專利名稱：層疊電容器及層疊電容器的等效串聯(lián)電阻值的調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路中使用的層疊電容器，尤其涉及適合用于作為對(duì)在高
頻動(dòng)作的IC使用的去耦電路中用的電容器的層疊電容器。
背景技術(shù)：
以往，為了防止電源噪聲從電源向IC等侵入，在IC等和電源之間需
要連接去耦電路。
去耦電路是在從低頻至高頻的廣闊的頻帶通過使噪聲流入地線而消 除電流的變動(dòng)的電路。這樣的功能是通過使用具有在廣闊的頻帶與地線之 間的阻抗低的特性的電容器而得到的。具有這樣功能的去耦電路是通過以 下的配置而構(gòu)成的，即，在作為對(duì)象的廣闊的頻帶，以使各電容器的自諧 振頻率附近的阻抗成為最低的頻帶從低頻側(cè)至高頻側(cè)連續(xù)的方式并聯(lián)多 個(gè)自諧振頻率不同的電容器。并且，以往例如層疊電容器適合使用于作為 對(duì)應(yīng)去耦電路的高頻側(cè)采用的電容器。
以往作為使用于去耦電路的層疊電容器，例如提出了具有層疊多個(gè)長
方形狀的電介質(zhì)層而成的長方體狀的層疊體；以在該層疊體的內(nèi)部隔著電 介質(zhì)層且電容形成部相互對(duì)置的方式交替配置的多個(gè)第一內(nèi)部電極及第 二內(nèi)部電極；分別沿著層疊方向形成于層疊體的一側(cè)的端面及另一側(cè)的端 面，且分別電連接第一內(nèi)部電極彼此或第二內(nèi)部電極彼此的第一外部電極 及第二外部電極，并且以層疊體的側(cè)面的任一面作為安裝面的層疊電容器 (例如參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)l:日本特開2004—296940號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)2:日本特開2004—241522號(hào)公報(bào)。
以往，為了降低層疊電容器的等效串聯(lián)電感(ESL: Equivalent Series Inductance)而縮短電流的路經(jīng)，所以等效串聯(lián)電阻(ESR: Equivalent Series Resistance)也成低的值，在這樣的層疊電容器的自諧振頻率附近的阻抗變得極端低。在去耦電路使用多個(gè)這樣的層疊電容器時(shí)，由自諧振頻率相近 的電容器彼此形成的在反諧振頻率的阻抗變得極端高，有在反諧振頻率附 近不能將噪聲流入地線的問題。
因此，必須使在去耦電路中使用的電容器的ESR不變得過低，但為了
使ESR變高而使電流路徑變長，則有ESL也變高的問題。例如，在上述 以往的層疊電容器中，使第一外部電極和第二外部電極的間隔變長而使通 過第一內(nèi)部電極及第二內(nèi)部電極的電流的路經(jīng)變長，則可以提高ESR但 ESL也變高。
另外，提出了在層疊電容器中的內(nèi)部電極的導(dǎo)出部(內(nèi)部電極層的露 出部)和外部電極之間電連接電阻而調(diào)節(jié)電阻值(ESR)的技術(shù)(例如參 照專利文獻(xiàn)2)。但是，例如在專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)中，通過選擇各種電 阻可以調(diào)節(jié)ESR，但根據(jù)去耦電路連接的IC的特性等具有難以將制作后 的層疊電容器的ESR高精度調(diào)節(jié)的問題。因此，相對(duì)于IC的特性的層疊 電容器的ESR變得過高時(shí)，有不能向IC供應(yīng)穩(wěn)定的電壓的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述以往的層疊電容器的問題而做出，目的在于提供一種 為低ESL且能夠高精度調(diào)節(jié)ESR的層疊電容器。
