專利名稱：處理裝置的制作方法
處理裝置
技術(shù)區(qū)域
本發(fā)明涉及在處理容器內(nèi)向例如FPD (平板顯示器)用的玻璃基 板等的被處理體供給處理氣體，并通過該處理氣體，對上述被處理體 進行規(guī)定的處理的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在LCD (Liquid Crystal Display:液晶顯示裝置)的制造工序中，具 有對玻璃基板上形成的鋁(Al)膜進行蝕刻處理的工序。對于進行該 工序的蝕刻處理裝置的一個例子根據(jù)圖12進行簡單的說明，圖中1是 真空腔室，在該真空腔室1的內(nèi)部，設(shè)置有用于載置作為被處理體的 例如FPD基板S (以下，簡稱為基板S)的載置臺11，并且以與該載 置臺11相對的方式設(shè)置有成為上部電極的處理氣體供給部12。而且， 從處理氣體供給部12向真空腔室1的內(nèi)部供給例如氯(Cl2)系氣體構(gòu) 成的蝕刻氣體，經(jīng)過排氣流路13，用沒有圖示的真空泵對真空腔室1 內(nèi)進行真空抽吸，另一方面，通過從高頻電源14向上述載置臺11施 加高頻電力，在基板S的上方空間形成蝕刻氣體的等離子體，由此對 基板S進行蝕刻處理。
但是，Al膜的蝕刻中，供給速率，即因為蝕刻氣體的供給量和蝕 刻量成比例，所以通過負荷效果使基板S周邊部的蝕刻速度變得極快， 產(chǎn)生蝕刻量變多的現(xiàn)象。也就是說，在圖13中，在用符號15表示的 基板S的周邊部，從作為蝕刻劑的Cl自由基來看，和用符號16表示 的相同面積的中央?yún)^(qū)域相比蝕刻面積大約是一半，因此如果用與供給 中央?yún)^(qū)域16的流量相同的流量供給蝕刻氣體，那么與中央?yún)^(qū)域16相 比，周邊部15的蝕刻量大約是其的2倍。
因此，如圖12和圖14 (a)所示，采用通過設(shè)置包圍基板S的周 圍的整流部件17，用整流部件17遮住基板S的周邊部附近的蝕刻氣體 流，在基板S的周圍形成氣體積存區(qū)域的對策。通過這種方法，使該區(qū)域的蝕刻氣體的流速降低，可以在基板面內(nèi)提高蝕刻速度的均一性。
但是，如果設(shè)置這樣的整流部件17，則當整流部件17的上端例如 比從設(shè)置于真空腔室1的側(cè)壁部的搬入搬出口 IO搬入的基板S的搬送 高度高時，搬送中的基板S和整流部件17互相干涉。因此，例如如圖 14 (b)所示，使整流部件17自由升降，通過使整流部件17從載置臺 11升起而形成的間隙搬入搬出基板S。
這里，整流部件17構(gòu)成為，，例如將由陶瓷制的板材構(gòu)成的4塊 整流壁171組合，形成框架，該框架以包圍基板S的形式被載置在載 置臺11上。在這4塊中的例如相對的2塊整流壁171的側(cè)面，以向載 置臺11的外部伸出的方式設(shè)置有突出部172，在各個突出部172的下 表面連接有支撐整流部件17的支撐棒181。而且，通過升降機構(gòu)18 上下移動各個支撐棒181,可以升降整個整流部件17。
另一方面，近幾年來，F(xiàn)PD基板S的大型化日益推進，例如開發(fā) 出了處理一邊邊長在2米以上的基板S的蝕刻處理裝置。這樣的蝕刻 處理裝置中，對于包圍基板S的整流部件17也需要其是一個邊的邊長 在2米以上的大型部件，特別是構(gòu)成整流部件17的整流壁171，為了 達到抑制對真空腔室1中形成的等離子體的影響的目的，其由上述的 陶瓷制成，因此各整流壁171的重量化會明顯。
這里，如圖15(a)所示，形成到上緣的高度"h"例如為50mm-150mm 程度的細長的四邊形(角形)形狀的整流壁171,支撐其兩端從載置臺 ll上升的情況下，其長度"L"例如是2米以上，重量化的整流壁171 由于其自重會出現(xiàn)中央部彎曲的情況。如果整流壁171彎曲，例如如 圖15 (b)所示，整流壁171的中央部會向下方鼓出，妨礙基板S的搬 送；或者如圖15 (c)所示，在載置臺11上載置整流部件17時，從整 流部件17彎曲的中央部接觸載置臺11，形成所謂的"單邊接觸"的狀 態(tài)，重復(fù)這個動作，整流部件17和載置臺11可能會在局部磨損而產(chǎn) 生灰塵，或破損。
這一點，例如現(xiàn)有的整流部件17，如圖14 (a)等所示，通過以 突出部172支撐其4個角的下緣部，使加載在整流壁171上的負荷平 均化，來避免特定的整流壁171上加有過大的自重而使彎曲變大的情 況。但是近年的基板S的大型化，通過分散負荷的對應(yīng)來減輕彎曲是不夠的，需要更進一步的針對重量化的對策。
