專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器和制造所述發(fā)光顯示器的方法，更具體地講，本發(fā)明 涉及一種在形成有發(fā)光器件的基底和密封基底之間具有硅填充材料的發(fā)光顯示器和制造 所述發(fā)光顯示器的方法。
背景技術(shù)：
因?yàn)橹T如有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)的發(fā)光器件包含易于受到濕氣和/或氧影響的 有機(jī)材料，所以需要保護(hù)OLED免于受到濕氣和/或氧的影響。 但是，盡管利用OLED的發(fā)光顯示器易于受到濕氣和/或氧的影響，因?yàn)檫@樣的發(fā) 光顯示器通常具有寬視角、高對(duì)比度、高響應(yīng)速度和低功耗，所以這樣的發(fā)光顯示器廣泛地 用在諸如MP3播放器、移動(dòng)電話和電視機(jī)(TV)的個(gè)人便攜式裝置中。根據(jù)用戶的要求，發(fā) 光顯示器已經(jīng)越加纖薄了。 然而，為了減小發(fā)光顯示器的總厚度，當(dāng)將發(fā)光顯示器的基底的厚度減小至大約 0. 3mm或更小時(shí)，在諸如跌落和扭曲的應(yīng)力下難以保持器件的機(jī)械完整性。機(jī)械完整性的缺 失會(huì)損害器件的密封狀態(tài)，由此縮短有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
因此， 一個(gè)目的在于提供一種能夠確保機(jī)械可靠性和耐久性的發(fā)光顯示器和一種 制造所述發(fā)光顯示器的方法。 另一 目的在于提供一種通過(guò)使用有效地防止?jié)駳饣蜓鯘B透的無(wú)機(jī)密封材料而能 夠確保機(jī)械可靠性的發(fā)光顯示器和一種制造所述發(fā)光顯示器的方法。 為了實(shí)現(xiàn)以上和/或其它目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光顯示器，該 發(fā)光顯示器包括第一基底，多個(gè)發(fā)光器件設(shè)置在第一基底上，所述多個(gè)發(fā)光器件具有第一 電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；第二基底，被設(shè)置為面對(duì)第一基底；阻擋構(gòu)件，設(shè)置在第一 基底和第二基底之間，以圍繞所述多個(gè)發(fā)光器件；無(wú)機(jī)密封材料，設(shè)置在第一基底和第二基 底之間且在阻擋構(gòu)件的外部區(qū)域中，并將第一基底附著到第二基底；硅填充材料，設(shè)置在第 一基底和第二基底之間且在阻擋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)，從而與第二電極接觸。 為了實(shí)現(xiàn)以上和/或其它目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造發(fā)光顯 示器的方法，該方法包括提供第一基底，多個(gè)發(fā)光器件設(shè)置在第一基底上，所述多個(gè)發(fā)光 器件包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；提供第二基底；沿著第二基底的邊緣形成無(wú) 機(jī)密封材料；在第二基底上，在無(wú)機(jī)密封材料的內(nèi)側(cè)并圍繞所述多個(gè)發(fā)光器件形成阻擋構(gòu) 件；在阻擋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)設(shè)置液相硅填充材料；將第一基底和第二基底設(shè)置為相互面對(duì)，使 得硅填充材料接觸第二電極并填充阻擋構(gòu)件內(nèi)側(cè)的空間；將無(wú)機(jī)密封材料附著到第一基底