本發(fā)明的層疊電容器，其特征在于，包括層疊了多個(gè)電介質(zhì)層的長 方體狀的層疊體；在該層疊體的層疊方向的側(cè)面相互電獨(dú)立地覆蓋的第一 外部電極及第二外部電極；配置在所述層疊體的內(nèi)部，且隔著所述電介質(zhì) 層相互對(duì)置的第一內(nèi)部電極及第二內(nèi)部電極，其中，所述第一內(nèi)部電極具 有在覆蓋了所述第一外部電極的側(cè)面導(dǎo)出且連接于所述第一外部電極的 第一導(dǎo)出部，所述第二內(nèi)部電極具有在與覆蓋了所述第一外部電極及第二 外部電極的側(cè)面不同的另一側(cè)面導(dǎo)出的第二導(dǎo)出部；帶狀的第一連磁電 極，其在所述另一側(cè)面以沿所述層疊體的層疊方向延伸的方式覆蓋，且與 所述第二內(nèi)部電極的每個(gè)所述第二導(dǎo)出部電連接；帶狀的第二連接電極， 其在所述另一側(cè)面以沿所述層疊體的層疊方向延伸的方式覆蓋，且一端與 所述第一連接電極電連接，另一端與所述第二外部電極電連接，并且在兩 端之間沿著所述層疊體的層疊方向具有厚度薄的部分。另外，本發(fā)明的層疊電容器，其特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，所述第二 內(nèi)部電極具有在所述另一側(cè)面導(dǎo)出的第三導(dǎo)出部，所述第二連接電極為覆 蓋所述第三導(dǎo)出部的鍍膜。
另外，本發(fā)明的層疊電容器的等效串聯(lián)電阻值的調(diào)節(jié)方法，其特征在 于，包括以下工序覆蓋第一內(nèi)部電極或第二內(nèi)部電極，且以所述第一內(nèi) 部電極及所述第二內(nèi)部電極隔著電介質(zhì)層相互對(duì)置的方式層疊所述電介 質(zhì)層而制作長方體狀的層疊體的工序，其中，所述第一內(nèi)部電極具有在多 個(gè)所述電介質(zhì)層的一個(gè)側(cè)面導(dǎo)出的第一導(dǎo)出部，所述第二內(nèi)部電極具有在 與所述一個(gè)側(cè)面不同的另一側(cè)面導(dǎo)出的第二導(dǎo)出部；在所述層疊體的所述
一個(gè)側(cè)面覆蓋相互電獨(dú)立的第一外部電極及第二外部電極的工序；在覆蓋 了所述第一外部電極及所述第二外部電極的所述層疊體的所述另一側(cè)面 以沿著所述層疊體的層疊方向延伸的方式，覆蓋帶狀的第一連接電極及帶 狀的第二連接電極的工序，其中，所述第一連接電極與每個(gè)所述第二導(dǎo)出 部電連接，所述第二連接電極的一端與所述第一連接電極電連接，另一端 與所述第二外部電極電連接；通過沿著所述層疊體的層疊方向削薄所述第 二連接電極的一部分而提高等效串聯(lián)電阻，由此來調(diào)節(jié)等效串聯(lián)電阻值的 工序。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的層疊電容器，由于在第二內(nèi)部電極的第二導(dǎo)出部和第二 外部電極之間夾設(shè)有沿層疊體的層疊方向具有厚度薄的部分的第二連接 電極，在第二連接電極的與電流方向正交的方向上，在其電流的路經(jīng)存在 截面面積小的部分，所以能夠有效地提高層疊電容器的ESR。另外，由于 利用呈帶狀且具有厚度較薄的部分的第二連接電極能夠有效地提高ESR， 所以沒有必要導(dǎo)致ESL的增加的程度地加長第一連接電極或第二連接電 極的長度。因此，可以將層疊電容器的ESL抑制為較低。
另外，通過例如激光加工切削第二連接電極的帶狀的厚度薄的部分， 能夠調(diào)高ESR使其成為所需的值。
艮口，根據(jù)本發(fā)明的層疊電容器，能夠提供一種為低ESL且能夠高精度 調(diào)節(jié)ESR的層疊電容器。
而且，根據(jù)本發(fā)明的層疊電容器，由于能夠在抑制ESL的增加的同時(shí)提高ESR，所以可以將自諧振頻率設(shè)定在高頻側(cè)，抑制在自諧振頻率的阻 抗的極端的下降。
此時(shí)，由于能夠高精度地調(diào)高ESR使其成為所需的值，所以能夠根據(jù) 去耦電路連接的IC的特性等高精度調(diào)節(jié)ESR，使供給IC的電源穩(wěn)定。
艮口，如本發(fā)明那樣使用多個(gè)在提高ESR的同時(shí)抑制ESL的增加的層 疊電容器時(shí)，由自諧振頻率相近的層疊電容器彼此形成的反諧振頻率的阻 抗不變得極端高，所以并聯(lián)多個(gè)層疊電容器使用于去耦電路時(shí)，可以抑制 與自諧振頻率相近的其他的層疊電容器之間的反諧振頻率的阻抗低，在反 諧振頻率附近也能夠使噪聲流向地線。
另外，根據(jù)本發(fā)明的層疊電容器，第二連接電極為覆蓋在從第二內(nèi)部 電極導(dǎo)出至其他側(cè)面的第三導(dǎo)出部上的鍍膜時(shí)，第二連接電極與第三導(dǎo)出 部相接的部分(即例如在筒鍍時(shí)供給用于直接鍍的電流的部分)覆蓋地厚， 隨著遠(yuǎn)離第三導(dǎo)出部覆蓋變薄。因此，在電連接第一連接電極的一端和電 連接第二外部電極的另一端之間沿著層疊體的層疊方向具有厚度薄的部 分的構(gòu)造中容易進(jìn)行向?qū)盈B方向延伸的帶狀的第二連接電極的覆蓋，所以 對(duì)提高層疊電容器的生產(chǎn)率有利。