為了減輕伴隨重量化的彎曲，雖然可以考慮將如圖15 (a)所示的 整流部件17的高度"h"加大來提高相對重力方向的整流部件17的剛 性的方法，但是，由于伴隨整流部件17的進一步的重量化，使升降機 構(gòu)18的負擔變大，會需要更新驅(qū)動系統(tǒng)。而且，在維護蝕刻處理裝置 等情況下，現(xiàn)狀是可以通過例如手工作業(yè)來進行整流部件17的拆卸、 安裝，但是，伴隨著重量化有可能需要起重機等機械，維護性就會惡 化。
另一方面，由于支撐整流壁171的兩端而引起中央部彎曲的情況 下，可以考慮在發(fā)生彎曲的位置追加支撐棒181支撐整流壁171的方 法。但是，如果在4塊整流壁171上全都設(shè)置支撐棒181以及其升降 機構(gòu)18，不僅從成本上升的觀點來考慮是不合適的，而且在追加的支 撐棒181和已有的支撐棒181之間會產(chǎn)生新的彎曲。而且，例如如果 在配置在基板S的搬入搬出口 10的一側(cè)的整流壁171的中央部設(shè)置支 撐棒181，那么基板S搬入搬出時，會產(chǎn)生該支撐棒181成為障礙，使 基板S不能搬入搬出的問題。
這里，專利文獻1中記載了使相當于四邊形基板的4個角的部分 的高度變得最高的整流部件，而且，專利文獻2中記載了相當于上述4 個角的區(qū)域的整流壁的上部開口，形成蝕刻氣體流路的整流部件。但 是，這些技術(shù)的任意一個只是以提高蝕刻的面內(nèi)均一性為目的的技術(shù)， 對于伴隨整流壁的大型化發(fā)生的彎曲的解決方法沒有任何記載。
專利文獻1日本特幵2000-315676第0021-0023段圖1-圖3 專利文獻2 日本特開2003-243364第0056段圖9

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這樣的情況，其目的是提供一種可以減輕設(shè)置在被處 理體周圍的整流壁的彎曲的處理裝置。
本發(fā)明的處理裝置包括設(shè)置在處理容器的內(nèi)部，用于載置被處 理體的載置臺；用于供給來自該載置臺上方側(cè)的處理氣體，對載置于 該載置臺上的被處理體進行處理的處理氣體供給單元；用于排出上述 處理容器內(nèi)氣體的氣體排氣部；連接有多個沿著上述載置臺上的被處理體的各邊延伸的整流壁，并以包圍該被處理體的方式構(gòu)成的整流部
件；以及支撐上述整流壁兩端部的支撐部件。上述整流壁構(gòu)成為，其 上緣形成為向該整流壁的中央部逐漸變高的形狀，下緣形成為與上述 載置臺的上面平行。
這里，上述整流壁的上緣優(yōu)選形成為，向該整流壁的中央部例如 以拱形形狀等方式連續(xù)地變高或者階梯逐漸變高。
而且，另一發(fā)明的處理裝置包括設(shè)置在處理容器的內(nèi)部，用于 載置被處理體的載置臺；用于供給來自該載置臺上方側(cè)的處理氣體， 并對載置在該載置臺上的被處理體實行處理的處理氣體供給單元；用 于排出上述處理容器內(nèi)氣體的氣體排氣部；連接有多個沿著上述載置 臺上的被處理體的各邊延伸的整流壁，并以包圍該被處理體的方式構(gòu) 成的整流部件；以及支撐上述整流壁的兩端部的支撐部件。上述整流 壁由第一塊狀部件和第二塊狀部件接合而構(gòu)成，其中，第二塊狀部件 接合在該第一塊狀部件的上方或者下方的至少一側(cè)，其利用比構(gòu)成該 第一塊狀部件的材料的密度低的材料構(gòu)成，上述第一塊狀部件的上下 方向的尺寸形成為面向該整流壁的中央部逐漸變大。
這里，上述第一塊狀部件的上下方向的尺寸優(yōu)選形成為向上述整 流壁的中央部連續(xù)或者階梯狀地變大；優(yōu)選上述第一塊狀部件是陶瓷 制，上述第二塊狀部件是多孔質(zhì)陶瓷制。
而且，在上述列舉的各個處理裝置中具有升降機構(gòu)，該升降機構(gòu) 通過使上述支撐部件升降，使上述整流部件在上述載置臺的上表面和 該載置臺的上方的位置之間升降。這些處理裝置優(yōu)選上述被處理體是 四邊形基板，上述整流壁為沿著該四邊形基板的各邊伸出的結(jié)構(gòu)。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，由于構(gòu)成整流部件的整流壁的上緣面向該整流壁的 中央部逐漸變高，在彎曲最大的中央部能夠有效地減輕彎曲的發(fā)生， 另一方面，彎曲不象中央部那么大的兩側(cè)的區(qū)域，由于整流壁的上緣 比中央部低，可以抑制整流壁的重量的增加。由于具備這些特征，即 使是配置在大型被處理體周圍的整流部件，也能夠減輕整流壁的中央 部的彎曲，避免搬入搬出時被處理體和這些部件產(chǎn)生沖突的故障。而且，難以發(fā)生整流部件以單邊接觸的狀態(tài)載置在載置臺上的狀況，可 以避免因單邊接觸而產(chǎn)生的磨損、灰塵、破損等故障，可以進行面內(nèi) 均一性良好的蝕刻處理。