4和第二基底，以密封所述多個(gè)發(fā)光器件；使硅填充材料硬化。 如上所述，本發(fā)明使用無(wú)機(jī)密封材料來(lái)密封發(fā)光器件，從而有效地防止?jié)駳饣蜓?滲透，并利用硅填充材料來(lái)填充基底之間的空間，從而提高抗壓性。因?yàn)楣杼畛洳牧喜慌c發(fā) 光器件的材料反應(yīng)，所以硅填充材料具有高穩(wěn)定性。此外，基底之間的抗壓性得以保持，因 而密封狀態(tài)不會(huì)被沖擊等輕易地破壞。因此，提高了機(jī)械可靠性，從而能夠延長(zhǎng)發(fā)光顯示器 的壽命，并省去了用于保護(hù)陰極的鈍化膜，從而能夠簡(jiǎn)化制造工藝。 另外，在典型的發(fā)光顯示器中，因?yàn)榛缀兔芊饣字g的空間是空的，所以基底 會(huì)下垂，從而導(dǎo)致產(chǎn)生牛頓環(huán)，或者顯示器會(huì)易于受到?jīng)_擊的影響。另一方面，在根據(jù)本發(fā) 明的發(fā)光顯示器中，利用折射率與玻璃基底的折射率相似的填充材料來(lái)填充基底和密封基 底之間的空間，由此防止牛頓環(huán)，并且發(fā)光顯示器具有改善的可視性。


根據(jù)結(jié)合附圖的優(yōu)選實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將 變得明顯并更易于理解，在附圖中 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示器的透視圖；
圖2是沿圖1的線11-12截取的剖視圖；
圖3是圖1的發(fā)光器件的剖視圖； 圖4A和圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明制造發(fā)光顯示器的方法的平面圖；
圖5A至圖5F是示出根據(jù)本發(fā)明制造發(fā)光顯示器的方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
在以下詳細(xì)描述中，僅通過(guò)舉例說(shuō)明的方式示出并描述了本發(fā)明的特定示例性實(shí) 施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在全部沒(méi)有脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各 種不同的方式來(lái)修改所描述的實(shí)施例。因此，附圖和描述將被視為在本質(zhì)上是示出性的而 非限制性的。此外，當(dāng)元件被稱(chēng)作"在"另一元件"上"時(shí)，該元件可以直接在另一元件上， 或者該元件可以在它們之間設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)中間元件的情況下間接地在另一元件上。另 外，當(dāng)元件被稱(chēng)作"連接到"另一元件時(shí)，該元件可以直接連接到另一元件，或者該元件可以 在它們之間設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)中間元件的情況下間接地連接到另一元件。在下文中，相同 的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。 在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，提供在此闡述的 實(shí)施例以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分地理解本發(fā)明，因此，本發(fā)明能夠以不同的形式來(lái)實(shí) 施，且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于在此闡述的實(shí)施例。 為了延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命，使用無(wú)機(jī)密封材料是有效的，所述無(wú)機(jī)密封材 料有效地防止?jié)駳夂?或氧滲透。然而，無(wú)機(jī)密封材料因撞擊或彎曲而易于分離，從而使機(jī) 械可靠性劣化。 因此，本發(fā)明通過(guò)利用有效地防止?jié)駳夂?或氧滲透的無(wú)機(jī)密封材料而提供了一 種壽命延長(zhǎng)且機(jī)械可靠性提高的發(fā)光顯示器及其制造方法。 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示器的透視圖，圖2是沿圖1的線11-12截取的 剖視圖。