另外，根據(jù)本發(fā)明的層疊電容器的等效串聯(lián)電阻值的調(diào)節(jié)方法，第二 連接電極以沿層疊體的層疊方向延伸的方式覆蓋，在其兩端之間沿著層疊 體的層疊方向具有厚度薄的部分且以帶狀覆蓋，所以通過削薄第二連接電 極的厚度薄的部分，使第二連夢電極的電流的路徑的截面面積變小，從而 能夠高精度地將微小的ESR調(diào)節(jié)到所需值，可以調(diào)節(jié)(調(diào)高)ESR。另夕卜， 對(duì)層疊電容器為了降低ESL而縮短第二連接電極的長度，對(duì)應(yīng)此ESR也 變低。因此，這里所說的"調(diào)節(jié)ESR"是指調(diào)高ESR。


圖1是表示本發(fā)明的層疊電容器的實(shí)施方式的一例的外觀立體圖。 圖2是表示圖1所示的層疊電容器的分解立體圖。 圖3是表示圖1所示的層疊體的A-A線剖視圖。 圖4是表示圖1所示的層疊體的B-B線剖視圖。 圖5是表示圖1所示的層疊體的C-C線剖視圖。圖6是表示基于層疊電容器的頻率變化的阻抗變化的曲線圖。
圖中l(wèi)-層疊體，la-第一側(cè)面，lb-第二側(cè)面，lc-第三側(cè)面，ld-第四 側(cè)面，2-電介質(zhì)層，3-第一連接電極，4-第二連接電極，5-第一外部電極， 6-第二外部電極，7-第一內(nèi)部電極，8-第二內(nèi)部電極，7b-第一導(dǎo)出部，8b-第二導(dǎo)出部，8c-第三導(dǎo)出部，10-層疊電容器，11-引出電極，12-虛設(shè)電極。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的層疊電容器進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖1是表示本發(fā)明的層疊電容器的實(shí)施方式的一例的外觀立體圖。圖 2是表示圖1所示的層疊電容器的分解立體圖。圖3是表示圖1所示的層 疊電容器的A-A線剖視圖。圖4是表示圖1所示的層疊電容器的B-B線 剖視圖。圖5是表示圖1所示的層疊電容器的C-C線剖視圖。
在這些圖中所示的本例的層疊電容器10具有層疊多個(gè)電介質(zhì)層2 而成的層疊體1;在該層疊體1隔著電介質(zhì)層2互相對(duì)置且占據(jù)電介質(zhì)層 2的面積的大部分的面積上配置的多個(gè)第一內(nèi)部電極7及多個(gè)第二內(nèi)部電 極8;配置在層疊體1內(nèi)部的引出電極11及虛設(shè)電極12;覆蓋層疊體1 的第一側(cè)面la的第一外部電極5及覆蓋與第一側(cè)面la對(duì)置的第二側(cè)面lb 的第二外部電極6;覆蓋第三側(cè)面lc的第一連接電極3及第二連接電極4。
層疊體1是將形成為每層1 3pm的厚度的長方形的多個(gè)電介質(zhì)層2 例如層疊20 2000層而成的長方體狀的電介質(zhì)塊。另外，在圖2中，為 了簡化說明本例，省略了電介質(zhì)層2的層疊數(shù)進(jìn)行表示。
作為電介質(zhì)層2的材料，例如使用鈦酸鋇、鈦酸鈣、鈦酸鍶等介電常 數(shù)比較高的陶瓷為主成分的電介質(zhì)材料。
第一外部電極5及第二外部電極6是在沿著層疊體1的層疊方向側(cè)面 中相互對(duì)置的第一側(cè)面la及第二側(cè)面lb上分別沿著層疊方向覆蓋的用于 與外部電路機(jī)械地固定且電連接的端子電極。作為這些第一外部電極5及 第二外部電極6的材料，例如使用鎳、銅、銀、鈀等金屬為主成分的導(dǎo)體 材料，分別以2 20jim的厚度覆蓋在層疊體1上。
如圖2所示，第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8是以隔著電介質(zhì)層2 相互對(duì)置的方式配置在層疊體1的內(nèi)部，分別形成0.5 8pm的厚度，且在兩者之間儲(chǔ)蓄電荷而得到靜電電容的內(nèi)部電極層。另外，如圖3所示，
