專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)以及一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，尤指一種可以改善顯 示面板畫(huà)面閃爍(flicker)現(xiàn)象的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
平面顯示器已逐漸取代了傳統(tǒng)陰極射線管顯示器，其中以液晶顯示器為目前最被 廣泛使用的一種平面顯示器，其優(yōu)點(diǎn)為體型輕薄、消耗電功率低以及驅(qū)動(dòng)電壓低等，可以應(yīng) 用在例如筆記型計(jì)算機(jī)、數(shù)字相機(jī)、游樂(lè)器等各種日常用品上。在目前液晶顯示器中，又以 利用薄膜晶體管作為像素結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)組件的相關(guān)設(shè)計(jì)為產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。一般而言，薄膜 晶體管中的導(dǎo)電層與周圍其它組件的導(dǎo)電層之間會(huì)產(chǎn)生耦合電容效應(yīng)，以致顯示面板容易 于顯示時(shí)出現(xiàn)畫(huà)面閃爍(flicker)問(wèn)題。請(qǐng)參考圖1以及圖2。圖1為公知顯示面板像素 結(jié)構(gòu)的部分俯視示意圖。圖2繪示了沿圖1剖面線AA’的一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1以及 圖2所示，圖1與圖2繪示公知顯示面板像素結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例，公知顯示面板像素結(jié)構(gòu)10 是由一源極電極線11與一柵極電極線12所定義，包括一基板13、一源極電極線11、一源極 電極14、一柵極電極線12以及一柵極電極15設(shè)于基板13上、一柵極介電層16覆蓋于柵 極電極線12以與門極電極15上方、一漏極電極17以及一漏極遮光圖案延伸部18設(shè)置于 柵極介電層16上、一保護(hù)層19設(shè)置于漏極電極17、漏極遮光圖案延伸部18與柵極介電層 16上，以及一透明電極20設(shè)置于保護(hù)層19上。然而，在公知顯示面板像素結(jié)構(gòu)10中，漏極 電極17與柵極電極15于垂直方向重迭處會(huì)形成一平行電容，稱為第一耦合電容Cgdl，而漏 極遮光圖案延伸部18因平行于其鄰近的柵極電極線12，且兩者之間設(shè)有絕緣的柵極介電 層16與保護(hù)層19，因此會(huì)耦合形成一橫向電容，稱為第二耦合電容Cgd2，其中第一耦合電容 Cgdl電容值大小大體上與漏極電極17和柵極電極15間垂直方向上的重迭面積A成正比，而 第二耦合電容值Cgd2大體上與漏極遮光圖案延伸部18和柵極電極線12的橫向重迭面積成 正比，并與漏極遮光圖案延伸部18和柵極電極線12之間的直線距離P成反比。公知大型 液晶顯示面板在像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上，由于薄膜晶體管通道較大，因而在計(jì)算耦合電容時(shí)，若僅 考慮柵極電極15與漏極電極17于垂直方向重迭面積A處形成的第一耦合電容Cgdl，對(duì)總耦 合電容值而言影響偏差較小。然而，在中小型液晶顯示面板的像素設(shè)計(jì)上，因薄膜晶體管通 道寬度大幅縮減，所以第二耦合電容Cdg2對(duì)于顯示面板像素結(jié)構(gòu)操作時(shí)信號(hào)干擾現(xiàn)象將更 趨于明顯，以致對(duì)于顯示面板閃爍現(xiàn)象影響變大而不可忽視。由上述可知，公知液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)由于具有較高的耦合電容效應(yīng)，容易使 顯示面板于顯示畫(huà)面時(shí)產(chǎn)生畫(huà)面閃爍現(xiàn)象。因此，發(fā)展具有低閃爍現(xiàn)象的顯示面板像素結(jié) 構(gòu)為當(dāng)前顯示產(chǎn)業(yè)亟需努力的研發(fā)重點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在提供一種像素結(jié)構(gòu)以及一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，可用來(lái)有 效地改善柵極電極與漏極電極間的耦合電容效應(yīng)，達(dá)到有效改善顯示面板閃爍現(xiàn)象的目的。