參照?qǐng)D1和圖2，本發(fā)明的發(fā)光顯示器包括基底100，多個(gè)發(fā)光器件130形成在基 底100上；密封基底200，面對(duì)基底100 ;阻擋構(gòu)件(dam member) 220，設(shè)置在基底100和密 封基底200之間，以圍繞多個(gè)發(fā)光器件130 ;無(wú)機(jī)密封材料210，設(shè)置在阻擋構(gòu)件220的外部 且在基底100和密封基底200之間，并將基底100附著到密封基底200 ;硅填充材料300，設(shè) 置在阻擋構(gòu)件220的內(nèi)側(cè)且在基底100和密封基底200之間。 基底100被限定為像素區(qū)域120和圍繞像素區(qū)域120的非像素區(qū)域140。多個(gè)發(fā) 光器件130形成在像素區(qū)域120中，用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)發(fā)光器件130的驅(qū)動(dòng)電路160形成在非 像素區(qū)域140中。 參照?qǐng)D3，例如，發(fā)光器件130可以由有機(jī)發(fā)光顯示器形成，所述有機(jī)發(fā)光顯示器 包括陽(yáng)極131、陰極134以及形成在陽(yáng)極131和陰極134之間的有機(jī)發(fā)光層133。有機(jī)發(fā)光 層133形成在由像素限定層132限定的發(fā)光區(qū)域(陽(yáng)極131被暴露的區(qū)域)中，有機(jī)發(fā)光 層133可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。 另外，用于控制操作的薄膜晶體管和用于保持信號(hào)的電容器可以結(jié)合到發(fā)光器件 130。薄膜晶體管110包括半導(dǎo)體層112，提供源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；柵電極114，通過(guò) 柵極絕緣層113與半導(dǎo)體層絕緣；源電極和漏電極116，通過(guò)形成在絕緣層115和柵極絕緣 層113上的接觸孔結(jié)合到半導(dǎo)體層112的源極區(qū)和漏極區(qū)。未說(shuō)明的標(biāo)號(hào)111是緩沖層， 標(biāo)號(hào)117是平坦化層。 將密封基底200設(shè)置為與非像素區(qū)域140的一部分和像素區(qū)域120疊置。在前部 發(fā)射型的顯示器的情況下，密封基底200可以由諸如玻璃的透明材料形成。在后部發(fā)射型 的顯示器的情況下，密封基底可以由不透明材料形成。 無(wú)機(jī)密封材料210包括玻璃料(frit)，玻璃料由激光或紅外線熔化，從而附著到 基底100和密封基底200。無(wú)機(jī)密封材料210設(shè)置在基底100和密封基底200之間，以圍繞 發(fā)光器件130，從而防止?jié)駳饣蜓鯊耐獠繚B透。 阻擋構(gòu)件220防止填充材料300流動(dòng)，從而維持填充材料300的形狀。當(dāng)將無(wú)機(jī) 密封材料210附著到基底100和密封基底200時(shí)，設(shè)置阻擋構(gòu)件220以防止熱傳遞到發(fā)光 器件130，阻擋構(gòu)件220由無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料形成。 無(wú)機(jī)材料包括玻璃料。在這種情況下，使用透射或反射激光和/或紅外線的玻璃 料，或者，利用在紅外區(qū)具有高反射率(reflectance)的金屬(例如，Au、Ag、Pt和/或Al) 在阻擋構(gòu)件220的表面上形成反射層，從而反射激光或紅外線。此外，作為有機(jī)材料，可以 使用從由環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧丙烯酸酯和硅樹(shù)脂(例如，雙酚A型環(huán)氧硅樹(shù)脂、脂環(huán)族環(huán)氧硅樹(shù) 脂、苯基硅樹(shù)脂或苯基硅橡膠、丙烯酸環(huán)氧硅樹(shù)脂等)組成的組中選擇的至少一種。
阻擋構(gòu)件220可以被形成為與無(wú)機(jī)密封材料210接觸，或可以與無(wú)機(jī)密封材料210 平行隔開(kāi)預(yù)定的距離。例如，當(dāng)阻擋構(gòu)件220包含無(wú)機(jī)材料時(shí)，阻擋構(gòu)件220可以被形成為 與無(wú)機(jī)密封材料210接觸，而當(dāng)阻擋構(gòu)件220包含有機(jī)材料時(shí)，阻擋構(gòu)件220可以與無(wú)機(jī)密 封材料210隔開(kāi)大約50 ii m或更大的距離。如果有機(jī)材料的阻擋構(gòu)件220與無(wú)機(jī)密封材料 210接觸，那么當(dāng)無(wú)機(jī)密封材料210附著到基底100和密封基底200時(shí)，阻擋構(gòu)件220會(huì)由 于熱而發(fā)生分解，從而產(chǎn)生釋氣。 