圖1是表示實施方式的蝕刻處理裝置的構(gòu)成的縱向剖面圖。
圖2是表示上述蝕刻處理裝置的處理容器的內(nèi)部構(gòu)造的俯視圖。
圖3是表示上述處理容器的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。
圖4是表示設(shè)置在上述處理容器內(nèi)的整流部件的整流壁的構(gòu)成例
、圖5是表示上述蝕刻處理裝置的作用的縱向剖面圖。 圖6是表示上述整流壁的變形例的側(cè)視圖。 圖7是表示第二實施方式的蝕刻處理裝置的構(gòu)成例的立體圖。 圖8是表示上述第二實施方式的整流壁的構(gòu)成例的側(cè)視圖。 圖9是表示第三實施方式的蝕刻處理裝置的構(gòu)成例的立體圖。 圖IO是表示上述第三實施方式的整流壁的構(gòu)成例的側(cè)視圖。 圖11是表示上述第三實施方式的整流壁的變形例的側(cè)視圖。 圖12是表示現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的構(gòu)成的縱向剖面圖。 圖13是用上述現(xiàn)有的蝕刻處理裝置處理的基板的俯視圖。 圖14是表示現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的處理容器內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。 圖15是表示設(shè)置在上述現(xiàn)有的蝕刻處理裝置的整流部件的整流壁
符號說明
S FPD基板(基板)
2、 2a、 2b蝕刻處理裝置
3載置臺
4上部電極
5整流部件
7控制部
20處理容器21側(cè)壁部
22搬入搬出口
23門閥
24排氣流路
32絕緣材料
33聚焦環(huán)
34升降銷
35升降機構(gòu)
40氣體噴淋頭
41上部電極基底
42氣體擴散空間
43處理氣體供給流路
44處理氣體供給部
45氣體供給孔
51、 51a~51g整流壁
52支撐部件
53支撐棒
61升降機構(gòu)
62升降板
63波紋管
171整流壁
172突出部
181支撐棒
511第一塊狀部件
512第二塊狀部件
具體實施例方式
以下，參照圖1 圖3對本實施方式的蝕刻處理裝置2的構(gòu)成進行 說明。圖1的縱向剖面圖顯示的蝕刻處理裝置2，是對被處理體，例如 作為四邊形的FPD基板的基板S的表面上形成的鋁(Al)膜實施蝕刻 處理的裝置。蝕刻處理裝置2，在其內(nèi)部具有作為用于對基板S進行蝕刻處理的 真空腔室的處理容器20。本實施方式的蝕刻處理裝置2，例如為了至 少可以處理長邊是2m以上的大型四邊形基板，處理容器20的平面形 狀例如為四邊形，例如水平截面的一邊形成為3.5m左右的大小，另一 邊可以形成為3.0m左右的大小。處理容器20例如由鋁等熱傳導(dǎo)性以 及導(dǎo)電性良好的材質(zhì)構(gòu)成，并且將該處理容器20接地。而且，在處理 容器20的一個側(cè)壁部21上，形成有用于將基板S搬入處理容器20內(nèi) 的搬入搬出口 22，該搬入搬出口 22通過門閥23可以自由開閉。
在處理容器20的內(nèi)部，配置有在其上面載置基板S的載置臺3。 載置臺3與等離子體發(fā)生用的第一高頻電源部311以及等離子體中的 離子引入用的第二高頻電源部312電連接，起到使處理容器20內(nèi)產(chǎn)生 等離子體，并將該等離子體中的離子引入基板S表面的作用。載置臺3 借助絕緣部件32配置在處理容器20的底面上，由此作為下部電極的 載置臺3成為與處理容器20電絕緣的狀態(tài)。
而且，載置臺3上表面的周邊部以及側(cè)面，為了在載置臺3的上 四邊形成均一的等離子體，通過由陶瓷材料構(gòu)成的聚焦環(huán)33覆蓋。聚 焦環(huán)33起到調(diào)整基板S的周邊區(qū)域的等離子體狀態(tài)的作用，例如起到 在基板S上集中等離子體，提高蝕刻速度的作用。
而且，載置臺3上，設(shè)置有用于在設(shè)置于外部的未圖示的搬送裝 置和該載置臺3之間交接基板S的升降銷34。升降銷34與用于使其從 載置臺3的表面可以自如突出沒入的升降機構(gòu)35相連接，在交接基板 S的位置與上述載置區(qū)域之間可以升降基板S。
