位于上述信號線及上述地線上方和/ 或下方延伸的浮動條。
9.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，其中上述浮動條為橫斷于上述信號線及上述 地線。
10.如權(quán)利要求1所述的共平面波導(dǎo)裝置，還包含一個或多個島狀區(qū)鄰近于一個或多 個位于上述信號線及上述地線上方和/或下方延伸的浮動條。
11.一種裝置，包含一基材；一位于該基材上的絕緣體；一位于該絕緣體上的共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其實質(zhì)上為沿著一第一方向延伸；以及一個或多個位于該共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上方和/或下方的槽型浮動條，其沿第二方向延 伸，第二方向橫斷第一方向，其中上述槽型浮動條為沿著該第一方向周期性地設(shè)置。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中至少一上述槽型浮動條包含一個或多個延伸。
13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中該共平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包含一條或多條導(dǎo)線，其中至 少一條上述導(dǎo)線含一周期結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求11所述的裝置，還包含一個或多個接地浮動延伸連接于至少一上述槽 型浮動條，該上述接地浮動延伸為沿向該第一方向延伸。
15.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中上述槽型浮動條為周期性的排列。
全文摘要
本發(fā)明提供一種共平面波導(dǎo)裝置。此共平面波導(dǎo)裝置包含一條或多條鄰近于一條或多條信號線的地線，上述信號線與上述地線彼此約互相平行且大致上為沿一第一方向延伸；一周期結(jié)構(gòu)，包含在上述至少一信號線中含有多個交替區(qū)段，其中上述至少一交替區(qū)段以第二方向延伸，且該第二方向橫斷第一方向。本發(fā)明可用于許多產(chǎn)品，像是集成電路、單晶微波集成電路、射頻傳播器及接收器、射頻通信設(shè)備、天線、電路板、放大器、調(diào)頻器及解調(diào)器的物品。在此揭示的裝置及結(jié)構(gòu)可使某些物品能夠被做的更小、更輕、更有效率、更強(qiáng)大、更靈敏、更少的噪聲、更有選擇性、更快或更便宜。
文檔編號H01P3/02GK101834330SQ20091014112
公開日2010年9月15日 申請日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月9日
發(fā)明者卓秀英 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司