將硅填充材料300設(shè)置為填充由阻擋構(gòu)件220限定的基底100和密封基底200之 間的內(nèi)部空間。硅填充材料300是在可見(jiàn)光區(qū)中透射率不小于90%的無(wú)色的(透明的)材料，例如玻璃基底，因此可視性沒(méi)有劣化。另外，從化學(xué)方面考慮，硅填充材料300具有高穩(wěn) 定性，因此硅填充材料300不與形成發(fā)光器件130的材料發(fā)生反應(yīng)，具體地講，硅填充材料 300不與由金屬材料形成的陰極134發(fā)生反應(yīng)。 如圖3所示，為了在形成發(fā)光器件130之后保護(hù)陰極134，應(yīng)當(dāng)在陰極134上形成 有機(jī)或無(wú)機(jī)鈍化膜(未示出)。在這種情況下，需要額外的工藝，并且顯示器的厚度增加。 然而，因?yàn)楸景l(fā)明使用不與金屬材料發(fā)生反應(yīng)的填充材料300，所以能夠?qū)崿F(xiàn)陰極134被暴 露的結(jié)構(gòu)，從而可以簡(jiǎn)化顯示器的工藝和結(jié)構(gòu)。 在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明制造發(fā)光顯示器的方法。 圖4A和圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明制造發(fā)光顯示器的方法的平面圖。圖5A至圖5F 是示出根據(jù)本發(fā)明制造發(fā)光顯示器的方法的剖視圖。圖5A至圖5D是沿圖4B的線111-112 截取的剖視圖。 參照?qǐng)D4A，首先，提供上面形成有多個(gè)發(fā)光器件130的基底100。基底100被分為 像素區(qū)域120和圍繞像素區(qū)域120的非像素區(qū)域140。多個(gè)發(fā)光器件130形成在基底的像 素區(qū)域120中，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件130的驅(qū)動(dòng)電路160形成在非像素區(qū)域140中。
參照?qǐng)D3，發(fā)光器件130包括具有陽(yáng)極131、有機(jī)發(fā)光層133和陰極134的有機(jī) 發(fā)光器件。另外，發(fā)光器件130還可以包括用于控制有機(jī)發(fā)光器件的操作的薄膜晶體管 (TFT) 110和用于保持信號(hào)的電容器(未示出)。在第2002-0047889號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利公布(在 2002年6月22日公布)和第2003-0092873號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利公布(在2003年12月6日公布) 中示出了制造有機(jī)發(fā)光器件的工藝。 參照?qǐng)D4B和圖5A，提供用于將像素區(qū)域120的發(fā)光器件130密封的密封基底200。 密封基底200可以與非像素區(qū)域140的一部分和像素區(qū)域120疊置?？梢允褂镁哂星安堪l(fā) 射結(jié)構(gòu)的透明基底(例如，玻璃)或具有后部發(fā)射類(lèi)型的不透明基底作為密封基底200。
沿密封基底200的邊緣設(shè)置無(wú)機(jī)密封材料210。通過(guò)使用配料器或使用絲網(wǎng)印刷 方法涂覆玻璃料來(lái)形成無(wú)機(jī)密封材料210。通常，玻璃料是指粉體類(lèi)型的玻璃材料。然而， 這里使用的玻璃料是指在主材料(例如，Si02)中含有激光或紅外線吸收材料、有機(jī)粘結(jié)劑 和用于減小熱膨脹系數(shù)的填充劑的膏體。通過(guò)干燥或退火工藝從膏體玻璃料去除有機(jī)粘結(jié) 劑和濕氣，以使膏體玻璃料硬化。激光或紅外線吸收材料可以包含過(guò)渡金屬化合物(例如， 釩化合物)。在無(wú)機(jī)密封材料210被設(shè)置在密封基底200上之后，可以進(jìn)行洗滌工藝。