另一方面，在載置臺3的上方，以與該載置臺的上表面相對的方 式，設(shè)有平板狀的上部電極4，該上部電極4支撐在方板狀的上部電極 基座41上。這些上部電極4以及上部電極基座41，例如由鋁構(gòu)成，由 于上部電極基座41的上表面與處理容器20的頂棚部連接，由此上部 電極4與處理容器20處于電導(dǎo)通狀態(tài)。而且，由這些上部電極基座41 以及上部電極4包圍的空間構(gòu)成蝕刻氣體的氣體擴散空間42。下面， 將這些上部電極4、氣體擴散空間42統(tǒng)一稱作氣體噴淋頭40，本實施 方式中，通過該氣體噴淋頭40構(gòu)成處理氣體供給單元。
在處理容器20的頂棚部，以連接上述氣體擴散空間42的方式設(shè)
10有處理氣體供給流路43，該處理氣體供給流路43的另一端側(cè)連接處理 氣體供給部44。而且，從處理氣體供給部44向氣體擴散空間42供給 蝕刻氣體時，該蝕刻氣體通過設(shè)置于上部電極4的氣體供給孔45供給 至基板S上方的處理空間中，由此，就可以對基板S進行蝕刻處理。 另一方面，構(gòu)成排氣部的排氣流路24的一端側(cè)與處理容器20的底壁 連接，其另一端側(cè)例如與未圖示的真空泵連接。
而且，本實施方式的蝕刻處理裝置2具有負荷對策用的整流部件 5，該整流部件5為可以減輕伴隨基板S的大型化而在構(gòu)成該整流部件 5的整流壁51上產(chǎn)生的彎曲的結(jié)構(gòu)。下面，對該整流部件5進行詳細 的說明。
如圖2、 3所示，整流部件5是以沿著載置臺上的基板S的各邊延 伸的方式配置有4塊整流壁51，并通過連接這些整流壁51形成為四邊 形框狀的部件。整流壁51彼此例如可以用陶瓷制的未圖示的卡合工具 或螺栓固定，也可以用陶瓷粘合劑等固定。
在四邊形的整流部件5的四角的下緣部，設(shè)有從搬入搬出口 22看， 從分別位于左右兩側(cè)的整流壁51向左右兩側(cè)水平突出的例如氧化鋁燒 結(jié)體等陶瓷制的板狀支撐部件52，在這些支撐部件52的前端部，連接 有用于通過該支撐部件52使整流部件5升降的支撐棒53。各個支撐棒 53貫通處理容器20的底面，通過升降板62與設(shè)置在處理容器20外部 的升降機構(gòu)61連接。而且，通過這些升降機構(gòu)61，使支撐棒53同步 升降，由此，可以使整流部件5在載置臺3的上表面和其上方的位置 之間升降。在這里，在支撐棒53貫通處理容器20的部位，設(shè)有例如 與該處理容器20和升降板62連接，并覆蓋支撐棒53的波紋管63,可 以維持處理容器20內(nèi)的真空度。
從搬入搬出口 22搬入搬出的基板S，借助使整流部件5上升而形 成的與載置臺3之間的間隙進行搬送，但是升降整流部件5的支撐棒 53由于支撐部件52的介入，從搬入搬出口 22看，從整流壁51左右分 離設(shè)置，這樣可以不與這些支撐棒53相干涉而搬送基板S。另外，在 圖1中，為了方便起見，圖示了與搬入搬出口22相對的整流壁51上， 設(shè)置有支撐部件52和支撐棒53的情況，但是，實際上如上所述，也 可以在不與搬入搬出口 22相對的整流壁51上設(shè)置這些部件。這里，在使整流部件5從載置臺3上升的狀態(tài)下，如果對施加在 各個整流壁51的力進行觀察，則整流壁51在由支撐部件52支撐兩端 的狀態(tài)下，施加有基于自重的等分布的負荷。根據(jù)這樣的負荷，將由 支撐部件52支撐的部位作為端部的情況下，在相鄰的2個端部間的中 央部，整流壁51的彎曲最大，不采取任何減輕措施的情況下，會成為 與背景技術(shù)中用圖15 (b)說明的現(xiàn)有的整流壁171相同的狀態(tài)。這樣 的整流壁51的彎曲會成為搬入基板S時的障礙，或成為對載置臺3單 邊接觸的原因，這種擔心正如背景技術(shù)中說明的那樣。
因此，如圖4所示，本實施方式的整流壁51以長度方向的中央部 成為最高部的方式形成為其上緣逐漸變高的形狀，例如拱形形狀。圖4 的虛線，表示現(xiàn)有尺寸的整流壁171的上緣的高度位置，但本實施方 式的整流壁51中，在彎曲最大的中央部，整流壁51比現(xiàn)有的高，因 此在該位置上使整流壁51的剛性提高，有效地減輕彎曲的發(fā)生。另一 方面，在彎曲不像中央部那么大的端部側(cè)的區(qū)域，由于整流壁51的上 緣與現(xiàn)有的整流壁171是同等的高度，因此可以抑制整流壁51整體重 量的增加。另外，由于整流壁51是用于遮擋住蝕刻氣體流，形成氣體 積存的部件，所以其下緣以與載置臺3的上面平行的方式，形成為直 線狀。
整流壁51例如由氧化鋁燒結(jié)體等的陶瓷構(gòu)成，在端部側(cè)的兩端位 置的上緣的高度"h"，例如是與現(xiàn)有的整流壁171同等高度的10mm 70mm，更優(yōu)選是30mm 50mm的程度；在中央部的最高位置的上緣 的高度"h'"，優(yōu)選是30mm 100mm，更優(yōu)選是50mm 80mm的程度。 這里，該上緣的高度范圍，適合于整流壁51的長度"L"優(yōu)選為2m 4m，更優(yōu)選為2.5m 3.5m的情況。
