專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地說(shuō)，涉及通過(guò)用 底部填充材料填充倒裝片鍵合半導(dǎo)體芯片所封裝的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
要安裝到襯底上的用于表面安裝(surface mounting)的元件具 有交錯(cuò)設(shè)置的多個(gè)突出電極。用于表面安裝的襯底具有形成于襯底基 體上并與突出電極相對(duì)應(yīng)的多個(gè)鍵合焊盤(pán)。在公開(kāi)了的一種結(jié)構(gòu)中， 每個(gè)鍵合焊盤(pán)包括具有預(yù)定的均勻?qū)挾鹊暮副P(pán)部分、以及從焊盤(pán)向下 一列鍵合焊盤(pán)延伸的尖端(tip)(例如見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)l)。
在公開(kāi)了的另一種結(jié)構(gòu)中，在用于倒裝片安裝(flip chip mounting)的襯底上，IC芯片的輪廓線的每條邊與IC芯片的絕緣保 護(hù)膜的開(kāi)口部分的邊緣之間的距離dl被形成為0.2到0.5 mm，并且 開(kāi)口部分的角部#_局部地寬闊地開(kāi)口 (例如見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
在公開(kāi)了的又一種結(jié)構(gòu)中，在倒裝片鍵合的半導(dǎo)體器件的襯底表 面上，用于限制底部填充材料的溢出范圍的框架形隔墻包圍住半導(dǎo)體 芯片的整個(gè)外圍，設(shè)置焊料球作為用于框架形隔墻外部的芯片的外部 連接端子。(例如見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。在半導(dǎo)體器件的角部和與之相對(duì) 置的框架形隔墻的角部之間的區(qū)域中，在阻焊劑層中進(jìn)行雕刻。
[專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2001-127198[專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2005-175113 [專(zhuān)利文獻(xiàn)31日本特開(kāi)2007_59596
用于通過(guò)突出電極將半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)與襯底的電極電耦接的 倒裝片鍵合認(rèn)為是滿(mǎn)足減小半導(dǎo)體器件尺寸之需求的一種技術(shù)。突出 電極包括由焊接材料形成的焊料凸起(solder bump)、以及利用柱狀 凸起鍵合(stud bump bonding)的由金線形成的金凸起等。倒裝片鍵 合與半導(dǎo)體芯片的平面區(qū)域中的襯底建立電耦接。這樣，倒裝片鍵合
不需要用于提供金線的區(qū)域，因此相比于使用金線將芯片與村底耦接 的引線鍵合，是用于減小半導(dǎo)體器件的尺寸的非常有效的技術(shù)。
因?yàn)榻鼇?lái)半導(dǎo)體器件在功能上變得越來(lái)越復(fù)雜，所以半導(dǎo)體芯片 上的焊盤(pán)的數(shù)量也在增加。作為用于增加半導(dǎo)體芯片上的焊盤(pán)數(shù)量的 技術(shù)之一，已知通過(guò)改變焊盤(pán)各自的列來(lái)交替設(shè)置焊盤(pán)(下文中稱(chēng)之 為"交錯(cuò)設(shè)置")，而不是線性設(shè)置焊盤(pán)。交錯(cuò)設(shè)置是通過(guò)將兩列線性 設(shè)置的焊盤(pán)在焊盤(pán)設(shè)置方向上移位一個(gè)焊盤(pán)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。如圖22所示， 作為對(duì)比例，在將半導(dǎo)體芯片上的鍵合焊盤(pán)交錯(cuò)設(shè)置以進(jìn)行倒裝片鍵 合的過(guò)程中，用于作為焊盤(pán)承載側(cè)的襯底的用于倒裝片鍵合的鍵合引 線也被形成為與鍵合焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的交錯(cuò)設(shè)置。此時(shí)，因?yàn)樾酒粋?cè)的 交錯(cuò)設(shè)置的焊盤(pán)節(jié)距(pad pitch)變小，所以布線板7—側(cè)的鍵合引 線7c同樣以小節(jié)距按交錯(cuò)方式設(shè)置。
因此，在布線板7的阻焊劑膜(絕緣膜)7f的開(kāi)口 7g中，交錯(cuò) 設(shè)置的用于倒裝片鍵合的每根鍵合引線7c的一端，即，其上安裝了 金凸起的部分，位于開(kāi)口7g中，并且其另一端通向引線布線7e并在 阻焊劑膜7f下延伸。這就是所謂的懸臂式引線形式(cantilever lead form)。換句話說(shuō)，對(duì)于以小節(jié)距交錯(cuò)設(shè)置著的鍵合引線7c，從空間 的觀點(diǎn)出發(fā)，難以在布線板7的阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中的相鄰鍵合 引線7c之間再提供另一根引線布線7e。每根鍵合引線7c的另一端被 耦接到從開(kāi)口 7g的內(nèi)側(cè)的每個(gè)邊引出的引線布線7e，并且引線的安 裝部分終止于開(kāi)口 7g的中心附近。
在通過(guò)金凸起進(jìn)行倒裝片鍵合的過(guò)程中，為了布線板7的倒裝片鍵合，事先在鍵合引線7c—側(cè)上形成焊料(焊料預(yù)涂層)是有效的。 此時(shí)，為了維持事先形成的焊料與金凸起之間的焊料連接的良好狀 態(tài)，優(yōu)選地在鍵合引線7c之上形成厚焊料層(焊料預(yù)涂層)7r，如對(duì) 比例的圖23所示。
下面說(shuō)明用于在以小節(jié)距設(shè)置的鍵合引線7c之上形成焊料層 (焊料預(yù)涂層)7r的方法的示例。粘性液體涂層(adhesive liquid coat) 被形成于用于形成鍵合引線7c的銅材料之上，并對(duì)其涂敷焊料粉(焊 料顆粒)。然后，對(duì)焊料粉施加助焊劑并進(jìn)行回流焊接?；亓骱附訉?焊料粉熔化以在引線上形成焊料層7r。該方法的有效性在于，即使節(jié) 距很小，也能在引線上均勻地形成焊料層7r (焊料預(yù)涂層)。
焊料形成方法被應(yīng)用于懸臂引線形式的鍵合引線7c，從而在鍵 合引線7c之上形成厚焊料層7r。在此情況下，附著在引線布線7e上 的焊料粉通過(guò)回流焊接被收集到鍵合引線7c上，從而在鍵合引線7c 之上形成厚焊料層7r。因此，通向開(kāi)口部分中的鍵合引線7c的引線 布線7e的暴露部分要長(zhǎng)，以確保焊接所需的焊料的量。在懸臂引線 形式的鍵合引線7c中，阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g要被寬闊地形成為大寬 度的開(kāi)口，以確保引線7e的長(zhǎng)的暴露部分。
本申請(qǐng)的發(fā)明人已經(jīng)考慮了，對(duì)于使用包括寬闊地形成于阻焊劑 膜中的開(kāi)口部分、和在開(kāi)口部分中交錯(cuò)設(shè)置所形成的懸臂引線形式的 鍵合引線的襯底倒裝片鍵合，用底部填充材料進(jìn)行填充。結(jié)果，發(fā)明 人發(fā)現(xiàn)了下列新問(wèn)題。
在倒裝片鍵合后用底部填充材料進(jìn)行填充的過(guò)程包括將底部填 充材料滴入到與半導(dǎo)體芯片的預(yù)定角部(在底部填充材料的注入側(cè)) 相對(duì)應(yīng)的阻焊劑膜的開(kāi)口部分中，并使得底部填充材料從所述角部滲 透到半導(dǎo)體芯片和襯底之間。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了以下問(wèn)題，即，在注入一 側(cè)的芯片的角部、以及芯片的對(duì)角方向上;^文置的芯片的排氣側(cè)的角部 的相應(yīng)的開(kāi)口部分附近，底部填充材料的涂敷(潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性)變 得不充分，這可能使得引線(引線布線)被暴露出來(lái)。
另外，當(dāng)引線被暴露時(shí)，半導(dǎo)體器件的可靠性可能降低。
8專(zhuān)利文獻(xiàn)1說(shuō)明了懸臂引線形式的鍵合焊盤(pán)，但未能說(shuō)明底部填
充材料的涂敷(潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性)問(wèn)題。專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)了一種結(jié)構(gòu)， 其中絕緣保護(hù)膜(阻焊劑膜)的開(kāi)口部分在角部處被加寬。在此情況 下，角部處的底部填充材料的涂敷(潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性)可能會(huì)劣化。 專(zhuān)利文獻(xiàn)3公開(kāi)了針對(duì)底部填充材料的溢出的措施，但未能說(shuō)明角部 處的底部填充材料的涂敷(潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供能夠改善半導(dǎo)體器件的可靠性的技術(shù)。
從本說(shuō)明書(shū)及其附圖的說(shuō)明中，本發(fā)明的上述目標(biāo)、其它目標(biāo)和 新穎特點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。