從第一內(nèi)部電極7將第一導(dǎo)出部7b引出到層疊體1的第一側(cè)面la，被導(dǎo) 出到層疊體1的第一側(cè)面la的第一內(nèi)部電極7的第一導(dǎo)出部7b彼此分別 與第一外部電極5電連接。另外，如圖4所示，從第二內(nèi)部電極8將第二 導(dǎo)出部8b引出到與第一側(cè)面la及第二側(cè)面lb不同的第三側(cè)面lc。另外， 如圖5所示，將第二內(nèi)部電極8的第三導(dǎo)出部8c及引出電極11的導(dǎo)出部 引出到第三側(cè)面lc。作為第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8的材料，例如 使用鎳、銅、鎳-銅、銀-鈀等金屬為主成分的導(dǎo)體材料。
在層疊體1的第三側(cè)面lc上，每個(gè)第二導(dǎo)出部8b與以在層疊方向延 伸的方式覆蓋的帶狀的第一連接電極3電連接。
進(jìn)而，第二連接電極4以在層疊體1的層疊方向延伸的方式覆蓋在層 疊體1的第三側(cè)面lc上，該第二連接電極4的一端和第三導(dǎo)出部8c電連 接，第二連接電極4的另一端和引出電極11電連接。
在本例的層疊電容器10中，第一連接電極3的一端和第二連接電極4 的一端的電連接是在位于第二內(nèi)部電極8中對(duì)應(yīng)于第二連接電極4的一端 的位置，設(shè)置導(dǎo)出到層疊體1的第三側(cè)面lc的第三導(dǎo)出部8c，將該第三 導(dǎo)出部8c和第二連接電極4連接而進(jìn)行。g卩，第一連接電極3的一端和 第二連接電極4的一端通過第二內(nèi)部電極8進(jìn)行電連接。
并且，第二連接電極4的另一端配置在層疊體1的內(nèi)部從層疊方.向觀 察時(shí)配置有第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8的區(qū)域外側(cè)的電介質(zhì)層2之 間， 一部分通過導(dǎo)出到第三側(cè)面lc的引出電極11與第二外部電極6電連 接。
層疊電容器10中，隔著電介質(zhì)層2相互對(duì)置的第一內(nèi)部電極7和第 二內(nèi)部電極8之間產(chǎn)生的靜電電容通過與第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極 8分別電連接的第一外部電極5及第二外部電極6供給于外部電路。第一 內(nèi)部電極7和第一外部電極5通過第一導(dǎo)出部7c電連接，第二內(nèi)部電極8 和第二外部電極6通過第二導(dǎo)出部8b、第一連接電極3、第二連接電極4 及引出電極ll電連接。引出電極11是為了在電介質(zhì)層2的層間(層疊體 l的內(nèi)部)將第二連接電極4與第二外部電極6電連接的電極。第二連接 電極4和第二外部電極6的電連接也可以為在層疊體1的第三側(cè)面lc形成連接兩者間的導(dǎo)體(未圖示)，通過該導(dǎo)體進(jìn)行。
在本例的層疊電容器10中，第一連接電極3使用和第一外部電極5
及第二外部電極6相同材料并形成與那些相同的厚度，引出電極11使用 和第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8相同材料并形成與那些相同的厚度。 另外，第二連接電極4使用與第一連接電極3、第一外部電極5及第 二外部電極6相同的材料，在電連接第一連接電極3的一端和電連接第二 外部電極6的另一端之間沿著層疊體1的層疊方向具有厚度薄的部分且形 成為帶狀。
這樣的第二連接電極4例如形成層疊方向的長度為,7 11iim、和層疊 方向正交的寬度方向的長度為50 70|im，第二連接電極4的兩端之間沿 著層疊體1的層疊方向形成的厚度薄的部分在第二連接電極4的一端和另 一端之間的大致中間部分，以平均0.5 0.8|am的厚度在層疊方向形成2 5pm的長度，在厚度薄的部分以外形成l 3nm的厚度。
由于配置了多個(gè)隔著電介質(zhì)層2儲(chǔ)蓄電荷的第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi) 部電極8，所以上述的本例的層疊電容器10成為可以得到較大的靜電電容 的電容器。
并且，在本例的層疊電容器10中，在第一內(nèi)部電極7和第一外部電 極5之間電流直接通過，但是在第二內(nèi)部電極8和第二外部電極6之間成 為電流經(jīng)由第一連接電極3及第二連接電極4流過的結(jié)構(gòu)。如此，在本例 的層疊電容器10中，在第二連接電極4的與第一連接電極3電連接的一 端和與第二外部電極6電連接另一端之間沿著層疊體1的層疊方向具有厚 度薄的部分，所以能夠提高層疊電容器IO的ESR。并且，利用具有這樣 帶狀的厚度薄的部分的第二連接電極4可以提高ESR，所以沒有必要導(dǎo)致 ESL的增加的程度地加長第一連接電極3或第二連接電極4的長度，可以 在提高ESR的同時(shí)抑制ESL的增加。