返回到蝕刻處理裝置2的整體說明，如圖1所示，蝕刻處理裝置2 與控制部7相連接?？刂撇?例如由具有未圖示的CPU和程序的計算 機構(gòu)成，程序中編有與該蝕刻處理裝置2的作用有關(guān)的、也就是與從 向處理容器20內(nèi)搬入基板S并對載置在載置臺3上的基板S進行蝕刻 處理到搬出的動作有關(guān)的控制等的步驟(命令)組。該程序存儲在例 如硬盤、移動硬盤、磁光纖盤、存儲卡等存儲媒介上，然后安裝到計 算機上。下面，對與本實施方式相關(guān)的蝕刻處理裝置2的動作進行說明。 首先通過未圖示的操作部，如果用戶對控制部7選擇目的蝕刻處理的 加工菜單，那么在控制部7中基于該加工菜單向蝕刻處理裝置2的各 部輸出控制信號，這樣對基板S進行規(guī)定的蝕刻處理。另外，下面說 明中使用的圖5 (a)，圖5 (b)中，為了圖示的方便，適當省略了支 撐部件52，各個升降機構(gòu)(支撐棒53、升降機構(gòu)61、升降銷34等) 的記載。
首先，如圖5 (a)所示，在向處理容器20內(nèi)搬入基板S之前，使 各個升降機構(gòu)61動作，使支撐棒53上升，在把整流部件5抬升至整 流部件5的下端不干涉基板S的搬送路徑的高度位置的狀態(tài)下待機。 然后打開門閥23，通過未圖示的外部搬送單元，將表面形成有鋁膜的 基板S搬入處理容器20內(nèi)，并搬送至載置臺3的載置區(qū)域的上方側(cè)的 交接位置。這時，如上所述，由于整流部件5由難以彎曲的整流壁51 構(gòu)成，所以可以確保整流部件5和載置臺3之間有使基板S通過的足 夠的間隙。
基板S到達交接位置后，使升降銷34上升，從搬送單元向該升降 銷34交接基板S，交接完基板S的搬送單元退出至處理容器20外，使 升降銷34下降，基板S被載置在載置臺3的載置區(qū)域。然后，通過門 閥23關(guān)閉搬入搬出口 22，另一方面，各個升降機構(gòu)61使支撐棒53 動作，將整流部件5載置在載置臺3上。
然后，如圖5 (b)所示，使真空泵運轉(zhuǎn)，將處理容器20的內(nèi)部空 間調(diào)整到規(guī)定的壓力，從已述的處理氣體供給部44向基板S吐出蝕刻 處理用的蝕刻處理氣體、例如氯氣。而且，從第一，第二的高頻電源 部311、 312向載置臺3供給高頻電力，在基板S的上方側(cè)的空間形成 等離子體，基于下述(1)式表示的主要反應(yīng)對基板S進行蝕刻處理。
3C1 *+A1—A1C13." (1)
從氣體噴淋頭40供給的蝕刻氣體，在處理容器20內(nèi)下降，到達 基板S，在其表面進行蝕刻處理。而且，蝕刻氣體沿著基板S的表面流 向周邊部側(cè)，當?shù)竭_環(huán)繞基板S載置的整流部件5的整流壁51時，氣 流被遮擋住。通過以整流壁51遮擋氣流，該整流壁51的內(nèi)側(cè)區(qū)域， 即基板S的周邊部蝕刻氣體的流速變慢，形成氣體積存區(qū)域，可以使
13基板s周邊部的蝕刻速度變慢。結(jié)果，與基板s的中央側(cè)的蝕刻速度
差變小，抑制了負荷效果。
這時，由于該整流壁51是難以彎曲的構(gòu)造，可以防止例如整流部 件5以單邊接觸的狀態(tài)載置在載置臺3上。
整流部件5的內(nèi)側(cè)形成的氣體積存，很快超過整流壁51而向整流 壁5的外側(cè)溢流，通過聚焦環(huán)33 (載置臺3)和處理容器20之間的空 間，流入排氣流路24，向處理容器20的外側(cè)排氣。這樣，如果基于加 工菜單進行了規(guī)定時間的蝕刻處理，則停止蝕刻氣體和高頻電力的供 給，使處理容器20內(nèi)的壓力恢復(fù)到原來的狀態(tài)后，以與搬入時相反的 順序?qū)⒒錝從載置臺3交接給外部的搬送單元，從蝕刻處理裝置2 搬出，停止一系列的蝕刻處理。這個基板S的搬出和搬入時一樣，因 為整流壁51難以彎曲，在基板S搬出時，可以確保與載置臺3之間具 有充分的間隙，可以順利的搬出基板S。
根據(jù)本實施方式，可以得到以下的效果。由于構(gòu)成整流部件5的 整流壁51的上緣向該整流壁51的中央部逐漸地變高，例如為拱形形 狀，因此在彎曲最大的中央部能夠有效地減輕彎曲的發(fā)生，另一方面， 在彎曲不像中央部那么大的，例如兩端部側(cè)的區(qū)域，由于整流壁51的 上緣與現(xiàn)有的整流壁171是同等的高度，可以抑制整流壁51的重量的 增加。由于具備這些特征，即使是配置在例如長邊是2m以上的基板S 周圍的整流部件5，也可以減輕整流壁51的中央部的彎曲，可以避免 搬入搬出時基板S與這些部件沖突的問題。而且，也難以產(chǎn)生在載置 臺3上以單邊接觸的狀態(tài)下載置整流部件5的狀況，可以避免例如因 單邊接觸而產(chǎn)生的磨損、灰塵、破損等問題，進行面內(nèi)均一性良好的 蝕刻處理。