以下簡(jiǎn)述本申請(qǐng)中所公開(kāi)的發(fā)明的代表性方面的要點(diǎn)。 即，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包含襯底，其包括多個(gè)鍵合 引線，并具有形成在其表面之上的絕緣膜，所述鍵合引線被暴露于絕 緣膜的開(kāi)口；半導(dǎo)體芯片，其具有矩形平面形狀，并包括主表面和背 表面，在該主表面上形成有多個(gè)焊盤(pán)，所述背表面與主表面相對(duì)置， 半導(dǎo)體芯片以主表面對(duì)著村底的表面的方式通過(guò)形成于焊盤(pán)之上的 突出電極而被安裝于襯底的表面之上；底部填充材料，用于填充襯底 與半導(dǎo)體芯片之間的間隙；以及多個(gè)外部端子，其祐:設(shè)置于襯底的背 表面以用于與外部部分耦接。沿著半導(dǎo)體芯片的外圍形狀形成襯底的 絕緣膜的開(kāi)口 ，該開(kāi)口包括與半導(dǎo)體芯片的角部相對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口部 分、以及與第一開(kāi)口部分對(duì)置的第二開(kāi)口部分。在開(kāi)口的外側(cè)設(shè)置有 要與外部端子耦接的多個(gè)通孔。鍵合引線包括從通孔引出到開(kāi)口中的
引線布線、和安裝部分，突出電極安裝在該安裝部分上。在從襯底的 側(cè)邊的外側(cè)到開(kāi)口中的方向上引出的鍵合引線、和在從半導(dǎo)體芯片的 中心到開(kāi)口中的方向上引出的鍵合引線，在開(kāi)口中被交替地設(shè)置。襯 底的開(kāi)口被形成為具有四個(gè)角部的平面形狀的矩形，第一開(kāi)口部分具 有四個(gè)角部中的笫一角部，而第二開(kāi)口部分具有四個(gè)角部中的第二角部。第二角部和與之相鄰的半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離比第一角部 和與之相鄰的半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離短。
另外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含以下步驟 (a)制備襯底，該襯底包括多個(gè)鍵合引線，并具有形成于其表面之 上的絕緣膜，所述鍵合引線被暴露于絕緣膜的開(kāi)口； (b)將具有矩 形平面形狀并包括主表面和背表面的半導(dǎo)體芯片以主表面對(duì)著襯底 的表面的方式通過(guò)形成于焊盤(pán)之上的突出電極而被安裝于襯底的鍵 合引線之上，其中在所述主表面上形成有所述焊盤(pán)，所述背表面與主 表面相對(duì)置；(c)用底部填充材料填充村底與半導(dǎo)體芯片之間的間 隙；以及(d)在襯底的背表面上設(shè)置用于與外部部分耦接的多個(gè)外 部端子。沿著半導(dǎo)體芯片的外圍形狀形成村底的絕緣膜的開(kāi)口，該開(kāi) 口包括與半導(dǎo)體芯片的角部相對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口部分、以及與第一開(kāi)口 部分對(duì)置的第二開(kāi)口部分。在開(kāi)口的外側(cè)設(shè)置有要與外部端子耦接的 多個(gè)通孔。鍵合引線包括從通孔引出到開(kāi)口中的引線布線、和安裝部 分，突出電極安裝在該安裝部分上。在從村底的側(cè)邊的外側(cè)到開(kāi)口中 的方向上引出的鍵合引線、和在從半導(dǎo)體芯片的中心到開(kāi)口中的方向 上引出的鍵合引線，在開(kāi)口中被交替地設(shè)置。村底的開(kāi)口被形成為具 有四個(gè)角部的平面形狀的矩形，第一開(kāi)口部分具有四個(gè)角部中的第一 角部，而第二開(kāi)口部分具有四個(gè)角部中的第二角部。第二角部和與之 相鄰的半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離比第一角部和與之相鄰的半導(dǎo) 體芯片的角部之間的距離短。在步驟(c)中，底部填充材料從第一 開(kāi)口部分被滴入，使得襯底和半導(dǎo)體芯片之間的間隙被底部填充材料 所填充。
以下簡(jiǎn)述通過(guò)本申請(qǐng)中所公開(kāi)的發(fā)明的代表性方面所獲得的效果。
在將底部填充材料注入到半導(dǎo)體芯片上的過(guò)程中，在與排氣側(cè)的 角部相對(duì)應(yīng)的襯底的絕緣膜的第二開(kāi)口部分中，使第二開(kāi)口部分的角 部靠近半導(dǎo)體芯片，這能改善第二開(kāi)口部分處的底部填充材料的潤(rùn)濕 性和擴(kuò)展性。這樣，可以減少引線在第二開(kāi)口部分處的暴露，以改善半導(dǎo)體器件的可靠性。 附閨說(shuō)明


圖1為俯視圖，其穿過(guò)密封組件顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式
所述的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示例；
圖2為橫截面視圖，表示了沿圖1中A-A線觀察的結(jié)構(gòu)的示例； 圖3為局部放大的橫截面視圖，表示了圖2所示的A部分的結(jié)
構(gòu)的示例；
圖4為俯視圖，表示了圖l所示的半導(dǎo)體器件中所包含的襯底結(jié) 構(gòu)的示例；
圖5為局部放大的俯視圖，表示了圖4所示的A部分的結(jié)構(gòu)的
示例；
圖6為局部的橫截面視圖，表示了圖4所示的襯底結(jié)構(gòu)的示例； 圖7為局部放大的橫截面視圖，表示了圖6所示的A部分的結(jié) 構(gòu)的示例；
圖8為流程圖，表示了圖l所示的半導(dǎo)體器件的組裝過(guò)程的示例； 圖9為工藝流程圖，表示了圖8所示的組裝過(guò)程中的主要步驟的
示例；
圖10為工藝流程圖，表示了圖8所示的組裝過(guò)程中的其它主要 步驟的示例；
圖ll為局部放大的橫截面視圖，表示了在圖8所示的組裝過(guò)程 中，倒裝片鍵合之后的結(jié)構(gòu)的示例；
圖12為局部放大的橫截面視圖，表示了在圖8所示的組裝過(guò)程 中，固化底部填充材料之后的結(jié)構(gòu)的示例；
圖13為俯視圖，表示了用于圖8所示的組裝過(guò)程的底部填充步 驟中涂敷路徑的示例；
圖14為局部放大的橫截面視圖，表示了沿圖13中的A-A線觀 察的結(jié)構(gòu)的示例；
圖15為橫截面視圖，表示了沿本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第一修改例中半導(dǎo)體器件的上層(upper stage )的存儲(chǔ)器芯片的布線環(huán)(wire ring)方向觀察的結(jié)構(gòu)；
圖16為橫截面視圖，表示了沿圖15所示的半導(dǎo)體器件的下層 (lower stage)的存儲(chǔ)器芯片的布線環(huán)方向看過(guò)去的結(jié)構(gòu)；
圖17為俯視圖，表示了圖15所示的半導(dǎo)體器件中所包含的襯底 結(jié)構(gòu)的示例；
圖18為俯視圖，表示了第一實(shí)施方式的第二修改例中半導(dǎo)體器 件中所包含的襯底結(jié)構(gòu)的示例；
圖19為橫截面視圖，表示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式所述的 襯底結(jié)構(gòu)的示例；
圖20為流程圖，表示了圖19所示的半導(dǎo)體器件的組裝過(guò)程的示
例；
圖21為工藝流程圖，表示了圖20所示的組裝過(guò)程中的主要步驟 的示例；
圖22為局部放大的俯視圖，表示了對(duì)比例中的襯底上的鍵合引 線的設(shè)置；以及
圖23為局部放大的橫截面視圖，表示了沿圖22的A-A線觀察 的結(jié)構(gòu)的示例。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的下列實(shí)施方式中，除非必要，否則原則上在下文中將 省略對(duì)相同或相似部分的描述。
如果需要，為了方便，對(duì)實(shí)施方式的描述可以被劃分成多個(gè)部分 或者各自的實(shí)施方式，但除非特別指明，否則這些實(shí)施方式是彼此相 關(guān)的。實(shí)施方式之一與其它的實(shí)施方式相關(guān)，使其成為其它實(shí)施方式 的全部或一部分的修改例，或者為其它實(shí)施方式的補(bǔ)充描述或細(xì)節(jié)部 分。
另外，當(dāng)提到部件的數(shù)目等(包括零件數(shù)量、數(shù)值、量、范圍等) 時(shí)，原則上除非特別指明以及清楚限定時(shí)，否則實(shí)施方式不限于特定的數(shù)值，因此可以取與特定值相等或比特定值更大、或更小的值。
以下將基于附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。在用于解釋實(shí)
施方式的所有附圖中，具有相同功能的部件被用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)
注，因而下文中省略對(duì)其重復(fù)的說(shuō)明。 〖第一實(shí)施方式
圖1為俯視圖，其穿過(guò)密封組件顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式
的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示例。圖2為橫截面視圖，表示了沿圖1中A-A 線觀察的結(jié)構(gòu)的示例。圖3為局部放大的橫截面視圖，表示了圖2所 示的A部分的結(jié)構(gòu)的示例。圖4為俯視圖，表示了圖1所示的半導(dǎo)體 器件中所包含的襯底結(jié)構(gòu)的示例。圖5為局部放大的俯視圖，表示了 圖4所示的A部分的結(jié)構(gòu)的示例。圖6為局部的橫截面視圖，表示了 圖4所示的襯底結(jié)構(gòu)的示例。圖7為局部放大的橫截面視圖，表示了 圖6所示的A部分的結(jié)構(gòu)的示例。
圖l到3所示的第一實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件是具有被倒裝片 鍵合到襯底上的多管腳半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝。在第一實(shí)施方式 中，將在下文中說(shuō)明系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP )8作為半導(dǎo)體器件的一個(gè)示例， 其中所述SIP 8包括被倒裝片鍵合到襯底上的微型計(jì)算機(jī)芯片1、和 層疊在微型計(jì)算機(jī)芯片l上的第一存儲(chǔ)器芯片2。