參照4B、圖5B和圖5C，在無(wú)機(jī)密封材料210的內(nèi)側(cè)并在密封基底200上形成阻擋 構(gòu)件220，以圍繞像素區(qū)域120。可以通過(guò)配料器或絲網(wǎng)印刷涂覆無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料來(lái)形 成阻擋構(gòu)件220。此時(shí)，根據(jù)從設(shè)置在像素區(qū)域的最外面的區(qū)域中的發(fā)光器件130到無(wú)機(jī) 密封材料210的距離以及阻擋構(gòu)件220的高度來(lái)確定無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料的量。阻擋構(gòu)件 220的高度可以由無(wú)機(jī)密封材料210的高度來(lái)確定，優(yōu)選地與無(wú)機(jī)密封材料210的高度相同 或小于無(wú)機(jī)密封材料210的高度。 可以使用玻璃料作為無(wú)機(jī)材料。在這種情況下，可以在形成無(wú)機(jī)密封材料210的 工藝中形成阻擋構(gòu)件220。使用透射或反射激光和/或紅外線的玻璃料，或者將反射層222 設(shè)置在阻擋構(gòu)件220的表面上，以反射激光和/或紅外線，如圖5B所示。例如，在涂覆膏體 玻璃料之后，將膏體玻璃料干燥或退火，并使膏體玻璃料硬化，從而形成阻擋構(gòu)件220。然 后，將在紅外線區(qū)具有高反射率的金屬(例如，Au、Ag、Pt或Al)涂覆到阻擋構(gòu)件220的表面上，從而形成反射層222。此外，有機(jī)材料可以是從由環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧丙烯酸酯和硅樹(shù)脂 (例如，雙酚A型環(huán)氧硅樹(shù)脂、脂環(huán)族環(huán)氧硅樹(shù)脂、苯基硅樹(shù)脂或苯基硅橡膠、丙烯酸環(huán)氧硅 樹(shù)脂等)組成的組中選擇的至少一種。 阻擋構(gòu)件220可以被形成為與無(wú)機(jī)密封材料210接觸，如圖5B所示，或可以被形 成為與無(wú)機(jī)密封材料210隔開(kāi)預(yù)定的距離，如圖5C所示。例如，當(dāng)阻擋構(gòu)件220由無(wú)機(jī)材 料形成時(shí)，阻擋構(gòu)件220可以與無(wú)機(jī)密封材料210接觸。在這種情況下，可以減小非像素區(qū) 域的面積。此外，當(dāng)阻擋構(gòu)件220由液體有機(jī)材料形成時(shí)，阻擋構(gòu)件220與無(wú)機(jī)密封材料 210優(yōu)選地隔開(kāi)50 ii m或更大的距離。因?yàn)橛袡C(jī)材料通常具有低粘度，從而易于被涂覆，所 以有機(jī)材料會(huì)由于應(yīng)力(例如，壓差)而易于塌陷。因此，形成阻擋構(gòu)件220，然后對(duì)阻擋構(gòu) 件220進(jìn)行預(yù)硬化，從而使阻擋構(gòu)件220在結(jié)構(gòu)上為固體，可以加強(qiáng)阻擋作用。因此，根據(jù) 有機(jī)材料的種類(lèi)，可以通過(guò)熱、電子束或紫外線使阻擋構(gòu)件220預(yù)硬化，因此，在將基底100 附著到密封基底200的工藝中，阻擋構(gòu)件220不受到應(yīng)力的損害。 在另一實(shí)施例中，在形成無(wú)機(jī)密封材料210或阻擋構(gòu)件220的工藝中，啞密封材料 (dummy sealing material)(未示出)可以在密封基底200的最外面的邊緣上由環(huán)氧樹(shù)脂 和玻璃料形成。啞密封材料形成在密封材料210的外側(cè)，從而整體上密封基底100和密封 基底200之間的空間。在母基底的情況下，沿母基底的最外面的邊緣設(shè)置鵬密封材料。
參照?qǐng)D5D，在由阻擋構(gòu)件220限定的向內(nèi)的區(qū)域中，在密封基底200上設(shè)置液體硅 填充材料300。硅填充材料300是在可見(jiàn)光線區(qū)域中透射率為90%或更大的無(wú)色的(透明 的)材料(例如，玻璃基底)，因此硅填充材料300沒(méi)有使可視性劣化。另外，從化學(xué)方面考 慮，硅填充材料300具有高穩(wěn)定性，從而不與形成發(fā)光器件130的材料發(fā)生反應(yīng)，具體地講， 不與由金屬材料形成的陰極134發(fā)生反應(yīng)。 可以通過(guò)噴墨、配料器、絲網(wǎng)印刷、滴注(one drop filling,ODF)等來(lái)設(shè)置硅填充 材料300。例如，粘度為lcPs至2000cPs的硅填充材料300可以在阻擋構(gòu)件220的內(nèi)側(cè)堆 疊在密封基底上。在這種情況下，可以容易地控制填充材料300的與內(nèi)部空間的體積成比 例的適當(dāng)量。 