另外，在本例的層疊電容器10中，若將第四側(cè)面ld作為向外部電路 基板等的安裝面，則電流路徑短，從而通過第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電 極8的電流的電感變小而ESL變低，所以自諧振頻率在高頻側(cè)發(fā)生，成為 在高頻側(cè)具有阻抗低的頻帶的電容器。
另外，在本例的層疊電容器10中，由于為了提高ESR的成為電流路徑的第一連接電極3及第二連接電極4覆蓋在層疊體1的側(cè)面，所以可以 將在層疊體1的內(nèi)部隔著電介質(zhì)層2相互對(duì)置配置的第一內(nèi)部電極7和第
二內(nèi)部電極8的對(duì)置部分的面積形成為較寬，因此可以在保持較大的電容 值的同時(shí)提高ESR。
艮卩，本例的層疊電容器10可以在抑制ESL的增加的同時(shí)提高ESR而 調(diào)節(jié)ESR，所以可以使自諧振頻率在高頻側(cè)發(fā)生，可以抑制在自諧振頻率 的阻抗的極端的降低。上述的本例的層疊電容器10在自諧振頻率相近的 電容器彼此的反諧振頻率中的阻抗不會(huì)提高，所以使用于并聯(lián)多個(gè)電容器 的去稱電路時(shí)，可以將在與自諧振頻率相近的其他電容器之間的反諧振頻 率的阻抗抑制為較低，在反諧振頻率附近也可以使噪聲流入地線。
另外，第一連接電極3及第二連接電極4覆蓋在層疊體1的表面上， 所以沒有必要為了在內(nèi)部降低ESL而形成如內(nèi)部電極圖案的情況那樣使 在內(nèi)部電極通過的電流的方向預(yù)先成為相互相反方向的特別的內(nèi)部電極， 可以擴(kuò)大第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8的面積，因此可以形成大的靜 電電容。
另外，根據(jù)本例的層疊電容器IO，第一連接電極3的一端和第二連接 電極4的一端通過配置在電介質(zhì)層2之間且具有第二導(dǎo)出部8b及第三導(dǎo) 出部8c的第二內(nèi)部電極8連接，所以電連接第一連接電極3和第二連接 電極4的部分配置在層疊體1的內(nèi)部，不與外面的空氣接觸且不與氧或水 等物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，所以不受導(dǎo)體的腐蝕等影響，因此可以有效地防止 第一連接電極3和第二連接電極4之間的斷線。
進(jìn)而，第二連接電極4的另一端和第二外部電極6通過在電介質(zhì)層2 之間配置的引出電極11連接，所以第二連接電極4和第二外部電極6電 連接的部分配置在層疊體1的內(nèi)部，不與外面的空氣接觸且不與氧或水等 物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，所以不受導(dǎo)體的腐蝕等影響，因此可以有效地防止第 二連接電極4和第二外部電極6之間的斷線。
本例的層疊電容器IO例如以以下所示方法制造。
首先，在鈦酸鋇、鈦酸鈣、鈦酸鍶等為主成分的電介質(zhì)材料的粉末中 添加/混合適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑、玻璃料及有機(jī)粘接劑等作為陶瓷料漿，并且通 過刮刀法等將該陶瓷料漿成形為2pm厚制作陶瓷生片。接著，將陶瓷生片按規(guī)定形狀分割成多片，并在各陶瓷生片的一主面 上，例如將在鎳、銅、鎳-銅、銀-鈀等金屬材料的粉末中添加/混合適當(dāng)?shù)?有機(jī)溶劑、玻璃料及有機(jī)粘接劑等而得到的導(dǎo)體膏劑通過絲網(wǎng)印刷法印刷 /涂敷與本例的層疊電容器10的第一內(nèi)部電極7、第二內(nèi)部電極8、中繼電 極ll及引出電極ll對(duì)應(yīng)的圖案，或通過將由鍍膜法O 〃^形成法)形 成的金屬膜進(jìn)行轉(zhuǎn)印而覆蓋形成。
通過將得到的陶瓷生片以規(guī)定的片數(shù)層疊加壓，形成包括多個(gè)陶瓷生 片的層疊片，將該層疊片切斷分離成與各電容10對(duì)應(yīng)的單一片(個(gè)片) 的生層疊體(生積層體)。
將該切斷分離的單一片的生層疊體例如在110(TC 140(TC的溫度燒 成，通過對(duì)得到的層疊塊滾磨等而將側(cè)面和主面的角部進(jìn)行倒角，可以得 到層疊多個(gè)電介質(zhì)層2而成的在內(nèi)部形成了各內(nèi)部電極的層疊體1。