這里，本實施方式中，整流部件51的上緣形成"面向中央部逐漸 變高的形狀"，如圖4所示，整流壁51的上緣不限定于沿著弧狀連續(xù) 變化的拱形形狀，還包括例如圖6 (a)所示的整流壁51a的上緣階梯 狀變化的情況，和如圖6 (b)所示的通過整流壁51b那樣，通過直線 傾斜連續(xù)變化的情況。
下面，對第二實施方式進行說明。如圖7，圖8所示，第二實施方 式的蝕刻處理裝置2a的整流壁51c的上緣，與該整流壁51c的兩端相比，從靠近中央側(cè)的區(qū)域向著中央部逐漸地變高為拱形形狀，另一方
面，該上緣從靠近上述中央側(cè)區(qū)域向著整流壁51c的兩端逐漸變高， 總體上來看，該上緣的大致形狀為扁平的W型。
本發(fā)明的發(fā)明者們，在基板S的周圍配置由整流壁形成的整流部 件抑制負荷的方法中，發(fā)現(xiàn)了負荷抑制的程度與整流壁的高度之間 存在相關(guān)關(guān)系，上述上緣越高負荷的抑制效果越高。而且，了解到 如果在使用如圖14、 15等所示的整個邊的高度沒有變化的細長的四邊 形形狀的整流壁171制作整流部件17,來對四邊形基板S進行蝕刻處 理的情況下，觀察的-處理的均一性，則沿著基板S周邊方向的各邊的 中央以及四個角可能會比其他區(qū)域的蝕刻量大。
根據(jù)這樣的想法，以減輕彎曲為目的，利用使整流壁51形成為拱 形形狀的第一實施方式的整流壁51進行蝕刻，則由于與基板S周邊部 的各邊的中央相對的整流壁51變高，所以該位置的負荷效果的抑制程 度提高，降低蝕刻速度的效果提高。另一方面，與基板S的四個角相 對的區(qū)域，因為整流壁51較低，所以相對地負荷效果的抑制程度較低， 因此該四個角的蝕刻量可能會依舊較大。
因此，如圖7所示，第二實施方式的整流壁51c中，即使是與基 板S的四個角相對的區(qū)域，通過使整流壁54的上緣緩地變高為例如拱 形形狀，提高了基板S的周邊部的中央以及四個角的雙方負荷的抑制 程度，整體上可以提高基板S的周邊部的周方向的蝕刻處理的均一性。 另外，在圖7中，與第一實施方式的處理裝置2同樣的構(gòu)成要素，用 與圖3同樣的符號表示。
這時，有關(guān)使整流壁51c的中央部和端部沿著什么范圍升高到什 么程度，例如可以基于設(shè)計階段的模擬以及預(yù)備實驗的結(jié)果，來決定 能夠提高上述周方向上的蝕刻速度的均一性的適當?shù)男螤?。而且，?慮到在整流壁51c的端部側(cè)設(shè)有上緣較高的部分而引起對重量化的影 響，評價彎曲的減輕程度以及對升降機構(gòu)61增加的負擔，反映其評價 結(jié)果來改變整流壁51c的形狀等，通過試行錯誤來決定整流壁51c的 形狀。
其次，說明第三實施方式。在第三實施方式的蝕刻處理裝置2b中， 如圖9所示，構(gòu)成整流部件5的整流壁51d與現(xiàn)有的整流壁171同樣是細長的四邊形形狀，這一點上與其上緣形成為拱形形狀的第一實施
方式的整流壁51不同。而且，該整流壁51d由密度不同的2種材料構(gòu) 成的這一點，也與整流壁51由單獨的材料構(gòu)成的第一實施方式不同。
圖10表示了第三實施方式的整流壁51d的構(gòu)成例子，該整流壁51d 包括例如與第一實施方式的整流壁51具有同樣構(gòu)成的第一塊狀部件 511;和設(shè)置在該第一塊狀部件511的上部并與該第一塊狀部件511 — 體形成的、例如形成細長的四邊形形狀板材的第二塊狀部件512。用支 撐部件52支撐的2處的中間位置，即在整流壁51d的兩端之間的中央 部通過加大第一塊狀部件511的上下方向的尺寸，使該中央部難以彎 曲。
這里，上述的第二實施方式中，對如果使用采用了圖14、圖15 所示的細長的四邊形形狀的整流壁171的整流部件17，則周邊部的各 邊的中央以及四個角可能會比其他區(qū)域的蝕刻量大的情況進行了說 明。但是，該四邊形形狀的整流壁171使用在實際的裝置中，具有其 蝕刻處理的面內(nèi)的均一性滿足質(zhì)量標準的可觀的實際成績也是事實。 因此，第三實施方式中，與現(xiàn)有的整流壁171相同，通過采用所有的 邊高度一定的整流壁51d，使基板S的周邊部的周方向的蝕刻處理的面 內(nèi)均一性與現(xiàn)有技術(shù)程度相同。
