專利名稱：集成電路阻擋層和集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路阻擋層的制備方法和集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，尤其涉 及一種借由在包含氧化劑的環(huán)境中使用等離子體加強(qiáng)處理工藝以形成阻擋層的集成電路 結(jié)構(gòu)的制備方法。
背景技術(shù)：
鋁(Al)及其合金已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于制備集成電路結(jié)構(gòu)的電路連線。隨著電路元 件的尺寸縮小，電路連線的元件數(shù)目持續(xù)增加，因而需要使用非常細(xì)電路連線的先進(jìn)電路 設(shè)計。然而，鋁(Al)及其合金的電致遷移及熱致空洞(thermally induce voiding)現(xiàn)象 限制了在高密度電路連線的應(yīng)用。此外，鋁合金的另一重要問題為其電阻高于其它導(dǎo)電材 料。為了避免鋁(Al)及其合金的缺點，其它金屬(金、銅、銀)已被嘗試用以取代鋁 (Al)及其合金。銅由于具有較低的電阻，因而成為主要替代選擇。然而，銅在集成電路材料 (例如硅及氧化硅)中的擴(kuò)散相當(dāng)迅速，因而無法在集成電路中直接以銅線取代鋁線。因 此，需要特殊的工藝及材料克服銅的擴(kuò)散及粘附問題，方可實現(xiàn)以銅取代鋁作為電路連線。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的一實施例提供一種集成電路阻擋層的制備方 法，其借由在包含氧化劑的環(huán)境中進(jìn)行等離子體加強(qiáng)處理工藝以便提供有效的銅擴(kuò)散阻障 能力。該集成電路阻擋層的制備方法的一實施例包含形成一第一金屬層于一基板上，以及 在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝以形成一氧化金屬層于該第一金屬層上，其中該 等離子體由包含氧化劑的氣體形成。本發(fā)明的另一實施例提供一種集成電路阻擋層的制備方法，其借由在包含氧化劑 的環(huán)境中進(jìn)行等離子體加強(qiáng)處理工藝以便提供有效的銅擴(kuò)散阻障能力。該集成電路阻擋層 的制備方法的一實施例包含形成一金屬層及一氮化金屬層于一基板上，以及在包含等離子 體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝以形成一氧化金屬層于該金屬層上及該氮化金屬層上，其中該 等離子體由包含氧化劑的氣體形成。本發(fā)明的另一實施例提供一種集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其借由在包含氧化劑的 環(huán)境中使用等離子體加強(qiáng)處理工藝。該集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法的一實施例包含形成一第 一介電層于包含一第一導(dǎo)電層的一基板上，形成一第二介電層于該第一介電層上，形成一 孔洞于該第二介電層中且該孔洞暴露該第一導(dǎo)電層，形成一阻擋層于該孔洞內(nèi)，以及形成 一第二金屬層于該阻擋層上。形成該阻擋層的一實施例包含形成一金屬層于該孔洞內(nèi)，以 及在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝以形成一氧化金屬層于該金屬層上，其中該等 離子體由包含氧化劑的氣體形成。形成該阻擋層的另一實施例包含形成一金屬層及一氮化 金屬層于該孔洞內(nèi)，以及在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝以形成氧化金屬層于該 金屬層上及該氮化金屬層上，其中該等離子體由包含氧化劑的氣體形成。
本發(fā)明可提供有效的銅擴(kuò)散阻障能力。上文已相當(dāng)廣泛地概述本發(fā)明的技術(shù)特征，使下文的本發(fā)明詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本發(fā)明的專利保護(hù)范圍標(biāo)的的其它技術(shù)特征將描述于下文。本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實施例可作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu) 或工藝而實現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫 離所附的權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍。