下面說(shuō)明SIP8的結(jié)構(gòu)。SIP8包括布線板(襯底)7，其具有 表面(主表面，或者在上面安裝了芯片的表面)7a和與之相反的背表 面7b;微型計(jì)算機(jī)芯片(半導(dǎo)體芯片)1，其被倒裝片鍵合到布線板 7的表面7a上；第一存儲(chǔ)器芯片2，其被層疊于微型計(jì)算機(jī)芯片1上； 以及焊料球11,其被用作多個(gè)外部端子并且被設(shè)置于布線板7的背表 面7b上。即，如圖2和3所示，在安裝于布線板7的表面7a之上的 下層的微型計(jì)算機(jī)芯片l是面朝下安裝的，并且通過(guò)用作突出電極的 多個(gè)金凸起5被倒裝片鍵合于布線板7。相反地，在層疊于微型計(jì)算 機(jī)芯片l上的上層的第一存儲(chǔ)器芯片2是面朝上安裝的，并且通過(guò)膜 狀粘性材料6與微型計(jì)算機(jī)芯片l耦接。第一存儲(chǔ)器芯片2還通過(guò)多 個(gè)布線9 (比如，金線等)被電耦接到布線板7。在如圖3所示的微型計(jì)算機(jī)芯片1中，在主表面la上所形成的 用作表面電極的焊盤(pán)lc通過(guò)金凸起5被電耦接到布線板7的鍵合引 線7c。此時(shí)，金凸起5被耦接到形成于要與之電耦接的鍵合引線7c 上的焊料層7f。微型計(jì)算機(jī)芯片l設(shè)置有大量的焊盤(pán)，用于控制第一 存儲(chǔ)器芯片2和用于從外部器件接收信號(hào)和向外部器件發(fā)送信號(hào)。這 樣，設(shè)置在主表面la上的焊盤(pán)lc以交錯(cuò)設(shè)置的方式被設(shè)置于主表面 la的四條邊的相應(yīng)的邊緣上。
另一方面，在如圖l和2所示的第一存儲(chǔ)器芯片2中，形成在主 表面2a上的用作表面電極的焊盤(pán)2c通過(guò)布線9被電耦接到布線板7 的鍵合引線7c。
下層的微型計(jì)算機(jī)芯片1與布線板7的表面7a之間的間隙被底 部填充材料4所填充，如圖2所示，所述底部填充材料4為樹(shù)脂。底 部填充材料4填充圍繞金凸起5的區(qū)域，由此對(duì)倒裝片鍵合部分進(jìn)行 力口強(qiáng)。
由環(huán)氧樹(shù)脂等制成的密封部件10被形成于布線板7的表面7a 之上，由此用樹(shù)脂密封微型計(jì)算機(jī)芯片1、第一存儲(chǔ)器芯片2、和布 線9。
接下來(lái)，將在下文中說(shuō)明在SIP8上所安裝的布線板7的詳細(xì)結(jié) 構(gòu)。如圖4所示，阻焊劑膜7f是絕緣膜，并被形成于布線板7的表面 7a上。在圖4和5中，由陰影線所表示的區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)被阻焊劑膜7f 所覆蓋的區(qū)域。開(kāi)口 7g被形成于表面7a的中心附近的阻焊劑膜7f 處，呈矩形環(huán)狀。開(kāi)口 7g被形成為這樣的形狀(其平面形狀具有四 個(gè)角部的矩形)，即大體上沿著倒裝片鍵合的微型計(jì)算機(jī)芯片l的外 圍形狀延伸。用于倒裝片鍵合的鍵合引線7c被暴露于開(kāi)口 7g。因?yàn)?微型計(jì)算機(jī)芯片l的主表面la上的焊盤(pán)lc以小節(jié)距交錯(cuò)設(shè)置，所以 與之電耦接并與之相對(duì)應(yīng)的鍵合引線7c也以同樣地小節(jié)距交錯(cuò)排列 方式排列。即，通過(guò)金凸起5與微型計(jì)算機(jī)芯片1的焊盤(pán)lc耦接的 鍵合引線7c也以交錯(cuò)設(shè)置方式被設(shè)置。術(shù)語(yǔ)"交錯(cuò)設(shè)置"不是指焊盤(pán) 和引線的線性設(shè)置，而是通過(guò)改變焊盤(pán)的列和引線的列來(lái)交替設(shè)置焊盤(pán)和引線。另外，交錯(cuò)設(shè)置例如是通過(guò)將線性設(shè)置的兩列焊盤(pán)在焊盤(pán) 設(shè)置方向上移位一個(gè)焊盤(pán)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。此處所用的術(shù)語(yǔ)"小節(jié)距"是指小
于，例如，40拜的值。
另外，鍵合引線7c以小節(jié)距交錯(cuò)設(shè)置方式被并排地設(shè)置在布線 板7的阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中，使得在開(kāi)口 7g中，從空間的觀點(diǎn)出 發(fā)，難以在相鄰的鍵合引線7c之間再設(shè)置另一個(gè)引線布線7e。這樣， 每根鍵合引線7c包括從層間連接布線(通孔)7m到開(kāi)口 7g中的引 線布線7e和安裝部分7u，在該安裝部分7u上安裝了金凸起5。每根 引線7c的另一端被耦接到從開(kāi)口 7g內(nèi)側(cè)的每個(gè)邊引出的引線布線 7e，并且其一端、即在上面安裝有金凸起5的安裝部分7u終止于開(kāi) 口7g的中心附近，這就是所謂的懸臂引線形式。與每根鍵合引線7c 耦接的引線布線7e被耦接到層間連接布線7m等，并^皮耦接到每層的 或背表面7b的布線。
在通過(guò)金凸起5進(jìn)行倒裝片鍵合的過(guò)程中，為了布線板7的倒裝 片鍵合，事先在鍵合引線7c —側(cè)上形成由焊料等制成的焊料層7r(焊 料預(yù)涂層)是有效的。此時(shí)，為了在焊料與金凸起5之間維持狀態(tài)良 好的焊料連接，優(yōu)選地在鍵合引線7c之上形成厚焊料層(焊料預(yù)涂 層)7r，如圖7所示。
下面說(shuō)明用于在以小節(jié)距設(shè)置的鍵合引線7c之上形成半導(dǎo)體層 7r (焊料預(yù)涂層)的形成方法的示例。以下方法被稱(chēng)為形成方法。即， 在用于形成鍵合引線7c的銅材料之上形成粘性液體涂層，并且在上 面涂敷焊料粉(焊料顆粒)。然后，對(duì)焊料粉施加助焊劑，并進(jìn)行回 流焊接。焊料粉被熔化以在引線上形成焊料層7r。通過(guò)該方法形成第 一實(shí)施方式的布線板7的焊料層7r。
另外，焊料的形成方法被應(yīng)用于懸臂引線形式的鍵合引線7c， 諸如圖4所示的布線板7，從而在鍵合引線7c之上形成厚焊料層7r。 在此情況下，附著在引線布線7e上的焊料粉通過(guò)回流焊接被收集到 鍵合引線7c上，從而在鍵合引線7c之上形成厚焊料層7r，如圖6和 7所示。因此，引向阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中的用于倒裝片鍵合的鍵合引 線7c的引線布線7e的暴露部分要長(zhǎng)，以確保焊料的量。因此，在具 有用于倒裝片鍵合的懸臂引線形式的鍵合引線7c的布線板7中，阻 焊劑膜7f的其中設(shè)置有懸臂引線形式的鍵合引線7c的開(kāi)口 7g被形成 為大寬度的開(kāi)口。
在這樣的布線板7中，如圖4和5所示，從位于相對(duì)第一開(kāi)口部 分7h的芯片對(duì)角方向上的第二開(kāi)口部分7i的角部到微型計(jì)算機(jī)芯片 1的角部的距離，比從與底部填充材料4注入側(cè)的角部相對(duì)應(yīng)的第一 開(kāi)口部分7h的角部到與微型計(jì)算機(jī)芯片1的四個(gè)角相對(duì)應(yīng)的阻焊劑 膜7f的開(kāi)口 7g中的芯片1的角部的距離短。即，第二開(kāi)口部分7i的 第二角部7w和與之相鄰的微型計(jì)算機(jī)芯片l的角部之間的距離，比 第一開(kāi)口部分7h的第一角部7v和與之相鄰的芯片1的角部之間的距 離短。
即，如圖l所示，在阻焊劑膜7f上的開(kāi)口 7g的與微型計(jì)算機(jī)芯 片1的四個(gè)角部相對(duì)應(yīng)的四個(gè)開(kāi)口部分中，從位于關(guān)于底部填充材料 注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h的芯片對(duì)角方向上的排氣側(cè)的第二開(kāi)口部 分7i的角部到芯片l的角部的距離(L),比第一開(kāi)口部分7h的角 部到芯片1的角部的距離(M)短(L < M)。即，通過(guò)使第二開(kāi)口 部分7i的角部比底部填充材料注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h更靠近#:型 計(jì)算機(jī)芯片1，使得與微型計(jì)算機(jī)芯片1的排氣側(cè)的角部相對(duì)應(yīng)的阻 焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i變窄。
換句話說(shuō)，如圖5所示，阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i設(shè)置有 沿著微型計(jì)算機(jī)芯片1的外圍形狀形成的第一端部7p、和通向第一端 部7p并位于第一端部7p與芯片1的一個(gè)端部之間第二端部7q。第 二端部7q終止于第二開(kāi)口部分7i的角部處。此時(shí)，第二開(kāi)口部分7i 的第二端部7q沿著微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部形成，并且微型計(jì)算機(jī) 芯片1的端部與第二端部7q之間的距離為，例如，50fim。
這樣，通過(guò)使排氣側(cè)的阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i的角部比 底部填充材料注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h更靠近微型計(jì)算機(jī)芯片1 ，使阻焊劑膜7f的開(kāi)口部分變窄。這樣，第二開(kāi)口部分7i處的底部填充 材料4的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性可以因此被改善，以減少引線在第二開(kāi)口部 分7i處的暴露。