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包含一基板、一圖案 化的第一導(dǎo)電層設(shè)于基板上、一柵極介電層設(shè)于圖案化的第一導(dǎo)電層上、一圖案化的半導(dǎo) 體層設(shè)于部份柵極介電層上、一圖案化的第二導(dǎo)電層設(shè)于部份圖案化的半導(dǎo)體層上、一保 護(hù)層與一接觸洞設(shè)于基板上，保護(hù)層覆蓋圖案化的第二導(dǎo)電層、部份圖案化的半導(dǎo)體層以 及部份柵極介電層，以及一圖案化的第三導(dǎo)電層設(shè)于保護(hù)層上，且部份圖案化的第三導(dǎo)電 層形成于接觸洞之內(nèi)且與漏極電極電性連接。圖案化的第一導(dǎo)電層包含至少一柵極電極線 大體上沿著一第一方向延伸設(shè)置，以及至少一柵極電極電連接于柵極電極線。圖案化的半 導(dǎo)體層包含一薄膜晶體管通道層以及一浮置半導(dǎo)體層大體上平行于第一方向。圖案化的第 二導(dǎo)電層包含一源極電極線、一源極電極以及一漏極電極覆蓋部份薄膜晶體管通道層，以 及一漏極遮光圖案延伸部覆蓋部份浮置半導(dǎo)體層。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制作方 法包含提供一基板，于基板表面形成一圖案化的第一導(dǎo)電層其包含一柵極電極線與至少一 柵極電極，在基板表面上形成一柵極介電層且使柵極介電層覆蓋柵極電極線以及基板，于 柵極介電層上形成一圖案化的半導(dǎo)體層且圖案化的半導(dǎo)體層包含一薄膜晶體管通道層以 及一浮置半導(dǎo)體層，且浮置半導(dǎo)體層的延伸方向大體上平行于柵極電極線的延伸方向。于 基板表面形成一圖案化的第二導(dǎo)電層其包含一源極電極線、一源極電極、一漏極電極以及 一漏極遮光圖案延伸部，且至少一部份的漏極遮光圖案延伸部是覆蓋浮置半導(dǎo)體層的表 面，以及使漏極遮光圖案延伸部延伸方向大體上是與浮置半導(dǎo)體層延伸方向平行。于圖案 化的第二導(dǎo)電層上形成一保護(hù)層與一接觸洞且使保護(hù)層同時(shí)覆蓋部份柵極介電層、部份圖 案化的半導(dǎo)體層以及圖案化的第二導(dǎo)電層，于保護(hù)層上形成一圖案化的第三導(dǎo)電層，且使 圖案化的第三導(dǎo)電層覆蓋保護(hù)層，且部份圖案化的第三導(dǎo)電層形成于接觸洞之內(nèi)且與漏極 電極電性連接，以及使至少一部份圖案化的第三導(dǎo)電層與浮置半導(dǎo)體層于垂直方向上互相 重迭。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)乃利用制作一薄膜晶體管通道層時(shí)同時(shí)制作一浮置半導(dǎo)體層，再 藉由將漏極遮光圖案延伸部以堆棧方式制作于浮置半導(dǎo)體層上，所以經(jīng)堆棧的浮置半導(dǎo)體 層與漏極遮光圖案延伸部的總厚度增加，藉此使柵極電極線與漏極遮光圖案延伸部的直線 距離放大，同時(shí)降低柵極電極線與漏極遮光圖案延伸部的耦合電容，以達(dá)到有效改善顯示 面板閃爍現(xiàn)象的目的。此外，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制作方法不僅具有不影響原本像素開(kāi)口率， 亦具有不需增加額外光罩制程等優(yōu)點(diǎn)，因此，在實(shí)施上具有極易導(dǎo)入傳統(tǒng)光罩模組制程的 特點(diǎn)。


圖1為公知顯示面板像素結(jié)構(gòu)的部分俯視示意圖。圖2繪示了沿圖1剖面線AA’的一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例示意圖。圖4繪示了沿圖3剖面線BB’的一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5a至圖5c為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)制作方法示意圖。