參照?qǐng)D5E，將基底100設(shè)置為面對(duì)密封基底200。例如，在將基底100安裝在附著 器件的上卡盤(pán)(chuck)上并將密封基底200安裝在附著器件的下卡盤(pán)上之后，使基底100 和密封基底200相互附著。當(dāng)基底100和密封基底200相互附著時(shí)，硅填充材料300與陰 極134接觸，從而填充阻擋構(gòu)件220內(nèi)側(cè)的空間，并通過(guò)阻擋構(gòu)件220防止硅填充材料300 流動(dòng)，因而保持形狀。此時(shí)，基底100和密封基底200在小于大氣壓的壓強(qiáng)下相互附著，從 而在基底100和密封基底200之間沒(méi)有形成氣泡或空隙。此外，基底100和密封基底200 被按壓在一起，因而發(fā)光器件130和密封基底200之間的空間被填充材料300完全填充。
參照?qǐng)D5F，在基底100和密封基底200相互附著的情況下，沿?zé)o機(jī)密封材料210照 射激光或紅外線。當(dāng)激光或紅外線被吸收從而產(chǎn)生熱時(shí)，無(wú)機(jī)密封材料210由于熔化而附 著到基底100和密封基底200，從而將發(fā)光器件130密封。優(yōu)選地，在啞密封材料硬化使得 基底100和密封基底200之間的空間變成真空之后，執(zhí)行這樣的密封工藝。
當(dāng)沿著無(wú)機(jī)密封材料210照射激光或紅外線時(shí)，使用掩?；蜮g化膜(未示出)，從 而僅將激光或紅外線照射到期望的區(qū)域。當(dāng)阻擋構(gòu)件220包含透射或反射激光和/或紅外 線的無(wú)機(jī)材料時(shí)，或者當(dāng)將反射層222形成在阻擋構(gòu)件220的表面上時(shí)，僅將掩模或鈍化膜
8設(shè)置在像素區(qū)域120中，從而像素區(qū)域120沒(méi)有照射激光或紅外線。當(dāng)阻擋構(gòu)件220包含 有機(jī)材料時(shí)，將掩?；蜮g化膜設(shè)置在像素區(qū)域120和形成有阻擋構(gòu)件220的非像素區(qū)域140 中，因而像素區(qū)域120和形成有阻擋構(gòu)件220的非像素區(qū)域140沒(méi)有照射激光或紅外線。
假設(shè)未形成阻擋構(gòu)件220，因?yàn)樵谡丈浼す饣蚣t外線的過(guò)程中產(chǎn)生的熱易于傳遞 到硅填充材料300，所以溫度會(huì)突然升高，從而對(duì)發(fā)光器件130造成損害。然而，在本發(fā)明 中，阻擋構(gòu)件220有效地減少或防止了熱的傳遞，由此可以使填充有硅填充材料300的區(qū)域 和所述區(qū)域的形狀保持不變。 然后，利用熱、電子束或紫外線使硅填充材料300硬化。此時(shí)，由于可能從硅填充 材料300產(chǎn)生釋氣，所以在硅填充材料300的制備工藝期間控制組分(乙烯基聚合物、H-聚 合物(聚烷基氫硅氧烷(polyalkylhydrogensiloxane))、硬化催化劑、抗硬化劑等)的比 例，使得硅填充材料300在硬化時(shí)不產(chǎn)生釋氣。 以上實(shí)施例已經(jīng)描述了僅密封像素區(qū)域120的無(wú)機(jī)密封材料210，但是不限制本 發(fā)明。在其它實(shí)施例中，無(wú)機(jī)密封材料210還可以密封驅(qū)動(dòng)電路160。此外，根據(jù)以上實(shí)施 例，無(wú)機(jī)密封材料210和阻擋構(gòu)件220以單個(gè)結(jié)構(gòu)形成在密封基底200上。在其它實(shí)施例 中，無(wú)機(jī)密封材料和阻擋構(gòu)件可以以雙重結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)形成在基底IOO上。例如，為了提 高密封效果，可以將無(wú)機(jī)密封材料210形成為雙重結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)，或者為了提高熱屏蔽 效果，可以將阻擋構(gòu)件220形成為雙重結(jié)構(gòu)或復(fù)合結(jié)構(gòu)。 此外，根據(jù)以上實(shí)施例，在將基底100和密封基底200相互附著之前，填入填充材 料300。然而，根據(jù)材料的種類(lèi)或材料的特性，可以在基底100和密封基底200相互附著之 后，填入填充材料300。另外，在實(shí)施例中，將無(wú)機(jī)密封材料210附著到基底IOO和密封基底 200，然后，使硅填充材料300硬化。