但是，單純的將第一塊狀部件511和第二塊狀部件用相同的部件 構(gòu)成的情況，與現(xiàn)有的整流壁171的上與緣變高的情況沒有任何區(qū)別， 加重升降機構(gòu)61的負擔以及伴隨重量化的維護性惡化等，背景技術(shù)所 述的各種問題會很明顯。因此，在第三實施方式中，使用與構(gòu)成第一 塊狀部件511的部件相比密度低的部件、例如多孔質(zhì)氧化鋁的燒結(jié)體 等的多孔質(zhì)陶瓷形成第二塊狀部件512，以此來抑制整流壁51d的重量 的增加。多孔質(zhì)氧化鋁，最好是例如氣孔率是20% 60%程度的材料， 即密度是通常的陶瓷的80% 40%程度的材料。
用具有這樣的構(gòu)成的整流壁51d制作整流部件，如圖9所示，例 如通過設(shè)置在與所述的第一實施方式具有同樣構(gòu)成的蝕刻處理裝置2b 中，與現(xiàn)在采用的整流壁相同，由于在沿著整流部件5的整個周長， 整流壁51d的高度一定的條件下進行蝕刻處理，所以可以將負荷的影 響抑制在與現(xiàn)有的技術(shù)同樣的程度，并減輕整流壁51d的彎曲。另外，在圖9中，與第一實施方式的蝕刻處理裝置2同樣的構(gòu)成要素，用與 圖3同樣的符號表示。
這里，上述的實施方式中，對由多孔質(zhì)氧化鋁等的多孔質(zhì)陶瓷構(gòu) 成第二塊狀部件512的情況進行了說明，但密度低的材料并不局限于 此。例如可以通過在通常的陶瓷內(nèi)部形成空洞的材料構(gòu)成第二塊狀部 件512，達到減輕重量的目的。
而且，第一塊狀部件511的形狀也不限于圖IO所示的拱形形狀， 可以將第一實施方式的圖6 (a)，圖6 (b)所示的形成為各種形狀的 部件作為第一塊狀部件511,其與第二塊狀部件組合形成細長的四邊形 形狀的整流壁。而且，也不局限于面向第一塊狀部件511的中央部逐 漸變高的形狀，例如圖ll (a)所示的整流壁51e，在彎曲較大的中央 部附近的區(qū)域第一塊狀部件511的上緣形成凸狀，中央部的區(qū)域比端 部側(cè)高，有此也能達到本發(fā)明的效果。
而且，本實施方式的整流壁不局限于將第一塊狀部件511配置在 下側(cè)，將密度低的第二塊狀部件512配置在上側(cè)的情況，例如可以使 用，使圖4以及圖6 (a)等所示的各種整流壁51、 51a上下翻轉(zhuǎn)作為 第一塊狀部件511，并在該部件511的下方側(cè)配置第二塊狀部件512的 整流壁。而且，如圖6 (b)所示，以上緣、下緣的雙方從端部向著中 央部變化成例如拱形形狀的方式，構(gòu)成第一塊狀部件511，該第一塊狀 部件5U的上側(cè)、下側(cè)雙方與第二塊狀部件512接合構(gòu)成四邊形形狀 的整流壁51f。此外，將上述的第二實施方式的整流部件51c作為第一 塊狀部件511的情況也包含在本實施方式的范圍內(nèi)。
這里，第二實施方式的整流壁51c與第三實施方式的整流壁51d 51f均為用于提高基板S的周邊部的蝕刻均一性的構(gòu)造，前者是積極的 調(diào)節(jié)均一性的構(gòu)成，后者是用于得到與現(xiàn)有技術(shù)相同程度的均一性的 構(gòu)成，其考慮方法不同。茵此，應(yīng)該采用各實施方式51c、 51d 51f 的哪一個，還是應(yīng)該基于模擬以及預(yù)備實驗，采用哪個整流壁51c、 51d 51f，在把握能否將基板S的周邊部進一步提高的基礎(chǔ)上，考察 對升降機構(gòu)61的負荷和裝置成本等的影響來綜合決定。
而且，第三實施方式中，在基板S進一步大型化等情況下，例如 圖11 (c)所示，可以在一塊整流壁51g上設(shè)置3個以上的支撐部件52。這種情況下，整流壁51g的長度方向每相鄰的2處支撐部件52， 在其間的中央?yún)^(qū)域彎曲有可能變大。因此，該整流壁51g通過將第一 塊狀部件511的上下方向的尺寸設(shè)定為在這多個中央?yún)^(qū)域中，與其兩 側(cè)相比較大，而可以減輕在各中央?yún)^(qū)域發(fā)生的彎曲，而且，可以將基 板S的周邊部的蝕刻均一性維持在與現(xiàn)有技術(shù)相同的程度。
以上說明的第一 第三實施方式中，對用4塊同一種類的整流壁 51、 51a 51g構(gòu)成整流部件5的例子進行了說明。但也可以將不同種 類的整流壁51、 51a 51g組合來構(gòu)成整流部件5。
而且，本發(fā)明的處理裝置不限于鋁膜的蝕刻處理，也適用于鋁合 金，鈦，鈦合金等的金屬膜和絕緣膜、半導(dǎo)體膜的蝕刻或它們的層積 膜。而且，也適用于蝕刻處理以外的、例如灰化或CVD(Chemical Vapor Deposition)等，用其他處理氣體對被處理體進行處理的處理。而且， 處理未必限定于等離子體處理，其他的氣體處理也可以。而且，被處 理體不限于四邊形的基板，fpd基板以及其他的、例如圓形的半導(dǎo)體 晶片也可以。
