專利名稱：一種抗反射膜的沉積方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體領域中集成電路制造工藝，特別是指制造過程中的一種抗 反射膜的沉積方法。
背景技術：
在集成電路制造工藝中，多是采用鋁(Al)作為金屬導電層，然后在金屬導電層上 沉積一層抗反射膜，以降低后續(xù)對準程序中的駐波效應。基于對于電特性和后續(xù)的制造工 藝的考慮，制造抗反射層多采用鈦(Ti)/氮化鈦(TiNx)。傳統(tǒng)的抗反射層制造方式，其流程如圖1所示，即先在基底1表面有鋁膜形成的金 屬導電層2 ；然后在一個真空室中沉積一層鈦膜3，再到另外一個真空室中沉積一層氮化鈦 膜4。這種復式結(jié)構(gòu)讓純鈦直接沉積在鋁膜上，在后續(xù)的高溫制程中，鈦很容易和鋁反應在 接觸面形成一種高阻值的化合物TiAl3，從而影響到晶圓的電性，造成產(chǎn)品的良品率降低。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術中的上述缺陷和問題，本發(fā)明的目的是提出一種抗反射膜的沉積方 法，能夠解決現(xiàn)有的集成電路制造工藝中以鈦和氮化鈦作為抗反射膜時，會在后續(xù)的制程 中產(chǎn)生TiAl3的問題，從而提高產(chǎn)品的成品率。為了達到上述目的，本發(fā)明提出了一種抗反射膜的沉積方法，包括在金屬導電層上依次沉積一阻隔層、一層鈦Ti膜、一層氮化鈦TiNx膜。作為上述技術方案的優(yōu)選，所述阻隔層為氮化鈦TiNx膜。作為上述技術方案的優(yōu)選，在同一真空室內(nèi)進行氮化鈦TiNx膜、鈦Ti膜的沉積。作為上述技術方案的優(yōu)選，所述方法還包括在所述真空室利用氮氣N2進行預燒，以使該真空腔內(nèi)變?yōu)榈伃h(huán)境。本發(fā)明提出了一種鈦及氮化鈦的沉積方法，針對現(xiàn)有技術中包括在金屬導電層 上依次沉積一阻隔層、一層鈦Ti膜、一層氮化鈦11隊膜。本發(fā)明相比較現(xiàn)有技術，能夠有效 的解決抗反射膜中鈦膜與金屬導體層的鋁直接出，從而能夠防止后續(xù)的制程中生成TiAl3 的情況，提高晶圓的電性，提高成品率，且工藝更加簡單合理。


圖1為現(xiàn)有方法進行抗反射膜沉積的步驟示意圖；圖2為采用本發(fā)明提出的方法進行抗反射膜沉積的步驟示意圖。
具體實施例方式下面根據(jù)附圖對本發(fā)明做進一步說明。本發(fā)明提出了一種抗反射膜的沉積方法，其流程如圖2所示，包括基底1的金屬 導電層2上依次沉積一阻隔層3、一層鈦Ti膜4、一層氮化鈦TiNx膜5。這樣可以如圖2所示，在金屬導體層2表面形成一個阻隔層3，可以防止鈦膜直接接觸鋁，以防止在后續(xù)的制 程中鈦與鋁反映導致的晶圓電性下降，良品率下降的問題。在上述實施例中，所述的阻隔層為氮化鈦11隊膜。氮化鈦膜不會影響后續(xù)的制程， 且現(xiàn)有技術中沉積氮化鈦膜的技術已經(jīng)很成熟，采用氮化鈦作為阻隔層非常方便。在上述實施例中，可以在同一真空室在金屬導體層表面分別沉積一層氮化鈦TiNx 膜、一層鈦Ti膜、一層氮化鈦TiNx膜。這樣有利于連續(xù)生產(chǎn)即第一個產(chǎn)品最后步驟是進 行氮化鈦膜沉積，在結(jié)束后真空倉內(nèi)已經(jīng)是氮化鈦的環(huán)境了，可以直接在第二個產(chǎn)品的表 面進行第一層氮化鈦阻隔層的沉積。這樣可以簡化流程、節(jié)約成本。在上述實施例中，還包括在所述真空室利用氮氣N2進行預燒，以使該真空腔內(nèi)變 為氮化鈦環(huán)境。這樣可以在第一次沉積時，在真空室實現(xiàn)氧化氮環(huán)境。當然，采用上述優(yōu)選技術方案只是為了便于理解而對本發(fā)明進行的舉例說明，本 發(fā)明還可有其他實施例，本發(fā)明的保護范圍并不限于此。在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的 情況下，所屬技術領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相 應的改變和變形都應屬于本發(fā)明的權利要求的保護范圍。
權利要求
一種抗反射膜的沉積方法，包括在金屬導電層上依次沉積一阻隔層、一層鈦Ti膜、一層氮化鈦TiNx膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的抗反射膜的沉積方法，其特征在于，所述阻隔層為氮化鈦 TiNx 膜。
3.根據(jù)權利要求1所述的抗反射膜的沉積方法，其特征在于，在同一真空室內(nèi)進行阻 隔層、氮化鈦TiNx膜、鈦Ti膜的沉積。
4.根據(jù)權利要求2所述的抗反射膜的沉積方法，其特征在于，在同一真空室內(nèi)進行氮 化鈦TiNx膜、鈦Ti膜、氮化鈦TiNx膜的沉積。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的抗反射膜的沉積方法，其特征在于，所述方法還包括 在所述真空室利用氮氣N2進行預燒，以使該真空腔內(nèi)變?yōu)榈伃h(huán)境。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種鈦及氮化鈦的沉積方法，針對現(xiàn)有技術中包括在金屬導電層上依次沉積一阻隔層、一層鈦Ti膜、一層氮化鈦TiNx膜。本發(fā)明相比較現(xiàn)有技術，能夠有效的解決抗反射膜中鈦膜與金屬導體層的鋁直接出，從而能夠防止后續(xù)的制程中生成TiAl3的情況，提高晶圓的電性，提高成品率，且工藝更加簡單合理。
文檔編號H01L21/02GK101894740SQ20091014338
公開日2010年11月24日 申請日期2009年5月22日 優(yōu)先權日2009年5月22日
發(fā)明者周烽, 徐忠良, 邵峰 申請人:和艦科技(蘇州)有限公司