然而，可以在將無(wú)機(jī)密封材料210附著到基底100和密 封基底200之前，使硅填充材料300硬化。 作為實(shí)驗(yàn)示例，當(dāng)使用0DF工藝填充硅填充材料300且在IO(TC或更低的溫度下使 硅填充材料300熱硬化時(shí)，即使硅填充材料300暴露于85t:的高溫和85%的高濕度達(dá)428 小時(shí)，也未觀測(cè)到發(fā)光缺陷。 雖然已經(jīng)結(jié)合特定的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不 限于公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意在涵蓋包括在權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍 內(nèi)的各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
一種發(fā)光顯示器，包括第一基底，多個(gè)發(fā)光器件設(shè)置在第一基底上，所述多個(gè)發(fā)光器件包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；第二基底，被設(shè)置為面對(duì)第一基底；阻擋構(gòu)件，設(shè)置在第一基底和第二基底之間，以圍繞所述多個(gè)發(fā)光器件；無(wú)機(jī)密封材料，設(shè)置在第一基底和第二基底之間且在阻擋構(gòu)件的外部區(qū)域中，并將第一基底附著到第二基底；硅填充材料，設(shè)置在第一基底和第二基底之間且在阻擋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)，從而與第二電極接觸。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，阻擋構(gòu)件包含無(wú)機(jī)材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示器，其中，無(wú)機(jī)材料包括玻璃料。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示器，其中，在阻擋構(gòu)件的表面上設(shè)置反射激光和紅外 線中至少之一的反射層。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示器，其中，反射層包括從由Au、 Ag、 Pt和Al組成的組 中選擇的至少一種。
6. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示器，其中，阻擋構(gòu)件被設(shè)置為與無(wú)機(jī)密封材料接觸。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，阻擋構(gòu)件包含有機(jī)材料。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，其中，有機(jī)材料包括從由環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧丙烯酸 酯、雙酚A型環(huán)氧硅樹(shù)脂、脂環(huán)族環(huán)氧硅樹(shù)脂、苯基硅樹(shù)脂、苯基硅橡膠和丙烯酸環(huán)氧硅樹(shù) 脂組成的組中選擇的至少一種。
9. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，其中，阻擋構(gòu)件被設(shè)置為與無(wú)機(jī)密封材料隔開(kāi)。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光顯示器，其中，阻擋構(gòu)件和無(wú)機(jī)密封材料彼此隔開(kāi)50 ii m 或大于50iim的距離。
11. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，無(wú)機(jī)密封材料包括玻璃料。
12. 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光顯示器，其中，玻璃料通過(guò)激光或紅外線而熔化。
13. 如權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示器，其中，玻璃料包括過(guò)渡金屬化合物。