如圖2所示，虛設(shè)電極12在層疊體1的內(nèi)部配置多個(gè)，在第一側(cè)面 la、第二側(cè)面lb及第三側(cè)面lc導(dǎo)出多個(gè)。在第三側(cè)面lc，配置在電介質(zhì) 層2之間的沒有形成第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8的部分的第二導(dǎo)出 部8b之間。
例如，通過將層疊體l浸入非電解鍍銅液中，以第一內(nèi)部電極7的第 一導(dǎo)出部7b、第二內(nèi)部電極8的第二導(dǎo)出部8b、第二內(nèi)部電極8的第三 導(dǎo)出部8c及引出電極U的導(dǎo)出部為基點(diǎn)析出鍍銅膜而可以形成第一外部 電極5、第二外部電極6、第一連接電極3及第二連接電極4。
另外，在本例的層疊電容器10中，引出電極11酉己置在電介質(zhì)層2之 間的形成有第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8的區(qū)域的層疊方向的外側(cè)， 通過以第二內(nèi)部電極8的第三導(dǎo)出部8c及引出電極11為基點(diǎn)析出鍍銅膜 形成第二連接電極4。
另外，第二連接電極4以在層疊體1的層疊方向延伸的方式覆蓋，且 在連接第三導(dǎo)出部8c的一端和電連接第二外部電極6的另一端之間沿著 層疊體1的層疊方向具有厚度薄的部分并以帶狀覆蓋，所以例如通過激光 微調(diào)第二連接電極4的厚度薄的部分，可以使其寬度變窄，所以可以通過 減少第二連接電極4的電流路徑的截面面積而將ESR精度良好(高)地調(diào) 節(jié)到所需的值。因此，在制作層疊電容器IO之后也可以調(diào)節(jié)ESR。另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式的例子，在不脫離本發(fā)明的要 旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更、改良。
例如，在上述的實(shí)施方式的例子中，第一外部電極5、第二外部電極
6、第一連接電極3及第二連接電極4都是由鍍膜法形成的，但例如在制 作的層疊體1的第一側(cè)面la、第二側(cè)面lb及第三側(cè)面lc上，將在鎳、銅、 銀、鈀等金屬為主成分的金屬材料的粉末中添加/混合適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑、玻 璃料及有機(jī)粘接劑等而得到的導(dǎo)體膏劑通過絲網(wǎng)印刷法印刷/涂敷成規(guī)定 圖案，以第一外部電極5和多個(gè)第二導(dǎo)出部8b連接、第二外部電極6和 引出電極ll連接，第一連接電極3和多個(gè)第二導(dǎo)出部8b連接，第二連接 電極4和第三導(dǎo)出部8c及引出電極11的導(dǎo)出部連接的方式，印刷/涂敷導(dǎo) 體膏劑，之后經(jīng)過燒成形成第一外部電極5、第二外部電極6、第一連接 電極3及第二連接電極4也可。
另外，在上述實(shí)施方式的例子中，第一連接電極3和第二連接電極4 通過配置在電介質(zhì)層2之間的第二內(nèi)部電極8連接，但不是鍍膜法而是使 用利用導(dǎo)體膏劑形成的方法，不經(jīng)由第二內(nèi)部電極8而在第三側(cè)面lc上 連接第一連接電極3的一端和對(duì)置的第二連接電極4的一端也可。
另外，在上述實(shí)施方式的例子中，第二連接電極4和第二外部電極6 通過配置在電介質(zhì)層2之間的引出電極11連接，但不是鍍膜法而是使用 利用導(dǎo)體膏劑形成的方法，不配置引出電極11而在第二側(cè)面lb上和第三 側(cè)面lc上連接第二連接電極4的另一端和第二外部電極6也可。
另外，在上述實(shí)施方式的例子中，第一外部電極5及第二外部電極6 環(huán)繞與分別被覆蓋的側(cè)面鄰接的兩個(gè)側(cè)面進(jìn)行覆蓋，但第一外部電極5及 第二外部電極6也可以環(huán)繞與分別被覆蓋的側(cè)面鄰接的面的整體覆蓋，不 環(huán)繞到與分別被覆蓋的側(cè)面鄰接的側(cè)面也可。
另外，在上述實(shí)施方式的例子中，第一外部電極5及第二外部電極6 分別在層疊體1的對(duì)置的側(cè)面覆蓋，但第一外部電極5及第二外部電極6 在層疊體1的同一側(cè)面分別電獨(dú)立地覆蓋也可。