借由參照前述說明及下列附圖，本發(fā)明的技術(shù)特征得以獲得完全了解。圖1例示本發(fā)明一實施例的阻擋層制備方法的流程圖；圖2及圖3例示本發(fā)明一實施例的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法；圖4至圖7例示本發(fā)明一實施例的阻擋層的制備方法；圖8至圖10例示本發(fā)明另一實施例的阻擋層的制備方法。其中，附圖標(biāo)記說明如下10 集成電路結(jié)構(gòu)12 基板14 第一介電層16 第一導(dǎo)電層18 第二介電層20 孔洞22 第一金屬層24 氮化金屬層26 第一氧化金屬層28 第二氧化金屬層30 第二金屬層32 第一金屬層34 氮化金屬層36 第一氧化金屬層38 第二氧化金屬層40 第二金屬層50 阻擋層50A 阻擋層50B 阻擋層52 第二導(dǎo)電層100 阻擋層制備方法102-110 步驟120反應(yīng)器140反應(yīng)室142真空系統(tǒng)
144載臺146基板148蓮蓬頭150氣體源
152電力供應(yīng)器
具體實施例方式圖1例示本發(fā)明一實施例的阻擋層制備方法100的流程圖。該制備方法100包含 在基板(例如硅晶片)上制造集成電路的工藝步驟。在某些實施例中，所述工藝步驟依附圖 的順序?qū)嵤?。在其它實施例中，所述工藝步驟的至少兩個步驟可同時實施或以不同的順序 實施。例如，步驟108及步驟110可以相反順序?qū)嵤?，也即先實施步驟110再實施步驟108。 次要步驟或輔助步驟(例如在反應(yīng)室之間移動基板、處理控制步驟或其相似的步驟)，均為 此一技術(shù)領(lǐng)域的公知常識，故在此予以省略。該制備方法100的一部分可使用整合處理系 統(tǒng)的反應(yīng)模塊，例如美商應(yīng)用材料公司的ENDURA整合處理系統(tǒng)即為此類系統(tǒng)之一。下文即 參照圖7簡要地說明適合的反應(yīng)器120。圖2及圖3例示本發(fā)明一實施例的集成電路結(jié)構(gòu)10的制備方法。首先，形成一第 二介電層18于一基板12上，該基板12包含一第一導(dǎo)電層16 (例如設(shè)置于一第一介電層14 內(nèi)的銅層)。該基板12可還包含設(shè)置于該第一介電層14下方的硅基板、導(dǎo)體及絕緣材料。 之后，利用光刻及蝕刻工藝形成一孔洞20于該第二介電層18內(nèi)，且該孔洞20暴露該第一 導(dǎo)電層16。然后，形成一阻擋層50于該孔洞20內(nèi)及該第二介電層18上，再形成一第二導(dǎo) 電層52 (例如鋁層)于該阻擋層50上，如圖3所示。該阻擋層50覆蓋該孔洞20的底面及 側(cè)壁，以便防止該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子與該第二導(dǎo)電層52內(nèi)鋁原子的交互擴(kuò)散。圖4至圖6例示本發(fā)明一實施例的阻擋層50A的制備方法，其中圖4及圖5可視 為圖3的預(yù)定區(qū)域54的局部放大圖。參考圖4，在形成該孔洞20于該第二介電層18內(nèi)部 之后，形成一第一金屬層22于該孔洞20內(nèi)及一氮化金屬層24于該第一金屬層22上。在 本發(fā)明的一實施例中。該第一金屬層22以物理氣相沉積技術(shù)(例如濺鍍技術(shù))制備于該 第一導(dǎo)電層16上的鈦(Ti)層或鉭(Ta)層，該氮化金屬層24以物理氣相沉積技術(shù)(例如 反應(yīng)性濺鍍技術(shù))制備于該第一金屬層22上的氮化鈦(TiN)層或氮化鉭(TaN)層。參考圖5，在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝以形成一第一氧化金屬層26 于該第一金屬層22上，其中該等離子體由包含氧化劑(例如氧氣或臭氧)的氣體形成。該 處理工藝可視為一回火(annealing)工藝。此外，該處理工藝也形成一第二氧化金屬層28 于該氮化金屬層24上。在本發(fā)明的一實施例中，該第一氧化金屬層26及該第二氧化金屬 層28是氧化鈦(TiO)層或氧化鉭(TaO)層。在該處理工藝之后，形成一第二金屬層30于 該第二氧化金屬層28上。在本發(fā)明的一實施例中，該第二金屬層30以物理氣相沉積技術(shù) (例如濺鍍技術(shù))制備于該第二氧化金屬層28上的鈦(Ti)層或鉭(Ta)層。在本發(fā)明的一實施例中，該處理工藝的實施步驟包含將具有該第一金屬層22及 該氮化金屬層24的基板12置放于一反應(yīng)室中，輸入包含氧化劑的氣體至該反應(yīng)室，施加射 頻能量至該反應(yīng)室中以進(jìn)行等離子體加強(qiáng)氧化工藝。施加射頻能量(1000至2000Watt)于 包含氧化劑的氣體，該氧化劑(氧氣)即離子化而形成等離子體。離子化的氧氣具有較佳的氧化能力。若未施加射頻能量，氧氣必須被加熱至270°C以上的高溫方可離子化，而如此 高溫將大幅地提升該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子的擴(kuò)散能力。