其結(jié)果是，改善了SIP8的可靠性。
開(kāi)口 7g具有第一側(cè)邊7A和第二側(cè)邊7B。第二角部7w對(duì)應(yīng)著 位于第 一側(cè)邊7A和芯片外沿之間并通向第 一側(cè)邊7A的笫三側(cè)邊7C 與位于第二側(cè)邊7B和芯片外沿之間并通向第二側(cè)邊7B的第四側(cè)邊 7D的交叉點(diǎn)。
如圖1所示，在組裝于第一實(shí)施方式的SIP8中的布線板7中， 從第三開(kāi)口部分7j的角部到微型計(jì)算機(jī)芯片1的相應(yīng)的角部的距離 (N)短于第一開(kāi)口部分7h處的距離(M)，而長(zhǎng)于第二開(kāi)口部分 7i處的距離(L) (L<N<M)。同樣地，在第四開(kāi)口部分7k處， 從第四開(kāi)口部分7k的角部到微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部的距離(N)短 于第一開(kāi)口部分7h處的距離(M),類(lèi)似于第三開(kāi)口部分7j，而長(zhǎng) 于第二開(kāi)口部分7i處的距離(L) (L<N<M)。
因此，在微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部與布線板7的阻焊劑膜7f的 開(kāi)口 7g中的笫一開(kāi)口部分7h、第二開(kāi)口部分7i、第三開(kāi)口部分7j、 和第四開(kāi)口部分7k中的每個(gè)的角部之間的距離中，與底部填充材料 注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h的距離(M)是最長(zhǎng)的，而與第三開(kāi)口部 分7j和第四開(kāi)口部分7k中的每個(gè)的距離(N)是第二長(zhǎng)的，而與排 氣側(cè)的第二開(kāi)口部分7i的距離(L)是最短的。
也就是說(shuō)，在阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中的與微型計(jì)算機(jī)芯片l的 相應(yīng)的角部相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部分的開(kāi)口面積之中，在底部填充材料注入 側(cè)的第一開(kāi)口部分7h處的開(kāi)口面積是最大的，而第三開(kāi)口部分7j和 第四開(kāi)口部分7k處的開(kāi)口面積是第二大的，而在排氣側(cè)的第二開(kāi)口 部分7i的面積是最小的。
如圖5所示，第一實(shí)施方式的布線板7中，在與微型計(jì)算機(jī)芯片 1的一個(gè)側(cè)邊相對(duì)應(yīng)的鍵合引線列的兩個(gè)端部都設(shè)有虛設(shè)引線 (dummy lead) 7n。焊料層7r在厚度上的變化根據(jù)圖案而變大。這涉及到用于形成焊料層7r的回流工藝中回流的對(duì)流。即，當(dāng)端部處 (最外側(cè))的引線被看作參考時(shí)，端部處的引線的兩側(cè)根據(jù)有或沒(méi)有 另一根引線而處于不同的條件之下。這造成了引線兩側(cè)回流不均勻的 對(duì)流?；亓鞯膶?duì)流不均勻的發(fā)生引起焊料粉被不均勻地附著到引線 上。這導(dǎo)致焊料膜或焊料層的厚度變化。在焊料層7r (焊料預(yù)涂層) 被形成于鍵合引線7c之上時(shí)，虛設(shè)引線7n用作傳遞在位于鍵合引線 列的最外側(cè)的引線中的焊料層7r的厚度上發(fā)生變化的現(xiàn)象。即，位 于最外側(cè)的虛設(shè)引線7n補(bǔ)償焊料層7r在厚度上的變化，由此使得位 于虛設(shè)引線7n內(nèi)側(cè)的鍵合引線7c上的焊料層7r厚度均勻化。
在布線板7中提供虛設(shè)引線7ii可以使鍵合引線7c上的焊料層 7r的厚度均勻化，從而改善SIP8的可靠性。
可以在鍵合引線列的端部處提供一根或更多根的虛設(shè)引線7n。 替代地，可以不提供虛設(shè)引線7n。當(dāng)不提供虛設(shè)引線7n時(shí)，取而代 之的是，端部處的引線可以被接地等。在很多情況下，產(chǎn)品具有多個(gè) 地。為此，即使端部處有一根引線的連接斷開(kāi)，對(duì)產(chǎn)品性能也幾乎沒(méi) 有影響。
如圖l和4所示，用于識(shí)別襯底的目標(biāo)標(biāo)記7s;故形成于第一實(shí) 施方式的布線板7中的阻焊劑膜7f的矩形環(huán)狀開(kāi)口 7g的三個(gè)角部處。 目標(biāo)標(biāo)記7s為安裝中用于識(shí)別村底的標(biāo)記，并且,皮形成為，比如，圓 形的引線圖案等，如圖l所示。目標(biāo)標(biāo)記7s的形狀可以為矩形或十字 形。目標(biāo)標(biāo)記7s可以被置于開(kāi)口 7g的外側(cè)。為了識(shí)別襯底，應(yīng)該在 布線板7中提供至少兩個(gè)目標(biāo)標(biāo)記7s，以便使用標(biāo)記7s檢測(cè)襯底在0 方向上的旋轉(zhuǎn)位置。可以像第一實(shí)施方式那樣提供三個(gè)標(biāo)記。在第一 實(shí)施方式的布線板7中，設(shè)置第一開(kāi)口部分7h、第三開(kāi)口部分7j、和 第四開(kāi)口部分7k。如圖l所示，微型計(jì)算機(jī)芯片l的角部靠近圓形目 標(biāo)標(biāo)記7s的中心。
如圖1和4所示，在第一實(shí)施方式中，在布線板7的表面7a的 預(yù)定的側(cè)邊的一個(gè)端部處，用于布線連接的端子7d沿該側(cè)邊形成為 一列。用于布線連接的端子7d被設(shè)置成列并被暴露于阻焊劑膜7r的開(kāi)口 7g。每個(gè)端子7d都通過(guò)布線9被電耦接到上層中的層疊于微型 計(jì)算機(jī)芯片l之上的第一存儲(chǔ)器芯片2的焊盤(pán)2c。
在第一實(shí)施方式的SIP8中，微型計(jì)算機(jī)芯片l和第一存儲(chǔ)器芯 片2由，例如，硅形成，并且每個(gè)半導(dǎo)體芯片都具有形成于其中的各 種集成電路或電路。布線9是，例如，金線。另外，密封部件10由， 例如，熱固性環(huán)氧樹(shù)脂等形成。
布線板7的鍵合引線7c和引線布線7e、用于布線連接的端子7d、 目標(biāo)標(biāo)記7s等包括，例如，銅制的圖案。
下面，參照?qǐng)D8所示的流程圖來(lái)說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件 (SIP 8)的組裝過(guò)程。
圖8為流程圖，表示了圖1所示半導(dǎo)體器件的組裝過(guò)程的示例。 圖9為工藝流程圖，表示了圖8所示的組裝過(guò)程中的主要步驟的示例。 圖IO為工藝流程圖，表示了圖8所示的組裝過(guò)程中的主要步驟的示 例。圖11為局部放大的橫截面視圖，表示了在圖8所示組裝過(guò)程中 倒裝片鍵合之后的結(jié)構(gòu)的示例。圖12為局部放大的橫截面視圖，表 示了在圖8所示組裝過(guò)程中固化底部填充材料之后的結(jié)構(gòu)的示例。圖 13為俯視圖，表示了圖8所示組裝過(guò)程的底部填充步驟中的用于涂敷 的路徑的示例。圖14為局部放大的橫截面視圖，表示了沿圖13中的 A-A線觀察的結(jié)構(gòu)的示例。
首先，在圖8所示的步驟S1中，涂敷焊料涂層以形成布線板7。 在布線板7中，表面7a上的要被暴露于阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中的用 于倒裝片鍵合的鍵合引線7c需要被設(shè)置為具有小節(jié)距的交錯(cuò)方式， 并分別被形成為懸臂引線形式。厚焊料層7r需要被形成于鍵合引線 7c上，如圖7所示。這樣，粘性液體涂層被形成于用于形成鍵合引線 7c的銅材料之上，并在其上涂敷焊料粉(焊料顆粒)。然后，對(duì)焊料 粉施加助焊劑，并進(jìn)行回流焊接，以將焊料粉熔化，從而在鍵合引線 7c上形成焊料層(焊料預(yù)涂層)7r。該方法被優(yōu)選地使用。
因此，在布線板7中，因?yàn)橛糜诘寡b片鍵合的各個(gè)鍵合引線7c 以懸臂引線形式被設(shè)置于阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中，所以阻烀劑膜7f的開(kāi)口 7g被寬闊地形成以具有大的寬度。在阻焊劑膜7f中，沿著安 裝在下層的微型計(jì)算機(jī)芯片l的外圍形狀，形成了矩形環(huán)狀的開(kāi)口 7g。 如圖4所示，用于倒裝片鍵合的鍵合引線7c以小節(jié)距按交錯(cuò)方式并 以懸臂引線形式被設(shè)置于開(kāi)口 7g中。在阻焊劑膜7f的與所安裝的微 型計(jì)算機(jī)芯片1的四個(gè)角部相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 7g中，通過(guò)使第二開(kāi)口部 分7i的角部比在底部填充材料注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h更靠近微型 計(jì)算機(jī)芯片1，使阻焊劑膜7f的與芯片l排氣側(cè)的角部相對(duì)應(yīng)的第二 開(kāi)口部分7i更窄。
換句話說(shuō)，在阻焊劑膜7f的沿著所安裝的微型計(jì)算機(jī)芯片1的 外圍形狀形成的開(kāi)口 7g中，只有在角部處的在底部填充材料注入側(cè) 的第一開(kāi)口部分7h相比其它部分要形成得更寬。即，如圖4所示， 在其中設(shè)置有鍵合引線7c的區(qū)域中，阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g被形成為 在其四個(gè)側(cè)邊處具有特定的寬度。即，當(dāng)其中設(shè)置有鍵合引線7c的 開(kāi)口 7g的區(qū)域被形成得更寬闊時(shí)，鍵合引線7c上的焊料涂層的量在 形成焊料層7r的過(guò)程中變得不均勻。為此，使其中設(shè)置有鍵合引線 7c的開(kāi)口 7g的寬度恒定。因此，使其中設(shè)置設(shè)置有鍵合引線7c的開(kāi) 口 7g區(qū)域的寬度恒定，這能夠向相應(yīng)的鍵合引線提供特定量的焊料。