14. 一種制造發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟提供第一基底，多個(gè)發(fā)光器件設(shè)置在第一基底上，所述多個(gè)發(fā)光器件包括第一電極、有 機(jī)發(fā)光層和第二電極； 提供第二基底；沿著第二基底的邊緣形成無(wú)機(jī)密封材料；在第二基底上，在無(wú)機(jī)密封材料的內(nèi)側(cè)并圍繞所述多個(gè)發(fā)光器件形成阻擋構(gòu)件； 在阻擋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)設(shè)置液相硅填充材料；將第一基底和第二基底設(shè)置為相互面對(duì)，使得硅填充材料接觸第二電極并填充阻擋構(gòu) 件內(nèi)側(cè)的空間；將無(wú)機(jī)密封材料附著到第一基底和第二基底，以密封所述多個(gè)發(fā)光器件； 使硅填充材料硬化。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成無(wú)機(jī)密封材料的步驟包括 涂覆玻璃料膏體；將涂覆的玻璃料膏體干燥或退火。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成阻擋構(gòu)件的步驟包括 涂覆玻璃料膏體；將涂覆的玻璃料膏體干燥或退火并使玻璃料膏體硬化。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，阻擋構(gòu)件被形成為與無(wú)機(jī)密封材料接觸。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成阻擋構(gòu)件的步驟包括 涂覆液體有機(jī)材料，并使液體有機(jī)材料與無(wú)機(jī)密封材料隔開(kāi)； 使涂覆的液體有機(jī)材料預(yù)硬化。
19. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，在低于大氣壓的壓強(qiáng)下執(zhí)行將第一基底和第二 基底設(shè)置為相互面對(duì)的步驟。
20. 如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括以下步驟按壓第一基底和第二基底， 使得硅填充材料填充第一基底和第二基底之間且在阻擋構(gòu)件內(nèi)側(cè)的空間。
21. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，密封發(fā)光器件的步驟還包括通過(guò)使無(wú)機(jī)密封材 料熔化來(lái)將第一基底附著到第二基底。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，通過(guò)激光或紅外線來(lái)熔化無(wú)機(jī)密封材料。
23. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，利用熱、電子束和紫外線中的任何一種使硅填充 材料硬化。
全文摘要
本發(fā)明在于提供一種發(fā)光顯示器及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示器包括第一基底，多個(gè)發(fā)光器件設(shè)置在第一基底上，所述多個(gè)發(fā)光器件包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；第二基底，被設(shè)置為面對(duì)第一基底；阻擋構(gòu)件，設(shè)置在第一基底和第二基底之間，以圍繞所述多個(gè)發(fā)光器件；無(wú)機(jī)密封材料，設(shè)置在第一基底和第二基底之間且在阻擋構(gòu)件的外部區(qū)域中，并將第一基底附著到第二基底；硅填充材料，設(shè)置在第一基底和第二基底之間且在阻擋構(gòu)件的內(nèi)側(cè)，從而與第二電極接觸。
文檔編號(hào)H01L21/54GK101728338SQ20091016410
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月29日
發(fā)明者吳敏鎬, 李善英, 李昭玲, 李炳德, 李鐘赫, 趙尹衡 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社