相對地，本發(fā)明借由施加射頻能 量于氧氣，該處理工藝可在較低的溫度下實施，至少可調(diào)降至100°C，甚至可調(diào)降至室溫。圖6例示該阻擋層50A在該處理工藝后的縱深分析圖。在實施該處理工藝之前， 該氮化金屬層24具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)，而該第一導(dǎo)電層16內(nèi)的銅原子即沿著柱狀晶體結(jié)構(gòu) 的晶界擴(kuò)散。參考圖5及圖6可知，該氮化金屬層24內(nèi)含氧原子，也即具有柱狀晶體結(jié)構(gòu) 的氮化金屬層24在該處理工藝中被氧化。換言之，該氮化金屬層24的柱狀晶體結(jié)構(gòu)的晶 界被氧原子填塞，因此該處理工藝提升了該阻擋層50A對該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子與該第 二導(dǎo)電層52內(nèi)鋁原子的交互擴(kuò)散的阻障能力。
除了填塞該氮化金屬層24的柱狀晶體結(jié)構(gòu)的晶界，該處理工藝也形成該第一氧 化金屬層26于該第一金屬層22。該第一氧化金屬層26并非柱狀晶體結(jié)構(gòu)，因而沒有晶界， 也即該第一氧化金屬層26可以有效地防止該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子與該第二導(dǎo)電層52 內(nèi)鋁原子的交互擴(kuò)散。由于實施該處理工藝即可形成該第一氧化金屬層26于該第一金屬 層22，且該第一氧化金屬層26可以有效地防止該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子與該第二導(dǎo)電層 52內(nèi)鋁原子的交互擴(kuò)散，因此圖1的步驟110的處理工藝可以在步驟108 (形成該氮化金屬 層24)之前實施。圖7例示一等離子體氧化反應(yīng)器120，其可用于實施圖1所示的工藝方法100的部 分步驟。特而言之，圖7所示的反應(yīng)器實施例僅用以例示說明，不應(yīng)用以限縮解釋本發(fā)明的 范圍。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)可了解本發(fā)明的方法也可用其它反應(yīng)器或處理系統(tǒng)實施。參考圖7，該等離子體氧化反應(yīng)器120包含一反應(yīng)室140，其由真空系統(tǒng)142維持 在真空狀態(tài)。該反應(yīng)室140的內(nèi)部配置一載臺144，用以承載一待處理基板146。該載臺144 具有一內(nèi)嵌式電極(未顯示于圖中)。在該載臺144上方設(shè)有一蓮蓬頭148，其具有一氣體 入口電極(未顯示于圖中)，氣體源150的氣體經(jīng)由該蓮蓬頭148分散進(jìn)入該反應(yīng)室140內(nèi) 部。換言之，該反應(yīng)室140協(xié)助將該氣體轉(zhuǎn)變成該等離子體于該載臺144上方。該等離子 體氧化反應(yīng)器120還包含一射頻電力供應(yīng)器，其借由氣體入口電極耦合于該蓮蓬頭148，并 借由內(nèi)嵌式電極耦合于該載臺144。實施等離子體氧化工藝的功率約為1000至2000Watt， 且該反應(yīng)室140的壓力約介于5至20mTorr。圖8至圖10例示本發(fā)明另一實施例的阻擋層50B的制備方法，其中圖8及圖9可 視為圖3的預(yù)定區(qū)域54的局部放大圖。參考圖8，在形成該孔洞20于該第二介電層18內(nèi) 部之后，形成一第一金屬層32于該孔洞20內(nèi)及一氮化金屬層34于該第一金屬層32上。在 本發(fā)明的一實施例中，該第一金屬層32以物理氣相沉積技術(shù)(例如濺鍍技術(shù))制備于該第 一導(dǎo)電層16上的鈦(Ti)層或鉭(Ta)層，該氮化金屬層34以物理氣相沉積技術(shù)(例如反 應(yīng)性濺鍍技術(shù))制備于該第一金屬層32上的氮化鈦(TiN)層或氮化鉭(TaN)層。參考圖9，在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝以形成一第一氧化金屬層36 于該第一金屬層32與該氮化金屬層34之間。此外，該處理工藝也形成一第二氧化金屬層 38于該氮化金屬層34上。該等離子體由包含氧化劑(例如氧氣或臭氧)及還原劑(例如 氫氣)的氣體形成。較佳地，氧氣與氫氣的流量介于200至eOOsccm，氫氣的流量比介于60 至90%。在本發(fā)明的一實施例中，該第一氧化金屬層36及該第二氧化金屬層38是氧化鈦 (TiO)層或氧化鉭(TaO)層。在該處理工藝之后，形成一第二金屬層40于該第二氧化金屬層38上。在本發(fā)明的一實施例中。該第二金屬層40以物理氣相沉積技術(shù)(例如濺鍍技 術(shù))制備于該第二氧化金屬層38上的鈦(Ti)層或鉭(Ta)層。