如圖4所示，在布線板7中，在阻焊劑膜7f的矩形環(huán)狀開(kāi)口 7g 的笫一開(kāi)口部分7h、第三開(kāi)口部分7j、和第四開(kāi)口部分7k處形成用 于識(shí)別襯底的目標(biāo)標(biāo)記7s。
在焊料預(yù)涂工藝之后，在圖8所示的步驟S2中，進(jìn)行等離子體 清洗以清洗布線板7的表面。為了清洗焊料膜的表面和襯底的表面， 進(jìn)行等離子體清洗。清洗焊料膜的表面可以穩(wěn)定焊料的潤(rùn)濕(wetting) 以及焊料對(duì)金凸起的堆積。另外，清洗襯底的表面可以改善底部填充 材料4的滲透性并確保底部填充材料4在固化之后附著在襯底上。
另一方面，提供用于微型計(jì)算機(jī)芯片的微型計(jì)算機(jī)晶片，并在步 驟S3中進(jìn)行背面研磨以形成微型計(jì)算機(jī)芯片1。即，微型計(jì)算機(jī)晶片 的背面被拋光直至具有預(yù)定厚度為止。之后，在步驟S4中進(jìn)行切割 以獲得微型計(jì)算機(jī)芯片1。
20另外，還提供芯片托盤(pán)(chip tray)，并在步驟S5中進(jìn)行使用 芯片托盤(pán)的設(shè)置工藝。此時(shí)，通過(guò)切割工藝所獲得的微型計(jì)算機(jī)芯片 l被容納于芯片托盤(pán)中。
之后，在步驟S6中，提供Au線以進(jìn)行Au柱狀凸起鍵合。此時(shí)， 在每個(gè)微型計(jì)算機(jī)芯片1的主表面la上的焊盤(pán)lc上使用Au線形成 Au凸起5。
另一方面，在步驟S7中，提供用于存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器晶片并 進(jìn)行背面研磨，以形成第一存儲(chǔ)器芯片2。即，存儲(chǔ)器晶片的背面被 拋光直至存儲(chǔ)器晶片具有預(yù)定的厚度。
之后，在步驟S8中，提供管芯貼裝膜(DAF，或者膜狀粘合劑 6),并且進(jìn)行DAF安裝。即，DAF被接合到存儲(chǔ)器晶片的表面。
然后，在步驟S9中，進(jìn)行切割以獲得第一存儲(chǔ)器芯片2。
之后，通過(guò)圖9所示的襯底制備步驟，制備具有圖4所示結(jié)構(gòu)的 布線板7，以組裝SIP8。
首先，如圖8所示，在步驟S10中，進(jìn)行倒裝片鍵合。即，進(jìn)行 倒裝片鍵合和底部填充材料填充，如圖9所示。如圖11所示，布線 板7的鍵合引線7c通過(guò)金凸起5被耦接到微型計(jì)算機(jī)芯片1，使得微 型計(jì)算機(jī)芯片1被倒裝片鍵合到布線板7。此時(shí)，微型計(jì)算機(jī)芯片1 之上的金凸起5通過(guò)熱壓焊接被耦接到布錢(qián)板7的鍵合引線7c上的 焊料層7r。因?yàn)楹噶蠈?r在鍵合引線7c上形成得厚，所以可以確保 金凸起5與焊料之間的耦接強(qiáng)度。
在完成倒裝片鍵合之后，微型計(jì)算機(jī)芯片l以背表面lb朝上的 方式被安裝在布線板7的表面7a之上，如圖11所示。
之后，如圖8所示，在步驟Sll中執(zhí)行底部填充工藝。底部填充 材料4被滴入到與微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部相對(duì)應(yīng)的底部填充材料4 注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h中，并用底部填充材料4填充布線板7和 微型計(jì)算機(jī)芯片l之間的間隙。即，如圖14所示，底部填充材料4 從上方通過(guò)噴嘴12滴入到與微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部相對(duì)應(yīng)的底部 填充材料4注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h中。這樣，底部填充材料4從與微型計(jì)算機(jī)芯片1的第一開(kāi)口部分7h相對(duì)應(yīng)的一個(gè)角部滲透到微 型計(jì)算機(jī)芯片l和布線板7之間。即，底部填充材料4不是從微型計(jì) 算機(jī)芯片1的多個(gè)角部滲透，而是只從其一個(gè)角部滲透，這使得難以 形成孔隙(void)。
在施加底部填充材料的過(guò)程中，底部填充材料4通過(guò)噴嘴12被 滴入到通過(guò)開(kāi)出阻焊劑膜7f的大的開(kāi)口所形成的在底部填充材料注 入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h中，然后，在將噴嘴12按如圖13所示的噴 嘴12的軌跡13那樣沿著微型計(jì)算機(jī)芯片l的側(cè)邊移動(dòng)的同時(shí)，滴下 并施加底部填充材料4。此時(shí)，在到達(dá)微型計(jì)算機(jī)芯片l的同一側(cè)邊 的角部之前，停止噴嘴12的移動(dòng)，從而停止底部填充材料4的滴落。
即，使噴嘴12沿著微型計(jì)算機(jī)芯片l的邊移動(dòng)，然后在噴嘴12 到達(dá)同一側(cè)邊的端部(角部)前使其停止移動(dòng)。通過(guò)使噴嘴在下一個(gè) 角部之前停止，可以防止底部填充材料4以下一個(gè)角作為起點(diǎn)進(jìn)入到 芯片外圍。這樣，可以防止孔隙的發(fā)生。
如上所述，布線板7與微型計(jì)算機(jī)芯片1之間的間隙可以用底部 填充材料4填充，并且抑制孔隙的發(fā)生，如圖9和圖12中的倒裝片 鍵合和底部填充材料填充步驟中所示那樣。
根據(jù)第一實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件的組裝，在將底部填充材料 注入到微型計(jì)算機(jī)芯片l上的過(guò)程中，在與排氣側(cè)的微型計(jì)算機(jī)芯片 1的角部相對(duì)應(yīng)的布線板7的阻焊劑膜7f的笫二開(kāi)口部分7i中，使阻 焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i的角部靠近芯片1。這樣，在與微型計(jì)算 機(jī)芯片1的角部相對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口部分7i處，底部填充材料4的潤(rùn)濕 性和擴(kuò)展性可以得到改善。
即，使阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i的角部靠近微型計(jì)算機(jī)芯 片1，由于排氣側(cè)窄的第二開(kāi)口部分7i，有助于從噴嘴12沿著微型計(jì) 算機(jī)芯片1滴落的底部填充材料的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性。
這樣，可以減少引線在第二開(kāi)口部分7i處的暴露。
其結(jié)果，可以改善SIP8的可靠性。
在用底部填充材料填充之后，在圖8所示的步驟S12中，將底部填充材料固化。即，所填充的底部填充材料4在預(yù)定溫度下被加熱并 固化。
之后，在圖8所示的步驟S13中，進(jìn)行管芯接合(die bonding), 在圖9所示的管芯接合步驟中，第一存儲(chǔ)器芯片2被層疊于微型計(jì)算 機(jī)芯片1上。此時(shí)，第一存儲(chǔ)器芯片2被面朝上安裝，并層疊于面朝 下安裝的微型計(jì)算機(jī)芯片1的背表面lb上。即，如圖3所示，膜狀 粘合劑6被接合到第一存儲(chǔ)器芯片2的背表面2b，由此將微型計(jì)算機(jī) 芯片1的背表面lb與第一存儲(chǔ)器芯片2的背面2b相耦接。
然后，在圖8所示的步驟S14中進(jìn)行等離子體清洗，以清洗布線 板7的表面7a上的用于引線鍵合的端子7d等。
之后，在圖8所示的步驟S15中，提供Au線并進(jìn)行引線鍵合。 在圖9所示的引線鍵合步驟中，面朝上被層疊安裝于上層的第一存儲(chǔ) 器芯片2通過(guò)諸如金線的布線9被電耦接到布線板7等。即，如圖1 和2所示，第一存儲(chǔ)器芯片2的焊盤(pán)2c通過(guò)布線9被電耦接到布線 板7的用于引線鍵合的與該焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的端子7d。
然后，在圖8所示的步驟S16中，提供模塑樹(shù)脂材料并用所述材 料進(jìn)行模塑成形。在圖IO所示的模塑步驟中，可以通過(guò)由模塑樹(shù)脂 制成的密封部件IO用樹(shù)脂將微型計(jì)算機(jī)芯片1、第一存儲(chǔ)器芯片2、 布線9、底部填充材料4等密封起來(lái)。
在完成模塑之后，在圖8所示的步驟S17中進(jìn)行模塑固化。即， 所形成的密封部件IO在預(yù)定溫度下被加熱并固化。
然后，在圖8所示的步驟S18中，提供焊料球并安裝和清洗焊料 球。在圖10所示的焊料球焊接步驟中，用作外部端子的焊料球ll， 例如按柵格狀設(shè)置方式，被設(shè)置于布線板7的背表面7b上，并且通 過(guò)助焊劑清洗等進(jìn)行清洗。
然后，在圖8所示的步驟S19中進(jìn)行激光打標(biāo)，由此把與所需的 信息相關(guān)的標(biāo)記放在，例如，密封部件10的表面等上。
之后，在圖8所示的步驟S20中，進(jìn)行切片(piece cutting)。 在圖10所示的切片步驟中，密封部件10和布線板7被切成封裝件然后，通過(guò)在圖8所示的步驟S21中的分選處理，將封裝體的合 格品與不合格品分開(kāi)。另外，通過(guò)步驟S22中的外觀檢查處理，檢查 每個(gè)封裝件的外觀。
之后，在步驟S23中，進(jìn)行平整性和裝運(yùn)出貨檢查，在步驟S24 中進(jìn)行烘干，在步驟S25中進(jìn)行包裝，最終在步驟S26中將產(chǎn)品交貨。
下面，將說(shuō)明第一實(shí)施方式的修改例。
圖15為橫截面視圖，表示了在本發(fā)明第一實(shí)施方式的笫一修改 例中，沿半導(dǎo)體器件的上層的存儲(chǔ)器芯片的布線環(huán)方向觀察的結(jié)構(gòu)。 圖16為橫截面視圖，表示了沿圖15所示的下層的存儲(chǔ)器芯片的布線 環(huán)方向觀察的結(jié)構(gòu)。圖17為俯視圖，表示了圖15所示半導(dǎo)體器件中 所包含的襯底結(jié)構(gòu)的示例。圖18為俯視圖，表示了第一實(shí)施方式的 第二修改例中半導(dǎo)體器件中所包含的襯底結(jié)構(gòu)的示例。