具體實(shí)施例方式在說(shuō)明書(shū)及上述權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)指稱特定的組件。所屬領(lǐng)域中具 有通常知識(shí)者應(yīng)可理解，制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同樣的組件。本說(shuō)明書(shū)及上述 的權(quán)利要求并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)別組件的方式，而是以組件在功能上的差異來(lái)作為 區(qū)別的基準(zhǔn)。在通篇說(shuō)明書(shū)及上述的權(quán)利要求當(dāng)中所提及的「包含以及包括」為一開(kāi)放式 的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成「包含但不限定于」。此外，「電性連接」一詞在此是包含任何直接及間 接的電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝 置可直接連接于該第二裝置，或透過(guò)其它裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。請(qǐng)參考圖3以及圖4，圖3為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的一較佳實(shí)施例示意圖，圖4繪示了 沿圖3剖面線BB’的一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3以及圖4所示，為了清楚敘明本發(fā)明的結(jié) 構(gòu)，所以同時(shí)將圖3以及圖4一并說(shuō)明。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100包含一基板130、一圖案化的第 一導(dǎo)電層210設(shè)于基板130上、一柵極介電層160設(shè)于圖案化的第一導(dǎo)電層210上、一圖案 化的半導(dǎo)體層220設(shè)于部份柵極介電層160上、一圖案化的第二導(dǎo)電層230設(shè)于部份圖案 化的半導(dǎo)體層220上、一保護(hù)層190a、一接觸洞190b，以及一圖案化的第三導(dǎo)電層240設(shè)于 部分保護(hù)層190a上。在本實(shí)施例中，如圖3所示，圖案化的第一導(dǎo)電層210包含至少一柵極 電極線120大體上沿著第一方向X延伸設(shè)置，以及至少一柵極電極150電連接于柵極電極 線120。圖案化的半導(dǎo)體層220包含一薄膜晶體管通道層220a以及一浮置半導(dǎo)體層220b， 浮置半導(dǎo)體層220b大體上平行于第一方向X，且薄膜晶體管通道層220a厚度與浮置半導(dǎo) 體層220b厚度大體上相等，然而薄膜晶體管通道層220a厚度與浮置半導(dǎo)體層220b厚度可 視情況分別加以調(diào)整且并無(wú)特殊限制。圖案化的第二導(dǎo)電層230包含一源極電極線110、 一源極電極140、一漏極電極170以及一漏極遮光圖案延伸部180，其中源極電極140與漏 極電極170覆蓋部份薄膜晶體管通道層220a，且漏極遮光圖案延伸部180覆蓋部份浮置半 導(dǎo)體層220b，大體上平行于第一方向。此外，保護(hù)層190b覆蓋圖案化的第二導(dǎo)電層230、圖 案化的半導(dǎo)體層220以與門極介電層160，接觸洞190b設(shè)于保護(hù)層190b中，使保護(hù)層190b 暴露出部分漏極電極170。圖案化的第三導(dǎo)電層240設(shè)于保護(hù)層190a之上，且部份圖案化 的第三導(dǎo)電層240形成于接觸洞190b之內(nèi)而與漏極電極170電性連接，圖案化的第三導(dǎo)電 層240較佳以透明材料所形成，可當(dāng)作本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100。另外，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100空 間配置上有以下特征，漏極遮光圖案延伸部180的延伸方向大體上是平行于浮置半導(dǎo)體層 220b的延伸方向，這是覆蓋重迭于浮置半導(dǎo)體層220b之上，而浮置半導(dǎo)體層220b的延伸方 向大體上是平行于柵極電極線120的延伸方向，亦即第一方向X，且至少一部份圖案化的第 三導(dǎo)電層240與浮置半導(dǎo)體層220b于垂直方向是互相重迭。又，圖案化的第三導(dǎo)電層240 具有一邊界240a平行且鄰近于部份柵極電極線120，且浮置半導(dǎo)體層220b是位于部份邊 界240a的下方，亦即浮置半導(dǎo)體層220b與其上方的漏極遮光圖案延伸部180亦與其鄰近 的柵極電極線120相平行。