在本發(fā)明的一實施例中，該處理工藝的實施步驟包含將具有該第一金屬層32及 該氮化金屬層34的基板12置放于一反應(yīng)室中，輸入包含氧化劑及還原劑的氣體至該反應(yīng) 室，施加射頻能量至該反應(yīng)室中以進(jìn)行等離子體加強(qiáng)氧化工藝。施加射頻能量(1000至 2000ffatt)于包含氧化劑及還原劑的氣體，該氧化劑(氧氣)及還原劑(氫氣)即離子化而 形成等離子體。若未施加射頻能量，氧氣必須被加熱至270°C以上的高溫方可離子化，而如 此高溫將大幅地提升該第一導(dǎo)電層16內(nèi)的銅原子的擴(kuò)散能力。相對地，本發(fā)明借由施加射 頻能量于氧氣，該處理工藝可在較低的溫度下實施，至少可調(diào)降至10(TC，甚至可調(diào)降至室
ilm ο 圖10例示該阻擋層50B在該處理工藝后的縱深分析圖。在實施該處理工藝之前， 該氮化金屬層34具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)，而該第一導(dǎo)電層16內(nèi)的銅原子即沿著柱狀晶體結(jié)構(gòu) 的晶界擴(kuò)散。參考圖9及圖10可知，該氮化金屬層34內(nèi)含氧原子，也即具有柱狀晶體結(jié)構(gòu) 的氮化金屬層34在該處理工藝中被氧化。換言之，該氮化金屬層34的柱狀晶體結(jié)構(gòu)的晶 界被氧原子填塞，因此該處理工藝提升了該阻擋層50B對該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子與該第 二導(dǎo)電層52內(nèi)鋁原子的交互擴(kuò)散的阻障能力。除了填塞該氮化金屬層34的柱狀晶體結(jié)構(gòu)的晶界，該處理工藝也形成該第一氧 化金屬層36及該第二氧化金屬層38，其可視為該阻擋層50B的一部分。該第一氧化金屬層 36及該第二氧化金屬層38并非柱狀晶體結(jié)構(gòu)，因而沒有晶界，也即該第一氧化金屬層36及 該第二氧化金屬層38可以有效地防止該第一導(dǎo)電層16內(nèi)銅原子與該第二導(dǎo)電層52內(nèi)鋁 原子的交互擴(kuò)散。此外，圖10所示的氮化金屬層34的含氧率小于圖6所示的氮化金屬層24的含氧 率，此一結(jié)果是由于在該處理工藝中加入還原劑(氫氣)，其有助于降低氧氣對該氮化金屬 層34的氧化能力。換言之，本發(fā)明可借由改變氧氣/氫氣比率而調(diào)整該處理工藝的氧化能 力。若未加入氫氣，則工藝條件(例如射頻功率、反應(yīng)時間及反應(yīng)壓力等)必須細(xì)心控制， 以便避免該氮化金屬層34發(fā)生過度氧化而產(chǎn)生過多的金屬氧化物，其增加了該阻擋層50B 的電阻。相對地，借由加入還原劑(氫氣)，本發(fā)明除了細(xì)心控制工藝條件之外，也可借由改 變氧氣/氫氣比率而調(diào)整該處理工藝的氧化能力而避免發(fā)生過度氧化。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)了解，在 不背離所附權(quán)利要求所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作種種的替換 及修飾。例如，上文揭示的許多工藝可以不同的方法實施或以其它工藝予以取代，或者采用 上述二種方式的組合。此外，本發(fā)明的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實施例的工藝、機(jī)臺、制造、 物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)了解，基于本發(fā)明教示及揭示工藝、 機(jī)臺、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法或步驟，無論現(xiàn)在已存在或日后開發(fā)的，其與本發(fā)明實 施例揭示的以實質(zhì)相同的方式執(zhí)行實質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實質(zhì)相同的結(jié)果，也可使用于 本發(fā)明。因此，所附的權(quán)利要求用以涵蓋用以此類工藝、機(jī)臺、制造、物質(zhì)的成份、裝置、方法 或步驟。
權(quán)利要求
一種集成電路阻擋層的制備方法，包含如下步驟形成一第一金屬層于一基板上；以及于一等離子體環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝，以形成一氧化金屬層于該第一金屬層上，其特征在于該等離子體是由包含氧化劑的氣體形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該處理工藝在 100°C以下的溫度進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于形成該等離子 體是借由施加1000至2000Watt的射頻能量于該氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該處理工藝在壓力 介于5至20mTorr進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該氣體還包含還原劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該氧化劑是氧氣， 該還原劑是氫氣，該基板是硅晶片。