權(quán)利要求
1.一種處理裝置，其特征在于，包括設(shè)置在處理容器的內(nèi)部，用于載置被處理體的載置臺；用于從該載置臺的上方側(cè)供給處理氣體，對載置在該載置臺上的被處理體進行處理的處理氣體供給單元；用于排出所述處理容器內(nèi)氣體的氣體排氣部；連接有多個沿著所述載置臺上的被處理體的各邊延伸的整流壁，并以包圍該被處理體的方式構(gòu)成的整流部件；以及支撐所述整流壁的兩端部的支撐部件，所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的中央部逐漸變高的形狀，其下緣形成為與所述載置臺的上表面平行。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述處理裝置，其特征在于 所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的中央部連續(xù)變高。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理裝置，其特征在于 所述整流壁的上緣形成為拱形形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于-所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的中央部階梯狀地變高
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4的任意一項所述的處理裝置，其特征在于 所述整流壁的上緣形成為向該整流壁的兩端逐漸變高。
6. —種處理裝置，其特征在于，包括 設(shè)置在處理容器的內(nèi)部，用于載置被處理體的載置臺； 用于從該載置臺的上方側(cè)供給處理氣體，對載置在該載置臺上的被處理體進行處理的處理氣體供給單元；用于排出所述處理容器內(nèi)氣體的氣體排氣部；連接有多個沿著所述載置臺上的被處理體的各邊延伸的整流壁，并以包圍該被處理體方式構(gòu)成的整流部件；以及 支撐所述整流壁兩端部的支撐部件，所述整流壁由第一塊狀部件和第二塊狀部件接合而成，其中，第 二塊狀部件接合在該第一塊狀部件的上側(cè)或者下側(cè)的至少一方，并由 比構(gòu)成該第一塊狀部件的材料的密度低的材料構(gòu)成，所述第一塊狀部 件的上下方向的尺寸形成為向該整流壁的中央部逐漸變大。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理裝置，其特征在于， 所述第一塊狀部件的上下方向的尺寸形成為向所述整流壁的中央部連續(xù)或者階梯狀地變大。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或者7所述的處理裝置，其特征在于 所述第一塊狀部件是陶瓷制，所述第二塊狀部件是多孔質(zhì)陶瓷制。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-4、 6以及7的任意一項所述的處理裝置，其特 征在于具有升降機構(gòu)，該升降機構(gòu)通過使所述支撐部件升降，而使所述 整流部件在所述載置臺的上表面和該載置臺的上方的位置之間升降。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-4、 6以及7的任意一項所述的處理裝置，其特 征在于所述被處理體是四邊形基板，所述整流壁沿著該四邊形基板的各 邊延伸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以減輕設(shè)置在被處理體周圍的整流壁的彎曲的處理裝置，向處理容器(20)的內(nèi)部供給處理氣體，對載置臺(3)上載置的被處理體(S)，例如進行蝕刻等處理的處理裝置(2)中，整流部件(5)構(gòu)成為，連接有沿著被處理體(S)的各邊延伸的多個整流壁(51)，并包圍該被處理體(S)，各整流壁(51)，其兩端部被支撐部件(52)支撐，而且，其上緣形成為向該整流壁(51)的中央部逐漸升高的形狀，另一方面，下緣形成為與上述載置臺的上面平行。
文檔編號H01L21/00GK101609790SQ20091014913
公開日2009年12月23日 申請日期2009年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月17日
發(fā)明者佐佐木芳彥, 南雅人 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社