在本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100中，漏極電極170與柵極電極150于垂 直方向上具有重迭面積A’，且漏極電極170與柵極電極150之間設(shè)有柵極介電層160，因此 在重迭面積A’處會(huì)形成第一耦合電容Cgdl’。如再?gòu)谋景l(fā)明像素結(jié)構(gòu)剖面來(lái)看，可參考圖4 所繪示的垂直方向剖面結(jié)構(gòu)，由于漏極遮光圖案延伸部180與部分柵極電極線120具有一 橫向重迭面積，且兩者之間設(shè)有柵極介電層160與保護(hù)層190a，因此漏極遮光圖案延伸部 180與部分柵極電極線120之間亦會(huì)形成橫向的第二耦合電容Cgd2’。值得說(shuō)明的是本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100乃將漏極遮光圖案延伸部180堆棧于浮置半導(dǎo)體層220b上，藉此提高了漏極 遮光圖案延伸部180與柵極電極線120之間的直線距離P’。因此，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100的 直線距離P’大于公知顯示面板像素結(jié)構(gòu)10的直線距離P，亦即本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100的第二 耦合電容Cgd2’會(huì)小于公知顯示面板像素結(jié)構(gòu)100的第二耦合電容Cgd2’。另夕卜，如圖3所示，在本實(shí)施例中，圖案化的第一導(dǎo)電層210與圖案化的第二導(dǎo)電 層230可包含例如金屬材料，但不以此為限；圖案化的半導(dǎo)體層220的材料可以是例如非 晶娃(amorphous silicon)、多晶娃(polysilicon)、化合物半導(dǎo)體(complex compound)以 及有機(jī)半導(dǎo)體層(organicsemiconductor)等材料，但不以此為限；第三導(dǎo)電層240為一透 明導(dǎo)電材料，例如是氧化銦錫(Indium Tin Oxide, IT0)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZ0)材料，但不以此為限而可為其它形式的導(dǎo)電材料；柵極介電層160可以是例如二氧化 硅(SA)或氮化硅飯隊(duì))等材料，但不以此為限；保護(hù)層190a可以是例如氮化硅(Si3N4)等 材料，但不以此為限。請(qǐng)參考圖5a至圖5c，圖5a至圖5c為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100的制作方法示意圖。如 圖5a所示，首先于基板130上形成一導(dǎo)電層，例如是一金屬層，然后使用第一道光罩將基板 130上的導(dǎo)電層制作成一圖案化的第一導(dǎo)電層210，且圖案化的第一導(dǎo)電層210包含至少一 柵極電極線120與至少一柵極電極150。接著，于基板130表面形成一柵極介電層160，且 使柵極介電層160覆蓋第一導(dǎo)電層210以及基板130。如5b圖所示，接著使用第二道光罩 于柵極介電層160上形成一圖案化的半導(dǎo)體層220，且圖案化的半導(dǎo)體層220包含一薄膜 晶體管通道層220a以及一浮置半導(dǎo)體層220b，其中部分薄膜晶體管通道層220a是位于柵 極電極150的上方。值得注意的是，依本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)制作方法形成的浮置半導(dǎo)體層220b 的延伸方向大體上平行于柵極電極線120的延伸方向，如圖3所示。其次，利用一第三道光 罩，于基板130表面再形成一圖案化的第二導(dǎo)電層230，且圖案化的第二導(dǎo)電層230包含一 源極電極線(未示于圖5b中)、一源極電極140、一漏極電極170以及一漏極遮光圖案延伸 部180，且至少一部份的漏極遮光圖案延伸部180是覆蓋于浮置半導(dǎo)體層220b表面。值得 注意的是，如圖3所示，依本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)制作方法形成的漏極遮光圖案延伸部180的延 伸方向大體上是平行于浮置半導(dǎo)體層220b與柵極電極線120的延伸方向。