7.一種集成電路阻擋層的制備方法，包含如下步驟 形成一氮化金屬層于一基板上；以及于一等離子體環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝，以形成一氧化金屬層于該氮化金屬層上，其特 征在于該等離子體由包含氧化劑的氣體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該處理工藝在 100°C以下的溫度進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于形成該等離子體是 借由施加1000至2000Watt的射頻能量于該氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該處理工藝在壓 力介于5至20mTorr進(jìn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該氣體還包含還 原劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路阻擋層的制備方法，其特征在于該氧化劑是氧 氣，該還原劑是氫氣，該基板是硅晶片。
13.一種集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，包含如下步驟形成一第二介電層于一基板上，該基板包含一第一導(dǎo)電層及一第一介電層； 形成一孔洞于該第二介電層中，該孔洞暴露該第一導(dǎo)電層；于一等離子體的環(huán)境中進(jìn)行一處理工藝，以形成一阻擋層于該孔洞內(nèi)，其特征在于該 等離子體由包含氧化劑的氣體形成；以及 形成一第二金屬層于該阻擋層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于形成該阻擋層包含形成一金屬層于該孔洞內(nèi)；以及進(jìn)行該處理工藝以形成一氧化金屬層于該金屬層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于形成該阻擋層包含形成一氮化金屬層于該孔洞內(nèi)；以及進(jìn)行該處理工藝以形成一氧化金屬層于該金屬層上及該氮化金屬層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于該處理工藝在 100°C以下的溫度進(jìn)行。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于形成該等離子體是 借由施加1000至2000Watt的射頻能量于該氣體。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于該處理工藝在壓力 介于5至20mTorr進(jìn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于該氣體還包含還原劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于該氧化劑是氧氣， 該還原劑是氫氣，該基板是硅晶片。
全文摘要
本發(fā)明提供一種集成電路阻擋層和集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法，該集成電路結(jié)構(gòu)的制備方法包含形成第一介電層于包含第一導(dǎo)電層的基板上，形成第二介電層于第一介電層上，形成孔洞于第二介電層中且孔洞暴露第一導(dǎo)電層，形成阻擋層于孔洞內(nèi)，以及形成第二金屬層于阻擋層上。形成阻擋層的一實施例包含形成金屬層于孔洞內(nèi)，以及在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行處理工藝以形成氧化金屬層于金屬層上，其中等離子體由包含氧化劑的氣體形成。形成阻擋層的另一實施例包含形成金屬層及氮化金屬層于孔洞內(nèi)，以及在包含等離子體的環(huán)境中進(jìn)行處理工藝以形成氧化金屬層于金屬層及氮化金屬層上，其中等離子體由包含氧化劑的氣體形成。本發(fā)明可提供有效的銅擴(kuò)散阻障能力。
文檔編號H01L21/768GK101944504SQ20091016958
公開日2011年1月12日 申請日期2009年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月8日
發(fā)明者林江宏 申請人:南亞科技股份有限公司