圖15和16所示第一修改例的半導(dǎo)體器件為具有三層芯片層疊結(jié) 構(gòu)的SIP14，其包括倒裝片鍵合到布線板7的微型計(jì)算機(jī)芯片1、層 疊于微型計(jì)算機(jī)芯片l上的第一存儲(chǔ)器芯片2、和層疊于第一存儲(chǔ)器 芯片2上的第二存儲(chǔ)器芯片3。
在第一層的微型計(jì)算機(jī)芯片1的倒裝片結(jié)構(gòu)和第二層的第一存 儲(chǔ)器芯片2的引線焊接結(jié)構(gòu)方面，SIP 14的結(jié)構(gòu)與SIP8相同。SIP 14 還包括引線鍵合結(jié)構(gòu)被層疊于SIP 8第二層上的第一存儲(chǔ)器芯片2的 第二存儲(chǔ)器芯片3。
這樣，在SIP 14中，第一層的微型計(jì)算機(jī)芯片l被面朝下倒裝 片鍵合到布線板7的表面7a之上。第二層的第一存儲(chǔ)器芯片2被面 朝上安裝于微型計(jì)算機(jī)芯片1上，并被引線鍵合到布線板7。另外， 第三層上的第二存儲(chǔ)器芯片3被面朝上安裝于第一存儲(chǔ)器芯片2上， 并被引線鍵合到布線板7。即，第二層上的第一存儲(chǔ)器芯片2的主表 面2a被耦接到第三層上的第二存儲(chǔ)器芯片3的背表面3b，并且笫二 存儲(chǔ)器芯片3的主表面3a面朝上。這樣，形成于主表面3a上的焊盤(pán) 3c朝上暴露著。因此，第二存儲(chǔ)器芯片3也具有能夠被引線鍵合的結(jié)構(gòu)。
第二層的第一存儲(chǔ)器芯片2和第三層的第二存儲(chǔ)器芯片3被分別 安裝，使得第一存儲(chǔ)器芯片2的引線鍵合部分處的布線環(huán)的方向與第 二存儲(chǔ)器芯片3的相差90度。即，如圖17所示，在布線板7中，在 表面7a上所提供的用于對(duì)第二層的第一存儲(chǔ)器芯片2引線鍵合的一 列端子7d,和用于對(duì)第三層第二存儲(chǔ)器芯片3引線鍵合的一列端子 7t，沿著布線板的相互成卯度的側(cè)邊設(shè)置。在圖17中，由陰影線所 包含的區(qū)域是被阻焊劑膜7f所覆蓋的區(qū)域。
這樣，可以進(jìn)行引線鍵合，使得引線鍵合中，第二層的第一存儲(chǔ) 器芯片2的布線環(huán)方向與引線焊接中第三層上的第二存儲(chǔ)器芯片3的 布線環(huán)方向相差90度。第二層的第一存儲(chǔ)器芯片2和第三層的第二 存儲(chǔ)器芯片3兩者都能被引線鍵合。
使SIP 14的布線板7表面7a上的阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分 7i的角部靠近第一層的微型計(jì)算機(jī)芯片1。這樣，當(dāng)在組裝SIP14的 過(guò)程中注入底部填充材料時(shí)，通過(guò)使排氣側(cè)的第二開(kāi)口部分7i變窄， 從噴嘴12滴落的底部填充材料4易于沿微型計(jì)算機(jī)芯片1的側(cè)壁潤(rùn) 濕和擴(kuò)展。
這樣，可以減少引線在第二開(kāi)口部分7i處的暴露，由此《象SIP8 那樣改善SIP 14的可靠性。
在圖18所示的第二修改例中，用于識(shí)別的目標(biāo)標(biāo)記7s被形成于 布線板7中阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g外側(cè)。標(biāo)記7s被形成于矩形環(huán)狀開(kāi) 口 7g的三個(gè)角部外側(cè)。任意兩個(gè)或更多的標(biāo)記可以被形成于開(kāi)口 7g 外側(cè)。在圖18中，由陰影線所表示的區(qū)域是由阻焊劑膜7f所覆蓋的 區(qū)域。
在開(kāi)口 7g外側(cè)形成目標(biāo)標(biāo)記7s可以使開(kāi)口 7g變窄以使開(kāi)口 7g 的一些角部靠近微型計(jì)算機(jī)芯片l(見(jiàn)圖1)。圖18的第二修改例中， 在布線板7的阻焊劑膜7f的與微型計(jì)算機(jī)芯片1的四個(gè)角部相對(duì)應(yīng)的 開(kāi)口 7g的四個(gè)部分之中，除了底部填充材料注入側(cè)的第一開(kāi)口部分 7h以外，開(kāi)口 7g的其它三個(gè)部分中每個(gè)部分的片1的相應(yīng)角部的距離比從第一開(kāi)口部分7h的角部到芯片1的相應(yīng) 角部的距離更短。
即，在形成為矩形環(huán)形狀的開(kāi)口 7g的四個(gè)部分之中，使開(kāi)口 7g 的三個(gè)部分(第二開(kāi)口部分7i，第三開(kāi)口部分7j，和第四開(kāi)口部分7k) 中的每個(gè)部分的角部形成得小，以靠近微型計(jì)算機(jī)芯片l的相應(yīng)的角 部，這可以改善開(kāi)口 7g的每個(gè)角部處的底部填充材料4的潤(rùn)濕性和 擴(kuò)展。
這樣，可以減少引線在開(kāi)口 7g的三個(gè)部分(第二開(kāi)口部分7i， 第三開(kāi)口部分7j，和第四開(kāi)口部分7k)處的暴露，這可以進(jìn)一步改善 半導(dǎo)體器件的可靠性。
[第二實(shí)施方式
圖19為橫截面視圖，表示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式所述的半 導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的示例。圖20為流程圖，表示了圖19所示半導(dǎo)體器 件的組裝過(guò)程的示例。圖21為工藝流程圖，表示了圖20所示組裝過(guò) 程中的主要步驟的示例。
圖19所示的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件包括被倒裝片鍵合于布 線板7的微型計(jì)算機(jī)芯片1，像第一實(shí)施方式中所述的SIP 8那樣。 半導(dǎo)體器件是被稱(chēng)為"層疊封裝(POP; package on package) 15"的 系統(tǒng)級(jí)封裝型半導(dǎo)體器件，其中具有存儲(chǔ)器芯片的另 一個(gè)封裝被安裝 在第一封裝16上，第一封裝16具有在其上倒裝片鍵合有微型計(jì)算機(jī) 芯片1的布線板7。
以下說(shuō)明POP 15的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。POP 15包括下層的第一封裝16 和上層的多芯片封裝17，其中，第一封裝16具有倒裝片鍵合在布線 板7上的微型計(jì)算機(jī)芯片1，多芯片封裝17被安裝在第一封裝16上 并具有第一存儲(chǔ)器芯片2和層疊在第一存儲(chǔ)器芯片2上的第二存儲(chǔ)器 芯片3。
第一封裝16包括布線板7;微型計(jì)算機(jī)芯片1,其通過(guò)金凸起 5被倒裝片鍵合到布線板7的表面7a;底部填充材料4，其被用來(lái)填 充布線板7和芯片l之間的倒裝片鍵合部分；以及焊料球ll，其被用作POP 15的外部端子并被設(shè)置在布線板7的背表面7b上。
另一方面，多芯片封裝17包括封裝村底18，其由膜基體(filmbase)等制成；第一存儲(chǔ)器芯片2,其面朝上安裝在封裝襯底18的表面18a上；第二存儲(chǔ)器芯片3，其面朝上安裝在第一存儲(chǔ)器芯片2上；布線9，其用于將第一和第二存儲(chǔ)器芯片2和3電耦接到封裝襯底18;以及密封部件10，其用于將各個(gè)存儲(chǔ)器芯片和布線9用樹(shù)脂密封起來(lái)。另外，在封裝村底18的背表面18b上設(shè)置MCP球電極19作為的多芯片封裝17的外部端子。MCP球電極19也#>電耦接到下層的第一封裝16的布線板7。
即，MCP球電極19每個(gè)都作為上層的多芯片封裝17的外部端子，也作為用于將下層的第一封裝16電耦接到上層的多芯片封裝17的端子。
在POP15中，第一封裝16和多芯片封裝17被各自獨(dú)立組裝，并將封裝體的合格品與不合格品分開(kāi)。這些相應(yīng)的封裝體的合格品被組合到一起，這能夠有利地改善POP 15的成品率。
另外，在POP 15的下層的第一封裝16的布線板7中，使阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i的角部靠近微型計(jì)算機(jī)芯片1，就像圖1所示的第一實(shí)施方式的SIP 8的布線板7那樣，由此使排氣側(cè)的第二開(kāi)口部分7i的開(kāi)口程度變窄。這樣，在第二開(kāi)口部分7i處的底部填充材料4的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性可以得到改善，從而減少引線在第二開(kāi)口部分7i處的暴露。
其結(jié)果，可以改善POP15的可靠性。
接下來(lái)，在下文中參照?qǐng)D20中的流程圖說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件(POP 15)的組裝過(guò)程。
首先，在圖20所示的步驟S31中，涂敷焊料涂層以形成下層的第一封裝16的布線板7。在第一封裝16的布線板7中，像圖l所示的布線板7那樣，要被暴露于表面7a的阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中的用于倒裝片鍵合的鍵合引線7c需要以小節(jié)距按交錯(cuò)方式設(shè)置，并分別被形成為懸臂引線形式。另外，厚焊料層7r需要被形成于鍵合引線7c上，如圖7所示。這樣，粘性液體涂層被形成于用于形成鍵合引線 7c的銅材料之上，并在其上涂敷焊料粉(焊料顆粒)。然后，對(duì)焊料 粉施加助焊劑，并進(jìn)行回流焊接以將焊料粉熔化，從而在鍵合引線7c 上形成焊料層(焊料預(yù)涂層)7r。該方法被優(yōu)選地使用。