另外，在上述實(shí)施方式的例子中，第一連接電極3和第二連接電極4 在層疊體1的同一側(cè)面覆蓋，但通過第一連接電極3和第二連接電極4在 層疊體1的不同的側(cè)面覆蓋，第一連接電極3的一端和第二導(dǎo)出部8b連接，在與第二導(dǎo)出部8b導(dǎo)出的側(cè)面不同的側(cè)面導(dǎo)出的第三導(dǎo)出部8C和第
二連接電極4的一端連接，從而第一連接電極3和第二連接電極4經(jīng)由第
二內(nèi)部電極電連接也可。實(shí)施例
作為本例的層疊電容器io制作了以下所示結(jié)構(gòu)的試料1。
層疊體1作為電介質(zhì)層2的材料，采用以鈦酸鋇為主成分的強(qiáng)電介質(zhì) 陶瓷，使其成為長度為1.6mm、寬度和高度分別為0.8mm的長方體狀的 層疊體。第一內(nèi)部電極7及第二內(nèi)部電極8采用鎳(Ni)作為材料，在層 疊體1的內(nèi)部分別各配置了 300片。第一連接電極3、第二連接電極4、 第一外部電極5及第二外部電極6采用銅(Cu)作為材料，在其表面形成 鎳膜，進(jìn)而在其表面形成錫(Sn)膜。
另外，第一外部電極5和第二外部電極6通過分別在層疊體1的對(duì)置 的側(cè)面覆蓋而形成。
另外，第二連接電極4的一端和第一連接電極3的一端通過第二內(nèi)部 電極8電連接，第二連接電極4的另一端和第二外部電極6通過引出電極 11電連接。
另外，第二連接電極4的層疊方向的長度為llpm，與層疊方向正交 的寬度方向的長度為70pm。在第二連接電極4的兩端之間沿著層疊體1 的層疊方向形成的厚度薄的部分在第二連接電極的兩端之間的大致中間 部分以平均0.5pm的厚度在層疊方向形成5pm的長度，厚度薄的部分以 外形成lpm的厚度。
另外，作為比較例制作了以往的層疊電容器的試料2。試料2除了不 形成第一連接電極3、第二連接電極4及引出電極11，在第二側(cè)面導(dǎo)出第 二內(nèi)部電極8的第二導(dǎo)出部8b，使第二內(nèi)部電極8與第二外部電極6直接 連接的點(diǎn)以外，與試料l為同一形狀及同一材料。
對(duì)上述試料1、 2，測定在lMHz 1000MHz的頻帶的阻抗。圖6是 表示層疊電容器的阻抗的頻率依賴性的曲線圖。橫軸表示頻率(單位 MHz)，縱軸表示阻抗IZI (單位Q)。圖中的實(shí)線的特性曲線X表示試料 1 (本例的層疊電容器10)的阻抗特性，虛線的特性曲線Y表示試料2 (以 往的層疊電容器IO)的阻抗特性。如圖6所示的結(jié)果，可知試料1和試料2相比在阻抗成為最小的自諧 振頻率附近的阻抗大。
這是因?yàn)榻?jīng)由第一連接電極3及第二連接電極4連接第二內(nèi)部電極8 和第二外部電極6,增加了第一連接電極3及第二連接電極4的部分的電 流的路徑，并且在第二內(nèi)部電極8的第三導(dǎo)出部8b和引出電極11之間夾 設(shè)有在沿著層疊體l的層疊方向具有厚度薄的部分的第二連接電極4，因 此在與電流方向正交的方向在其電流的路徑存在截面面積小的部分，由此 ESR變高而導(dǎo)致的。
另外，其結(jié)果也可知，利用為帶狀且具有厚度薄的部分的第二連接電 極4可以有效地提高ESR，所以沒有必要導(dǎo)致ESL的增加的程度地加長 第一連接電極3或第二連接電極4的長度，可以將ESL抑制為較低。
由此，在比自諧振頻率高的頻率的阻抗和試料2的阻抗幾乎沒有改變。 另外，在本實(shí)施例的試料l中，由于通過在層疊體l的側(cè)面覆蓋第一連接 電極3及第二連接電極4而提高ESR，所以沒有必要在層疊體l的內(nèi)部預(yù) 先設(shè)置特殊的內(nèi)部電極而使通過各內(nèi)部電極的每個(gè)的電流的方向成為相 反的方向，因此沒有減少第一內(nèi)部電極7或第二內(nèi)部電極8的數(shù)量，所以 不降低靜電電容的值。由此，試料l在比自諧振頻率低的頻率的阻抗不比 試料2的阻抗高。
如此根據(jù)本發(fā)明的層疊電容器，由于第一內(nèi)部電極的第一導(dǎo)出部在第 一側(cè)面與第一外部電極連接，第.二內(nèi)部電極的第二導(dǎo)出部分別與第一連接
電極電連接，第一連接電極的一端和第二連接電極的一端電連接，第二連 接電極的另一端和第二外部電極電連接，因此在第二內(nèi)部電極和第二外部 電極之間形成較長的電流路徑，所以確認(rèn)了能夠在抑制ESL的增加的同時(shí)