如5c圖所示， 接著使用第四道光罩于圖案化的第二導(dǎo)電層230上形成一保護(hù)層190a與一接觸洞190b， 且使保護(hù)層190a同時(shí)覆蓋柵極介電層160、圖案化的半導(dǎo)體層220以及部分圖案化的第二 導(dǎo)電層230。最后使用第五道光罩于保護(hù)層190a上形成一圖案化的第三導(dǎo)電層240，且使 圖案化的第三導(dǎo)電層240部份覆蓋保護(hù)層190a，且部份圖案化的第三導(dǎo)電層240亦形成于 接觸洞190b中，電連接于漏極電極170。此外，于上述本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100的制作方法步 驟中，其中制作圖案化的第一導(dǎo)電層210、圖案化的半導(dǎo)體層220、保護(hù)層190a、圖案化的第 二導(dǎo)電層230以及圖案化的第三導(dǎo)電層240的步驟是利用一圖案化制程，包含例如是微影 暨蝕刻(photolithography-etching process)制程，但不以此為限，可視情況加以調(diào)整圖 案化制程，而并無(wú)特殊限制。柵極介電層160以及保護(hù)層190a是利用一沉積制程例如是 化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)以及物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)，但不以此為限而可為其它沉積制程。值得說(shuō)明的是，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)制作方法于制作半導(dǎo)體層時(shí)，除了形成一薄膜晶 體管通道層外，同時(shí)巧妙地制作一浮置半導(dǎo)體層，再藉由將漏極遮光圖案延伸部以堆棧方式制作于浮置半導(dǎo)體層上，所以使漏極遮光圖案延伸部與柵極電極線的直線距離明顯增 加，能有效降低漏極遮光圖案延伸部與柵極電極線之間的橫向耦合電容的電容值。由上述 可知，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)以及像素結(jié)構(gòu)的制作方法可被利用來(lái)達(dá)成有效改善顯示面板閃爍現(xiàn) 象的目的。綜上所述，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)以及像素結(jié)構(gòu)的制作方法具有如下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)乃利用制作一薄膜晶體管通道層時(shí)同時(shí)制作一浮置半導(dǎo)體層結(jié) 構(gòu)，再藉由將漏極遮光圖案延伸部以堆棧方式制作于浮置半導(dǎo)體層上，所以經(jīng)堆棧的浮置 半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)與漏極遮光圖案延伸部的總厚度增加，藉此使柵極電極線與漏極遮光圖案延 伸部的直線距離放大同時(shí)降低柵極電極線與漏極遮光圖案延伸部的耦合電容，藉此本發(fā)明 像素結(jié)構(gòu)可達(dá)到有效改善顯示面板閃爍現(xiàn)象的目的。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制作方法不僅具有不影響原本像素開(kāi)口率以及具有不需額外 增加光罩制程數(shù)量等優(yōu)點(diǎn)，而且在實(shí)施上極易結(jié)合傳統(tǒng)的薄膜晶體管制程，換言之能利用 現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)制程而達(dá)到明顯改善平面顯示面板的影像畫(huà)面的目的。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；一圖案化的第一導(dǎo)電層設(shè)于該基板上，其包含；至少一柵極電極線，大體上沿著一第一方向延伸設(shè)置；以及至少一柵極電極，電連接于該柵極電極線；一柵極介電層設(shè)于該圖案化的第一導(dǎo)電層上；一圖案化的半導(dǎo)體層設(shè)于部分該柵極介電層上，其包含一薄膜晶體管通道層；以及一浮置半導(dǎo)體層，大體上平行于該第一方向；一圖案化的第二導(dǎo)電層設(shè)于部分該圖案化的半導(dǎo)體層上，其包含；一源極電極線；一源極電極以及一漏極電極，覆蓋部分該薄膜電晶體通道層；以及一漏極遮光圖案延伸部，覆蓋部分該浮置半導(dǎo)體層；一保護(hù)層設(shè)于該基板上，該保護(hù)層覆蓋該圖案化的第二導(dǎo)電層、部份該圖案化的半導(dǎo)體層以及部份該柵極介電層；以及一圖案化的第三導(dǎo)電層設(shè)于該保護(hù)層上，且與該漏極電極電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的第一導(dǎo)電層/第二導(dǎo)電層包 含一金屬材料。