因此，在布線板7中，因?yàn)槿鐖Dl所示的各個(gè)用于倒裝片鍵合的 鍵合引線7c以懸臂引線形式被設(shè)置于阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中，所以 阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g被寬闊地形成以具有大寬度。在阻焊劑膜7f中， 沿著所安裝的微型計(jì)算機(jī)芯片l的外圍形狀，形成矩形環(huán)狀的開(kāi)口 7g。 如圖4所示，用于倒裝片鍵合的鍵合引線7c以小節(jié)距按交錯(cuò)方式并 以懸臂引線形式被設(shè)置于開(kāi)口 7g中。在與所安裝的微型計(jì)算機(jī)芯片1 的四個(gè)角部相對(duì)應(yīng)的阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中，通過(guò)讓第二開(kāi)口部分 7i的角部比底部填充材料注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h更靠近微型計(jì)算 機(jī)芯片1，使與微型計(jì)算機(jī)芯片1的排氣側(cè)的角部相對(duì)應(yīng)的阻焊劑膜 7f的第二開(kāi)口部分7i更窄。
換句話說(shuō)，在沿著所安裝的微型計(jì)算機(jī)芯片1的外圍形狀形成的 阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g中，只有在角部處的在底部填充材料注入側(cè)的 第一開(kāi)口部分7h相比其它開(kāi)口部分要形成得更寬。即，如圖4所示， 在其內(nèi)設(shè)置有鍵合引線7c的區(qū)域中，阻焊劑膜7f的開(kāi)口 7g被形成為 在四個(gè)側(cè)邊具有特定的寬度。即，如果其內(nèi)設(shè)置有鍵合引線7c的開(kāi) 口 7g的區(qū)域相比其它區(qū)域被形成得更寬闊，鍵合引線7c上的焊料涂 層的量在形成焊料層7r的過(guò)程中就變得不均勻。為此，使其內(nèi)設(shè)置 有鍵合引線7c的開(kāi)口 7g區(qū)域的寬度恒定。因此，使其內(nèi)設(shè)置有鍵合 引線7c的開(kāi)口 7g區(qū)域的寬度恒定，這能夠向各個(gè)鍵合引線7c提供特 定量的焊料。
在焊料涂敷工藝之后，在圖20所示的步驟S32中，進(jìn)行等離子 體清洗以清洗布線板7。
另一方面，提供用于微型計(jì)算機(jī)芯片的晶片，并在步驟S33中進(jìn) 行背面研磨以形成微型計(jì)算機(jī)芯片1。即，晶片的背面被拋光直至晶 片具有預(yù)定厚度。之后，在步驟S34中進(jìn)行切割以獲得微型計(jì)算機(jī)芯片1。
另外，還提供芯片托盤(pán)，并在步驟S35中進(jìn)行使用芯片托盤(pán)的設(shè)置處理。此時(shí)，通過(guò)切割處理所獲得的微型計(jì)算機(jī)芯片l被容納于芯片托盤(pán)中。
然后，在步驟S36中，提供Au線以進(jìn)行Au柱狀凸起鍵合。此時(shí)，使用An線在每個(gè)微型計(jì)算機(jī)芯片1的主表面la上的焊盤(pán)lc上形成Au凸起5。
之后，通過(guò)圖21所示的襯底制備步驟，制備具有與圖4所示同樣結(jié)構(gòu)的布線板7，由此組裝SIP15。
首先，如圖20所示，在步驟S37中，進(jìn)行倒裝片鍵合。即，如圖21所示，進(jìn)行倒裝片鍵合底部填充材料填充步驟。像第一實(shí)施方式那樣，如圖11所示，布線板7的鍵合引線7c通過(guò)金凸起5被耦接到微型計(jì)算機(jī)芯片1，使得微型計(jì)算機(jī)芯片l被倒裝片鍵合到布線板7。此時(shí)，微型計(jì)算機(jī)芯片1之上的金凸起5與布線板7的鍵合引線7c上的焊料層7r通過(guò)熱壓焊接被相互耦接。因?yàn)樵阪I合引線7c上形成厚的焊料層7r，所以可以確保金凸起5和焊料之間的耦接強(qiáng)度。
在完成倒裝片鍵合之后，微型計(jì)算機(jī)芯片l以背表面lb朝上的方式被安裝在布線板7的表面7a之上，如圖11所示。
然后，在圖20所示的步驟S38中，執(zhí)行底部填充工藝。底部填充材料4被滴到與微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部相對(duì)應(yīng)的底部填充材料4注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h中，并用底部填充材料4填充布線板7和微型計(jì)算機(jī)芯片l之間的間隙。即，如圖14所示，底部填充材料4被從上方通過(guò)噴嘴12滴到與微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部相對(duì)應(yīng)的底部填充材料4注入側(cè)的第一開(kāi)口部分7h中。這樣，底部填充材料4從與微型計(jì)算機(jī)芯片1的第一開(kāi)口部分7h相對(duì)應(yīng)的一個(gè)角部滲透到微型計(jì)算機(jī)芯片l和布線板7之間的間隙。即，底部填充材料4不是從微型計(jì)算機(jī)芯片1的多個(gè)角部滲透，而是只從其一個(gè)角部滲透，這能夠使得難以形成孔隙。
于是，底部填充材料4以與第一實(shí)施方式中的相同方式被填充。這樣，布線板7與微型計(jì)算機(jī)芯片1之間的間隙可以用底部填充
材料4填充，并且抑制孔隙的發(fā)生，如圖21以及圖12中的倒裝片鍵
合和底部填充材料填充步驟中所示那樣。
根據(jù)由第二實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件的組裝，像第一實(shí)施方式
那樣，在注入底部填充材料的過(guò)程中，在排氣側(cè)，在與微型計(jì)算機(jī)芯 片1的角部相對(duì)應(yīng)的布線板7的阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i中， 使阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i的角部靠近微型計(jì)算機(jī)芯片1 。這樣， 在與微型計(jì)算機(jī)芯片1的角部相對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口部分7i處，底部填充 材料4的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性可以得到改善。
即，使阻焊劑膜7f的第二開(kāi)口部分7i的角部靠近微型計(jì)算機(jī)芯 片1，通過(guò)讓排氣側(cè)的第二開(kāi)口部分7i變窄，有助于從噴嘴12沿著 微型計(jì)算機(jī)芯片1的側(cè)邊滴落的底部填充材料的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性。
這樣，可以減少引線在第二開(kāi)口部分7i處的暴露，這可以改善 下層的第一封裝16的可靠性，以及POP15的可靠性。
在用底部填充材料4填充之后，在圖20所示的步驟S39中，將 底部填充材料固化。即，在預(yù)定溫度下將所填充的底部填充材料4加 熱并固化。
然后，在圖20所示的步驟S40中，提供焊料球，并安裝和清洗 焊料球。在圖21所示的焊料球鍵合步驟中，用作外部端子的焊料球 11例如按柵格狀設(shè)置方式被設(shè)置于布線板7的背表面7b上，并且通 過(guò)助焊劑清洗等進(jìn)行清洗。
然后，在圖20所示的步驟S41中進(jìn)行激光打標(biāo)，由此將，例如， 與所需信息相關(guān)的標(biāo)記放在布線板7的表面等上。
然后，在圖20所示的步驟S42中進(jìn)行切片。在圖21所示的切片 步驟中，布線板7被切成封裝體。
之后，通過(guò)在圖20所示的步驟S43中的分選處理，將第一封裝 16的合格品與不合格品分開(kāi)。
然后，在圖20所示的步驟S44中，提供要安裝在上層的多芯片 封裝17的合格品，并進(jìn)行預(yù)堆疊。即，在圖21所示的預(yù)堆疊步驟中，多芯片封裝17的合格品被安裝在選中的第一封裝16的合格品上，以完成POP 15。
然后，在圖20所示的步驟S45中的分選處理中，將POP 15的合格品與不合格品分開(kāi)。另外，通過(guò)步驟S46中的外觀檢查處理，檢查POP 15的外觀。
之后，在步驟S47中進(jìn)行平整性和出貨檢查，在步驟S48中進(jìn)行烘干，在步驟S49中進(jìn)行包裝，最終在步驟S50中將產(chǎn)品交貨。
盡管以上基于示例性實(shí)施方式就發(fā)明者所做的發(fā)明進(jìn)行了具體的說(shuō)明，但是本領(lǐng)域中技術(shù)人員能夠理解的是，發(fā)明并不限與此，而可以在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的前提下做出各種修改。
比如，在第一實(shí)施方式的說(shuō)明中，當(dāng)在布線板7中，關(guān)于從開(kāi)口7g的四個(gè)角部到微型計(jì)算機(jī)芯片1的相應(yīng)的角部的距離，用M表示離第一開(kāi)口部分7h的距離，用L表示離第二開(kāi)口部分7i的距離，用N表示離第三開(kāi)口部分7j的距離，以及用N表示離第四開(kāi)口部分7k的距離時(shí)，滿(mǎn)足下列關(guān)系L < N < M (離第一開(kāi)口部分7h的距離=M，離第二開(kāi)口部分7i的距離=L，并且離第三開(kāi)口部分7j的距離-N，離第四開(kāi)口部分7k的距離=N)。排氣側(cè)的第二開(kāi)口部分7i的形狀可以與第三開(kāi)口部分7j或第四開(kāi)口部分7k的形狀相同。即，可以滿(mǎn)足下列關(guān)系離第二開(kāi)口部分7i的距離=N，離第二開(kāi)口部分7i的距離=離第三開(kāi)口部分7j的距離-離第四開(kāi)口部分7k的距離=N〈離第一開(kāi)口部分7h的距離-M。同樣，在此情況下，該^沒(méi)置可以改善在排氣側(cè)的第二開(kāi)口部分7i處的底部填充材料4的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性。