提高層疊電容器的ESR。另外，由于第二連接電極在沿著層疊體的層疊方 向有厚度薄的部分，在第二連接電極與電流的路徑正交的方向在其電流的 路徑存在截面面積小的部分，所以ESR變高，沒有必要導(dǎo)致ESL的增加 的程度地加長第一連接電極或第二連接電極的長度，確認(rèn)了在調(diào)節(jié)提高 ESR時(shí)也能夠?qū)SL抑制為較低。
權(quán)利要求
1、一種層疊電容器，其特征在于，包括層疊了多個(gè)電介質(zhì)層的長方體狀的層疊體；在該層疊體的層疊方向的側(cè)面相互電獨(dú)立地覆蓋的第一外部電極及第二外部電極；配置在所述層疊體的內(nèi)部，且隔著所述電介質(zhì)層相互對(duì)置的第一內(nèi)部電極及第二內(nèi)部電極，其中，所述第一內(nèi)部電極具有在覆蓋了所述第一外部電極的側(cè)面導(dǎo)出且連接于所述第一外部電極的第一導(dǎo)出部，所述第二內(nèi)部電極具有在與覆蓋了所述第一外部電極及第二外部電極的側(cè)面不同的另一側(cè)面導(dǎo)出的第二導(dǎo)出部；帶狀的第一連接電極，其在所述另一側(cè)面以沿所述層疊體的層疊方向延伸的方式覆蓋，且與所述第二內(nèi)部電極的每個(gè)所述第二導(dǎo)出部電連接；帶狀的第二連接電極，其在所述另一側(cè)面以沿所述層疊體的層疊方向延伸的方式覆蓋，且一端與所述第一連接電極電連接，另一端與所述第二外部電極電連接，并且在兩端之間沿著所述層疊體的層疊方向具有厚度薄的部分。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的層疊電容器，其特征在于，所述第二內(nèi)部電極具有在所述另一側(cè)面導(dǎo)出的第三導(dǎo)出部，所述第二 連接電極為覆蓋所述第三導(dǎo)出部的鍍膜。
3、 一種層疊電容器的等效串聯(lián)電阻值的調(diào)節(jié)方法，其特征在于，包 括以下工序覆蓋第一內(nèi)部電極或第二內(nèi)部電極，且以所述第一 內(nèi)部電極及所述第 二內(nèi)部電極隔著電介質(zhì)層相互對(duì)置的方式層疊所述電介質(zhì)層而制作長方 體狀的層疊體的工序，其中，所述第一內(nèi)部電極具有在多個(gè)所述電介質(zhì)層 的一個(gè)側(cè)面導(dǎo)出的第一導(dǎo)出部，所述第二內(nèi)部電極具有在與所述一個(gè)側(cè)面 不同的另一側(cè)面導(dǎo)出的第二導(dǎo)出部；將第二外部電極及連接于第一導(dǎo)出部的第一外部電極相互電獨(dú)立地 覆蓋于所述層疊體的側(cè)面的工序；在沒有覆蓋所述第一外部電極及所述第二外部電極的所述層疊體的另一側(cè)面以沿著所述層疊體的層疊方向延伸的方式，覆蓋帶狀的第一連接 電極及帶狀的第二連接電極的工序，其中，所述第一連接電極與每個(gè)所述 第二導(dǎo)出部電連接，所述第二連接電極的一端與所述第一連接電極電連 接，另一端與所述第二外部電極電連接，且在兩端之間沿著所述層疊體的層疊方向具有厚度薄的部分；通過削薄所述第二連接電極的沿著層疊方向的厚度薄的部分而提高 等效串聯(lián)電阻，由此來調(diào)節(jié)等效串聯(lián)電阻值的工序。
全文摘要
提供為低ESL且能夠高精度調(diào)節(jié)ESR的層疊電容器(10)，多個(gè)第一內(nèi)部電極(7)和第二內(nèi)部電極(8)在層疊體(1)的內(nèi)部以隔著電介質(zhì)層(2)相互對(duì)置的方式交替配置，第一內(nèi)部電極(7)和第一外部電極(5)連接，第二內(nèi)部電極(8)和帶狀的第一連接電極(3)連接，并配置了以在層疊方向延伸的方式覆蓋，一端與所述第一連接電極(3)電連接，另一端和第二外部電極(6)電連接，在兩端之間沿著層疊方向具有厚度薄的部分的帶狀的第二連接電極(4)。第二連接電極(6)的帶狀的厚度薄的部分可以有效地提高ESR，并且由于沒有必要導(dǎo)致ESL增加的程度地加長第一連接電極(3)或第二連接電極(6)的長度而提高ESR，所以能夠抑制ESL的增加。
文檔編號(hào)H01G4/30GK101640129SQ200910165508
公開日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2009年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月29日
發(fā)明者佐藤恒 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社