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該薄膜晶體管通道層厚度與該浮置半 導(dǎo)體層厚度大體上相等。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少一部份該漏極遮光圖案延伸部覆 蓋于該浮置半導(dǎo)體層表面。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極遮光圖案延伸部的延伸方向大 體上是平行于該浮置半導(dǎo)體層的延伸方向。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該浮置半導(dǎo)體層的延伸方向大體上是 平行于該柵極電極線的延伸方向。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少一部份該圖案化的第三導(dǎo)電層與 該浮置半導(dǎo)體層于垂直方向是互相重迭。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三導(dǎo)電層具有一邊界平行且鄰近 于部分該柵極電極線，而該浮置半導(dǎo)體層是位于部分該邊界的下方。
9.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包含有下列步驟 提供一基板；于該基板表面形成一圖案化的第一導(dǎo)電層，其包含至少一柵極電極線與至少一柵極電極；在該基板表面形成一柵極介電層，且使該柵極介電層覆蓋該柵極電極線以及該基板； 于該柵極介電層上形成一圖案化的半導(dǎo)體層，其中該圖案化的半導(dǎo)體層包含一薄膜晶 體管通道層以及一浮置半導(dǎo)體層，且該浮置半導(dǎo)體層的延伸方向大體上平行于該柵極電極 線的延伸方向；于該基板表面形成一圖案化的第二導(dǎo)電層，其包含一源極電極線、一源極電極、一漏極電極以及一漏極遮光圖案延伸部，且至少一部份的該漏極遮光圖案延伸部是覆蓋該浮置半 導(dǎo)體層的表面，以及使該漏極遮光圖案延伸部延伸方向大體上是與該浮置半導(dǎo)體層延伸方 向平行；于該圖案化的第二導(dǎo)電層上形成一保護(hù)層，且使該保護(hù)層同時(shí)覆蓋部份該柵極介電 層、部份該圖案化的半導(dǎo)體層以及該圖案化的第二導(dǎo)電層；以及于該保護(hù)層上形成一圖案化的第三導(dǎo)電層，且使該圖案化的第三導(dǎo)電層覆蓋該保護(hù) 層，且與該漏極電極電性連接，以及使至少一部份該圖案化的第三導(dǎo)電層與該浮置半導(dǎo)體 層于垂直方向上互相重迭。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，制作該圖案化的第一導(dǎo)電 層、該柵極介電層、該圖案化的半導(dǎo)體層、該圖案化的第二導(dǎo)電層、該保護(hù)層以及該圖案化 的第三導(dǎo)電層是利用一圖案化制程。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其利用制作薄膜晶體管通道層時(shí)同時(shí)制作浮置半導(dǎo)體層，再使后續(xù)制作的漏極遮光圖案延伸部堆棧設(shè)置于浮置半導(dǎo)體層上，以致于經(jīng)堆棧的浮置半導(dǎo)體層與漏極遮光圖案延伸部的總厚度明顯增加，藉此使柵極電極線與漏極遮光圖案延伸部的橫向直線距離放大，以降低柵極電極線與漏極遮光圖案延伸部間的耦合電容。因此，利用本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的具低耦合電容顯示面板的閃爍現(xiàn)象可明顯獲得改善。
文檔編號(hào)H01L29/06GK101894835SQ20091014333
公開(kāi)日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2009年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月21日
發(fā)明者江佳銘, 顏思琳 申請(qǐng)人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司