本發(fā)明適合用于采用底部填充材料的電子裝置中。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體器件，包括襯底，其包括多個(gè)鍵合引線，并具有形成在其表面之上的絕緣膜，所述鍵合引線被暴露于所述絕緣膜的開(kāi)口；半導(dǎo)體芯片，其具有矩形平面形狀，并包括主表面和背表面，在該主表面上形成有多個(gè)焊盤(pán)，所述背表面與所述主表面相對(duì)置，所述半導(dǎo)體芯片以所述主表面對(duì)著所述襯底的表面的方式通過(guò)形成于所述焊盤(pán)之上的突出電極而被安裝于所述襯底的表面之上；底部填充材料，用于填充所述襯底與所述半導(dǎo)體芯片之間的間隙；以及多個(gè)外部端子，其被設(shè)置于所述襯底的背表面以用于與外部部分耦接，其中，沿著所述半導(dǎo)體芯片的外圍形狀形成所述襯底的所述絕緣膜的開(kāi)口，該開(kāi)口包括與所述半導(dǎo)體芯片的角部相對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口部分、以及與第一開(kāi)口部分對(duì)置的第二開(kāi)口部分，在所述開(kāi)口的外側(cè)設(shè)置有要與外部端子耦接的多個(gè)通孔，所述鍵合引線包括從所述通孔引出到所述開(kāi)口中的引線布線、和安裝部分，所述突出電極安裝在該安裝部分上，在從所述襯底的側(cè)邊的外側(cè)到所述開(kāi)口中的方向上引出的所述鍵合引線、和在從所述半導(dǎo)體芯片的中心到所述開(kāi)口中的方向上引出的所述鍵合引線，在所述開(kāi)口中被交替地設(shè)置，所述襯底的開(kāi)口被形成為具有四個(gè)角部的平面形狀的矩形形狀，其中第一開(kāi)口部分具有四個(gè)角部中的第一角部，第二開(kāi)口部分具有四個(gè)角部中的第二角部，以及所述第二角部和與之相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離比所述第一角部和與之相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離短。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中， 所述開(kāi)口具有第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，以及所述第二角部是位于所述第一側(cè)邊與所述芯片的外緣之間并通 向所述第一側(cè)邊的第三側(cè)邊、與位于所述第二側(cè)邊與所述芯片的外緣 之間并通向所述第二側(cè)邊的第四側(cè)邊的交叉點(diǎn)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二角部沿 著連接所述半導(dǎo)體芯片的中心與所述半導(dǎo)體芯片的相應(yīng)的角部的對(duì) 角線放置。 .
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在村底的與所述 半導(dǎo)體芯片的一個(gè)側(cè)邊相對(duì)應(yīng)的鍵合引線列的兩個(gè)端部處都設(shè)置有未耦接到通孔的虛設(shè)引線。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述襯底的所 述絕緣膜的所述開(kāi)口中形成有用于識(shí)別的多個(gè)目標(biāo)標(biāo)記。
6、 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含以下步驟a、 制備襯底，該襯底包括多個(gè)鍵合引線，并具有形成于其表面 之上的絕緣膜，所述鍵合引線被暴露于所述絕緣膜的開(kāi)口；b、 將具有矩形平面形狀并包括主表面和背表面的半導(dǎo)體芯片以 所述主表面對(duì)著所述襯底的表面的方式，通過(guò)形成于多個(gè)焊盤(pán)之上的 突出電極而被安裝于所述襯底的所述鍵合引線之上，其中在所述主表 面上形成有所述焊盤(pán)，所述背表面與所述主表面相對(duì)置；c、 用底部填充材料填充所述襯底與所述半導(dǎo)體芯片之間的間隙；以及d、 在所述襯底的所述背表面上^:置用于與外部部分耦接的多個(gè) 外部端子，其中，沿著所述半導(dǎo)體芯片的外圍形狀形成所述襯底的所述絕緣 膜的所述開(kāi)口 ，所述開(kāi)口包括與所述半導(dǎo)體芯片的角部相對(duì)應(yīng)的第一 開(kāi)口部分、以及與所述第一開(kāi)口部分對(duì)置的第二開(kāi)口部分，在所述開(kāi)口的外側(cè)設(shè)置要與外部端子耦接的多個(gè)通孔，所述鍵合引線包括從所述通孔引出到所述開(kāi)口中的引線布線、和 安裝部分，所述突出電極安裝在該安裝部分上，在從所述襯底的側(cè)邊的外側(cè)到所述開(kāi)口中的方向上引出的所述鍵合引線、和在從所述半導(dǎo)體芯片的中心到所述開(kāi)口中的方向上引出 的所述鍵合引線，在所述開(kāi)口中被交替地設(shè)置，所述襯底的所述開(kāi)口被形成為具有四個(gè)角部的平面形狀的矩形形狀，其中，第一開(kāi)口部分具有四個(gè)角部中的第一角部，而第二開(kāi)口部 分具有四個(gè)角部中的第二角部，所述第二角部和與之相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離 比所述第一角部和與之相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離短， 以及在步驟C中，所述底部填充材料從所述第一開(kāi)口部分被滴入，使 得所述襯底和所述半導(dǎo)體芯片之間的間隙被所述底部填充材料所填 充。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中， 所述開(kāi)口具有第 一 側(cè)邊和第二側(cè)邊，所述第二角部是位于所述第一側(cè)邊與所述芯片的外緣之間并通 向所述第一側(cè)邊的第三側(cè)邊、與位于所述第二側(cè)邊與所述芯片的外緣 之間并通向所述第二側(cè)邊的第四側(cè)邊的交叉點(diǎn)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述 第二角部沿著連接所述半導(dǎo)體芯片的中心與所述半導(dǎo)體芯片的相應(yīng)的角部的對(duì)角線設(shè)置。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在步 驟c中，所述底部填充材料被從所述第一開(kāi)口部分滴下，同時(shí)將噴嘴 沿著所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)邊移動(dòng)，并且在所述底部填充材料到達(dá)所述 半導(dǎo)體芯片的同 一側(cè)邊的角部之前，停止所述底部填充材料的滴下。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，與沿 著所述半導(dǎo)體芯片的外圍形狀而形成的所述絕緣膜的所述開(kāi)口中的 任何其它的部分相比，所述第一開(kāi)口部分形成得更寬闊。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在襯 底的與所述半導(dǎo)體芯片的一個(gè)側(cè)邊相對(duì)應(yīng)的鍵合引線列的兩個(gè)端部處都設(shè)置有未耦接到通孔的虛設(shè)引線。
12、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所 述襯底的所述絕緣膜的所述開(kāi)口中形成有用于識(shí)別的多個(gè)目標(biāo)標(biāo)記。
13、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所 述襯底的所述絕緣膜的所述開(kāi)口外形成有用于識(shí)別的多個(gè)目標(biāo)標(biāo)記。
14、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述襯 底的所述第一角部和與之相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的角部之間的距離 比所述襯底其它三個(gè)角部中的每個(gè)和與之相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的 角部之間的距離長(zhǎng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有改善了的可靠性的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括布線板；通過(guò)金凸起被倒裝片鍵合到布線板之上的微型計(jì)算機(jī)芯片；層疊于微型計(jì)算機(jī)芯片之上的第一存儲(chǔ)器芯片；用于將第一存儲(chǔ)器芯片耦接到布線板的布線；用來(lái)填充微型計(jì)算機(jī)芯片的倒裝片接合部分的底部填充材料；和用于用樹(shù)脂密封微型計(jì)算機(jī)芯片和第一存儲(chǔ)器芯片的密封部件。另外，使與填充底部填充材料過(guò)程中的排氣側(cè)的芯片的角部相對(duì)應(yīng)的布線板的阻焊劑膜的第二開(kāi)口部分的角部靠近微型計(jì)算機(jī)芯片，這能夠改善在第二開(kāi)口部分處底部填充材料的潤(rùn)濕性和擴(kuò)展性，從而減少引線在第二開(kāi)口部分處的暴露，由此改善半導(dǎo)體器件的可靠性。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101593735SQ200910145648
公開(kāi)日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2009年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月29日
發(fā)明者岡田三香子, 太田祐介, 杉山道昭, 石川智和 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技